KR20070025817A - Apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents

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Abstract

Semiconductor device manufacturing equipment is provided to prevent the degradation of a filter due to heat of a boat by installing a filter cover at one side of the filter. Semiconductor device manufacturing equipment includes a loadlock chamber and a filter unit. The loadlock chamber(120) is used for loading a boat. The filter unit(140) is installed at one sidewall of the loadlock chamber. The filter unit is composed of a filter and a filter cover. The filter(142) is used for filtering contaminant materials from purge gas. The filter cover(144) is installed at one side of the filter in order to prevent the filter from being exposed to the heat.

Description

반도체 소자 제조용 장비{Apparatus for fabricating semiconductor device}Apparatus for fabricating semiconductor device

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of equipment for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 필터 유닛을 상세히 나타낸 도면이다. 2 is a view showing in detail a filter unit included in the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 필터 유닛의 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the filter unit included in the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명> <Explanation of symbols on main parts of the drawings>

100: 공정 튜브 110: 히터100: process tube 110: heater

106: 반응 가스 공급 라인 108: 반응 가스 배출 라인106: reaction gas supply line 108: reaction gas discharge line

120: 로드락 챔버 122: 도어120: load lock chamber 122: door

130: 보트 140: 필터 유닛130: boat 140: filter unit

142: 필터 144: 필터 커버142: filter 144: filter cover

146: 필터 고정 부재146: filter fixing member

본 발명은 반도체 소자 제조용 장비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 필터 의 손상을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조용 장비에 관한 것이다. The present invention relates to a device for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a device for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage to the filter.

일반적으로 확산(Diffusion)이란, 평형 상태를 이루려는 자연 현상을 이용한 물질간의 혼합을 말하며, 미시적으로는 원자들간의 혼합 현상을 의미한다. 그러나, 실제 반도체 소자 제조 공정들의 대부분은 어느 정도 확산과 관계가 있으며, 특히 열산화 공정(Thermal oxidation), 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 등은 확산 개념을 많이 이용하고 있는 공정이다. In general, diffusion refers to mixing between materials using natural phenomena to achieve an equilibrium state, and microscopically refers to mixing between atoms. However, most of the actual semiconductor device manufacturing processes are related to diffusion to some extent, and thermal oxidation, chemical vapor deposition (CVD), and the like are widely used.

이 중 화학 기상 증착이란, 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판 위에 박막을 증착하는 공정이다. 이러한 화학 기상 증착은 고온의 확산로(furnace) 내에서 많은 양의 반도체 기판에 동시에 수행될 수 있다. 이를 위해 화학 기상 증착 수행시 확산로 내에는 다수의 반도체 기판들이 장착된 보트가 위치한다. Among these, chemical vapor deposition is a process of depositing a thin film on a semiconductor substrate by chemical reaction after decomposing a gaseous compound. Such chemical vapor deposition can be performed simultaneously on a large amount of semiconductor substrate in a high temperature furnace. To this end, a boat equipped with a plurality of semiconductor substrates is located in the diffusion path during chemical vapor deposition.

그리고, 확산로 하부에는 로드락(loadlock) 챔버가 연결되어 있으며, 공정 전후에 보트를 보관한다. 이러한 로드락 챔버는 공정 수행시 확산로 내부와 동일한 조건으로 유지될 수 있어 다수의 반도체 기판들이 외부 환경으로부터 오염되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 로드락 챔버 내에는 외부로부터 유입될 수 있는 파티클을 차단하기 위해 필터가 설치되어 있다. In addition, a loadlock chamber is connected to the lower part of the diffusion path, and the boat is stored before and after the process. The load lock chamber may be maintained under the same conditions as the inside of the diffusion path when the process is performed to prevent the plurality of semiconductor substrates from being contaminated from the external environment. Therefore, a filter is installed in the load lock chamber to block particles that may be introduced from the outside.

