KR20070036881A - 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 상기 액정 표시 장치는 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판; 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터상에 형성된 블랙매트릭스 패턴; 상기 블랙매트릭스 패턴을 포함하는 상기 제 1 기판 전면에 걸쳐 형성된 보호막; 및 상기 보호막 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 액정 표시 장치를 제조할 수 있다.
액정 표시 장치, 블랙매트릭스 패턴, 네가티브 감광성 수지, 보호막

Description

액정 표시 장치 및 이의 제조 방법{liquid crystal display device and method for fabricating of the same}
도 1a 및 도 1b는 종래의 액정 표시 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면을 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
100 : 제 1 기판 110 : 블랙매트릭스 패턴
120 : 보호막 200 : 제 2 기판
210 : 컬러필터층 300 : 액정층
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 개구율을 증가시키면서 광 투과율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 액정 표시 장치는 기본적으로 박막트랜지스터 및 화소전극을 구비한 어레이 기판과 컬러필터층, 블랙매트릭스층 및 상부전극을 구비하는 컬러필터 기판이 서로 일정간격으로 대향되어 배치된다. 그리고, 두 기판 사이에 액정층이 개재되어 있다. 상기 화소전극과 상부전극에 의해 두 기판 사이에 전기장이 형성되어 액정이 구동되고, 그 구동되는 액정을 통해서 광투과도가 조절되어 화상이 구현된다.
최근, 휴대용 디스플레이 장치 및 이동 통신 단말기를 사용하는 사용자는 더 큰 화면을 가지고자 한다. 이로써, 디스플레이 장치의 크기는 그대로 가져가면서, 화상을 표시하는 표시영역의 확대를 위한, 즉 개구율의 향상을 위한 연구가 많이 이루어지고 있다.
이하, 도면을 참조하여, 개구율을 향상시키기 위한 종래의 액정 표시 장치를 더욱 상세하게 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 액정 표시 장치를 도시한 도면으로서, 도 1a는 액정 표시 장치의 어레이 기판에 대한 평면도를 도시한 도면이고, 도 1b는 도 1a를 I-I'로 취한 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 상기 어레이 기판은 투명 기판(10) 상에 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 배선(20)과, 상기 각 게이트 배선(20)과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 배선(30)이 위치한다. 상기 각 게이트 배선(20)과 데이터 배선(30)이 교차되어 정의된 각 단위화소영역에 박막트랜지스터(50)를 구비한다.
상기 박막트랜지스터(50)를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 보호막(60)이 위치한다. 상기 보호막(60)상에 상기 박막트랜지스터(50)의 일부분을 노출하는 콘텍홀이 형성되어 있어, 상기 콘텍홀을 통해 상기 박막트랜지스터(50)와 전기적으로 연결된 화소전극(40)이 위치한다. 이때, 상기 화소전극(40)은 상기 각 게이트 배선(20)과 데이터 배선(30)이 교차되어 정의된 각 화소영역에 매트릭스 형태로 형성된다.
이로써, 상기 게이트 배선(20)의 신호에 의해 상기 박막트랜지스터(50)는 스위칭되어 상기 데이터 배선(30)의 신호를 상기 각 화소 전극(40)에 전달한다.
이때, 상기 다수의 배선과 화소전극(40)을 서로 오버랩되도록 형성하여 개구율이 큰 액정 표시 장치를 제조할 수 있다. 여기서, 상기 다수의 배선과 상기 화소전극간에 유전율이 작은 유기막으로 보호막(60)을 형성하여, 기생용량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 상기 기생용량에 의한 크로스 토크(cross-talk)현상의 발생을 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있어, 상기 다수의 배선과 화소전극(40)을 서로 오버랩되도록 형성하는 것이 가능하다.
특히, 상기 보호막(60)은 감광성 수지로 형성하여 상기 박막트랜지스터(50)의 일부분을 노출하기 위한 콘텍홀을 형성하는데 있어 공정을 더욱 단순하게 형성 할 수 있다. 이때, 상기 보호막(60)은 포지티브 감광성 수지보다 네가티브 감광성 수지인 것이 바람직하다. 이는 상기 포지티브 감광성 수지는 광 투과율이 90%인데 비하여, 상기 네가티브 감광성 수지는 광 투과율이 99%를 가지므로, 더욱 우수한 광 투과율을 가지기 때문이다.
