KR20070038902A - Curable resin composition, process for forming a cured film, and cured film - Google Patents

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다쯔요시 가와모또
류 마쯔모또
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Abstract

본 발명은 특정 티오카르보닐티오 화합물의 존재하에서의 리빙 라디칼 중합에 의해서 중합되며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이고, 또한 카르복실기 또는 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 중합체를 함유하는 경화성 수지 조성물에 관한 것이다. The present invention is polymerized by living radical polymerization in the presence of a specific thiocarbonylthio compound, and the ratio of the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (Mw / Mn) Is 1.7 or less, and further relates to a curable resin composition containing a polymer having a carboxyl group or an oxiranyl group or an oxetanyl group.

티오카르보닐티오 화합물, 리빙 라디칼 중합, 경화성 수지 조성물 Thiocarbonylthio compound, living radical polymerization, curable resin composition

Description

경화성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법 및 경화막 {Curable Resin Composition, Process for Forming a Cured Film, and Cured Film}Curable Resin Composition, Process for Forming Cured Film and Cured Film {Curable Resin Composition, Process for Forming a Cured Film, and Cured Film}

도 1은 스페이서의 단면 형상을 예시하는 모식도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a cross-sectional shape of a spacer.

도 2는 마이크로렌즈의 단면 형상을 나타내는 모식도이고, (a)는 반볼록 렌즈 형상의 것, (b)는 거의 사다리꼴 형상의 것이다. 2 is a schematic diagram showing the cross-sectional shape of a microlens, (a) is a semi-convex lens shape, and (b) is a substantially trapezoidal shape.

[문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-261761호 공보[Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-261761

[문헌 2] 일본 특허 공개 제2001-354822호 공보[Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-354822

[문헌 3] 일본 특허 공개 제2001-343743호 공보[Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-343743

[문헌 4] 일본 특허 공개 (평)6-18702호 공보 [Document 4] Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-18702

[문헌 5] 일본 특허 공개 (평)6-136239호 공보[Patent 5] Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-136239

[문헌 6] 일본 특허 공개 (평)5-78453호 공보[Patent 6] Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-78453

본 발명은 특정 수지를 함유하는 경화성 수지 조성물, 그것을 이용한 스페이서, 층간 절연막, 마이크로렌즈 또는 보호막인 경화막의 형성 방법 및 경화막에 관 한 것이다. The present invention relates to a curable resin composition containing a specific resin, a method of forming a cured film that is a spacer, an interlayer insulating film, a microlens or a protective film using the same, and a cured film.

<스페이서에 관한 종래의 기술> <Conventional technology regarding spacers>

액정 표시 소자에는 종래부터 2장의 투명 기판 사이의 간격을 일정하게 유지하기 위해서 소정의 입경을 갖는 글래스 비드, 플라스틱 비드 등의 스페이서 입자가 사용되고 있지만, 이들 스페이서 입자는 유리 기판 등의 투명 기판 상에 랜덤하게 산포되기 때문에 화소 형성 영역에 스페이서 입자가 존재하면, 스페이서 입자가 찍혀 들어가는 현상을 발생시키거나 입사광이 산란을 받아 액정 표시 소자의 콘트라스트가 저하된다는 문제가 있었다. Conventionally, in the liquid crystal display device, spacer particles such as glass beads and plastic beads having a predetermined particle diameter are used to maintain a constant gap between two transparent substrates, but these spacer particles are randomly formed on a transparent substrate such as a glass substrate. Since there is a problem that the spacer particles are present in the pixel formation region, the particles may be taken out or the incident light may be scattered so that the contrast of the liquid crystal display device may be lowered.

따라서, 이들 문제를 해결하기 위해서 스페이서를 포토리소그래피에 의해 형성하는 방법이 채용되도록 되어 왔다(예를 들면 일본 특허 공개 제2001-261761호 공보 참조.). 이 방법은 감방사선성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 소정의 마스크를 통해 자외선을 조사한 후 현상하여 도트상이나 스트라이프상의 스페이서를 형성하는 것이며, 화소 형성 영역 이외의 소정의 장소에만 스페이서를 형성할 수 있기 때문에 상술한 바와 같은 문제는 기본적으로는 해결되었다. Therefore, in order to solve these problems, the method of forming a spacer by photolithography has been employ | adopted (for example, refer Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-261761.). In this method, the radiation-sensitive resin composition is applied onto a substrate, and then irradiated with ultraviolet rays through a predetermined mask to be developed to form spacers in the shape of dots or stripes, and the spacers can be formed only at predetermined places other than the pixel formation region. The problem as described above is basically solved.

그러나, 종래의 감방사선성 수지 조성물에서는 스페이서를 형성하기 위한 소성시에 생기는 승화물이 공정 라인이나 디바이스를 오염시키는 것이 우려되었으며 승화물의 발생이 감소된 감방사선성 수지 조성물이 요망되었다. However, in the conventional radiation sensitive resin composition, it is concerned that the sublimation which arises at the time of baking for forming a spacer contaminates a process line or a device, and the radiation sensitive resin composition which reduced generation | occurrence | production of a sublimation was desired.

<층간 절연막 및 마이크로렌즈에 관한 종래의 기술> Conventional Techniques Regarding Interlayer Insulators and Microlenses

박막 트랜지스터(이하, 「TFT」라고 함)형 액정 표시 소자나 자기 헤드 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는 일반적으로 층상으로 배 치되는 배선 사이를 절연하기 위해서 층간 절연막이 설치되어 있다. 층간 절연막을 형성하는 재료로서는, 필요한 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적으면서 또한 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직하기 때문에 감방사선성 수지 조성물이 폭넓게 사용되었다(일본 특허 공개 제2001-354822호 공보 및 일본 특허 공개 제2001-343743호 공보 참조.). Electronic components such as thin film transistors (hereinafter referred to as "TFT") type liquid crystal display elements, magnetic head elements, integrated circuit elements, and solid-state image pickup elements are generally provided with an interlayer insulating film to insulate between layers arranged in layers. have. As the material for forming the interlayer insulating film, a radiation-sensitive resin composition has been widely used because it is preferable that the number of steps for obtaining the required pattern shape is small and the flatness is sufficient (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-354822 and Japanese Patent Laid-Open) See Publication 2001-343743.).

상기 전자 부품 중, 예를 들면 TFT형 액정 표시 소자는 상기 층간 절연막 위에 투명 전극막을 형성하고, 또한 그 위에 액정 배향막을 형성하는 공정을 거쳐 제조되기 때문에, 층간 절연막은 투명 전극막의 형성 공정에서 고온 조건에 노출되거나 전극의 패턴 형성에 사용되는 레지스트의 박리액에 노출되기 때문에 이들에 대한 충분한 내성이 필요하다. 또한 최근의 TFT형 액정 표시 소자는 대화면화, 고휘도화, 고정밀화, 고속 응답화, 박형화 등이 진행되는 경향이 있으며, 그에 이용되는 층간 절연막 형성용 조성물로서는 고감도이고, 형성되는 층간 절연막에는 유전율, 투과율 등에 있어서 종래보다 증대되고 높은 성능이 요구되었다. Among the electronic components, for example, a TFT type liquid crystal display element is manufactured through a process of forming a transparent electrode film on the interlayer insulating film and forming a liquid crystal alignment film thereon, so that the interlayer insulating film is a high temperature condition in the process of forming the transparent electrode film. Sufficient resistance to these is required because it is exposed to the exfoliating solution of the resist which is exposed to or used to form the electrode. In addition, recent TFT-type liquid crystal display devices tend to have large screens, high brightness, high precision, high-speed response, and thinning, and have high sensitivity as a composition for forming an interlayer insulating film used therein. In terms of transmittance and the like, a higher performance and a higher performance have been required.

한편, 팩시밀리, 전자 복사기, 고체 촬상 소자 등의 온칩 컬러 필터의 결상 광학계 또는 광 파이버 커넥터의 광학계 재료로서 3 내지 100 ㎛ 정도의 렌즈 직경을 갖는 마이크로렌즈 또는 이러한 마이크로렌즈를 복수개 규칙적으로 배열한 마이크로렌즈 어레이가 사용되고 있다. On the other hand, a microlens having a lens diameter of about 3 to 100 μm or a microlens in which a plurality of such microlenses are regularly arranged as an imaging optical system of an on-chip color filter such as a facsimile, an electronic copier, a solid-state imaging device or an optical system material of an optical fiber connector Array is being used.

마이크로렌즈 또는 마이크로렌즈 어레이의 형성에는, 원하는 렌즈 형상에 대응하는 패턴상 막을 형성한 후, 이것을 가열 처리함으로써 용융시켜 그대로 렌즈로서 이용하는 방법이나, 용융시킨 렌즈 패턴을 마스크로 하여 건식 에칭에 의해 바 탕에 렌즈 형상을 전사시키는 방법 등이 알려져 있다. 상기 렌즈 패턴의 형성에는 감방사선성 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다(일본 특허 공개 (평)6-18702호 공보 및 일본 특허 공개 (평)6-136239호 공보 참조.). The formation of a microlens or microlens array is performed by forming a patterned film corresponding to a desired lens shape and then melting it by heat treatment to use it as a lens, or by dry etching using the melted lens pattern as a mask. The method of transferring a lens shape to this is known. The radiation sensitive resin composition is widely used for formation of the said lens pattern (refer Unexamined-Japanese-Patent No. 6-18702 and Unexamined-Japanese-Patent No. 6-136239).

상기와 같은 마이크로렌즈 또는 마이크로렌즈 어레이가 형성된 소자는 그 후에 배선 형성 부분인 본딩 패드 상의 각종 절연막을 제거하기 위해서, 평탄화막 및 에칭용 레지스트막을 도포하고, 원하는 마스크를 이용하여 노광, 현상하여 본딩 패드 부분의 에칭 레지스트를 제거하고, 이어서 에칭에 의해 평탄화막이나 각종 절연막을 제거하여 본딩 패드 부분을 노출시키는 공정에 적용된다. 그 때문에, 마이크로렌즈 또는 마이크로렌즈 어레이에는 평탄화막 및 에칭 레지스트의 도막 형성 공정 및 에칭 공정에서 내용제성이나 내열성이 필요하다. In order to remove various insulating films on the bonding pad, which is a wiring forming portion, the device on which the microlens or the microlens array is formed is coated with a planarization film and an etching resist film, and then exposed and developed using a desired mask to bond the pad. The etching resist of the portion is removed, and then, the planarization film or various insulating films are removed by etching to expose the bonding pad portion. Therefore, the microlens or the microlens array requires solvent resistance and heat resistance in the coating film forming step and the etching step of the planarization film and the etching resist.

이러한 마이크로렌즈를 형성하기 위해서 사용되는 감방사선성 수지 조성물은 고감도일 뿐 아니라, 형성되는 마이크로렌즈가 원하는 곡률 반경을 갖는 것이고, 고내열성, 고투과율인 것 등이 요구된다. The radiation-sensitive resin composition used to form such a microlens is not only highly sensitive but also has a desired radius of curvature, and is required to have high heat resistance, high transmittance, and the like.

또한, 상기와 같은 층간 절연막이나 마이크로렌즈는 이들을 형성할 때의 현상 공정에서 현상 시간이 최적 시간보다 약간이라도 과잉이 되면, 패턴과 기판 사이에 현상액이 침투하여 박리가 발생하기 쉬워지는 경우가 있고, 현상 시간을 엄격하게 제어할 필요가 있어 공정 관리면에서 문제가 있었다. In the above interlayer insulating film or microlens, if the developing time is excessively shorter than the optimum time in the developing step in forming them, the developer may penetrate between the pattern and the substrate, and peeling may easily occur. There was a problem in process control because it was necessary to control the developing time strictly.

이와 같이, 층간 절연막이나 마이크로렌즈를 감방사선성 수지 조성물로부터 형성하는 데 있어서는, 조성물로서는 고감도인 것이 요구되고, 또한 형성 공정 중의 현상 공정에서 현상 시간이 소정 시간보다 과잉인 경우에도 패턴의 박리가 발생 하지 않으며 양호한 밀착성을 나타내고, 또한 그로부터 형성되는 층간 절연막에는 고내열성, 높은 내용제성, 저유전율, 고투과율 등이 요구된다. 이들에 추가하여, 마이크로렌즈를 형성하는 경우에는 상기 다양한 성능 외에 마이크로렌즈로서 양호한 멜트 형상(원하는 곡률 반경), 고내열성, 고내용제성, 고투과율이 요구되지만, 그와 같은 요구를 만족시키는 감방사선성 수지 조성물은 종래에는 알려져 있지 않았다. Thus, when forming an interlayer insulation film and a microlens from a radiation sensitive resin composition, high sensitivity is required as a composition, and peeling of a pattern generate | occur | produces even if the developing time is more than predetermined time in the image development process during a formation process. However, the interlayer insulating film formed therefrom exhibits good adhesion and is required to have high heat resistance, high solvent resistance, low dielectric constant, high transmittance, and the like. In addition to these, in the case of forming microlenses, a good melt shape (desired curvature radius), high heat resistance, high solvent resistance, and high transmittance are required as the microlens in addition to the above-mentioned various performances, but radiation is satisfied to satisfy such requirements. The resin composition is not known in the prior art.

또한, 상기 층간 절연막이나 마이크로렌즈를 형성하기 위한 소성시에 생기는 승화물이 공정 라인이나 디바이스를 오염시키는 것이 우려되었고, 승화물의 발생이 감소된 감방사선성 수지 조성물이 요망되고 있다. In addition, there is a concern that the sublimation generated during firing for forming the interlayer insulating film or microlens contaminates the process line or the device, and a radiation-sensitive resin composition in which the generation of the sublimation is reduced is desired.

<보호막에 관한 종래의 기술> Conventional Technology Regarding Protective Films

LCD(액정 표시 소자)나 CCD(전하 결합 소자; Charge Coupled Device), CMOS(상보성 금속산화막 반도체; Complementary Metal 0xide Semiconductor) 등의 광 장치를 제조하는 공정에서는, 표시 소자가 용제, 산, 알칼리 등에 의한 침지 처리에 적용되고, 또한 스퍼터링에 의해 배선 전극층을 형성할 때는 소자 표면이 국부적으로 고온에 노출되기 때문에, 이러한 처리에 의해 표시 소자가 열화되거나 또는 손상을 받는 것을 방지하기 위해서, 이러한 처리에 대하여 내성을 갖는 보호막을 표시 소자의 표면에 설치하는 것이 행해지고 있다. In the process of manufacturing an optical device such as an LCD (liquid crystal display device), a CCD (charge coupled device), a CMOS (complementary metal oxide semiconductor; Complementary Metal 0xide Semiconductor), the display device is a solvent, an acid, an alkali, or the like. Since the surface of the element is locally exposed to high temperatures when applied to the immersion treatment and forming the wiring electrode layer by sputtering, it is resistant to such treatment in order to prevent the display element from being degraded or damaged by such treatment. Providing a protective film having a structure on the surface of the display element is performed.

이러한 보호막에는 상기 보호막을 형성하여야 할 기판 또는 하층, 및 보호막 상에 형성되는 층에 대한 밀착성이 높은 것이 요구된다. 또한, 보호막 자체에는 평활하며 강인한 것, 고도의 투명성을 갖는 것, 내열성 및 내광성이 높고, 장기간 에 걸쳐 착색, 황변, 백화 등의 변질을 일으키지 않는 것, 내수성, 내용제성, 내산성 및 내알칼리성이 우수한 것 등의 성능이 요구된다. 또한, 이들 각종 성능을 구비한 보호막을 형성하기 위한 재료로서, 일본 특허 공개 (평)5-78453호 공보에는 글리시딜기를 갖는 중합체를 포함하는 열 경화성 조성물이 개시되어 있다. Such a protective film is required to have high adhesion to a substrate or lower layer on which the protective film is to be formed, and a layer formed on the protective film. In addition, the protective film itself is smooth and tough, has high transparency, high heat resistance and light resistance, does not cause deterioration such as coloration, yellowing and whitening over a long period of time, and is excellent in water resistance, solvent resistance, acid resistance and alkali resistance. Performance is required. Moreover, as a material for forming the protective film which has these various performances, Unexamined-Japanese-Patent No. 5-78453 discloses the thermosetting composition containing the polymer which has glycidyl group.

이러한 보호막을 LCD나 CCD, CMOS 센서의 컬러 필터 상에 사용하는 경우에는, 바탕 기판 상에 형성된 컬러 필터에 의한 단차를 평탄화할 수 있는 것이 요구된다. 또한, 컬러 액정 표시 소자, 예를 들면 STN(초 뒤틀린 네마틱; Super Twisted Nematic) 방식 또는 TFT(박막 트랜지스터; Thin Film Transister) 방식의 컬러 액정 표시 소자에서는, 액정층의 셀 갭을 균일하게 유지하기 위해서 비드상의 스페이서를 보호막 상에 산포한 후에 패널을 접합시키는 것이 행해지고, 그 후에 시일재를 열 압착함으로써 액정 셀을 밀봉하지만, 이 때에 가해지는 열과 압력으로 스페이서가 존재하는 부분의 보호막이 움푹 패이는 현상이 보이며, 셀 갭이 틀려지는 것이 문제가 되었다. 특히, STN 방식의 컬러 액정 표시 소자를 제조할 때는 컬러 필터와 대향 기판과의 접합을 매우 높은 정밀도로 엄격하게 행해야만 하고, 보호막에는 매우 고도의 단차 평탄화 성능 및 내열 내압 성능이 요구되었다. When such a protective film is used on color filters of LCDs, CCDs and CMOS sensors, it is required to be able to flatten the step by the color filters formed on the base substrate. In addition, in a color liquid crystal display element, for example, a color liquid crystal display element of STN (Super Twisted Nematic) type or TFT (Thin Film Transister) type, it is necessary to maintain the cell gap of the liquid crystal layer uniformly. In order to disperse the bead-shaped spacers on the protective film, the panels are bonded to each other, and the liquid crystal cell is then sealed by thermocompression bonding of the sealing material, but the protective film at the portion where the spacer is present is pitted by the heat and pressure applied at this time. The phenomenon was seen, and the cell gap was wrong. In particular, when manufacturing the STN type color liquid crystal display device, the color filter and the opposing substrate must be bonded strictly with a very high accuracy, and a very high leveling step planarization performance and heat resistance voltage resistance performance are required for the protective film.

또한, 최근에는 컬러 필터의 보호막 상에 스퍼터링에 의해 배선 전극(ITO: Indium Tin Oxide)을 막 형성하고, 강산이나 강 알칼리 등으로 ITO를 패터닝하는 방식도 채용되고 있다. 이 경우에는, 보호막은 스퍼터링시에 표면이 국부적으로 고온에 노출되거나 수많은 약품으로 처리된다. 따라서, 이러한 처리에 견디고, 약품 처리시에 ITO가 보호막 상으로부터 박리되지 않도록 배선 전극과의 밀착성도 요 구된다. In recent years, a method of forming a wiring electrode (ITO: Indium Tin Oxide) by sputtering on a protective film of a color filter and patterning ITO with a strong acid or strong alkali or the like has also been adopted. In this case, the protective film is locally exposed to high temperatures during sputtering or treated with numerous chemicals. Therefore, adhesion to the wiring electrode is also required to withstand such a treatment and to prevent the ITO from peeling off from the protective film during chemical treatment.

LCD 패널에 있어서는, 고휘도화를 목적으로 하여 ITO 등의 투명 전극과 TFT 소자를 투명성이 높은 층간 절연막을 통한 적층 구조로 하고, 개구 면적을 크게 한 패널이 개발되었다. 또한, 종래에 컬러 필터와 TFT 소자가 별도의 기판을 이용하여 제조되었지만, 컬러 필터를 TFT 소자 상에 형성하는 수법도 개발되었다. 또한, 이러한 기술 배경하에 내열성이 높고, 또한 바탕 기판 상에 형성된 컬러 필터의 단차를 평탄화하는 성능(평탄화능)이 우수한 보호막의 개발이 요망되고 있다. In the LCD panel, for the purpose of high brightness, a panel was developed in which a transparent electrode such as ITO and a TFT element were laminated through a highly transparent interlayer insulating film, and the opening area was increased. In addition, although the color filter and the TFT element are conventionally manufactured using separate substrates, a method of forming the color filter on the TFT element has also been developed. In addition, under the technical background, development of a protective film having high heat resistance and excellent performance (flattening capability) for flattening a step of a color filter formed on a base substrate is desired.

또한, 최근의 패널 기판의 대형화에 따라서 열 경화성 조성물로부터 보호막을 형성하는 소성 공정에서 승화물이 발생하여 소성로 내부에서 퇴적되고, 소성로를 오염시켜 소성 조건의 제어를 곤란하게 하거나, 퇴적된 승화물이 패널 기판에 부착되어 오염시키며 표시 불량을 유도하는 것이 문제가 되었다. In addition, with the recent increase in the size of the panel substrate, a sublimation is generated in the firing step of forming a protective film from the thermosetting composition and is deposited inside the firing furnace, contaminating the firing furnace, making it difficult to control the firing conditions, It is a problem to adhere to the panel substrate and to contaminate it to induce display defects.

컬러 필터용 보호막의 형성에는 표면 경도가 우수한 보호막을 간편하게 형성할 수 있는 이점을 갖는 경화성 수지 조성물을 사용하는 것이 적합하지만, 투명성 등의 보호막으로서의 일반적인 요구 성능을 만족시킬 뿐 아니라, 상술한 바와 같은 다양한 신규의 고도한 요구에 대응할 수 있는 보호막을 형성할 수 있으며 조성물로서의 보존 안정성도 우수한 재료는 아직 알려져 있지 않았다. Although it is suitable to use the curable resin composition which has the advantage that the protective film excellent in surface hardness can be formed easily for formation of the protective film for color filters, it does not only satisfy | fill the general required performance as a protective film, such as transparency, The material which can form the protective film which can respond to a new high demand, and is excellent in the storage stability as a composition is still unknown.

본 발명은 상기 사정을 기초하여 이루어진 것이며, 그의 목적은 첫째로, 높은 감방사선 감도를 가지고, 해상도가 충분히 높으며 기판 또는 바탕 또는 상층과의 밀착성이 우수하고, 또한 막 형성 공정의 소성시 승화물의 발생이 억제된 경화 성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. The present invention has been made on the basis of the above circumstances, and an object thereof is firstly to have a high radiation sensitivity, a sufficiently high resolution, excellent adhesion to a substrate or a base or an upper layer, and generation of a sublimation during firing of a film forming process. It is to provide this suppressed curable resin composition.

상기 경화성 수지 조성물은 스페이서의 형성에 사용하는 경우에는 패턴 형상, 압축 강도 및 러빙 내성이 우수한 스페이서를 제공하고; The curable resin composition provides a spacer excellent in pattern shape, compressive strength and rubbing resistance when used for formation of the spacer;

층간 절연막의 형성에 사용하는 경우에는, 현상 공정에서 최적의 현상 시간을 초과하여 현상을 속행하더라도 또한 양호한 패턴 형상을 형성할 수 있는 지표인, 소위 「현상 마진」이 크고, 또한 고내열성, 고투과성, 저유전율의 층간 절연막을 형성할 수 있고; When used to form an interlayer insulating film, the so-called "development margin" is large, and high heat resistance and high permeability, which are indices for forming a good pattern shape even if the development continues beyond the optimum developing time in the developing step. A low dielectric constant interlayer insulating film can be formed;

마이크로렌즈의 형성에 사용하는 경우에는, 고도의 현상 마진을 가지면서 또한 높은 광선 투과율과 양호한 멜트 형상을 갖는 마이크로렌즈를 형성할 수 있는 것이다. When used for the formation of microlenses, it is possible to form microlenses having a high development margin and having a high light transmittance and a good melt shape.

본 발명의 목적은 둘째로, 기판 또는 바탕 또는 상층과의 밀착성이 우수하고, 또한 막 형성 공정의 소성시 승화물의 발생이 억제되며, 또한 고투명성, 고내열성 및 높은 표면 경도를 만족시킴과 동시에 가열하에서 내하중성이 우수하고, 또한 바탕 기판 상에 형성된 컬러 필터의 단차를 평탄화하는 성능이 우수한 보호막을 형성할 수 있는 경화성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. Secondly, the object of the present invention is excellent adhesion to the substrate or the substrate or the upper layer, and suppresses the generation of sublimation during firing of the film forming process, and also satisfies high transparency, high heat resistance and high surface hardness while heating It is providing the curable resin composition which can form the protective film which is excellent in load resistance below, and is excellent in the ability to planarize the level | step difference of the color filter formed on the base substrate.

본 발명의 목적은 셋째로, 상기 어느 경화성 수지 조성물로부터 경화막을 형성하는 방법을 제공하는 것에 있다. It is a third object of the present invention to provide a method for forming a cured film from any of the above curable resin compositions.

본 발명의 목적은 넷째로, 상기 방법에 의해 형성된 경화막을 제공하는 것에 있다. An object of the present invention is, fourthly, to provide a cured film formed by the above method.

본 발명에 따르면, 본 발명의 상기 목적은 첫째로, According to the present invention, the above object of the present invention firstly,

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에서의 리빙 라디칼 중합에 의해서 중합되며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이고, 또한 카르복실기를 갖는 중합체를 함유하는 경화성 수지 조성물에 의해서 달성된다. (A) The ratio (Mw / Mn) of the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography, polymerized by living radical polymerization in the presence of the compound represented by the following formula (1). Is 1.7 or less, and it is achieved by the curable resin composition containing the polymer which has a carboxyl group.

Figure 112006072504121-PAT00001
Figure 112006072504121-PAT00001

(식 중, 2개의 Z는 각각 독립적으로 수소 원자, 카르복실기, 기 -R, 기 -OR, 기 -NR2, 기 -COOR, 기 -C(=O)NR2, 기 -P(=O)R2, 기 -P(=O)(OR)2 또는 기 -NRNR-C(=O)R이고, R은 독립적으로 할로겐 원자, 시아노기, 수산기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기 또는 탄소 원자와 헤테로 원자와의 합계 원자수가 3 내지 20인 1가의 복소환식기이고, R이 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기 또는 복소환식기인 경우에는, R이 갖는 수소 원자 중 1개 또는 복수개가 할로겐 원자, 시아노기, 수산기 또는 카르복실기로 치환될 수도 있다.) Wherein two Z's each independently represent a hydrogen atom, a carboxyl group, a group -R, a group -OR, a group -NR 2 , a group -COOR, a group -C (= 0) NR 2 , and a group -P (= 0) R 2 , a group -P (= O) (OR) 2 or a group -NRNR-C (= O) R, R is independently a halogen atom, cyano group, hydroxyl group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 2 to 20 carbon atoms Is an alkenyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or a monovalent heterocyclic group having 3 to 20 atoms in total having a carbon atom and a hetero atom, and R is an alkyl group, an alkenyl group, or an aryl group , In the case of an aralkyl group or a heterocyclic group, one or more of hydrogen atoms of R may be substituted with a halogen atom, cyano group, hydroxyl group or carboxyl group.)

상기 조성물은 바람직하게는 스페이서의 형성, 층간 절연막 또는 마이크로렌즈의 형성 또는 보호막의 형성에 사용된다. The composition is preferably used for formation of spacers, formation of an interlayer insulating film or microlens, or formation of a protective film.

본 발명의 상기 목적은 둘째로, (A') 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에서의 리빙 라디칼 중합에 의해서 중합되며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정 한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이고, 또한 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물을 함유하며 보호막의 형성에 이용되는 경화성 수지 조성물에 의해서 달성된다. The above object of the present invention is secondly (A ′) polymerized by living radical polymerization in the presence of the compound represented by the formula (1), and the weight average molecular weight (Mw) and the number average of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography. Achieved by a curable resin composition containing a polymer having an oxiranyl group or an oxetanyl group and a (E) cationic polymerizable compound having a ratio (Mw / Mn) of a molecular weight (Mn) of 1.7 or less and used for forming a protective film. do.

본 발명의 상기 목적은 셋째로, 상기 어느 경화성 조성물을 이용한 스페이서, 층간 절연막 또는 마이크로렌즈 또는 보호막의 형성 방법에 의해서 달성된다. The above object of the present invention is thirdly achieved by a method of forming a spacer, an interlayer insulating film or a microlens or a protective film using any of the above curable compositions.

또한 본 발명의 상기 목적은 넷째로, 상기 방법에 의해 형성된 스페이서, 층간 절연막 또는 마이크로렌즈 또는 보호막에 의해서 달성된다. In addition, the above object of the present invention is fourthly achieved by a spacer, an interlayer insulating film or a microlens or a protective film formed by the method.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention

<<경화성 수지 조성물>><< curable resin composition >>

본 발명의 경화성 수지 조성물은 상기 (A) 중합체 또는 (A') 중합체를 함유한다. Curable resin composition of this invention contains the said (A) polymer or (A ') polymer.

(A) 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에서 리빙 라디칼 중합에 의해서 중합되며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이고, 또한 카르복실기를 갖는 중합체이며, 바람직하게는 카르복실기 이외에 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 중합체이다. (A) The polymer is polymerized by living radical polymerization in the presence of the compound represented by the formula (1), and the ratio (Mw) of the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography. / Mn) is 1.7 or less and a polymer having a carboxyl group, preferably a polymer having an oxiranyl group or an oxetanyl group in addition to the carboxyl group.

한편, (A') 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에서의 리빙 라디칼 중합에 의해서 중합되며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이고, 또 한 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 중합체이고, 바람직하게는 분자 중에 2개 이상의 옥시라닐기 또는 옥세타닐기와, 아세탈 구조, 케탈 구조 및 t-부톡시카르보닐 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 중합체(이하, 「중합체(A'1)」이라고 함) 또는 분자 중에 2개 이상의 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 가지고, 또한 카르복실기, 카르복실산 무수물기, 아세탈 구조, 케탈 구조 및 t-부톡시카르보닐 구조 중 어느 것도 갖지 않는 공중합체(이하, 「중합체(A'2)」라고 함)이다. On the other hand, the polymer (A ') is polymerized by living radical polymerization in the presence of the compound represented by the formula (1), and the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography. The ratio (Mw / Mn) is 1.7 or less, and is a polymer having an oxiranyl group or an oxetanyl group, preferably two or more oxiranyl groups or oxetanyl groups in the molecule, an acetal structure, a ketal structure, and t- A polymer having one or more structures selected from the group consisting of butoxycarbonyl structures (hereinafter referred to as "polymer (A'1)") or a molecule having two or more oxiranyl groups or oxetanyl groups, and a carboxyl group , A copolymer having no carboxylic acid anhydride group, acetal structure, ketal structure and t-butoxycarbonyl structure (hereinafter referred to as "polymer (A'2)").

상기 아세탈 구조 또는 케탈 구조란, 하기하는 것과 같은 아세탈 형성성기 또는 케탈 형성성기가 탄소 원자에 결합된 구조를 말한다. 중합체가 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는다는 것은, 중합체 중의 탄소 원자에 하기하는 것과 같은 아세탈 형성성기 또는 케탈 형성성기가 직접 또는 카르보닐기 등의 결합수(結合手)를 통해 결합되어 있는 것과 같은 중합체를 말한다. The acetal structure or the ketal structure refers to a structure in which an acetal forming group or a ketal forming group as described below is bonded to a carbon atom. The polymer having an acetal structure or a ketal structure refers to a polymer in which an acetal-forming group or a ketal-forming group such as described below is bonded directly to a carbon atom in the polymer or through a bonding water such as a carbonyl group. .

아세탈 구조를 형성할 수 있는 관능기(이하, 「아세탈 형성성기」라고 함)로서는, 예를 들면 1-메톡시에톡시기, 1-에톡시에톡시기, 1-n-프로폭시에톡시기, 1-i-프로폭시에톡시기, 1-n-부톡시에톡시기, 1-i-부톡시에톡시기, 1-sec-부톡시에톡시기, 1-t-부톡시에톡시기, 1-시클로펜틸옥시에톡시기, 1-시클로헥실옥시에톡시기, 1-노르보르닐옥시에톡시기, 1-보르닐옥시에톡시기, 1-페녹시에톡시기, 1-(1-나프틸옥시)에톡시기, 1-벤질옥시에톡시기, 1-페네틸옥시에톡시기, (시클로헥실)(메톡시)메톡시기, (시클로헥실)(에톡시)메톡시기, (시클로헥실)(n-프로폭시)메톡시기, (시클로헥실)(i-프로폭시)메톡시기, (시클로헥실)(시클로헥실옥시)메톡시기, (시클로 헥실)(페녹시)메톡시기, (시클로헥실)(벤질옥시)메톡시기, (페닐)(메톡시)메톡시기, (페닐)(에톡시)메톡시기, (페닐)(n-프로폭시)메톡시기, (페닐)(i-프로폭시)메톡시기, (페닐)(시클로헥실옥시)메톡시기, (페닐)(페녹시)메톡시기, (페닐)(벤질옥시)메톡시기, (벤질)(메톡시)메톡시기, (벤질)(에톡시)메톡시기, (벤질)(n-프로폭시)메톡시기, (벤질)(i-프로폭시)메톡시기, (벤질)(시클로헥실옥시)메톡시기, (벤질)(페녹시)메톡시기, (벤질)(벤질옥시)메톡시기, 2-테트라히드로푸라닐옥시기, 2-테트라히드로피라닐옥시기 등을 들 수 있다. 이들 아세탈 형성성기 중, 1-에톡시에톡시기, 1-n-프로폭시에톡시기, 1-시클로헥실옥시에톡시기, 2-테트라히드로피라닐옥시기 또는 2-테트라히드로피라닐옥시기 등이 바람직하다. As a functional group (henceforth "acetal formation group") which can form an acetal structure, it is a 1-methoxyethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, 1-i-propoxyethoxy group, 1-n-butoxyethoxy group, 1-i-butoxyethoxy group, 1-sec-butoxyethoxy group, 1-t-butoxyethoxy group, 1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-norbornyloxyethoxy group, 1-bornyloxyethoxy group, 1-phenoxyethoxy group, 1- (1- Naphthyloxy) ethoxy group, 1-benzyloxyethoxy group, 1-phenethyloxyethoxy group, (cyclohexyl) (methoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (ethoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (n-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (i-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (cyclohexyl) (phenoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (Benzyloxy) methoxy group, (phenyl) (methoxy) methoxy group, (phenyl) (ethoxy) methoxy group, (phenyl) (n -Propoxy) methoxy group, (phenyl) (i-propoxy) methoxy group, (phenyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (phenyl) (phenoxy) methoxy group, (phenyl) (benzyloxy) methoxy group , (Benzyl) (methoxy) methoxy group, (benzyl) (ethoxy) methoxy group, (benzyl) (n-propoxy) methoxy group, (benzyl) (i-propoxy) methoxy group, (benzyl) (cyclo Hexyloxy) methoxy group, (benzyl) (phenoxy) methoxy group, (benzyl) (benzyloxy) methoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, etc. are mentioned. Among these acetal-forming groups, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, etc. desirable.

또한, 케탈 구조를 형성할 수 있는 관능기(이하, 「케탈 형성성기」라고 함)로서는, 예를 들면 1-메틸-1-메톡시에톡시기, 1-메틸-1-에톡시에톡시기, 1-메틸-1-n-프로폭시에톡시기, 1-메틸-1-i-프로폭시에톡시기, 1-메틸-1-n-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-i-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-sec-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-t-부톡시에톡시기, l-메틸-1-시클로펜틸옥시에톡시기, 1-메틸-1-시클로헥실옥시에톡시기, 1-메틸-1-노르보르닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-보르닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-페녹시에톡시기, 1-메틸-1-(1-나프틸옥시)에톡시기, 1-메틸-1-벤질옥시에톡시기, 1-메틸-1-페네틸옥시에톡시기, 1-시클로헥실-1-메톡시에톡시기, 1-시클로헥실-1-에톡시에톡시기, 1-시클로헥실-1-n-프로폭시에톡시기, 1-시클로헥실-1-i-프로폭시에톡시기, 1-시클로헥실-1-시클로헥실옥시에톡시기, 1-시클로헥실-1-페녹시에톡시기, 1-시클로헥실-1-벤질옥시에톡시기, 1-페닐-1-메톡시에톡시기, 1-페닐-1-에톡시에톡시기, 1- 페닐-1-n-프로폭시에톡시기, 1-페닐-1-i-프로폭시에톡시기, 1-페닐-1-시클로헥실옥시에톡시기, 1-페닐-1-페녹시에톡시기, 1-페닐-1-벤질옥시에톡시기, 1-벤질-1-메톡시에톡시기, 1-벤질-1-에톡시에톡시기, 1-벤질-1-n-프로폭시에톡시기, 1-벤질-1-i-프로폭시에톡시기, 1-벤질-1-시클로헥실옥시에톡시기, 1-벤질-1-페녹시에톡시기, 1-벤질-1-벤질옥시에톡시기, 1-메톡시시클로펜틸옥시기, 1-메톡시시클로헥실옥시기, 2-(2-메틸테트라히드로푸라닐)옥시기, 2-(2-메틸테트라히드로피라닐)옥시기 등을 들 수 있다. 이들 케탈 형성성 관능기 중, 1-메틸-1-메톡시에톡시기 또는 1-메틸-1-시클로헥실옥시에톡시기가 바람직하다. Moreover, as a functional group (henceforth a "ketal formation group") which can form a ketal structure, it is a 1-methyl-1- methoxyethoxy group, 1-methyl-1- ethoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-i- Butoxyethoxy group, 1-methyl-1-sec-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-t-butoxyethoxy group, l-methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl -1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-methyl-1-norbornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-bornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-phenoxyethoxy group, 1 -Methyl-1- (1-naphthyloxy) ethoxy group, 1-methyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-methyl-1-phenethyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-methoxy Oxy group, 1-cyclohexyl-1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl -1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-cyclo Sil-1-phenoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-methoxyethoxy group, 1-phenyl-1-ethoxyethoxy group, 1-phenyl -1-n-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-phenoxyethoxy group, 1-phenyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-methoxyethoxy group, 1-benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-benzyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-phenoxyethoxy group, 1-benzyl-1-benzyloxyethoxy group , 1-methoxycyclopentyloxy group, 1-methoxycyclohexyloxy group, 2- (2-methyltetrahydrofuranyl) oxy group, 2- (2-methyltetrahydropyranyl) oxy group, and the like. have. Among these ketal forming functional groups, 1-methyl-1-methoxyethoxy group or 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group is preferable.

(A) 중합체는 (a1) 불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물(이하, 이들을 통합하여 「화합물(a1)」이라고 함)로부터 선택되는 1종 이상, (a2) 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 함유하는 불포화 화합물(이하, 「화합물(a2)」라고 함) 및 (a3) (a1) 및 (a2) 이외의 불포화 화합물로서 분자 중에 아세탈 구조, 케탈 구조 또는 t-부톡시카르보닐 구조도 갖지 않는 불포화 화합물(이하, 「화합물(a3)」이라고 함)을 함유하는 중합성 혼합물을 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에 리빙 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체인 것이 바람직하다. The polymer (A) is at least one selected from (a1) unsaturated carboxylic acid and unsaturated carboxylic anhydride (hereinafter collectively referred to as "compound (a1)"), (a2) oxiranyl group or oxetanyl Unsaturated compounds containing groups (hereinafter referred to as "compound (a2)") and unsaturated compounds other than (a3) (a1) and (a2) also have acetal structure, ketal structure or t-butoxycarbonyl structure in the molecule. It is preferable that it is a polymer obtained by living radical polymerization of the polymeric mixture containing an unsaturated compound (henceforth "a compound (a3)") in presence of the compound represented by the said General formula (1).

