KR20070039648A - Method for transferring a wafer in semiconductor manufacturing device - Google Patents

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KR20070039648A
KR20070039648A KR1020050094762A KR20050094762A KR20070039648A KR 20070039648 A KR20070039648 A KR 20070039648A KR 1020050094762 A KR1020050094762 A KR 1020050094762A KR 20050094762 A KR20050094762 A KR 20050094762A KR 20070039648 A KR20070039648 A KR 20070039648A
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Abstract

웨이퍼 이송에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 웨이퍼 이송 방법으로, 먼저 상기 케리어 내의 복수의 웨이퍼를 반도체 설비 내에서 웨이퍼 로딩에 요구되는 준비 작업을 수행하기 위한 로딩 스테이션 내에 위치하는 진공 스탠드로 이동시킨다. 상기 진공 스탠드를 상기 로딩 스테이션과 인접하는 로드락 챔버 내로 이송시킨다. 상기 진공 스탠드에 위치하는 복수의 웨이퍼를 상기 로드락 챔버와 인접하는 공정 챔버 내부의 웨이퍼 로딩 위치에 로딩한다. 다음에, 상기 공정 챔버 내에서 상기 웨이퍼들의 이온 임플란트 공정이 완료되거나 또는 새로운 웨이퍼들이 상기 대기부에 놓여질 때까지 상기 진공 스탠드를 상기 로드락 챔버 내에 위치시킨다. 상기 공정에 의하면, 불필요한 진공 스탠드의 이동이 감소됨으로서 웨이퍼 이송에 소요되는 시간이 단축되고 이로 인해 반도체 장치의 생산성이 높아진다. In a wafer transfer method capable of shortening the time required for wafer transfer, a plurality of wafers in the carrier are first moved to a vacuum stand located in a loading station for carrying out preparation work required for wafer loading in a semiconductor facility. The vacuum stand is transferred into a load lock chamber adjacent to the loading station. A plurality of wafers positioned in the vacuum stand are loaded at a wafer loading position inside the process chamber adjacent to the load lock chamber. Next, the vacuum stand is placed in the load lock chamber until the ion implant process of the wafers in the process chamber is completed or new wafers are placed in the atmosphere. According to the above process, unnecessary movement of the vacuum stand is reduced, thereby reducing the time required for wafer transfer, thereby increasing the productivity of the semiconductor device.

Description

반도체 제조 설비에서 웨이퍼 이송 방법.{Method for transferring a wafer in semiconductor manufacturing device} Method for transferring a wafer in semiconductor manufacturing device

도 1은 본 발명의 웨이퍼 이송 방법을 수행하기에 적합한 이온 임플란트 설비를 나타내는 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating an ion implant installation suitable for carrying out the wafer transfer method of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예 따른 웨이퍼 이송 방법을 설명하기 위한 플로 챠트이다. 2 is a flowchart illustrating a wafer transfer method according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 케리어 12 : 대기부 10: carrier 12: waiting part

14 : 도어 20 : 로딩 스테이션 14 door 20 loading station

22 : 진공 스탠드 24 : 카세트 22: vacuum stand 24: cassette

26 : 제1 로봇암 30 : 로드락 챔버26: first robot arm 30: load lock chamber

32 : 제2 로봇암 40 : 공정 챔버 32: second robot arm 40: process chamber

42 : 디스크 50 : 이온 생성 유닛42: disk 50: ion generating unit

본 발명은 반도체 제조 설비에서 웨이퍼 이송 방법에 관한 것이다. 보다 상 세하게는, 이온 임플란트를 수행하기 위한 반도체 제조 설비에서 웨이퍼 이송에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 웨이퍼 이송 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer transfer method in a semiconductor manufacturing facility. More specifically, the present invention relates to a wafer transfer method capable of shortening the time required for wafer transfer in a semiconductor manufacturing facility for performing an ion implant.

일반적으로 반도체 장치는 웨이퍼 상에 증착, 이온 임플란트, 사진 및 식각 공정을 반복적으로 수행하여 형성된다. 상기 반도체 장치를 제조하기 위해서, 상기 웨이퍼는 케리어에 수용된 상태로 각 공정을 수행하기 위한 반도체 제조 설비들로 이송되어야 할 뿐 아니라, 상기 반도체 제조 설비들 내에서도 각 공정 단계들을 수행하기 위한 위치로 이송되어야 한다. In general, semiconductor devices are formed by repeatedly performing deposition, ion implantation, photography, and etching processes on a wafer. In order to manufacture the semiconductor device, the wafer must not only be transferred to semiconductor manufacturing facilities for performing each process in a state accommodated in a carrier, but also to a position for performing respective processing steps within the semiconductor manufacturing facilities. do.