그러나, 상기 보호막(60)을 네가티브 감광성 수지로 형성할 경우, 노광공정 진행시 하부에 구비된 금속으로 형성되는 다수의 배선들에 의해 광이 반사되어, 원하는 형태의 패턴을 획득하기가 어렵다. 즉, 상기 네가티브 감광성 수지는 광이 조사되지 않은 영역이 제거되는 것으로, 상기 배선에 의해 반사된 광이 제거되어야 할 부분에 조사되어, 원하고자 하는 형태의 패턴을 형성할 수 없다.
이에 따라, 종래에는 상기 보호막(60)을 광 투과율이 좋지 않은 포지티브 감광성 수지로 형성하여, 개구율이 큰 액정 표시 장치를 제조할 수 있으나, 광 투과율이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 개구율을 증가시키면서 광 투과율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 컬러기판의 기판의 단차를 극복할 수 있는 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공함에 다른 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 액정 표시 장치를 제공한다. 상기 액정 표시 장치는 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판; 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터상에 형성된 블랙매트릭스 패턴; 상기 블랙매트릭스 패턴을 포함하는 상기 제 1 기판 전면에 걸쳐 형성된 보호막; 및 상기 보호막 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 액정 표시 장치을 포함한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 제 1 기판 상에 형성된 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판을 제공하는 단계; 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터 상에 블랙매트릭스 패턴을 형성하는 단계; 상기 블랙매트릭스 패턴을 포함하는 상기 제 1 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 보호막 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법을 포함한다.
이하, 본 발명에 의한 액정 표시 장치의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 액정 표시 장치는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)이 일정 간격으로 대향되게 배치되어 있으며, 상기 두 기판 사이에 액정층(300)이 개재되어 있다.
자세하게, 상기 제 1 기판(100)은 그 상부에 다수의 게이트 배선(114)과 데이터 배선(112)이 서로 교차되어 형성되어 있으며, 상기 두 배선의 교차점에 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다.
상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터상에 블랙매트릭스 패턴(110)이 위치한다. 여기서, 상기 블랙매트릭스 패턴(110)은 투과영역(A)을 노출하도록 형성한다. 또한, 상기 블랙매트릭스 패턴(110)은 상기 박막트랜지스터(Tr)의 일부분을 노출하는 제 1 콘텍홀(115)을 구비한다.
이때, 상기 블랙매트릭스 패턴(110)은 카본 블랙 또는 산화티탄으로 이루어진 무기계 화합물 또는 블랙의 감광성 수지와 같은 유기계 화합물로 이루어질 수 있다.
상기 블랙매트릭스 패턴(110)을 포함하는 상기 제 1 기판 전면에 걸쳐 보호막(120)이 위치한다. 이때, 상기 보호막(120)은 유전율이 작은 유기 절연막으로 이루어질 수 있다. 이로써, 상기 보호막에 의해, 하부의 다수의 배선과 후술할 화소전극간의 기생용량이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 상기 다수의 배선상으로 화소 전극을 형성할 수 있어, 고개율의 액정 표시 장치를 제조할 수 있다.
또한, 상기 보호막(120)을 유기 절연막으로 형성함에 따라, 하부의 다수의 배선에 의해 형성된 단차를 해소할 수 있어, 후속 공정인 배향 처리 공정에서 액정이 불균일하게 배열되는 것을 방지할 수 있다.
더욱 바람직하게, 상기 보호막(120)은 광투과율이 뛰어난 네가티브 감광성 수지로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 보호막(120)에 상기 블랙매트릭스 패턴(110)의 제 1 콘텍홀(115)에 의해 노출된 박막트랜지스터(Tr)를 노출하기 위해, 제 2 콘텍홀(125)을 구비한다. 상기 보호막(120) 상에 상기 제 2 콘텍홀(125)을 통해 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극(130)이 위치한다.
