KR20070041864A - An apparatus for protecting an exterior memory in a mobile communication terminal - Google Patents

An apparatus for protecting an exterior memory in a mobile communication terminal Download PDF

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KR20070041864A KR1020050097443A KR20050097443A KR20070041864A KR 20070041864 A KR20070041864 A KR 20070041864A KR 1020050097443 A KR1020050097443 A KR 1020050097443A KR 20050097443 A KR20050097443 A KR 20050097443A KR 20070041864 A KR20070041864 A KR 20070041864A
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Abstract

본 발명은 이동통신 단말기의 외장 메모리 보호 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an external memory protection device of a mobile communication terminal.

본 발명은 외장 메모리를 삽입하여 장착 가능하도록 외부의 소정 위치에 메모리 삽입부를 구비한 이동통신 단말기에 있어서, 상기 메모리 삽입부로 인입되는 외장 메모리를 감지하여 메모리 감지신호를 출력하는 메모리 감지부와; 상기 메모리 감지부의 메모리 감지신호에 따라 외장 메모리의 삽입 여부를 인지하고, 상기 인지 결과를 이용하여 상기 메모리 삽입부에 삽입된 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원을 전원제어신호로 제어하는 주제어부와; 상기 주제어부의 전원제어신호에 의해 스위칭되어, 상기 메모리 삽입부로 메모리 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함하는 장치를 구비하여 구성된다. According to an aspect of the present invention, there is provided a mobile communication terminal including a memory insertion unit at an external predetermined position so that an external memory can be inserted and mounted therein, the mobile communication terminal comprising: a memory detection unit for detecting an external memory introduced into the memory insertion unit and outputting a memory detection signal; A main control unit that recognizes whether an external memory is inserted according to a memory detection signal of the memory detection unit, and controls a memory power for driving the external memory inserted into the memory insertion unit as a power control signal using the recognition result; And a power supply unit which is switched by a power control signal of the main control unit and supplies a memory power to the memory insertion unit.

따라서, 본 발명은 외장 메모리의 삽입 장착이 가능한 이동통신 단말기에 있어서, 이동통신 단말기 내 메모리 삽입부로 외장 메모리가 삽입되는 경우, 외장 메모리의 삽입을 인지한 후, 접지 전원이 외장 메모리로 인가된 다음, 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원이 인가되도록 제어함으로써, 메모리 전원이 접지 전원에 앞서 외장 메모리로 인가되는 것을 방지하여, 접지 전원의 전위차로 인해 외장 메모리의 메모리셀이 손상되는 것을 방지하는 효과가 있다.Therefore, in the mobile communication terminal capable of inserting and mounting an external memory, when the external memory is inserted into the memory insertion unit in the mobile communication terminal, the ground power is applied to the external memory after recognizing the insertion of the external memory. By controlling the memory power to drive the external memory, the memory power is prevented from being applied to the external memory prior to the ground power, thereby preventing the memory cell of the external memory from being damaged due to the potential difference of the ground power. have.

Description

이동통신 단말기의 외장 메모리 보호 장치{AN APPARATUS FOR PROTECTING AN EXTERIOR MEMORY IN A MOBILE COMMUNICATION TERMINAL}External memory protection device of mobile communication terminal {AN APPARATUS FOR PROTECTING AN EXTERIOR MEMORY IN A MOBILE COMMUNICATION TERMINAL}

도 1은 본 발명 이동통신 단말기의 외장 메모리 보호 장치의 구성을 보인 블록도.1 is a block diagram showing the configuration of an external memory protection device of a mobile communication terminal of the present invention;

***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명****** Description of the symbols for the main parts of the drawings ***

