KR20070025818A - Apparatus for manufacturing semiconductors - Google Patents

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KR20070025818A
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Abstract

A semiconductor manufacturing apparatus is provided to prevent the contamination of a wafer and to improve the yield by preventing the generation of failures in following processes using a predetermined sensor capable of detecting the damage of the wafer. A semiconductor manufacturing apparatus includes process modules(120a,120b) and vacuum loadlock chambers(140a,140b). Predetermined sensors(200a,200b) are arranged in the vacuum loadlock chambers. The predetermined sensors detects a damaged portion from a wafer, wherein the wafer is transferred from the process modules to cool stations(150a,150b) of the vacuum loadlock chambers.

Description

반도체 제조 장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS}Semiconductor manufacturing apparatus {APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS}

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 정면도이다.1 is a front view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 정면도이다.2 is a front view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100; 반도체 제조 장치100; Semiconductor manufacturing equipment

120a,120b; 프로세스 모듈(Process Module)120a, 120b; Process Module

140a,140b; 진공 로드 락 (Vacuum Loadlock)140a, 140b; Vacuum Loadlock

150a,150b; 쿨 스테이션(Cool Station)150a, 150b; Cool Station

180a,180b,180c; 로드 포트(Load Port)180a, 180b, 180c; Load Port

200a,200b; 센서(Sensor)200a, 200b; Sensor

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 오염을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing wafer contamination.

반도체 소자를 제조하기 위해선 여러 다양한 반도체 제조 장치가 사용된다. 이러한 반도체 제조 장치 중에서 확산 공정을 이용하여 웨이퍼 상에 소정의 박막을 증착시키는데 사용되는 설비는 그 종류가 다양하다. 확산 공정에 사용되는 설비 중에서, 예를 들어, 플라즈마를 이용하여 나이트라이드를 웨이퍼 상에 증착시키는 설비의 일종인 MMT 설비는 도 1에 도시된 바와 같이 구성된다. Various semiconductor manufacturing apparatuses are used to manufacture semiconductor devices. Among such semiconductor manufacturing apparatuses, there are various kinds of equipments used for depositing a predetermined thin film on a wafer using a diffusion process. Among the equipment used in the diffusion process, for example, MMT equipment, which is a kind of equipment for depositing nitride on a wafer using plasma, is configured as shown in FIG.

도 1을 참조하면, MMT 설비(10)는 실제로 플라즈마 나이트라이드 공정이 진행되는 프로세스 모듈(12a,12b)이 포함된다. 이 프로세스 모듈(12a,12b)로의 웨이퍼 로딩이나 프로세스 모듈(12a,12b)로부터 웨이퍼 언로딩 경로에는 진공 로드 락(14a,14b)이 구비된다. 즉, 웨이퍼는 로드 포트(18a,18b,18c)로부터 진공 로드 락(14a,14b)을 거쳐 프로세스 모듈(12a,12b)로 로딩되고 그 반대 방향으로 언로딩된다. Referring to FIG. 1, the MMT facility 10 includes process modules 12a and 12b in which a plasma nitride process is actually performed. Vacuum load locks 14a and 14b are provided in the wafer loading to the process modules 12a and 12b or the wafer unloading path from the process modules 12a and 12b. That is, the wafer is loaded from the load ports 18a, 18b, 18c via the vacuum load locks 14a, 14b into the process modules 12a, 12b and unloaded in the opposite direction.

그런데, 프로세스 모듈(12a,12b)에서 고온 프로세싱 진행후 진공 로드 락(14a,14b)의 쿨 스테이션(15a,15b)으로 이동시 칩핑(chipping) 발생 및 열팽창으로 인해서 웨이퍼 파손(wafer broken)이 발생될 수 있다. 이에 따라, 진공 로드 락(14a,14b) 내부의 오염으로 야기되는 웨이퍼로의 역오염 및 이로 인한 후속 공정이 더 이상 진행되지 않음으로써 발생되는 수율 및 생산량이 하락하는 문제가 있다.However, when the high temperature processing is performed in the process modules 12a and 12b, wafer broken may occur due to chipping and thermal expansion when moving to the cool stations 15a and 15b of the vacuum load locks 14a and 14b. Can be. Accordingly, there is a problem in that the yield and the yield caused by back contamination to the wafer caused by contamination inside the vacuum load locks 14a and 14b and the subsequent processes no longer proceeded are reduced.

