KR20070022548A - 전자방출표시소자 및 그의 구동방법 - Google Patents

전자방출표시소자 및 그의 구동방법 Download PDF

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KR20070022548A KR1020050076978A KR20050076978A KR20070022548A KR 20070022548 A KR20070022548 A KR 20070022548A KR 1020050076978 A KR1020050076978 A KR 1020050076978A KR 20050076978 A KR20050076978 A KR 20050076978A KR 20070022548 A KR20070022548 A KR 20070022548A
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Abstract

본 발명의 목적은 화소들의 휘도를 보상하며 휘도 보상시 보다 정확한 보상을 실시하기 위한 전자 방출 표시소자 및 그 제어 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 데이터신호와 주사신호에 의해 제 1 전극과 제 2 전극에 소정의 전압이 인가되어 발광하는 복수의 화소를 포함하는 화소부, 영상신호에 의해 상기 데이터신호를 생성하여 상기 화소부에 전달하는 데이터구동부, 상기 주사신호를 생성하여 상기 화소부에 전달하는 주사구동부 및 상기 복수의 화소 각각의 휘도 특성에 대응하여 다차원 방정식으로 표현되는 복수의 휘도곡선을 파악하고, 상기 다차원방정식의 각각의 계수에 곱해져 상기 다차원방정식이 기준 휘도곡선과 동일한 곡선으로 형성하는 보상계수를 이용하여 상기 복수의 휘도곡선을 보정하는 휘도보상부를 포함하는 전자방출 표시소자를 제공하는 것이다.

Description

전자방출표시소자 및 그의 구동방법{Electron Emission Display Device and driving method thereof}
도 1은 종래 기술에 의한 전자방출표시소자의 구조를 나타내는 구조도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 구조를 나타내는 구조도이다.
도 3a 및 도 3b는은 전자방출표시소자의 각 화소들의 휘도 특성을 나타낸 도이다.
도 4는 도 2에 도시된 전자방출표시소자에 채용된 휘도보상부를 나타내는 구조도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 동작을 나타낸 순서도이다.
도 6은 도 2에 도시된 전자방출표시소자에서 채용된 화소부를 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 6에 도시된 화소부의 단면을 나타내는 단면도이다.
***도면의 주요부분에 대한 부호 설명***
100: 화소부 101: 화소
200: 데이터구동부 300: 주사구동부
400: 타이밍 제어부 500: 휘도보상부
본 발명은 전자 방출 표시소자 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 특히 화소의 발광 불균일을 개선하기 위하여 화소 단위로 휘도 특성을 조절하는 전자 방출 표시소자 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판 디스플레이(FPD; Flat Panel Display)는 서로 마주하는 두 기판 사이에 측벽을 세워 진공 상태의 용기를 제조하고, 이 용기의 내부에 적절한 소재를 배치하여 원하는 화면을 표시하는 장치로서, 최근 들어 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정디스플레이(LCD), 플라즈마 표시패널(PDP), 전자방출 표시소자(electron emission display) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 개발되어 실용화되고 있다.
특히, 전자방출 표시소자는 음극선관(CRT)과 동일하게 전자선에 의해 형광체 발광하는 현상을 이용하여 음극선관(CRT)의 뛰어난 특성을 유지하면서도 화상의 뒤틀림이 없이 저소비전력의 평면형 디스플레이로 구현할 수 있는 가능성이 크고, 시야각, 고속응답, 고휘도, 고정세, 박형 등의 관점에서도 만족스러운 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
일반적으로, 전자방출소자(Electron Emission Device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자방출소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE (Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.
FEA 형 전자 방출소자는 일 함수(Work Function)가 낮거나 β Function이 높은 물질을 전자 방출원으로 사용하여 진공 중에서 전계차에 의하여 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 탄소계 물질 또는 나노물질을 전자 방출원을 적용한 소자가 개발되고 있다.
SCE 형 전자 방출소자는 기판 상에 서로 마주보며 배치된 2개의 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성한 소자이다. 상기 소자는 전극에 전압을 인가하여 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 상기 미세 갭인 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
MIM 형과 MIS형 전자방출소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다.
