KR20070025818A - Apparatus for manufacturing semiconductors - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 정면도이다.1 is a front view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 정면도이다.2 is a front view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100; 반도체 제조 장치100; Semiconductor manufacturing equipment
120a,120b; 프로세스 모듈(Process Module)120a, 120b; Process Module
140a,140b; 진공 로드 락 (Vacuum Loadlock)140a, 140b; Vacuum Loadlock
150a,150b; 쿨 스테이션(Cool Station)150a, 150b; Cool Station
180a,180b,180c; 로드 포트(Load Port)180a, 180b, 180c; Load Port
200a,200b; 센서(Sensor)200a, 200b; Sensor
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 오염을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing wafer contamination.
반도체 소자를 제조하기 위해선 여러 다양한 반도체 제조 장치가 사용된다. 이러한 반도체 제조 장치 중에서 확산 공정을 이용하여 웨이퍼 상에 소정의 박막을 증착시키는데 사용되는 설비는 그 종류가 다양하다. 확산 공정에 사용되는 설비 중에서, 예를 들어, 플라즈마를 이용하여 나이트라이드를 웨이퍼 상에 증착시키는 설비의 일종인 MMT 설비는 도 1에 도시된 바와 같이 구성된다. Various semiconductor manufacturing apparatuses are used to manufacture semiconductor devices. Among such semiconductor manufacturing apparatuses, there are various kinds of equipments used for depositing a predetermined thin film on a wafer using a diffusion process. Among the equipment used in the diffusion process, for example, MMT equipment, which is a kind of equipment for depositing nitride on a wafer using plasma, is configured as shown in FIG.
도 1을 참조하면, MMT 설비(10)는 실제로 플라즈마 나이트라이드 공정이 진행되는 프로세스 모듈(12a,12b)이 포함된다. 이 프로세스 모듈(12a,12b)로의 웨이퍼 로딩이나 프로세스 모듈(12a,12b)로부터 웨이퍼 언로딩 경로에는 진공 로드 락(14a,14b)이 구비된다. 즉, 웨이퍼는 로드 포트(18a,18b,18c)로부터 진공 로드 락(14a,14b)을 거쳐 프로세스 모듈(12a,12b)로 로딩되고 그 반대 방향으로 언로딩된다. Referring to FIG. 1, the
그런데, 프로세스 모듈(12a,12b)에서 고온 프로세싱 진행후 진공 로드 락(14a,14b)의 쿨 스테이션(15a,15b)으로 이동시 칩핑(chipping) 발생 및 열팽창으로 인해서 웨이퍼 파손(wafer broken)이 발생될 수 있다. 이에 따라, 진공 로드 락(14a,14b) 내부의 오염으로 야기되는 웨이퍼로의 역오염 및 이로 인한 후속 공정이 더 이상 진행되지 않음으로써 발생되는 수율 및 생산량이 하락하는 문제가 있다.However, when the high temperature processing is performed in the
본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 파손에 따른 부수적인 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing the contamination of the incidental wafer due to wafer breakage.