그러나, 화학 기상 증착 공정이 고온에서 진행되므로 확산로에서 로드락 챔버로 보트를 언로딩시 보트에서의 발열로 인해 필터를 열화시킬 수 있다. 그리고 필터의 열화로 인해 반도체 소자에 원뿔형 결함(cone defect)과 같은 공정 에러를 발생시킬 수 있다. 따라서 반도체 소자의 수율 저하 및 반도체 소자 제조 공정의 오류가 발생할 수 있다. However, since the chemical vapor deposition process proceeds at a high temperature, it is possible to degrade the filter due to heat generation in the boat when unloading the boat from the diffusion furnace to the load lock chamber. In addition, deterioration of the filter may cause process errors such as cone defects in the semiconductor device. As a result, a decrease in yield of a semiconductor device and an error in a semiconductor device manufacturing process may occur.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 필터의 손상을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조용 장비를 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide a device for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage to the filter.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the above-mentioned problem, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비는 공정 전후의 보트가 위치하는 로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버의 일측벽에 설치되는 필터 유닛을 포함하며, 상기 필터 유닛은 상기 로드락 챔버 내부로 유입되는 퍼지 가스 내의 오염 물질을 필터링하는 필터 및 상기 필터의 일측면에 설치되어 상기 필터가 고온에 노출되는 것을 방지하고, 필터링된 상기 퍼지 가스를 통과시키는 필터 커버를 구비하는 상기 필터 유닛을 포함한다. In order to achieve the above technical problem, an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a load lock chamber in which a boat before and after a process is disposed and a filter unit installed at one side wall of the load lock chamber. Has a filter for filtering contaminants in the purge gas flowing into the load lock chamber and a filter cover installed on one side of the filter to prevent the filter from being exposed to high temperature and passing the filtered purge gas. And the filter unit.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of equipment for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 소자 제조용 장비는 공정 튜브(100), 히터(110), 로드락 챔버(120), 보트(130) 및 필터 유닛(140)을 포함한다. As shown in FIG. 1, equipment for manufacturing a semiconductor device includes a process tube 100, a heater 110, a load lock chamber 120, a boat 130, and a filter unit 140.

공정 튜브(100)는 반도체 소자 제조 공정 중 확산 공정이 수행되는 공간으로써, 확산 현상에 의해 반도체 기판 상에 박막이 형성된다. 예를 들어, 공정 튜브 내에서는 화학 기상 증착(CVD) 공정이 수행될 수 있다. 이러한 공정 튜브(100)는 외부 튜브(102)와 내부 튜브(104)의 결합으로 이루어져 있으며, 반도체 소자 제조 공정 수행시 내부 튜브(104) 내에 보트(150)가 위치한다. The process tube 100 is a space where a diffusion process is performed during a semiconductor device manufacturing process, and a thin film is formed on a semiconductor substrate by a diffusion phenomenon. For example, a chemical vapor deposition (CVD) process may be performed in the process tube. The process tube 100 is composed of a combination of the outer tube 102 and the inner tube 104, the boat 150 is located in the inner tube 104 during the semiconductor device manufacturing process.

그리고 외부 튜브(102)의 둘레에는 히터(110)가 설치되어 있어 확산 공정시 외부 튜브(102)와 내부 튜브(104)를 고온으로 유지시킨다. 이 때, 외부 튜브(102)와 내부 튜브(104)는 900℃ 이상의 고온에서 반도체 소자 제조 공정이 수행될 때 변형되는 것을 방지하기 위해 석영(quartz) 재질로 이루어진다. The heater 110 is installed around the outer tube 102 to maintain the outer tube 102 and the inner tube 104 at a high temperature during the diffusion process. At this time, the outer tube 102 and the inner tube 104 is made of a quartz material to prevent deformation when the semiconductor device manufacturing process is performed at a high temperature of 900 ℃ or more.