반도체 제조 공정 중에서 이온 임플란트 공정을 수행하기 위한 반도체 제조 설비(이하, 이온 임플란트 설비)에서의 웨이퍼 이송 단계를 살펴보면 다음과 같다. A wafer transfer step in a semiconductor manufacturing facility (hereinafter referred to as an ion implant facility) for performing an ion implantation process in a semiconductor manufacturing process is as follows.

우선, 공정을 수행하기 위한 웨이퍼들이 적재되어 있는 케리어를 대기부에 위치시킨다. 상기 대기부는 상기 이온 임플란트 설비의 외부에 위치하며 상기 이온 임플란트 설비에 포함되어 있는 도어의 개폐를 통해 상기 이온 임플란트 설비의 내부와 연통하게 된다. First, the carrier in which the wafers for carrying out the process are loaded is placed in the atmosphere. The atmospheric portion is located outside the ion implant facility and communicates with the inside of the ion implant facility through opening and closing of a door included in the ion implant facility.

다음에, 상기 도어를 열어 웨이퍼를 로딩시키기 위하여 준비 작업들을 수행하는 로딩 스테이션과 연통시킨 후 상기 케리어 내에 위치하는 웨이퍼들을 상기 로딩 스테이션 내에 위치하는 진공 스탠드에 이동시킨다. Next, the door is opened to communicate with a loading station performing preparatory operations for loading wafers, and then wafers located in the carrier are moved to a vacuum stand located in the loading station.

이 후, 상기 진공 스탠드를 로드락 챔버 내에 이동시키고, 상기 로드락 챔버를 이온 임플란트 공정 챔버와 동등한 수준의 고진공 상태로 유지시킨다. 그리고, 도어의 개폐로 인해 상기 로드락 챔버와 이온 임플란트 공정 챔버를 연통시키고 상기 챔버 내에 위치하는 디스크의 웨이퍼 로딩 위치로 상기 웨이퍼를 로딩시킨다. Thereafter, the vacuum stand is moved into the load lock chamber and the load lock chamber is maintained at a high vacuum level equivalent to that of the ion implant process chamber. In addition, the load lock chamber and the ion implant process chamber communicate with each other by the opening and closing of the door, and the wafer is loaded into the wafer loading position of the disk located in the chamber.

상기 웨이퍼 로딩이 완료되면, 상기 이온 임플란트 공정 챔버 내에 위치하는 웨이퍼에는 이온 임플란트 공정이 수행된다. When the loading of the wafer is completed, an ion implant process is performed on the wafer located in the ion implant process chamber.

상기 이온 임플란트 공정 시에, 상기 진공 스탠드는 상기 로드락 챔버를 통해 로딩 스테이션으로 되돌아오게 된다. 그런데, 상기 진공 스탠드가 로딩 스테이션의 홈 포지션으로 되돌아오는데 적어도 수 십초 이상이 소요된다. 특히, 상기 진공 스탠드를 이동시키기 위하여 로드락 챔버 및 로딩 스테이션과 연결되는 개폐 부위의 도어를 작동시켜야 하며, 상기 로드락 챔버 내부의 진공 상태를 계속적으로 체크하여야 하므로 공정이 매우 복잡해지게 된다. 더구나, 상기 공정 챔버에 로딩된 웨이퍼의 이온 임플란트 공정이 완료되었을 때, 상기 웨이퍼를 이송하기 위해 상기 진공 스탠드는 로드락 챔버를 통해 공정 챔버까지 다시 이동하여야 한다. 이 후, 상기 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 스탠드를 통해 로딩 스테이션으로 이동한 후 외부에 위치하는 케리어로 이송된다. During the ion implant process, the vacuum stand is returned to the loading station through the load lock chamber. However, it takes at least several tens of seconds for the vacuum stand to return to the home position of the loading station. In particular, in order to move the vacuum stand, the door of the opening and closing portion connected to the load lock chamber and the loading station must be operated, and the vacuum state inside the load lock chamber must be continuously checked, which makes the process very complicated. Moreover, when the ion implant process of the wafer loaded into the process chamber is completed, the vacuum stand must move back through the load lock chamber to the process chamber to transfer the wafer. Thereafter, the wafer having completed the process is moved to the loading station through the stand and then transferred to a carrier located outside.

