KR20070016649A - Wafer grinding apparatus and Wafer grinding method using the same - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 연마장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마방법이 제공된다. 제공된 웨이퍼 연마장치는 휠 몸체와, 휠 몸체의 일측에 마련되며 웨이퍼를 연마하는 다수의 휠 블레이드 및, 휠 블레이드들 중 적어도 어느 하나를 왕복이동시키는 휠 이동유닛을 포함한다. 따라서, 제공된 웨이퍼 연마장치에 따르면, 서로 다른 입도(Grit size)를 갖는 다수의 휠 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 연마하거나 서로 다른 재질로 된 다수의 휠 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 연마하기 때문에 연마되는 칩의 표면 거칠기를 획기적으로 개선하면서 칩의 두께를 빠르게 감소시킬 수 있게 된다. A wafer polishing apparatus and a wafer polishing method using the same are provided. The provided wafer polishing apparatus includes a wheel body, a plurality of wheel blades provided on one side of the wheel body, and a wheel moving unit for reciprocating at least one of the wheel blades. Accordingly, according to the provided wafer polishing apparatus, the wafer is polished by using a plurality of wheel blades having different grain sizes or by polishing a wafer using a plurality of wheel blades of different materials. It is possible to quickly reduce the thickness of the chip while dramatically improving the surface roughness.

Description

웨이퍼 연마장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마방법{Wafer grinding apparatus and Wafer grinding method using the same}Wafer grinding apparatus and wafer grinding method using the same {Wafer grinding apparatus and Wafer grinding method using the same}

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 일실시예를 도시한 측면도이다.1 is a side view showing an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 연마헤드를 A방향에서 바라본 평면도이다.FIG. 2 is a plan view of the polishing head shown in FIG. 1 as viewed from the A direction. FIG.

도 3은 도 1에 도시한 연마장치를 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절개한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of the polishing apparatus shown in FIG. 1.

도 4는 도 3에 도시한 연마장치에서 제2휠 블레이드를 소정거리 하강한 상태를 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the second wheel blade is lowered by a predetermined distance in the polishing apparatus shown in FIG. 3.

도 5는 도 3에 도시한 연마 휠을 B방향에서 바라본 저면도이다. FIG. 5 is a bottom view of the polishing wheel shown in FIG. 3 as viewed from the B direction. FIG.

도 6은 본 발명에 따른 다른 실시예의 연마 휠을 도시한 저면도이다.Figure 6 is a bottom view of another embodiment of the abrasive wheel according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 또다른 실시예의 연마 휠을 도시한 저면도이다. Figure 7 is a bottom view of a polishing wheel of another embodiment according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 다른 실시예의 휠 이동유닛을 도시한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view showing a wheel moving unit of another embodiment according to the present invention.

도 9는 도 8에 도시한 휠 이동유닛을 이용하여 제2휠 블레이드를 소정거리 하강시킨 상태를 도시한 단면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating a state in which the second wheel blade is lowered by a predetermined distance by using the wheel moving unit shown in FIG. 8.

도 10은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법의 일실시예를 도시한 블럭도이다.10 is a block diagram showing an embodiment of a wafer polishing method according to the present invention.

도 11은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법의 다른 실시예를 도시한 블럭도이다. 11 is a block diagram showing another embodiment of a wafer polishing method according to the present invention.

도 12는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법의 또다른 실시예를 도시한 블럭도 이다. 12 is a block diagram showing another embodiment of a wafer polishing method according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

90 : 웨이퍼90 wafer

100 : 웨이퍼 연마장치100: wafer polishing apparatus

120 : 연마헤드120: polishing head

123 : 휠 클램프123: Wheel Clamp

127 : 연마 휠127: Polishing Wheel

130 : 휠 이동유닛130: wheel moving unit

150 : 웨이퍼 척150: wafer chuck

본 발명은 반도체 제조공정에 사용되는 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼의 뒷면을 연마하는 웨이퍼 연마장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and method for use in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to a wafer polishing apparatus for polishing the back side of a wafer and a wafer polishing method using the same.