10 : 메모리 삽입부 20 : 메모리 감지부10: memory insertion unit 20: memory detection unit

30 : 주제어부 40 : 전원공급부30: main controller 40: power supply

본 발명은 이동통신 단말기에 관한 것으로, 특히 외장 메모리의 삽입 장착이 가능한 이동통신 단말기에 있어서, 이동통신 단말기 내 메모리 삽입부로 외장 메모리가 삽입되는 경우, 외장 메모리의 삽입을 인지한 후, 접지 전원이 외장 메모리로 인가된 다음, 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원이 인가되도록 제어함으로써, 메모리 전원이 접지 전원에 앞서 외장 메모리로 인가되는 것을 방지하여, 접지 전원의 전위차로 인해 외장 메모리의 메모리셀이 손상되는 것을 방지하는 이동통신 단말기의 외장 메모리 보호 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a mobile communication terminal. In particular, in a mobile communication terminal capable of inserting and mounting an external memory, when the external memory is inserted into the memory insertion unit in the mobile communication terminal, the ground power is supplied after recognizing the insertion of the external memory. By applying memory power for driving the external memory after being applied to the external memory, the memory power is prevented from being applied to the external memory prior to the ground power, and the memory cell of the external memory is damaged due to the potential difference of the ground power. The present invention relates to an external memory protection device of a mobile communication terminal.

최근의 이동통신 단말기는, 이동통신 서비스의 제공 이외에, 고화질의 다기능 카메라, 동영상 촬영, MP3 재생 기능, 화상전화 등 고용량의 메모리를 요구하는 멀티미디어 기능을 지원함으로 인해, 내부에 장착되는 메모리의 용량 또한 증가하고 있는 추세이다. 초창기 1세대 혹은 2세대의 이동통신 단말기의 경우, 전화번호부, 메모 등의 용도로 주로 1MByte 내외의 용량의 메모리가 장착되었으나, 텍스트에 비해 상대적으로 크기가 더 큰 멀티미디어 파일을 저장하여야 하는 관계로, 최근에는 수백 MByte 이상의 메모리가 장착되고 있다. In addition to providing mobile communication services, recent mobile communication terminals support multimedia functions that require high capacity memory such as a high-quality multifunction camera, video recording, MP3 playback function, and video telephony. The trend is increasing. In the early 1st or 2nd generation mobile communication terminals, memory of about 1MByte was mainly installed for phonebook and memo, but it is necessary to store multimedia files that are larger than text. Recently, more than hundreds of MBytes have been installed.

특히, 소형화 및 경량화되어 고용량의 외장 메모리가 등장하여, 이동통신 단말기의 메모리 용량은 그 확장성과 이동성이 한층 향상되었다. 예를 들어, 트랜스 플래시 메모리(Trans Flash Memory, 일명 'T-Flash Memory'라고도 함)라고 불리는 외장 메모리의 경우, 그 크기가 "15*11*1mm"에 달할 정도로 소형이면서 256MByte 이상의 용량을 가지며, 디지털 영상, MP3 파일 및 기타 다양한 저장 기능을 제공하고 있어, 이동통신 단말기용으로 널리 이용되고 있다. In particular, miniaturization and light weight have resulted in the appearance of a high capacity external memory, and the memory capacity of the mobile communication terminal has further improved its expandability and mobility. For example, an external memory called Trans Flash Memory (also called "T-Flash Memory") is small enough to reach "15 * 11 * 1mm" and has a capacity of 256MByte or more. It provides digital video, MP3 files and various other storage functions, and is widely used for mobile communication terminals.