설명한 것과 같이, 상기 공정 챔버 내부로 복수의 웨이퍼를 이동시키기 위해서 상기 진공 스탠드가 매우 빈번하게 위치를 이동하여야 한다. 상기와 같은 진공 스탠드의 이동에 의해 웨이퍼의 이송에 소요되는 시간이 증가하게 되고, 공정 시간이 지연된다. 그러나, 상기와 같은 공정 시간의 지연으로 인해, 설비의 가동 효율의 감소, 생산성 감소 및 공정 기간의 증가 등의 문제가 발생하게 된다. As described, the vacuum stand must be moved very frequently in order to move a plurality of wafers into the process chamber. By moving the vacuum stand as described above, the time required for transferring the wafer is increased, and the process time is delayed. However, due to such a delay in the process time, problems such as a decrease in operating efficiency of the equipment, a decrease in productivity, and an increase in the process period occur.

따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 이송에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 웨이퍼 이송 방법을 제시하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to propose a wafer transfer method that can shorten the time required for wafer transfer.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 이송 방법으로, 먼저 복수의 웨이퍼가 탑재된 케리어를 반도체 제조 설비 외부에 위치하는 대기부에 위치시킨다. 상기 케리어 내의 복수의 웨이퍼를 상기 대기부와 인접하여 구비되고 웨이퍼 로딩에 요구되는 준비 작업을 수행하기 위한 로딩 스테이션 내에 위치하는 진공 스탠드로 이동시킨다. 상기 진공 스탠드를 상기 로딩 스테이션과 인접하는 로드락 챔버 내로 이송시킨다. 상기 진공 스탠드에 위치하는 복수의 웨이퍼를 상기 로드락 챔버와 인접하는 공정 챔버 내부의 웨이퍼 로딩 위치에 로딩한다. 다음에, 상기 공정 챔버 내에서 상기 웨이퍼들의 이온 임플란트 공정이 완료되거나 또는 새로운 웨이퍼들이 상기 대기부에 놓여질 때까지 상기 진공 스탠드를 상기 로드락 챔버 내에 위치시킨다. In order to achieve the above object, in the wafer transfer method of the present invention, a carrier on which a plurality of wafers are mounted is first placed in a standby portion located outside the semiconductor manufacturing facility. A plurality of wafers in the carrier are moved to a vacuum stand provided adjacent to the atmosphere and located in a loading station for performing the preparation work required for wafer loading. The vacuum stand is transferred into a load lock chamber adjacent to the loading station. A plurality of wafers positioned in the vacuum stand are loaded at a wafer loading position inside the process chamber adjacent to the load lock chamber. Next, the vacuum stand is placed in the load lock chamber until the ion implant process of the wafers in the process chamber is completed or new wafers are placed in the atmosphere.

상기 진공 스탠드를 상기 로드락 챔버 내에 위치시킬 시에, 상기 로드락 챔버의 내부는 대기압 상태를 유지하고, 상기 진공 스탠드 내부는 고진공 상태를 유지한다. When placing the vacuum stand in the load lock chamber, the inside of the load lock chamber maintains an atmospheric pressure state, and the inside of the vacuum stand maintains a high vacuum state.

상기 진공 스탠드가 상기 로드락 챔버 내에 위치하고 있는 상태에서 공정 챔버 내의 웨이퍼들의 이온 임플란트 공정이 완료된 경우, 상기 공정 챔버 내의 웨이퍼들을 진공 스탠드 내부로 이송하고, 상기 진공 스탠드를 이동시킴으로서 웨이퍼를 공정 설비 외부로 언로딩한다. 이 경우, 공정 완료 시까지 상기 진공 스탠드의 위치 이동이 발생되지 않으므로 보다 신속하게 웨이퍼의 언로딩이 가능하다. When the ion implant process of the wafers in the process chamber is completed while the vacuum stand is located in the load lock chamber, the wafers in the process chamber are transferred into the vacuum stand and the wafer is moved out of the process facility by moving the vacuum stand. Unload In this case, since the position shift of the vacuum stand does not occur until the process is completed, the unloading of the wafer can be performed more quickly.

한편, 상기 공정 챔버 내에서 웨이퍼들의 이온 임플란트가 진행되는 중에 새 로운 웨이퍼들이 대기부에 놓여지는 경우, 상기 진공 스탠드는 상기 로드락 챔버로부터 상기 로딩 스테이션의 홈 포지션으로 이동한다. 상기 진공 스탠드를 이동시키는 동안 상기 대기부에 놓여져있는 웨이퍼의 방향(orient)을 맞추기 때문에 상기 진공 스탠드의 이동에 따른 시간 소모(time loss)가 발생되지 않는다. On the other hand, when new wafers are placed in the atmosphere during the ion implantation of the wafers in the process chamber, the vacuum stand moves from the load lock chamber to the home position of the loading station. Since the orientation of the wafer placed on the standby portion is aligned during the movement of the vacuum stand, no time loss occurs due to the movement of the vacuum stand.