집적회로를 만들기 위해 사용되는 웨이퍼는 확산, 사진, 식각 및 이온주입 등 여러 단계의 제조 공정을 거치게 된다. 이러한 제조 공정 후에는 웨이퍼에 형성된 소자의 전기적 특성 및 동작 상태를 테스트하여 양품과 불량품을 분류하는 이디에스(EDS;Electrical Die Sorting) 공정이 수행된다. 그리고, 이디에스 공정에서 양품으로 판정된 소자는 칩(Chip) 형태로 절단되어 조립(Assembly) 공정과 패키지 (Package) 공정 등을 통하여 하나의 완성품으로 만들어진다. Wafers used to make integrated circuits go through several stages of manufacturing, including diffusion, photography, etching and ion implantation. After such a manufacturing process, an electrical die sorting (EDS) process is performed to classify good and defective products by testing electrical characteristics and operating conditions of devices formed on the wafer. In addition, the device determined as a good product in the DS process is cut into a chip shape and is made into a finished product through an assembly process and a package process.

이들 공정 중에서, 제조 및 테스트 공정 중의 핸들링 시에는 웨이퍼의 파손 또는 표면 손상 등이 발생하지 않도록 웨이퍼가 충분한 두께를 가져야만 한다. 그러나, 칩 부품의 소형화 및 고집적화를 위해서는 웨이퍼의 두께가 얇은 것이 유리하다. 따라서, 제조 및 테스트 공정 중에는 웨이퍼의 두께를 일정크기 이상으로 유지시키고 있으며, 테스트 공정 후 곧, 조립 및 패키지를 위해 웨이퍼를 각 칩별로 절단하기 전에는 싱글 타입(Single type)의 연마 휠(Wheel)을 갖는 웨이퍼 연마장치를 이용하여 웨이퍼의 뒷면(소자가 형성된 면의 반대면)을 연마해 웨이퍼의 두께를 매우 얇은 두께로까지 감소시키고 있다. 예를 들면, 제조 및 테스트 공정 중에는 웨이퍼의 두께를 약 750㎛ 정도로 유지시키고 있으며, 테스트 공정 후에는 웨이퍼 연마장치를 이용하여 웨이퍼의 두께를 약 470㎛ 정도로까지 감소시키고 있다. Among these processes, the wafer must have a sufficient thickness to prevent wafer breakage or surface damage during handling during the manufacturing and testing process. However, for the miniaturization and high integration of chip components, it is advantageous to have a thin wafer. Therefore, the thickness of the wafer is maintained above a certain size during the manufacturing and testing process, and a single type polishing wheel is used immediately after the cutting process before cutting the wafer for each chip for assembly and package. The backside of the wafer (opposite side of the surface on which the element is formed) is polished by using a wafer polishing apparatus having the same to reduce the thickness of the wafer to a very thin thickness. For example, the thickness of the wafer is maintained at about 750 μm during the manufacturing and testing process, and the thickness of the wafer is reduced to about 470 μm using the wafer polishing apparatus after the test process.

한편, 반도체 칩들이 필수적으로 사용되는 전자제품들은 최근 그 성능이 고성능화되면서도 그 크기는 매우 작아지고 있다. 이에 따라, 전자제품들에 구비될 반도체 칩들에 대한 요구사항도 더욱 엄격해지고 있다. 일예로, LCD나 스마트 카드 등에 사용되는 반도체 칩은 그 두께를 150㎛ 정도로 요구하고 있고, 그 표면 거칠기(Roughness)는 10nm 이내를 요구하고 있다. 따라서, 최근에는 웨이퍼 연마장치에서 실제 웨이퍼를 연마하는 연마 휠을 더욱 고운 표면을 갖는 연마 휠로 교체한 다음 웨이퍼 연마공정을 수행하고 있다. On the other hand, electronic products in which semiconductor chips are essentially used have become very small in size as their performance has recently been improved. Accordingly, requirements for semiconductor chips to be provided in electronic products are becoming more stringent. For example, a semiconductor chip used for an LCD, a smart card, or the like requires a thickness of about 150 μm, and its surface roughness requires less than 10 nm. Therefore, recently, in the wafer polishing apparatus, the polishing wheel for polishing the actual wafer is replaced with the polishing wheel having a finer surface, and then the wafer polishing process is performed.