예를 들면 (A) 중합체는 화합물(a1), 화합물(a2) 및 화합물(a3)을 함유하는 중합성 혼합물을 적당한 용매 중에서 중합 개시제와 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에서 리빙 라디칼 중합함으로써 제조하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하여 얻어진 (A) 중합체가 갖는 카르복실기는 화합물(a1)에서 유래하고, 옥시라닐기 또는 옥세타닐기는 화합물(a2)에서 유래한다. For example, the polymer (A) is prepared by living radical polymerization of a polymerizable mixture containing a compound (a1), a compound (a2) and a compound (a3) in a suitable solvent in the presence of a polymerization initiator and the compound represented by the formula (1). It is desirable to. The carboxyl group which the polymer (A) thus obtained has is derived from compound (a1), and the oxiranyl group or oxetanyl group is derived from compound (a2).

중합체(A'1)은 바람직하게는 화합물(a2), 화합물(a3) 및 분자 중에 아세탈 구조, 케탈 구조 및 t-부톡시카르보닐 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 불포화 화합물(이하, 「화합물(a4)」라고 함)을 함유하는 중합성 혼합물을 적당한 용매 중에서 중합 개시제와 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에 리빙 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체이다. 또한, 중합체(A'2)는 바람직하게는 화합물(a2) 및 화합물(a3)을 함유하는 중합성 혼합물을 적당한 용매 중에서 중합 개시제와 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에 리빙 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체이다. The polymer (A'1) is preferably an unsaturated compound having at least one structure selected from the group consisting of acetal structure, ketal structure and t-butoxycarbonyl structure in compound (a2), compound (a3) and molecule ( Hereinafter, it is a polymer obtained by living radical polymerization of the polymeric mixture containing "compound (a4)" in presence of a polymerization initiator and the compound represented by the said Formula (1) in a suitable solvent. Further, the polymer (A'2) is preferably a polymer obtained by living radical polymerization of a polymerizable mixture containing a compound (a2) and a compound (a3) in a suitable solvent in the presence of a polymerization initiator and the compound represented by the above formula (1). to be.

상기 화합물(a1) 내지 (a4)는 모두 라디칼 중합성을 갖는 것이 바람직하다. It is preferable that all the said compounds (a1)-(a4) have radical polymerizability.

이하, (A) 중합체 또는 (A') 중합체를 제조하기 위한 리빙 라디칼 중합에 대하여 설명한다. Hereinafter, living radical polymerization for producing (A) polymer or (A ') polymer is demonstrated.

중합성 불포화 화합물 또는 그의 혼합물을 리빙 라디칼 중합하는 라디칼 중합 개시제계에 대해서는 다양하게 제안되어 있고, 예를 들면 문헌[M. K. Georges et al., Macromolecules, 1993, Vol.26, p.2987]에는 소위 TEMPO계; 문헌[Matyjaszewski et al., Macromolecules, 1997, Vol.30, p.7348]에는 브롬화 구리 및 브롬 함유 에스테르 화합물의 조합으로 이루어지는 계; 문헌[Hamasaki, S. et al., Macromolecules, 2002, Vol.35, p.2934]에는 사염화탄소 및 루테늄(II) 착체의 조합으로 이루어지는 계; 일본 특허 3639859호(일본 특허 공표 2000-515181호), 일본 특허 공표 2002-500251호, 일본 특허 공표 2004-518773호, 일본 특허 공표 2002-508409호, 일본 특허 공표 2002-512653호, 일본 특허 공표 2003-527458호, 일 본 특허3634843호(일본 특허 공표 2003-536105호 공보) 및 일본 특허 공표 2005-503452호에는 0.1보다 큰 연쇄 이동 상수를 갖는 티오카르보닐티오 화합물 및 라디칼 개시제의 조합으로 이루어지는 계가 각각 개시되어 있다. Various proposals have been made for a radical polymerization initiator system for living radical polymerization of a polymerizable unsaturated compound or a mixture thereof, for example in M. K. Georges et al., Macromolecules, 1993, Vol. 26, p. 2987, the so-called TEMPO system; Matyjaszewski et al., Macromolecules, 1997, Vol. 30, p.7348, disclose a system consisting of a combination of copper bromide and bromine containing ester compounds; Hamasaki, S. et al., Macromolecules, 2002, Vol. 35, p. 2934, include systems consisting of a combination of carbon tetrachloride and ruthenium (II) complexes; Japanese Patent 3639859 (Japanese Patent Publication 2000-515181), Japanese Patent Publication 2002-500251, Japanese Patent Publication 2004-518773, Japanese Patent Publication 2002-508409, Japanese Patent Publication 2002-512653, Japanese Patent Publication 2003 -527458, Japanese Patent No. 3634843 (Japanese Patent Publication No. 2003-536105) and Japanese Patent Publication No. 2005-503452 have systems each consisting of a combination of a thiocarbonylthio compound and a radical initiator having a chain transfer constant greater than 0.1, respectively. Is disclosed.

그러나, 본 발명자들은 특정 티오카르보닐티오 화합물을 사용한 리빙 라디칼 중합으로 얻어진 특정 구조를 갖는 중합체를 함유하는 경화성 수지 조성물이 경화막으로서의 다양한 요구 특성을 충족시키고, 또한 막 형성 공정의 소성시 승화물의 발생이 억제되는 것을 발견하여 본 발명에 이른 것이다. However, the present inventors found that curable resin compositions containing a polymer having a specific structure obtained by living radical polymerization using a specific thiocarbonylthio compound satisfy various required characteristics as a cured film, and also generate sublimation during firing of the film forming process. This is found to be suppressed, and the present invention has been reached.

본 발명에서 사용되는 중합체를 합성하기 위한 리빙 라디칼 중합에는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한다. In the living radical polymerization for synthesizing the polymer used in the present invention, the compound represented by Chemical Formula 1 is used.

상기 화학식 1에 있어서의 Z의 할로겐 원자로서는, 예를 들면 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자 등; As a halogen atom of Z in the said General formula (1), For example, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, etc .;

탄소수 1 내지 20의 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 1,1-디메틸프로필기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 1,1-디메틸-3,3-디메틸부틸기, n-노닐기, n-데실기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-헥사데실기, n-옥타데실기, n-에이코실기 등; 탄소수 2 내지 20의 알케닐기로서는, 예를 들면 비닐기, 알릴기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기 등; Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, 1,1-dimethylpropyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 1,1-dimethyl-3,3-dimethylbutyl group, n-nonyl group, n-decyl group , n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-hexadecyl group, n-octadecyl group, n-eicosyl group, etc .; Examples of the alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include vinyl group, allyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, isopropenyl group, 1-butenyl group, and 2-butenyl group;

탄소수 6 내지 20의 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트라세닐기, 9-안트라세닐기 등; Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 9-anthracenyl group and the like;

탄소수 7 내지 20의 아르알킬기로서는, 예를 들면 벤질기, α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, 페네틸기 등; Examples of the aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms include benzyl group, α-methylbenzyl group, α, α-dimethylbenzyl group and phenethyl group;

탄소 원자와 헤테로 원자와의 합계 원자수가 3 내지 20인 1가의 복소환식기로서는, 예를 들면 옥시라닐기, 아지리디닐기, 2-푸라닐기, 3-푸라닐기, 2-테트라히드로푸라닐기, 3-테트라히드로푸라닐기, 피롤기-1-일기, 피롤-2-일기, 피롤-3-일기, 1-피롤리디닐기, 2-피롤리디닐기, 3-피롤리디닐기, 피라졸-1-일기, 피라졸-3-일기, 2-테트라히드로피라닐기, 3-테트라히드로피라닐기, 4-테트라히드로피라닐기, 2-티아닐기, 3-티아닐기, 4-티아닐기, 2-피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 2- 피페리디닐기, 3-피페리디닐기, 4-피페리디닐기, 2-모르폴리닐기, 3-모르폴리닐기, 2-이미다졸릴기, 4-이미다졸릴기, 인돌-1-일기 등을 각각 들 수 있다. Examples of the monovalent heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms in total with a hetero atom include, for example, an oxiranyl group, an aziridinyl group, a 2-furanyl group, a 3-furanyl group, a 2-tetrahydrofuranyl group, and 3 Tetrahydrofuranyl group, pyrrole-1-yl group, pyrrole-2-yl group, pyrrole-3-yl group, 1-pyrrolidinyl group, 2-pyrrolidinyl group, 3-pyrrolidinyl group, pyrazole-1 -Yl group, pyrazol-3-yl group, 2-tetrahydropyranyl group, 3-tetrahydropyranyl group, 4-tetrahydropyranyl group, 2-tianyl group, 3-tianyl group, 4-tianyl group, 2 -Pyridinyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 2-piperidinyl group, 3-piperidinyl group, 4-piperidinyl group, 2-morpholinyl group, 3-morpholinyl group, 2-imi Dazolyl group, 4-imidazolyl group, indol-1-yl group, etc. are mentioned, respectively.

상기 화학식 1에 있어서의 Z의 바람직한 구체적인 예로서, 예를 들면 수소 원자, 시아노기, 염소 원자, 카르복실기, 도데실기, 옥타데실기, 에톡시기, 부톡시카르보닐기, 페닐기, 페녹시기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디메틸아미노카르보닐기, 디에틸아미노카르보닐기, 2-이미다졸릴기, 피롤-1-일기, 피라졸-1-일기, 3-메틸-피라졸-1-일기, 4-메틸-피라졸-1-일기, 인돌-1-일기, 기 -P(=O)(OC2H5)2, 기 -P(=O)(C6H5)2, 기 -P(=O)(OC6H5)2, 기 -N(C2H5)N(CH3)C(=O)CH2F, 기 -N(C6H5)2, 기 -N(C6H5)CH3 등을 들 수 있다. As a preferable specific example of Z in the said General formula 1, a hydrogen atom, a cyano group, a chlorine atom, a carboxyl group, a dodecyl group, an octadecyl group, an ethoxy group, butoxycarbonyl group, a phenyl group, a phenoxy group, a dimethylamino group, di Ethylamino group, dimethylaminocarbonyl group, diethylaminocarbonyl group, 2-imidazolyl group, pyrrole-1-yl group, pyrazol-1-yl group, 3-methyl-pyrazol-1-yl group, 4-methyl-pyrazole- 1-Diol, Indol-1-yl, Group -P (= O) (OC 2 H 5 ) 2 , Group -P (= O) (C 6 H 5 ) 2 , Group -P (= O) (OC 6 H 5 ) 2 , group -N (C 2 H 5 ) N (CH 3 ) C (= O) CH 2 F, group -N (C 6 H 5 ) 2 , group -N (C 6 H 5 ) CH 3 Etc. can be mentioned.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 바람직한 구체적인 예로서는, 예를 들면 테트라에틸티우람디술피드, 비스(피라졸-1-일티오카르보닐)디술피드, 비스(3-메틸-피라졸-1-일티오카르보닐)디술피드, 비스(4-메틸-피라졸-1-일티오카르보닐)디술피 드, 비스피롤-1-일티오카르보닐디술피드, 비스티오벤조일디술피드 등을 들 수 있다. Preferable specific examples of the compound represented by the formula (1) include, for example, tetraethylthiuram disulfide, bis (pyrazol-1-ylthiocarbonyl) disulfide, bis (3-methyl-pyrazol-1-ylthio Carbonyl) disulfide, bis (4-methyl-pyrazol-1-ylthiocarbonyl) disulfide, bispyrrole-1-ylthiocarbonyl disulfide, bisthiobenzoyl disulfide and the like.

이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These compounds can be used individually or in mixture of 2 or more types.

리빙 라디칼 중합에 사용되는 라디칼 중합 개시제로서는 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물; 벤조일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, 1,1'-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-부틸퍼옥시피발레이트 등의 유기 과산화물; 과산화수소; 이들 과산화물과 환원제로 이루어지는 산화 환원계 개시제 등을 들 수 있다. It does not specifically limit as a radical polymerization initiator used for a living radical polymerization, What is generally known as a radical polymerization initiator can be used, For example, 2,2'- azobisisobutyronitrile and 2,2'- azobis Azo compounds such as (2,4-dimethylvaleronitrile) and 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile); Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, 1,1'-bis (t-butylperoxy) cyclohexane and t-butylperoxy pivalate; Hydrogen peroxide; And redox initiators composed of these peroxides and reducing agents.

이들 라디칼 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These radical initiators can be used individually or in mixture of 2 or more types.

리빙 라디칼 중합에 사용되는 용매로서는, 활성 라디칼이 실활되지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 화합물; The solvent used for the living radical polymerization is not particularly limited as long as the active radical is inactivated, but for example, propylene glycol monoalkyl ether compounds such as propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether;

에틸렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 에틸에테르 아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜 알킬에테르 아세테이트 화합물; Ethylene glycol methyl ether acetate, ethylene glycol ethyl ether acetate, diethylene glycol methyl ether acetate, diethylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, dipropylene glycol ethyl ether (Poly) alkylene glycol alkyl ether acetate compounds such as acetate;

디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글 리콜 디에틸에테르, 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜 디에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜 디알킬에테르 화합물; (Poly) alkylene glycol dialkyl such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl ethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether Ether compounds;

테트라히드로푸란 등의 다른 에테르 화합물; Other ether compounds such as tetrahydrofuran;

메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논 등의 케톤 화합물; Ketone compounds such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, and 3-heptanone;

디아세톤알코올(즉, 4-히드록시-4-메틸펜탄-2-온), 4-히드록시-4-메틸헥산-2-온 등의 케토알코올 화합물; Ketoalcohol compounds such as diacetone alcohol (ie, 4-hydroxy-4-methylpentan-2-one) and 4-hydroxy-4-methylhexan-2-one;

락트산메틸, 락트산에틸 등의 락트산알킬에스테르 화합물; Lactic acid alkyl ester compounds such as methyl lactate and ethyl lactate;

2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 포름산 n-펜틸, 아세트산 i-펜틸, 프로피온산 n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산 n-프로필, 부티르산 i-프로필, 부티르산 n-부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산 n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 다른 에스테르 화합물; Ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3 Ethyl ethoxypropionate, ethyl ethoxyacetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n acetate -Butyl, i-butyl acetate, n-pentyl formate, i-pentyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, i-propyl butyrate, n-butyl butyrate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, n-pyruvate Other ester compounds such as propyl, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, and ethyl 2-oxobutyrate;

톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소 화합물; Aromatic hydrocarbon compounds such as toluene and xylene;

N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드 화합물 등을 들 수 있다. And amide compounds such as N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, and N, N-dimethylacetamide.

이들 용매 중, 경화성 수지 조성물로 하였을 때의 각 성분의 용해성, 피막 형성성 등의 관점에서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 포름산 n-펜틸, 아세트산 i-펜틸, 프로피온산 n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산 i-프로필, 부티르산 n-부틸, 피루브산에틸 등이 바람직하다. Among these solvents, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, from the viewpoints of solubility of each component when forming the curable resin composition, film formation properties, and the like, Dipropylene glycol methyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 3-methoxypropionate, 3-e Methyl oxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, n-pentyl acetate, i-pentyl acetate, n-butyl propionate, butyric acid Ethyl, butyric acid i-propyl, n-butyl butyrate, ethyl pyruvate and the like are preferred.

상기 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said solvent can be used individually or in mixture of 2 or more types.

용매의 사용량은 전체 불포화 화합물 100 중량부에 대하여 50 내지 1,000 중량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 내지 500 중량부이다. It is preferable that the usage-amount of a solvent is 50-1,000 weight part with respect to 100 weight part of total unsaturated compounds, More preferably, it is 100-500 weight part.

리빙 라디칼 중합에 있어서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 사용량은 전체 불포화 화합물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 50 중량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 16 중량부이고, 0.4 내지 8 중량부인 것이 더욱 바람직하다. 이 값이 0.1 중량부 미만이면, 분자량 및 분자량 분포의 제어 효과가 부족한 경우가 있고, 한편 이 값이 50 중량부를 초과하면, 저분자량 성분이 우선적으로 생성될 우려가 있다. 라디칼 중합 개시제의 사용량은 전체 불포화 화합물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 50 중량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 20 중량부이다. 중합 온도는 0 내지 150 ℃인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 내지 120 ℃이고, 중합 시간은 10 분 내지 20 시간인 것이 바람직하고, 보 다 바람직하게는 30 분 내지 6 시간이다. In the living radical polymerization, the amount of the compound represented by Formula 1 is preferably 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 0.2 to 16 parts by weight, and more preferably 0.4 to 8 parts by weight based on 100 parts by weight of the total unsaturated compound. desirable. When this value is less than 0.1 weight part, the control effect of molecular weight and molecular weight distribution may be inadequate, and when this value exceeds 50 weight part, there exists a possibility that a low molecular weight component may produce | generate preferentially. It is preferable that the usage-amount of a radical polymerization initiator is 0.1-50 weight part with respect to 100 weight part of total unsaturated compounds, More preferably, it is 0.1-20 weight part. It is preferable that polymerization temperature is 0-150 degreeC, More preferably, it is 50-120 degreeC, It is preferable that polymerization time is 10 minutes-20 hours, More preferably, it is 30 minutes-6 hours.

(A) 중합체를 합성하기 위해서 바람직하게 사용되는 화합물(a1)은 라디칼 중합성을 갖는 불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물로부터 선택되는 1종 이상이다. The compound (a1) which is preferably used for synthesizing the polymer (A) is one or more selected from unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides having radical polymerizability.

화합물(a1)로서는, 예를 들면 모노카르복실산, 디카르복실산, 디카르복실산의 무수물, 다가 카르복실산의 모노[(메트)아크릴로일옥시알킬]에스테르, 양쪽 말단의 각각에 카르복실기와 수산기를 갖는 중합체의 모노(메트)아크릴레이트, 카르복실기를 갖는 다환식 화합물 및 그의 무수물 등을 들 수 있다. 또한, 본원 명세서에 있어서 「(메트)아크릴레이트」란 아크릴레이트와 메타크릴레이트를 종합한 개념이다. 「(메트)아크릴로일옥시기」 등의 다른 유사한 용어도 동일하게 이해되어야한다. As the compound (a1), for example, monocarboxylic acid, dicarboxylic acid, anhydride of dicarboxylic acid, mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester of polyhydric carboxylic acid, and a carboxyl group at each of both terminals, for example. And mono (meth) acrylate of a polymer having a hydroxyl group, a polycyclic compound having a carboxyl group, and anhydrides thereof. In addition, in this specification, "(meth) acrylate" is the concept which integrated the acrylate and methacrylate. Other similar terms such as "(meth) acryloyloxy group" should be understood in the same way.

이들의 구체적인 예로서는, 모노카르복실산으로서 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등; As a specific example of these, As a monocarboxylic acid, For example, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, etc .;

디카르복실산으로서, 예를 들면 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등; As the dicarboxylic acid, for example, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid and the like;

디카르복실산의 무수물로서, 예를 들면 상기 디카르복실산으로서 예시한 상기 화합물의 산 무수물 등; As anhydride of dicarboxylic acid, For example, acid anhydride of the said compound illustrated as said dicarboxylic acid;

다가 카르복실산의 모노[(메트)아크릴로일옥시알킬]에스테르로서, 예를 들면 숙신산 모노[2-(메트)아크릴로일옥시에틸], 프탈산 모노[2-(메트)아크릴로일옥시에틸] 등; As mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester of polyhydric carboxylic acid, For example, succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] and phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl ] Etc;

양쪽 말단의 각각에 카르복실기와 수산기를 갖는 중합체의 모노(메트)아크릴레이트로서, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤 모노(메트)아크릴레이트 등; As mono (meth) acrylate of the polymer which has a carboxyl group and a hydroxyl group in each of both terminal, For example, (omega) -carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate etc .;

카르복실기를 갖는 다환식 화합물 및 그의 무수물로서, 예를 들면 5-카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-6-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-6-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 무수물 등을 각각 들 수 있다. As the polycyclic compound having a carboxyl group and anhydrides thereof, for example, 5-carboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5 -Carboxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-methylbicyclo [2.2 .1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene anhydride, and the like. Each can be mentioned.

이들 중에서 모노카르복실산, 디카르복실산의 무수물이 바람직하게 사용되고, 특히 아크릴산, 메타크릴산, 무수 말레산이 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수가 용이한 점에서 바람직하게 사용된다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 사용된다. Among these, anhydrides of monocarboxylic acid and dicarboxylic acid are preferably used, and acrylic acid, methacrylic acid and maleic anhydride are particularly preferably used in view of copolymerization reactivity, solubility in an aqueous alkali solution and easy availability. These are used alone or in combination.

또한, 리빙 라디칼 중합에 있어서 상기 화합물(a1)이 갖는 카르복실기 또는 산 무수물기를 적당한 보호기에 의해 보호하여 중합한 후, 탈보호할 수도 있다. In the living radical polymerization, the carboxyl group or acid anhydride group of the compound (a1) may be protected by a suitable protecting group and polymerized, followed by deprotection.

(A) 중합체 또는 (A') 중합체를 합성하기 위해서 바람직하게 사용되는 화합물(a2)는 라디칼 중합성을 가지고, 또한 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 함유하는 불포화 화합물이다. Compound (a2) which is preferably used for synthesizing the (A) polymer or the (A ') polymer is an unsaturated compound having radical polymerizability and containing an oxiranyl group or an oxetanyl group.

옥시라닐기를 갖는 화합물(a2)로서는, 예를 들면 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산 3,4-옥시라닐부틸, 메타크릴산 3,4-옥시라닐부틸, α-에틸아크릴산 3,4-옥시라닐부틸, 아크릴산 6,7-옥시라닐헵틸, 메타크릴산 6,7-옥시 라닐헵틸, α-에틸아크릴산 6,7-옥시라닐헵틸, 아크릴산 β-메틸글리시딜, 메타크릴산 β-메틸글리시딜, 아크릴산 β-에틸글리시딜, 메타크릴산 β-에틸글리시딜, 아크릴산 β-n-프로필글리시딜, 메타크릴산 β-n-프로필글리시딜, 아크릴산 3,4-옥시라닐시클로헥실, 메타크릴산 3,4-옥시라닐시클로헥실 등의 옥시라닐기를 갖는 카르복실산에스테르 화합물; As a compound (a2) which has an oxiranyl group, for example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, the glycidyl (alpha)-ethyl acrylate, the glycidyl (alpha)-n-propyl acrylate, the glycine (alpha)-n-butyl acrylate Cedyl, 3,4-Oxiranylbutyl acrylate, 3,4-Oxiranylbutyl methacrylate, 3,4-Oxiranylbutyl α-ethyl acrylate, 6,7-Oxiranylheptyl acrylate, 6,7 methacrylate -Oxyranylheptyl, α-ethylacrylic acid 6,7-oxyranylheptyl, acrylic acid β-methylglycidyl, methacrylic acid β-methylglycidyl, acrylic acid β-ethylglycidyl, methacrylic acid β-ethylglycol Oxiranyl, such as cydyl, (beta) -n-propylglycidyl acrylate, (beta) -n-propylglycidyl methacrylate, 3, 4- oxiranyl cyclohexyl acrylate, 3, 4- oxiranyl cyclohexyl methacrylate Carboxylic acid ester compound which has a group;

o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 옥시라닐기를 갖는 에테르 화합물 등을 들 수 있다. and ether compounds having an oxiranyl group such as o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, and p-vinyl benzyl glycidyl ether.

또한, 옥세타닐기를 갖는 화합물(a2)로서는, 예를 들면 아크릴산 3-에틸-3-옥세타닐, 메타크릴산 3-에틸-3-옥세타닐 등을 들 수 있다. Moreover, as a compound (a2) which has an oxetanyl group, 3-ethyl-3- oxetanyl acrylate, 3-ethyl-3- oxetanyl methacrylate, etc. are mentioned, for example.

이들 화합물(a2) 중, 메타크릴산글리시딜, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸, 메타크릴산 3,4-옥시라닐시클로헥실, 메타크릴산 β-메틸글리시딜, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3-에틸-3-옥세타닐 등이 공중합 반응성 및 얻어지는 경화막의 강도를 높이는 점에서 바람직하다. Of these compounds (a2), methacrylic acid glycidyl, methacrylic acid 6,7-oxiranylheptyl, methacrylic acid 3,4-oxyranylcyclohexyl, methacrylic acid β-methylglycidyl, o-vinyl Benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylic acid, etc. are preferable at the point of copolymerization reactivity and the intensity | strength of the cured film obtained. Do.

상기 화합물(a2)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said compound (a2) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

(A) 중합체 또는 (A') 중합체를 합성하기 위해서 바람직하게 사용되는 화합물(a3)은 (a1) 및 (a2) 이외의 라디칼 중합성을 갖는 불포화 화합물로서 분자 중에 아세탈 구조, 케탈 구조 또는 t-부톡시카르보닐 구조를 갖지 않는 불포화 화합물이다. Compound (a3), which is preferably used for synthesizing the (A) polymer or the (A ') polymer, is an unsaturated compound having radical polymerizability other than (a1) and (a2) as an acetal structure, a ketal structure, or t- in a molecule. It is an unsaturated compound which does not have a butoxycarbonyl structure.

화합물(a3)으로서는, 예를 들면 메타크릴산알킬에스테르, 아크릴산알킬에스 테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 수산기를 갖는 메타크릴산에스테르, 아크릴산 환상 알킬에스테르, 메타크릴산아릴에스테르, 아크릴산아릴에스테르, 불포화 디카르복실산 디에스테르, 비시클로 불포화 화합물, 말레이미드 화합물, 불포화 방향족 화합물, 공액 디엔 등을 들 수 있다. As the compound (a3), for example, methacrylic acid alkyl ester, acrylic acid alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid ester having a hydroxyl group, acrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid aryl ester, acrylic acid aryl ester, An unsaturated dicarboxylic acid diester, a bicyclo unsaturated compound, a maleimide compound, an unsaturated aromatic compound, conjugated diene, etc. are mentioned.

이들의 구체적인 예로서는, 메타크릴산알킬에스테르로서 예를 들면 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 이소데실메타크릴레이트, n-라우릴메타크릴레이트, 트리데실메타크릴레이트, n-스테아릴메타크릴레이트 등; As specific examples of these, as methacrylic acid alkyl esters, for example, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate and 2-ethylhexyl methacrylate Acrylate, isodecyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate and the like;

아크릴산알킬에스테르로서 예를 들면 메틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트 등; As alkyl acrylate, For example, methyl acrylate, isopropyl acrylate, etc .;

메타크릴산 환상 알킬에스테르로서 예를 들면 시클로헥실메타크릴레이트, 2-메틸시클로헥실메타크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트 등; As methacrylic acid cyclic alkylester, for example, cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8- yloxyethyl methacrylate, isoboroyl methacrylate, and the like;

수산기를 갖는 메타크릴산에스테르로서, 예를 들면 히드록시메틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 3-히드록시프로필메타크릴레이트, 4-히드록시부틸메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 모노메타크릴레이트, 2,3-디히드록시프로필메타크릴레이트, 2-메타크릴옥시에틸글리코사이드, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 모노메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 모노메타크릴레이트 등 ; As methacrylic acid ester which has a hydroxyl group, For example, hydroxymethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, diethylene glycol mono Methacrylate, 2,3-dihydroxypropyl methacrylate, 2-methacryloxyethylglycoside, 4-hydroxyphenyl methacrylate, polyethylene glycol monomethacrylate, polypropylene glycol monomethacrylate and the like;

아크릴산 환상 알킬에스테르로서, 예를 들면 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트 등; As acrylic acid cyclic alkylester, For example, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] Decan-8-yloxyethyl acrylate, isoboroyl acrylate and the like;

메타크릴산아릴에스테르로서, 예를 들면 페닐메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트 등; As methacrylic acid aryl ester, For example, phenyl methacrylate, benzyl methacrylate;

아크릴산아릴에스테르로서, 예를 들면 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트 등; As acrylic acid aryl ester, For example, phenyl acrylate, benzyl acrylate;

불포화 디카르복실산 디에스테르로서, 예를 들면 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등; As unsaturated dicarboxylic acid diester, For example, diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconic acid;

비시클로 불포화 화합물로서, 예를 들면 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-t-부톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-시클로헥실옥시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-페녹시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(t-부톡시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(시클로헥실옥시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디히드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(히드록시메틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(2'-히드록시에틸)비 시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시메틸-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등; As the bicyclo unsaturated compound, for example, bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylbicyclo [2.2.1] hept- 2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dimethoxybicyclo [2.2.1] hept 2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-cyclohexyl ox Cycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [2.2 .1] hept-2-ene, 5,6-di (cyclohexyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5- (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2. 1] hept-2-ene, 5,6-dihydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene , 5,6-di (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5- Hydroxy-5-ethylbicycle [2.2.1] hept-2-ene, and 5-hydroxy-5-methyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene;

말레이미드 화합물로서, 예를 들면 N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등; As the maleimide compound, for example, N-phenylmaleimide, N-cyclohexyl maleimide, N-benzyl maleimide, N-succinimidyl-3-maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide Butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide and the like;

불포화 방향족 화합물로서, 예를 들면 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌 등; As an unsaturated aromatic compound, For example, styrene, (alpha) -methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxy styrene etc .;

공액 디엔으로서, 예를 들면 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등; As the conjugated diene, for example, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like;

그 밖의 불포화 화합물로서, 예를 들면 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아세트산비닐, 메타크릴산테트라히드로푸르푸릴 등을 각각 들 수 있다. As other unsaturated compounds, acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, vinyl acetate, methacrylic acid tetrahydrofurfuryl, etc. are mentioned, for example.

이들 중에서 메타크릴산알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 수산기를 갖는 메타크릴산에스테르, 비시클로 불포화 화합물, 불포화 방향족 화합물, 공액 디엔 등이 바람직하게 사용되고, 이 중에서 스티렌, t-부틸메타크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트, p-메톡시스티렌, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 1,3-부타디엔, 폴리에틸렌글리콜 모노메타크릴레이트, 폴리프로필 렌글리콜 모노메타크릴레이트, 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 또는 메타크릴산테트라히드로푸르푸릴이 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서 특히 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 사용된다. Of these, methacrylic acid alkyl esters, methacrylic acid cyclic alkyl esters, methacrylic acid esters having a hydroxyl group, bicyclounsaturated compounds, unsaturated aromatic compounds, conjugated dienes and the like are preferably used, among which styrene and t-butyl methacrylate are used. , Tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate, p-methoxystyrene, 2-methylcyclohexylacrylate, 1,3-butadiene, polyethyleneglycol monomethacrylate, polypropylene Glycol monomethacrylate, bicyclo [2.2.1] hept-2-ene or tetrahydrofurfuryl methacrylate are particularly preferred in view of copolymerization reactivity and solubility in aqueous alkali solution. These are used alone or in combination.

(A') 중합체를 합성하기 위해서 바람직하게 사용되는 화합물(a4)는 분자 중에 아세탈 구조, 케탈 구조 및 t-부톡시카르보닐 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 불포화 화합물이다. Compound (a4) which is preferably used for synthesizing the polymer (A ') is an unsaturated compound having at least one structure selected from the group consisting of an acetal structure, a ketal structure and a t-butoxycarbonyl structure in the molecule.

화합물(a4)로서는 아세탈 구조, 케탈 구조 및 t-부톡시카르보닐 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 노르보르넨계 화합물(이하, 「특정 노르보르넨계 화합물」이라고 함), 아세탈 구조 및 케탈 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 화합물(이하, 「특정 (메트)아크릴산에스테르 화합물」이라고 함), (메트)아크릴산 t-부틸 등을 들 수 있다. As the compound (a4), a norbornene-based compound having one or more structures selected from the group consisting of an acetal structure, a ketal structure and a t-butoxycarbonyl structure (hereinafter referred to as a "specific norbornene-based compound") and an acetal structure And (meth) acrylic acid ester compound (henceforth "a specific (meth) acrylic acid ester compound") which has 1 or more types of structure chosen from the group which consists of a ketal structure, t-butyl (meth) acrylic acid, etc. are mentioned.

상기 특정 노르보르넨계 화합물의 구체적인 예로서는, 예를 들면 2,3-디(1-메톡시에톡시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-t-부톡시에톡시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-벤질옥시에톡시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-메틸-1-메톡시에톡시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-메틸-1-i-부톡시에톡시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디((시클로헥실)(에톡시)메톡시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디((벤질)(에톡시)메톡시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(테트라히드로푸란-2-일옥시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(테트라히드로피란-2-일옥시카르보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(t-부톡시카르보닐)-5-노르보르넨 등을 들 수 있다. Specific examples of the specific norbornene-based compound include, for example, 2,3-di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene and 2,3-di (1-t-butoxyethoxycar Bonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1-benzyloxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1-methyl-1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1-methyl-1-i-butoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di ((cyclohexyl) (ethoxy) meth Oxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di ((benzyl) (ethoxy) methoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (tetrahydrofuran-2-yloxyca Carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (tetrahydropyran-2-yloxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (t-butoxycarbonyl) -5- Norbornene etc. are mentioned.

상기 특정 (메트)아크릴산에스테르 화합물의 구체적인 예로서는, 예를 들면(메트)아크릴산 1-에톡시에틸, (메트)아크릴산 1-n-프로폭시에틸, (메트)아크릴산 1-n-부톡시에틸, (메트)아크릴산 1-i-부톡시에틸, (메트)아크릴산 1-(시클로펜틸옥시)에틸, (메트)아크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸, (메트)아크릴산 1-(1,1-디메틸에톡시)에틸, (메트)아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일 등을 들 수 있다. As a specific example of the said specific (meth) acrylic acid ester compound, (meth) acrylic acid 1-ethoxyethyl, (meth) acrylic acid 1-n-propoxyethyl, (meth) acrylic acid 1-n-butoxyethyl, ( 1-i-butoxyethyl methacrylate, 1- (cyclopentyloxy) ethyl (meth) acrylate, 1- (cyclohexyloxy) ethyl (meth) acrylate, 1- (1,1-dimethyl meth) acrylate Ethoxy) ethyl, (meth) acrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl, etc. are mentioned.

이들 화합물(a4) 중, 특정 (메트)아크릴산에스테르 화합물 또는 (메트)아크릴산 t-부틸이 바람직하고, 특히 메타크릴산 1-에톡시에틸, 메타크릴산 1-i-부톡시에틸, 메타크릴산 1-(시클로펜틸옥시)에틸, 메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸, 메타크릴산 1-(1,1-디메틸에톡시)에틸, 메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일 또는 메타크릴산 t-부틸이 바람직하다. 이들 바람직한 화합물(a4)는 공중합 반응성이 높고, 보존 안정성 및 평탄화능이 우수한 경화성 수지 조성물을 생성함과 동시에 얻어지는 경화막의 내열성이나 표면 경도를 높이는 데 유효하다. Among these compounds (a4), specific (meth) acrylic acid ester compounds or t-butyl (meth) acrylate are preferable, and in particular, methacrylic acid 1-ethoxyethyl, methacrylic acid 1-i-butoxyethyl and methacrylic acid 1- (cyclopentyloxy) ethyl, methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl, methacrylic acid 1- (1,1-dimethylethoxy) ethyl, methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2- Preference is given to mono or methacrylic acid t-butyl. These preferable compounds (a4) are effective in raising the heat resistance and surface hardness of the cured film obtained while producing the curable resin composition which is high in copolymerization reactivity, and is excellent in storage stability and planarization ability.

상기 불포화 화합물(a4)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said unsaturated compound (a4) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

상기한 대로, (A) 중합체는 바람직하게는 화합물(a1), 화합물(a2) 및 화합물(a3)을 함유하는 중합성 혼합물을 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에 리빙 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체인 것이 바람직하다. As described above, the polymer (A) is preferably a polymer obtained by living radical polymerization of a polymerizable mixture containing a compound (a1), a compound (a2) and a compound (a3) in the presence of the compound represented by the above formula (1). It is preferable.

한편, (A') 중합체의 바람직한 양태의 하나인 중합체(A'1)은 화합물(a2), 화합물(a3) 및 화합물(a4)를 함유하는 중합성 혼합물을 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에 리빙 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체인 것이 바람직하다. 또 한, (A') 중합체의 다른 바람직한 양태인 중합체(A'2)는 바람직하게는 화합물(a2) 및 화합물(a3)을 함유하는 중합성 혼합물을 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에 리빙 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체이다. On the other hand, polymer (A'1), which is one of preferred embodiments of the polymer (A '), is a polymerizable mixture containing a compound (a2), a compound (a3) and a compound (a4) in the presence of the compound represented by the formula (1) It is preferable that it is a polymer obtained by living radical polymerization under the following. In addition, polymer (A'2), which is another preferred embodiment of the polymer (A '), preferably contains a polymerizable mixture containing the compound (a2) and the compound (a3) in the presence of the compound represented by the formula (1). It is a polymer obtained by radical polymerization.

(A) 중합체에 있어서 화합물(a1)로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은 화합물(a1), (a2) 및 (a3)으로부터 유도되는 구성 단위의 합계에 기초하여 바람직하게는 5 내지 50 중량%이고, 보다 바람직하게는 10 내지 40 중량%이고, 또한 10 내지 30 중량%인 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 구성 단위의 함유율이 5 중량% 미만이면, 얻어지는 경화막의 강도나 내열성, 내약품성이 저하되는 경향이 있고, 한편 50 중량%를 초과하면, 경화성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하되는 경우가 있다. In the polymer (A), the content of the structural unit derived from the compound (a1) is preferably 5 to 50% by weight based on the sum of the structural units derived from the compound (a1), (a2) and (a3), More preferably, it is 10-40 weight%, and it is preferable that it is 10-30 weight%. In this case, when the content rate of the said structural unit is less than 5 weight%, there exists a tendency for the intensity | strength, heat resistance, and chemical-resistance of the cured film obtained to fall, and when it exceeds 50 weight%, the storage stability of curable resin composition may fall. have.

본 발명에서 사용되는 (A) 중합체는 화합물(a2)로부터 유도되는 구성 단위를 화합물(a1), (a2) 및 (a3)으로부터 유도되는 구성 단위의 합계에 기초하여 바람직하게는 10 내지 70 중량%, 특히 바람직하게는 20 내지 60 중량% 함유한다. 이 구성 단위가 10 중량% 미만인 경우에는 얻어지는 경화막의 내열성이나 표면 경도가 저하되는 경향이 있고, 한편 이 구성 단위의 양이 70 중량%를 초과하는 경우에는 경화성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있다. The polymer (A) used in the present invention is preferably 10 to 70% by weight based on the sum of the structural units derived from the compounds (a1), (a2) and (a3). Especially preferably, it contains 20 to 60 weight%. When this structural unit is less than 10 weight%, there exists a tendency for the heat resistance and surface hardness of the cured film obtained to fall, and when the quantity of this structural unit exceeds 70 weight%, there exists a tendency for the storage stability of curable resin composition to fall. have.

본 발명에서 사용되는 (A) 중합체는 화합물(a3)으로부터 유도되는 구성 단위를 화합물(a1), (a2) 및 (a3)으로부터 유도되는 구성 단위의 합계에 기초하여 바람직하게는 5 내지 70 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 60 중량%, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 중량%로 함유한다. 이 구성 단위가 5 중량% 미만인 경우에는, 경화성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있고, 한편 70 중량%를 초과하면, 경화막의 형성에 있어서의 현상 공정에서 알칼리 수용액에 용해되기 어려워지는 경우가 있다. The polymer (A) used in the present invention is preferably 5 to 70% by weight based on the sum of the structural units derived from the compounds (a1), (a2) and (a3). More preferably, it contains 10 to 60 weight%, More preferably, it is 20 to 50 weight%. When this structural unit is less than 5 weight%, there exists a tendency for the storage stability of curable resin composition to fall, and when it exceeds 70 weight%, it becomes difficult to melt | dissolve in aqueous alkali solution in the image development process in formation of a cured film. have.