따라서, 상기한 방법에 의해 단시간 내에 반도체 제조 설비 내의 원하는 위치로 웨이퍼를 이동할 수 있다. 이로 인해, 반도체 장치를 제조하는 시간을 단축시킬 수 있으며 설비의 가동 효율의 증가 및 생산성 향상 등의 효과를 기대할 수 있다. Therefore, the wafer can be moved to a desired position in the semiconductor manufacturing facility by the above method in a short time. As a result, it is possible to shorten the time required to manufacture the semiconductor device, and to expect the effect of increasing the operating efficiency of the equipment and improving productivity.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 웨이퍼 이송 방법을 수행하기에 적합한 이온 임플란트 설비를 나타내는 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating an ion implant installation suitable for carrying out the wafer transfer method of the present invention.

도 1을 참조하면, 복수의 웨이퍼가 탑재된 케리어(10)가 놓여지는 대기부(12)와, 상기 대기부(12)와 인접하여 구비되고 웨이퍼의 로딩에 요구되는 준비 작업을 수행하기 위한 공간을 한정하는 로딩 스테이션(20)과, 상기 로딩 스테이션(20)과 인접하여 구비되고 이온 임플란트 공정 챔버(40) 내부로 웨이퍼를 이송하기 위해 고진공 또는 상압 상태로 웨이퍼를 대기시키기 위한 공간을 한정하는 로드락 챔버(30)와, 웨이퍼들이 로딩되는 디스크(42)가 내부에 포함되어 있고 이온 임플란트 공정이 수행되는 이온 임플란트 공정 챔버(40)를 포함한다. 상기 이온 임플란트 공정 챔버(40)와 연통하여 이온을 생성 및 가속시키기 위한 유닛(50)이 구비된다.Referring to FIG. 1, a standby part 12 on which a carrier 10 on which a plurality of wafers are mounted is placed, and a space provided to be adjacent to the standby part 12 and to perform a preparation operation required for loading a wafer A loading station 20 defining a space and a space provided adjacent to the loading station 20 and defining a space for waiting the wafer in a high vacuum or atmospheric pressure state to transfer the wafer into the ion implant process chamber 40. The lock chamber 30 and the disk 42 into which the wafers are loaded are included therein and the ion implant process chamber 40 in which the ion implant process is performed. A unit 50 is provided in communication with the ion implant process chamber 40 for generating and accelerating ions.

도 1에서는, 로딩 스테이션과 상기 로드락 챔버의 위치관계를 평면에 도시하기 위하여 서로 측방으로 인접하여 배치된 것처럼 도시되어 있다. 그러나, 상기 로딩 스테이션과 상기 로드락 챔버는 수직 방향으로 인접하여 배치되는 것이 바람직하다. In Fig. 1, the positional relationship of the loading station and the load lock chamber is shown as being arranged laterally adjacent to each other to show in a plane. However, the loading station and the load lock chamber are preferably arranged adjacent in the vertical direction.

상기 로딩 스테이션(20) 및 로드락 챔버(30)로 복수의 웨이퍼를 이송하는 진공 스탠드(22, vacuum stand)가 구비된다. 상기 진공 스탠드(22)는 내부에 웨이퍼를 수직 방향으로 로딩시키기 위한 슬롯을 포함하는 카세트(24)가 구비되고, 상기 카세트(24)가 상승 또는 하강함으로서 상기 진공 스탠드(22) 내에 복수의 웨이퍼를 인입한다. 또한, 상기 카세트(24)를 내부에 포함하는 진공 스탠드(22)를 상승 또는 하강 동작을 통해 로딩 스테이션 및 로드락 챔버로 이동시킬 수 있다. A vacuum stand 22 for transferring a plurality of wafers to the loading station 20 and the load lock chamber 30 is provided. The vacuum stand 22 is provided with a cassette 24 including a slot for loading the wafer in a vertical direction therein, and the cassette 24 is raised or lowered so that a plurality of wafers are placed in the vacuum stand 22. Pull in. In addition, the vacuum stand 22 including the cassette 24 therein may be moved to the loading station and the load lock chamber through an up or down operation.