BSE 형 전자 방출소자는 반도체의 사이즈를 반도체 중의 전자의 평균자유행정 보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용하여 오믹 전극 상에 금속 또는 반도체로 이루어지는 전자공급층을 형성하고, 전자공급층위에 절연층과 금속박막을 형성하여 오믹전극과 금속박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다.
이와 같은 전자 방출 소자는 CRT(Cathode-Ray Tube)와 마찬가지로 캐소드 전 극선 발광에 의해 동작한다는 점(자체광원, 높은효율, 높은 휘도와 넓은 휘도영역, 천역색 및 높은 색순도, 넓은 시야각), 동작속도, 동작 온도 영역이 넓다는 점등의 장점으로 인하여 다양한 분야에서 활용가능하며, 최근까지 활발한 연구가 이루어지고 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 전자방출표시소자의 구조를 나타내는 구조도이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 전자방출표시소자는 화소부(10), 데이터 구동부(20), 주사구동부(30) 및 타이밍 제어부(40)를 포함한다.
화소부(10)는 복수의 캐소드 전극(C1,C2....Cn)이 열 방향으로 배열되고 복수의 게이트전극(G1,G2....Gn)이 행 방향으로 배열되며 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 게이트전극(G1,G2....Gn)이 교차하는 부분마다에 전자방출부가 마련되어 화소(11)를 형성한다. 그리고, 화소부의 전면에 애노드 전극이 형성되어 전자방출부에서 방출된 전자가 화소부의 전면에 충돌할 수 있도록 한다. 또한, 게이트전극(G1,G2....Gn)이 열 방향으로 배열되고 캐소드 전극(C1,C2....Cn)이 행 방향으로 배열될 수 있다. 이하에서는, 캐소드 전극(C1,C2....Cn)은 열 방향으로 배열되고 게이트전극(G1,G2....Gn)은 행 방향으로 배열되어 있는 것으로 가정을 하여 설명한다.
데이터구동부(20)는 영상신호를 이용하여 데이터신호를 생성하며 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 연결되어 데이터신호를 캐소드 전극(C1,C2....Cn)에 전달한다. 데이터구동부(20)는 선택된 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 게이트 전극(G1,G2.. ..Gn)이 교차하는 부분에 형성된 화소(11)에 대한 ON/OFF를 위한 전극신호를 발생시킨다.
주사구동부(30)는 게이트 전극(G1,G2....Gn)과 연결되어 행방향으로 배열되어 있는 복수의 게이트 전극 중 하나의 게이트 전극(G1,G2....Gn)을 선택하여 게이트 전극(G1,G2....Gn)에 연결되어 있는 화소(11)에 주사신호가 전달되도록 한다.
타이밍제어부(40)는 데이터구동부(20)와 주사구동부(30)에 각각 데이터구동부제어신호와 주사구동부제어신호를 전달하여 데이터구동부(20)와 주사구동부(30)의 동작을 제어한다.
상기와 같이 구성된 전자방출표시소자는 전자방출부의 특성, 게이트 전극 및 캐소드 전극의 내부저항에 의한 전압불균일 등에 의해 동일한 영상신호를 입력받아도 각 화소간의 휘도가 달라질 우려가 있으며, 동일한 화소에서 각 계조별로 변화하는 휘도의 변화량이 틀려지게 되어 각 화소간에 휘도 편차에 의한 색불균일이 발생할 우려가 있다.