하지만, 이와 같은 경우, 칩 두께를 매우 얇게 하고 그 표면 거칠기를 10nm 이내로 연마할 수는 있지만, 이상과 같은 연마 휠로 약 750㎛ 정도의 두께를 갖는 웨이퍼를 약 150㎛ 정도의 두께로 연마하기까지는 매우 장시간이 소요되어지고, 이는 곧 생산성 저하를 초래하게 된다. However, in such a case, the chip thickness can be made very thin and the surface roughness can be polished to within 10 nm, but the wafer having a thickness of about 750 μm can be polished to about 150 μm with the above-described polishing wheel. It takes a long time, which leads to a decrease in productivity.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 연마되는 칩의 표면 거칠기를 획기적으로 개선하면서 칩의 두께를 빠르게 감소시킬 수 있는 웨이퍼 연마장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마방법을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a wafer polishing apparatus and a wafer polishing method using the same, which can quickly reduce the thickness of a chip while significantly improving the surface roughness of the polished chip.

이와 같은 기술적 과제를 구현하기 위한 본 발명의 제1관점에 따르면, 휠 몸체와, 휠 몸체의 일측에 마련되며 웨이퍼를 연마하는 다수의 휠 블레이드 및, 휠 블레이드들 중 적어도 어느 하나를 왕복이동시키는 휠 이동유닛을 포함하는 웨이퍼 연마장치가 제공된다. According to a first aspect of the present invention for implementing the above technical problem, a wheel body, a plurality of wheel blades provided on one side of the wheel body and polishing the wafer, and a wheel for reciprocating at least one of the wheel blades A wafer polishing apparatus including a moving unit is provided.

일실시예에 있어서, 상기 휠 블레이드들은 휠 몸체의 하부에 마련될 수 있다. 이 경우, 상기 휠 이동유닛은 휠 블레이드들 중 적어도 어느 하나를 승강시킬 수 있다. In one embodiment, the wheel blades may be provided below the wheel body. In this case, the wheel moving unit may lift at least one of the wheel blades.

다른 실시예에 있어서, 상기 휠 블레이드들은 다이아몬드 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 휠 블레이드들은 각각 서로 다른 크기의 입도를 갖을 수 있다. 또, 상기 휠 블레이드들은 각각 서로 다른 직경을 갖는 원형의 링 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 휠 블레이드들은 동심원 형태로 배치될 수 있다. In another embodiment, the wheel blades may be formed of a diamond material. In this case, the wheel blades may have particle sizes of different sizes. In addition, the wheel blades may be formed in a circular ring shape each having a different diameter. In this case, the wheel blades may be arranged in a concentric shape.

또다른 실시예에 있어서, 상기 휠 블레이드들은 다이아몬드 재질로 형성된 제1휠 블레이드와, 부직포 재질로 형성된 제2휠 블레이드를 포함할 수 있다. 이 경 우, 상기 제1휠 블레이드는 원형의 링 형상으로 형성될 수 있고, 상기 제2휠 블레이드는 제1휠 블레이드의 내측에 배치될 수 있다. In another embodiment, the wheel blades may include a first wheel blade formed of a diamond material, and a second wheel blade formed of a nonwoven material. In this case, the first wheel blade may be formed in a circular ring shape, and the second wheel blade may be disposed inside the first wheel blade.

또다른 실시예에 있어서, 상기 휠 블레이드들은 연마 휠의 가장자리에 마련된 원형 링 형상의 제1휠 블레이드와, 제1휠 블레이드의 내측에 배치되는 제2휠 블레이드를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1휠 블레이드와 제2휠 블레이드는 서로 다른 재질로 형성될 수 있다. In another embodiment, the wheel blades may include a circular ring-shaped first wheel blade provided at the edge of the polishing wheel, and a second wheel blade disposed inside the first wheel blade. In this case, the first wheel blade and the second wheel blade may be formed of different materials.