본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 파손에 따른 부수적인 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing the contamination of the incidental wafer due to wafer breakage.

상기 목적을 달성할 수 있는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 진공 로드 락 내부에 웨이퍼 파손을 감지할 수 있는 센서를 구비함으로써 웨이퍼 파손에 따른 부수적인 웨이퍼 오염을 방지하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention which can achieve the above object is characterized by preventing a wafer contamination due to wafer breakage by providing a sensor capable of detecting wafer breakage inside the vacuum load lock.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 프로세스 모듈과 진공 로드 락을 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 진공 로드 락에 배치되어, 상기 프로세스 모듈에서 언로딩되어 상기 진공 로드 락의 쿨 스테이션으로 이송되는 웨이퍼의 파손 여부를 감지하는 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention capable of realizing the above features is a semiconductor manufacturing apparatus having a process module and a vacuum load lock, the semiconductor manufacturing apparatus being disposed in the vacuum load lock and unloaded from the process module to form the vacuum. It characterized in that it comprises a sensor for detecting whether the wafer is transferred to the cool station of the load lock.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 프로세스 모듈 및 진공 로드 락은 각각 복수개 배치되고, 상기 복수개의 프로세스 모듈 각각은 상기 복수개의 진공 로드 락 각각과 조합된다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, a plurality of process modules and vacuum load locks are disposed, and each of the plurality of process modules is combined with each of the plurality of vacuum load locks.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 센서는 상기 복수개의 진공 로드 락 각각에 배치된다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, the sensor is disposed in each of the plurality of vacuum load lock.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 반도체 제조 공정이 실제로 진행되는 제1 및 제2 프로세스 모듈, 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈과 각각 조합된 제1 및 제2 진공 로드 락, 상기 제1 및 제2 진공 로드 락 각각에 구비되어 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각으로부터 이송되어 오는 웨이퍼 각각을 장착하는 제1 및 제2 쿨 스테이션, 및 상기 제1 및 제2 진공 로드 각각에 구비되어 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각으로부터 상기 제1 및 제2 쿨 스테이션 각각으로 이송되어 오는 각 웨이퍼에 대한 파손 여부를 감지하는 제1 및 제2 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to a modified embodiment of the present invention capable of realizing the above characteristics may include first and second process modules in which a semiconductor manufacturing process is actually performed, and first and second combinations with the first and second process modules, respectively. Two vacuum load locks, first and second cool stations mounted in the first and second vacuum load locks, respectively, for mounting wafers transferred from each of the first and second process modules, and the first and second cool stations; And a first sensor and a second sensor provided in each of the two vacuum rods to detect damage to each of the wafers transferred from the first and second process modules to the first and second cool stations, respectively. It is done.

본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각에서 진행되는 반도체 제조 공정 온도는 상기 제1 및 제2 진공 로드 각각의 온도에 비해 상대적으로 고온이다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the modified embodiment of the present invention, the temperature of the semiconductor manufacturing process performed in each of the first and second process modules is relatively high compared to the temperature of each of the first and second vacuum rods.

본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 반도체 제조 공정이 실제로 진행되는 제3 프로세스 모듈, 및 상기 제3 프로세스 모듈에 조합되어 상기 제3 프로세스 모듈로부터 이송되어 오는 웨이퍼를 장착하는 제3 쿨 스테이션과 상기 웨이퍼의 파손 여부를 감지하는 제3 센서가 내부에 배치된 제3 진공 로드 락을 더 포함한다. 상기 제3 프로세스 모듈에서 진행되는 반도체 제조 공정 온도는 상기 제3 진공 로드의 온도에 비해 상대적으로 고온이다.A semiconductor manufacturing apparatus according to a modified embodiment of the present invention, comprising: a third process module in which the semiconductor manufacturing process is actually carried out, and a second mounting process for mounting a wafer transferred from the third process module in combination with the third process module And a third vacuum load lock having a third cool station and a third sensor detecting whether the wafer is damaged. The temperature of the semiconductor manufacturing process performed in the third process module is relatively high compared to the temperature of the third vacuum rod.