따라서, 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 화소들의 휘도를 보상하며 휘도 보상시 보다 정확한 보상을 실시하기 위한 전자 방출 표시소자 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1 측면은, 데이터신호와 주사신호에 의해 제 1 전극과 제 2 전극에 소정의 전압이 인가되어 발광하는 복수의 화소를 포함하는 화소부, 영상신호에 의해 상기 데이터신호를 생성하여 상기 화소부에 전달하는 데이터구동부, 상기 주사신호를 생성하여 상기 화소부에 전달하는 주사구동부 및 상기 복수의 화소 각각의 휘도 특성에 대응하여 다차원 방정식으로 표현되는 복수의 휘도곡선을 파악하고, 상기 다차원방정식의 각각의 계수에 곱해져 상기 다차원방정식이 기준 휘도곡선과 동일한 곡선으로 형성하는 보상계수를 이용하여 상기 복수의 휘도곡선을 보정하는 휘도보상부를 포함하는 전자방출 표시소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 측면은, 복수의 화소들의 휘도 특성을 검출하는 단계, 기준휘도곡선을 선정하고 상기 복수의 화소들마다 상기 휘도특성에 대응한 다차원곡선을 파악하는 단계, 상기 다차원곡선을 상기 기준휘도곡선과 일치하도록 각 화소별로 상기 다차원곡선의 각 계수에 대응하는 보상계수를 파악하고 저장하는 단계 및 상기 보상 계수를 이용하여 상기 나머지 화소들의 상기 다차원 곡선을 보정하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시소자 구동방법을 제공하는 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 구조를 나타내는 구조도이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자는 화소부(100), 주 사 구동부(200), 데이터 구동부(300), 타이밍제어부(400) 및 휘도보상부(500)를 포함한다.
화소부(100)는 복수의 캐소드 전극(C1,C2....Cn)이 열 방향으로 배열되고 복수의 게이트전극(G1,G2....Gn)이 행 방향으로 배열되며 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 게이트전극(G1,G2....Gn)이 교차하는 부분마다에 전자방출원이 마련되어 화소(101)를 형성한다. 또한, 게이트전극(G1,G2....Gn)이 열 방향으로 배열되고 캐소드 전극(C1,C2....Cn)이 행 방향으로 배열될 수 있다. 또한, 화소부(100)에 애노드 전극은 화소부(100)의 전 영역에 걸쳐 형성될 수 있다. 이하에서는, 캐소드 전극(C1,C2....Cn)은 열 방향으로 배열되고 게이트전극(G1,G2....Gn)은 행 방향으로 배열되어 있는 것으로 가정을 하여 설명한다.
데이터구동부(200)는 영상신호를 전달받아 데이터신호를 생성하여 화소부(100)에 전달하며, 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 연결되어 데이터신호를 캐소드 전극(C1,C2....Cn)에 전달한다. 데이터구동부(200)는 선택된 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 게이트 전극(G1,G2....Gn)이 교차하는 부분에 형성된 화소(101)에 대한 ON/OFF를 위한 전극신호를 발생시킨다.
주사구동부(300)는 주사신호를 생성하여 화소부(100)에 전달하며 게이트 전극(G1,G2....Gn)과 연결되어 행방향으로 배열되어 있는 복수의 게이트 전극 중 하나의 게이트 전극(G1,G2....Gn)을 선택하여 게이트 전극(G1,G2....Gn)에 연결되어 있는 화소(101)에 주사신호가 전달되도록 한다.
타이밍제어부(400)는 데이터구동부(200)와 주사구동부(300)를 제어하여 데이 터구동부(200)와 주사구동부(300)에서 데이터신호와 주사신호를 생성하여 화소부(100)에 전달할 수 있도록 한다.
휘도보상부(500)는 영상신호에 대응하여 발광하는 각 화소의 휘도 특성을 파악하고, 복수의 화소(101) 각각에 해당하는 보상계수를 이용하여 복수의 화소(101)에 입력되는 영상신호를 보정한다. 각 화소의 휘도 특성은 영상신호의 계조값에 대응한 각 화소별 휘도의 변화를 나타내는 것으로 휘도의 변화는 도 2에 도시되어 있는 것과 같이 나타난다.
도 3a 및 도 3b는 전자방출표시소자의 각 화소들의 휘도 특성을 나타낸 도이다. 도 3a는 휘도보상이 이루어지지 않은 경우 휘도변화를 나타낸 도이고, 도 3b는 휘도보상이 이루어진 경우 휘도변화를 나타낸 도면이다. 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명하면, 각 화소는 제 1 화소(Red1), 제 2 화소(Red2), 제 3 화소(Red3) 및 제 4 화소(Red4)로 표현할 수 있으며, 제 1 화소(Red1), 제 2 화소(Red2), 제 3 화소(Red3) 및 제 4 화소(Red4)의 휘도변화는 도면에 도시된 것과 같이 서로 다른 곡선으로 표현된다. 그리고, 이렇게 표현된 곡선은 다차원방정식에 대응하여 표현된다.