(A'1) 중합체에 있어서 화합물(a2)에서 유래하는 반복 단위의 함유율은 전체 반복 단위에 대하여 바람직하게는 10 내지 70 중량%, 특히 바람직하게는 20 내지 60 중량%이다. 화합물(a2)에서 유래하는 반복 단위의 함유율이 10 중량% 미만이면, 보호막의 내열성이나 표면 경도가 저하되는 경향이 있고, 한편 70 중량%를 초과하면, 조성물의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있다. The content of the repeating unit derived from the compound (a2) in the polymer (A'1) is preferably 10 to 70% by weight, particularly preferably 20 to 60% by weight based on the total repeating units. When the content rate of the repeating unit derived from a compound (a2) is less than 10 weight%, there exists a tendency for the heat resistance and surface hardness of a protective film to fall, and when it exceeds 70 weight%, there exists a tendency for the storage stability of a composition to fall.

(A'1) 중합체에 있어서의 화합물(a4)에서 유래하는 반복 단위의 함유율은 바람직하게는 5 내지 60 중량%, 특히 바람직하게는 10 내지 50 중량%이다. 화합물(a4)에서 유래하는 반복 단위의 함유율을 이 범위내로 함으로써 보호막의 양호한 내열성 및 표면 경도를 실현할 수 있다. The content of the repeating unit derived from compound (a4) in the polymer (A'1) is preferably 5 to 60% by weight, particularly preferably 10 to 50% by weight. By making the content rate of the repeating unit derived from a compound (a4) into this range, the favorable heat resistance and surface hardness of a protective film can be implement | achieved.

(A'1) 중합체에 있어서의 화합물(a3)에서 유래하는 반복 단위의 함유율은 화합물(a2) 및 화합물(a4)에서 유래하는 반복 단위의 합계 함유율을 100 중량%로부터 뺀 양이지만, 바람직하게는 전체 반복 단위에 대하여 10 내지 80 중량%이고, 보다 바람직하게는 20 내지 60 중량%이다. Although the content rate of the repeating unit derived from the compound (a3) in a polymer (A'1) is the quantity which subtracted the total content rate of the repeating unit derived from a compound (a2) and a compound (a4) from 100 weight%, Preferably it is It is 10-80 weight% with respect to all the repeating units, More preferably, it is 20-60 weight%.

(A'2) 중합체에 있어서 화합물(a2)에서 유래하는 반복 단위의 함유율은 전체 반복 단위에 대하여 바람직하게는 1 내지 90 중량%, 특히 바람직하게는 40 내지 90 중량%이다. 화합물(a2)에서 유래하는 반복 단위의 함유율이 1 중량% 미만이면, 경화막의 내열성이나 표면 경도가 저하되는 경향이 있고, 한편 90 중량%를 초 과하면, 조성물의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있다. The content of the repeating unit derived from the compound (a2) in the polymer (A'2) is preferably 1 to 90% by weight, particularly preferably 40 to 90% by weight based on the total repeating units. When the content rate of the repeating unit derived from a compound (a2) is less than 1 weight%, there exists a tendency for the heat resistance and surface hardness of a cured film to fall, and when it exceeds 90 weight%, there exists a tendency for the storage stability of a composition to fall.

(A'2) 중합체에 있어서의 화합물(a3)에서 유래하는 반복 단위의 함유율은 화합물(a2)에서 유래하는 반복 단위의 함유율을 100 중량%로부터 뺀 양이다. The content rate of the repeating unit derived from the compound (a3) in a (A'2) polymer is the quantity which subtracted the content rate of the repeating unit derived from a compound (a2) from 100 weight%.

상기한 대로, 본 발명에서 사용되는 (A) 중합체 또는 (A') 중합체는 불포화 화합물을 리빙 라디칼 중합함으로써 얻어지지만, 리빙 라디칼 중합시 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 분자량 제어제로서 사용한다. 이 때문에 (A) 중합체, (A') 중합체는 중합체 중에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 유래하는 하기 화학식 1a로 표시되는 기를 갖는다. 상기 화학식 1a로 표시되는 기는 바람직하게는 (A) 중합체 또는 (A') 중합체의 말단에 위치한다. As mentioned above, although the (A) polymer or (A ') polymer used by this invention is obtained by living radical polymerization of an unsaturated compound, the compound represented by the said Formula (1) at the time of a living radical polymerization uses the molecular weight controlling agent. For this reason, the polymer (A) and the polymer (A ') have a group represented by the following formula (1a) derived from the compound represented by the formula (1) in the polymer. The group represented by the formula (1a) is preferably located at the end of the (A) polymer or (A ') polymer.

Figure 112006072504121-PAT00002
Figure 112006072504121-PAT00002

(식 중, Z는 상기 화학식 1에서의 것과 동일하다.) (Wherein Z is the same as that in Formula 1).

본 발명에서 사용되는 (A) 중합체 또는 (A') 중합체는 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(이하, 「Mw」라 함)과 폴리스티렌 환산 수평균 분자량(이하, 「Mn」이라 함)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이고, 바람직하게는 1.5 이하이다. Mw/Mn이 1.7을 초과하면, 얻어진 경화막의 내열성이 부족한 경우가 있다. Mw는 바람직하게는 2×103 내지 1×105, 보다 바람직하게는 5×103 내지 5×104이다. Mw가 2×103 미만이면, 조성물의 도포성이 불충분해지거나 또는 얻어지는 경화막의 내열성이 부족한 경우가 있다. 한편, Mw가 1×105를 초과하면, 감도 또는 얻어지는 경화막의 평탄화 성능이 불충분해지는 경우가 있다. Mn은 바람직하게는 1.2×103 내지 1×105이고, 보다 바람직하게는 2.9×103 내지 5×104이다. 또한, 상기 비 Mw/Mn은 유효 숫자 2자리 (소수점 이하 1자리)의 정밀도로 평가되어야 한다.The (A) polymer or (A ') polymer used by this invention is a polystyrene conversion weight average molecular weight (henceforth "Mw") measured by gel permeation chromatography, and polystyrene conversion number average molecular weight (henceforth "Mn"). Ratio (Mw / Mn) is 1.7 or less, and preferably 1.5 or less. When Mw / Mn exceeds 1.7, the heat resistance of the obtained cured film may be insufficient. Mw is preferably 2 × 10 3 to 1 × 10 5 , more preferably 5 × 10 3 to 5 × 10 4 . When Mw is less than 2 * 10 <3> , the applicability | paintability of a composition may become inadequate or the heat resistance of the cured film obtained may be inadequate. On the other hand, when Mw exceeds 1 * 10 < 5 >, the sensitivity or the planarization performance of the cured film obtained may become inadequate. Mn is preferably 1.2 × 10 3 to 1 × 10 5 , and more preferably 2.9 × 10 3 to 5 × 10 4 . In addition, the ratio Mw / Mn should be evaluated with a precision of two significant digits (one decimal point or less).

또한, 본 발명에서 사용되는 (A) 중합체 또는 (A') 중합체의 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 잔류 단량체량은 바람직하게는 5.0 % 미만, 보다 바람직하게는 3.0 % 미만, 특히 바람직하게는 2.0 % 미만이다. 이러한 잔류 단량체 함유량의 공중합체를 이용함으로써, 소성시의 승화물이 감소된 경화성 수지 조성물을 얻을 수 있다. In addition, the residual monomer amount measured by gel permeation chromatography of the polymer (A) or the polymer (A ') used in the present invention is preferably less than 5.0%, more preferably less than 3.0%, particularly preferably 2.0% Is less than. By using the copolymer of such residual monomer content, curable resin composition in which the sublimation at the time of baking is reduced can be obtained.

본 발명의 경화성 수지 조성물은 상기와 같은 (A) 중합체 또는 (A') 중합체를 함유한다. 본 발명의 경화성 수지 조성물은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 (A) 중합체 또는 (A') 중합체의 일부를 다른 중합체로 치환할 수도 있다. 이 경우, 조성물의 제조에 대응하여 각별히 합성한 다른 중합체를 혼합하여 사용할 수도 있고, 또는 (A) 중합체 또는 (A') 중합체의 합성에 있어서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 다른 분자량 제어제, 예를 들면 α-메틸스치렌 이량체, t-도데실머캅탄 등의 1종 이상을 병용함으로써 (A) 중합체 또는 (A') 중합체와 함께 다른 중합체를 합성하여 사용하는 방법에 따를 수도 있다. 후자의 방법에 의한 경우, 다른 분자량 제어제의 사용량으로서는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 100 중량 부에 대하여 바람직하게는 200 중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 40 중량부 이하이다. 다른 분자량 제어제의 사용량이 200 중량부를 초과하면, 본 발명의 효과가 손상되는 경우가 있다. Curable resin composition of this invention contains the above-mentioned (A) polymer or (A ') polymer. Curable resin composition of this invention can also replace a part of (A) polymer or (A ') polymer with another polymer in the range which does not impair the effect of this invention. In this case, other polymers specially synthesized corresponding to the preparation of the composition may be mixed or used, or in the synthesis of the polymer (A) or the polymer (A ′), a molecular weight control agent different from the compound represented by the formula (1), for example For example, it can also be followed by the method of synthesizing and using another polymer with (A) polymer or (A ') polymer by using together 1 or more types, such as (alpha) -methyl styrene dimer and t-dodecyl mercaptan. In the case of the latter method, the amount of the other molecular weight controlling agent is preferably 200 parts by weight or less, more preferably 40 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the compound represented by the formula (1). When the usage-amount of another molecular weight control agent exceeds 200 weight part, the effect of this invention may be impaired.

(A) 중합체를 함유하는 경화성 수지 조성물은 바람직하게는 중합체(A) 외에(B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제를 함유하는 조성물(이하, 「제1 조성물」이라 하는 경우가 있음), (A) 중합체 외에 (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하는 조성물(이하, 「제2 조성물」이라 하는 경우가 있음) 또는 (A) 중합체 외에 (E) 양이온 중합성 화합물을 함유하는 조성물(이하, 「제3 조성물」이라 하는 경우가 있음)이다. 제3 조성물은 바람직하게는 (F) 경화제 또는 (G) 산 발생제를 더 함유한다. The curable resin composition containing the polymer (A) is preferably a composition containing (B) a polymerizable unsaturated compound and (C) a radiation sensitive polymerization initiator in addition to the polymer (A) (hereinafter referred to as "first composition"). ), (A) a composition containing (D) 1,2-quinonediazide compound in addition to the polymer (hereinafter sometimes referred to as "second composition") or (A) polymer other than (E) cationic polymerizable It is a composition containing a compound (henceforth a "third composition"). The third composition preferably further contains a (F) curing agent or (G) acid generator.

한편, (A') 중합체를 함유하는 경화성 수지 조성물은 바람직하게는 (A') 중합체 외에 (E) 양이온 중합성 화합물을 함유하는 조성물(이하, 「제4 조성물」이라 하는 경우가 있음)이거나, 또는 (A') 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물을 함유하는 제1액과 (F) 경화제를 함유하는 제2액으로 이루어지는 이액형 경화성 수지 조성물(이하, 「제5 조성물」이라 하는 경우가 있음)이다. 여기서 (A') 중합체로서는, 제4 조성물에 있어서는 바람직하게는 상기 (A'1) 중합체 또는 (A'2) 중합체이고, 제5 조성물에 있어서는 상기 (A'2) 중합체이다. 제4 조성물은 바람직하게는 (F) 경화제 또는 (G) 산 발생제를 더 함유한다. On the other hand, the curable resin composition containing the (A ') polymer is preferably a composition containing the (E) cationically polymerizable compound in addition to the (A') polymer (hereinafter sometimes referred to as "fourth composition"), Or the two-component curable resin composition (hereinafter, referred to as "the fifth composition") comprising the first liquid containing the (A ') polymer and the (E) cationically polymerizable compound and the second liquid containing the (F) curing agent. Yes). As (A ') polymer here, in a 4th composition, Preferably it is the said (A'1) polymer or (A'2) polymer, and in a 5th composition, it is the said (A'2) polymer. The fourth composition preferably further contains a (F) curing agent or (G) acid generator.

이하, 제1 내지 제5 조성물에 대하여 차례로 설명한다. Hereinafter, the first to fifth compositions will be described in order.

<제1 조성물> <1st composition>

제1 조성물은 바람직하게는 (A) 중합체, (B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제를 함유하는 감방사선성 수지 조성물이다. The first composition is preferably a radiation sensitive resin composition containing (A) a polymer, (B) a polymerizable unsaturated compound and (C) a radiation sensitive polymerization initiator.

제1 조성물에 사용되는 (A) 중합체의 바람직한 구체적인 예로서는, 예를 들면 스티렌/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/메타크릴산글리시딜 공중합체, 스티렌/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/메타크릴산글리시딜/1,3-부타디엔 공중합체, 스티렌/메타크릴산/아크릴산/메타크릴산벤질/메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 3-에틸-3-옥세타닐 공중합체, 스티렌/메타크릴산/메타크릴산벤질/메타크릴산테트라히드로푸르푸릴/메타크릴산메틸글리시딜 공중합체 등을 들 수 있다. Preferred specific examples of the polymer (A) used in the first composition include, for example, styrene / methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / glycidyl methacrylate air Copolymer, styrene / methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / glycidyl methacrylate / 1,3-butadiene copolymer, styrene / methacrylic acid / acrylic acid / Benzyl methacrylate / n-butyl methacrylate 3-ethyl-3-oxetanyl copolymer of methacrylate, styrene / methacrylic acid / benzyl methacrylate / methacrylate tetrahydrofurfuryl / methyl methacrylate Glycidyl copolymer etc. are mentioned.

제1 조성물에 바람직하게 사용되는 (B) 중합성 불포화 화합물로서는, 2관능 이상의 (메트)아크릴레이트가 바람직하다. As (B) polymerizable unsaturated compound used preferably for a 1st composition, (meth) acrylate more than bifunctional is preferable.

2관능의 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 아크릴레이트, 에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 1,9-노난디올 디아크릴레이트, 1,9-노난디올 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디메타크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌 디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌 디메타크릴레이트 등을 들 수 있다. As a bifunctional (meth) acrylate, for example, ethylene glycol acrylate, ethylene glycol methacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1,9-nonane Diol diacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, polypropylene glycol diacrylate, polypropylene glycol dimethacrylate, bisphenoxy Ethanol fluorene diacrylate, bisphenoxyethanol fluorene dimethacrylate, and the like.

이러한 2관능의 (메트)아크릴레이트의 시판품으로서는, 예를 들면 알로닉스 M-210, 동 M-240, 동 M-6200(이상, 도아 고세이(주) 제조), KAYARAD HDDA, KAYARAD HX-220, 동 R-604, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, MU-2100, MU-4001(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), 비스코트 260, 동 312, 동 335HP(이상, 오사카 유끼 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. As a commercial item of such a bifunctional (meth) acrylate, For example, Alonics M-210, M-240, M-6200 (above, Toagosei Co., Ltd.), KAYARAD HDDA, KAYARAD HX-220, East R-604, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, MU-2100, MU-4001 (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.), biscoat 260, copper 312, copper 335HP (above, manufactured by Osaka Yuki Chemical Co., Ltd.), etc. are mentioned.

3관능 이상의 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사메타크릴레이트, 트리(2-아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 트리(2-메타크릴로일옥시에틸)포스페이트 등 외에, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 가지고 또한 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자내에 1개 이상의 수산기를 가지면서 또한 3 내지 5개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄 아크릴레이트계 화합물 등을 들 수 있다. As a trifunctional or more than (meth) acrylate, for example, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, Pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, tri (2-acryloyloxy In addition to ethyl) phosphate, tri (2-methacryloyloxyethyl) phosphate, and the like, a compound having a linear alkylene group and an alicyclic structure and also having two or more isocyanate groups, and having one or more hydroxyl groups in the molecule, When obtained by reacting a compound having five (meth) acryloyloxy groups There may be mentioned carbon acrylate-based compound and the like.

3관능 이상의 (메트)아크릴레이트의 시판품으로서는, 예를 들면 알로닉스 M-309, 동-400, 동-402, 동-405, 동-450, 동-1310, 동-1600, 동-1960, 동-7100, 동-8030, 동-8060, 동-8100, 동-8530, 동-8560, 동-9050, 알로닉스 TO-1450(이상, 도아 고세이(주) 제조), KAYARAD TMPTA, 동 DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), 비스코트 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카 유끼 가가꾸 고교(주) 제조) 나, 우레탄 아크릴레이트계 화합물로서 뉴프론티어 R-1150(다이이치 고교 세이야꾸(주) 제조), KAYARAD DPHA-40H(닛본 가야꾸(주) 제조) 등을 들 수 있다. As a commercial item of the trifunctional or more than (meth) acrylate, For example, Alonics M-309, copper-400, copper-402, copper-405, copper-450, copper-1310, copper-1600, copper-1960, copper -7100, East-8030, East-8060, East-8100, East-8530, East-8560, East-9050, Alonics TO-1450 (above, manufactured by Toa Kosei Co., Ltd.), KAYARAD TMPTA, East DPHA, East DPCA-20, copper DPCA-30, copper DPCA-60, copper DPCA-120, copper MAX-3510 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), biscot 295, copper 300, copper 360, copper GPT, copper 3PA 400 (above, Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) B, as a urethane acrylate compound, New Frontier R-1150 (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), KAYARAD DPHA-40H (Nipbon Kayaku ( Note) manufacture) etc. are mentioned.

본 발명에 있어서 (B) 중합성 불포화 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. In this invention, (B) polymerizable unsaturated compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

제1 조성물에 있어서의 (B) 중합성 불포화 화합물의 사용량은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 10 내지 150 중량부이고, 더욱 바람직하게는 20 내지 120 중량부이다. (B) 중합성 불포화 화합물의 사용량이 10 중량부 미만이면, 막 두께가 균일한 도막을 형성하는 것이 곤란해지는 경향이 있고, 한편 150 중량부를 초과하면, 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. The usage-amount of the (B) polymerizable unsaturated compound in a 1st composition becomes like this. Preferably it is 10-150 weight part with respect to 100 weight part of (A) polymers, More preferably, it is 20-120 weight part. When the usage-amount of (B) polymerizable unsaturated compound is less than 10 weight part, it will become difficult to form a coating film with a uniform film thickness, and when it exceeds 150 weight part, there exists a tendency for adhesiveness with a board | substrate to fall.

제1 조성물에 바람직하게 사용되는 (C) 감방사선성 중합 개시제는 방사선에 감응하여 (B) 중합성 불포화 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. The radiation sensitive polymerization initiator (C) which is preferably used in the first composition is a component that generates active species capable of initiating polymerization of the (B) polymerizable unsaturated compound in response to radiation.

이러한 (C) 감방사선성 중합 개시제로서는, 예를 들면 감방사선 라디칼 중합 개시제를 바람직하게 사용할 수 있다. As such a (C) radiation sensitive polymerization initiator, a radiation sensitive radical polymerization initiator can be used preferably, for example.

상기 감방사선 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면 디아세틸 등의 α-디케톤; As said radiation sensitive radical polymerization initiator, For example, alpha-diketones, such as diacetyl;

벤조인 등의 아실로인; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 아실로인에테르; 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 티오크산톤-4-술폰산, 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등의 벤조페논류; 아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, 4-(α,α'-디 메톡시아세톡시)벤조페논, 2,2'-디메톡시-2-페닐아세토페논, p-메톡시아세토페논, 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸티오페닐)-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 아세토페논류; 안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논 등의 퀴논; 페나실클로라이드, 트리브로모메틸페닐술폰, 트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드; 디-t-부틸퍼옥시드 등의 유기 과산화물 등을 들 수 있다. Acyloins such as benzoin; Acyloin ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether; Thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, thioxanthone-4-sulfonic acid, benzophenone, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzo Benzophenones such as phenone; Acetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, 4- (α, α'-dimethoxyacetoxy) benzophenone, 2,2'-dimethoxy-2-phenylacetophenone, p-methoxyacetophenone, 2- Methyl-2-morpholino-1- (4-methylthiophenyl) -1-propanone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, etc. Acetophenones; Quinones such as anthraquinone and 1,4-naphthoquinone; Halogen compounds such as phenacyl chloride, tribromomethylphenyl sulfone and tris (trichloromethyl) -s-triazine; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphineoxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylforce Acylphosphine oxides such as pinoxide; Organic peroxides, such as di-t-butyl peroxide, etc. are mentioned.

감방사선 라디칼 중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들면 IRGACURE-124, 동-149, 동-184, 동-369, 동-500, 동-651, 동-819, 동-907, 동-1000, 동-1700, 동-1800, 동-1850, 동-2959, Darocur-1116, 동-1173, 동-1664, 동-2959, 동-4043(이상, 시바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬즈사 제조), KAYACURE-DETX, 동-MBP, 동-DMBI, 동-EPA, 동-OA(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), LUCIRIN TPO(BASF사 제조), VICURE-10, 동-55(이상, STAUFFER사 제조), TRIGONALP1(AKZO사 제조), SANDORAY 1000(SANDOZ사 제조), DEAP(APJOHN사 제조), QUANTACURE-PDO, 동-ITX, 동-EPD(이상, WARD BLEKINSOP사 제조) 등을 들 수 있다. As a commercial item of a radiation sensitive radical polymerization initiator, for example, IRGACURE-124, copper-149, copper-184, copper-369, copper-500, copper-651, copper-819, copper-907, copper-1000, copper- 1700, East-1800, East-1850, East-2959, Darocur-1116, East-1173, East-1664, East-2959, East-4043 (above, made by Ciba Specialty Chemicals), KAYACURE-DETX, East -MBP, copper-DMBI, copper-EPA, copper-OA (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), LUCIRIN TPO (manufactured by BASF Corporation), VICURE-10, copper-55 (above, manufactured by STAUFFER Corporation), TRIGONALP1 (Made by AKZO), SANDORAY 1000 (manufactured by SANDOZ), DEAP (manufactured by APJOHN), QUANTACURE-PDO, copper-ITX, copper-EPD (above, manufactured by WARD BLEKINSOP), and the like.

이러한 (C) 감방사선성 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These (C) radiation sensitive polymerization initiators can be used individually or in mixture of 2 or more types.

제1 조성물에 있어서의 (C) 감방사선성 중합 개시제의 사용량은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 40 중량부이고, 더욱 바람직하게는 3 내 지 35 중량부이다. (C) 감방사선성 중합 개시제의 사용량이 1 중량부 미만이면, 얻어지는 경화막의 내열성이나 표면 경도, 내약품성이 저하되는 경우가 있고, 한편 40 중량부를 초과하면, 투명성이 저하되는 경향이 있다. The usage-amount of the (C) radiation sensitive polymerization initiator in a 1st composition becomes like this. Preferably it is 1-40 weight part with respect to 100 weight part of (A) polymer, More preferably, it is 3 to 35 weight part. (C) When the usage-amount of a radiation sensitive polymerization initiator is less than 1 weight part, the heat resistance, surface hardness, and chemical resistance of the cured film obtained may fall, and when it exceeds 40 weight part, there exists a tendency for transparency to fall.

제1 조성물에 있어서는 (C) 감방사선 중합 개시제와 함께 감방사선 증감제의 1종 이상을 병용함으로써 공기 중의 산소에 의한 실활이 적은 고감도의 감방사선성 경화성 수지 조성물을 얻는 것도 가능하다. In 1st composition, it is also possible to obtain the highly sensitive radiation-sensitive curable resin composition with little inactivation by oxygen in air by using together (C) a radiation sensitive sensitizer together with 1 or more types of radiation sensitizers.

이러한 감방사선 증감제로서는, 예를 들면 N-메틸디에탄올아민, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, p-디메틸아미노벤조산에틸, p-디메틸아미노벤조산 i-아밀, 2,4-디에틸티오크산톤, 티오크산톤-4-술폰산 등을 들 수 있다. 이들 증감제 중에서 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 또는 2,4-디에틸티오크산톤이 바람직하다. As such a radiation sensitive sensitizer, N-methyl diethanolamine, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, ethyl p-dimethylamino benzoate, for example and p-dimethylaminobenzoic acid i-amyl, 2,4-diethyl thioxanthone, thioxanthone-4-sulfonic acid and the like. Of these sensitizers, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone or 2,4-diethyl thioxanthone is preferred.

이들 감방사선 증감제는 동시에 2종 이상을 사용할 수도 있다. These radiation sensitizers can also use 2 or more types simultaneously.

상기 감방사선 증감제의 사용 비율은 (C) 감방사선성 중합 개시제 100 중량부에 대하여 바람직하게는 40 중량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 20 중량부 이하이다. 감방사선 증감제의 사용 비율이 40 중량부를 초과하면, 현상 잔여물이 생기기 쉬워지는 경우가 있다. The use ratio of the radiation sensitive sensitizer is preferably 40 parts by weight or less, and more preferably 20 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the (C) radiation sensitive polymerization initiator. When the use ratio of a radiation sensitive sensitizer exceeds 40 weight part, developing residues may become easy to produce.

제1 조성물은 상기 (A) 중합체, (B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제 외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 필요에 따라서 상기 이외의 임의 첨가제를 함유할 수 있다. 이러한 임의 첨가제로서는, 예를 들면 접착 보조제, 계면 활성제, 보존 안정제, 내열성 향상제 등을 배합할 수 있다. In addition to the above-mentioned (A) polymer, (B) polymerizable unsaturated compound, and (C) radiation sensitive polymerization initiator, a 1st composition can contain arbitrary additives other than the above as needed in the range which does not impair the effect of this invention. have. As such an optional additive, an adhesion | attachment adjuvant, surfactant, a storage stabilizer, a heat resistance improving agent, etc. can be mix | blended, for example.

상기 접착 보조제는 얻어지는 경화막과 기판과의 접착성을 향상시키기 위해서 사용할 수 있는 성분이다. The said adhesion | attachment adjuvant is a component which can be used in order to improve the adhesiveness of the cured film obtained and a board | substrate.

이러한 접착 보조제로서는 카르복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하고, 그의 예로서는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. As such an adhesion | attachment adjuvant, the functional silane coupling agent which has reactive functional groups, such as a carboxyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group, an epoxy group, is preferable, The trimethoxysilyl benzoic acid, (gamma) -methacryloxypropyl trimethoxy as an example thereof Silane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxy Silane and the like.

이들 접착 보조제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These adhesion aids can be used individually or in mixture of 2 or more types.

접착 보조제의 배합량은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 20 중량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 15 중량부 이하이다. 접착 보조제의 배합량이 20 중량부를 초과하면, 현상 잔여물을 생기기 쉬워지는 경우가 있다. The compounding quantity of an adhesion | attachment adjuvant becomes like this. Preferably it is 20 weight part or less with respect to 100 weight part of (A) polymers, More preferably, it is 15 weight part or less. When the compounding quantity of an adhesion | attachment adjuvant exceeds 20 weight part, it may become easy to produce a development residue.

상기 계면 활성제는 도포성을 향상시키기 위해서 사용할 수 있는 성분이다. The said surfactant is a component which can be used in order to improve applicability | paintability.

이러한 계면 활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제 등이 바람직하다. As such surfactant, a fluorochemical surfactant, silicone type surfactant, etc. are preferable, for example.

상기 불소계 계면 활성제로서는 말단, 주쇄 및 측쇄 중 적어도 어느 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 그의 예로서는 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜 디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜 디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부 틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜 디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜 디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸이나, 플루오로알킬벤젠술폰산나트륨, 플루오로알킬인산나트륨, 플루오로알킬카르복실산나트륨, 디글리세린 테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오디드, 플루오로알킬베타인, 다른 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕실레이트, 카르복실산플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다. As said fluorine-type surfactant, the compound which has a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least any part of a terminal, a main chain, and a side chain is preferable, As an example, 1,1,2,2- tetrafluoro-n-octyl ( 1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2 , 2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1, 2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro-n-dodecanesulfonic acid Sodium, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro-n-dodecane Or sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkyl phosphate, sodium fluoroalkyl carboxylate, diglycerine tetrakis Fluoroalkyl polyoxyethylene ether), fluoroalkyl ammonium iodide, fluoroalkyl betaine, other fluoroalkyl polyoxyethylene ether, perfluoroalkyl polyoxyethanol, perfluoroalkyl alkoxylate, carboxylic acid Fluoroalkyl esters and the like.

불소계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조), 플로라드 FC-170C, 동-171, 동-430, 동-431(이상, 스미또모 쓰리엠(주) 제조), 서플론 S-112, 동-113, 동-131, 동-141, 동-145, 동-382, 서플론 SC-101, 동-102, 동-103, 동-104, 동-105, 동-106(이상, 아사히 글래스(주) 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동 352(이상, 신아끼다 가세이(주) 제조), 프타젠트 FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, 프타젠트 FTX-218, 동-251(이상, (주)네오스 제조) 등을 들 수 있다. As a commercial item of a fluorine-type surfactant, BM-1000, BM-1100 (above, BM CHEMIE company make), Megapack F142D, copper F172, copper F173, copper F183, copper F178, copper F191, copper F471, copper F476 (Above, Dai Nippon Ink Chemical Industries, Ltd.), Florade FC-170C, East-171, East-430, East-431 (above, Sumitomo 3M Co., Ltd.), Suflon S-112, Dong-113, East-131, East-141, East-145, East-382, Suflon SC-101, East-102, East-103, East-104, East-105, East-106 (above, Asahi Glass (Production) Co., Ltd.), F-top EF301, copper 303, copper 352 (above, Shinsei Kasei Co., Ltd.), Pgentant FT-100, copper-110, copper-140A, copper-150, copper-250, copper -251, copper-300, copper-310, copper-400S, pgentant FTX-218, copper-251 (above, manufactured by Neos), etc. are mentioned.

상기 실리콘계 계면 활성제로서는, 예를 들면 도레이 실리콘 DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 도레이ㆍ다우코닝ㆍ 실리콘(주) 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 도시바 실리콘(주) 제조) 등의 상품명으로 시판되고 있는 것을 들 수 있다. As said silicone type surfactant, Toray silicon DC3PA, copper DC7PA, copper SH11PA, copper SH21PA, copper SH28PA, copper SH29PA, copper SH30PA, copper SH-190, copper SH-193, copper SZ-6032, copper SF-8428 , DC-57, DC-190 (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicon Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452 (more Commercially available, such as GE Toshiba Silicone Co., Ltd., may be mentioned.

또한, 상기 이외의 계면 활성제로서, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르; 폴리옥시에틸렌-n-옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌-n-노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르 등의 비이온계 계면 활성제나, 오르가노실록산 중합체 KP341(신에츠 가가꾸 고교(주) 제조), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 N0.57, 동 N0.95(이상, 교에샤 가가꾸(주) 제조) 등을 들 수 있다. Moreover, as surfactant other than the above, Polyoxyethylene alkyl ether, such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene-n-octylphenyl ether and polyoxyethylene-n-nonylphenyl ether; Nonionic surfactant, such as polyoxyethylene dialkyl ester, such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate, organosiloxane polymer KP341 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth) acryl Acid copolymer polyflow N0.57, copper N0.95 (above, Kyoesha Chemical Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

이들 계면 활성제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These surfactant can be used individually or in mixture of 2 or more types.

계면 활성제의 배합량은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 1.0 중량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이하이다. 이 경우, 계면 활성제의 배합량이 1.0 중량부를 초과하면, 막 불균일이 생기기 쉬워지는 경우가 있다. The blending amount of the surfactant is preferably 1.0 part by weight or less, and more preferably 0.5 part by weight or less based on 100 parts by weight of the polymer (A). In this case, when the compounding quantity of surfactant exceeds 1.0 weight part, film nonuniformity may arise easily.

상기 보존 안정제로서는, 예를 들면 황, 퀴논류, 히드로퀴논류, 폴리옥시 화합물, 아민류, 니트로니트로소 화합물 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 4-메톡시페놀, N-니트르소-N-페닐히드록실아민알루미늄 등을 들 수 있다. Examples of the storage stabilizer include sulfur, quinones, hydroquinones, polyoxy compounds, amines, nitronitroso compounds, and the like, and more specifically 4-methoxyphenol and N-nitroso-N-phenyl Hydroxylamine aluminum etc. are mentioned.

이들 보존 안정제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These storage stabilizers can be used individually or in mixture of 2 or more types.

보존 안정제의 배합량은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 3.0 중량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이하이다. 이 경우, 보존 안정제 의 배합량이 3.0 중량부를 초과하면, 감도가 저하되어 패턴 형상이 열화될 우려가 있다. The compounding quantity of a storage stabilizer becomes like this. Preferably it is 3.0 weight part or less with respect to 100 weight part of (A) polymers, More preferably, it is 0.5 weight part or less. In this case, when the compounding quantity of a storage stabilizer exceeds 3.0 weight part, there exists a possibility that a sensitivity may fall and a pattern shape may deteriorate.

상기 내열성 향상제로서는, 예를 들면 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물, N-(알콕시메틸)멜라민 화합물, 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the heat resistance improver include N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds, N- (alkoxymethyl) melamine compounds, compounds having two or more oxiranyl groups, and the like.

상기 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물로서는, 예를 들면 N,N,N',N'-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(에톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(n-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(i-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(n-부톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N',N'-테트라(t-부톡시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다. Examples of the N- (alkoxymethyl) glycoluril compound include N, N, N ', N'-tetra (methoxymethyl) glycoluril, N, N, N', N'-tetra (ethoxymethyl) Glycoluril, N, N, N ', N'-tetra (n-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N', N'-tetra (i-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N ', N'-tetra (n-butoxymethyl) glycoluril, N, N, N', N'-tetra (t-butoxymethyl) glycoluril and the like.

이들 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물 중, N,N,N',N'-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴이 바람직하다. Among these N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds, N, N, N ', N'-tetra (methoxymethyl) glycoluril is preferable.

상기 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물로서는, 예를 들면 N,N,N',N',N",N"-헥사(메톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(에톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(n-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(i-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(n-부톡시메틸)멜라민, N,N,N',N',N",N"-헥사(t-부톡시메틸)멜라민 등을 들 수 있다. Examples of the N- (alkoxymethyl) melamine compound include N, N, N ', N', N ", N" -hexa (methoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N " , N "-hexa (ethoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N", N "-hexa (n-propoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N" , N "-hexa (i-propoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N", N "-hexa (n-butoxymethyl) melamine, N, N, N ', N', N ", N" -hexa (t-butoxymethyl) melamine, etc. are mentioned.

이들 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 중, N,N,N',N',N",N"-헥사(메톡시메틸)멜라민이 바람직하고, 그의 시판품으로서는, 예를 들면 니카락 N-2702, 동 MW-30M(이상, 산와 케미컬(주) 제조) 등을 들 수 있다. Among these N- (alkoxymethyl) melamine compounds, N, N, N ', N', N ", N" -hexa (methoxymethyl) melamine is preferable, and as its commercial item, for example, Nicarac N-2702 And MW-30M (above, Sanwa Chemical Co., Ltd.).

상기 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 디프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜 디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올 디글리시딜에테르, 글리세린 디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. Examples of the compound having two or more oxiranyl groups include ethylene glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, triethylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, and propylene glycol. Diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, tripropylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol digly Cylyl ether, glycerin diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol A diglycidyl ether, etc. are mentioned.

2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 에포라이트 40E, 동 100E, 동 200E, 동 70P, 동 200P, 동 400P, 동 1500NP, 동 80MF, 동 100MF, 동 1600, 동 3002, 동 4000(이상, 교에샤 가가꾸(주) 제조) 등을 들 수 있다. As a commercial item of the compound which has two or more oxiranyl groups, for example, epolite 40E, copper 100E, copper 200E, copper 70P, copper 200P, copper 400P, copper 1500NP, copper 80MF, copper 100MF, copper 1600, copper 3002, copper 4000 (above, Kyoesha Chemical Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

이들 내열성 향상제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These heat resistance improvers can be used individually or in mixture of 2 or more types.

제1 조성물은 상기 (A) 중합체, (B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분을 균일하게 혼합함으로써 제조된다. 제1 조성물은 바람직하게는 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 사용된다. 예를 들면 (A) 중합체, (B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분을 적당한 용매 중에 소정의 비율로 혼합함으로써 용액 상태의 감방사선성 수지 조성물을 제조할 수 있다. The first composition is prepared by uniformly mixing the (A) polymer, (B) polymerizable unsaturated compound and (C) radiation sensitive polymerization initiator and other components optionally added. The first composition is preferably dissolved in a suitable solvent and used in solution. For example, the radiation-sensitive resin composition in a solution state by mixing (A) a polymer, (B) a polymerizable unsaturated compound and (C) a radiation-sensitive polymerization initiator and other components optionally added in a predetermined ratio in a suitable solvent. Can be prepared.

제1 조성물의 제조에 사용되는 용매로서는, (A) 중합체, (B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제 및 임의적으로 배합되는 그 밖의 성분의 각 성분을 균일하게 용해시키며 각 성분과 반응하지 않는 것이 사용된다. As a solvent used for manufacture of a 1st composition, each component of (A) a polymer, (B) a polymerizable unsaturated compound, and (C) a radiation sensitive polymerization initiator and the other components arbitrarily mix | blended is melt | dissolved uniformly, and each component It is used that does not react with.

이러한 용매로서는, 상술한 (A) 중합체를 제조하기 위해서 사용할 수 있는 용매로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. As such a solvent, the same thing as what was illustrated as a solvent which can be used in order to manufacture the above-mentioned (A) polymer is mentioned.

이러한 용매 중, 각 성분의 용해성, 각 성분과의 반응성, 도막 형성 용이성 등의 점에서, 예를 들면 알코올, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 에스테르 및 디에틸렌글리콜이 바람직하게 사용된다. 이들 중, 예를 들면 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸을 특히 바람직하게 사용할 수 있다. Among these solvents, for example, alcohols, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, esters, and diethylene glycol are preferably used in view of solubility of each component, reactivity with each component, ease of coating film formation, and the like. Among these, for example, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethylmethyl Ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl methoxypropionate and ethyl ethoxypropionate can be particularly preferably used.

또한, 상기 용매와 동시에 고비점 용매를 병용할 수도 있다. 적당량의 고비점 용매를 병용함으로써 막 두께의 면내 균일성을 높이는 효과를 기대할 수 있다. 병용할 수 있는 고비점 용매로서는, 예를 들면 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, γ-부티로락톤, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, 페닐셀로솔브아세테이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서 N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드가 바람직하다. Moreover, a high boiling point solvent can also be used together with the said solvent. By using an appropriate amount of high boiling point solvent together, the effect which raises in-plane uniformity of a film thickness can be anticipated. As a high boiling point solvent which can be used together, it is N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpi, for example. Ralidone, dimethyl sulfoxide, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, male Diethyl acid, gamma -butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate, and the like. Of these, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, and N, N-dimethylacetamide are preferable.

제1 조성물의 용매로서 고비점 용매를 병용하는 경우, 그의 사용량은 용매 전량에 대하여 바람직하게는 50 중량% 이하, 보다 바람직하게는 40 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 30 중량% 이하이다. 고비점 용매의 사용량이 이 사용량을 초과하면, 도막의 막 두께 균일성, 감도 및 잔막률이 저하되는 경우가 있다. When using a high boiling point solvent together as a solvent of a 1st composition, the usage-amount is 50 weight% or less with respect to solvent whole quantity, More preferably, it is 40 weight% or less, More preferably, it is 30 weight% or less. When the usage-amount of a high boiling point solvent exceeds this usage-amount, the film thickness uniformity, a sensitivity, and a residual film ratio of a coating film may fall.