그런데, 이동통신 단말기에서 상기 트랜스 플래시 메모리 등과 같은 외장 메모리는 슬롯(slot) 형태로 장착되는데, 상기 외장 메모리와 인터페이스가 이루어지는 이동통신 단말기 내 소켓(socket)에는 상기 외장 메모리의 구동을 위한 '2.6V 내지 3.0V' 의 메모리 전원이 항상 인가되고 있어, 최초에 상기 소켓에 상기 외장 메모리가 삽입될 시, 상기 외장 메모리로 접지 전원보다 상기 메모리 전원이 먼저 인가됨으로 인해, 상기 외장 메모리의 메모리셀에 손상을 입게 되는 문제점이 있었다.However, in the mobile communication terminal, an external memory such as the trans flash memory is mounted in a slot form, and the socket in the mobile communication terminal interfaced with the external memory has a '2.6V' for driving the external memory. To 3.0V 'memory power is always applied, and when the external memory is first inserted into the socket, the memory power is first applied to the external memory rather than the ground power, thereby damaging the memory cell of the external memory. There was a problem wearing.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안한 것으로, 외장 메모리의 삽입 장착이 가능한 이동통신 단말기에 있어서, 이동통신 단말기 내 메모리 삽입부로 외장 메모리가 삽입되는 경우, 외장 메모리의 삽입을 인지한 후, 접지 전원이 외장 메모리로 인가된 다음, 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원이 인가되도록 제어하도록 하는 장치를 제공함에 그 목적이 있다. Therefore, the present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems. In the mobile communication terminal capable of inserting and mounting an external memory, when the external memory is inserted into the memory insertion unit of the mobile communication terminal, the external memory is inserted. After recognizing, the object of the present invention is to provide a device to control the ground power is applied to the external memory, and then the memory power for driving the external memory is applied.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 외장 메모리를 삽입하여 장착 가능하도록 외부의 소정 위치에 메모리 삽입부를 구비한 이동통신 단말기에 있어서, 상기 메모리 삽입부로 인입되는 외장 메모리를 감지하여 메모리 감지신호를 출력하는 메모리 감지부와; 상기 메모리 감지부의 메모리 감지신호에 따라 외장 메모리의 삽입 여부를 인지하고, 상기 인지 결과를 이용하여 상기 메모리 삽입부에 삽입된 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원을 전원제어신호로 제어하는 주제어부와; 상기 주제어부의 전원제어신호에 의해 스위칭되어, 상기 메모리 삽입부로 메모리 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a mobile communication terminal having a memory insertion unit at an external predetermined position so that an external memory can be inserted and mounted therein, wherein the external memory is inserted into the memory insertion unit to detect a memory detection signal. A memory detector for outputting; A main control unit that recognizes whether an external memory is inserted according to a memory detection signal of the memory detection unit, and controls a memory power for driving the external memory inserted into the memory insertion unit as a power control signal using the recognition result; And a power supply unit which is switched by a power control signal of the main control unit and supplies memory power to the memory insertion unit.

이하, 본 발명에 따른 일실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명 이동통신 단말기의 외장 메모리 보호 장치의 구성을 보인 블록도로서, 이에 도시한 바와 같이, 외장 메모리를 삽입하여 장착 가능하도록 외부의 소정 위치에 메모리 삽입부(10)를 구비한 이동통신 단말기에 있어서, 상기 메모리 삽입부(10)로 인입되는 외장 메모리를 감지하여 메모리 감지신호를 출력하는 메모리 감지부(20)와; 상기 메모리 감지부(20)의 메모리 감지신호에 따라 외장 메모리의 삽입 여부를 인지하고, 상기 인지 결과를 이용하여 상기 메모리 삽입부(10)에 삽입된 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원을 전원제어신호로 제어하는 주제어부(30)와; 상기 주제어부(30)의 전원제어신호에 의해 스위칭되어, 상기 메모리 삽입부(10)로 메모리 전원을 공급하는 전원 공급부(40)로 구성한다. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an external memory protection device of a mobile communication terminal according to the present invention. As shown in FIG. 1, a mobile device having a memory insertion unit 10 at a predetermined external location to insert and mount an external memory is shown. A communication terminal, comprising: a memory sensing unit 20 for sensing an external memory introduced into the memory inserting unit 10 and outputting a memory sensing signal; Recognizing whether the external memory is inserted according to the memory detection signal of the memory detection unit 20, and using the recognition result to power the memory power for driving the external memory inserted into the memory insertion unit 10 power control signal Main control unit 30 to control the; Switched by the power control signal of the main controller 30, it is composed of a power supply unit 40 for supplying memory power to the memory insertion section 10.