또한, 공정 튜브(100)의 일측에는 내부 튜브(104) 내로 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 라인(106)이 연결되어 있으며, 반대측 일측에는 펌프와 연결되어 있어 공정 튜브(100) 내의 반응 가스를 배출시키는 반응 가스 배출 라인(108)이 외부 튜브(102)와 연결되어 있다. 따라서, 공정 튜브(100) 내의 반응 가스 및 파티클 등이 반응 가스 배출 라인(108)을 통해 외부로 배출된다.In addition, a reaction gas supply line 106 for supplying a reaction gas into the inner tube 104 is connected to one side of the process tube 100, and a reaction gas in the process tube 100 is connected to one side of the process tube 100. A reactive gas discharge line 108 for discharging is connected to the outer tube 102. Therefore, the reaction gas, particles, and the like in the process tube 100 are discharged to the outside through the reaction gas discharge line 108.

그리고, 공정 튜브(100)의 하부는 로드락 챔버(120)와 연결되어 있어 반도체 소자 제조 공정 전, 후에 반도체 기판들을 장착한 보트(130)가 위치한다. 로드락 챔버(120) 내에 위치하는 보트(130)는 로드락 챔버(120) 내에 설치된 승강기(미도시)에 의해 공정 튜브(100)로 반입될 수 있다. 그리고 공정 튜브(100) 내에서 고온에 견딜 수 있도록 석영으로 형성되어 있으며, 다수의 반도체 기판을 소정 간격으로 유지하고 수평으로 지지하기 위한 다수의 슬롯이 형성되어 있다.In addition, the lower portion of the process tube 100 is connected to the load lock chamber 120 so that the boat 130 on which the semiconductor substrates are mounted before and after the semiconductor device manufacturing process is located. The boat 130 located in the load lock chamber 120 may be carried into the process tube 100 by an elevator (not shown) installed in the load lock chamber 120. In addition, the process tube 100 is formed of quartz to withstand high temperatures, and a plurality of slots are formed to maintain and support a plurality of semiconductor substrates at predetermined intervals.

그리고 로드락 챔버(120)는 공정 튜브(100)와 연결되는 부분에 도어(122)가 설치되어 있다. 따라서 도어(122)의 개폐에 의해 공정 튜브(100)의 하부가 개방되거나 폐쇄된다. In addition, the door lock chamber 120 is provided with a door 122 at a portion connected to the process tube 100. Therefore, the lower part of the process tube 100 is opened or closed by opening and closing the door 122.

공정 튜브(100)와 연결된 로드락 챔버(120)는 웨이퍼가 산소와 접촉하는 것을 방지하기 위해 공정 튜브(100)와 함께 진공 상태로 유지된다. 그리고 로드락 챔버(120) 내부로 퍼지(purge) 가스를 공급하여 로드락 챔버(120) 내의 산소를 제거할 수 있다. 이 때, 퍼지 가스로는 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. The load lock chamber 120 connected with the process tube 100 is maintained in vacuum with the process tube 100 to prevent the wafer from contacting oxygen. In addition, a purge gas may be supplied into the load lock chamber 120 to remove oxygen in the load lock chamber 120. At this time, nitrogen (N 2 ) gas may be used as the purge gas.

또한, 로드락 챔버(120)의 일측벽에는 로드락 챔버(120) 내로 공급되는 퍼지 가스를 필터링하는 필터 유닛(140)이 설치되어 있다. 필터 유닛(140)은 필터(142), 필터 커버(1144) 및 필터 고정 부재(146)를 포함한다. 따라서, 외부로부터 공급되는 퍼지 가스가 필터 유닛(140)를 통과하여 로드락 챔버(120)로 공급된다. In addition, one side wall of the load lock chamber 120 is provided with a filter unit 140 for filtering the purge gas supplied into the load lock chamber 120. The filter unit 140 includes a filter 142, a filter cover 1144, and a filter fixing member 146. Therefore, the purge gas supplied from the outside passes through the filter unit 140 and is supplied to the load lock chamber 120.