본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각에서 소요되는 웨이퍼들을 대기시키는 장소를 제공하는 복수개의 로드 포트를 더 포함한다.In a semiconductor manufacturing apparatus according to a modified embodiment of the present invention, the semiconductor device further includes a plurality of load ports that provide a place to wait wafers required by each of the first and second process modules.

본 발명에 의하면, 진공 로드 락 내부에 웨이퍼 파손을 감지할 수 있는 센서가 구비됨으로써 부수적으로 발생되는 쿨 스테이션 리프트 핀의 방지 및 연속으로 진행되는 후속 공정의 불량을 미연에 방지할 수 있다.According to the present invention, a sensor capable of detecting wafer breakage is provided inside the vacuum load lock, thereby preventing the occurrence of ancillary cool station lift pins and preventing subsequent successive processes.

이하 본 발명에 따른 반도체 제조 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Advantages over the present invention and prior art will become apparent through the description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

(실시예)(Example)

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 정면도이다.2 is a front view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, KE MMT 사(社)로부터 입수 가능한 플라즈마 나이트라이드 설비, 이른바 MMT 설비와 같은 반도체 제조 장치(100)는 실제로 플라즈마 나이트라이드 공정이 진행되는 프로세스 모듈(Process Module;120a,120b)을 구비한다. 이 프로세스 모듈(120a,120b)의 내부는 진공 환경이므로 비진공 환경에 있는 웨이퍼를 진공 환경의 프로세스 모듈(120a,120b)로 로딩하기 이전에 웨이퍼를 진공 환경하에 놓이도록 하는 진공 로드 락(Vacuum Loadlock;140a,140b)이 구비된다.Referring to FIG. 2, a semiconductor manufacturing apparatus 100 such as a plasma nitride facility, a so-called MMT facility, available from KE MMT Co., Ltd., is a process module 120a and 120b in which a plasma nitride process is actually performed. It is provided. Since the interior of the process module 120a, 120b is a vacuum environment, a vacuum load lock for placing the wafer under a vacuum environment before loading the wafer in the non-vacuum environment into the process module 120a, 120b in the vacuum environment. 140a and 140b.

프로세스 모듈(120a,120b)과 진공 로드 락(140a,140b)은 각각 복수개 구비된다. 여기서, 제1 프로세스 모듈(120a)은 제1 진공 로드 락(140a)과 조합되고, 제2 프로세스 모듈(120b)은 제2 진공 로드 락(140b)과 조합된다. 따라서, 제1 진공 로드 락(140a)에 유입되는 웨이퍼는 제1 프로세스 모듈(120a)로 로딩되고, 제1 진공 로드 락(140b)에 유입되는 웨이퍼는 제2 프로세스 모듈(120b)로 로딩된다. 각각의 진공 로드 락(140a,140b)에는 쿨 스테이션(Cool Station;150a,150b)이 구비된다. Process modules 120a and 120b and a plurality of vacuum load locks 140a and 140b are provided, respectively. Here, the first process module 120a is combined with the first vacuum load lock 140a and the second process module 120b is combined with the second vacuum load lock 140b. Therefore, the wafer flowing into the first vacuum load lock 140a is loaded into the first process module 120a, and the wafer flowing into the first vacuum load lock 140b is loaded into the second process module 120b. Each vacuum load lock 140a, 140b is provided with a Cool Station 150a, 150b.