이상과 같은 구성을 통해, 본 발명은 외장 메모리의 삽입 장착이 가능한 이동통신 단말기에 있어서, 이동통신 단말기 내 메모리 삽입부로 외장 메모리가 삽입되는 경우, 외장 메모리의 삽입을 인지한 후, 접지 전원이 외장 메모리로 인가된 다음, 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원이 인가되도록 제어함으로써, 메모리 전원이 접지 전원에 앞서 외장 메모리로 인가되는 것을 방지하여, 접지 전원의 전위차로 인해 외장 메모리의 메모리셀이 손상되는 것을 방지하게 된다. Through the above-described configuration, the present invention provides a mobile communication terminal capable of inserting and mounting an external memory. When the external memory is inserted into the memory insertion unit in the mobile communication terminal, the ground power is externally recognized after the external memory is inserted. After being applied to the memory, the memory power for driving the external memory is controlled to prevent the memory power from being applied to the external memory prior to the ground power, thereby damaging the memory cell of the external memory due to the potential difference of the ground power. Will be prevented.

본 발명은 외장 메모리의 삽입 장착이 가능한 이동통신 단말기에 적용할 수 있으며, 여기서 상기 외장 메모리는 이동통신 단말기 내에 내장되는 플래시 메모리와 구별하여, 상기 이동통신 단말기의 운용 중 발생하는 디지털 영상 데이터, MP3 파일 및 기타 데이터를 저장 가능하면서 휴대성과 이동성을 가지는 메모리로서, 예를 들어 트랜스 플래시 메모리(Trans Flash Memory, 일명 'T-Flash Memory'라고도 함) 등이 될 수 있다. The present invention can be applied to a mobile communication terminal capable of inserting and installing an external memory, wherein the external memory is distinguished from a flash memory embedded in the mobile communication terminal, and digital image data and MP3 generated during operation of the mobile communication terminal. As a memory capable of storing files and other data and having portability and portability, the memory may be, for example, a trans flash memory (also called a 'T-Flash memory').

그리고 본 발명이 적용된 이동통신 단말기는, 통상의 이동통신 단말기 외에도, PDA(Personal Digital Assistants), 노트북 등 외장 메모리를 수용할 수 있는 인터페이스를 가지는 통신용 단말기가 될 수 있다. The mobile communication terminal to which the present invention is applied may be a communication terminal having an interface capable of accommodating an external memory, such as a personal digital assistant (PDA) or a notebook, in addition to a normal mobile communication terminal.

도 1에서, 메모리 삽입부(10)는 이동통신 단말기의 외부의 소정 위치에 설치되어, 외장 메모리를 슬롯(slot) 형태로 수용하고, 메모리 감지부(20)는 상기 메모리 삽입부(10)로 인입되는 외장 메모리를 감지하여 메모리 감지신호를 주제어부(30)로 출력한다. In FIG. 1, the memory insertion unit 10 is installed at a predetermined position outside the mobile communication terminal to receive an external memory in a slot form, and the memory detection unit 20 is connected to the memory insertion unit 10. The external memory is input and the memory detection signal is output to the main controller 30.

상기 메모리 감지부(20)는, 구동전압(VDD)에 연결된 풀업(full up) 저항(R1)을 포함하는 풀업 영역, 접지 전원에 연결된 풀다운(full down) 저항(R2)을 포함하는 풀다운 영역, 그리고 외장 메모리의 인입에 따라 '접점 A'와 '접점 B'가 스위칭되어 상기 풀다운 영역의 풀다운 기능의 동작을 제어하는 풀다운 제어영역으로 구별된다. 여기서, 상기 풀다운 영역은 메모리 삽입부(10) 내에 설치되어 외장 메모리의 케이스 일부와 접촉하게 되며, 그에 사용된 풀다운 저항(R2)은 풀업 저항(R1)보다 충분히 커야 한다.The memory detector 20 may include a pull-up area including a pull-up resistor R1 connected to a driving voltage VDD, a pull-down area including a pull-down resistor R2 connected to a ground power source, In addition, the contact point A and the contact point B are switched according to the introduction of the external memory, and are divided into a pull-down control area for controlling the operation of the pull-down function of the pull-down area. In this case, the pull-down area is provided in the memory insertion unit 10 to be in contact with a part of the case of the external memory, and the pull-down resistor R2 used therein should be sufficiently larger than the pull-up resistor R1.