또한, 상기 대기부(12)에 케리어(10)가 놓여져 있는지 여부를 센싱하기 위한 센서(64)와, 상기 공정 챔버(40) 내에서 수행되는 공정의 진행 상태를 체크하기 위한 제1 제어부(60), 상기 센서(64) 및 제1 제어부(60)에서 신호를 제공받고 상기 진공 스탠드(22)의 이동 및 대기 여부를 명령하는 제2 제어부(62)를 구비한다. In addition, a sensor 64 for sensing whether the carrier 10 is placed in the waiting unit 12 and a first control unit 60 for checking a progress state of a process performed in the process chamber 40. And a second control unit 62 which receives a signal from the sensor 64 and the first control unit 60 and instructs whether the vacuum stand 22 moves and waits.

상기 이온 임플란트 설비를 보다 구체적으로 설명하면, 상기 대기부(12) 및 로딩 스테이션(20) 사이에는 상기 대기부(12)와 로딩 스테이션(20)을 분리시키기 위한 도어(14)가 구비된다. 따라서, 상기 도어(14)의 개폐로 인해 상기 대기부(12) 및 로딩 스테이션(20)은 서로 연통하게 되며, 동시에 상기 대기부(12)에 놓여있는 케리어(10)가 로딩 스테이션(20)쪽으로 오픈되어 웨이퍼를 로딩 스테이션(20)으로 이송할 수 있는 상태가 된다. 또한, 상기 로딩 스테이션(20) 내에는 상기 진공 스 탠드(22) 내로 웨이퍼를 이송하기 위한 제1 로봇암(26)이 더 구비된다. In more detail, the ion implant facility will be described. A door 14 is provided between the waiting part 12 and the loading station 20 to separate the waiting part 12 and the loading station 20. Accordingly, the opening part 12 and the loading station 20 communicate with each other due to the opening and closing of the door 14, and at the same time, the carrier 10 lying in the waiting part 12 is directed toward the loading station 20. It is opened so that the wafer can be transferred to the loading station 20. In addition, the loading station 20 is further provided with a first robot arm 26 for transferring a wafer into the vacuum stand 22.

그리고, 상기 로드락 챔버(30) 내의 진공 스탠드(22)에 위치하는 웨이퍼를 공정 챔버(40) 내의 디스크(42)로 로딩하기 위한 제2 로봇암(32)이 더 구비된다.In addition, a second robot arm 32 is further provided for loading the wafer positioned on the vacuum stand 22 in the load lock chamber 30 into the disk 42 in the process chamber 40.

이하에서는 도 1에 도시된 이온 임플란트 설비를 참조로 하여 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 이송 방법을 설명한다. Hereinafter, a wafer transfer method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the ion implant facility shown in FIG. 1.

도 2는 본 발명의 일실시예 따른 웨이퍼 이송 방법을 설명하기 위한 플로 챠트이다. 2 is a flowchart illustrating a wafer transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 먼저 복수의 웨이퍼가 탑재된 케리어(10)를 반도체 제조 설비 외부에 위치하는 대기부(12)에 위치시킨다.(S10) 이 때, 상기 케리어(10)는 웨이퍼를 밀폐하는 형태를 갖고 있으며, 상기 케리어(10)의 일 측벽에 위치하는 도어(14)를 오픈함으로서 상기 케리어(10) 내부의 웨이퍼를 취급(handling)할 수 있다. 상기 도어(14)가 반도체 제조 설비의 로딩 스테이션(20) 방향으로 향하게 된다. 이 후, 상기 도어(14) 및 로딩 스테이션의 도어(도시안됨)를 동시에 오픈함으로서 상기 케리어(10) 내부와 로딩 스테이션(20)이 서로 연통하게 된다. Referring to FIG. 2, first, a carrier 10 on which a plurality of wafers are mounted is placed in a standby unit 12 located outside a semiconductor manufacturing facility. (S10) At this time, the carrier 10 seals a wafer It has a shape, and the wafer 14 inside the carrier 10 can be handled by opening the door 14 located on one sidewall of the carrier 10. The door 14 faces toward the loading station 20 of the semiconductor manufacturing facility. Thereafter, by opening the door 14 and the door (not shown) of the loading station at the same time, the inside of the carrier 10 and the loading station 20 communicate with each other.