반도체 제조 장치(100)에는 또한 진공 로드 락(140a,140b)에 유입되는 웨이퍼를 보관하는 카세트가 놓이는 복수개의 로드 포트(Load Port;180a,180b,180c)가 구비된다. 웨이퍼는 각 로드 포트(180a-180c)로부터 진공 로드 락(140a,140b)을 경 유하여 프로세스 모듈(120a,120b)로 로딩되어 플라즈마 나이트라이드 공정에 참여하게 된다. 플라즈마 나이트라이드 공정이 완료된 후에는 프로세스 모듈(120a,120b)로부터 진공 로드 락(140a,140b)을 경유하여 로드 포트(180a-180c)로 언로딩된다. 프로세스 모듈(120a,120b)에서 공정 완료되어 언로딩된 웨이퍼들은 카세트에 담겨져 후속하는 공정에 참여하게 된다.The semiconductor manufacturing apparatus 100 is also provided with a plurality of load ports 180a, 180b, 180c on which cassettes for storing wafers introduced into the vacuum load locks 140a, 140b are placed. Wafers are loaded into the process modules 120a and 120b from the respective load ports 180a to 180c via the vacuum load locks 140a and 140b to participate in the plasma nitride process. After the plasma nitride process is completed, it is unloaded from the process modules 120a and 120b to the load ports 180a to 180c via the vacuum load locks 140a and 140b. The wafers that have been processed and unloaded in the process modules 120a and 120b are placed in a cassette to participate in subsequent processes.

프로세스 모듈(120a,120b)에서의 프로세싱은 고온 조건(예; 550 ℃)하에서 이루어진다. 그러므로, 프로세스 모듈(120a,120b)로부터 쿨 스테이션(150a,150b)으로 이송된 웨이퍼는 칩핑(chipping)이 발생될 수 있고 또한 열적 충격에 의해 파손될 수 있다. 이와 같은 웨이퍼 파손을 감지할 수 있는 센서(Sensor;200a,200b)가 진공 로드 락(140a,140b) 내부에 구비된다. 즉, 웨이퍼 핸들링시 센서(200a,200b)에 의해 웨이퍼의 파손 여부가 감지된다. 따라서, 센서(200a,200b)가 웨이퍼 파손을 감지한 경우 인터록이 되거나 작업자로 하여금 필요한 조치를 취하게 한다. 이에 따라, 쿨 스테이션 리프트 핀의 파손이 방지된다. 또한, 웨이퍼나 리프트 핀의 파손 발생으로 인한 진공 로드 락(140a,140b) 내의 오염 발생시 후속 슬롯(slot)이 진행되지 않으므로 부수적인 웨이퍼의 오염이 방지된다.Processing in the process modules 120a and 120b takes place under high temperature conditions (eg 550 ° C.). Therefore, the wafer transferred from the process modules 120a and 120b to the cool stations 150a and 150b may cause chipping and may be broken by thermal shock. Sensors 200a and 200b capable of detecting such wafer breakage are provided in the vacuum load locks 140a and 140b. That is, whether the wafer is broken is detected by the sensors 200a and 200b during wafer handling. Therefore, when the sensors 200a and 200b detect wafer breakage, they become interlocks or allow the operator to take necessary measures. This prevents damage to the cool station lift pins. In addition, when a contamination occurs in the vacuum load locks 140a and 140b due to breakage of the wafer or lift pins, subsequent slots are not progressed, thereby preventing the contamination of the wafer.

지금까지는 2개의 프로세스 모듈(120a,120b) 각각에 조합된 2개의 진공 로드 락(140a,140b)이 구비된 경우에 대해서 설명하였지만 본 발명은 3개 이상의 다수개의 프로세스 모듈 및 진공 로드 락이 구비된 경우에 대해서도 채택 가능함은 물론이다.Up to now, the case in which two vacuum load locks 140a and 140b are combined with each of the two process modules 120a and 120b has been described. However, the present invention provides a case in which three or more process modules and vacuum load locks are provided. Of course, it can be adopted.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 진공 로드 락 내부에 웨이퍼 파손을 감지할 수 있는 센서가 구비됨으로써 부수적으로 발생되는 쿨 스테이션 리프트 핀의 방지 및 연속으로 진행되는 후속 공정의 불량을 미연에 방지할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 수율 내지는 생산량을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, a sensor capable of detecting wafer breakage is provided inside the vacuum load lock, thereby preventing the cool station lift pin that is incidentally generated and the defects of subsequent processes that proceed continuously. You can prevent it. Accordingly, the contamination of the wafer can be prevented and the yield or the yield can be improved.