전자 방출 표시소자에 의한 화소들의 입력 휘도 데이터 대비 실제 발광 휘도 레벨을 나타낸 그래프 상에서 동일한 계조일때 실제 발광하는 화소들 각각의 휘도 레벨이 모두 조금씩 다른 것을 알 수 있다. Red4의 휘도 특성 곡선을 기준으로 하여 Red1의 휘도 특성 곡선을 조절하고자 하는 경우를 예를 들어 설명하면 다음과 같다.
예를 들어, Red4의 휘도 특성 곡선에 대응하는 방정식이 Ax2 + Bx + C = Y(휘도) 이고, Red1의 휘도 특성 곡선에 대응하는 방정식이 Dx2+ Ex + F = Y(휘도) 라면, Red1의 휘도 특성 곡선은 Red4의 휘도 특성 곡선에 도달하기 위해 상수들을 보상할 필요가 있다. 즉, Dx2에는 A/D 만큼의 보상 계수를 곱하여 Ax2이 되게 보상하고, Ex에는 B/E 만큼의 보상 계수를 곱하여 Bx가 되게 보상한다. 또한, F에는 C/F 만큼의 보상 계수를 곱하여 C가 되게 보상한다. 이와 같은 방식을 Red2 및 Red3의 휘도 특성 곡선에도 적용할 수 있다. 이때, 적용되는 보상 계수는 화소 및 계조 마다 모두 달라지게 되고, 각 보상계수를 적용한 그래프는 도 3b에 도시된 것과 같이 나타나 휘도변화를 나타내는 휘도곡선이 Red4의 휘도특성곡선과 일치하게 된다.
도 4는 도 2에 도시된 전자방출표시소자에 채용된 휘도보상부를 나타내는 구조도이다. 도 4를 참조하여 설명하면, 휘도보상부(500)는 휘도검출부(510), 보상계수추출부(520), 메모리(530) 및 보정부(540)를 포함한다.
휘도검출부(510)는 입력되는 데이터 신호에 대응하여 각 화소(101)가 표시하는 휘도를 검출한다. 휘도검출은 0계조 내지 255계조 사이의 모든 계조값에 대응하는 휘도를 검출한다.
보상계수추출부(520)는 휘도검출부(411)로부터 검출된 휘도를 이용하여 각 계조값에 따른 휘도의 변화를 파악한다. 파악된 휘도의 변화가 휘도의 특성을 파 악하는 것으로, 각 화소별 휘도의 변화는 다차원곡선으로 나타난다. 그리고, 휘도의 변화에 기준이 되는 기준선을 선정하고 각 화소의 다차원곡선
메모리(530)는 각 화소의 휘도를 보상하는 보상계수를 저장하며, 각 보상계수는 다차원곡선이 2차원 방정식으로 표현되는 경우 표 1에 도시된 것과 같이 각 화소마다 3 개의 보정계수를 저장하여 2차원방정식으로 표현되는 휘도변화를 보정할 수 있도록 한다.
1열 2열 3열 ... m-1열 m열
1행 2 5 2 3 5 2 12 3 11 5 20 1 4 5 3
2행 3 4 5 3 4 5 20 1 3 9 22 3 4 10 10
3행 4 5 10 10 4 9 22 3 46 11 12 3 3 13 12
n-1행 44 1 0 20 1 3 2 5 2 12 3 13 22 3 46
n행 22 3 46 22 3 46 3 4 5 2 5 2 10 10 4
보상부(540)는 보상 계수와 복수의 화소(101)의 휘도 특성 곡선에 대응하는 다차원 방정식의 계수들에 메모리(530)에 저장되어 있는 보상계수를 곱하여 이에 대응하는 제어 신호를 출력한다. 또한, 각 계조마다 보상 계수를 다르게 설정함으로써 기준이 되는 추세선에 맞춰서 나머지 곡선을 조절할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 전자방출표시소자에서 휘도를 보상하는 과정을 나타내는 순서도이다. 도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 휘도보상과정은 제 1 단계(ST 100) 내지 제 4 단계(ST 130)에 걸쳐 동작한다.