제1 조성물을 용액 상태로서 제조하는 경우, 용액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분, 즉 (A) 중합체, (B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분의 합계량의 비율은 사용 목적이나 원하는 막 두께의 값 등에 따라서 임의로 설정할 수 있으며, 예를 들면 5 내지 80 중량%로 할 수 있지만, 바람직한 값은 제1 조성물 용액의 사용 방법에 따라 다르다. 이에 대해서는 후술한다. When the first composition is prepared in a solution state, a component other than the solvent occupying in the solution, namely (A) polymer, (B) polymerizable unsaturated compound and (C) radiation-sensitive polymerization initiator and other components optionally added The ratio of the total amount can be arbitrarily set depending on the purpose of use, the value of the desired film thickness, or the like, and can be, for example, 5 to 80% by weight, but the preferred value depends on the method of using the first composition solution. This will be described later.

이와 같이 하여 제조된 조성물 용액은 공경 0.5 ㎛ 정도의 밀리포어 필터나 멤브레인 필터 등을 사용하여 여과한 후, 사용할 수도 있다. The composition solution thus prepared may be used after being filtered using a Millipore filter, a membrane filter, or the like having a pore size of about 0.5 μm.

<제2 조성물> <2nd composition>

제2 조성물은 바람직하게는 (A) 중합체 및 (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이다. The second composition is preferably a radiation sensitive resin composition containing (A) a polymer and (D) 1,2-quinonediazide compound.

제2 조성물에 사용되는 (A) 중합체의 바람직한 구체적인 예로서는, 예를 들면 메타크릴산/스티렌/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/메타크릴산글리시딜/테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산/스티렌/트리 시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/메타크릴산글리시딜/p-비닐벤질글리시딜에테르/테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산/스티렌/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/메타크릴산글리시딜/폴리에틸렌글리콜 모노메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산/스티렌/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/메타크릴산글리시딜/폴리프로필렌글리콜 모노메타크릴레이트 공중합체 등을 들 수 있다. Preferred specific examples of the polymer (A) used in the second composition include, for example, methacrylic acid / styrene / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / glycidyl methacrylate / Tetrahydrofurfuryl methacrylate copolymer, methacrylic acid / styrene / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / glycidyl methacrylate / p-vinylbenzyl glycidyl ether Tetrahydrofurfuryl methacrylate copolymer, methacrylic acid / styrene / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / glycidyl methacrylate / polyethylene glycol monomethacrylate aerial Copolymer, methacrylic acid / styrene / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / glycidyl methacrylate / polypropylene glycol monomethacrylate copolymer; and the like.

제2 조성물에 사용되는 (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물은 방사선의 조사에 의해 카르복실산을 발생하는 1,2-퀴논디아지드 화합물이고, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, 「모핵」이라고 함)과 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산할라이드의 축합물을 사용할 수 있다. (D) 1,2-quinonediazide compound used for a 2nd composition is a 1,2-quinonediazide compound which produces | generates a carboxylic acid by irradiation of a radiation, and is a phenolic compound or an alcoholic compound (Hereinafter, a "nucleus" ) And 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 펜타히드록시벤조페논, 헥사히드록시벤조페논, (폴리히드록시페닐)알칸, 그 밖의 모핵을 들 수 있다. Examples of the mother core include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother cores.

이들의 구체적인 예로서는, 트리히드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논 등; As these specific examples, As trihydroxy benzophenone, For example, 2,3, 4- trihydroxy benzophenone, 2,4, 6- trihydroxy benzophenone etc .;

테트라히드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시-3'-메톡시벤조페논 등; As tetrahydroxybenzophenone, for example, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'- Tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone and the like;

펜타히드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,3,4,2',6'-펜타히드록시벤조페논 등; As pentahydroxy benzophenone, For example, 2,3,4,2 ', 6'- pentahydroxy benzophenone etc .;

헥사히드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,4,6,3',4',5'헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논 등; As hexahydroxybenzophenone, for example, 2,4,6,3 ', 4', 5'hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone Etc;

(폴리히드록시페닐)알칸으로서, 예를 들면 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄, 비스(p-히드록시페닐)메탄, 트리(p-히드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리히드록시플라반 등; As (polyhydroxyphenyl) alkanes, for example, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tri (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1 -Tri (p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3 -Tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] Ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5 , 6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxyflavan and the like;

그 밖의 모핵으로서, 예를 들면 2-메틸-2-(2,4-디히드록시페닐)-4-(4-히드록시페닐)-7-히드록시크로만, 2-[비스{(5-이소프로필-4-히드록시-2-메틸)페닐}메틸], 1-[1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디히드록시벤젠 등을 각각 들 수 있다. As other parent nuclei, for example, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 2- [bis {(5- Isopropyl-4-hydroxy-2-methyl) phenyl} methyl], 1- [1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl ) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene, etc. are mentioned, respectively.

또한, 상기 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산아미드류, 예를 들면 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산아미드 등도 바람직하게 사용할 수 있다. Moreover, the 1, 2- naphthoquinone diazide sulfonic acid amides which changed the ester bond of the above-mentioned mother-nucleus into an amide bond, for example, 2,3, 4- trihydroxy benzophenone-1, 2-naphthoquinone Diazide-4-sulfonic acid amide etc. can also be used preferably.

이들 모핵 중, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논 또는 4,4'-[1-[4-[1-[4-히 드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀이 바람직하다. Of these mother cores, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone or 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethyl Suede] bisphenol is preferred.

1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산할라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산클로라이드가 바람직하고, 그의 구체적인 예로서는 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산클로라이드 및 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드를 들 수 있고, 이 중, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드를 사용하는 것이 바람직하다. As the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride is preferable, and specific examples thereof include 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2- Naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride is mentioned, Among these, it is preferable to use 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride.

축합 반응에 있어서는 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물 중의 OH기 1 당량에 대하여 바람직하게는 30 내지 85 몰%, 보다 바람직하게는 50 내지 70 몰%에 상당하는 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산할라이드를 사용할 수 있다. In the condensation reaction, 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, which is preferably 30 to 85 mol%, more preferably 50 to 70 mol%, based on 1 equivalent of the OH group in the phenolic compound or the alcoholic compound. Can be used.

축합 반응은 공지된 방법에 의해서 실시할 수 있다. The condensation reaction can be carried out by a known method.

(D) 1,2-퀴논디아지드 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. (D) 1,2-quinonediazide compound can be used individually or in combination of 2 or more types.

(D) 1,2-퀴논디아지드 화합물의 사용 비율은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 5 내지 100 중량부이고, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량부이다. 이 비율이 5 중량부 미만인 경우에는, 현상액이 되는 알칼리 수용액에 대한 방사선의 조사 부분과 미조사 부분과의 용해도의 차이가 작고, 패터닝이 곤란해지는 경우가 있으며, 또한 얻어지는 경화막의 내열성 및 내용제성이 불충분해지는 경우가 있다. 한편, 이 비율이 100 중량부를 초과하는 경우에는, 방사선 조사 부분에서 상기 알칼리 수용액에의 용해도가 불충분해지고, 현상하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. The use ratio of the (D) 1,2-quinonediazide compound is preferably 5 to 100 parts by weight, more preferably 10 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer (A). When this ratio is less than 5 parts by weight, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion of the radiation in the alkaline aqueous solution serving as the developing solution is small, and patterning may be difficult, and the heat resistance and solvent resistance of the resulting cured film may be difficult. It may become insufficient. On the other hand, when this ratio exceeds 100 weight part, the solubility to the said aqueous alkali solution in a radiation part may become inadequate and it may become difficult to develop.

제2 조성물은 상기 (A) 중합체 및 (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하는 것 외에, 필요에 따라서 (B) 중합성 불포화 화합물, 감열성 산 발생제, 에폭시 수지, 접착 보조제, 계면 활성제 등을 함유할 수 있다. The second composition contains the above (A) polymer and (D) 1,2-quinonediazide compound, and if necessary, (B) a polymerizable unsaturated compound, a thermosensitive acid generator, an epoxy resin, an adhesion aid, Surfactant and the like.

상기 (B) 중합성 불포화 화합물은 제1 조성물의 바람직한 구성 성분으로서 상술한 것과 동일하다. 단, 제2 조성물에 있어서의 (B) 중합성 불포화 화합물의 사용량은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 50 중량부 이하, 보다 바람직하게는 30 중량부 이하이다. The said (B) polymerizable unsaturated compound is the same as that mentioned above as a preferable structural component of a 1st composition. However, the usage-amount of the (B) polymerizable unsaturated compound in a 2nd composition becomes like this. Preferably it is 50 weight part or less, More preferably, it is 30 weight part or less with respect to 100 weight part of (A) polymers.

이러한 비율로 (B) 중합성 불포화 화합물을 함유시킴으로써 얻어지는 경화막의 내열성, 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 이 사용량이 50 중량부를 초과하면, 기판 상에 조성물의 도막을 형성하는 공정에서 막 거칠음이 발생하는 경우가 있다. By containing (B) a polymerizable unsaturated compound in such a ratio, the heat resistance, surface hardness, etc. of the cured film obtained can be improved. When this usage amount exceeds 50 weight part, film roughness may generate | occur | produce in the process of forming the coating film of a composition on a board | substrate.

상기 감열성 산 발생제는 얻어지는 경화막의 내열성이나 경도를 향상시키기 위해서 사용할 수 있다. 그의 구체적인 예로서는 술포늄염(단, 트리아릴술포늄염을 제외함), 벤조티아조늄염, 암모늄염, 포스포늄염 등의 오늄염을 들 수 있다. The said thermosensitive acid generator can be used in order to improve the heat resistance and hardness of the cured film obtained. Specific examples thereof include onium salts such as sulfonium salts (excluding triarylsulfonium salts), benzothiazonium salts, ammonium salts, and phosphonium salts.

상기 술포늄염의 구체적인 예로서는, 알킬술포늄염, 벤질술포늄염, 디벤질술포늄염, 치환 벤질술포늄염 등을 들 수 있다. Specific examples of the sulfonium salts include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts, and the like.

이들의 구체적인 예로서는 알킬술포늄염으로서, 예를 들면 4-아세토페닐디메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-4-(벤질옥시카르보닐옥시)페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-3-클로로-4-아세톡시페닐술 포늄 헥사플루오로안티모네이트 등; Specific examples thereof include alkylsulfonium salts, for example 4-acetophenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyl Oxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl- 3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate and the like;

벤질술포늄염으로서, 예를 들면 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-2-메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-3-클로로-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트 등; As the benzylsulfonium salt, for example, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexa Fluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro- 4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, etc .;

디벤질술포늄염으로서, 예를 들면 디벤질-4-히드록시페닐술포움 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-히드록시페닐술포움 헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐디벤질술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-메톡시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-3-클로로-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디벤질-3-메틸-4-히드록시-5-tert-부틸페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로포스페이트 등; As the dibenzylsulfonium salt, for example, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfoum hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfoum hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium Hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3- Methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate and the like;

치환 벤질술포늄염으로서, 예를 들면 p-클로로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, p-니트로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, p-클로로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트, p-니트로벤질-3-메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 3,5-디클로로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, o-클로로벤질-3-클로로-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트 등을 각각 들 수 있다. As the substituted benzylsulfonium salt, for example, p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p -Chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4- Hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and the like.

상기 벤조티아조늄염의 구체적인 예로서는, 3-벤질벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질벤조티아조늄 헥사플루오로포스페이트, 3-벤질벤조테아조니움 테트라플루오로보레이트, 3-(p-메톡시벤질)벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-2-메틸티오벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-5-클로로벤조티아조늄 헥사플루오로로안티모네이트 등의 벤질벤조티아조늄염을 들 수 있다. Specific examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzoteazonium tetrafluoroborate, and 3- (p-meth Oxybenzyl) benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluororoantimonate, etc. Benzyl benzothiazonium salt is mentioned.

이들 중에서 술포늄염 또는 벤조티아조늄염이 바람직하게 사용되고, 특히 4-아세톡시페닐디메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐벤질술포늄 헥사플루오로안티모네이트 또는 3-벤질벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트가 바람직하게 사용된다. Of these, sulfonium salts or benzothiazonium salts are preferably used, and in particular, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetium Methoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylsulfonium hexafluoroantimonate or 3-benzylbenzothia Zonium hexafluoroantimonate is preferably used.

이들의 시판품으로서는 산에이드 SI-L85, 동 SI-L110, 동 SI-L145, 동 SI-L150, 동 SI-L160(이상, 산신 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. Examples of these commercially available products include San-Aid SI-L85, SI-L110, SI-L145, SI-L150, and SI-L160 (above, manufactured by Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.).

제2 조성물에 있어서의 감열성 산 발생제의 사용 비율은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 20 중량부 이하, 보다 바람직하게는 5 중량부 이하이다. 이 사용량이 20 중량부를 초과하는 경우에는, 도막 형성 공정에서 석출물이 석출되어 도막 형성에 지장을 초래하는 경우가 있다. The use ratio of the thermosensitive acid generator in a 2nd composition becomes like this. Preferably it is 20 weight part or less, More preferably, it is 5 weight part or less with respect to 100 weight part of (A) polymers. When this usage amount exceeds 20 weight part, precipitates may precipitate in a coating film formation process, and may interrupt the coating film formation.

상기 에폭시 수지는 다른 성분이나 용매에 대한 상용성에 영향이 없는 한 한정되지 않지만, 바람직하게는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 환상 지방족 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 글리시딜메타크릴레이트를 (공)중합한 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서 비스페놀 A형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지 등이 보다 바람직하다. The epoxy resin is not limited as long as it does not affect compatibility with other components or solvents, but is preferably a bisphenol A epoxy resin, a phenol novolac epoxy resin, a cresol novolac epoxy resin, a cyclic aliphatic epoxy resin, or glycy And a diester ester epoxy resin, a glycidyl amine epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, and a resin (co) polymerized with glycidyl methacrylate. Among these, bisphenol A epoxy resin, cresol novolak-type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, and the like are more preferable.

제2 조성물에 있어서의 에폭시 수지의 사용 비율은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 30 중량부 이하이다. 에폭시 수지가 이러한 비율로 함유됨으로써, 얻어지는 경화막의 내열성, 표면 경도 등을 더욱 향상시킬 수 있다. 이 비율이 30 중량부를 초과하면, 기판 상에 조성물의 도막을 형성할 때, 도막의 막 두께 균일성이 불충분해지는 경우가 있다. The use ratio of the epoxy resin in a 2nd composition becomes like this. Preferably it is 30 weight part or less with respect to 100 weight part of (A) polymers. By containing an epoxy resin in such a ratio, the heat resistance, surface hardness, etc. of the cured film obtained can be improved further. When this ratio exceeds 30 weight part, when forming the coating film of a composition on a board | substrate, the film thickness uniformity of a coating film may become inadequate.

또한, (A) 중합체가 옥시라닐기를 갖는 경우에는 (A) 중합체도 「에폭시 수지」라고 할 수 있지만, (A) 중합체는 알칼리 가용성을 갖는 점에서 상기 에폭시 수지와는 다르다. In addition, when (A) polymer has an oxiranyl group, although (A) polymer can also be called "epoxy resin", (A) polymer differs from the said epoxy resin by the point which has alkali solubility.

제2 조성물이 함유할 수 있는 접착 보조제 및 계면 활성제로서는, 제1 조성물이 함유할 수 있는 접착 보조제 및 계면 활성제에 대하여 상술한 것과 동일하다. As an adhesion | attachment adjuvant and surfactant which a 2nd composition can contain, it is the same as what was mentioned above about the adhesion | attachment adjuvant and surfactant which a 1st composition can contain.

제2 조성물은 상기 (A) 중합체 및 (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분을 균일하게 혼합함으로써 제조된다. 제2 조성물은 바람직하게는 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 사용된다. 예를 들면 (A) 중합체 및 (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분을 적당한 용매 중에서 소정의 비율로 혼합함으로써 용액 상태의 경화성 수지 조성물을 제조할 수 있다. The second composition is prepared by uniformly mixing the (A) polymer and (D) 1,2-quinonediazide compound and other components optionally added. The second composition is preferably dissolved in a suitable solvent and used in solution. For example, the curable resin composition of a solution state can be manufactured by mixing (A) polymer, (D) 1,2-quinonediazide compound, and the other component added arbitrarily at a predetermined ratio in a suitable solvent.

제2 조성물의 제조에 사용되는 용매로서는 (A) 중합체 및 (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 임의적으로 배합되는 그 밖의 성분의 각 성분을 균일하게 용해되며 각 성분과 반응하지 않는 것이 사용된다. 이러한 용매로서는 제1 조성물의 제조에 사용할 수 있는 용매로서 상술한 것과 동일하다. 조성물 용액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분, 즉 (A) 중합체 및 (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분의 합계량의 비율은 사용 목적이나 원하는 막 두께의 값 등에 따라서 임의로 설정할 수 있고, 예를 들면 5 내지 50 중량%, 바람직하게는 10 내지 40 중량%, 더욱 바람직하게는 15 내지 35 중량%로 할 수 있다. As the solvent used in the preparation of the second composition, those components (A) polymer and (D) 1,2-quinonediazide compound and other components optionally blended are uniformly dissolved and do not react with each component. do. As such a solvent, it is the same as that mentioned above as a solvent which can be used for manufacture of a 1st composition. The proportion of the total amount of components other than the solvent occupied in the composition solution, that is, the (A) polymer and (D) 1,2-quinonediazide compound and other components optionally added may be arbitrarily selected depending on the purpose of use or the value of the desired film thickness. It can be set, for example, 5 to 50 weight%, Preferably it is 10 to 40 weight%, More preferably, it can be 15 to 35 weight%.

제2 조성물 용액은 공경 0.5 ㎛ 정도의 밀리포어 필터나 멤브레인 필터 등을 사용하여 여과한 후, 사용할 수도 있다. The second composition solution may be used after being filtered using a Millipore filter, a membrane filter, or the like having a pore size of about 0.5 μm.

<제3 조성물> <Third composition>

제3 조성물은 바람직하게는 (A) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물을 함유하는 일액형 경화성 수지 조성물이다. The third composition is preferably a one-component curable resin composition containing the polymer (A) and the cationic polymerizable compound (E).

제3 조성물에 사용되는 (A) 중합체의 바람직한 구체적인 예로서는, 예를 들면 아크릴산글리시딜/아크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/메타크릴산메틸/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/아크릴산시클로헥실/p-메톡시스티렌 공중합체, 아크릴산글리시딜/아크릴산/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크 릴산글리시딜/메타크릴산/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/1,3-부타디엔 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌/1,3-부타디엔 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/아크릴산/무수 말레산/스티렌 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/아크릴산/무수 말레산/메타크릴산 t-부틸 공중합체 등을 들 수 있다. Preferable specific examples of the polymer (A) used in the third composition include, for example, glycidyl acrylate / acrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylacrylate / styrene copolymer, methacrylic acid Glycidyl / methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / styrene copolymer, methacrylate glycidyl / methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene copolymer , Glycidyl methacrylate / methacrylic acid / cyclohexyl acrylate / p-methoxystyrene copolymer, glycidyl acrylate / acrylic acid / N-phenylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / methacryl Acid / N-phenylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / methacrylic acid / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / methacrylic acid / tricyclo [5.2. 1.0 2,6] decane-8-yl methacrylate / 1,3-butadiene copolymers, methacrylic acid 6,7-oxiranyl Heptyl / methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6] decane-8-yl methacrylate / styrene copolymers, glycidyl methacrylate / methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6] Decan-8-ylmethacrylate / styrene / 1,3-butadiene copolymer, methacrylic acid 6,7-oxyranylheptyl / acrylic acid / maleic anhydride / styrene copolymer, methacrylic acid 6,7-oxyranylheptyl / Acrylic acid / maleic anhydride / methacrylic acid t-butyl copolymer, and the like.

이들 중에서 더욱 바람직하게는 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/1,3-부타디엔 공중합체 또는 메타크릴산글리시딜/메타크릴산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌/1,3-부타디엔 공중합체이다. Among these, glycidyl methacrylate / methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / styrene copolymer and glycidyl methacrylate / methacrylic acid are more preferable. / N-phenylmaleimide / styrene copolymer, methacrylate glycidyl / methacrylic acid / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, methacrylate glycidyl / methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / 1,3-butadiene copolymer or methacrylate glycidyl / methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / Styrene / 1,3-butadiene copolymer.

제3 조성물에 사용되는 (E) 양이온 중합성 화합물은 (A) 중합체 또는 (A') 중합체 이외의 양이온 중합성 화합물이다. The (E) cationically polymerizable compound used for the third composition is a cationically polymerizable compound other than the (A) polymer or (A ') polymer.

이러한 (E) 양이온 중합성 화합물로서는, 산성 조건하에서 중합할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 옥세탄환 골격, 3.4-옥시라닐시클로헥실기 및 옥시라닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 분자내에 2개 이상 갖는 화합물 등의, (A) 중합체가 바람직하게는 함유하고 있는 옥시라닐기 또는 옥세타닐기와 부가 반응할 수 있는 기를 갖는 화합물을 들 수 있다. The cationic polymerizable compound (E) is not particularly limited as long as it can be polymerized under acidic conditions, but for example, at least one member selected from the group consisting of an oxetane ring skeleton, a 3.4-oxiranylcyclohexyl group and an oxiranyl group can be used. The compound which has group which can react with addition to the oxiranyl group or oxetanyl group which the (A) polymer preferably contains, such as a compound which has two or more in a molecule | numerator, is mentioned.

이러한 (E) 양이온 중합성 화합물의 구체적인 예로서는 이하와 같은 것을 들 수 있다. The following are mentioned as a specific example of such a (C) cationically polymerizable compound.

옥세탄환 골격을 분자내에 2개 이상 갖는 화합물로서, 예를 들면 3,7-비스(3-옥세타닐)-5-옥사노난, 3,3'-(1,3-(2-메틸레닐)프로판디일 비스(옥시메틸렌))비스(3-에틸옥세탄), 1,4-비스((3-에틸-3-옥세타닐)메톡시메틸)벤젠, 1,2-비스((3-에틸-3-옥세타닐)메톡시메틸)에탄, 1,3-비스((3-에틸-3-옥세타닐)메톡시메틸)프로판, 에틸렌글리콜 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 디시클로펜테닐 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 트리에틸렌글리콜 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 테트라에틸렌글리콜 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 트리시클로데칸디일디메틸렌 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 트리메틸올프로판 트리스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 1,4-비스((3-에틸-3-옥세타닐)메톡시)부탄, 1,6-비스((3-에틸-3-옥세타닐)메톡시)헥산, 펜타에리트리톨 트리스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 펜타에리트리톨 테트라키스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 폴리에틸렌글리콜 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 디펜타에리트리톨 헥사키스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 디펜타에리스리톨 펜타키스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸) 에테르, 디펜타에리트리톨 테트라키스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 디펜타에리트리톨 헥사키스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르와 카프로락톤의 반응 생성물, 디펜타에리트리톨 펜타키스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르와 카프로락톤의 반응 생성물, 디트리메틸올프로판 테트라키스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르, 비스페놀 A 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르와 에틸렌옥시드와의 반응 생성물, 비스페놀 A 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르와 프로필렌옥시드와의 반응 생성물, 수소 첨가 비스페놀 A 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르와 에틸렌옥시드와의 반응 생성물, 수소 첨가 비스페놀 A 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르와 프로필렌옥시드와의 반응 생성물, 비스페놀 F 비스((3-에틸-3-옥세타닐)메틸)에테르와 에틸렌옥시드와의 반응 생성물 등을 들 수 있다. As a compound having two or more oxetane ring skeletons in a molecule, for example, 3,7-bis (3-oxetanyl) -5-oxanonane, 3,3 '-(1,3- (2-methylenyl) Propanediyl bis (oxymethylene)) bis (3-ethyloxetane), 1,4-bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxymethyl) benzene, 1,2-bis ((3-ethyl -3-oxetanyl) methoxymethyl) ethane, 1,3-bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxymethyl) propane, ethylene glycol bis ((3-ethyl-3-oxetanyl ) Methyl) ether, dicyclopentenyl bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, triethyleneglycol bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, tetraethyleneglycol bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, tricyclodecanediyldimethylene bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, trimethylolpropane tris ((3-ethyl-3 -Oxetanyl) methyl) ether, 1,4-bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy) butane, 1,6-bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy Hexane, pentaerythritol Lis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, pentaerythritol tetrakis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, polyethylene glycol bis ((3-ethyl-3-jade Cetanyl) methyl) ether, dipentaerythritol hexakis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, dipentaerythritol pentakis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, Reaction product of dipentaerythritol tetrakis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, dipentaerythritol hexakis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether and caprolactone, Reaction product of dipentaerythritol pentakis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether with caprolactone, ditrimethylolpropane tetrakis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether, Reaction product of bisphenol A bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether with ethylene oxide, bisphenol A bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether with propylene oxide Generate reaction of , Reaction product of hydrogenated bisphenol A bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether with ethylene oxide, hydrogenated bisphenol A bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether And reaction products of propylene oxide with bisphenol F bis ((3-ethyl-3-oxetanyl) methyl) ether and ethylene oxide.

3,4-옥시라닐시클로헥실기를 분자내에 2개 이상 갖는 화합물로서, 예를 들면 3,4-옥시라닐시클로헥실메틸-3',4'-옥시라닐시클로헥산카르복실레이트, 2-(3,4-옥시라닐시클로헥실-5,5-스피로-3,4-옥시라닐)시클로헥산-메타-디옥산, 비스(3,4-옥시라닐시클로헥실메틸)아디페이트, 비스(3,4-옥시라닐 6-메틸시클로헥실메틸)아디페이트, 3,4-옥시라닐 6-메틸시클로헥실-3',4'-옥시라닐 6'-메틸시클로헥산카르복실레이트, 메틸렌비스(3,4-옥시라닐시클로헥산), 디시클로펜타디엔 디에폭시드, 에틸렌글리콜 비스(3,4-옥시라닐시클로헥실메틸)에테르, 에틸렌비스(3,4-옥시라닐시클로헥산카르복실레이트), 락톤 변성 3,4-옥시라닐시클로헥실메틸-3',4'-옥시라닐시클로헥산카르복실레이트 등을 들 수 있다. As a compound which has 2 or more of 3, 4- oxiranyl cyclohexyl groups in a molecule | numerator, for example, 3, 4- oxiranyl cyclohexylmethyl-3 ', 4'- oxiranyl cyclohexane carboxylate, 2- (3 , 4-Oxiranylcyclohexyl-5,5-spiro-3,4-oxyranyl) cyclohexane-meta-dioxane, bis (3,4-oxyranylcyclohexylmethyl) adipate, bis (3,4- Oxiranyl 6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 3,4-oxyranyl 6-methylcyclohexyl-3 ', 4'-oxiranyl 6'-methylcyclohexanecarboxylate, methylenebis (3,4-oxy Ranylcyclohexane), dicyclopentadiene diepoxide, ethylene glycol bis (3,4-oxyranylcyclohexylmethyl) ether, ethylenebis (3,4-oxyranylcyclohexanecarboxylate), lactone modified 3,4 -Oxiranylcyclohexylmethyl-3 ', 4'- oxiranylcyclohexanecarboxylate, etc. are mentioned.

옥시라닐기를 분자내에 2개 이상 갖는 화합물로서, 예를 들면 비스페놀 A 디 글리시딜에테르, 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 AD 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀 S 디글리시딜에테르와 같은비스페놀 화합물의 디글리시딜에테르; As a compound which has two or more oxiranyl groups in a molecule | numerator, for example, bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogen Of bisphenol compounds such as added bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol AD diglycidyl ether, brominated bisphenol A diglycidyl ether, brominated bisphenol F diglycidyl ether, and brominated bisphenol S diglycidyl ether Diglycidyl ether;

1,4-부탄디올 디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올 디글리시딜에테르, 글리세린 트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르와 같은 다가 알코올의 폴리글리시딜에테르; 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol digly Polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols such as cydyl ether;

에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린과 같은 지방족 다가 알코올과 1종 또는 2종 이상의 알킬렌옥시드와의 반응에 의해 얻어지는 폴리에테르폴리올의 폴리글리시딜에테르; Polyglycidyl ethers of polyether polyols obtained by the reaction of aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin with one or two or more alkylene oxides;

페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 폴리페놀형 에폭시 수지, 환상 지방족 에폭시 수지와 같은 에폭시 수지; 지방족 장쇄 이염기산의 디글리시딜에스테르; Epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, polyphenol type epoxy resins, and cyclic aliphatic epoxy resins; Diglycidyl esters of aliphatic long chain dibasic acids;

고급 다가 지방산의 폴리글리시딜에스테르 등 이외에 옥시라닐화 대두유, 옥시라닐화 아마인유 등을 들 수 있다. In addition to polyglycidyl ester of a higher polyhydric fatty acid, oxyranylated soybean oil, oxyranylated linseed oil, etc. are mentioned.

옥시라닐기를 분자내에 2개 이상 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 다가 알코올의 폴리글리시딜에테르로서 에포라이트 100MF(교에샤 가가꾸(주) 제조), 에피올 TMP(닛본 유시(주) 제조); As a commercial item of the compound which has two or more oxiranyl groups in a molecule | numerator, Eporite 100MF (made by Kyoesha Chemical Co., Ltd.), Epiol TMP (Nippon Yushi Co., Ltd.) as a polyglycidyl ether of a polyhydric alcohol, for example. Produce);

비스페놀 A형 에폭시 수지로서 에피코트 828, 동 1001, 동 1002, 동 1003, 동 1004, 동 1007, 동 1009, 동 1010(이상, 유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등; Epicoat 828, copper 1001, copper 1002, copper 1003, copper 1004, copper 1007, copper 1009, copper 1010 (above, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and the like as bisphenol A epoxy resin;

비스페놀 F형 에폭시 수지로서, 에피코트 807(유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등; As bisphenol F-type epoxy resin, Epicoat 807 (made by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) etc .;

페놀 노볼락형 에폭시 수지로서, 에피코트 152, 동 154, 동 157S65(이상, 유까 쉘 에폭시(주) 제조), DPPN201, 동 202(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조) 등; As a phenol novolak-type epoxy resin, Epicoat 152, Copper 154, Copper 157S65 (above, manufactured by Yuka Shell Epoxy), DPPN201, Copper 202 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), etc .;

크레졸 노볼락형 에폭시 수지로서, DOCN102, 동 103S, 동 104S, 1020, 1025, 1027(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), 에피코트 180S75(유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등; As a cresol novolak-type epoxy resin, DOCN102, 103S, 104S, 1020, 1025, 1027 (above, Nippon Kayaku Co., Ltd. make), Epicoat 180S75 (Yukaka Shell Epoxy Co., Ltd.), etc .;

폴리페놀형 에폭시 수지로서, 에피코트 1032H60, 동 XY-4000(이상, 유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등; As a polyphenol type epoxy resin, Epicoat 1032H60, Copper XY-4000 (above, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. product) etc. are mentioned;

환상 지방족 에폭시 수지로서, CY-175, 동 177, 동 179, 아랄다이트 CY-182, 동 192, 동 184(이상, 시바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬즈(주) 제조), DRL-4221, 동 4206, 동 4234, 동 4299(이상, U.C.C사 제조), 쇼다인 509(쇼와 덴꼬(주) 제조), 에피클론 200, 동 400(이상, 다이닛본 잉크(주) 제조), 에피코트 871, 동 872(이상, 유까 쉘 에폭시(주) 제조), DD-5661, 동 5662(이상, 세라니즈 코팅(주) 제조) 등을 각각 들 수 있다. As the cyclic aliphatic epoxy resin, CY-175, copper 177, copper 179, araldite CY-182, copper 192, copper 184 (above, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.), DRL-4221, copper 4206, 4234, copper 4299 (above, manufactured by UCC Corporation), Shodyne 509 (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.), epiclon 200, copper 400 (more, manufactured by Dainippon Ink, Co., Ltd.), epicoat 871, copper 872 (Even above, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. product), DD-5661, copper 5662 (above, Serrano Coating Co., Ltd. product), etc. are mentioned, respectively.

이들 (E) 양이온 중합성 화합물 중, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 폴리페놀형 에폭시 수지 등이 바람직하다. Among these (E) cationically polymerizable compounds, phenol novolak type epoxy resins, polyphenol type epoxy resins, and the like are preferable.

본 발명에 있어서 (E) 양이온 중합성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. In the present invention, the (E) cationically polymerizable compound may be used alone or in combination of two or more thereof.

제3 조성물에 있어서의 (E) 양이온 중합성 화합물의 사용 비율은 (A) 중합체 100 중량부에 대한 (E) 양이온 중합성 화합물의 사용량이 바람직하게는 3 내지 100 중량부이고, 더욱 바람직하게는 5 내지 50 중량부이다. The use ratio of the (E) cationically polymerizable compound in the third composition is preferably 3 to 100 parts by weight, more preferably 3 to 100 parts by weight of (E) the cationically polymerizable compound to 100 parts by weight of the polymer (A) 5 to 50 parts by weight.

제3 조성물에 있어서 (E) 양이온 중합성 화합물의 사용량을 상기 범위로 함으로써 충분한 표면 경도를 갖는 경화막을 얻을 수 있다. 제3 조성물은 특히 장기 보존 안정성이 우수하다. In the 3rd composition, the cured film which has sufficient surface hardness can be obtained by making the usage-amount of the (E) cationically polymerizable compound into the said range. The third composition is particularly excellent in long term storage stability.

제3 조성물은 상기 (A) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물 외에 (F) 경화제 또는 (G) 산 발생제를 더 함유하는 것이 바람직하고, 필요에 따라서 접착 보조제, 계면 활성제 등을 함유할 수 있다. It is preferable that a 3rd composition contains (F) hardening | curing agent or (G) acid generator further in addition to the said (A) polymer and (E) cationically polymerizable compound, and can contain an adhesion | attachment adjuvant, surfactant, etc. as needed. have.

제3 조성물이 함유할 수 있는 (F) 경화제는, (A) 중합체가 바람직하게는 함유하고 있는 옥시라닐기 또는 옥세타닐기와 반응할 수 있는 관능기를 1종 이상 갖는 화합물이다. The (F) hardener which the 3rd composition can contain is a compound which has 1 or more types of functional groups which can react with the oxiranyl group or oxetanyl group which (A) polymer contains preferably.

이러한 (F) 경화제로서는, 예를 들면 다가 카르복실산, 다가 카르복실산 무수물, 불포화 다가 카르복실산 무수물과 다른 올레핀계 불포화 화합물의 공중합체(단, 2개 이상의 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 공중합체를 제외함)(이하, 「카르복실산 무수물기 함유 공중합체」라고 함) 등을 들 수 있다. As such a (F) hardening | curing agent, a copolymer of polyhydric carboxylic acid, polyhydric carboxylic anhydride, unsaturated polyhydric carboxylic anhydride, and another olefinic unsaturated compound (however, two or more oxiranyl groups or oxetanyl groups And the like, hereinafter, referred to as "carboxylic acid anhydride group-containing copolymer", and the like.

상기 다가 카르복실산으로서는, 예를 들면 지방족 다가 카르복실산, 지환족 다가 카르복실산, 방향족 다가 카르복실산 등을 들 수 있다. 지방족 다가 카르복실산으로서는, 예를 들면 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산, 말레산, 이타콘산 등; As said polyhydric carboxylic acid, aliphatic polyhydric carboxylic acid, alicyclic polyhydric carboxylic acid, aromatic polyhydric carboxylic acid, etc. are mentioned, for example. As aliphatic polyhydric carboxylic acid, For example, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid, maleic acid, itaconic acid, etc .;

지환족 다가 카르복실산으로서는, 예를 들면 헥사히드로프탈산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 1,2,4-시클로헥산트리카르복실산, 시클로펜탄테트라카르복실산 등; As alicyclic polyhydric carboxylic acid, For example, hexahydrophthalic acid, a 1, 2- cyclohexane dicarboxylic acid, a 1, 2, 4- cyclohexane tricarboxylic acid, a cyclopentane tetracarboxylic acid, etc .;

방향족 다가 카르복실산으로서는, 예를 들면 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 트리멜리트산, 피로멜리트산, 1,2,5,8-나프탈렌 테트라카르복실산 등을 각각 들 수 있다. 이들 다가 카르복실산 중, 반응성, 형성되는 경화막의 내열성 등의 관점에서 방향족 다가 카르복실산류가 바람직하다. Examples of the aromatic polyvalent carboxylic acid include phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, 1,2,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid, and the like. Among these polyhydric carboxylic acids, aromatic polyhydric carboxylic acids are preferable from the viewpoints of reactivity, heat resistance of the cured film formed, and the like.

상기 다가 카르복실산 무수물로서는, 예를 들면 지방족 디카르복실산 무수물, 지환족 다가 카르복실산 이무수물, 방향족 다가 카르복실산 무수물, 에스테르기 함유산 무수물 등을 들 수 있다. 상기 지방족 디카르복실산 무수물로서는, 예를 들면 무수 이타콘산, 무수 숙신산, 무수 시트라콘산, 무수 도데세닐숙신산, 무수 트리카르바닐산, 무수 말레산, 무수 헥사히드로프탈산, 무수 메틸테트라히드로프탈산, 무수 하이믹산 등; As said polyhydric carboxylic anhydride, aliphatic dicarboxylic acid anhydride, alicyclic polyhydric carboxylic dianhydride, aromatic polyhydric carboxylic anhydride, ester group containing acid anhydride, etc. are mentioned, for example. As said aliphatic dicarboxylic acid anhydride, itaconic anhydride, succinic anhydride, citraconic acid anhydride, dodecenyl succinic anhydride, tricarvanic acid anhydride, maleic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, Anhydrous acid and the like;

지환족 다가 카르복실산 이무수물로서는, 예를 들면 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물 등; As an alicyclic polyhydric carboxylic dianhydride, For example, 1,2,3,4- butane tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane tetracarboxylic dianhydride, etc .;

방향족 다가 카르복실산 무수물로서는, 예를 들면 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산, 무수 트리멜리트산, 무수 벤조페논테트라카르복실산 등; As aromatic polyhydric carboxylic anhydride, For example, phthalic anhydride, a pyromellitic dianhydride, trimellitic anhydride, a benzophenone tetracarboxylic acid anhydride etc .;

에스테르기 함유산 무수물로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 비스무수트리멜리테이트, 글리세린 트리스무수트리멜리테이트 등을 들 수 있다. 이들 다가 카르복실산 무수물 중, 방향족 다가 카르복실산 무수물이 바람직하고, 특히 무수 트리멜 리트산이 내열성이 높은 보호막이 얻어지는 점에서 바람직하다. As ester group containing acid anhydride, ethylene glycol bis anhydride trimellitate, glycerin tris anhydride trimellitate, etc. are mentioned, for example. Among these polyhydric carboxylic anhydrides, aromatic polyhydric carboxylic anhydrides are preferable, and trimellitic anhydride is particularly preferable in that a protective film having high heat resistance can be obtained.

상기 카르복실산 무수물기 함유 공중합체에 있어서의 불포화 다가 카르복실산 무수물로서는, 예를 들면 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산, 시스-1,2,3,4-테트라히드로프탈산 무수물 등을 들 수 있다. 이들 불포화 다가 카르복실산 무수물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. As unsaturated polyhydric carboxylic anhydride in the said carboxylic acid anhydride group containing copolymer, For example, maleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, cis-1,2,3,4-tetrahydrophthalic anhydride Etc. can be mentioned. These unsaturated polyhydric carboxylic anhydrides can be used individually or in mixture of 2 or more types.