한편, 상기 휠 이동유닛은 어느 하나의 휠 블레이드의 일측에 결합되는 연결축과, 연결축의 일측단에 구비되는 베어링과, 연결축이 이동되도록 베어링에 접촉되되 연결축의 수직방향으로 소정거리 왕복 이동되는 캠과, 캠에 연결된 회전축 및, 캠이 왕복 이동되도록 회전축을 회전시키면서 회전축을 소정거리 왕복 이동시키는 회전모터를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 휠 이동유닛은 회전모터의 일측에 위치하여 캠의 이동거리를 감지하는 거리감지기를 더 포함할 수 있다. 또, 상기 휠 이동유닛은 캠에 의해 이동된 연결축을 원래의 위치로 복귀시키는 탄성부재를 더 포함할 수 있다. On the other hand, the wheel moving unit is connected to one side of the one of the wheel blade, the bearing is provided on one side end of the connecting shaft, the connecting shaft is in contact with the bearing to move the predetermined distance reciprocating in the vertical direction of the connecting shaft It may include a cam, a rotating shaft connected to the cam, and a rotating motor for rotating the rotating shaft to reciprocate a predetermined distance while rotating the rotating shaft to reciprocate the cam. In this case, the wheel moving unit may further include a distance sensor for detecting the moving distance of the cam is located on one side of the rotary motor. The wheel moving unit may further include an elastic member for returning the connecting shaft moved by the cam to its original position.

또한, 상기 휠 이동유닛은 어느 하나의 휠 블레이드의 일측에 결합되는 피스톤 로드와, 피스톤 로드에 연결되어 피스톤 로드를 소정거리 왕복 이동시키는 실린더를 포함할 수 있다. In addition, the wheel moving unit may include a piston rod coupled to one side of any one of the wheel blades, and a cylinder connected to the piston rod to reciprocate the piston rod a predetermined distance.

본 발명의 제2관점에 따르면, 웨이퍼 척으로 웨이퍼를 로딩하는 단계와, 다수의 휠 블레이드를 이용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 1차 연마단계와, 휠 블레이드들 중 일부를 하강시키는 단계 및, 하강된 휠 블레이드로 웨이퍼를 연마하는 2차 연마단계를 포함하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법이 제공된다.According to a second aspect of the invention, there is provided a method of loading a wafer into a wafer chuck, a primary polishing step of polishing the wafer using a plurality of wheel blades, lowering some of the wheel blades, and lowering A wafer polishing method using a wafer polishing apparatus including a secondary polishing step of polishing a wafer with a wheel blade is provided.

상기 휠 블레이드들은 다이아몬드로 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 휠 블레이드들은 각각 서로 다른 크기의 입도를 갖을 수 있다. 그리고, 상기 2차 연마단계에서는 휠 블레이드들 중 제일 작은 크기의 입도를 갖는 휠 블레이드로 웨이퍼를 연마할 수 있다. The wheel blades may be formed of a diamond material. In this case, the wheel blades may have particle sizes of different sizes. In the second polishing step, the wafer may be polished with a wheel blade having the smallest particle size among the wheel blades.

또한, 상기 휠 블레이드들은 다이아몬드 재질로 형성된 휠 블레이드와 부직포 재질로 형성된 휠 블레이드를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 2차 연마단계에서는 부직포 재질로 형성된 휠 블레이드로 웨이퍼를 미세연마할 수 있다. In addition, the wheel blades may include a wheel blade formed of a diamond material and a wheel blade formed of a nonwoven material. In this case, in the second polishing step, the wafer may be finely polished with a wheel blade formed of a nonwoven material.

본 발명의 제3관점에 따르면, 웨이퍼 척으로 웨이퍼를 로딩하는 단계와, 다수의 휠 블레이드 중 어느 일부를 이용하여 웨이퍼를 연마하는 1차 연마단계와, 휠 블레이드들 중 다른 일부를 하강시키는 단계 및, 하강된 휠 블레이드로 웨이퍼를 연마하는 2차 연마단계를 포함하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법이 제공된다. According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of loading a wafer into a wafer chuck, a primary polishing step of polishing a wafer using any of a plurality of wheel blades, lowering another of the wheel blades, and There is provided a wafer polishing method using a wafer polishing apparatus including a secondary polishing step of polishing a wafer with a lowered wheel blade.