제 1 단계(ST 100): 복수의 화소 각각의 각 계조별 휘도 변화를 파악한다. 각 화소는 화소의 특성에 따라 동일한 계조가 입력되어도 다른 휘도특성을 나타내게 되어 각 계조별로 각 화소의 휘도변화를 파악한다.
제 2 단계(ST 120): 각 화소의 휘도변화에 대응하여 각 화소별로 다차원의 방정식으로 표현되는 휘도곡선을 파악하고, 기준휘도곡선을 선정한다. 도 3a 및 도 3b의 경우 기준휘도곡선은 일례로 Red4의 휘도 특성곡선으로 선정할 수 있으며, 임의의 곡선으로 지정할 수도 있다.
제 3 단계(ST 110): 각 화소별 휘도곡선과 기준휘도곡선의 차이에 대응되는 보상계수를 선정한다. 각 화소별 휘도곡선은 다차원의 방정식으로 표현되어 하나의 휘도곡선에는 복수의 계수가 포함된다. 보상계수는 복수의 계수를 보상하여 각 화소별 휘도곡선이 기준휘도곡선과 일치하도록 하는 수이다. 그리고, 하나의 휘도곡선에는 복수의 보상계수가 대응되어 휘도곡선의 각 계수를 보상계수를 이용하여 보정할 수 있도록 한다. 보상계수가 선정되면 선정된 보상계수를 저장한다.
제 4 단계(ST 130)는 제 3단계(ST 120)에서 설정된 보상 계수에 따라 복수의 화소의 휘도 특성 곡선에 대응하는 다차원 방정식을 보정하여 화소부의 휘도를 조절하는 단계이다. 이때, 각 화소에 해당하는 다차원 방정식의 상수들과 보상 계수를 곱하여 다차원 방정식을 보정하도록 한다.
도 6은 도 2에 도시된 전자방출표시소자에서 채용된 화소부를 나타내는 사시도이고, 도 7은 도 6에 도시된 화소부의 단면을 나타내는 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하여 설명하면, 전자방출표시소자는 하부기판(110), 상부기판(190) 및 스페이서(180)를 포함하며, 하부기판(110) 상에 캐소드 전극(120), 절연층(130), 전자방출부(140), 게이트 전극(150)이 형성되며, 상부기판(190)은 전면기판, 애노드 전극 및 형광막이 형성된다.
하부기판(110)상에 스트라이프 형태로 적어도 하나 이상의 캐소드 전극(120)이 형성되며 캐소드 전극(120)의 상부에 캐소드 전극(120)의 일부가 노출되도록 하는 복수의 제 1 홈(131)이 형성되어 있는 절연층(130)이 형성된다. 그리고, 절연층(130) 상부에 게이트 전극(150)이 형성된다. 게이트 전극(150)에는 일정한 크기의 복수의 제 2 홈(151)이 형성되며 제 2 홈(151)은 제 1 홈(131)의 상부에 형성된다. 그리고, 캐소드 전극(120)의 상부에 제 1 홈(131)과 제 2 홈(151)이 일치하는 영역에 전자방출부(140)가 위치한다.
하부기판(110)은 유리 또는 실리콘 기판을 사용하며, 전자방출부(140)는 페이스트를 이용하여 후면 노광에 의해 이를 형성하는 경우에는 유리 기판과 같은 투명 기판이 바람직하다.
캐소드 전극(120)은 데이터 구동부(미도시) 또는 주사 구동부(미도시)로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 전자방출부(140)로 공급한다. 캐소드전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide)가 사용된다.