외장 메모리가 메모리 삽입부(10)로 삽입되기 전에는, 상기 풀다운 제어영역의 '접점 A'와 '접점 B'가 떨어져 있음으로써, 상기 풀업 영역의 구동전압(VDD)이 풀다운 저항(R2)으로 전달되지 않게 되어, 메모리 감지부(20)에서 '로우(low)' 상태의 메모리 감지신호를 출력하다가, 사용자가 외장 메모리를 이동통신 단말기에 삽입하는 경우, 외장 메모리가 메모리 삽입부(10)로 인입됨에 따라 상기 외장 메모리의 케이스 일부가 '접점 A' 및 '접점 B'에 접촉하고, 이에 상기 풀다운 제어영역의 '접점 A'와 '접점 B'가 결합함으로써, 구동전압(VDD)이 풀다운 저항(R2)을 통해 접지 전원으로 흐르게 되어, 상기 메모리 감지부(20)에서 '하이(high)' 상태의 메모리 감지신호를 출력하게 된다. Before the external memory is inserted into the memory inserting unit 10, 'contact A' and 'contact B' of the pull-down control region are separated, so that the driving voltage VDD of the pull-up region is transferred to the pull-down resistor R2. When the user inserts the external memory into the mobile communication terminal while outputting the memory detection signal of the 'low' state from the memory detector 20, the external memory is inserted into the memory inserter 10. As a part of the case of the external memory contacts 'contact A' and 'contact B', and the 'contact A' and 'contact B' of the pull-down control region are coupled to each other, the driving voltage VDD causes the pull-down resistor ( Through the R2) to the ground power source, the memory detection unit 20 outputs a memory detection signal of a 'high' state.

주제어부(30)는 이동통신 단말기 내에서 전반적인 제어를 담당하면서, 상기 메모리 감지부(20)에서 출력된 메모리 감지신호에 따라 외장 메모리의 삽입 여부를 인지하고, 그에 따라 상기 인지 결과를 이용하여 상기 메모리 삽입부(10)에 삽입된 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원을 제어하기 위한 전원제어신호를 전원 공 급부(40)로 출력한다. The main controller 30 is responsible for overall control in the mobile communication terminal, and recognizes whether or not the external memory is inserted according to the memory detection signal output from the memory detection unit 20, and accordingly using the recognition result A power control signal for controlling a memory power source for driving the external memory inserted into the memory insertion unit 10 is output to the power supply unit 40.

즉, 상기 주제어부(30)는 외장 메모리가 삽입되지 않은 상태에서는 상기 메모리 삽입부(10)로 메모리 전원을 공급하지 않다가, 외장 메모리가 삽입된 후 소정 시간이 경과한 후에야 비로소 전원제어신호를 출력함으로써, 외장 메모리에 이동통신 단말기의 접지 전원이 인가된 다음 메모리 전원이 인가되도록 하여, 접지 전원의 전위차로 인해 상기 외장 메모리의 메모리셀이 손상되는 것을 방지한다. That is, the main controller 30 does not supply memory power to the memory inserting unit 10 when the external memory is not inserted, and only after a predetermined time elapses after the external memory is inserted, the main control unit 30 supplies the power control signal. By outputting, the ground power of the mobile communication terminal is applied to the external memory and then the memory power is applied, thereby preventing the memory cell of the external memory from being damaged by the potential difference of the ground power.

여기서, 상기 소정 시간은, 외장 메모리를 삽입한 후부터 최초로 상기 외장 메모리로 억세스하기 전까지의 시간 내에서, 이동통신 단말기의 성능에 따라 적정한 값을 선정할 수 있다. Here, the predetermined time may be appropriately selected according to the performance of the mobile communication terminal within the time after the external memory is inserted and before the first access to the external memory.