상기 목적을 달성할 수 있는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 진공 로드 락 내부에 웨이퍼 파손을 감지할 수 있는 센서를 구비함으로써 웨이퍼 파손에 따른 부수적인 웨이퍼 오염을 방지하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention which can achieve the above object is characterized by preventing a wafer contamination due to wafer breakage by providing a sensor capable of detecting wafer breakage inside the vacuum load lock.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 프로세스 모듈과 진공 로드 락을 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 진공 로드 락에 배치되어, 상기 프로세스 모듈에서 언로딩되어 상기 진공 로드 락의 쿨 스테이션으로 이송되는 웨이퍼의 파손 여부를 감지하는 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention capable of realizing the above features is a semiconductor manufacturing apparatus having a process module and a vacuum load lock, the semiconductor manufacturing apparatus being disposed in the vacuum load lock and unloaded from the process module to form the vacuum. It characterized in that it comprises a sensor for detecting whether the wafer is transferred to the cool station of the load lock.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 프로세스 모듈 및 진공 로드 락은 각각 복수개 배치되고, 상기 복수개의 프로세스 모듈 각각은 상기 복수개의 진공 로드 락 각각과 조합된다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, a plurality of process modules and vacuum load locks are disposed, and each of the plurality of process modules is combined with each of the plurality of vacuum load locks.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 센서는 상기 복수개의 진공 로드 락 각각에 배치된다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, the sensor is disposed in each of the plurality of vacuum load lock.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 반도체 제조 공정이 실제로 진행되는 제1 및 제2 프로세스 모듈, 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈과 각각 조합된 제1 및 제2 진공 로드 락, 상기 제1 및 제2 진공 로드 락 각각에 구비되어 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각으로부터 이송되어 오는 웨이퍼 각각을 장착하는 제1 및 제2 쿨 스테이션, 및 상기 제1 및 제2 진공 로드 각각에 구비되어 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각으로부터 상기 제1 및 제2 쿨 스테이션 각각으로 이송되어 오는 각 웨이퍼에 대한 파손 여부를 감지하는 제1 및 제2 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to a modified embodiment of the present invention capable of realizing the above characteristics may include first and second process modules in which a semiconductor manufacturing process is actually performed, and first and second combinations with the first and second process modules, respectively. Two vacuum load locks, first and second cool stations mounted in the first and second vacuum load locks, respectively, for mounting wafers transferred from each of the first and second process modules, and the first and second cool stations; And a first sensor and a second sensor provided in each of the two vacuum rods to detect damage to each of the wafers transferred from the first and second process modules to the first and second cool stations, respectively. It is done.
본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각에서 진행되는 반도체 제조 공정 온도는 상기 제1 및 제2 진공 로드 각각의 온도에 비해 상대적으로 고온이다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the modified embodiment of the present invention, the temperature of the semiconductor manufacturing process performed in each of the first and second process modules is relatively high compared to the temperature of each of the first and second vacuum rods.
본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 반도체 제조 공정이 실제로 진행되는 제3 프로세스 모듈, 및 상기 제3 프로세스 모듈에 조합되어 상기 제3 프로세스 모듈로부터 이송되어 오는 웨이퍼를 장착하는 제3 쿨 스테이션과 상기 웨이퍼의 파손 여부를 감지하는 제3 센서가 내부에 배치된 제3 진공 로드 락을 더 포함한다. 상기 제3 프로세스 모듈에서 진행되는 반도체 제조 공정 온도는 상기 제3 진공 로드의 온도에 비해 상대적으로 고온이다.A semiconductor manufacturing apparatus according to a modified embodiment of the present invention, comprising: a third process module in which the semiconductor manufacturing process is actually carried out, and a second mounting process for mounting a wafer transferred from the third process module in combination with the third process module And a third vacuum load lock having a third cool station and a third sensor detecting whether the wafer is damaged. The temperature of the semiconductor manufacturing process performed in the third process module is relatively high compared to the temperature of the third vacuum rod.
본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각에서 소요되는 웨이퍼들을 대기시키는 장소를 제공하는 복수개의 로드 포트를 더 포함한다.In a semiconductor manufacturing apparatus according to a modified embodiment of the present invention, the semiconductor device further includes a plurality of load ports that provide a place to wait wafers required by each of the first and second process modules.
본 발명에 의하면, 진공 로드 락 내부에 웨이퍼 파손을 감지할 수 있는 센서가 구비됨으로써 부수적으로 발생되는 쿨 스테이션 리프트 핀의 방지 및 연속으로 진행되는 후속 공정의 불량을 미연에 방지할 수 있다.According to the present invention, a sensor capable of detecting wafer breakage is provided inside the vacuum load lock, thereby preventing the occurrence of ancillary cool station lift pins and preventing subsequent successive processes.
이하 본 발명에 따른 반도체 제조 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Advantages over the present invention and prior art will become apparent through the description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.
