KR20070034701A - 정전척 높이조절이 가능한 화학기상증착장치 - Google Patents

정전척 높이조절이 가능한 화학기상증착장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화학 기상증착 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조를 위한 화학 기상증착 장치는, 공정 챔버와; 웨이퍼가 안착되며, 상기 공정 챔버에서 상기 웨이퍼와 함께 상, 하 방향으로 로딩/언로딩되는 정전척과; 축에 일정 간격으로 눈금이 표시되어 그 눈금으로 상기 정전척의 높이를 조절할 수 있도록 구성된 스크류를 구비한다. 본 발명에 따르면, 정전척의 정확한 높이 조절이 가능해져서 미세 공정이 가능하고 공정불량을 방지 또는 최소화할 수 있는 효과가 있다.
스크류, 눈금, 정전척, 화학 기상증착

Description

정전척 높이조절이 가능한 화학기상증착장치{CVD apparatus for control ESC height}
도 1은 종래의 화학 기상증착 장치의 개략도
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상증착 장치의 개략도
도 3은 도 2의 스크류의 확대도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
110 : 페데스탈 112 : 연결 피스톤
114 : 정전척 120 : 스크류
122 : 고정용 너트 124 : 고정 보조재
130 : 공정 챔버
본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 정전척의 높이를 정확하게 조절할 수 있는 화학 기상증착장치에 관한 것이다.
현재의 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 반도체 장치의 고집적화 및 고성능화를 이루기 위해서는 반도체 기판 상에 박막 패턴을 정확하게 형성하는 박막 증착 기술이 무엇보다 중요하다.
일반적으로 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 기술은 크게 물리적 방식을 이용하는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 방법과 화학적 방식을 이용한 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 분류될 수 있다.
상기 물리 기상 증착 방법에서는, 높은 진공 상태가 유지되는 챔버의 상부에 증착될 소스 물질이 놓여진 히터가 설치되고, 웨이퍼는 챔버 내에 히터로부터 이격되게 배치된다. 히터가 소스 물질을 고온으로 가열하면, 소스 물질이 기화되어 웨이퍼 상으로 이동한 후, 웨이퍼 상에서 고화되어 박막을 형성하게 된다.
상기 물리 기상 증착 방법에 있어서, 고전압에 의해 이온화된 아르곤(Argon)가스를 이용하여 타겟(target)으로부터 금속 입자를 분리시켜 웨이퍼 상에 금속 박막을 형성하게 된다. 그러나, 물리 기상 증착 방법은 불균일한 막질 특성으로 인하여 현재는 극히 제한된 공정에만 이용되고 있다.
상기 화학 기상 증착 방법에 따르면, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 단결정의 반도체 막이나 절연막 등을 형성한다. 화학 기상 증착 방법은 반응 챔버 내의 압력에 따라 저압 화학 기상 증착 방법(LPCVD), 상압 화학 기상 증착 방법(APCVD), 플라즈마 증대 화학 기상 증착 방법(PECVD) 및 고압 화학 기 상 증착 방법(HPCVD) 등으로 구분된다. 이러한 화학 기상 증착 방법은, 현재 웨이퍼 상에 아몰퍼스 실리콘 막, 실리콘 산화물 막, 실리콘 질화물 막, 또는 실리콘 산질화물 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다.
상기 플라즈마 증대 화학 기상 증착 방법에 따르면, 높은 에너지를 얻은 전자가 중성 상태의 가스 분자와 충돌하여 가스 분자를 분해하고, 분해된 가스 원자가 반도체 기판에 증착되는 반응을 이용하여 박막을 증착하게 된다. 이 경우, 저온에서 상대적으로 높은 증착 속도로 박막을 증착시키기 위하여, 박막의 증착 중에 챔버 내의 전구체 가스로부터 플라즈마를 형성한다. 그러나 플라즈마 증대 화학 기상 증착 방법에 있어서, 박막의 단차 도포성(step coverage)이 조금만 불량하여도 박막 내에 보이드(void)가 형성될 가능성 이 매우 높아진다. 이와 같은, 보이드는 박막 증착 공정이 진행될수록 증가하고, 패턴과 패턴 사이의 간격이 좁아질수록 현저하게 나타난다. 상기 박막 내에 형성되는 보이드는 막질의 특성을 저하시키고, 후속공정의 불량률을 높이는 등 많은 문제점을 야기한다.
플라즈마 증대 화학 기상 증착 방법의 문제점을 개선하기 위하여, 고밀도 플라즈마(high density plasma; HPD)를 이용한 화학 기상 증착 방법(HDP-CVD)이 개발되었다. 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 방법에 따르면, 박막의 증착공정 중에 스퍼터링(sputtering)에 의한 식각이 동시에 발생하기 때문에 높은 종횡비를 가지는 갭(gap) 내에 보이드 없이 효과적으로 박막을 형성할 수 있다.