이때, 상기 화소전극(130)은 상기 데이터 배선(112)와 일부분 중첩되도록 형성할 수 있다. 여기서, 도면에서는 데이터 배선(112)과 중첩되도록 상기 화소전극을 형성하였으나, 상기 화소전극은 여타의 다른 배선과 중첩하여 형성하여 개구율을 더욱 향상시킬 수 있다. 이는 상기 보호막(120)을 유전율이 작은 유기막으로 형성함으로써 가능하다.
상기 화소전극(130)상에 액정의 배향을 위한 제 1 배향막(140)을 더 구비할 수 있다.
한편, 상기 제 2 기판(200)은 그 내측에 각 단위화소영역에 대응된 영역에 R, G 및 B의 색상을 구현할 수 있는 컬러필터층(210)이 구비된다. 이때, 상기 제 1기판(100)에 다수의 배선에 의해 광이 누설되는 것을 방지할 수 있는 블랙매트릭스 패턴이 형성되어 있어, 상기 제 2 기판(200)에는 별도의 블랙매트릭스 패턴을 구비 하지 않아도 된다. 이로써, 상기 제 2 기판(200)의 내측에 블랙매트릭 패턴이 구비되지 않은 채로 컬러필터층이 형성되어 있어, 상기 제 2 기판(200)의 내측면은 단차가 크게 발생하지 않으므로, 평탄화를 위한 오버 코팅층을 형성하지 않아도 된다.
상기 컬러필터층(210) 하부에 투명전극인 상부 전극(220) 및 제 2 배향막(230)이 순차적으로 형성되어 있다.
이로써, 고개율을 가지는 액정 표시 장치에서, 제 1 기판에 블랙매트릭스 패턴을 구비하고 있어, 상기 제 2 기판에 별도의 오버 코팅층을 더 구비하지 않아도 된다. 또한, 상기 보호막을 네가티브 감광성 수지로 형성하여 완성된 액정 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 3a를 참조하여 설명하면, 먼저 제공된 제 1 기판(100)상에 게이트 전극(113)와 게이트 배선(114)를 형성한다. 상기 게이트 전극(113) 및 상기 게이트 배선(114)은 저 저항체의 도전물질로 Al, Mo, Cu 또는 이들의 합금을 증착한 뒤, 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 게이트 전극(113) 및 상기 게이트 배선(114)을 포함하는 제 1 기판(100) 전면에 걸쳐 게이트 절연막(111)을 형성한다. 여기서, 상기 게이트 절연막(111)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 화학기상증착법을 이용하여 형성할 수 있다.
이후에, 상기 게이트 절연막(111)의 상부 중 상기 게이트 전극(113)에 대응된 영역에 액티브층(116)이 형성된다. 상기 액티브층(116)은 비정질 실리콘과 불순물이 도핑된 비정질 실리콘을 순차적으로 적층한 뒤 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 액티브층(116) 상에 서로 이격된 소스 전극(117a)과 드레인 전극(117b)을 형성한다. 이때, 상기 소스 전극(117a)과 연결된 데이터 배선(112)이 동시에 형성된다. 여기서, 상기 소스 전극(117a), 드레인 전극(117b) 및 데이터 배선(112)은 상기 액티브층(116)을 포함하는 게이트 절연막(111) 상에 Mo, Cr, Al 또는 이들의 합금을 증착한 뒤, 패터닝하여 형성할 수 있다. 이로써, 상기 제 1 기판(100)상에 상기 게이트 전극(113), 액티브층(116) 및 소스/드레인 전극(117a, 117b)을 구비하는 박막트랜지스터(Tr)를 형성할 수 있다.
이후에, 상기 박막트랜지스터(Tr)를 포함하는 제 1 기판(100) 전면에 걸쳐 블랙매트릭스층(110')을 형성한다. 이때, 상기 블랙매트릭스층(110')은 카본 블랙 또는 산화티탄으로 이루어진 무기계 화합물로 이루어 질 수 있다. 여기서, 상기 블랙매트릭스층(110')이 무기계 화합물로 이루어질 경우, 상기 블랙매트릭스층(110')상에 감광성 수지를 형성한 뒤, 마스크를 이용하여 노광 및 현상 공정을 거쳐서 블랙매트릭스 패턴을 형성할 수 있다.