다른 올레핀계 불포화 화합물로서는, 예를 들면 스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산 n-프로필, (메트)아크릴산 i-프로필, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 t-부틸, (메트)아크릴산 2-메틸시클로헥실, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일(메트)아크릴레이트, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드 등을 들 수 있다. 이들 다른 올레핀계 불포화 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. As another olefinic unsaturated compound, For example, styrene, p-methylstyrene, p-methoxy styrene, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, i-propyl (meth) acrylate , N-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl (meth) acrylate, N- Phenyl maleimide, N-cyclohexyl maleimide, etc. are mentioned. These other olefinically unsaturated compounds can be used individually or in mixture of 2 or more types.

카르복실산 무수물기 함유 공중합체의 바람직한 구체적인 예로서는, 예를 들면 무수 말레산/스티렌 공중합체, 무수 시트라콘산/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 공중합체 등을 들 수 있다. As a preferable specific example of a carboxylic acid anhydride group containing copolymer, For example, maleic anhydride / styrene copolymer, citraconic anhydride / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate copolymer, etc. Can be mentioned.

카르복실산 무수물기 함유 공중합체 중의 불포화 다가 카르복실산 무수물의 공중합 비율은 바람직하게는 1 내지 80 중량%이고, 보다 바람직하게는 10 내지 60 중량%이다. 이러한 공중합 비율의 공중합체를 사용함으로써 평탄화능이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. The copolymerization ratio of the unsaturated polyhydric carboxylic anhydride in the carboxylic acid anhydride group-containing copolymer is preferably 1 to 80% by weight, more preferably 10 to 60% by weight. By using the copolymer of such a copolymerization ratio, the cured film excellent in the planarization ability can be obtained.

카르복실산 무수물기 함유 공중합체의 Mw는 바람직하게는 500 내지 50,000, 보다 바람직하게는 500 내지 10,000이다. 이러한 분자량 범위의 공중합체를 사용함으로써 평탄화능이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. The Mw of the carboxylic acid anhydride group-containing copolymer is preferably 500 to 50,000, more preferably 500 to 10,000. By using the copolymer of such a molecular weight range, the cured film excellent in the planarization ability can be obtained.

상기와 같은 (F) 경화제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. Said (F) hardening | curing agent can be used individually or in mixture of 2 or more types.

제3 조성물에 있어서의 (F) 경화제의 사용 비율은 (A) 중합체 100 중량부에 대한 (F) 경화제의 사용량으로서, 바람직하게는 100 중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 1 내지 80 중량부이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 60 중량부이다. The use ratio of the (F) curing agent in the third composition is the amount of the (F) curing agent to 100 parts by weight of the polymer (A), preferably 100 parts by weight or less, more preferably 1 to 80 parts by weight. More preferably, it is 10-60 weight part.

제3 조성물에 있어서 (F) 경화제의 사용량을 상기 범위로 함으로써 조성물의 장기 안정성을 손상시키지 않고 얻어지는 경화막의 평탄성을 보다 향상시킬 수 있다. By making the usage-amount of the (F) hardening | curing agent into the said range in a 3rd composition, the flatness of the cured film obtained can be improved more, without impairing the long-term stability of a composition.

제3 조성물이 함유할 수 있는 (G) 산 발생제는 바람직하게는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물 또는 가열에 의해 산을 발생하는 화합물이다. 이 중 전자를 「감방사선성 산 발생제」라고 하고, 후자를 「감열성 산 발생제」라 부른다. The acid generator (G) which the third composition may contain is preferably a compound which generates an acid by irradiation of radiation or a compound which generates an acid by heating. Among these, the former is called a "radiation sensitive acid generator", and the latter is called a "sensitivity acid generator".

감방사선성 산 발생제로서는, 예를 들면 디아릴요오도늄염, 트리아릴술포늄염, 디아릴포스포늄염 등을 들 수 있다. As a radiation sensitive acid generator, a diaryl iodonium salt, a triaryl sulfonium salt, a diaryl phosphonium salt, etc. are mentioned, for example.

상기 디아릴요오도늄염으로서는, 예를 들면 디페닐요오도늄 테트라플루오로보레이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로포스포네이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요오도늄 트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오도늄 트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄 p-톨루엔술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오 도늄 테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 p-톨루엔술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 헥사플루오로아르세네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로아세테이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 p-톨루엔술포네이트 등을 들 수 있다. 이들 디아릴요오도늄염 중, 특히 디페닐요오도늄 헥사플루오로포스포네이트가 바람직하다. Examples of the diaryl iodonium salts include diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium hexafluorophosphonate, diphenyl iodonium hexafluoroarsenate, and diphenyl iodonium. Trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenylphenyliodonium Hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium Hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluor Low acetate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoro Arsenate, bis (4-t-part Phenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium p-toluenesulfonate, etc. are mentioned. have. Among these diaryl iodonium salts, diphenyl iodonium hexafluorophosphonate is particularly preferable.

상기 트리아릴술포늄염으로서는, 예를 들면 트리페닐술포늄 테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로포스포네이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄 트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄 p-톨루엔술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 p-톨루엔술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐테트라플루오로보레이트, 4-페닐티오페닐디페닐 헥사플루오로포스포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐 헥사플루오로아르세네이트, 4-페닐티오페닐디페닐 트리플루오로메탄술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐 트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐 p-톨 루엔술포네이트 등을 들 수 있다. 이들 트리아릴술포늄염 중, 특히 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트가 바람직하다. Examples of the triarylsulfonium salt include triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluorophosphonate, triphenylsulfonium hexafluoroarsenate, and triphenylsulfonium trifluoromethanesulfo. Nitrate, Triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphonate , 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxy Methoxyphenyldiphenylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenyltetrafluoroborate, 4-phenylthiophenyldiphenyl hexafluorophosphonate, 4-phenylthiophenyldiphenyl Safluoro arsenate, 4-phenylthio phenyl diphenyl trifluoromethanesulfonate, 4-phenylthio phenyl diphenyl trifluoro acetate, 4-phenyl thiophenyl diphenyl p-toluenesulfonate, etc. are mentioned. have. Among these triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate is particularly preferable.

상기 디아릴포스포늄염으로서는, 예를 들면 (1-6-η-쿠멘)(η-시클로펜타디에닐)철 헥사플루오로포스포네이트 등을 들 수 있다. As said diaryl phosphonium salt, (1-6- (eta)-cumene) ((eta) -cyclopentadienyl) iron hexafluoro phosphonate etc. are mentioned, for example.

감방사선산 발생제의 시판품으로서는, 디아릴요오도늄염으로서 예를 들면 UVI-6950, UVI-6970, UVI-6974, UVI-6990(이상, 유니온 카바이드사 제조), MPI-103, BBI-103(이상, 미도리 가가꾸(주) 제조) 등; As a commercial item of a radiation sensitive acid generator, as a diaryliodonium salt, it is UVI-6950, UVI-6970, UVI-6974, UVI-6990 (above, Union Carbide company make), MPI-103, BBI-103 ( Above, Midori Kagaku Co., Ltd. product);

트리아릴술포늄염으로서 예를 들면 아데카 옵토머 SP-150, 아데카 옵토머 SP-151, 아데카 옵토머 SP-170, 아데카 옵토머 SP-171(이상, 아사히 덴까 고교(주) 제조), CI-2481, CI-2624, CI-2639, CI-2064(이상, 니혼 소다(주) 제조), DTS-102, DTS-103, NAT-103, NDS-103, TPS-103, MDS-103(이상, 미도리 가가꾸(주) 제조), CD-1010, CD-1011, CD-1012(이상, 사토머사 제조) 등; As a triarylsulfonium salt, for example, Adeka Optomer SP-150, Adeka Optomer SP-151, Adeka Optomer SP-170, Adeka Optomer SP-171 (above, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) , CI-2481, CI-2624, CI-2639, CI-2064 (above, Nihon Soda Co., Ltd.), DTS-102, DTS-103, NAT-103, NDS-103, TPS-103, MDS-103 (Above, manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.), CD-1010, CD-1011, CD-1012 (above, manufactured by Satomer Co., Ltd.), and the like;

디아릴포스포늄염으로서 예를 들면 이루가큐어 261(시바 스페셜티 케미컬즈(주) 제조); PCI-061T, PCI-062T, PCI-020T, PCI-022T(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조) 등을 각각 들 수 있다. Examples of the diaryl phosphonium salt include Irgacure 261 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.); PCI-061T, PCI-062T, PCI-020T, PCI-022T (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.), etc. are mentioned, respectively.

이들 시판물 중, UVI-6970, UVI-6974, UVI-6990, 아데카 옵토머 SP-170, 아데카 옵토머 SP-171, CD-1012, MPI-103 등이, 얻어지는 경화막이 높은 표면 경도를 갖는 점에서 바람직하다. Among these commercial items, the cured film obtained by UVI-6970, UVI-6974, UVI-6990, Adeka Optomer SP-170, Adeka Optomer SP-171, CD-1012, MPI-103, etc. has high surface hardness. It is preferable at the point which has.

상기 감방사선산 발생제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The radiation sensitive acid generators may be used alone or in combination of two or more thereof.

제3 조성물이 함유할 수 있는 감열성 산 발생제로서는, 상기 제2 조성물이 함유할 수 있는 감열성 산 발생제와 동일한 종류의 것을 들 수 있다. As a thermosensitive acid generator which a 3rd composition can contain, the thing of the same kind as the thermosensitive acid generator which a said 2nd composition can contain is mentioned.

제3 조성물에 있어서의 (G) 산 발생제의 사용 비율은 (A) 중합체 100 중량부에 대한 (G) 산 발생제의 사용량으로서, 바람직하게는 20 중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 0.05 내지 20 중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부이다. The use ratio of the (G) acid generator in a 3rd composition is the usage-amount of the (G) acid generator with respect to 100 weight part of (A) polymers, Preferably it is 20 weight part or less, More preferably, it is 0.05- 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight.

제3 조성물이 함유할 수 있는 접착 보조제 및 계면 활성제로서는, 제1 조성물이 함유할 수 있는 접착 보조제 및 계면 활성제에 대하여 상술한 것과 동일하다. 단, 제3 조성물이 함유할 수 있는 접착 보조제의 양은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 30 중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 25 중량부 이하이다. 이 값이 30 중량부를 초과하면, 얻어지는 경화막의 내열성이 불충분해지는 경우가 있다. 또한, 제3 조성물이 함유할 수 있는 계면 활성제의 양은 (A) 중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 5 중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 2 중량부 이하이다. 이 값이 5 중량부를 초과하면 막 불균일이 생기기 쉬워지는 경우가 있다. As an adhesion | attachment adjuvant and surfactant which a 3rd composition can contain, it is the same as what was mentioned above about the adhesion | attachment adjuvant and surfactant which a 1st composition can contain. However, the quantity of the adhesion | attachment adjuvant which a 3rd composition can contain is preferably 30 weight part or less with respect to 100 weight part of (A) polymers, More preferably, it is 25 weight part or less. When this value exceeds 30 weight part, the heat resistance of the cured film obtained may become inadequate. The amount of the surfactant that the third composition may contain is preferably 5 parts by weight or less, more preferably 2 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the polymer (A). When this value exceeds 5 weight part, film nonuniformity may arise easily.

제3 조성물은 상기 (A) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분을 균일하게 혼합함으로써 제조된다. 제3 조성물은 바람직하게는 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 사용된다. 예를 들면 (A) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분을 적당한 용매 중에서 소정의 비율로 혼합함으로써 용액 상태의 감방사선성 수지 조성물을 제조할 수 있다. The third composition is prepared by uniformly mixing the above-mentioned (A) polymer and (E) cationically polymerizable compound and other components optionally added. The third composition is preferably dissolved in a suitable solvent and used in solution. For example, the radiation sensitive resin composition of a solution state can be manufactured by mixing (A) polymer, (E) cationically polymerizable compound, and the other component added arbitrarily in a predetermined ratio.

제3 조성물의 제조에 사용되는 용매로서는, (A) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물 및 임의적으로 배합되는 그 밖의 성분의 각 성분을 균일하게 용해시키며 각 성분과 반응하지 않는 것이 사용된다. 이러한 용매로서는, 제1 조성물의 제조에 사용할 수 있는 용매로서 상술한 것과 동일하다. 조성물 용액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분, 즉 (A) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분의 합계량의 비율은 사용 목적이나 원하는 막 두께의 값 등에 따라서 임의로 설정할 수 있으며, 예를 들면 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 5 내지 40 중량%로 할 수 있다. As a solvent used for manufacture of a 3rd composition, what dissolves each component of (A) polymer, (E) cationically polymerizable compound, and the other component arbitrarily mix | blended uniformly, and does not react with each component is used. As such a solvent, it is the same as that mentioned above as a solvent which can be used for manufacture of a 1st composition. The ratio of the total amount of components other than the solvent occupied in the composition solution, that is, the (A) polymer and the (E) cationic polymerizable compound and other components optionally added can be arbitrarily set according to the purpose of use or the value of the desired film thickness, etc., For example, it may be 1 to 50 weight%, Preferably it is 5 to 40 weight%.

제3 조성물 용액은 공경 0.5 ㎛ 정도의 밀리포어 필터나 멤브레인 필터 등을 사용하여 여과한 후, 사용할 수도 있다. The third composition solution may be used after being filtered using a Millipore filter, a membrane filter, or the like having a pore size of about 0.5 μm.

<제4 조성물> <4th composition>

제4 조성물은 (A') 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물을 함유한다. 제4 조성물은 바람직하게는 상기 제3 조성물에 있어서의 (A) 중합체를 (A') 중합체로 대체한 일액형 경화성 수지 조성물이다. The fourth composition contains the (A ') polymer and the (E) cationically polymerizable compound. The fourth composition is preferably a one-component curable resin composition in which the (A) polymer in the third composition is replaced with the (A ') polymer.

제4 조성물에 사용되는 (A') 중합체는 바람직하게는 상기 (A'1) 중합체 또는 (A'2) 중합체이다. The polymer (A ') used in the fourth composition is preferably the above (A'1) polymer or (A'2) polymer.

제4 조성물에 사용할 수 있는 (A'1) 중합체의 바람직한 구체적인 예로서는, 예를 들면 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크 릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/2,3-디(테트라히드로피란-2-일옥시카르보닐)-5-노르보르넨/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/2,3-디(테트라히드로피란-2-일옥시카르보닐)-5-노르보르넨/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/1,3-부타디엔 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/트리시클 로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/1,3-부타디엔 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산메틸/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산메틸/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/아크릴산시클로헥실/p-메톡시스티렌 공중합체, As a preferable specific example of the (A'1) polymer which can be used for a 4th composition, For example, glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] Deccan-8-ylmethacrylate / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / methacrylate tetrahydro-2H-pyran-2-yl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmetha Acrylate / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / tetrahydroacrylate-2H-pyran-2-yl / N-phenylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H methacrylate -Pyran-2-yl / N-phenylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, methacrylic acid Glycidyl / methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / acrylic acid 1- ( Cyclohexyloxy) ethyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / Tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / acrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / N-cyclohexylmaleimide / styrene air Copolymer, glycidyl methacrylate / methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / 2,3-di (tetrahydropyran- 2-yloxycarbonyl) -5-norbornene / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / styrene copolymer, glycidyl / 2,3-di (methacrylate) Tetrahydropyran-2-yloxycarbonyl) -5-norbornene / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl / tricycloacrylate [5.2.1.0 2,6] Kan-8-yl methacrylate / 1,3-butadiene copolymers, glycidyl methacrylate / methacrylic acid tetrahydro -2H- pyran-2-yl / a tree Sickle [5.2.1.0 2,6] decane -8-yl methacrylate / 1,3-butadiene copolymer, glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methyl methacrylate / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / Methacrylate tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methyl methacrylate / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl acrylate / cyclohexyl acrylate / p-meth Oxystyrene copolymer,

메타크릴산글리시딜/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/아크릴산시클로헥실/p-메톡시스티렌 공중합체, 아크릴산글리시딜/메타크릴산 t-부틸/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산 t-부틸/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산 t-부틸/무수 말레산 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산 t-부틸/무수 말레산 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/메타크릴산 t-부틸/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/메타크릴산 t-부틸/무수 말레산/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌/1,3-부타디엔 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌/1,3-부타디엔 공중합체 등을 들 수 있다. Glycidyl methacrylate / methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl / cyclohexyl acrylate / p-methoxystyrene copolymer, glycidyl acrylate / t-butyl / N-phenylmaleimide / Styrene copolymer, glycidyl methacrylate / t-butyl methacrylate / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, methacrylic acid 6,7-oxyranylheptyl / tetrahydro-2H-pyran-2 -Yl / methacrylic acid t-butyl / maleic anhydride copolymer, methacrylic acid 6,7-oxyranylheptyl / methacrylate tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylate t-butyl / maleic anhydride Acid copolymer, methacrylic acid 6,7-oxiranylheptyl / methacrylate t-butyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / styrene copolymer, methacrylic acid 6, 7-Oxiranylheptyl / methacrylic acid t-butyl / maleic anhydride / styrene copolymer, 1- (cyclohexyloxy) ethyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane methacrylate glycidyl / acrylic acid -8-ylmethacrylate / styrene / 1,3-butadiene copolymer, glycidyl methacrylate / methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane- 8-ylmethacrylate / styrene / 1,3-butadiene copolymer etc. are mentioned.

이들 중, 더욱 바람직하게는 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H- 피란-2-일/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/아크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/2,3-디(테트라히드로피란-2-일옥시카르보닐)-5-노르보르넨/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/2,3-디(테트라히드로피란-2-일옥시카르보닐)-5-노르보르넨/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체 또는 메타크릴산글리시딜/메타크릴산 t-부틸/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체이다. Of these, more preferably glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / styrene copolymer, meta Glycylate Glycidyl / Methacrylic Acid Tetrahydro-2H-pyran-2-yl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / styrene copolymer, Glycidyl Methacrylic Acid / Tetrahydro-2H-pyran-2-yl / N-phenylmaleimide / styrene copolymer, methacrylate glycidyl / methacrylate tetrahydro-2H-pyran-2-yl / N-phenylmaleimide / styrene Copolymer, glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran- 2-yl / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / acrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / N-cyclohexylmaleimide / styrene Polymer, glycidyl methacrylate / methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / 2,3-di (tetrahydropyran- 2-yloxycarbonyl) -5-norbornene / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / styrene copolymer, glycidyl / 2,3-di (methacrylate) Tetrahydropyran-2-yloxycarbonyl) -5-norbornene / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer or glycidyl methacrylate / t-butyl methacrylate / N-cyclohexyl maleimide / Styrene copolymer.

제4 조성물에 사용할 수 있는 (A'2) 중합체의 바람직한 구체적인 예로서는, 예를 들면 아크릴산글리시딜/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/스티렌 공중합체, 아크릴산글리시딜/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산글리시딜/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 공중합체, 메 타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/N-페닐말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산 6,7-옥시라닐헵틸/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체 등을 들 수 있다. As a preferable specific example of the (A'2) polymer which can be used for a 4th composition, For example, glycidyl acrylate / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / styrene copolymer, glycidyl / tricyclo acrylate [5.2] .1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate copolymer, glycidyl methacrylate / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate copolymer, methacrylic acid 6 , 7-Oxiranylheptyl / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / N- Phenylmaleimide / styrene copolymer, glycidyl methacrylate / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, methacrylic acid 6,7-oxyranylheptyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 -Yl methacrylate copolymer, methacrylic acid 6,7-oxiranylheptyl / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer, etc. are mentioned.

이들 중, 더욱 바람직하게는메타크릴산글리시딜/스티렌 공중합체, 메타크릴산글리시딜/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산글리시딜/트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트/스티렌 공중합체 또는 메타크릴산글리시딜/N-시클로헥실말레이미드/스티렌 공중합체이다. Among these, More preferably, methacrylate glycidyl / styrene copolymer, methacrylate glycidyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate copolymer, and methacrylate Cydyl / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate / styrene copolymer or glycidyl methacrylate / N-cyclohexylmaleimide / styrene copolymer.

제4 조성물에 관한 (A') 중합체 이외의 사항에 대해서는, 제3 조성물에 대하여 상술한 것을 그대로 또는 당업자에게 자명한 변경을 부가한 후에 적용할 수 있다. About matters other than the (A ') polymer which concerns on a 4th composition, it can apply as it is what was mentioned above about a 3rd composition as it is, or after adding the obvious change to a person skilled in the art.

<제5 조성물> <Fifth Composition>

제5 조성물은 (A') 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물을 함유하는 제1액 과 (F) 경화제를 함유하는 제2액으로 이루어지는 이액형 경화성 수지 조성물이다. 제5 조성물의 제1액은 (F) 경화제 및 (G) 산 발생제를 함유하지 않는 것이 바람직하다. A 5th composition is a two-component curable resin composition which consists of a 1st liquid containing a (A ') polymer and (E) cationically polymerizable compound, and a 2nd liquid containing (F) hardening | curing agent. It is preferable that the 1st liquid of a 5th composition does not contain the (F) hardening | curing agent and the (G) acid generator.

여기서 사용하는 (A') 중합체로서는 (A'2) 중합체인 것이 바람직하다. 제5 조성물의 제1액이 함유할 수 있는 (A'2) 중합체에 대해서는, 제4 조성물에 사용할 수 있는 (A'2) 중합으로서 상술한 것과 동일하다. 또한, 제5 조성물의 제1액이 함유할 수 있는 (E) 양이온 중합성 화합물에 대해서는, 제3 조성물에 사용할 수 있는 (E) 양이온 중합성 화합물로서 상술한 것과 동일하다. As (A ') polymer used here, it is preferable that it is (A'2) polymer. About the (A'2) polymer which the 1st liquid of a 5th composition can contain, it is the same as that of the above-mentioned as (A'2) superposition | polymerization which can be used for a 4th composition. In addition, about the (E) cationically polymerizable compound which the 1st liquid of a 5th composition can contain, it is the same as that mentioned above as (E) cationically polymerizable compound which can be used for a 3rd composition.

제5 조성물의 제1액에 있어서의 (E) 양이온 중합성 화합물의 사용 비율은 (A'2) 중합체 100 중량부에 대한 (E) 양이온 중합성 화합물의 사용량으로서 바람직하게는 3 내지 100 중량부이고, 더욱 바람직하게는 5 내지 50 중량부이다. The use ratio of the (E) cationically polymerizable compound in the first liquid of the fifth composition is preferably 3 to 100 parts by weight as the amount of the (E) cationically polymerizable compound to 100 parts by weight of the polymer (A'2). It is more preferably 5 to 50 parts by weight.

제5 조성물의 제1액은 상기 (A'2) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물 외에 필요에 따라서 접착 보조제, 계면 활성제 등을 함유할 수 있다. The 1st liquid of a 5th composition can contain an adhesion | attachment adjuvant, surfactant, etc. as needed other than the said (A'2) polymer and (E) cationically polymerizable compound.

접착 보조제 및 계면 활성제에 대해서는, 제3 조성물이 함유할 수 있는 접착 보조제 및 계면 활성제에 대하여 상술한 것과 동일하다. About an adhesion | attachment adjuvant and surfactant, it is the same as that mentioned above about the adhesion | attachment adjuvant and surfactant which a 3rd composition can contain.

제5 조성물의 제1액은 바람직하게는 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 사용된다. The first liquid of the fifth composition is preferably dissolved in a suitable solvent and used in solution.

제5 조성물의 제1액의 제조에 사용되는 용매로서는, (A) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물 및 임의적으로 배합되는 그 밖의 성분의 각 성분을 균일하게 용해시키며 각 성분과 반응하지 않는 것이 사용된다. 이러한 용매로서는, 제1 조성물의 제조에 사용할 수 있는 용매로서 상술한 것과 동일하다. 조성물 용액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분, 즉 (A) 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물 및 임의적으로 첨가되는 그 밖의 성분의 합계량의 비율은 사용 목적이나 원하는 막 두께의 값 등에 따라서 임의로 설정할 수 있고, 예를 들면 5 내지 75 중량%, 바람직하게는 10 내지 50 중량%로 할 수 있다. As a solvent used for preparation of the 1st liquid of a 5th composition, it is a thing which melt | dissolves each component of (A) polymer and (E) cationically polymerizable compound, and the other components arbitrarily blended uniformly, and does not react with each component. Used. As such a solvent, it is the same as that mentioned above as a solvent which can be used for manufacture of a 1st composition. The ratio of the total amount of components other than the solvent occupied in the composition solution, that is, the (A) polymer and the (E) cationically polymerizable compound and other components optionally added can be arbitrarily set according to the purpose of use, the value of the desired film thickness, or the like, For example, it can be 5 to 75 weight%, Preferably it is 10 to 50 weight%.

제5 조성물 용액의 제1액은 공경 0.5 ㎛ 정도의 밀리포어 필터나 멤브레인 필터 등을 사용하여 여과한 후, 사용할 수도 있다. The first liquid of the fifth composition solution may be used after being filtered using a Millipore filter, a membrane filter, or the like having a pore size of about 0.5 µm.

제5 조성물의 제2액은 바람직하게는 (F) 경화제를 함유하는 용액이다. 제5 조성물의 제2액에 함유되는 (F) 경화제의 종류로서는, 제3 조성물이 함유할 수 있는 (F) 경화제로서 상술한 것과 동일하다. The second liquid of the fifth composition is preferably a solution containing the (F) curing agent. As a kind of (F) hardening | curing agent contained in the 2nd liquid of a 5th composition, it is the same as that mentioned above as (F) hardening | curing agent which a 3rd composition can contain.

제5 조성물의 제2액의 제조에 사용할 수 있는 용매는 제1 조성물의 제조에 사용할 수 있는 용매로서 상술한 것과 동일하다. The solvent which can be used for manufacture of the 2nd liquid of a 5th composition is the same as that mentioned above as a solvent which can be used for manufacture of a 1st composition.

제5 조성물의 제2액 중에서 차지하는 (F) 경화제의 농도는 바람직하게는 1 내지 80 중량%이고, 보다 바람직하게는 10 내지 60 중량%이다. The concentration of the (F) curing agent in the second liquid of the fifth composition is preferably 1 to 80% by weight, more preferably 10 to 60% by weight.

제5 조성물 용액의 제2액은 공경 0.5 ㎛ 정도의 밀리포어 필터나 멤브레인 필터 등을 사용하여 여과한 후, 사용할 수도 있다. The second liquid of the fifth composition solution may be used after being filtered using a Millipore filter, a membrane filter, or the like having a pore size of about 0.5 μm.

<<경화막의 형성 방법>><< forming method of hardened film >>

상기 제1 내지 제5 조성물을 사용하여 경화막을 형성하는 방법에 대하여 이하에 서술한다. 상기 제1 조성물은 액정 표시 소자의 스페이서의 형성에, 제2 조성물은 층간 절연막 또는 마이크로렌즈의 형성에, 제3 내지 제5 조성물은 보호막의 형성에 각각 바람직하게 사용된다. The method of forming a cured film using the said 1st-5th composition is described below. The first composition is preferably used for forming a spacer of the liquid crystal display device, the second composition for forming an interlayer insulating film or microlens, and the third to fifth compositions for forming a protective film, respectively.

<제1 조성물을 사용하여 스페이서를 형성하는 방법> <Method of Forming Spacer Using First Composition>

제1 조성물을 사용하여 액정 표시 소자의 스페이서를 형성하는 방법은 하기 공정(1) 내지 (4)를 이하에 기재된 순서로 실시하는 것이다. The method of forming the spacer of a liquid crystal display element using a 1st composition performs the following process (1)-(4) in the order described below.

(1) 기판 상에 제1 조성물의 피막을 형성하는 공정, (1) forming a film of the first composition on a substrate;

(2) 상기 피막의 적어도 일부에 방사선을 노광하는 공정, (2) exposing radiation to at least a portion of the film;

(3) 노광 후의 피막을 현상하는 공정, 및 (3) developing the film after exposure, and

(4) 현상 후의 피막을 가열하는 공정. (4) The process of heating the film after image development.

이하, 이들 각 공정에 대하여 순서로 설명한다. Hereinafter, each of these steps will be described in order.

(1) 기판 상에 제1 조성물의 피막을 형성하는 공정(1) Process of forming film of 1st composition on board | substrate

우선, 기판 상에 제1 조성물의 용액의 조성물의 피막을 형성한다. First, the film of the composition of the solution of a 1st composition is formed on a board | substrate.

본 방법에 사용하는 기판으로서는, 한쪽면에 투명 도전막이 형성된 투명 기판이 바람직하다. As a board | substrate used for this method, the transparent substrate in which the transparent conductive film was formed in one side is preferable.

투명 기판을 구성하는 재료로서는, 예를 들면 유리, 수지 등을 들 수 있다. 상기 유리로서는, 예를 들면 소다 석회 유리, 무알칼리 유리 등; 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카르보네이트, 폴리이미드 등을 각각 들 수 있다. As a material which comprises a transparent substrate, glass, resin, etc. are mentioned, for example. As said glass, for example, soda-lime glass, an alkali free glass, etc .; Examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, and the like.

상기 투명 도전막으로서는, 예를 들면 산화주석(SnO2)로 이루어지는 NESA막(미국 PPG사의 등록 상표), 산화인듐-산화주석(In2O3-SnO2)로 이루어지는 ITO막 등을 들 수 있다. Examples of the transparent conductive film include an NESA film (registered trademark of US PPG) made of tin oxide (SnO 2 ), an ITO film made of indium tin oxide (In 2 O 3 -SnO 2 ), and the like. .

기판 상에 제1 조성물 용액의 조성물의 피막을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 (i) 도포법, (ii) 건식 필름법에 따를 수 있다. As a method of forming the film of the composition of a 1st composition solution on a board | substrate, it can follow the (i) application method and (ii) dry film method, for example.

(i) 도포법에 의한 경우, 기판 상에 제1 조성물의 용액을 도포한 후, 도포면을 가열(프리베이킹)함으로써 피막을 형성할 수 있다. (i) When apply | coating method, after apply | coating the solution of a 1st composition on a board | substrate, a film can be formed by heating (prebaking) an application surface.

조성물 용액의 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 분무법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법, 잉크 젯 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있고, 특히 스핀 코팅법 또는 슬릿 다이 도포법이 바람직하다. It does not specifically limit as a coating method of a composition solution, For example, the appropriate method, such as a spraying method, the roll coating method, the spin coating method (spin coating method), the slit die coating method, the bar coating method, the inkjet coating method, can be employ | adopted. In particular, a spin coating method or a slit die coating method is preferable.

프리베이킹의 조건은 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서도 다르지만, 바람직하게는 70 내지 120 ℃에서 1 내지 15 분간 정도이다. Although the conditions of prebaking also differ according to the kind, compounding ratio, etc. of each component, Preferably it is about 1 to 15 minutes at 70-120 degreeC.

기판 상에 제1 조성물 용액의 피막을 형성할 때에 (ii) 건식 필름법을 채용하는 경우, 상기 건식 필름은 베이스 필름, 바람직하게는 가요성 베이스 필름 상에 본 발명의 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성층을 적층하여 이루어지는 것(이하, 「감광성 건식 필름」이라 함)이다. When the film of the first composition solution is formed on the substrate (ii) When the dry film method is employed, the dry film is a photosensitive layer composed of the photosensitive resin composition of the present invention on a base film, preferably a flexible base film. It is made by laminating (hereinafter referred to as "photosensitive dry film").

상기 감광성 건식 필름은 베이스 필름 상에 본 발명의 감광성 수지 조성물을 바람직하게는 액상 조성물로서 도포한 후 용매를 제거함으로써 감광성층을 적층하여 형성할 수 있다. 감광성 건식 필름 베이스 필름으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카르보네이트, 폴리염화비닐 등의 합성 수지의 필름을 사용할 수 있다. 베이스 필름의 두께는 15 내지 125 ㎛의 범위가 적당하다. 얻어지는 감광성층의 두께는 1 내지 30 ㎛ 정도가 바람직하다. 용매의 제거는 바람직하게는 80 내지 150 ℃에 있어서 1 내지 10 분 정도 가열함으로써 행할 수 있다. The photosensitive dry film may be formed by laminating a photosensitive layer by applying the photosensitive resin composition of the present invention on the base film as a liquid composition, and then removing the solvent. As a photosensitive dry film base film, the film of synthetic resins, such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, a polypropylene, polycarbonate, polyvinyl chloride, can be used, for example. The thickness of the base film is suitably in the range of 15 to 125 mu m. As for the thickness of the photosensitive layer obtained, about 1-30 micrometers is preferable. Removal of the solvent is preferably carried out by heating at about 80 to 150 ° C. for about 1 to 10 minutes.

또한, 감광성 건식 필름은 미사용시에 그의 감광성층 상에 커버 필름을 더 적층하여 보존할 수도 있다. 이 커버 필름은 미사용시에는 박리되지 않고, 사용시에는 용이하게 박리될 수 있도록 적절한 이형성을 가질 필요가 있다. 이러한 조건을 만족시키는 커버 필름으로서는, 예를 들면 PET 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리염화비닐 필름등의 합성 수지 필름의 표면에 실리콘계 이형제를 도포 또는 베이킹한 필름을 사용할 수 있다. 커버 필름의 두께는 통상적으로 25 ㎛ 정도로 충분하다. In addition, a photosensitive dry film can also be laminated | stacked and preserve | saved further on the photosensitive layer at the time of nonuse. This cover film does not need to be peeled off when not in use, and needs to have appropriate release property so that it can be easily peeled off when used. As a cover film which satisfies these conditions, the film which apply | coated or baked the silicone type mold release agent to the surface of synthetic resin films, such as a PET film, a polypropylene film, a polyethylene film, and a polyvinyl chloride film, can be used, for example. The thickness of the cover film is usually about 25 μm.

제1 조성물을 용액으로서 사용하는 경우, 그의 고형분 농도(조성물로부터 용매를 제거한 중량의 전체 조성물 중량에 대한 비율)은 바람직하게는 5 내지 80 중량%이다. 보다 바람직한 고형분 농도는 피막의 형성 방법에 따라서 다르다. 피막의 형성에 (i) 도포법을 채용하는 경우의 고형분 농도로서는 15 내지 30 중량%가 바람직하고, 피막의 형성에 (ii) 건식 필름법을 채용하는 경우의 고형분 농도로서는 50 내지 70 중량%가 바람직하다. When the first composition is used as a solution, its solid content concentration (ratio of the total weight of the composition from which the solvent is removed from the composition) is preferably 5 to 80% by weight. More preferable solid content concentration changes with the formation method of a film. As solid content concentration in the case of employ | adopting (i) coating method for formation of a film, 15-30 weight% is preferable, and 50-70 weight% as solid content concentration in the case of employing (ii) dry film method for formation of a film is desirable.

또한, 기판 상에 형성되는 피막의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 1.0 내지 7.0 ㎛ 정도이다. In addition, the film thickness of the film formed on a board | substrate is although it does not specifically limit, Preferably it is 0.5-10 micrometers, More preferably, it is about 1.0-7.0 micrometers.

(2) 상기 피막의 적어도 일부에 방사선을 노광하는 공정 (2) exposing radiation to at least a portion of the film

이어서, 형성된 상기 피막의 적어도 일부에 방사선을 노광한다. 피막의 일부에 노광할 때는, 예를 들면 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 노광하는 방법에 따를 수 있다. Subsequently, radiation is exposed to at least a portion of the formed film. When exposing to a part of film, it can be followed by the method of exposing through the photomask which has a predetermined pattern, for example.

노광에 사용되는 방사선으로서는 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 사용할 수 있다. 방사선으로서는, 파장이 190 내지 450 nm의 범위인 방사선이 바람직하고, 특히 365 nm의 자외선을 포함하는 방사선이 바람직하다. As radiation used for exposure, visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, etc. can be used. As the radiation, radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable, and particularly radiation including 365 nm ultraviolet rays is preferable.

노광량은 노광되는 방사선의 파장 365 nm에서의 강도를 조도계(OAI mode 1356, OAI Optical Associates Inc. 제조)에 의해 측정한 값으로서, 바람직하게는 100 내지 10,000 J/m2, 보다 바람직하게는 1,500 내지 3,000 J/m2이다. The exposure dose is a value measured by an illuminometer (OAI mode 1356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.) of the intensity of the exposed radiation at 365 nm, preferably 100 to 10,000 J / m 2 , more preferably 1,500 to 3,000 J / m 2 .

(3) 노광 후의 피막을 현상하는 공정 (3) Process of developing film after exposure

이어서, 노광 후의 피막을 현상함으로써 불필요한 부분을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. Next, by developing the film after exposure, an unnecessary part is removed and a predetermined pattern is formed.

현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리; 에틸아민, n-프로필아민 등의 지방족 1급 아민; 디에틸아민, 디-n-프로필아민 등의 지방족 2급 아민; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등의 지방족 3급 아민; 피롤, 피페리딘, N-메틸피페리딘, N-메틸피롤리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨 등의 지환족 3급 아민; 피리딘, 콜리딘, 루티딘, 퀴놀린 등의 방향족 3급 아민; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알칸올아민; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염 등의 알칼리성 화합물의 수용액을 사용할 수 있다. As a developing solution used for image development, For example, inorganic alkalis, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia; Aliphatic primary amines such as ethylamine and n-propylamine; Aliphatic secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine; Aliphatic tertiary amines such as trimethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine and triethylamine; Pyrrole, piperidine, N-methylpiperidine, N-methylpyrrolidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] Alicyclic tertiary amines such as -5-nonene; Aromatic tertiary amines such as pyridine, collidine, lutidine and quinoline; Alkanolamines such as dimethylethanolamine, methyldiethanolamine and triethanolamine; Aqueous solutions of alkaline compounds, such as quaternary ammonium salts, such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, can be used.

상기 알칼리성 화합물의 수용액에는 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매 및 계면 활성제 중 하나 이상을 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. In an aqueous solution of the alkaline compound, one or more of water-soluble organic solvents such as methanol and ethanol and surfactants may be added in an appropriate amount.

현상 방법으로서는 퍼들법, 침지법, 샤워법 등 공지된 현상 방법 중 어느 것일 수 있고, 현상 시간은 상온에서 10 내지 180 초간 정도인 것이 바람직하다. The developing method may be any known developing method such as puddle method, dipping method or shower method, and the developing time is preferably about 10 to 180 seconds at room temperature.

현상후, 예를 들면 유수 세정을 30 내지 90 초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써 원하는 패턴이 형성된다. After the development, for example, washing with running water is performed for 30 to 90 seconds, and then a desired pattern is formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

(4) 현상 후의 피막을 가열하는 공정 (4) The process of heating the film after image development

이어서, 얻어진 패턴(피막)을, 예를 들면 핫 플레이트, 오븐 등의 적절한 가열 장치에 의해 소정 온도, 예를 들면 100 내지 160 ℃에서 소정 시간, 예를 들면 핫 플레이트 상에서는 5 내지 30 분간, 오븐 중에서는 30 내지 180 분간, 가열(포스트베이킹)함으로써 소정의 스페이서를 얻을 수 있다. Subsequently, the obtained pattern (film) is, for example, an appropriate heating device such as a hot plate or an oven at a predetermined temperature, for example, 100 to 160 ° C. for a predetermined time, for example, for 5 to 30 minutes on an hot plate, in an oven. The predetermined spacer can be obtained by heating (postbaking) for 30 to 180 minutes.