Claims (8)

프로세스 모듈과 진공 로드 락을 구비한 반도체 제조 장치에 있어서,In the semiconductor manufacturing apparatus provided with a process module and a vacuum load lock, 상기 진공 로드 락에 배치되어, 상기 프로세스 모듈에서 언로딩되어 상기 진공 로드 락의 쿨 스테이션으로 이송되는 웨이퍼의 파손 여부를 감지하는 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a sensor disposed in the vacuum load lock and detecting a wafer that is unloaded from the process module and transferred to a cool station of the vacuum load lock. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프로세스 모듈 및 진공 로드 락은 각각 복수개 배치되고, 상기 복수개의 프로세스 모듈 각각은 상기 복수개의 진공 로드 락 각각과 조합된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a plurality of process modules and a vacuum load lock, respectively, and each of the plurality of process modules is combined with each of the plurality of vacuum load locks. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 센서는 상기 복수개의 진공 로드 락 각각에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And the sensor is disposed in each of the plurality of vacuum load locks. 반도체 제조 공정이 실제로 진행되는 제1 및 제2 프로세스 모듈;First and second process modules where the semiconductor manufacturing process is actually performed; 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈과 각각 조합된 제1 및 제2 진공 로드 락;First and second vacuum load locks in combination with the first and second process modules, respectively; 상기 제1 및 제2 진공 로드 락 각각에 구비되어 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각으로부터 이송되어 오는 웨이퍼 각각을 장착하는 제1 및 제2 쿨 스테이 션; 및First and second cool stations provided in each of the first and second vacuum load locks to mount respective wafers transferred from each of the first and second process modules; And 상기 제1 및 제2 진공 로드 각각에 구비되어 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각으로부터 상기 제1 및 제2 쿨 스테이션 각각으로 이송되어 오는 각 웨이퍼에 대한 파손 여부를 감지하는 제1 및 제2 센서;First and second sensors provided in each of the first and second vacuum rods to detect damage to each wafer transferred from each of the first and second process modules to each of the first and second cool stations; ; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.Semiconductor manufacturing apparatus comprising a. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각에서 진행되는 반도체 제조 공정 온도는 상기 제1 및 제2 진공 로드 각각의 온도에 비해 상대적으로 고온인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The semiconductor manufacturing process temperature of each of the first and second process modules is a relatively high temperature compared to the temperature of each of the first and second vacuum rod. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 반도체 제조 공정이 실제로 진행되는 제3 프로세스 모듈; 및A third process module in which the semiconductor manufacturing process actually proceeds; And 상기 제3 프로세스 모듈에 조합되어 상기 제3 프로세스 모듈로부터 이송되어 오는 웨이퍼를 장착하는 제3 쿨 스테이션과 상기 웨이퍼의 파손 여부를 감지하는 제3 센서가 내부에 배치된 제3 진공 로드 락;A third vacuum load lock having a third cool station coupled to the third process module to mount a wafer transferred from the third process module and a third sensor detecting whether the wafer is damaged; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.A semiconductor manufacturing apparatus further comprising. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제3 프로세스 모듈에서 진행되는 반도체 제조 공정 온도는 상기 제3 진 공 로드의 온도에 비해 상대적으로 고온인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The semiconductor manufacturing process temperature of the third process module is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that relatively high temperature compared to the temperature of the third vacuum rod. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 및 제2 프로세스 모듈 각각에서 소요되는 웨이퍼들을 대기시키는 장소를 제공하는 복수개의 로드 포트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a plurality of load ports that provide a place for waiting wafers consumed in each of the first and second process modules.
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