(실시예)(Example)
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 정면도이다.2 is a front view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, KE MMT 사(社)로부터 입수 가능한 플라즈마 나이트라이드 설비, 이른바 MMT 설비와 같은 반도체 제조 장치(100)는 실제로 플라즈마 나이트라이드 공정이 진행되는 프로세스 모듈(Process Module;120a,120b)을 구비한다. 이 프로세스 모듈(120a,120b)의 내부는 진공 환경이므로 비진공 환경에 있는 웨이퍼를 진공 환경의 프로세스 모듈(120a,120b)로 로딩하기 이전에 웨이퍼를 진공 환경하에 놓이도록 하는 진공 로드 락(Vacuum Loadlock;140a,140b)이 구비된다.Referring to FIG. 2, a
프로세스 모듈(120a,120b)과 진공 로드 락(140a,140b)은 각각 복수개 구비된다. 여기서, 제1 프로세스 모듈(120a)은 제1 진공 로드 락(140a)과 조합되고, 제2 프로세스 모듈(120b)은 제2 진공 로드 락(140b)과 조합된다. 따라서, 제1 진공 로드 락(140a)에 유입되는 웨이퍼는 제1 프로세스 모듈(120a)로 로딩되고, 제1 진공 로드 락(140b)에 유입되는 웨이퍼는 제2 프로세스 모듈(120b)로 로딩된다. 각각의 진공 로드 락(140a,140b)에는 쿨 스테이션(Cool Station;150a,150b)이 구비된다.
반도체 제조 장치(100)에는 또한 진공 로드 락(140a,140b)에 유입되는 웨이퍼를 보관하는 카세트가 놓이는 복수개의 로드 포트(Load Port;180a,180b,180c)가 구비된다. 웨이퍼는 각 로드 포트(180a-180c)로부터 진공 로드 락(140a,140b)을 경 유하여 프로세스 모듈(120a,120b)로 로딩되어 플라즈마 나이트라이드 공정에 참여하게 된다. 플라즈마 나이트라이드 공정이 완료된 후에는 프로세스 모듈(120a,120b)로부터 진공 로드 락(140a,140b)을 경유하여 로드 포트(180a-180c)로 언로딩된다. 프로세스 모듈(120a,120b)에서 공정 완료되어 언로딩된 웨이퍼들은 카세트에 담겨져 후속하는 공정에 참여하게 된다.The
프로세스 모듈(120a,120b)에서의 프로세싱은 고온 조건(예; 550 ℃)하에서 이루어진다. 그러므로, 프로세스 모듈(120a,120b)로부터 쿨 스테이션(150a,150b)으로 이송된 웨이퍼는 칩핑(chipping)이 발생될 수 있고 또한 열적 충격에 의해 파손될 수 있다. 이와 같은 웨이퍼 파손을 감지할 수 있는 센서(Sensor;200a,200b)가 진공 로드 락(140a,140b) 내부에 구비된다. 즉, 웨이퍼 핸들링시 센서(200a,200b)에 의해 웨이퍼의 파손 여부가 감지된다. 따라서, 센서(200a,200b)가 웨이퍼 파손을 감지한 경우 인터록이 되거나 작업자로 하여금 필요한 조치를 취하게 한다. 이에 따라, 쿨 스테이션 리프트 핀의 파손이 방지된다. 또한, 웨이퍼나 리프트 핀의 파손 발생으로 인한 진공 로드 락(140a,140b) 내의 오염 발생시 후속 슬롯(slot)이 진행되지 않으므로 부수적인 웨이퍼의 오염이 방지된다.Processing in the
지금까지는 2개의 프로세스 모듈(120a,120b) 각각에 조합된 2개의 진공 로드 락(140a,140b)이 구비된 경우에 대해서 설명하였지만 본 발명은 3개 이상의 다수개의 프로세스 모듈 및 진공 로드 락이 구비된 경우에 대해서도 채택 가능함은 물론이다.Up to now, the case in which two
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 진공 로드 락 내부에 웨이퍼 파손을 감지할 수 있는 센서가 구비됨으로써 부수적으로 발생되는 쿨 스테이션 리프트 핀의 방지 및 연속으로 진행되는 후속 공정의 불량을 미연에 방지할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 수율 내지는 생산량을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, a sensor capable of detecting wafer breakage is provided inside the vacuum load lock, thereby preventing the cool station lift pin that is incidentally generated and the defects of subsequent processes that proceed continuously. You can prevent it. Accordingly, the contamination of the wafer can be prevented and the yield or the yield can be improved.
Claims (8)
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Family Applications (1)
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KR1020050082364A KR20070025818A (en) | 2005-09-05 | 2005-09-05 | Apparatus for manufacturing semiconductors |
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2005
- 2005-09-05 KR KR1020050082364A patent/KR20070025818A/en not_active Application Discontinuation
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