또한, 스페이서의 형성에 사용되는 종래의 감방사선성 수지 조성물은 180 내지 200 ℃ 정도 이상의 온도에서 가열 처리를 행하지 않으면, 얻어진 스페이서가 충분한 성능을 발휘할 수 없었지만, 제1 조성물은 가열 온도를 종래보다 저온으로 할 수 있고, 그 결과 수지 기판의 황변이나 변형을 초래하지 않으며 압축 강도, 액정 배향시의 러빙 내성, 투명 기판과의 밀착성 등의 여러가지 성능이 우수한 스페이서를 제조할 수 있는 이점을 갖는다. In the conventional radiation-sensitive resin composition used to form the spacer, the obtained spacer could not exhibit sufficient performance unless the heat treatment was performed at a temperature of about 180 to 200 ° C. or higher, but the first composition exhibited a lower heating temperature than the conventional one. As a result, it is possible to produce a spacer excellent in various performances such as yellowing and deformation of the resin substrate without compressive strength, rubbing resistance during liquid crystal alignment, adhesion with a transparent substrate, and the like.

<제2 조성물을 사용하여 층간 절연막 또는 마이크로렌즈를 형성하는 방법> <Method of Forming Interlayer Insulating Film or Micro Lens Using Second Composition>

제2 조성물을 사용하여 층간 절연막 또는 마이크로렌즈를 형성하는 방법은 하기 공정(1) 내지 (4)를 이하에 기재된 순서로 실시하는 것이다. The method of forming an interlayer insulation film or microlens using a 2nd composition is to perform the following process (1)-(4) in the order described below.

(1) 기판 상에 제2 조성물의 피막을 형성하는 공정, (1) forming a film of the second composition on the substrate,

(2) 상기 피막의 적어도 일부에 방사선을 노광하는 공정, (2) exposing radiation to at least a portion of the film;

(3) 노광 후의 피막을 현상하는 공정, 및 (3) developing the film after exposure, and

(4) 현상 후의 피막을 가열하는 공정. (4) The process of heating the film after image development.

(1) 기판 상에 제2 조성물의 피막을 형성하는 공정 (1) Process of forming film of 2nd composition on board | substrate

공정(1)에 있어서는 제2 조성물 용액을 기판 표면에 도포하고, 이어서 바람직하게는 프리베이킹를 행함으로써 용제를 제거하여 제2 조성물의 피막을 형성한다. In process (1), a 2nd composition solution is apply | coated to the surface of a board | substrate, and then, prebaking is performed preferably, a solvent is removed and a film of a 2nd composition is formed.

사용할 수 있는 기판의 종류로서는, 예를 들면 유리 기판, 실리콘 웨이퍼 및 이들의 표면에 각종 금속이 형성된 기판을 들 수 있다. As a kind of substrate which can be used, a glass substrate, a silicon wafer, and the board | substrate with which the various metal was formed in these surfaces are mentioned, for example.

조성물 용액의 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 분무법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법, 잉크 젯 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있고, 특히 스핀 코팅법 또는 슬릿 다이 도포법이 바람직하다. 프리베이킹의 조건으로서는 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서 다르다. 예를 들면, 60 내지 110 ℃에서 30 초간 내지 15 분간 정도로 할 수 있다. It does not specifically limit as a coating method of a composition solution, For example, the appropriate method, such as a spraying method, the roll coating method, the spin coating method (spin coating method), the slit die coating method, the bar coating method, the inkjet coating method, can be employ | adopted. In particular, a spin coating method or a slit die coating method is preferable. The conditions for prebaking vary depending on the type of each component, the use ratio and the like. For example, it can be made into about 30 to 15 minutes at 60-110 degreeC.

형성되는 피막의 막 두께로서는 프리베이킹 후의 값으로서, 층간 절연막을 형성하는 경우에는 예를 들면 3 내지 6 ㎛, 마이크로렌즈를 형성하는 경우에는 예를 들면 0.5 내지 3 ㎛가 바람직하다. As a film thickness of the film formed, it is a value after prebaking, for example, when forming an interlayer insulation film, for example, 3-6 micrometers, and forming a microlens, for example, 0.5-3 micrometers is preferable.

(2) 상기 피막의 적어도 일부에 방사선을 노광하는 공정 (2) exposing radiation to at least a portion of the film

공정(2)에 있어서는 형성된 피막에 바람직하게는 소정의 패턴을 갖는 마스크 를 통해 방사선을 조사한다. 그 후, 후속 공정(3)에 있어서 현상액을 이용하여 현상 처리하고, 방사선의 조사 부분을 제거함으로써 패터닝을 행한다. 이 때 사용되는 방사선으로서는, 예를 들면 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 들 수 있다. In the step (2), the formed film is irradiated with radiation through a mask having a predetermined pattern. Thereafter, in the subsequent step (3), the developer is developed using a developing solution, and patterning is performed by removing the irradiated portion of the radiation. Examples of the radiation used at this time include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, charged particle beams, and the like.

상기 자외선으로서는 예를 들면 g선(파장 436 nm), i선(파장 365 nm) 등을 들 수 있다. 원자외선으로서는 예를 들면 KrF 엑시머 레이저 등을 들 수 있다. X선으로서는 예를 들면 싱크로트론 방사선 등을 들 수 있다. 하전 입자선으로서는 예를 들면 전자선 등을 들 수 있다. As said ultraviolet-ray, g line | wire (wavelength 436 nm), i line | wire (wavelength 365 nm), etc. are mentioned, for example. As far ultraviolet rays, KrF excimer laser etc. are mentioned, for example. As X-ray, a synchrotron radiation etc. are mentioned, for example. As a charged particle beam, an electron beam etc. are mentioned, for example.

이들 중에서 자외선이 바람직하고, 특히 g선 및 i선 중 하나 이상을 포함하는 방사선이 바람직하다. Among these, ultraviolet rays are preferable, and radiation including at least one of g-ray and i-ray is particularly preferable.

노광량으로서는, 층간 절연막을 형성하는 경우에는 50 내지 1,500 J/m2인 것이 바람직하고, 마이크로렌즈를 형성하는 경우에는 50 내지 2,000 J/m2인 것이 바람직하다. As an exposure amount, when forming an interlayer insulation film, it is preferable that it is 50-1,500 J / m <2> , and when forming a microlens, it is preferable that it is 50-2,000 J / m <2> .

(3) 노광 후의 피막을 현상하는 공정 (3) Process of developing film after exposure

공정(3)의 현상 처리에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노난 등의 알칼리(염기성 화합물) 수용액을 사용할 수 있다. 상기 알칼리의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액 또는 제2 조성물을 용해시키는 각종 유기 용매를 현상액으로서 사용할 수 있다. As a developing solution used for the developing process of a process (3), for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, Di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo Alkali (basic compound) aqueous solutions, such as [5.4.0] -7-undecene and 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonane, can be used. Various aqueous organic solvents which melt | dissolve the aqueous solution which added an appropriate amount of water-soluble organic solvents, such as methanol and ethanol, and surfactant in the said aqueous alkali solution, or 2nd composition can be used as a developing solution.

현상 방법으로서는 퍼들법, 침지법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 이용할 수 있다. 현상 시간은 조성물의 조성에 따라서 다르지만, 예를 들면 30 내지 120 초간으로 할 수 있다. As the developing method, a suitable method such as a puddle method, a dipping method, a rocking dipping method or a shower method can be used. Although developing time changes with composition of a composition, it can be set as 30 to 120 second, for example.

또한, 층간 절연막 또는 마이크로렌즈를 형성하기 위한 조성물로서 종래 알려져 있는 것은 현상 시간이 최적치로부터 20 내지 25 초 정도 초과하면 형성된 패턴에 박리가 발생하기 때문에 현상 시간을 엄격하게 제어할 필요가 있었지만, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물의 경우, 최적 현상 시간으로부터의 초과 시간이 30 초 이상이 되어도 양호한 패턴 형성이 가능하여 공정 관리상의 이점이 있다. In addition, what is conventionally known as a composition for forming an interlayer insulating film or a microlens has been required to strictly control the development time because peeling occurs in the formed pattern when the development time exceeds about 20 to 25 seconds from the optimum value. In the case of the radiation sensitive resin composition, even if the excess time from the optimum developing time is 30 seconds or more, good pattern formation is possible and there is an advantage in process management.

(4) 현상 후의 피막을 가열하는 공정(4) The process of heating the film after image development

상기와 같이 실시한 공정(3) 후에, 패터닝된 피막에 대하여 바람직하게는 예를 들면 유수 세정에 의한 린스 처리를 행하고, 또한 바람직하게는 고압 수은등 등에 의한 방사선을 전체 면에 조사(후노광)함으로써 상기 피막 중에 잔존하는 1,2-퀴논디아지드 화합물의 분해 처리를 행한 후, 이 피막을 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치에 의해 가열 처리(포스트베이킹 처리)한다. 이 처리에 의해, 경화막이 층간 절연막인 경우에는 피막의 경화 처리가 행해지고, 한편 경화막이 마이크로렌즈인 경우에는 패턴 형상의 피막이 용융되어 렌즈 형상을 형성한다. After the step (3) carried out as described above, the patterned film is preferably rinsed by, for example, running water washing, and preferably, the entire surface is irradiated (post-exposure) with radiation by a high pressure mercury lamp or the like. After performing the decomposition | decomposition process of the 1, 2- quinonediazide compound which remains in a film, this film is heat-processed (post-baking process) by heating apparatuses, such as a hotplate and oven. By this treatment, when the cured film is an interlayer insulating film, the film is cured. On the other hand, when the cured film is a microlens, the film having a pattern shape is melted to form a lens shape.

상기 후노광 공정에 있어서의 노광량은 바람직하게는 2,000 내지 5,000 J/m2 정도이다. 경화 처리에 있어서의 가열 온도는 예를 들면 120 내지 250 ℃이다. The exposure amount in the post-exposure step is preferably about 2,000 to 5,000 J / m 2 . Heating temperature in hardening process is 120-250 degreeC, for example.

가열 시간은 가열 기기의 종류에 따라서 다르지만, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는, 예를 들면 5 내지 30 분간, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는, 예를 들면 30 내지 90 분간으로 할 수 있다. 이 때, 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝 베이킹법 등을 이용할 수도 있다. The heating time varies depending on the type of heating device, but for example, when the heat treatment is performed on a hot plate, for example, 5 to 30 minutes, and when the heat treatment is performed in an oven, for example, 30 to 90 minutes may be used. Can be. At this time, the step baking method etc. which perform two or more heating processes can also be used.

이와 같이 하여, 기판의 표면 상에 목적으로 하는 층간 절연막 또는 마이크로렌즈에 대응하는 패턴상 피막을 형성할 수 있다. In this way, a patterned film corresponding to the target interlayer insulating film or microlens can be formed on the surface of the substrate.

<제3 또는 제4 조성물을 사용하여 보호막을 형성하는 방법> <Method of Forming Protective Film Using Third or Fourth Composition>

제3 또는 제4 조성물을 사용하여 보호막을 형성하는 방법은 하기 공정(1) 및 (2)를 이하에 기재된 순서로 실시하는 것이다. The method of forming a protective film using a 3rd or 4th composition performs the following process (1) and (2) in the order described below.

(1) 기판 상에 제3 또는 제4 조성물의 피막을 형성하는 공정, 및 (1) forming a film of the third or fourth composition on the substrate, and

(2) 상기 피막을 가열하는 공정. (2) The process of heating the said film.

(1) 기판 상에 제3 또는 제4 조성물의 피막을 형성하는 공정(1) forming a film of the third or fourth composition on the substrate

우선, 기판 상에 제3 또는 제4 조성물 용액을 도포하고 프리베이킹하여 용매를 제거함으로써 피막을 형성한다. First, a film is formed by applying a third or fourth composition solution on a substrate and prebaking to remove the solvent.

여기서 사용할 수 있는 기판으로서는, 예를 들면 유리, 석영, 실리콘, 투명 수지 등으로 이루어지는 것을 사용할 수 있다. 상기 투명 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 환상 올레핀의 개환 중합체나 그의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. As a board | substrate which can be used here, what consists of glass, quartz, silicone, a transparent resin, etc. can be used, for example. Examples of the transparent resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefins, hydrogenated substances thereof and the like.

도포 방법으로서는, 예를 들면 분무법, 롤 코팅법, 회전 도포법, 바 도포법, 잉크 젯법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있고, 특히 스핀 코터, 스핀리스(등록 상표) 코터, 슬릿 다이 코터를 이용한 도포를 바람직하게 사용할 수 있다. As the coating method, for example, an appropriate method such as a spraying method, a roll coating method, a rotary coating method, a bar coating method, an ink jet method, or the like can be adopted, and in particular, a spin coater, a spinless (registered trademark) coater, and a slit die coater are used. Application | coating can be used preferably.

상기 프리베이킹의 조건은 각 성분의 종류나 배합 비율 등에 따라서도 다르지만, 바람직하게는 70 내지 90 ℃에서 1 내지 15 분간 정도이다. Although the conditions of the said prebaking also differ according to the kind, compounding ratio, etc. of each component, Preferably it is about 1 to 15 minutes at 70-90 degreeC.

(2) 상기 피막을 가열하는 공정 (2) heating the film

이어서, 상기에서 형성된 피막에 가열 처리를 실시함으로써 목적하는 보호막을 형성할 수 있다. 가열 처리시의 처리 온도는 150 내지 250 ℃ 정도가 바람직하고, 또한 처리 시간은 가열 장치로서 핫 플레이트를 사용하는 경우 5 내지 30 분간 정도, 오븐을 사용하는 경우 30 내지 90 분간 정도가 바람직하다. Subsequently, a target protective film can be formed by heat-processing the film formed above. The treatment temperature during the heat treatment is preferably about 150 to 250 ° C, and the treatment time is preferably about 5 to 30 minutes when using a hot plate as the heating device, and about 30 to 90 minutes when using an oven.

또한, 제3 또는 제4 조성물이 감방사선성 산 발생제를 함유하는 것인 경우에는 프리베이킹 후, 가열 공정 앞에 방사선 조사 처리(노광 처리)를 행하는 것이 바람직하다. 이 노광 처리에 사용되는 방사선으로서는, 예를 들면 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 채용할 수 있지만, 파장 190 내지 450 nm의 빛을 포함하는 자외선이 바람직하다. 노광량은 바람직하게는 100 내지 20,000 J/m2, 보다 바람직하게는 150 내지 10,000 J/m2이다. In addition, when the 3rd or 4th composition contains a radiation sensitive acid generator, it is preferable to perform radiation irradiation (exposure treatment) before a heating process after prebaking. As the radiation used for this exposure treatment, for example, visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like can be employed, but ultraviolet rays containing light having a wavelength of 190 to 450 nm are preferable. The exposure dose is preferably 100 to 20,000 J / m 2 , more preferably 150 to 10,000 J / m 2 .

이와 같이 하여 형성된 보호막의 막 두께는 바람직하게는 0.1 내지 8 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 내지 6 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 4 ㎛이다. 단, 보호막이 컬러 필터의 단차를 갖는 기판 상에 형성되는 경우에는, 상기 막 두께는 컬러 필터의 최상부에서의 두께를 의미한다. The film thickness of the protective film thus formed is preferably 0.1 to 8 µm, more preferably 0.1 to 6 µm, and still more preferably 0.1 to 4 µm. However, when a protective film is formed on the board | substrate which has the level difference of a color filter, the said film thickness means the thickness in the uppermost part of a color filter.

<제5 조성물을 사용하여 보호막을 형성하는 방법> <Method of Forming Protective Film Using Fifth Composition>

제5 조성물을 사용하여 보호막을 형성하는 방법은 하기 공정(1) 내지 (3)을 이하에 기재된 순서로 실시하는 것이다. The method of forming a protective film using a 5th composition is to perform the following process (1)-(3) in the order described below.

(1) 제5 조성물의 제1액과 제2액을 혼합하는 공정, (1) mixing the first liquid and the second liquid of the fifth composition,

(2) 기판 상에 상기 혼합액의 피막을 형성하는 공정, 및 (2) forming a film of the mixed liquid on a substrate, and

(3) 상기 피막을 가열하는 공정. (3) A step of heating the coating.

(1) 제5 조성물의 제1액과 제2액을 혼합하는 공정(1) Process of mixing the 1st liquid and 2nd liquid of 5th composition

우선, 제5 조성물의 제1액과 제2액을 혼합하여 도포용 조성물 용액을 제조한다. 제1액과 제2액과의 혼합 비율은 제1액에 포함되는 (A') 중합체 100 중량부에 대하여 제2액에 포함되는 (F) 경화제의 양이 바람직하게는 20 내지 60 중량부, 보다 바람직하게는 20 내지 50 중량부가 되는 비율이다. First, the 1st liquid and 2nd liquid of 5th composition are mixed, and the coating composition solution is prepared. The mixing ratio of the first liquid and the second liquid is preferably 20 to 60 parts by weight of the amount of the (F) curing agent included in the second liquid relative to 100 parts by weight of the polymer (A ′) contained in the first liquid, More preferably, it is the ratio used as 20-50 weight part.

제1액 및 제2액을 혼합하여 조성물 용액을 제조한 후, 24 시간 이내에 다음 공정(2)에 사용되는 것이 바람직하다. After mixing a 1st liquid and a 2nd liquid, and preparing a composition solution, it is preferable to use for the next process (2) within 24 hours.

(2) 기판 상에 상기 혼합액의 피막을 형성하는 공정(2) forming a coating film of the mixed liquid on a substrate

(3) 상기 피막을 가열하는 공정(3) heating the film

상기 공정(2) 및 공정(3)은 각각 상술한 「제3 또는 제4 조성물을 사용하여 보호막을 형성하는 방법」에 있어서의 「(1) 기판 상에 제3 또는 제4 조성물의 피막을 형성하는 공정」 및 「(2) 상기 피막을 가열하는 공정」과 동일하게 하여 실시할 수 있다. Said process (2) and process (3) form "(1) the film of a 3rd or 4th composition on a board | substrate in the above-mentioned" method of forming a protective film using a 3rd or 4th composition ", respectively. Step "and" (2) step of heating said film ".

상기한 방법은 후술하는 실시예로부터 분명한 바와 같이 모두 경화막 형성 공정에서의 가열 공정(소성 공정)에 있어서 실질적으로 승화물이 발생하지 않으며 깨끗한 조건하에서 경화막을 형성할 수 있을 뿐 아니라, 특히 제2 조성물은 현상 공정에서 고도의 현상 마진을 갖는다. 또한, 얻어지는 경화막은 제1 조성물로부터의 스페이서의 경우에는 패턴 형상, 압축 강도 및 러빙 내성이 우수한 것이다. 경화막이 제2 조성물로부터의 층간 절연막인 경우에는 내열성 및 내용제성이 높고, 유전율이 낮으며 높은 투과율을 나타내는 것이다. 경화막이 제2 조성물로부터의 마이크로렌즈인 경우에는 양호한 멜트 형상(원하는 곡률 반경)을 나타내고, 내열성 및 내용제성이 높으며 높은 투과율을 나타낸다. 경화막이 제3 내지 제5 조성물로부터의 보호막의 경우에는 내열성 및 표면 경도가 높고, 높은 투명성을 나타냄과 동시에 바탕 기판 상의 단차를 평탄화하는 능력이 우수하다. As is clear from the examples described below, all of the above-described methods are substantially free of sublimation in the heating step (firing step) in the cured film forming step, and can form a cured film under clean conditions, in particular, the second. The composition has a high development margin in the development process. Moreover, the cured film obtained is excellent in pattern shape, compressive strength, and rubbing tolerance in the case of the spacer from a 1st composition. When a cured film is an interlayer insulation film from a 2nd composition, it is high in heat resistance and solvent resistance, low in dielectric constant, and shows high transmittance | permeability. When the cured film is a microlens from the second composition, it exhibits a good melt shape (desirable curvature radius), high heat resistance and solvent resistance, and high transmittance. In the case where the cured film is a protective film from the third to fifth compositions, the heat resistance and the surface hardness are high, and high transparency is excellent, and the ability to flatten the step on the base substrate is excellent.

<<액정 표시 소자>><< liquid crystal display element >>

상기와 동일하게 하여 형성된 경화막이 스페이서 또는 보호막인 경우에는 이들을 액정 표시 소자에 바람직하게 사용할 수 있다. When the cured film formed similarly to the above is a spacer or a protective film, these can be used suitably for a liquid crystal display element.

이하에서 설명하는 액정 표시 소자는 상기와 동일하게 하여 형성된 스페이서 또는 보호막을 구비하는 것이다. The liquid crystal display element described below is equipped with the spacer or protective film formed similarly to the above.

이러한 액정 표시 소자는, 예를 들면 이하의 방법에 의해 제조된다. 우선, 보호막 및 액정 배향막이 형성된 기판을 2장 제조하고, 각각의 배향막에 있어서의 액정 배향 방향이 직교 또는 역평행하게 되도록 2장의 기판을 간극(셀 갭)을 개재하여 대향시키고, 2장의 기판 주변부를 스페이서를 개재하여 접합, 기판의 표면 및 스페이서에 의해 구획된 셀 갭내에 액정을 충전하고, 충전 구멍을 밀봉하여 액정 셀을 구성한다. 또한, 액정 셀의 외표면, 즉 액정 셀을 구성하는 각각의 기판의 다른 면측에, 편광판을 그의 편광 방향이 상기 기판의 일면에 형성된 보호막의 액정 배향 방향과 일치 또는 직교하도록 접합시킴으로써 액정 표시 소자를 얻을 수 있다. Such a liquid crystal display element is manufactured by the following method, for example. First, two board | substrates with a protective film and a liquid crystal aligning film are manufactured, and two board | substrates are opposed through a gap (cell gap) so that the liquid crystal aligning direction in each alignment film may be orthogonal or antiparallel, and two board | substrate peripheral parts The liquid crystal is filled in the cell gap partitioned by the spacer, the surface of the board | substrate, and the spacer via a spacer, and the filling hole is sealed and a liquid crystal cell is comprised. Further, the liquid crystal display element is bonded to the outer surface of the liquid crystal cell, that is, the other surface side of each substrate constituting the liquid crystal cell by bonding the polarizing plate so that its polarization direction is coincident with or perpendicular to the liquid crystal alignment direction of the protective film formed on one surface of the substrate. You can get it.

상기 액정으로서는, 예를 들면 네마틱형 액정, 스멕틱형 액정을 들 수 있다. 그 중에서도 네마틱형 액정이 바람직하고, 예를 들면 쉬프 베이스계 액정, 아족시계 액정, 비페닐계 액정, 페닐시클로헥산계 액정, 에스테르계 액정, 터페닐계 액정, 비페닐시클로헥산계 액정, 피리미딘계 액정, 디옥산계 액정, 비시클로옥탄계 액정, 큐반계 액정 등이 사용된다. 또한, 이들 액정에, 예를 들면 콜레스틸클로라이드, 콜레스테릴노나에이트, 콜레스테릴카르보네이트 등의 콜레스테릭 액정이나 상품명 「C-15」,「CB-15」(머크사 제조)로서 판매되는 것과 같은 키랄제 등을 첨가하여 사용할 수도 있다. 또한, p-데실옥시벤질리덴-p-아미노-2-메틸부틸신나메이트 등의 강유전성 액정도 사용할 수 있다. As said liquid crystal, a nematic liquid crystal and a smectic liquid crystal are mentioned, for example. Especially, a nematic type liquid crystal is preferable, for example, a Schiff base type liquid crystal, a subfamily clock liquid crystal, a biphenyl type liquid crystal, a phenyl cyclohexane type liquid crystal, an ester type liquid crystal, a terphenyl type liquid crystal, a biphenyl cyclohexane type liquid crystal, a pyrimi Din type liquid crystals, dioxane type liquid crystals, bicyclooctane type liquid crystals, cuban type liquid crystals, etc. are used. In addition, these liquid crystals are, for example, cholesteric liquid crystals such as cholesteryl chloride, cholesteryl nonate, cholesteryl carbonate, and trade names "C-15" and "CB-15" (manufactured by Merck). The chiral agent etc. which are sold can also be added and used. Ferroelectric liquid crystals such as p-decyloxybenzylidene-p-amino-2-methylbutylcinnamate can also be used.

액정 셀의 외측에 사용되는 편광판으로서는, 폴리비닐알코올을 연신 배향시키면서 요오드를 흡수시킨 H막이라 불리는 편광막을 아세트산셀룰로오스 보호막으 로 끼운 편광판 또는 H막 그 자체로 이루어지는 편광판 등을 들 수 있다. As a polarizing plate used on the outer side of a liquid crystal cell, the polarizing plate etc. which made the polarizing film called H film | membrane which absorbed iodine while extending | stretching orientation of polyvinyl alcohol by the cellulose acetate protective film, or the polarizing plate which consists of H film itself are mentioned.

<실시예> <Example>

이하에 합성예, 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다. Although a synthesis example and an Example are shown to the following and this invention is demonstrated to it further more concretely, this invention is not limited to a following example.

하기 중합체의 합성예에 있어서 합성한 중합체에 대하여 겔 투과 크로마토그래피를 이하의 조건하에서 측정하여 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)을 구하고, 분자량 분포(Mw/Mn)를 산출하였다. Gel permeation chromatography was measured on the polymer synthesize | combined in the synthesis example of the following polymer on the following conditions, the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of polystyrene conversion are calculated | required, and molecular weight distribution (Mw / Mn) is calculated | required. Calculated.

장치: GPC-l01(쇼와 덴꼬(주) 제조)Apparatus: GPC-l01 (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.)

칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합 Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803, and GPC-KF-804

이동상: 인산 0.5 중량%를 포함하는 테트라히드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran containing 0.5 wt% phosphoric acid

(I) 제1 조성물의 제조 및 평가(I) Preparation and Evaluation of the First Composition

중합체의 Polymer 합성예Synthesis Example

합성예Synthesis Example 1 One

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 분자량 제어제로서 테트라에틸티우람디술피드 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 디에틸에테르 200 중량부를 넣고, 이어서 스티렌 20 중량부, 메타크릴산 17 중량부, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 18 중량부 및 메타크릴산글리시딜 45 중량부를 투입하여 질소 치환한 후, 서서히 교반하면서 반응 용액을 70 ℃로 승온하고, 이 온도를 유지하여 4 시간 중합하였다. 그 후, 2,2'-아조비스 (2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 추가하여 3 시간 더 중합을 계속함으로써 공중합체를 함유하는 용액을 얻었다. 이 수지는 Mw=12,000, Mw/Mn=1.60이었다. 이 수지를 「수지(A-1)」이라 한다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide as a molecular weight control agent, and diethylene glycol diethyl ether in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. 200 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of styrene, 17 parts by weight of methacrylic acid, 18 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate and 45 parts by weight of glycidyl methacrylate And nitrogen-substituted, the reaction solution was heated to 70 ° C while gradually stirring, and maintained at this temperature to polymerize for 4 hours. Then, 3 weight part of 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile) was added, and superposition | polymerization was continued for 3 hours and the solution containing a copolymer was obtained. This resin was Mw = 12,000 and Mw / Mn = 1.60. This resin is called "resin (A-1)."

합성예Synthesis Example 2 2

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 분자량 제어제로서 테트라에틸티우람디술피드 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 디에틸에테르 200 중량부를 넣고, 계속해서 스티렌 5 중량부, 메타크릴산 16 중량부, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 34 중량부, 메타크릴산글리시딜 35 중량부 및 메틸글리시딜메타크릴레이트 5 중량부를 투입하여 질소 치환한 후 서서히 교반을 시작하였다. 용액의 온도를 70 ℃로 상승시켜 이 온도를 8 시간 유지한 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 추가하여 70 ℃에서 4 시간 교반을 더 실시하고, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르 200 중량부를 추가하여 공중합체(A-2)를 함유하는 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체(A-2)의 Mw는 12,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.40이었다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide as a molecular weight control agent, and diethylene glycol diethyl ether in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. 200 parts by weight of styrene, 5 parts by weight of styrene, 16 parts by weight of methacrylic acid, 34 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate, 35 parts by weight of glycidyl methacrylate 5 parts by weight of methylglycidyl methacrylate was added thereto, followed by nitrogen substitution, and stirring was started slowly. After raising the temperature of the solution to 70 DEG C and maintaining this temperature for 8 hours, 3 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added, followed by further stirring at 70 DEG C for 4 hours. , 200 parts by weight of diethylene glycol ethylmethyl ether was added to obtain a solution containing a copolymer (A-2). Mw of the obtained copolymer (A-2) was 12,000 and molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.40.

비교 compare 합성예Synthesis Example 1 One

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 220 중량부를 넣고, 계속해서 스티렌 20 중량부, 메타크릴산 17 중량부, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 18 중량부 및 메타크릴산글리시딜 45 중량부를 투입하여 질소 치환한 후, 서서히 교반하면서 반응 용액의 온도를 70 ℃로 상승시켜 이 온도를 4 시간 유지하여 중합함으로써 공중합체를 포함하는 용액을 얻었다. 이 용액의 고형분 농도는 29.5 중량%이고, 얻어진 공중합체의 Mw는 13,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.4이고, 잔류 단량체는 7 %였다. 이 공중합체를 「공중합체(a-1」이라 한다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether were added to a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, followed by 20 parts by weight of styrene and methacryl 17 parts by weight of acid, 18 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate, and 45 parts by weight of glycidyl methacrylate were substituted for nitrogen, followed by temperature stirring. Was heated to 70 deg. C and maintained at this temperature for 4 hours to obtain a solution containing a copolymer. Solid content concentration of this solution was 29.5 weight%, Mw of the obtained copolymer was 13,000, molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.4, and residual monomer was 7%. This copolymer is called "copolymer (a-1").

실시예Example 1 One

감방사선성Radiation 수지 조성물의 제조 Preparation of Resin Composition

(A) 성분으로서 상기 합성예에서 합성한 중합체(A-1)을 함유하는 용액을 중합체(A-1) 100 중량부(고형분)에 상당하는 양, (B) 성분으로서 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 100 중량부 및 (C) 성분으로서 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 8 중량부 및 접착 보조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5 중량부, 계면 활성제로서 FTX-218(상품명, (주)네오스 제조) 0.5 중량부 및 보존 안정제로서 4-메톡시페놀 0.5 중량부를 혼합하고, 조성물의 고형분 농도가 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트를 첨가하여 용해시킨 후, 공경 0.5 ㎛의 밀리포어 필터로 여과하여 조성물 용액을 제조하였다. A solution containing the polymer (A-1) synthesized in Synthesis Example as component (A) in an amount corresponding to 100 parts by weight (solid content) of polymer (A-1), and dipentaerythritol hexaacrylic as (B) component 8 parts by weight of 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole as 100 parts by weight and (C) component and γ-gly as an adhesion aid 5 parts by weight of cydoxypropyltrimethoxysilane, 0.5 parts by weight of FTX-218 (trade name, manufactured by Neos) as a surfactant, and 0.5 parts by weight of 4-methoxyphenol as a storage stabilizer were mixed, and the solid content concentration of the composition was 20 After dissolving by adding propylene glycol monomethyl ether acetate to a weight%, the composition solution was prepared by filtration with a Millipore filter having a pore size of 0.5 mu m.

상기와 동일하게 하여 제조한 조성물 용액의 평가를 이하와 같이 행하였다. Evaluation of the composition solution manufactured similarly to the above was performed as follows.

스페이서의Spacer 형성 formation

무알칼리 유리 기판 상에 스피너를 이용하여 상기 조성물 용액을 도포한 후, 90 ℃의 핫 플레이트 상에서 3 분간 프리베이킹하고, 막 두께 6.0 ㎛의 피막을 형성하였다. After apply | coating the said composition solution using a spinner on the alkali free glass substrate, it prebaked for 3 minutes on the 90 degreeC hotplate, and formed the film of 6.0 micrometers in film thicknesses.

이어서, 얻어진 피막에 각 변이 10 ㎛인 잔여 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 365 nm에서의 강도가 250 W/m2인 자외선을 10 초간 조사하였다. 그 후, 수산화칼륨의 0.05 중량% 수용액에 의해 25 ℃에서 60 초간 현상한 후, 순수한 물로 1 분간 세정하였다. 또한, 오븐 중, 150 ℃에서 120 분간 포스트베이킹함으로써 소정 패턴을 갖는 스페이서를 형성하였다. Subsequently, the obtained film was irradiated with ultraviolet light having an intensity of 250 W / m 2 at 365 nm for 10 seconds through a photomask having a residual pattern of 10 μm each side. Thereafter, the solution was developed at 25 ° C. for 60 seconds with a 0.05% by weight aqueous solution of potassium hydroxide, and then washed with pure water for 1 minute. In addition, the spacer which has a predetermined | prescribed pattern was formed by post-baking at 150 degreeC for 120 minutes in oven.

해상도의 평가Evaluation of the resolution

상기 「스페이서의 형성」에 있어서 패턴을 형성했을 때, 잔여 패턴이 해상된 경우를 양호(○), 해상되지 않은 경우를 불량(×)이라고 평가하였다. 상기에서 제조한 조성물의 해상도는 양호하였다. When the pattern was formed in the above-mentioned "formation of spacer", the case where the residual pattern was resolved was evaluated as good (○) and the case where it was not resolved as defective (x). The resolution of the composition prepared above was good.

감도의 평가Evaluation of sensitivity

상기 「스페이서의 형성」에서 얻은 패턴에 대하여 현상 후의 잔막률(현상 후의 막 두께/초기 막 두께×100(%))을 산출하였다. 이 값이 90 % 이상인 경우를 양호(○), 90 % 미만인 경우를 불량(×)이라고 평가한 결과, 상기에서 제조한 조성물의 감도는 양호하였다. The residual film rate (film thickness after development / initial film thickness x 100 (%) after development) of the pattern obtained by said "formation of spacer" was computed. As a result of evaluating the case where this value is 90% or more as good ((circle)) and the case where it is less than 90% as bad (x), the sensitivity of the composition produced above was favorable.

패턴 형상의 평가Evaluation of pattern shape

상기 「스페이서의 형성」에서 얻은 패턴의 단면 형상을 주사형 전자 현미경으로 관찰하여 도 1에 나타내는 A 내지 D 중 어디에 해당하는가에 의해 평가하였다. 이 때, A 또는 B와 같이 패턴 엣지가 순테이퍼 형상 또는 수직 형상인 경우에는, 스페이서로서의 패턴 형상이 양호하다고 할 수 있다. 이에 대하여 C에 나타낸 바와 같이 감도가 불충분하며 잔막률이 낮고, 단면적이 A 또는 B에 비교하여 작고, 단면 형상의 저면이 평면인 반볼록 렌즈상인 경우에는 스페이서로서의 패턴 형상이 불량이며, 또한 D에 나타낸 바와 같이 단면 형상이 역테이퍼 형상인 경우에도 후의 러빙 처리시에 패턴이 박리될 우려가 매우 크기 때문에 스페이서로서의 패턴 형상을 불량이라고 하였다. The cross-sectional shape of the pattern obtained by said "formation of spacer" was observed with the scanning electron microscope, and it evaluated by which of A-D shown in FIG. At this time, when the pattern edge is a forward taper shape or a vertical shape like A or B, it can be said that the pattern shape as a spacer is favorable. On the other hand, as shown in C, when the sensitivity is insufficient, the residual film ratio is low, the cross-sectional area is small compared to A or B, and the bottom surface of the cross-sectional shape is a flat convex lens shape, the pattern shape as a spacer is poor, and As shown, even when the cross-sectional shape was an inverted taper shape, the pattern shape as a spacer was regarded as defective because there was a high possibility that the pattern would peel off during the subsequent rubbing treatment.

상기에서 제조한 조성물로부터 형성한 스페이서의 단면 형상은 B이고, 단면 형상은 양호하였다. The cross-sectional shape of the spacer formed from the composition produced above was B, and the cross-sectional shape was favorable.

압축 강도의 평가Evaluation of compressive strength

상기 「스페이서의 형성」에서 얻은 패턴에 대하여 미소 압축 시험기((주)시마즈 세이사꾸쇼 제조, 형식「MCTM-200」)를 이용하여 직경 50 ㎛의 평면 압자에 의해 10 mN의 하중을 가했을 때의 변형량을 측정 온도 23 ℃에서 측정하였다. 이 값이 0.5 ㎛ 이하일 때, 압축 강도는 양호하다고 할 수 있다. When a load of 10 mN was applied to a pattern obtained in the above-described "Formation of spacer" by a planar indenter having a diameter of 50 µm using a micro compression tester (manufactured by Shimadzu Corporation, model "MCTM-200"). The deformation amount was measured at a measurement temperature of 23 ° C. When this value is 0.5 micrometer or less, it can be said that compressive strength is favorable.

상기에서 제조한 조성물로부터 형성한 스페이서의 변형량은 0.41 ㎛이고, 압축 강도는 양호하였다. The deformation amount of the spacer formed from the composition prepared above was 0.41 mu m, and the compressive strength was good.

러빙Loving 내성의 평가 Assessment of tolerance

상기 「스페이서의 형성」과 같이 하여 패턴을 형성한 기판에 액정 배향제(JSR(주) 제조, 상품명「AL3046」)을 액정 배향막 도포용 인쇄기를 이용하여 도포한 후, 180 ℃에서 1 시간 가열하여, 가열 후 막 두께 0.05 ㎛의 배향제의 도막을 형성하였다. 그 후, 이 도막에 대하여 폴리아미드제 천을 권취한 롤을 갖는 러빙 머신을 이용하여 롤의 회전수 500 rpm 및 스테이지의 이동 속도 1 cm/초의 조건하 에서 러빙 처리를 행하였다. 이 때, 패턴의 절삭(削) 또는 박리의 유무를 조사하였다. After apply | coating a liquid crystal aligning agent (JSR Corporation make, brand name "AL3046") to the board | substrate with which the pattern was formed like the said "formation of spacer" using the printing machine for liquid crystal aligning film coating, it heats at 180 degreeC for 1 hour, After the heating, a coating film of an alignment agent having a thickness of 0.05 μm was formed. Then, the rubbing process was performed on the coating film on the conditions of the rotation speed of a roll of 500 rpm, and the moving speed of 1 cm / sec of the stage using the rubbing machine which has the roll wound up the polyamide cloth. At this time, the presence or absence of cutting or peeling of the pattern was examined.

상기에서 제조한 조성물로부터 형성된 패턴을 갖는 기판에 대해서는 패턴의 절삭 또는 박리는 관찰되지 않았다. No cutting or peeling of the pattern was observed for the substrate having the pattern formed from the composition prepared above.

밀착성의 평가Evaluation of adhesion

잔여 패턴의 마스크를 사용하지 않은 것 이외에는, 상기 「스페이서의 형성」과 동일하게 실시하여 경화막을 형성하였다. 여기서 형성한 경화막에 대하여 JIS K-5400(1900) 8.5의 부착성 시험 중 8.5ㆍ2의 바둑판 눈 테이프법에 의해 밀착성을 평가하였다. 100개의 바둑판 눈 중 남은 바둑판 눈의 수는 100이었다. Except not using the mask of a residual pattern, it carried out similarly to said "formation of a spacer," and formed the cured film. The adhesiveness of the cured film formed here was evaluated by the 8.5.2 checker eye tape method in the adhesion test of JISK-5400 (1900) 8.5. The remaining number of checkerboard eyes was 100.