필터 유닛(140)에 포함된 필터(130)로는 0.3㎛의 입자를 99.7% 이상 필터링할 수 있는 헤파(HEPA: High Efficiency Particulate Air) 필터가 이용될 수 있다. 그리고 로드락 챔버(120) 내부를 향하는 필터(150)의 일측면에는 필터(150)를 보호하기 위한 필터 커버(160)가 설치된다. 필터 커버(160)는 고온의 공정 튜브(100)에서 공정이 종료된 보트(130)를 로드락 챔버(120) 내부로 반출할 때 고온의 보트(130)에 의해 필터(142)가 열화되는 것을 방지한다. 그리고 필터 커버(144)의 전면에는 필터(142) 및 필터 커버(144)를 로드락 챔버(120)의 일측벽에 고정시키기 위한 필터 고정 부재(146)가 설치되어 있다. As the filter 130 included in the filter unit 140, a HEPA (High Efficiency Particulate Air) filter capable of filtering 99.7% or more of 0.3 μm particles may be used. And a filter cover 160 for protecting the filter 150 is installed on one side of the filter 150 facing the load lock chamber 120. The filter cover 160 shows that the filter 142 is deteriorated by the hot boat 130 when the boat 130, which has been terminated in the high temperature process tube 100, is removed from the load lock chamber 120. prevent. In addition, a filter fixing member 146 for fixing the filter 142 and the filter cover 144 to one side wall of the load lock chamber 120 is installed on the front surface of the filter cover 144.

이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 필터 유닛에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the filter unit will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 필터 유닛을 상세히 나타낸 도면이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 필터 유닛의 분해 사시도이다. 2 is a view showing in detail a filter unit included in the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention. 3 is an exploded perspective view of the filter unit included in the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 필터 유닛(140)은 로드락 챔버(120)의 일측벽에 설치된다. 상세히 설명하면, 필터 유닛(140) 내의 필터(142)는 표면적을 크게 하기 위해 물결 형태일 수 있다. 그리고 필터(142)의 일측면에는 필터(142)를 보호하기 위한 필터 커버(144)가 결합될 수 있다. 필터(142)의 일측면에 위치하는 필터 커버(144)는 필터(142)를 고온으로부터 보호하기 위해 고온에 강한 재질로 형성된다. 예를 들어, 필터 커버(144)는 SUS(Stainless Use Steel) 재질로 형성될 수 있다. 그리고 필터 커버(144)는 필터(142)에 의해 필터링된 퍼지 가스를 로드락 챔버(120) 내부로 유입시킬 수 있도록 다수의 통기구가 형성될 수 있다. 또한 필터 커버(142)는 보다 효과적으로 필터링된 퍼지 가스를 유입시킬 수 있도록 그물망 형태로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the filter unit 140 is installed at one side wall of the load lock chamber 120. In detail, the filter 142 in the filter unit 140 may be wavy to increase the surface area. In addition, a filter cover 144 for protecting the filter 142 may be coupled to one side of the filter 142. The filter cover 144 located on one side of the filter 142 is formed of a material resistant to high temperature in order to protect the filter 142 from high temperature. For example, the filter cover 144 may be formed of SUS (Stainless Use Steel) material. In addition, the filter cover 144 may include a plurality of vents to allow the purge gas filtered by the filter 142 to flow into the load lock chamber 120. In addition, the filter cover 142 may be formed in the form of a mesh so as to introduce the filtered purge gas more effectively.

그리고, 필터 커버(144)의 일측면에는 필터(142) 및 필터 커버(144)를 로드락 챔버(120) 일측면에 고정시킬 수 있는 필터 고정 부재(146)가 설치된다. 필터 고정 부재(146)는 원형 기둥 형태로써 소정 간격으로 이격되어 필터(142) 및 필터 커버(144)가 로드락 챔버(120)의 일측면에서 이탈되는 것을 방지한다. In addition, a filter fixing member 146 may be installed at one side of the filter cover 144 to fix the filter 142 and the filter cover 144 to one side of the load lock chamber 120. The filter fixing member 146 is spaced apart at predetermined intervals in the form of a circular column to prevent the filter 142 and the filter cover 144 from being separated from one side of the load lock chamber 120.