절연층(130)은 하부기판(110)과 캐소드전극(120) 상부에 형성되며, 캐소드전극(120)과 게이트전극(150)을 전기적으로 절연한다.
게이트전극(150)은 절연층(130) 상에 소정의 형상으로, 예컨대 스트라이프 상으로 캐소드전극(120)과 교차하는 방향으로 배치되며, 데이터구동부(200) 또는 주사구동부(300)로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 각 화소로 공급한다. 게이트전극(150)은 전도성이 양호한 금속, 예컨대 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 이들의 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 도전성 금속 재료로 이루어진다.
전자방출부(140)는 절연층(130)의 제 1 개구부(131)에 의해 노출된 캐소드전극(120) 상에 전기적으로 접속되어 각각 위치하며, 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질, 카본 나노튜브, 그라파이트(graphite), 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 바람직하다.
상부기판(190)는 형광막을 구비하여 전자가 형광막에 충돌하면 빛을 발광하도록 하며 애노드 전극을 구비하여 전자방출부에서 방출된 전자가 상부기판에 충돌할 수 있도록 한다.
스페이서(180)는 하부기판(110)과 상부기판(190) 사이에 일정한 거리를 유지하도록 한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 전자 방출 표시소자 및 그 제어 방법에 의하면 전자 방출 소자의 화소간 발광 불균일을 보다 정확한 값으로 보상할 수 있다.

Claims (6)

  1. 데이터신호와 주사신호에 의해 제 1 전극과 제 2 전극에 소정의 전압이 인가되어 발광하는 복수의 화소를 포함하는 화소부;
    영상신호에 의해 상기 데이터신호를 생성하여 상기 화소부에 전달하는 데이터구동부;
    상기 주사신호를 생성하여 상기 화소부에 전달하는 주사구동부; 및
    상기 복수의 화소 각각의 휘도 특성에 대응하여 다차원 방정식으로 표현되는 복수의 휘도곡선을 파악하고, 상기 다차원방정식의 각각의 계수에 곱해져 상기 다차원방정식이 기준 휘도곡선과 동일한 곡선으로 형성하는 보상계수를 이용하여 상기 복수의 휘도곡선을 보정하는 휘도보상부를 포함하는 전자방출 표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 휘도보상부는
    상기 복수의 화소의 휘도를 검출하는 휘도검출부;
    상기 휘도검출부에서 검출된 휘도를 이용하여 다차원 방정식으로 표현되는 휘도곡선과 기준휘도곡선을 이용하여 상기 각 화소마다 상기 휘도곡선을 보상하는 보상계수를 추출하며 상기 보상계수는 각 차원별로 설정되는 보상계수추출부;
    상기 보상계수추출부에 의해 추출된 보상계수를 저장하는 메모리; 및
    상기 보상 계수를 이용하여 복수의 화소들의 상기 휘도곡선을 보상하는 보정부를 포함하는 전자 방출 표시소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 상기 보상계수는 상기 휘도곡선의 각 계수와 곱셈연산이 수행되어 상기 휘도곡선이 보상되는 전자 방출 표시소자.
  4. 복수의 화소들의 휘도 특성을 검출하는 단계;
    기준휘도곡선을 선정하고 상기 복수의 화소들마다 상기 휘도특성에 대응한 다차원곡선을 파악하는 단계;
    상기 다차원곡선을 상기 기준휘도곡선과 일치하도록 각 화소별로 상기 다차원곡선의 각 계수에 대응하는 보상계수를 파악하고 저장하는 단계; 및
    상기 보상 계수를 이용하여 상기 나머지 화소들의 상기 다차원 곡선을 보정하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시소자 구동방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 휘도특성을 검출하는 단계에서 각 계조별로 상기 복수의 화소 각각에서 표현되는 휘도를 파악하여 각 계조별로 휘도변화를 파악하는 전자 방출 표시소자 구동 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 보정단계에서는 상기 다차원 곡선에 대응하는 다차원 방정식의 상수들과 상기 보상 계수를 곱하여 상기 다차원 방정식을 보정하는 단계인 전자 방출 표시소자 구동방법.
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