승화물의Sublimation 평가 evaluation

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기 조성물 용액을 도포한 후, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 캐논(주) 제조의 노광기(형식「PLA-501F」, 초고압 수은 램프)를 이용하여 적산 조사량이 3,000 J/m2가 되도록 노광하고, 노광 후의 기판을 클린 오븐 내에서 220 ℃에서 1 시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 상측에 1 센티 간격을 비워 냉각용 베어 실리콘 웨이퍼를 장착하고, 핫 플레이트 상에서 230 ℃, 1 시간의 가온 처리를 행하였다. 냉각용 베어 실리콘 웨이퍼를 교환하지 않고, 상기와 동일하게 하여 경화막을 별도로 형성한 실리콘 기판을 20장 연속으로 처리한 후, 베어 실리콘에 부착되어 있는 승화물의 유무를 육안으로 관찰 한 결과, 승화물은 확인되지 않았다. The composition solution was applied onto a silicon substrate using a spinner, and then prebaked at 90 ° C. on a hot plate for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was exposed using a Canon Inc. exposure machine (type "PLA-501F", ultra-high pressure mercury lamp) so as to have an integrated irradiation amount of 3,000 J / m 2 , and the substrate after exposure was exposed at 1 to 220 ° C in a clean oven. It heated for time and obtained the cured film. The bare silicon wafer for cooling was attached to the upper side of the obtained cured film by 1 centimeter space | interval, and 230 degreeC and the heat processing for 1 hour were performed on the hotplate. After continuously processing 20 sheets of the silicon substrate in which the cured film was formed separately in the same manner as described above without replacing the cooling bare silicon wafer, and visually observing the presence or absence of the sublimation adhered to the bare silicon, Not confirmed.

전압 유지율의 평가Evaluation of Voltage Retention

표면에 나트륨 이온의 용출을 방지하는 SiO2막이 형성되고, 또한 ITO(인듐- 산화주석 합금) 전극을 소정 형상으로 증착한 소다 유리 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하며, 90 ℃의 클린 오븐내에서 10 분간 프리베이킹를 행하여 막 두께 2.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 이어서,고압 수은 램프를 이용하여 포토마스크를 개재하지 않고서 도막에 365 nm, 405 nm 및 436 nm의 각 파장을 포함하는 방사선을 2,000 J/m2의 노광량으로 노광하였다. 또한 230 ℃에서 30 분간 포스트베이킹을 행하여 도막을 경화시켜 경화막을 형성하였다. The radiation-sensitive resin composition prepared above using a spinner was formed on a soda glass substrate on which a SiO 2 film was formed to prevent elution of sodium ions, and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode was deposited in a predetermined shape. It applied and prebaked for 10 minutes in 90 degreeC clean oven, and formed the coating film of 2.0 micrometers in thickness. Subsequently, a high pressure mercury lamp was used to expose the radiation containing the wavelengths of 365 nm, 405 nm and 436 nm to the coating film at an exposure amount of 2,000 J / m 2 without interposing a photomask. Furthermore, it post-baked at 230 degreeC for 30 minutes, hardened the coating film, and formed the cured film.

이어서, 이 경화막을 갖는 기판과, 표면에 ITO 전극을 소정 형상으로 증착하기만 한 소다 유리 기판을 대향시켜, 액정 주입구를 남기고 4변을 0.8 mm의 글래스 비드를 혼합한 시일제를 이용하여 접합하며, 머크사 제조 액정 MLC6608(상품명)을 주입한 후에 액정 주입구를 밀봉함으로써 액정 셀을 제조하였다. Subsequently, the substrate having this cured film and the soda glass substrate which just deposited the ITO electrode to a predetermined shape on the surface are opposed to each other, and the four sides are bonded together using a sealing agent mixed with 0.8 mm glass beads, leaving a liquid crystal injection hole. After inject | pouring the liquid crystal MLC6608 (brand name) by a Merck company, the liquid crystal cell was produced by sealing a liquid crystal injection port.

이 액정 셀을 60 ℃의 항온층에 넣고, (주)도요 테크니카 제조 액정 전압 유지율 측정 시스템 VHR-1A형(상품명)에 의해 인가 전압을 5.5 V 방형파로 하고, 측정 주파수를 60 Hz로 하여 액정 셀의 전압 유지율을 측정한 결과, 전압 유지율은 97 %였다. 또한, 여기서 전압 유지율이란 하기 수학식 1로 표시되는 값이다. The liquid crystal cell was placed in a constant temperature layer at 60 ° C., and the applied voltage was 5.5 V square wave, and the measurement frequency was 60 Hz by the Toyo Technica Co., Ltd. liquid crystal voltage retention measuring system VHR-1A type (brand name). As a result of measuring the voltage retention, the voltage retention was 97%. In addition, a voltage retention is a value represented by following formula (1) here.

전압 유지율(%)=(16.7 밀리초 후의 액정 셀 전위차)/(0 밀리초로 인가한 전압)×100 Voltage retention (%) = (liquid crystal cell potential difference after 16.7 milliseconds) / (voltage applied at 0 milliseconds) × 100

액정 셀의 전압 유지율이 90 % 이하이면, 액정 셀은 16.7 밀리초의 시간, 인가 전압을 소정 수준으로 유지할 수 없으며 충분히 액정을 배향시킬 수 없는 것을 의미하고, 이러한 액정 셀은 「소부(燒付)」를 일으킬 우려가 높다. When the voltage retention of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell cannot keep the applied voltage at a predetermined level for a time of 16.7 milliseconds and cannot align the liquid crystal sufficiently, and such a liquid crystal cell is referred to as "splitting". High risk of causing.

실시예Example 2 내지 10 및  2 to 10 and 비교예Comparative example 1 One

상기 실시예 1의 「감방사선성 수지 조성물의 제조」에 있어서 (A), (B) 및 (C) 성분으로서 각각 표 1에 기재된 종류 및 양을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 조성물을 제조하여 평가하였다. 평가 결과를 표 2에 나타내었다. In the "production of a radiation sensitive resin composition" of Example 1, the composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and amounts shown in Table 1 were used as the components (A), (B) and (C), respectively. Was prepared and evaluated. The evaluation results are shown in Table 2.

또한, 표 1에 있어서 각 성분을 나타내는 약칭은 각각 이하를 의미한다. 또한, 성분의 종류 및 양이 「/」로 결합되어 있는 경우에는, 그의 성분으로서 복수개의 종류를 각각 표에 기재된 양씩 병용한 것을 나타낸다. 또한, 표 중의 「-」는 그 란에 상당하는 성분을 사용하지 않은 것을 나타낸다. In addition, abbreviated-name which shows each component in Table 1 respectively means the following. In addition, when the kind and quantity of a component are couple | bonded with "/", it shows what used multiple types together as the component by the quantity described in the table, respectively. In addition, "-" in a table | surface shows that the component corresponded to the column was not used.

(B) 성분 (B) component

B-1: 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트B-1: dipentaerythritol hexaacrylate

(C) 성분 (C) component

C-1: 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 C-1: 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole

C-2: 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 C-2: 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole

C-3: 2-메틸[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논C-3: 2-methyl [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone

C-4: 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1C-4: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1

감방사선 증감제 Radiation-sensitizer

H-1: 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 H-1: 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone

H-2: 2-머캅토벤조티아졸 H-2: 2-mercaptobenzothiazole

H-3: 펜타에리트리톨 테트라(머캅토아세테이트)H-3: pentaerythritol tetra (mercaptoacetate)

Figure 112006072504121-PAT00003
Figure 112006072504121-PAT00003

Figure 112006072504121-PAT00004
Figure 112006072504121-PAT00004

(II) 제2 조성물의 제조 및 평가(II) Preparation and Evaluation of the Second Composition

중합체의 Polymer 합성예Synthesis Example

합성예Synthesis Example 3 3

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 분자량 제어제로서 테트라에틸티우람디술피드 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 디에틸에테르 200 중량부를 넣고, 이어서 스티렌 20 중량부, 메타크릴산 20 중량부, 트리시클로[5,2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 20 중량부 및 메타크릴산글리시딜 40 중량부를 투입하여 질소 치환한 후, 서서히 교반하면서 반응 용액을 70 ℃로 승온하여 이 온도를 유지하여 6 시간 중합하였다. 그 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 추가하여 3 시간 더 중합을 계속함으로써 공중합체(A-3)을 함유하는 용액을 얻었다. 중합체(A-3)은 Mw=11,000, Mw/Mn=1.60이었다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide as a molecular weight control agent, and diethylene glycol diethyl ether in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. 200 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of methacrylic acid, 20 parts by weight of tricyclo [5,2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate and 40 parts by weight of glycidyl methacrylate After the addition, nitrogen replacement was carried out, and the reaction solution was heated to 70 ° C. while gradually stirring to maintain this temperature and polymerized for 6 hours. Then, 3 weight part of 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile) was added, and superposition | polymerization was continued for 3 hours and the solution containing copolymer (A-3) was obtained. Polymer (A-3) had Mw = 11,000 and Mw / Mn = 1.60.

합성예Synthesis Example 4 4

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 분자량 제어제로서 테트라에틸티우람디술피드 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 디에틸에테르 200 중량부를 넣고, 계속해서 N-시클로헥실말레이미드 10 중량부, 스티렌 10 중량부, 메타크릴산 20 중량부, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 20 중량부 및 메타크릴산글리시딜 40 중량부를 투입하여 질소 치환한 후, 서서히 교반하면서 반응 용액을 70 ℃로 승온하고, 이 온도를 유지하여 6 시간 중합하였다. 그 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 추가하여 3 시간 더 중합을 계속함으로써 공중합체(A-4)를 함유하는 용액을 얻었다. 공중합체(A-4)는 Mw=12,000, Mw/Mn=1.70이었다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide as a molecular weight control agent, and diethylene glycol diethyl ether in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. 200 parts by weight of N-cyclohexylmaleimide, 10 parts by weight of styrene, 10 parts by weight of methacrylate, 20 parts by weight of methacrylic acid, 20 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate And 40 parts by weight of glycidyl methacrylate were substituted for nitrogen, and then the reaction solution was heated to 70 ° C while gradually stirring, and maintained at this temperature to polymerize for 6 hours. Then, the solution containing copolymer (A-4) was obtained by adding 3 weight part of 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile), and continuing superposition | polymerization for 3 hours. Copolymer (A-4) had Mw = 12,000 and Mw / Mn = 1.70.

합성예Synthesis Example 5 5

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 테트라에틸티우람디술피드(분자량 제어제) 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 200 중량부를 넣고, 계속해서 스티렌 10 중량부, 메타크릴산 20 중량부, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 20 중량부, 메타크릴산글리시딜 40 중량부 및 p-비닐벤질글리시딜에테르 10 중량부를 투입하여 질소 치환한 후, 서서히 교반하면서 반응 용액을 70 ℃로 승온하여 이 온도를 유지하여 6 시간 중합하였다. 그 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 4 중량부를 추가하여 3 시간 더 중합을 계속함으로써 공중합체(A-5)를 함유하는 용액을 얻었다. 공중합체(A-5)는 Mw=13,000, Mw/Mn=1.50이었다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide (molecular weight control agent) and diethylene glycol dimethyl ether in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer 200 parts by weight of styrene, 10 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of methacrylic acid, 20 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylmethacrylate, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate And 10 parts by weight of p-vinylbenzyl glycidyl ether were substituted for nitrogen, and then the reaction solution was heated to 70 ° C. while gradually stirring to maintain this temperature and polymerized for 6 hours. Then, 4 weight part of 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile) was added, and superposition | polymerization was continued for 3 hours and the solution containing copolymer (A-5) was obtained. Copolymer (A-5) had Mw = 13,000 and Mw / Mn = 1.50.

비교 compare 합성예Synthesis Example 2 2

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 8 중량부, 스티렌 20 중량부, 메타크릴산 20 중량부, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 20 중량부 및 메타크릴산글리시딜 40 중량부 및 디에틸렌글리콜 디에틸에테르 200 중량부를 넣어 질소 치환한 후, 서서히 교반을 시작하였다. 용액의 온도를 70 ℃로 상승시키고, 이 온도를 6 시간 유지하여 공중합체(a-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 8 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 20 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of methacrylic acid, tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] 20 parts by weight of decane-8-yl methacrylate, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate and 200 parts by weight of diethylene glycol diethyl ether were substituted with nitrogen, and then stirring was gradually started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C, and the temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (a-2).

공중합체(a-2)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 9,500, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.4였다. The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (a-2) was 9,500 and molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.4.

실시예 11Example 11

감방사선성Radiation 수지 조성물의 제조 Preparation of Resin Composition

중합체(A-3)을 함유하는 용액을 중합체(A-3)의 고형분 100 중량부에 상당하는 양, 및 (D) 성분으로서 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드(2.0 몰)의 축합물 30 중량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30 중량%가 되도록 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르에 용해시킨 후, 직경 0.2 ㎛의 멤브레인 필터로 과하여 감방사선성 수지 조성물의 용액을 제조하였다. The solution containing the polymer (A-3) is equivalent to 100 parts by weight of solids of the polymer (A-3), and 4,4 '-[1- [4- [1- [4- as a component (D) 30 parts by weight of a condensate of hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol) was mixed to obtain a solid content concentration. After dissolving in diethylene glycol ethyl methyl ether so that it may be 30 weight%, the solution of the radiation sensitive resin composition was prepared by excess with the membrane filter of diameter 0.2micrometer.

층간 절연막으로서의 성능 평가Performance evaluation as an interlayer insulating film

상기와 같이 제조한 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 이하와 같이 층간 절연막으로서의 각종 특성을 평가하였다. The various characteristics as an interlayer insulation film were evaluated as follows using the radiation sensitive resin composition manufactured as mentioned above.

감도의 평가Evaluation of sensitivity

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 소정의 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해 캐논(주) 제조, PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 노광 시간을 변화시켜 노광을 행한 후, 농도 0.4 중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로써 25 ℃에서 90 초간 퍼들법으로 현상하였다. 초순수로 1 분간 유수 세정을 행하여 건조시켜 실리콘 기판 상에 패턴을 형성하였다. 이 때, 3.0 ㎛의 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스(10 대 1)의 스페이스ㆍ패턴이 완전히 용해되기 위해서 필요한 노광량을 조사하였다. 이 값을 감도로서 평가한 결과, 550 J/m2였다. 이 값이 1,000 J/m2 이하인 경우에 감도가 양호하다고 말할 수 있다. The above-mentioned radiation sensitive resin composition was apply | coated on the silicon substrate using the spinner, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film of 3.0 micrometers in thickness. After exposure by changing exposure time with Canon Co., Ltd. product, PLA-501F exposure machine (ultra-high pressure mercury lamp) through the pattern mask which has a predetermined | prescribed pattern to the obtained coating film, it is exposed to tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 0.4 weight% of concentration. It developed by the puddle method at 25 degreeC for 90 second. Flowing water was washed for 1 minute with ultrapure water and dried to form a pattern on the silicon substrate. At this time, the exposure amount required in order to completely dissolve the space pattern of the line-and-space (10: 1) of 3.0 micrometers was investigated. As a result of evaluating this value as a sensitivity, it was 550 J / m <2> . When this value is 1,000 J / m <2> or less, it can be said that a sensitivity is favorable.

현상 마진의 평가Evaluation of developing margin

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 3.0 ㎛의 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스(10 대 1)의 패턴을 갖는 마스크를 통해 캐논(주) 제조, PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)를 사용하여 상기 「감도의 평가」로써 측정한 감도의 값에 상당하는 노광량으로 노광을 행하였다. 그 후, 농도 0.4 중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 사용하여 25 ℃에서 현상 시간을 변량으로 하여 퍼들법으로 현상하였다. 이어서, 초순수로 1 분간 유수 세정을 행하고, 건조시켜 웨이퍼 상에 패턴을 형성하였다. 이 때, 라인 선폭이 3 ㎛가 되는 데 필요한 현상 시간을 최적 현상 시간으로 하여 조사한 결과, 60 초였다. 또한, 이 최적 현상 시간으로부터 더욱 현상을 계속한 경우에 3.0 ㎛의 라인ㆍ패턴이 박리되기까지의 시간을 현상 마진으로서 측정한 결과, 30 초였다. 이 값이 30 초 이상일 때, 현상 마진은 양호하다고 할 수 있다. The above-mentioned radiation sensitive resin composition was apply | coated on the silicon substrate using the spinner, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film of 3.0 micrometers in thickness. The obtained coating film was measured by the said "evaluation of sensitivity" using Canon Inc. make, PLA-501F exposure machine (ultra-high pressure mercury lamp) through the mask which has a pattern of a line and space (10 to 1) of 3.0 micrometers. The exposure was performed at an exposure amount corresponding to the value of sensitivity. Thereafter, using a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution having a concentration of 0.4% by weight, development was carried out by a puddle method at 25 ° C with a variable development time. Subsequently, flowing water was washed for 1 minute with ultrapure water, and dried to form a pattern on the wafer. At this time, it was 60 second as a result of investigating developing time required for line line width to be 3 micrometers as an optimal developing time. Moreover, when developing was further continued from this optimum developing time, it was 30 second when the time until the 3.0 micrometer line / pattern peeled was measured as a developing margin. When this value is 30 seconds or more, the development margin can be said to be good.

내용제성의Solvent-resistant 평가 evaluation

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 캐논(주) 제조의 노광기(형식「PLA-5O1F」(초고압 수은 램프))를 이용하여 적산 조사량이 3,000 J/m2가 되도록 노광하였다. 노광 후의 실리콘 기판을 클린 오븐내에서 220 ℃에서 1 시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 막 두께(T1)을 측정한 결과, 2.3 ㎛였다. 이 경화막이 형성된 실리콘 기판을 70 ℃로 온도 제어된 디메틸술폭시드 중에 20 분간 침지한 후, 상기 경화막의 막 두께(t1)을 측정하고, 침지에 의한 막 두께 변화율{|t1-T1|/T1}×100(%)을 산출한 결과, 0.1 %였다. 이 값이 5 % 이하일 때, 내용제성은 양호하다고 할 수 있다. The above-mentioned radiation sensitive resin composition was apply | coated on the silicon substrate using the spinner, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film of 3.0 micrometers in thickness. The obtained coating film was exposed so that the integrated irradiation amount might be 3,000 J / m 2 using an Canon exposure machine (type "PLA-5O1F" (ultra high pressure mercury lamp)). The silicon substrate after exposure was heated in 220 degreeC for 1 hour in the clean oven, and the cured film was obtained. It was 2.3 micrometers when the film thickness (T1) of the obtained cured film was measured. The silicon substrate on which this cured film was formed was immersed in dimethyl sulfoxide for 20 minutes in temperature control, and the film thickness t1 of the cured film was measured, and the film thickness change rate by immersion {| t1-T1 | / T1} It was 0.1% as a result of calculating x100 (%). When this value is 5% or less, it can be said that solvent resistance is favorable.

또한, 내용제성의 평가에서는 형성되는 막의 패터닝은 불필요하기 때문에, 방사선 조사 공정 및 현상 공정은 생략하고 도막 형성 공정, 포스트베이킹 공정 및 가열 공정만 행하여 평가에 사용하였다. In addition, since the patterning of the film formed is unnecessary in evaluation of solvent resistance, the irradiation process and the image development process were abbreviate | omitted, and only the coating film formation process, the postbaking process, and the heating process were used for evaluation.

내열성의 평가Evaluation of heat resistance

상기 내용제성의 평가와 동일하게 하여 경화막을 형성하고, 얻어진 경화막의 막 두께(T2)를 측정한 결과, 2.3 ㎛였다. 이어서, 이 경화막이 부착된 기판을 클린 오븐내에서 240 ℃에서 1 시간 추가 베이킹한 후, 상기 경화막의 막 두께(t2)를 측정하고, 추가 소성에 의한 막 두께 변화율{|t2-T2|/T2}×100(%)을 산출한 결과, 0 %였다. 이 값이 5 % 이하일 때, 내용제성은 양호하다고 할 수 있다. It was 2.3 micrometers when the film thickness (T2) of the cured film obtained by forming a cured film similarly to the evaluation of the said solvent resistance was measured. Subsequently, after further baking this board | substrate with a cured film at 240 degreeC in clean oven for 1 hour, the film thickness t2 of the said cured film was measured, and the film thickness change rate by further baking {| t2-T2 | / T2 } X 100 (%) was calculated, and the result was 0%. When this value is 5% or less, it can be said that solvent resistance is favorable.

투명성의 평가Evaluation of transparency

상기 내용제성의 평가에서 실리콘 기판 대신에 유리 기판 「코닝 7059」(코닝사 제조)를 사용한 것 이외에는 동일하게 실시하여 유리 기판 상에 경화막을 형성하였다. 이 경화막을 갖는 유리 기판의 광선 투과율을 분광 광도계「150-20형 더블빔((주) 히따찌 세이사꾸쇼 제조)」를 이용하여 참조측 셀에 막을 갖지 않는 코닝 7059를 장전하여 400 내지 800 nm 범위의 파장으로 측정하였다. 이 때의 최저 광선 투과율의 값을 조사한 결과, 92 %였다. 이 값이 90 % 이상일 때, 투명성은 양호하다고 할 수 있다. The evaluation of the said solvent resistance was performed similarly except having used the glass substrate "Corning 7059" (made by Corning Corporation) instead of the silicon substrate, and the cured film was formed on the glass substrate. The light transmittance of the glass substrate having this cured film was loaded with a Corning 7059 having no film in the reference cell using a spectrophotometer "150-20 type double beam (manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.), 400-800 nm. Measured in the wavelength range. It was 92% when the value of the minimum light transmittance at this time was examined. When this value is 90% or more, it can be said that transparency is favorable.

비유전율의Relative dielectric constant 평가 evaluation

연마한 SUS304제 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 캐논(주) 제조의 노광기, 형식「PLA-501F」(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 3,000 J/m2가 되도록 노광하여 이 기판을 클린 오븐내에서 220 ℃에서 1 시간 가열함으로써 경화막을 얻었다. The radiation sensitive resin composition prepared above was apply | coated using the spinner on the polished SUS304 board | substrate, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film of 3.0 micrometers in film thicknesses. The obtained coating film was exposed to a cumulative irradiation amount of 3,000 J / m 2 using an Canon exposure machine, model "PLA-501F" (ultra-high pressure mercury lamp), and the substrate was cured by heating at 220 캜 for 1 hour in a clean oven. A membrane was obtained.

이 경화막 상에 증착법에 의해 Pt/Pd 전극 패턴을 형성하여 유전율 측정용 샘플을 제조하였다. 상기 기판에 대하여 요코가와ㆍ휴렛 팩커드(주) 제조, HP16451B 전극 및 HP4284A 프레시젼 LCR 미터를 이용하여 CV법에 의해 주파수 10 kHz에서의 비유전율을 측정한 결과, 비유전율은 3.3이었다. 이 값이 3.6 이하일 때, 비유전율은 양호하다고 할 수 있다. The Pt / Pd electrode pattern was formed on this cured film by the vapor deposition method, and the sample for dielectric constant measurement was manufactured. The relative dielectric constant of the substrate was measured at a frequency of 10 kHz using a CV method using a Yokogawa Hewlett-Packard Co., Ltd. product, an HP16451B electrode, and an HP4284A Precision LCR meter, and the relative dielectric constant was 3.3. When this value is 3.6 or less, it can be said that the dielectric constant is good.

또한, 비유전율의 평가에서는 형성되는 막의 패터닝은 불필요하기 때문에, 방사선 조사 공정 및 현상 공정은 생략하고 도막 형성 공정, 포스트베이킹 공정 및 가열 공정만 행하여 평가에 사용하였다. In addition, since the patterning of the film formed is unnecessary in the evaluation of the dielectric constant, only the coating film formation process, the postbaking process, and the heating process were used for evaluation, omitting the irradiation process and the development process.

승화물의Sublimation 평가 evaluation

상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 실시예 1과 동일하게 하여 평가한 결과, 승화물은 확인되지 않았다. As a result of evaluating similarly to Example 1 using the radiation sensitive resin composition manufactured above, a sublimation was not confirmed.

전압 유지율의 평가Evaluation of Voltage Retention

상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 실시예 1과 동일하게 하여 평가한 결과, 전압 유지율은 97 %였다. As a result of evaluation in the same manner as in Example 1 using the radiation-sensitive resin composition prepared above, the voltage retention was 97%.

실시예Example 12 내지 15 및  12 to 15 and 비교예Comparative example 2 2

실시예 11에 있어서 (A) 성분 및 (D) 성분으로서 표 3에 기재된 대로의 종류, 양을 사용한 것 이외에는, 실시예 11과 동일하게 하여 감방사선성 수지 조성물을 제조하여 평가하였다. 평가 결과를 표 4에 나타내었다. In Example 11, the radiation sensitive resin composition was produced and evaluated similarly to Example 11 except having used the kind and quantity as described in Table 3 as (A) component and (D) component. The evaluation results are shown in Table 4.

또한, 실시예 15에 있어서는 기판 상에 도막을 형성할 때는 스핀 코팅법 대신에 슬릿 다이 코터를 이용하는 도포법을 이용하였다. In addition, in Example 15, when forming a coating film on the board | substrate, the coating method using a slit die coater was used instead of the spin coating method.

표 3 중, 성분의 약칭은 각각 다음 것을 의미한다. In Table 3, the abbreviation of a component means the following, respectively.

(D) 성분(D) component

(D-1): 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드(2.0 몰)의 축합물(D-1): 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphtho Condensate of quinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 moles)

(D-2): 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드(1.0 몰)의 축합물(D-2): 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphtho Condensate of quinonediazide-5-sulfonic acid chloride (1.0 mole)

(D-3): 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-(1.0 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산에스테르(2.44 몰)(D-3): 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone- (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid ester (2.44 mol)

(D-4): 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산클로라이드(2.0 몰)의 축합물 (D-4): 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphtho Condensate of quinonediazide-4-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

Figure 112006072504121-PAT00005
Figure 112006072504121-PAT00005

Figure 112006072504121-PAT00006
Figure 112006072504121-PAT00006

실시예Example 16 16

감방사선성Radiation 수지 조성물의 제조 Preparation of Resin Composition

중합체(A-3)을 함유하는 용액을 중합체(A-3)의 고형분 100 중량부에 상당하는 양, 및 (D) 성분으로서 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0 몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드(2.0 몰)의 축합물 20 중량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30 중량%가 되도록 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르에 용해시킨 후, 직경 0.2 ㎛의 멤브레인 필터로 여과하여 감방사선성 수지 조성물의 용액을 제조하였다. The solution containing the polymer (A-3) is equivalent to 100 parts by weight of solids of the polymer (A-3), and 4,4 '-[1- [4- [1- [4- as a component (D) 20 parts by weight of a condensate of hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol) was mixed to obtain a solid content concentration. The solution was dissolved in diethylene glycol ethylmethyl ether so as to be 30% by weight, and then filtered through a membrane filter having a diameter of 0.2 µm to prepare a solution of radiation-sensitive resin composition.

마이크로렌즈로서의 성능 평가Performance Evaluation as a Micro Lens

상기와 같이 제조한 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 이하와 같이 마이크로렌즈로서의 각종 특성을 평가하였다. The various characteristics as a microlens were evaluated as follows using the radiation sensitive resin composition manufactured as mentioned above.

감도의 평가Evaluation of sensitivity

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 소정의 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해 니콘(주) 제조, NSR1755i7A 축소 투영 노광기(NA=0.50, λ=365 nm)로 노광 시간을 변화시켜 노광하고, 농도 0.4 중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로써 25 ℃, 1 분간 퍼들법으로 현상하였다. 물로 린스하여 건조시켜 실리콘 기판 상에 패턴을 형성하였다. 이 때, 0.8 ㎛ 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스 패턴(1 대 1)의 스페이스 선폭이 0.8 ㎛가 되는 데 필요한 노광량을 감도로서 조사한 결과, 600 J/m2였다. The above-mentioned radiation sensitive resin composition was apply | coated on the silicon substrate using the spinner, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film of 3.0 micrometers in thickness. The exposure time was changed and exposed by the Nikon Corporation make, NSR1755i7A reduction projection exposure machine (NA = 0.50, (lambda == 365 nm) through the pattern mask which has a predetermined | prescribed pattern to the obtained coating film, and tetramethylammonium hydroxide of 0.4 weight% of concentration. It developed by the puddle method at 25 degreeC as aqueous solution of rock seed for 1 minute. Rinse with water and dry to form a pattern on the silicon substrate. At this time, it was 600 J / m <2> when the exposure amount required for the space line width of a 0.8 micrometer line and space pattern (1 to 1) to be 0.8 micrometer was investigated as a sensitivity.

현상 마진의 평가Evaluation of developing margin

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 소정의 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해 니콘(주) 제조, NSR1755i7A 축소 투영 노광기(NA=0.50, λ=365 nm)로 상기 「감도의 평가」에서 측정한 감도의 값에 상당하는 노광량으로 노광을 행하고, 농도 0.4 중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 이용하여 25 ℃에서 현상 시간을 변량으로 하여 퍼들법으로 현상하였다. 물로 린스하여 건조시켜 실리콘 기판 상에 패턴을 형성하였다. 0.8 ㎛ 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스 패턴(1 대 1)의 스페이스 선폭이 0.8 ㎛가 되는 데 필요한 현상 시간을 최적 현상 시간으로 하여 조사한 결과, 60 초였다. 최적 현상 시간으로부터 더 현상을 계속한 경우에, 폭 0.8 ㎛의 패턴이 박리되기까지의 시간을 현상 마진으로 하여 측정한 결과, 30 초였다. 이 값이 30 초 이상일 때, 현상 마진은 양호하다고 말할 수 있다. The above-mentioned radiation sensitive resin composition was apply | coated on the silicon substrate using the spinner, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film of 3.0 micrometers in thickness. The exposure amount corresponding to the value of the sensitivity measured by the said "evaluation of sensitivity" with the Nikon Corporation make, NSR1755i7A reduction projection exposure machine (NA = 0.50, (lambda == 365 nm) through the pattern mask which has a predetermined | prescribed pattern in the obtained coating film It exposed and it developed by the puddle method at 25 degreeC using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 0.4 weight% of concentration as a variable. Rinse with water and dry to form a pattern on the silicon substrate. It was 60 second when the developing time required for the space line width of a 0.8 micrometer line and space pattern (1 to 1) to be 0.8 micrometer was made into the optimal developing time. In the case where further development was continued from the optimum development time, the time until the pattern having a width of 0.8 µm was peeled off was measured as the development margin, and found to be 30 seconds. When this value is 30 seconds or more, the development margin can be said to be good.

내용제성의Solvent-resistant 평가 evaluation

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 캐논(주) 제조의 노광기, 형식「PLA-5O1F」(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 3,000 J/m2가 되도록 노광하고, 이 실리콘 기판을 클린 오븐내에서 220 ℃에서 1 시간 가열하여 경화막을 얻었다. 여기서 얻어진 경화막의 막 두께(T3)을 측정한 결과, 2.3 ㎛였다. 이 경화막을 갖는 실리콘 기판을 50 ℃로 온도 제어된 이소프로필알코올 중에 10 분간 침지한 후, 상기 경화막의 막 두께(t3)을 측정하고, 침지에 의한 막 두께 변화율{|t3-T3|/T3}×100(%)을 산출한 결과, 0.1 %였다. 이 값이 5 % 이하일 때, 내용제성은 양호하다고 할 수 있다. The above-mentioned radiation sensitive resin composition was apply | coated on the silicon substrate using the spinner, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film of 3.0 micrometers in thickness. The obtained coating film was exposed using Canon's exposure machine and model "PLA-5O1F" (ultra-high pressure mercury lamp) so that the integrated irradiation amount was 3,000 J / m 2 , and the silicon substrate was heated at 220 ° C. for 1 hour in a clean oven. To obtain a cured film. It was 2.3 micrometers when the film thickness (T3) of the cured film obtained here was measured. After immersing the silicon substrate having this cured film in isopropyl alcohol temperature controlled at 50 ° C. for 10 minutes, the film thickness t3 of the cured film was measured, and the film thickness change rate by immersion {| t3-T3 | / T3} It was 0.1% as a result of calculating x100 (%). When this value is 5% or less, it can be said that solvent resistance is favorable.

또한, 내용제성의 평가에서는 형성되는 막의 패터닝은 불필요하기 때문에, 방사선 조사 공정 및 현상 공정은 생략하고 도막 형성 공정, 포스트베이킹 공정 및 가열 공정만 행하여 평가에 사용하였다. In addition, since the patterning of the film formed is unnecessary in evaluation of solvent resistance, the irradiation process and the image development process were abbreviate | omitted, and only the coating film formation process, the postbaking process, and the heating process were used for evaluation.

마이크로렌즈의 형성(마이크로렌즈 형상의 평가)Formation of microlenses (evaluation of microlens shape)

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하고, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 4.0 ㎛ 도트ㆍ2.0 ㎛ 스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해 니콘(주) 제조, NSR1755i7A 축소 투영 노광기(NA=0.50, λ=365 nm)로 상기 「감도의 평가」에서 측정한 감도의 값에 상당하는 노광량으로 노광을 행하여 농도 0.4 중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로써 25 ℃, 1 분간 퍼들법으로 현상하였다. 물로 린스하고, 건조시켜 실리콘 기판 상에 패턴을 형성하였다. 이어서, 캐논(주) 제조의 노광기, 형식「PLA-501F」(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 3,000 J/m2가 되도록 노광한 후, 핫 플레이트에 의해 160 ℃에서 10 분간 가열하고, 230 ℃에서 10 분간 더 가열하여 패턴을 용융시켜 마이크로렌즈를 형성하였다. The above-mentioned radiation sensitive resin composition was apply | coated on the silicon substrate using the spinner, and it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on the hotplate, and formed the coating film of 3.0 micrometers in thickness. The value of the sensitivity measured by said "evaluation of sensitivity" with the Nikon Corporation make, NSR1755i7A reduction projection exposure machine (NA = 0.50, (lambda == 365 nm) through the pattern mask which has a 4.0 micrometer dot and a 2.0 micrometer space pattern on the obtained coating film. It exposed at the exposure amount equivalent to, and developed by the puddle method at 25 degreeC for 1 minute as tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 0.4 weight% of concentration. Rinsed with water and dried to form a pattern on a silicon substrate. Subsequently, after exposing so that accumulated irradiation amount might be 3,000 J / m <2> by the Canon Inc. exposure machine and model "PLA-501F" (ultra high pressure mercury lamp), it heats at 160 degreeC for 10 minutes with a hotplate, and 230 degreeC The pattern was melted by further heating for 10 minutes at to form a microlens.

형성된 마이크로렌즈의 바닥부(기판에 접촉하는 면)의 치수(직경)을 측정한 결과 4.2 ㎛이고, 그의 단면 형상은 도 2(a)에 나타낸 바와 같은 반볼록 렌즈 형상이었다. 마이크로렌즈 바닥부의 치수가 4.0 ㎛ 초과 5.0 ㎛ 미만이고, 마이크로렌즈의 단면 형상이 도 2(a)와 같은 반볼록 렌즈 형상일 때, 마이크로렌즈 형상은 양호하다고 할 수 있다. 마이크로렌즈 바닥부의 직경이 5.0 ㎛ 이상인 경우에는 인접하는 렌즈끼리 접촉하는 상태이어서 바람직하지 않다. 또한, 마이크로렌즈의 단면 형상이 도 2(b)와 같은 거의 사다리꼴 형상인 경우에는 형상 불량이다. As a result of measuring the dimension (diameter) of the bottom portion (surface in contact with the substrate) of the formed microlens, the cross-sectional shape was a semi-convex lens shape as shown in Fig. 2A. When the dimension of the microlens bottom portion is more than 4.0 µm and less than 5.0 µm, and the cross-sectional shape of the microlens is a semi-convex lens shape as shown in Fig. 2A, the microlens shape can be said to be good. If the diameter of the microlens bottom is 5.0 µm or more, the adjacent lenses are in contact with each other, which is not preferable. Moreover, when the cross-sectional shape of a microlens is substantially trapezoidal shape like FIG.2 (b), it is a shape defect.

내열성의 평가, 투명성의 평가 및 Evaluation of heat resistance, evaluation of transparency and 승화물의Sublimation 평가 evaluation

이들 평가는 상기 층간 절연막으로서의 성능 평가에 있어서의 각각의 평가와 동일하게 하여 행하였다. 내열성 평가에 있어서의 경화 후 막 두께는 2.3 ㎛, 막 두께 변화율은 0 %이고, 투명성 평가에 있어서의 400 내지 800 nm 범위의 최저 광선 투과율은 92 %이고, 승화물 평가에 있어서 냉각용 베어 실리콘 표면에 승화물은 관찰되지 않았다. These evaluations were performed in the same manner as the respective evaluations in the performance evaluation as the interlayer insulating film. The film thickness after curing in heat resistance evaluation was 2.3 µm, the film thickness change rate was 0%, the minimum light transmittance in the range of 400 to 800 nm in the transparency evaluation was 92%, and the bare silicon surface for cooling in the sublimation evaluation was evaluated. No sublimates were observed.

실시예Example 17 내지 20 및  17 to 20 and 비교예Comparative example 3 3

실시예 16에 있어서 (A) 성분 및 (D) 성분으로서 각각 표 5에 기재된 대로의 종류, 양을 사용한 것 이외에는, 실시예 16과 동일하게 하여 감방사선성 수지 조성물을 제조하여 평가하였다. 평가 결과를 표 6에 나타내었다. In Example 16, the radiation sensitive resin composition was produced and evaluated similarly to Example 16 except having used the kind and quantity as shown in Table 5 as (A) component and (D) component, respectively. The evaluation results are shown in Table 6.

또한, 표 5에 있어서의 (D) 성분란의 약칭은 표 3의 것과 동일하다. In addition, abbreviated-name of (D) component column in Table 5 is the same as that of Table 3.

Figure 112006072504121-PAT00007
Figure 112006072504121-PAT00007

Figure 112006072504121-PAT00008
Figure 112006072504121-PAT00008

(III) 제5 조성물의 제조 및 평가(III) Preparation and Evaluation of the Fifth Composition

중합체의 Polymer 합성예Synthesis Example

합성예Synthesis Example 6 6

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 테트라에틸티우람디술피드(분자량 제어제) 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 디에틸에테르 200 중량부를 넣고, 이어서 메타크릴산글리시딜 80 중량부 및 스티렌 20 중량부를 투입하여 질소 치환하며 서서히 교반하면서 반응 용액을 70 ℃로 승온하고, 이 온도를 유지하여 6 시간 중합하였다. 그 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 추가하여 3 시간 더 중합을 계속함으로써 중합체(A-6)을 함유하는 용액을 얻었다. 이 중합체(A-6)은 Mw=12,000, Mw/Mn=1.60이었다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide (molecular weight control agent) and diethylene glycol diethyl in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer 200 parts by weight of ether was added, and then 80 parts by weight of glycidyl methacrylate and 20 parts by weight of styrene were added thereto, followed by nitrogen substitution, and the reaction solution was heated to 70 deg. C while stirring gradually, and maintained at this temperature for polymerization for 6 hours. Then, 3 weight part of 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile) was added, and superposition | polymerization was continued for 3 hours and the solution containing polymer (A-6) was obtained. This polymer (A-6) was Mw = 12,000 and Mw / Mn = 1.60.