이와 같은 반도체 소자 제조용 장비는 공정 튜브(100)에서 반도체 소자 제조 공정이 종료되면 공정 튜브(100) 내의 보트(130)가 로드락 챔버(120)로 반출된다. 이 때, 보트(130)는 고온 상태에서 로드락 챔버(120)로 반출되므로 로드락 챔버(120) 내부 온도를 상승시킨다. 이에 따라 로드락 챔버(120)의 일측벽에 설치된 필터 유닛(140)이 고온에 노출된다. 이 때, 필터 유닛(140)에 포함된 필터(142)는 로드락 챔버(120) 내부를 향하는 일측면에 필터 커버(144)가 설치되어 있으므로 직접적으로 고온에 노출되어 열화되는 것이 방지된다. 이에 따라 필터(142)가 열화되어 필터링 기능이 저하되는 것을 방지할 수 있다. In the semiconductor device manufacturing equipment as described above, when the semiconductor device manufacturing process is completed in the process tube 100, the boat 130 in the process tube 100 is carried out to the load lock chamber 120. At this time, since the boat 130 is carried out to the load lock chamber 120 at a high temperature, the boat 130 increases the temperature inside the load lock chamber 120. Accordingly, the filter unit 140 installed on one side wall of the load lock chamber 120 is exposed to high temperature. At this time, the filter 142 included in the filter unit 140 is provided with a filter cover 144 on one side facing the inside of the load lock chamber 120 is prevented from being directly exposed to high temperature and deteriorated. Accordingly, it is possible to prevent the filter 142 from deteriorating and deteriorating the filtering function.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention belongs may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You will understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같이 본 발명의 반도체 소자 제조용 장비에 따르면 퍼지 가스의 미세한 불순물을 필터링하는 필터의 일측면에 필터 커버를 설치함으로써 공정 튜브에서 반출되는 보트의 발열로 인해 필터가 열화되는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the filter cover may be installed on one side of the filter for filtering the fine impurities of the purge gas, thereby preventing the filter from deteriorating due to the heat generation of the boat carried out from the process tube. .

따라서, 필터의 열화로 인해 퍼지 가스의 필터링이 저하되어 반도체 소자의 수율이 저하되거나 공정 에러가 발생하는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the filtering of the purge gas is lowered due to the deterioration of the filter, thereby preventing the yield of the semiconductor device from being lowered or a process error occurring.

Claims (6)

공정 전후의 보트가 위치하는 로드락 챔버; 및 A load lock chamber in which the boat before and after the process is located; And 상기 로드락 챔버의 일측벽에 설치되는 필터 유닛을 포함하며, 상기 필터 유닛은 상기 로드락 챔버 내부로 유입되는 퍼지 가스 내의 오염 물질을 필터링하는 필터 및 상기 필터의 일측면에 설치되어 상기 필터가 고온에 노출되는 것을 방지하고, 필터링된 상기 퍼지 가스를 통과시키는 필터 커버를 구비하는 상기 필터 유닛을 포함하는 반도체 소자 제조용 장비.And a filter unit installed at one side wall of the load lock chamber, wherein the filter unit is installed at one side of the filter and a filter for filtering contaminants in the purge gas introduced into the load lock chamber. And the filter unit having a filter cover to prevent exposure to the substrate and allow the filtered purge gas to pass therethrough. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 필터 유닛은 상기 필터 및 상기 필터 커버를 상기 로드락 챔버의 일측벽에 고정시키는 필터 고정 부재를 더 포함하는 반도체 소자 제조용 장비. The filter unit further comprises a filter fixing member for fixing the filter and the filter cover to one side wall of the load lock chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 필터는 헤파(HEPA) 필터인 반도체 소자 제조용 장비.The filter is a HEPA (HEPA) filter equipment for manufacturing a semiconductor device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 필터 커버는 SUS(Stainless Use Steel) 재질로 형성된 반도체 소자 제조용 장비.The filter cover is a device for manufacturing a semiconductor device formed of SUS (Stainless Use Steel) material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 필터 커버는 표면에 다수의 통기구가 형성된 반도체 소자 제조용 장비.The filter cover is a device for manufacturing a semiconductor device formed with a plurality of vents on the surface. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 필터 커버는 그물망 형태인 반도체 소자 제조용 장비.The filter cover is a device for manufacturing a semiconductor device in the form of a net.
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