이러한 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 방법을 수행하기 위한 노벨러스(Novellas) HDP(High density plasma) CVD 설비와 같은 화학 기상 증착 설비는 반 도체 제조용 실리콘 기판(silicon substrate)과 같은 소형 기판 상부에 특정 박막을 형성하는데 이용되며, 근래에는 액정판 같은 상대적으로 면적이 큰 기판에도 적용되고 있다
도 1은 종래 기술에 의한 HDP CVD 장치, 보다 구체적으로는 노블레스(Novellus)사의 HDP CVD 장치에서의 정전척의 높이조절을 설명하기 위하여 개략적인 구성을 보여주는 개략도이다. 여기서는 본 발명을 이해하는데 필요한 구성요소만 간략하게 나타내었다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 HDP CVD 장치는 증착 등의 공정이 진행되는 공정 챔버(30)와 부수적인 공정 수단(미도시), 상기 공정 챔버(30)에 웨이퍼를 안착시키고 웨이퍼를 클램핑(clamping)하는 정전척(ESC, 14), 상기 정전척의 높이를 조절할 수 있는 스크류(20) 등을 구비하고 있다.
HDP CVD 장치, 예컨대 노벨러스(Novellus)사의 SPEED 설비는 공정 챔버(30)에 웨이퍼를 로딩하거나 언로딩하는 경우에, 정전척(14)과 연결되어 있는 연결 피스톤(12)의 반대편 끝에 부착되어 있는 페데스탈(10)이 함께 상, 하로 동작을 하게 된다. 즉, 웨이퍼를 로딩하는 경우에는 정전척(14)과 함께 페데스탈(10)도 상승하게 되고, 웨이퍼를 언로딩하는 경우에는 정전척(14)과 함께 페데스탈(10)도 하강하게 된다.
챔버(30)의 외부에 있는 고정 보조재(24)에 연결되어 있는 스크류(20)에 페데스탈(10)이 닿게 되면 웨이퍼가 놓여있는 정전척(14)은 상승을 멈추게 된다. 스크류(20)는 고정용 너트(22)에 의하여 고정 보조재(24)에 고정되어 있다.
상기한 HDP CVD 장치는 고정 보조재(24)의 하부로 돌출되는 스크류(20)의 길이를 조절함으로써 정전척(14)의 최고 상승 높이를 간단하게 조절할 수 있다. 즉, 돌출된 스크류(20)의 길이가 짧아지면 정전척(14)은 공정챔버(30)에서 높이 상승하게 되고, 반대로 길어지면 상승되는 정전척(14)의 높이도 낮다.
공정 챔버(30)의 내부 상단에 부착되어 있는 공정 수단(미도시)과 웨이퍼와의 거리는 공정 챔버에서 진행되는 증착 및 스퍼터 에치백 공정에 많은 영향을 미친다. 즉, 웨이퍼의 상승 및 하강 위치에 따라서 퇴적되는 물질의 증착율, 증착 범위 그리고 증착량에 대한 에치량의 비를 나타내는 에치/증착비(E/D ratio) 등에 차이가 생긴다. 그러므로 정확하고 미세한 공정의 진행을 위해서는 정전척의 높이를 정확하게 조절할 수 있어야 한다.
그런데, 종래 기술에 의한 HDP CVD 장치는 하부로 돌출되는 스크류(20)의 길이를 정확하게 알 수 있는 수단이 구비되어 있지 않다. 즉, 돌출된 스크류(20)의 길이에 대한 정확한 데이터 없이 눈짐작으로 돌출 길이를 조절함으로써, 웨이퍼가 로딩될 때 상승하는 높이 즉 페데스탈(110)이 상승하는 높이(D)를 조절하고 있다. 또는, 챔버를 오픈시킨 상태에서 스크류(20)를 위 아래로 움직여서 높이를 변화시킨후 이를 버어니어 캘리퍼스를 이용하여 일일이 체크하여 높이(D)를 조절하고 있다. 이것은 웨이퍼에 대하여 정확하고 미세한 공정을 진행하는데 있어서 장애가 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 정전척 높이조절이 가능한 화학기상증착장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 정확하고 미세한 공정을 진행하기 위하여 정확하게 정전척의 높이를 조절할 수 있는 화학기상증착장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 공정불량을 방지 또는 최소화할 수 있는 정전척 높이 조절이 가능한 화학기상증착장치를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따라, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조를 위한 화학 기상증착 장치는, 공정 챔버와; 웨이퍼가 안착되며, 상기 공정 챔버에서 상기 웨이퍼와 함께 상, 하 방향으로 로딩/언로딩되는 정전척과; 축에 일정 간격으로 눈금이 표시되어 그 눈금으로 상기 정전척의 높이를 조절할 수 있도록 구성된 스크류를 구비한다.
상기 스크류는 상기 공정챔버의 외벽에 부착되어 있을 수 있으며, 상기 스크류는 적어도 2개 이상일 수 있다.
상기한 구성에 따르면, 정전척의 정확한 높이 조절이 가능해져서 공정불량을 방지 또는 최소화할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다.