상기 케리어(10) 내의 복수의 웨이퍼를 상기 로딩 스테이션(20) 내에 위치하는 진공 스탠드(22)로 이동시킨다.(S12) 상기 진공 스탠드(22)는 복수의 웨이퍼를 이온 임플란트 공정이 수행되는 공정 챔버(40)로 이송시키기 위해 제공된다. 상기 웨이퍼의 이동은 상기 제1 로봇암을 통해 수행될 수 있다.The plurality of wafers in the carrier 10 are moved to the vacuum stand 22 located in the loading station 20. (S12) The vacuum stand 22 moves a plurality of wafers to a process chamber in which an ion implant process is performed. 40 is provided for transfer. Movement of the wafer may be performed through the first robot arm.

상기 진공 스탠드(22)를 상기 로딩 스테이션(20)과 인접하는 로드락 챔버 (30) 내부로 이송한다.(S14) 구체적으로, 상기 로딩 스테이션(20)과 로드락 챔버(30)를 구분하는 도어(도시안됨)를 연 다음 상기 진공 스탠드(22)를 이동시킨다. 이 때, 상기 로드락 챔버(30)는 상압 상태를 유지한다. 그리고, 상기 진공 스탠드(22) 내부는 임플란트 공정이 수행되기 위한 공정 챔버(40) 내부와 동일한 수준의 고진공 상태가 되도록 한다. The vacuum stand 22 is transferred into the load lock chamber 30 adjacent to the loading station 20. (S14) Specifically, the door separating the loading station 20 and the load lock chamber 30. Open (not shown) and move the vacuum stand 22. At this time, the load lock chamber 30 maintains an atmospheric pressure state. In addition, the inside of the vacuum stand 22 is a high vacuum state at the same level as the inside of the process chamber 40 for performing the implant process.

이 후, 상기 로딩 스테이션(20)과 로드락 챔버(30)를 구분하는 도어를 닫아 상기 로드락 챔버(30)를 밀폐한 후, 상기 로드락 챔버(30) 내부가 임플란트 공정이 수행되기 위한 공정 챔버(40) 내부와 동일한 수준의 고진공이 되도록 펌핑한다. Thereafter, the door separating the loading station 20 and the load lock chamber 30 is closed to seal the load lock chamber 30, and then the process for performing an implant process inside the load lock chamber 30. It is pumped to the same high vacuum as the inside of the chamber 40.

상기 로드락 챔버(30)가 고진공 상태가 되면 상기 로드락 챔버(30)와 공정 챔버(40)를 구분하는 도어를 열어 상기 로드락 챔버(30)와 공정 챔버(40)를 연통하게 한다. 이 후, 상기 진공 스탠드(22) 내에 위치하는 웨이퍼를 상기 공정 챔버(40) 내에 구비되는 디스크(42)의 웨이퍼 로딩 위치로 이송한다. 상기 디스크(42) 내에는 복수개의 웨이퍼가 낱장 단위로 각 로딩 위치에 로딩된다.(S16)When the load lock chamber 30 is in a high vacuum state, a door separating the load lock chamber 30 and the process chamber 40 is opened to allow the load lock chamber 30 to communicate with the process chamber 40. Thereafter, the wafer located in the vacuum stand 22 is transferred to the wafer loading position of the disk 42 provided in the process chamber 40. In the disk 42, a plurality of wafers are loaded at each loading position in units of sheets (S16).

상기 디스크(42) 내부로 로딩이 완료되면, 상기 로드락 챔버(30)와 공정 챔버(40)를 구분하는 도어를 닫는다. 이 후, 상기 공정 챔버(40) 내부에서는 상기 로딩된 웨이퍼에 대해 이온 임플란트 공정이 수행된다. When loading into the disk 42 is completed, the door separating the load lock chamber 30 and the process chamber 40 is closed. Thereafter, an ion implant process is performed on the loaded wafer in the process chamber 40.

이 후, 상기 진공 스탠드(22)는 상기 로드락 챔버(30) 내에서 대기한다.(S18) 상기 진공 스탠드(22)가 로드락 챔버(30) 내에 대기하는 동안 상기 로드락 챔버(30) 내부는 대기압 상태가 되도록 한다. 그리고, 상기 진공 스탠드(22) 내부는 고진공 상태를 유지하도록 한다. Thereafter, the vacuum stand 22 waits in the load lock chamber 30. (S18) While the vacuum stand 22 waits in the load lock chamber 30, the inside of the load lock chamber 30 Is at atmospheric pressure. Then, the inside of the vacuum stand 22 to maintain a high vacuum state.