더욱 바람직하게, 상기 블랙매트릭스층(110')은 블랙의 감광성 수지와 같은 유기계 화합물로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 블랙매트릭스층(110')이 블랙의 감광성 수지로 형성한 뒤, 상기 블랙매트릭스층(110') 상으로 마스크(300)를 배치 한 뒤, 노광 공정을 거친다.
이후, 도 3b에서와 같이, 상기 노광 공정을 거친, 상기 블랙매트릭스층(110')에 현상 공정을 수행하여 블랙매트릭스 패턴(110)을 형성한다.
이때, 상기 블랙매트릭스 패턴(110)은 투과영역(A)을 노출하도록 형성되고, 또한, 이와 동시에 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(117b)를 노출하는 제 1 콘텍홀(115)이 형성된다.
본 실시예에서는 상기 블랙매트릭스층을 포지티브 감광성 수지로 형성하는 것으로 도면에 도시되었으나, 이에 한정되지 않으며, 네가티브 감광성 수지로도 형성될 수 있다.
이후, 도 3c를 참조하면, 상기 블랙매트릭스 패턴(110)상에 보호막(120)을 형성한다. 상기 보호막(120)은 유전율이 작은 유기 절연막으로 형성할 수 있다. 이때, 상기 보호막(120)은 네가티브 감광성 수지로 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
이를테면, 상기 네가티브 감광성 수지는 가교제(crosslinking agent)로서 고리화된 아크릴계 화합물, 비스아지드 화합물 및 할로겐화된 유기 화합물로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 할로겐화된 유기화합물로는 트리(2,3-디브로모프로필) 이소시아누레이트, 1,10-디브로모데칸, 1,2,3,4,5,6-헥사클로로시클로헥산 또는 헥사클로로디메틸술폰일 수 있다.
상기 보호막(120)상으로 마스크(400)를 제공한 뒤, 노광공정을 수행한다. 이때, 상기 보호막(120)하부의 금속으로 이루어진 배선들 상에는 블랙매트릭스 패턴(110)이 형성이 되어 있어, 상기 보호막(120)을 UV 광이 반사되지 않는다. 이로써, 상기 마스크(400)의 투과부를 통한 UV 광이 상기 마스크(400)의 비투과부에 대응된 상기 보호막(120)으로 입사되지 않는다. 이로써, 상기 마스크의 비투과부의 형태로, 즉, 사용자가 원하는 패턴을 형성할 수 있다.
이후, 도 3d를 참조하면, 노광공정을 수행한 보호막(120)에 현상 공정을 수행하여, 상기 제 1 콘텍홀(115)을 노출하는 제 2 콘텍홀(125)을 형성한다. 이로써, 상기 드레인 전극(117b)의 일부분이 노출된다.
이후에, 상기 보호막(120) 상에 상기 제 1 콘텍홀 및 제 2 콘텍홀(125)을 통해 노출된 드레인 전극(117b)과 전기적으로 연결된 화소전극을 형성한다.
상기 화소전극(130)은 보호막(120)상에 투명한 도전물질인 ITO 또는 IZO로 증착한 뒤, 패터닝하여 형성한다. 이때, 상기 화소전극(130)은 상기 데이터 배선(112)과 중첩되어 형성할 수 있다. 이로써, 개구율이 더욱 향상된 액정 표시 장치를 제조할 수 있다. 또한, 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 화소전극(130)은 여타의 다른 배선 상에 형성될 수도 있다.
상기 화소전극(130)을 포함하는 제 1 기판(100)상에 제 1 배향막(140)을 형성한다. 상기 제 1 배향막(140)은 폴리아미드 또는 폴리이미드계 화합물, 폴리비닐알코올 및 폴리아믹산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 도포한 뒤, 러빙 배향처리하여 형성할 수 있다. 또는 상기 제 1 배향막(140)은 폴리비닐시나메이트, 폴리실록산시나메이트 및 셀룰로오스시나메이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 도포한 뒤, 광 배향 처리하여 형성할 수 있다.