도 2에는 본 발명의 일 실시예에 의한 화학 기상증착장치를 설명하기 위하여 개략적인 구성을 보여주는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상증착 장치는 증착 등의 공정이 진행되는 공정 챔버(130)와 부수적인 공정 수단(미도시), 상기 공정 챔버(130)에 웨이퍼를 안착시키고 웨이퍼를 클램핑(clamping)하는 정전척(114), 상기 정전척의 높이를 조절할 수 있는 스크류(120) 등을 구비하고 있다.
도 2에 도시된 바와 같은 화학 기상 증착 설비는 공정 챔버(130)에 웨이퍼를 로딩하거나 언로딩하는 경우에, 정전척(114)과 연결되어 있는 연결 피스톤(112)의 반대편 끝에 부착되어 있는 페데스탈(110)이 함께 상, 하로 동작을 하게 된다. 즉, 웨이퍼를 로딩하는 경우에는 정전척(114)과 함께 페데스탈(110)도 상승하게 되고, 웨이퍼를 언로딩하는 경우에는 정전척(114)과 함께 페데스탈(110)도 하강하게 된다.
챔버(130)의 외부에 있는 고정 보조재(124)에 연결되어 있는 스크류(120)에 페데스탈(110)이 닿게 되면 웨이퍼가 놓여있는 정전척(114)은 상승을 멈추게 된다. 스크류(20)는 고정용 너트(122)에 의하여 고정 보조재(124)에 고정되어 있다.
상기한 HDP CVD 장치는 고정 보조재(124)의 하부로 돌출되는 스크류(120)의 길이를 조절함으로써 정전척(114)의 최고 상승 높이를 간단하게 조절할 수 있다. 즉, 돌출된 스크류(120)의 길이가 짧아지면 정전척(114)은 공정챔버(130)에서 높이 상승하게 되고, 반대로 길어지면 상승되는 정전척(114)의 높이도 낮다.
상기 스크류의 확대도가 도 3에 나타나 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 나사선을 따라서 축에 눈금(예를 들면, 3.0~3.15inch)이 표시된 스크류(120)를 사용하여 정전척의 높이를 조절한다. 즉 상기 눈금에 따라 정전척(114)의 높이를 정확하게 알 수 있으며, 상승하는 페데스탈(110)의 높이(D)도 정밀하게 조절할 수 있다 . 예를 들어, 상기 스크류(120)의 원하는 눈금에 맞도록 상기 스크류(120)를 위치시키면 상기 정전척(114)의 높이를 간단하게 조절할 수 있다. 일일이 버어니어 캘리퍼스와 같은 측정기구를 사용함이 없이도 정확한 정전척 높이의 조절이 가능하다.
상기 스크류(120)는 다양한 종류가 사용될 수 있으며, 이러한 스크류(120)의 종류에 따라서 고정 보조재(124) 및 고정용 너트(122)의 구조 및 종류도 변경될 수 있다. 또한 스크류(120)가 도 2에서와 같이 고정 보조재(124)에 의하여 공정 챔버(130)의 외벽에 부착되어 있다. 하지만, 상기 스크류(120)는 공정 챔버(130)의 외벽이 아닌 다른 주변 장치에 부착되어 있을 수도 있다.
그리고 상기 스크류(120)는 적어도 2개 이상 있는 것이 바람직하다. 스크류(120)가 2개 이상이 있는 경우에는 서로 간의 거리가 가장 멀리 떨어져 있도록 배치하는 것이 좋다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예와 같이, 스크류 축에 눈금을 표시하고 이 눈금에 맞춰 정전척의 높이를 조절하게 되면 공정챔버를 오픈하지 않고도 정확하게 원하는 높이로 정전척을 위치시킬 수 있다. 이에 따라 버어니어 캘리퍼스 등의 측정기구를 이용한 측정 시간 등을 획기적으로 줄일 수 있으며, 정확한 정전 척 높이 조절이 가능해 공정불량을 방지 또는 최소화할 수 있다.
상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 스크류 축에 눈금을 표시하고 이 눈금에 맞춰 정전척의 높이를 조절하게 되면 공정챔버를 오픈하지 않고도 정확하게 원하는 높이로 정전척을 위치시킬 수 있다. 이에 따라 버어니어 캘리퍼스 등의 측정기구를 이용한 측정 시간 등을 획기적으로 줄일 수 있으며, 정확한 정전척 높이 조절이 가능해 공정불량을 방지 또는 최소화할 수 있다. 또한, 정전척의 높이를 정확하게 조절할 수 있으므로 정확하고 미세한 공정의 수행이 가능하다.

Claims (3)

  1. 반도체 소자 제조를 위한 화학 기상증착 장치에 있어서:
    공정 챔버와;
    웨이퍼가 안착되며, 상기 공정 챔버에서 상기 웨이퍼와 함께 상, 하 방향으로 로딩/언로딩되는 정전척과;
    축에 일정 간격으로 눈금이 표시되어 그 눈금으로 상기 정전척의 높이를 조절할 수 있도록 구성된 스크류를 구비함을 특징으로 하는 정전척 높이 조절이 가능한 화학 기상 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스크류는 상기 공정챔버의 외벽에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 정전척 높이 조절이 가능한 화학 기상 증착 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 스크류는 적어도 2개 이상인 것을 특징으로 하는 정전척 높이 조절이 가능한 화학 기상 증착 장치.
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