그리고, 상기 공정 챔버(40) 내에서 상기 웨이퍼의 이온 임플란트 공정이 완료되었는지 또는 상기 대기부(12)에 새로운 웨이퍼들이 적재된 케리어(10)가 놓여지는지 여부를 계속하여 감지한다. (S20)In addition, the process continuously detects whether the ion implant process of the wafer has been completed in the process chamber 40 or whether the carrier 10 loaded with new wafers is placed in the standby unit 12. (S20)

만일, 상기 공정 챔버(40) 내에 로딩되어 있는 웨이퍼의 이온 임플란트 공정이 완료되기 전에 상기 대기부(12)에 새로운 케리어(10)가 놓여지면, 상기 진공 스탠드(22) 내부의 압력을 감압시켜 상압 상태가 되도록 한 후 상기 진공 스탠드(22)를 상기 로딩 스테이션(20)으로 이동한다. (S22) 상기 진공 스탠드(22)가 상기 로딩 스테이션(20) 내로 이동하는 시간동안 상기 케리어(10)에 위치하는 웨이퍼의 방향을 맞추는 공정(wafer oriental process)을 수행할 수 있으며, 상기 진공 스탠드(22)가 상기 로딩 스테이션(20)으로 이동하는 시간이 상기 웨이퍼의 방향을 맞추는 시간보다 더 짧은 시간이 소요되기 때문에 상기 진공 스탠드(22)의 이동에 따른 작업 시간의 소모가 없다. 이 후, 상기 케리어(10) 내에 적재되어 있는 복수의 웨이퍼를 상기 설명한 공정과 동일한 공정을 수행함으로서 로드락 챔버(30) 내부까지 로딩한다. 다음에, 상기 로드락 챔버(30) 내부에 위치하는 대기 위치로 상기 진공 스탠드 (22)내에 위치하는 웨이퍼를 이동시킨다. If a new carrier 10 is placed in the standby part 12 before the ion implant process of the wafer loaded in the process chamber 40 is completed, the pressure inside the vacuum stand 22 is reduced to normal pressure. After moving to the state, the vacuum stand 22 is moved to the loading station 20. (S22) a wafer oriental process may be performed during the time when the vacuum stand 22 moves into the loading station 20, and the vacuum stand ( Since the time for moving 22 to the loading station 20 is shorter than the time for orienting the wafer, there is no consumption of working time due to the movement of the vacuum stand 22. Thereafter, the plurality of wafers loaded in the carrier 10 are loaded into the load lock chamber 30 by performing the same process as described above. Next, the wafer located in the vacuum stand 22 is moved to a standby position located inside the load lock chamber 30.

한편, 상기 공정 챔버(40) 내에 로딩되어 있는 웨이퍼의 이온 임플란트 공정이 완료될 때까지 상기 대기부(12)에 새로운 케리어(10)가 놓여지지 않으면, 상기 로드락 챔버(30) 내에 계속적으로 대기한다. 그리고, 상기 웨이퍼의 이온 임플란트 공정이 완료되면 상기 로드락 챔버(30) 내를 고진공으로 유지시킨 후, 상기 공정 챔버 내에 로딩되어 있는 웨이퍼를 상기 진공 스탠드(22)로 이송한다. 다음에, 상 기 진공 스탠드(22)를 상기 로딩 스테이션(20)으로 이동시킨 후, 상기 진공 스탠드(22) 내부에 적재된 웨이퍼를 대기부(12)의 케리어(10)로 재이송한다.(S24) On the other hand, if a new carrier 10 is not placed in the waiting portion 12 until the ion implant process of the wafer loaded in the process chamber 40 is completed, the air is continuously waiting in the load lock chamber 30. do. When the ion implantation process of the wafer is completed, the inside of the load lock chamber 30 is maintained at high vacuum, and then the wafer loaded in the process chamber is transferred to the vacuum stand 22. Next, after moving the vacuum stand 22 to the loading station 20, the wafer loaded in the vacuum stand 22 is transferred back to the carrier 10 of the standby section 12. S24)