따라서, 상기 주제어부(30)에서 외장 메모리로 전원을 공급할 것을 결정하여 활성화된 전원제어신호를 출력하면, 전원 공급부(40)는 상기 주제어부(30)의 전원제어신호에 의해 스위칭되어, 이동통신 단말기 내에서 생성된 메모리 전원을 메모리 삽입부(10)로 공급하여, 상기 메모리 삽입부(10)를 통해 삽입된 외장 메모리를 구동하게 된다. Therefore, when the main control unit 30 determines to supply power to the external memory and outputs the activated power control signal, the power supply unit 40 is switched by the power control signal of the main control unit 30, and the mobile communication. The memory power generated in the terminal is supplied to the memory insertion unit 10 to drive the external memory inserted through the memory insertion unit 10.

여기서, 상기 전원 공급부(40)는 응답 속도가 빠르고 가격이 저렴한 MOS(Metal-Oxide Semiconductor) 트랜지스터 등을 사용하여, 주제어부(30)의 전원제어신호에 의해 도통이 제어되어 메모리 전원을 메모리 삽입부(10)로 인가하도록 구현할 수 있으며, 본 발명의 일실시예에서는 PMOS 트랜지스터를 사용하는 것을 예로 들었다. Here, the power supply unit 40 is controlled by the power control signal of the main control unit 30 by using a MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistor, etc., which has a fast response speed and low cost, so that the memory power is inserted into the memory insertion unit. It can be implemented to apply to (10), in the embodiment of the present invention has been described using a PMOS transistor as an example.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 외장 메모리의 삽입 장착이 가능한 이동통신 단말기에 있어서, 이동통신 단말기 내 메모리 삽입부로 외장 메모리가 삽입되는 경우, 외장 메모리의 삽입을 인지한 후, 접지 전원이 외장 메모리로 인가된 다음, 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원이 인가되도록 제어함으로써, 메모리 전원이 접지 전원에 앞서 외장 메모리로 인가되는 것을 방지하여, 접지 전원의 전위차로 인해 외장 메모리의 메모리셀이 손상되는 것을 방지하는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, when the external memory is inserted into the memory insertion unit of the mobile communication terminal in the mobile communication terminal in which the external memory can be inserted and inserted, the external power source is recognized after the external memory is inserted. After the control is applied to the memory, the memory power for driving the external memory is controlled to prevent the memory power from being applied to the external memory prior to the ground power, thereby preventing the memory cell of the external memory from being damaged by the potential difference of the ground power. It is effective to prevent.

Claims (2)

외장 메모리를 삽입하여 장착 가능하도록 외부의 소정 위치에 메모리 삽입부를 구비한 이동통신 단말기에 있어서, 상기 메모리 삽입부로 인입되는 외장 메모리를 감지하여 메모리 감지신호를 출력하는 메모리 감지부와; 상기 메모리 감지부의 메모리 감지신호에 따라 외장 메모리의 삽입 여부를 인지하고, 상기 인지 결과를 이용하여 상기 메모리 삽입부에 삽입된 외장 메모리의 구동을 위한 메모리 전원을 전원제어신호로 제어하는 주제어부와; 상기 주제어부의 전원제어신호에 의해 스위칭되어, 상기 메모리 삽입부로 메모리 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이동통신 단말기의 외장 메모리 보호 장치.A mobile communication terminal having a memory inserting unit at an external predetermined position so that an external memory can be inserted therein, the mobile communication terminal comprising: a memory detecting unit detecting a external memory introduced into the memory inserting unit and outputting a memory detection signal; A main control unit that recognizes whether an external memory is inserted according to a memory detection signal of the memory detection unit, and controls a memory power for driving the external memory inserted into the memory insertion unit as a power control signal using the recognition result; And a power supply unit which is switched by a power control signal of the main controller to supply memory power to the memory insertion unit. 제1항에 있어서, 상기 전원 공급부는, 주제어부의 전원제어신호에 의해 도통이 제어되어 메모리 전원을 스위칭하는 MOS(Metal-Oxide Semiconductor) 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이동통신 단말기의 외장 메모리 보호 장치.The external memory protection device of a mobile communication terminal according to claim 1, wherein the power supply unit is formed of a metal oxide semiconductor (MOS) transistor configured to switch the memory power by conduction controlled by a power control signal of a main controller.
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