비교 compare 합성예Synthesis Example 3 3

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7 중량부 및 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200 중량부를 넣고, 이어서 계속스티렌 50 중량부 및 메타크릴산글리시딜 50 중량부를 투입하여 질소 치환하고, 서서히 교반하여 반응 용액의 온도를 70 ℃로 상승시키며 이 온도를 유지하여 5 시간 중합함으로써 중합체(a-3)을 포함하는 용액을 얻었다. 중합체(a-3)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 14,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.8이었다. In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether were added, followed by 50 parts by weight of styrene and methacryl. 50 parts by weight of acid glycidyl was added thereto, nitrogen was substituted, and the mixture was slowly stirred to raise the temperature of the reaction solution to 70 ° C. and maintained at this temperature for polymerization for 5 hours to obtain a solution containing the polymer (a-3). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a-3) was 14,000, and molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

실시예Example 21 21

이액형Two-component 경화성 수지 조성물의 제조 Preparation of Curable Resin Composition

<제1액의 제조><Production of First Liquid>

(A') 성분으로서 상기 합성예 6에서 얻은 공중합체(A-6)을 포함하는 용액을 공중합체(A-6)의 고형분 100 중량부에 상당하는 양, (E) 성분으로서 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지 「에피코트 157S65」(상품명, 유까 쉘 에폭시(주) 제조) 10 중량부, 접착 보조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 15 중량부 및 계면 활성제로서 SH-28PA(도레이ㆍ다우코닝ㆍ실리콘(주) 제조) 0.1 중량부를 혼합하고, 또한 제1액 중의 고형분 농도가 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트를 첨가한 후, 공경 0.5 ㎛의 밀리포어 필터로 여과함으로써 제1액을 제조하였다. Bisphenol A novolac as an amount corresponding to 100 parts by weight of the solid content of the copolymer (A-6) and the solution containing the copolymer (A-6) obtained in Synthesis Example 6 as the component (A '). 10 parts by weight of the type epoxy resin `` Epicoat 157S65 '' (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), 15 parts by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as an adhesion aid, and SH-28PA (Toray Dow as a surfactant). 0.1 parts by weight of Corning Silicone Co., Ltd. were mixed, and propylene glycol monomethyl ether acetate was added so that the solid content concentration in the first liquid was 20% by weight, followed by filtration with a Millipore filter having a pore diameter of 0.5 µm. A liquid was prepared.

<제2액의 제조><Production of Second Liquid>

(F) 성분으로서 무수 트리멜리트산 35 중량부를 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 65 중량부에 용해시켜 제2액을 제조하였다. As the component (F), 35 parts by weight of trimellitic anhydride was dissolved in 65 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether to prepare a second liquid.

<경화성 수지 조성물의 제조> <Production of Curable Resin Composition>

상기 제1액 및 제2액을 혼합하여 조성물 용액을 제조하였다. 이 조성물 용액은 무색 투명하였다. The first solution and the second solution were mixed to prepare a composition solution. This composition solution was colorless and transparent.

경화성 수지 조성물의 평가Evaluation of Curable Resin Composition

얻어진 조성물 용액에 대하여 하기 요령으로 기판 상에 보호막을 형성하여 평가하였다. The obtained composition solution was evaluated by forming a protective film on the substrate as described below.

-보호막의 형성- Formation of protective film

SiO2 침지 유리 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 조성물 용액을 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 80 ℃에서 5 분간 프리베이킹하여 도막을 형성하고, 또한 오븐 중에서 230 ℃에서 60 분간 가열 처리하여 기판 상에 막 두께 2.0 ㎛의 보호막을 형성하였다. After applying the composition solution prepared above using a spinner on a SiO 2 immersed glass substrate, a pre-baked film was formed by prebaking at 80 ° C. for 5 minutes on a hot plate, and further subjected to heat treatment at 230 ° C. for 60 minutes in an oven. A protective film with a thickness of 2.0 mu m was formed on the film.

-보호막의 평가-Evaluation of protective film

투명성의 평가: Evaluation of Transparency:

보호막을 형성한 SiO2 침지 유리 기판에 대하여 분광 광도계 150-20형 더블빔(히타치 세이사꾸쇼(주) 제조)를 이용하여 보호막을 갖지 않는 SiO2 침지 유리 기판을 참조측 셀에 장전하여 파장 범위 400 내지 800 nm에서의 투과율(%)을 측정하고, 그의 최소치를 투명성으로서 평가한 결과, 99 %였다. 이 값이 95 % 이상일 때, 보호막의 투명성은 양호하다고 할 수 있다. A SiO 2 immersion glass substrate having no protective film was loaded on a reference cell using a spectrophotometer 150-20 type double beam (manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.) on a SiO 2 immersion glass substrate having a protective film formed thereon. It was 99% when the transmittance | permeability (%) in 400-800 nm was measured and the minimum value evaluated as transparency. When this value is 95% or more, it can be said that transparency of a protective film is favorable.

내열 치수 안정성의 평가: Evaluation of heat resistant dimensional stability:

보호막을 형성한 SiO2 침지 유리 기판에 대하여 오븐 중에서 250 ℃에서 1 시간 가열하고, 가열 전후의 막 두께를 측정하여 하기 수학식 2에 의해 산출한 값을 내열 치수 안정성으로서 평가한 결과, 99 %였다. 이 값이 95 % 이상일 때, 내열 치수 안정성은 양호하다고 할 수 있다. Results for 1 hour heating at 250 ℃ in an oven with respect to the SiO 2 immersing a glass substrate to form a protective film, and to measure the film thickness before and after heating evaluate the value calculated by equation (2) as a heat-resistant dimensional stability, 99% was . When this value is 95% or more, it can be said that heat-resistant dimensional stability is favorable.

내열 치수 안정성(%)=(가열 후의 막 두께)/(가열 전의 막 두께)×100Heat-resistant dimensional stability (%) = (film thickness after heating) / (film thickness before heating) * 100

내열 변색성의 평가: Evaluation of heat discoloration resistance:

보호막을 형성한 SiO2 침지 유리 기판에 대하여 오븐 중에서 250 ℃에서 1 시간 가열하고, 가열 전후의 파장 범위 400 내지 800 nm에서의 투과율을 측정하며 각각의 최소치를 이용하여 하기 수학식 3에 의해 산출한 값을 내열 변색성으로서 평가한 결과, 3 %였다. 이 값이 5 % 이하일 때, 내열 변색성은 양호하다고 할 수 있다. The SiO 2 immersed glass substrate on which the protective film was formed was heated in an oven at 250 ° C. for 1 hour, and the transmittance was measured in the wavelength range of 400 to 800 nm before and after heating, and was calculated by the following equation (3) using the respective minimum values. It was 3% when the value was evaluated as heat discoloration resistance. When this value is 5% or less, it can be said that heat discoloration resistance is favorable.

내열 변색성(%)=(가열 전의 투과율의 최소치)-(가열 후의 투과율의 최소치)Heat discoloration resistance (%) = (minimum value of transmittance before heating)-(minimum value of transmittance after heating)

표면 경도의 평가: Evaluation of Surface Hardness:

보호막을 형성한 SiO2 침지 유리 기판에 대하여 JIS K-5400-1990의 8.4.1 연필로 긁는 시험을 행하여 평가한 결과, 경도는 6H였다. 이 평가 결과가 4H 또는 그보다 딱딱할 때, 표면 경도는 양호하다고 할 수 있다. The hardness was 6H as a result of evaluating the SiO 2 immersion glass substrate which provided the protective film by the test of 8.4.1 pencil of JISK-5400-1990. When this evaluation result is 4H or harder, it can be said that surface hardness is favorable.

다이나믹 미소 경도의 평가: Evaluation of Dynamic Microhardness:

보호막을 형성한 SiO2 침지 유리 기판에 대하여 시마즈 다이나믹 미소 경도계 DUH-201((주)시마즈 세이사꾸쇼 제조)를 이용하여 능각 115° 삼각 압자(헤르코비치형)의 압입 시험에 의해 하중 0.1 gf, 속도 0.0145 gf/초, 유지 시간 5 초의 조건에서 온도를 23 ℃ 및 140 ℃로 하여 평가한 결과, 23 ℃에서 29이고, 140 ℃에서 25였다. 0.1 gf load by the indentation test of a ridge angle 115 ° triangular indenter (Herkovitch type) using a Shimadzu dynamic micro hardness tester DUH-201 (manufactured by Shimadzu Corporation) for the SiO 2 immersion glass substrate on which the protective film was formed. When the temperature was evaluated as 23 degreeC and 140 degreeC on conditions of the speed of 0.0145 gf / sec and holding time of 5 second, it was 29 at 23 degreeC and was 25 at 140 degreeC.

밀착성의 평가: Evaluation of adhesion:

보호막을 형성한 SiO2 침지 유리 기판에 대하여 압력 쿠커 시험(온도 120, 습도 100 %, 측정 24 시간)을 행한 후, JIS K-5400-1990의 8.5.3 부착성 바둑판 눈 테이프법에 의해 SiO2 침지 유리 기판에 대한 밀착성을 평가한 결과, 바둑판 눈100개 중 100개 전부가 남았다. After performing a pressure cooker test (temperature 120, humidity 100%, measured 24 hours) with respect to the SiO 2 glass substrate is immersed to form a protective film, SiO 2 by a snow board 8.5.3 adhesion tape method of JIS K-5400-1990 As a result of evaluating the adhesiveness to the immersion glass substrate, all 100 of the checkerboard eyes remained.

또한, SiO2 침지 유리 기판 대신에 Cr 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 「보호막의 형성」과 동일하게 하여 막 두께 2.0 ㎛의 보호막을 형성하고, 상기와 동일하게 하여 Cr 기판에 대한 밀착성을 평가한 결과, 바둑판 눈 100 개 중 100개 전부가 남았다. In addition, except that a Cr substrate was used in place of the SiO 2 immersion glass substrate, a protective film having a thickness of 2.0 µm was formed in the same manner as in the above "formation of the protective film", and the adhesion to the Cr substrate was evaluated in the same manner as described above. All 100 of the checkerboard eyes remained.

-평탄화능의 평가-Evaluation of leveling power

SiO2 침지 유리 기판 상에 안료계 컬러 레지스트(상품명「JCR RED 689」,「JCR GREEN 706」 및 「CR 8200B」; 이상, JSR(주) 제조)를 각각 스피너에 의해 도포하고, 핫 플레이트 상에서 90 ℃에서 150 초간 프리베이킹하여 도막을 형성하였다. 그 후, 노광기 Canon PLA501F(캐논(주) 제조)를 이용하여 소정의 패턴 마스크를 통해 g/h/i선(파장 436 nm, 405 nm 및 365 nm의 강도비=2.7:2.5:4.8)을 i선 환산으로 2,000 J/m2의 노광량으로써 노광한 후, 0.05 % 수산화칼륨 수용액을 이용하여 현상하고, 초순수로 60 초간 세정하여 오븐 중에서 230 ℃에서 30 분간 더 가열 처리함으로써 적색, 녹색 및 청색의 3색의 스트라이프상 컬러 필터(스트라이프 폭 100 ㎛)을 형성하였다. Pigment-based color resists (trade names "JCR RED 689", "JCR GREEN 706" and "CR 8200B"; above, manufactured by JSR Co., Ltd.) were coated on a SiO 2 immersion glass substrate with a spinner, respectively, on a hot plate. It prebaked at 150 degreeC for 150 second, and formed the coating film. Subsequently, g / h / i rays (intensity ratios of wavelengths 436 nm, 405 nm and 365 nm = 2.7: 2.5: 4.8) were obtained through a predetermined pattern mask using an exposure machine Canon PLA501F (manufactured by Canon Corporation). After exposure at an exposure dose of 2,000 J / m 2 in terms of linear conversion, it was developed using 0.05% potassium hydroxide aqueous solution, washed with ultrapure water for 60 seconds, and further heated at 230 ° C. for 30 minutes in an oven to give red, green, and blue colors 3 A stripe-like color filter (stripe width 100 mu m) of color was formed.

이어서, 이 컬러 필터를 형성한 기판의 표면 요철을 표면 조도계 α-스텝(케이엘에이ㆍ텐콜(주) 제조)를 이용하여 측정 길이 2,000 ㎛, 측정 범위 2,000 ㎛변, 측정 방향을 적색, 녹색, 청색 방향의 스트라이프 라인 단축 방향 및 적색ㆍ적색, 녹색ㆍ녹색, 청색ㆍ청색의 동일색의 스트라이프 라인 장축 방향의 2 방향으로 하여, 각 방향에 대하여 측정 점수 n=5(합계의 n수=10)로 하고, 측정마다의 최고부와 최저부의 고저차(nm)의 평균치를 측정한 결과, 1.0 ㎛였다. Subsequently, the surface unevenness of the substrate on which this color filter was formed was measured using a surface roughness α-step (manufactured by KLA Tencol Co., Ltd.), and the measurement length was 2,000 μm, the measurement range was 2,000 μm, and the measurement direction was red, green, and blue. Stripe line short axis direction and two directions of stripe line major axis directions of the same color of red, red, green, green, blue, and blue, with measurement score n = 5 (n number of totals = 10) for each direction. It was 1.0 micrometer as a result of measuring the average value of the height difference (nm) of the highest part and the lowest part for every measurement.

또한, 상기와 동일하게 하여 컬러 필터를 형성한 기판 상에 스피너를 이용하여 상기 「감방사선성 수지 조성물의 제조」에서 제조한 조성물 용액을 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 80 ℃에서 5 분간 프리베이킹하여 도막을 형성하고, 오븐 중에서 230 ℃에서 60 분간 더 가열 처리함으로써 컬러 필터 상에, 컬러 필터의 상면으로부터의 막 두께가 2.0 ㎛인 보호막을 형성하였다. Furthermore, after apply | coating the composition solution manufactured by said "production of a radiation sensitive resin composition" using the spinner on the board | substrate with which the color filter was formed in the same way to the above, prebaking for 5 minutes at 80 degreeC on a hotplate The coating film was formed and heat-processed further at 230 degreeC for 60 minute (s) in oven, and the protective film whose film thickness from the upper surface of a color filter is 2.0 micrometers was formed on the color filter.

이어서, 이 컬러 필터 상에 보호막을 갖는 기판에 대하여 보호막 표면의 요철을 상기와 동일하게 하여 최고부와 최저부의 고저차(nm)의 평균치를 측정한 결과, 200 nm였다. 이 값이 300 nm 이하일 때, 평탄화능은 양호하다고 할 수 있다. Subsequently, the unevenness | corrugation of the protective film surface was made to the board | substrate which has a protective film on this color filter similar to the above, and the average value of the height difference (nm) of the highest part and the lowest part was measured, and it was 200 nm. When this value is 300 nm or less, it can be said that planarization ability is favorable.

-승화물의 평가-Evaluation of Sublimation

실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 상기 조성물 용액을 도포한 후, 90 ℃에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 이 실리콘 기판을 클린 오븐내에서 220 ℃에서 1 시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 상측에 1 센티 간격을 비워 냉각용 베어 실리콘 웨이퍼를 장착하고, 핫 플레이트 상에서 230 ℃에서 1 시간 가온 처리를 행하였다. 냉각용 베어 실리콘 웨이퍼를 교환하지 않고, 상기 경화막을 별도로 형성한 실리콘 기판을 20장 연속으로 처리한 후, 베어 실리콘에 부착되어 있는 승화물의 유무를 육안으로 관찰한 결과, 승화물은 확인되지 않았다. The composition solution was applied onto a silicon substrate using a spinner, and then prebaked at 90 ° C. on a hot plate for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. This silicon substrate was heated in 220 degreeC in clean oven for 1 hour, and the cured film was obtained. The bare silicon wafer for cooling was attached to the upper side of the obtained cured film by 1 centimeter space | interval, and the heating process was performed at 230 degreeC on the hotplate for 1 hour. After continuously processing 20 sheets of the silicon substrate in which the cured film was formed separately without replacing the cooling bare silicon wafer, the presence or absence of a sublimation adhered to the bare silicon was visually observed, and the sublimation was not confirmed.

전압 유지율의 평가Evaluation of Voltage Retention

표면에 나트륨 이온의 용출을 방지하는 SiO2막이 형성되고, 또한 ITO(인듐-산화주석 합금) 전극을 소정 형상으로 증착한 소다 유리 기판 상에 스피너를 이용하여 상기에서 제조한 감방사선성 수지 조성물을 도포하며, 90 ℃의 클린 오븐내에서 10 분간 프리베이킹를 행하여 막 두께 2.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 또한 230 ℃에서 30 분간 포스트베이킹을 행하여 경화막을 형성하였다. The radiation-sensitive resin composition prepared above using a spinner was formed on a soda glass substrate on which a SiO 2 film was formed on the surface to prevent elution of sodium ions, and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode was deposited in a predetermined shape. It applied and prebaked for 10 minutes in 90 degreeC clean oven, and formed the coating film of 2.0 micrometers in thickness. Furthermore, it post-baked at 230 degreeC for 30 minutes, and formed the cured film.

이어서, 이 경화막을 갖는 기판과, 표면에 ITO 전극을 소정 형상으로 증착하기만 한 소다 유리 기판을 대향시켜, 액정 주입구를 남기고 4변을 0.8 mm의 글래스 비드를 혼합한 시일제를 이용하여 접합하며, 머크사 제조 액정 MLC6608(상품명)을 주입한 후에 액정 주입구를 밀봉함으로써 액정 셀을 제조하였다. Subsequently, the substrate having this cured film and the soda glass substrate which just deposited the ITO electrode to a predetermined shape on the surface are opposed to each other, and the four sides are bonded together using a sealing agent mixed with 0.8 mm glass beads, leaving a liquid crystal injection hole. After inject | pouring the liquid crystal MLC6608 (brand name) by a Merck company, the liquid crystal cell was produced by sealing a liquid crystal injection port.

이 액정 셀을 60 ℃의 항온층에 넣고, (주)도요 테크니카 제조 액정 전압 유지율 측정 시스템 VHR-1A형(상품명)에 의해 인가 전압을 5.5 V 방형파로 하고, 측정 주파수를 60 Hz로 하여 액정 셀의 전압 유지율을 측정한 결과, 전압 유지율은 97 %였다. 또한, 여기서 전압 유지율이란 하기 수학식 1로 표시되는 값이다. The liquid crystal cell was placed in a constant temperature layer at 60 ° C., and the applied voltage was 5.5 V square wave, and the measurement frequency was 60 Hz by the Toyo Technica Co., Ltd. liquid crystal voltage retention measuring system VHR-1A type (brand name). As a result of measuring the voltage retention, the voltage retention was 97%. In addition, a voltage retention is a value represented by following formula (1) here.

<수학식 1> <Equation 1>

전압 유지율(%)=(16.7 밀리초 후의 액정 셀 전위차)/(0 밀리초로 인가한 전압)×100 Voltage retention (%) = (liquid crystal cell potential difference after 16.7 milliseconds) / (voltage applied at 0 milliseconds) × 100

액정 셀의 전압 유지율이 90 % 이하이면, 액정 셀은 16.7 밀리초의 시간, 인가 전압을 소정 수준으로 유지할 수 없으며 충분히 액정을 배향시킬 수 없는 것 을 의미하고, 이러한 액정 셀은 「소부」를 일으킬 우려가 높다. If the voltage retention of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell cannot keep the applied voltage at a predetermined level for a time of 16.7 milliseconds and cannot align the liquid crystal sufficiently, and such a liquid crystal cell may cause "baking". Is high.

실시예Example 22 및 23 및  22 and 23 and 비교예Comparative example 4 4

상기 실시예 21의 「이액형 경화성 수지 조성물의 제조」에 있어서 (A'), 성분 및 (E) 성분으로서 각각 표 7에 기재된 종류 및 양을 사용하고, 용매로서 표 7에 기재된 것을 사용한 것 이외에는 실시예 21과 동일하게 하여 조성물을 제조하여 평가하였다. 평가 결과를 표 7에 나타내었다. In the "production of a two-component curable resin composition" of Example 21, the types and amounts shown in Table 7 were used as the (A '), components, and (E) components, respectively, except for those used in Table 7 as solvents. The composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 21. The evaluation results are shown in Table 7.

또한, 표 7에 있어서 각 성분을 나타내는 약칭은 각각 이하를 의미한다. In addition, abbreviated-name which shows each component in Table 7 respectively means the following.

(E) 성분 (E) component

E-1: 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지(상품명: 에피코트 157S65, 유까 쉘 에폭시(주) 제조) E-1: bisphenol A novolak-type epoxy resin (brand name: Epicoat 157S65, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. product)

E-2: 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: 에피코트 828, 유까 쉘 에폭시(주) 제조)E-2: bisphenol A type epoxy resin (brand name: Epicoat 828, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. product)

용매 menstruum

S-1: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 S-1: Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate

S-2: 디에틸렌글리콜 디메틸에테르S-2: diethylene glycol dimethyl ether

Figure 112006072504121-PAT00009
Figure 112006072504121-PAT00009

(IV) 제3 조성물의 제조 및 평가(IV) Preparation and Evaluation of Third Composition

중합체의 합성Synthesis of Polymer

합성예Synthesis Example 7 7

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 테트라에틸티우람디술피드(분자량 제어제) 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 디에틸에테르 200 중량부를 넣고, 이어서 메타크릴산글리시딜 50 중량부, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 20 중량부 및 메타크릴산 30 중량부를 넣어 질소 치환하고, 서서히 교반하면서 반응 용액을 70 ℃로 승온하고, 이 온도를 유지하여 6 시간 중합하였다. 그 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 추가하여 중합체(A-7)을 함유하는 용액을 얻었다. 중합체(A-7)은 Mw=11,000, Mw/Mn=1.40이었다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide (molecular weight control agent) and diethylene glycol diethyl in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer 200 parts by weight of ether was added, followed by nitrogen replacement by adding 50 parts by weight of glycidyl methacrylate, 20 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl and 30 parts by weight of methacrylic acid, The reaction solution was heated to 70 ° C while stirring slowly, and maintained at this temperature to polymerize for 6 hours. Thereafter, 3 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added to obtain a solution containing polymer (A-7). Polymer (A-7) had Mw = 11,000 and Mw / Mn = 1.40.

합성예Synthesis Example 8 8

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 테트라에틸티우람디술피드(분자량 제어제) 5 중량부, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200 중량부, 메타크릴산글리시딜 40 중량부, 메타크릴산 40 중량부, 스티렌 10 중량부 및 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일10 중량부를 넣어 질소 치환한 후, 서서히 교반하면서 반응 용액을 70 ℃로 승온하고, 이 온도를 유지하여 6 시간 중합하였다. 그 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 추가하여 중합체(A-8)을 함유하는 용액을 얻었다. 중합체(A-8)은 Mw=9,500, Mw/Mn=1.55였다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide (molecular weight control agent), and propylene glycol monomethyl ether in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. 200 parts by weight of acetate, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate, 40 parts by weight of methacrylic acid, 10 parts by weight of styrene and 10 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl After substitution, the reaction solution was heated to 70 ° C. while gradually stirring, and maintained at this temperature to polymerize for 6 hours. Thereafter, 3 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added to obtain a solution containing polymer (A-8). Polymer (A-8) had Mw = 9,500 and Mw / Mn = 1.55.

합성예Synthesis Example 9 9

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 테트라에틸티우람디술피드(분자량 제어제) 5 중량부 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200 중량부를 투입하였다. 계속해서 메타크릴산글리시딜 40 중량부, 1-에틸시클로헥실메타크릴레이트 40 중량부, 스티렌 10 중량부 및 N-시클로헥실말레이미드 10 중량부를 넣어 질소 치환한 후, 서서히 교반하면서 반응 용액을 70 ℃로 승온하고, 이 온도를 유지하여 6 시간 중합하였다. 그 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 추가하여 중합체(A-9)를 함유하는 용액을 얻었다. 중합체(A-9)는 Mw=10,500, Mw/Mn=1.60이었다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide (molecular weight control agent) and propylene glycol monomethyl ether in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer 200 parts by weight of acetate was added. Subsequently, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate, 40 parts by weight of 1-ethylcyclohexyl methacrylate, 10 parts by weight of styrene, and 10 parts by weight of N-cyclohexylmaleimide were substituted for nitrogen, and then the reaction solution was gradually stirred. It heated up at 70 degreeC, maintained this temperature, and superposed | polymerized for 6 hours. Thereafter, 3 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added to obtain a solution containing polymer (A-9). Polymer (A-9) had Mw = 10,500 and Mw / Mn = 1.60.

비교 compare 합성예Synthesis Example 4 4

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 6 중량부 및 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200 중량부를 넣고, 계속해서 메타크릴산글리시딜 50 중량부, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 20 중량부 및 메타크릴산 30 중량부를 넣고 질소 치환한 후, 서서히 교반하여 반응 용액의 온도를 70 ℃로 상승시키고, 이 온도를 유지하여 5 시간 중합함으로써 중합체(a-4)를 포함하는 용액을 얻었다. 중합체(a-4)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 15,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.4였다. 6 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether were added to a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, followed by glycidyl methacrylate 50 20 parts by weight of 20 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl and 30 parts by weight of methacrylic acid were added and substituted with nitrogen, followed by gradually stirring to raise the temperature of the reaction solution to 70 ° C. The solution containing polymer (a-4) was obtained by maintaining this temperature and superposing | polymerizing for 5 hours. The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a-4) was 15,000, and molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.4.

실시예Example 24 24

일액형One component 경화성 수지 조성물의 제조 Preparation of Curable Resin Composition

(A') 성분으로서, 상기 합성예 7에서 얻은 중합체(A-7)을 포함하는 용액을 공중합체(A-7)의 고형분 100 중량부에 상당하는 양, (E) 성분으로서 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지(상품명: 에피코트 157S65, 유까 쉘 에폭시(주) 제조) 10 중량부, (G) 산 발생제로서 벤질-2-메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트 1 중량부, 접착 보조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 15 중량부 및 계면 활성제로서 SH-28PA(도레이ㆍ다우코닝ㆍ실리콘(주) 제조) 0.1 중량부를 혼합하고, 고형분 농도가 20 %가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트를 더 첨가한 후, 공경 0.5 ㎛의 밀리포어 필터로 여과하여 조성물 용액을 제조하였다. 이 조성물 용액의 외관은 무색 투명하였다. Bisphenol A novolac as the component (A ') in an amount corresponding to 100 parts by weight of the solid content of the copolymer (A-7) of the solution containing the polymer (A-7) obtained in Synthesis Example 7 above 10 parts by weight of a type epoxy resin (trade name: Epicoat 157S65, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), (G) benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate 1 as an acid generator. 15 parts by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as an adhesion aid and 0.1 part by weight of SH-28PA (manufactured by Toray Dow Corning Silicon Co., Ltd.) as a surfactant, and the solid content concentration was 20% After further adding propylene glycol monomethyl ether acetate, the composition solution was prepared by filtration with a Millipore filter having a pore size of 0.5 μm. The appearance of this composition solution was colorless and transparent.

일액형One component 경화성 수지 조성물의 평가 Evaluation of Curable Resin Composition

조성물 용액으로서 상기에서 제조한 일액형 경화성 수지 조성물을 사용한 것 이외에는 상기 실시예 21과 동일하게 하여 평가하였다. 결과를 표 8에 나타낸다. It evaluated like Example 21 except having used the one-component curable resin composition prepared above as a composition solution. The results are shown in Table 8.

실시예Example 25 및 26 및  25 and 26 and 비교예Comparative example 5 5

상기 실시예 24의 「일액형 경화성 수지 조성물의 제조」에 있어서 (A') 성분으로서 표 8에 기재된 종류 및 양을 사용하고, 용매로서 표 8에 기재된 것을 사용한 것 이외에는 실시예 24와 동일하게 하여 조성물을 제조하여 평가하였다. 평가 결과를 표 8에 나타내었다. In the "Manufacture of one-component curable resin composition" of the said Example 24, it carried out similarly to Example 24 except having used the kind and quantity shown in Table 8 as (A ') component, and using the thing of Table 8 as a solvent. The composition was prepared and evaluated. The evaluation results are shown in Table 8.

또한, 표 8에 있어서의 용매란의 약칭은 표 7의 것과 동일하다. In addition, the abbreviation of the solvent column in Table 8 is the same as that of Table 7.

Figure 112006072504121-PAT00010
Figure 112006072504121-PAT00010

(V) (A'1) 중합체를 함유하는 조성물의 제조 및 평가 (V) Preparation and Evaluation of Compositions Containing (A'1) Polymers

합성예Synthesis Example 10 10

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부, 분자량 제어제로서 테트라에틸티우람디술피드 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 디에틸에테르 200 중량부를 넣고, 계속해서 메타크릴산글리시딜 40 중량부, 메타크릴산 1-(시클로펜틸옥시)에틸 40 중량부, 스티렌 10 중량부 및 N-시클로헥실말레이미드 10 중량부를 투입하여 질소 치환한 후 서서히 교반을 시작하였다. 용액의 온도를 70 ℃로 상승시켜 이 온도를 5 시간 유지한 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 2 중량부를 추가하여 70 ℃에서 2 시간 더 교반을 실시하여 공중합체(A-10)을 함유하는 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체(A-10)의 Mw는 8,000이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.60이었다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 5 parts by weight of tetraethylthiuram disulfide as a molecular weight control agent, and diethylene glycol diethyl ether in a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. 200 parts by weight was added, and then 40 parts by weight of glycidyl methacrylate, 40 parts by weight of 1- (cyclopentyloxy) ethyl methacrylate, 10 parts by weight of styrene and 10 parts by weight of N-cyclohexylmaleimide were added to replace the nitrogen. After slowly stirring was started. After raising the temperature of the solution to 70 ° C. and maintaining the temperature for 5 hours, 2 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added, followed by further stirring at 70 ° C. for 2 hours. The solution containing copolymer (A-10) was obtained. Mw of the obtained copolymer (A-10) was 8,000 and molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.60.

실시예Example 27 27

제4 조성물의 제조 및 평가Preparation and Evaluation of the Fourth Composition

일액형One component 경화성 수지 조성물의 제조 Preparation of Curable Resin Composition

(A') 성분으로서 상기 합성예 10에서 얻은 중합체(A-10)을 포함하는 용액을 공중합체(A-10)의 고형분 100 중량부에 상당하는 양, (E) 성분으로서 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지(상품명: 에피코트 157S65, 유까 쉘 에폭시(주) 제조) 10 중량부, 산 발생제로서 벤질-2-메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트 1 중량부, 접착 보조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 15 중량부 및 계면 활성제로서 SH-28PA(도레이ㆍ다우코닝ㆍ실리콘(주) 제조) 0.1 중량부를 혼합하고, 고형분 농도가 20 %가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트를 더 첨가한 후, 공경 0.5 ㎛의 밀리포어 필터로 여과하여 조성물 용액을 제조하였다. 이 조성물 용액의 외관은 무색 투명하였다. An amount corresponding to 100 parts by weight of the solid content of the copolymer (A-10) of the solution containing the polymer (A-10) obtained in Synthesis Example 10 as the component (A '), and the bisphenol A novolac type as the component (E). 10 parts by weight of an epoxy resin (trade name: Epicoat 157S65, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), 1 part by weight of benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate as an acid generator, and adhesion 15 parts by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as an adjuvant and 0.1 parts by weight of SH-28PA (manufactured by Toray Dow Corning Silicon Co., Ltd.) as a surfactant, and propylene glycol mono so as to have a solid content concentration of 20%. After further adding methyl ether acetate, the composition solution was prepared by filtration through a Millipore filter having a pore size of 0.5 mu m. The appearance of this composition solution was colorless and transparent.

일액형One component 경화성 수지 조성물의 평가 Evaluation of Curable Resin Composition

상기에서 제조한 일액형 경화성 수지 조성물을 사용한 것 이외에는 상기 실시예 21과 동일하게 하여 평가하였다. 결과는 이하와 같았다. It evaluated like Example 21 except having used the one-component curable resin composition manufactured above. The result was as follows.

투명성: 99 % Transparency: 99%

내열 치수 안정성: 99 % Heat-resistant dimensional stability: 99%

내열 변색성: 3 % Heat discoloration resistance: 3%

표면 경도: 6H Surface hardness: 6H

다이나믹 미소 경도 Dynamic micro hardness

23 ℃: 29 23 ℃: 29

140 ℃: 25  140 ℃: 25

밀착성 Adhesion

Si02: 100 Si0 2 : 100

Cr: 100  Cr: 100

평탄화능: 200 nm Planarization capacity: 200 nm

승화물: 없음Sublimation: None

전압 유지율: 97 % Voltage retention: 97%

본 발명에 따라, 높은 감방사선 감도를 가지고, 해상도가 충분히 높으며 기판 또는 바탕 또는 상층과의 밀착성이 우수하고, 또한 막 형성 공정의 소성시 승화물의 발생이 억제된 경화성 수지 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a curable resin composition having high radiation sensitivity, sufficiently high resolution, excellent adhesion to a substrate or a base or an upper layer, and suppressing generation of a sublimation during firing of the film forming process.

Claims (18)

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에서의 리빙 라디칼 중합에 의해서 중합되며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이고, 카르복실기를 갖는 중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물. (A) The ratio (Mw / Mn) of the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography, polymerized by living radical polymerization in the presence of the compound represented by the following formula (1). ) Is 1.7 or less and contains the polymer which has a carboxyl group, The curable resin composition characterized by the above-mentioned. <화학식 1><Formula 1>
Figure 112006072504121-PAT00011
Figure 112006072504121-PAT00011
(식 중, 2개의 Z는 각각 독립적으로 수소 원자, 카르복실기, 기 -R, 기 -OR, 기 -NR2, 기 -COOR, 기 -C(=O)NR2, 기 -P(=O)R2, 기 -P(=O)(OR)2 또는 기 -NRNR-C(=O)R이고, R은 독립적으로 할로겐 원자, 시아노기, 수산기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기 또는 탄소 원자와 헤테로 원자와의 합계 원자수가 3 내지 20인 1가의 복소환식기이고, R이 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기 또는 복소환식기인 경우에는, R이 갖는 수소 원자 중 1개 또는 복수개가 할로겐 원자, 시아노기, 수산기 또는 카르복실기로 치환될 수도 있다.) Wherein two Z's each independently represent a hydrogen atom, a carboxyl group, a group -R, a group -OR, a group -NR 2 , a group -COOR, a group -C (= 0) NR 2 , and a group -P (= 0) R 2 , a group -P (= O) (OR) 2 or a group -NRNR-C (= O) R, R is independently a halogen atom, cyano group, hydroxyl group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 2 to 20 carbon atoms Is an alkenyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or a monovalent heterocyclic group having 3 to 20 atoms in total having a carbon atom and a hetero atom, and R is an alkyl group, an alkenyl group, or an aryl group , In the case of an aralkyl group or a heterocyclic group, one or more of hydrogen atoms of R may be substituted with a halogen atom, cyano group, hydroxyl group or carboxyl group.)
제1항에 있어서, (A) 중합체가 하기 화학식 1a로 표시되는 구조를 갖는 것인 경화성 수지 조성물. The curable resin composition according to claim 1, wherein the polymer (A) has a structure represented by the following general formula (1a). <화학식 1a><Formula 1a>
Figure 112006072504121-PAT00012
Figure 112006072504121-PAT00012
(식 중, Z는 상기 화학식 1에서의 것과 동일하다.) (Wherein Z is the same as that in Formula 1).
제1항에 있어서, (B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제를 더 함유하며, 스페이서의 형성에 이용되는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물. The curable resin composition according to claim 1, further comprising (B) a polymerizable unsaturated compound and (C) a radiation sensitive polymerization initiator, and used for formation of a spacer. 제1항에 있어서, (D) 1,2-퀴논디아지드 화합물을 더 함유하며, 층간 절연막 또는 마이크로렌즈의 형성에 이용되는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물. The curable resin composition according to claim 1, further comprising (D) 1,2-quinonediazide compound and used for forming an interlayer insulating film or microlens. 제1항에 있어서, (E) 양이온 중합성 화합물을 더 함유하며, 보호막의 형성에 이용되는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물. Curable resin composition of Claim 1 which further contains (E) cationically polymerizable compound and is used for formation of a protective film. (A') 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 존재하에서의 리빙 라디칼 중합에 의해서 중합되며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이고, 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 중합체 및 (E) 양이온 중합성 화합물을 함유하며, 보호막의 형성에 이용되는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물. (A ') The ratio (Mw /) of the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography to be polymerized by living radical polymerization in the presence of the compound represented by the formula (1). Curable resin composition whose Mn) is 1.7 or less, contains the polymer which has an oxiranyl group or an oxetanyl group, and (E) cationically polymerizable compound, and is used for formation of a protective film. 제6항에 있어서, (A') 중합체가 상기 화학식 1a로 표시되는 구조를 갖는 것인 경화성 수지 조성물. The curable resin composition according to claim 6, wherein the polymer (A ') has a structure represented by Chemical Formula 1a. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, (F) 경화제 또는 (G) 산 발생제를 더 함유하는 경화성 수지 조성물. The curable resin composition according to any one of claims 5 to 7, further comprising (F) a curing agent or (G) acid generator. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물인 제1액 및 (F) 경화제를 함유하는 제2액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이액형 경화성 수지 조성물. A two-component curable resin composition comprising the first liquid which is the curable resin composition according to any one of claims 5 to 7, and a second liquid containing a (F) curing agent. 적어도 At least (1) 기판 상에 제3항에 기재된 경화성 수지 조성물의 피막을 형성하는 공정,(1) Process of forming film of curable resin composition of Claim 3 on board | substrate, (2) 상기 피막의 적어도 일부에 방사선을 노광하는 공정, (2) exposing radiation to at least a portion of the film; (3) 노광 후의 피막을 현상하는 공정, 및(3) developing the film after exposure, and (4) 현상 후의 피막을 가열하는 공정(4) The process of heating the film after image development 을 기재된 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 스페이서의 형성 방법. Method for forming a spacer, characterized in that the step of carrying out in the order described. 제10항에 기재된 방법에 의해 형성된 스페이서. A spacer formed by the method of claim 10. 제11항에 기재된 스페이서를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자. It comprises the spacer of Claim 11, The liquid crystal display element characterized by the above-mentioned. 적어도 At least (1) 기판 상에 제4항에 기재된 경화성 수지 조성물의 피막을 형성하는 공정, (1) Process of forming film of curable resin composition of Claim 4 on board | substrate, (2) 상기 피막의 적어도 일부에 방사선을 노광하는 공정, (2) exposing radiation to at least a portion of the film; (3) 노광 후의 피막을 현상하는 공정, 및 (3) developing the film after exposure, and (4) 현상 후의 피막을 가열하는 공정(4) The process of heating the film after image development 을 기재된 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 층간 절연막 또는 마이크로렌즈의 형성 방법. Method for forming an interlayer insulating film or microlens, characterized in that in the order described. 제13항에 기재된 방법에 의해 형성된 층간 절연막 또는 마이크로렌즈. An interlayer insulating film or microlens formed by the method according to claim 13. 적어도 At least (1) 기판 상에 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물의 피막을 형성하는 공정, 및 (1) forming a film of the curable resin composition according to any one of claims 5 to 7 on a substrate, and (2) 상기 피막을 가열하는 공정(2) heating the film 을 기재된 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 보호막의 형성 방법. The protective film forming method characterized by the above-mentioned. 제15항에 기재된 방법에 의해 형성된 보호막. The protective film formed by the method of Claim 15. 적어도 At least (1) 제9항에 기재된 제1액과 제2액을 혼합하는 공정, (1) mixing the first liquid and the second liquid according to (9); (2) 기판 상에 상기 혼합액의 피막을 형성하는 공정, 및 (2) forming a film of the mixed liquid on a substrate, and (3) 상기 피막을 가열하는 공정(3) heating the film 을 기재된 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 보호막의 형성 방법. The protective film forming method characterized by the above-mentioned. 제17항에 기재된 방법에 의해 형성된 보호막. The protective film formed by the method of Claim 17.
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