상기 설명한 것과 같이 이온 임플란트 챔버 내에서 웨이퍼를 이송하는 경우, 로딩된 웨이퍼에 이온 임플란트 공정을 수행하는 동안 상기 웨이퍼를 로딩하기 위한 진공 스탠드(22)가 로딩 스테이션(20) 내의 홈 포지션으로 이동하지 않는다. 그러므로, 종래와 같이 진공 스탠드(22)가 로딩 스테이션(20)으로 이동된 이 후에 어떠한 다른 작업도 수행하지 않고 다시 로드락 챔버(30)로 다시 재이동하는 등의 불필요한 작업이 수행되지 않는다. 또한, 상기 진공 스탠드(22)의 이동에 따른 작업 시간 소모가 발생되지 않으며, 이온 임플란트 공정의 완료 후 즉시 웨이퍼를 언로딩하는 공정을 수행할 수 있다. As described above, when transferring a wafer in an ion implant chamber, the vacuum stand 22 for loading the wafer does not move to the home position in the loading station 20 during the ion implant process on the loaded wafer. . Therefore, after the vacuum stand 22 is moved to the loading station 20 as in the prior art, unnecessary work such as moving back to the load lock chamber 30 again without performing any other work is not performed. In addition, the work time is not consumed due to the movement of the vacuum stand 22, and the wafer may be unloaded immediately after completion of the ion implant process.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 제조 공정 시에 웨이퍼의 이동에 소요되는 시간이 단축된다. 또한, 상기 웨이퍼 이송에 사용되는 반도체 제조 설비의 구성들이 불필요하게 구동되는 것을 감소시킬 수 있다. 이로 인해, 반도체 제조 설비의 가동 효율을 증가시킬 수 있으며 생산성이 향상되는 등의 효과를 기대할 수 있다. As described above, according to the present invention, the time required for the movement of the wafer during the semiconductor manufacturing process is shortened. In addition, it is possible to reduce unnecessary driving of the components of the semiconductor manufacturing equipment used for the wafer transfer. As a result, it is possible to increase the operating efficiency of the semiconductor manufacturing equipment and to expect the effect of improving the productivity.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.

Claims (4)

복수의 웨이퍼가 탑재된 케리어를 반도체 제조 설비 외부에 위치하는 대기부에 위치시키는 단계;Positioning a carrier on which a plurality of wafers are mounted in a waiting portion located outside the semiconductor manufacturing facility; 상기 케리어 내의 복수의 웨이퍼를 상기 대기부와 인접하여 구비되고 웨이퍼 로딩에 요구되는 준비 작업을 수행하기 위한 로딩 스테이션 내에 위치하는 진공 스탠드로 이동시키는 단계;Moving a plurality of wafers in the carrier to a vacuum stand provided adjacent to the waiting portion and located in a loading station for performing a preparation operation required for wafer loading; 상기 진공 스탠드를 상기 로딩 스테이션과 인접하는 로드락 챔버 내로 이송하는 단계;Transferring the vacuum stand into a load lock chamber adjacent the loading station; 상기 진공 스탠드에 위치하는 복수의 웨이퍼를 상기 로드락 챔버와 인접하는 공정 챔버 내부의 웨이퍼 로딩 위치에 로딩하는 단계; 및 Loading a plurality of wafers positioned in the vacuum stand at a wafer loading position in a process chamber adjacent to the load lock chamber; And 상기 공정 챔버 내에서 상기 웨이퍼들의 이온 임플란트 공정이 완료되거나 또는 새로운 웨이퍼들이 상기 대기부에 놓여질 때까지 상기 진공 스탠드를 상기 로드락 챔버 내에 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비에서 웨이퍼 이송 방법. Positioning the vacuum stand in the load lock chamber until the ion implantation process of the wafers in the process chamber is complete or new wafers are placed in the atmosphere. Way. 제1항에 있어서, 상기 진공 스탠드를 상기 로드락 챔버 내에 위치시키는 단계에서, 상기 로드락 챔버의 내부는 대기압 상태이며 상기 진공 스탠드 내부는 고진공 상태인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비에서 웨이퍼 이송 방법. The method of claim 1, wherein in the positioning of the vacuum stand in the load lock chamber, the inside of the load lock chamber is at atmospheric pressure and the inside of the vacuum stand is at high vacuum. 제1항에 있어서, 상기 진공 스탠드가 로드락 챔버 내에 위치된 상태에서 상기 대기부에 새로운 웨이퍼가 로딩되었을 때, 상기 진공 스탠드를 로딩 스테이션으로 이동시키는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비에서 웨이퍼 이송 방법. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising moving the vacuum stand to a loading station when a new wafer is loaded into the atmosphere with the vacuum stand positioned in the load lock chamber. Wafer transfer method. 제1항에 있어서, 상기 진공 스탠드가 로드락 챔버 내에 위치된 상태에서 상기 이온 임플란트 공정이 완료되면, 상기 진공 스탠드를 사용하여 공정 챔버 내의 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비에서 웨이퍼 이송 방법.The semiconductor of claim 1, further comprising unloading a wafer in the process chamber using the vacuum stand when the ion implant process is completed with the vacuum stand positioned in the load lock chamber. Wafer transfer method in manufacturing facility.
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