이후, 도 3e를 참조하면, 적색, 녹색, 및 청색의 칼라필터층(210)이 형성된 제 2 기판(200)을 상기 제 1 기판상에 일정 간격으로 이격되도록 합착한 후, 액정을 주입하여 액정 표시 장치를 제조한다.
이때, 상기 제 2 기판(200)은 그 일측에 칼라필터층이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층 상에 투명도전성 물질로, ITO 또는 IZO로 이루어진 상부 전극(220)을 형성한다. 이후, 상기 1 배향막을 형성하는 것과 같이, 상기 상부 전극(220)상에 2 배향막(230)을 더 형성할 수 있다.
이로써, 제 1 기판 즉, 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판에 블랙매트릭스 패턴을 형성하여, 상기 박막트랜지스터 및 다수의 금속 배선의 광반사에 의한 네가티브 감광성 수지의 노광 불량을 해소할 수 있다. 이로써, 상기 보호막을 광투과율이 뛰어난 네가티브 감광성 수지로 형성할 수 있었다. 이로써, 광 투과율이 향상된 액정 표시 장치를 제조할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 박막트랜지스터 상에 형성된 보호막을 유전율이 작은 유기 절연막으로 형성함으로써, 개구율이 향상된 액정 표시 장치를 제조할 수 있다.
또한, 상기 보호막 하부에 금속 배선에 대응된 영역에 블랙 매트릭스 패턴을 형성하여, 상기 보호막을 투과율이 뛰어난 네가티브 감광성 수지로 형성하여도, 원하는 형상의 패턴을 형성할 수 있어, 투과율이 향상된 액정 표시 장치를 제조할 수 있다.
또한, 상기 블랙매트릭스 패턴을 어레이 기판에 형성되므로, 컬러필터 기판에 별도의 블랙매트릭스 패턴을 형성하지 않아도 되므로, 상기 컬러필터 기판에 평탄화를 위한 오버코팅층을 더 형성하지 않아도 된다. 이로써, 상기 액정 표시 장치를 제조하는 공정을 더욱 단순화시킬 수 있으며, 이와 더불어 생산성의 향상 및 원가를 절감할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판;
    상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터상에 형성된 블랙매트릭스 패턴;
    상기 블랙매트릭스 패턴을 포함하는 상기 제 1 기판 전면에 걸쳐 형성된 보호막; 및
    상기 보호막 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스 패턴은 상기 박막트랜지스터의 일부분을 노출하는 제 1 콘텍홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스 패턴은 투과영역을 노출하도록 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 보호막은 유기 절연막으로 이뤄진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 보호막은 네가티브 감광성 수지로 이뤄진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 보호막은 상기 제 1 콘텍홀을 통해 노출된 박막트랜지스터를 노출하는 제 2 콘텍홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 화소전극은 상기 데이터 배선과 일부분 중첩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 기판과 일정간격으로 이격되어 배치된 제 2 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2 기판에 컬러필터층과 상부전극이 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  10. 제 1 기판 상에 형성된 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판을 제공하는 단계;
    상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터 상에 블랙매트릭스 패턴을 형성하는 단계;
    상기 블랙매트릭스 패턴을 포함하는 상기 제 1 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 보호막 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터를 포함하는 비투과 영역에 블랙매트릭스 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판상에 블랙매트릭스 수지를 도포하여 블랙매트릭스층을 형성하는 단계; 및
    상기 블랙매트릭스층에 대해 노광 및 현상 공정을 거쳐 투과영역 및 상기 박막트랜지터의 일부분을 노출하는 제 1 콘텍홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 보호막은 네가티브 감광성 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스 패턴을 포함하는 상기 제 1 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하는 단계이후에,
    상기 제 1 콘텍홀을 통하여 노출된 상기 박막트랜지스터를 노출하는 제 2 콘텍홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 16항에 있어서,
    상기 제 1 기판과 일정간격 이격되어 제 2 기판을 합착하는 단계; 및
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 액정을 주입하여 액정층을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20110044108A (ko) * 2009-10-22 2011-04-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치
KR20130026839A (ko) * 2011-09-06 2013-03-14 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101397447B1 (ko) * 2007-12-31 2014-05-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법

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