이 경우, 상기 2차 연마단계에서는 1차 연마단계 보다 작은 크기의 입도를 갖는 휠 블레이드로 웨이퍼를 미세연마할 수 있다. In this case, in the second polishing step, the wafer may be finely polished with a wheel blade having a particle size smaller than that of the first polishing step.

또한, 상기 1차 연마단계에서는 다이아몬드 재질로 형성된 휠 블레이드로 웨이퍼를 연마하고, 상기 2차 연마단계에서는 부직포 재질로 형성된 휠 블레이드로 웨이퍼를 미세연마할 수 있다. In addition, in the first polishing step, the wafer may be polished with a wheel blade formed of a diamond material, and in the second polishing step, the wafer may be finely polished with a wheel blade formed of a nonwoven material.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설 명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 일실시예를 도시한 측면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 연마헤드를 A방향에서 바라본 평면도이며, 도 3은 도 1에 도시한 연마장치를 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절개한 단면도이다. 그리고, 도 4는 도 3에 도시한 연마장치에서 제2휠 블레이드를 소정거리 하강한 상태를 도시한 단면도이고, 도 5는 도 3에 도시한 연마 휠을 B방향에서 바라본 저면도이며, 도 6은 본 발명에 따른 다른 실시예의 연마 휠을 도시한 저면도이다. 또, 도 7은 본 발명에 따른 또다른 실시예의 연마 휠을 도시한 저면도이고, 도 8은 본 발명에 따른 다른 실시예의 휠 이동유닛을 도시한 단면도이며, 도 9는 도 8에 도시한 휠 이동유닛을 이용하여 제2휠 블레이드를 소정거리 하강시킨 상태를 도시한 단면도이다. 1 is a side view showing an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of the polishing head shown in FIG. 1 viewed from the A direction, and FIG. Sectional view taken along the line I ′. 4 is a cross-sectional view illustrating a state in which the second wheel blade is lowered by a predetermined distance in the polishing apparatus shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a bottom view of the polishing wheel illustrated in FIG. Is a bottom view showing a polishing wheel of another embodiment according to the present invention. 7 is a bottom view showing another embodiment of the abrasive wheel according to the invention, Figure 8 is a cross-sectional view showing a wheel moving unit of another embodiment according to the present invention, Figure 9 is a wheel shown in Figure 8 It is sectional drawing which shows the state which lowered the 2nd wheel blade the predetermined distance using the moving unit.

먼저, 도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 연마장치(100)는 웨이퍼(90)의 뒷면 즉, 소자가 형성된 면의 반대면을 연마하는 장치로, 외부로부터 로딩되는 웨이퍼(90)가 안착되도록 웨이퍼 척(150)을 포함한다. 이때, 웨이퍼(90)는 소자가 형성된 면에 UV 테이프와 같은 보호 테이프(95)가 부착된 상태로 로딩되며, 그 뒷면 즉, 소자가 형성된 면의 반대면이 웨이퍼 척(150)의 상부를 향하도록 웨이퍼 척(150)의 상면에 안착된다. 웨이퍼 척(150)은 진공 흡착 등 의 방법으로 웨이퍼 척(150)의 상면에 안착된 웨이퍼(90)를 고정하게 된다. 그리고, 웨이퍼 척(150)은 자체 회전가능하게 설치된다. 따라서, 웨이퍼 척(150)은 그 상부에 고정된 웨이퍼(90)가 연마되기 시작할 경우 등에 있어서, 소정 알피엠으로 자체 회전된다. First, referring to FIGS. 1 to 5, the wafer polishing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is an apparatus for polishing the back surface of the wafer 90, that is, the surface opposite to the surface on which the device is formed, and is loaded from the outside. And a wafer chuck 150 to seat the wafer 90. At this time, the wafer 90 is loaded with the protection tape 95 such as UV tape attached to the surface where the device is formed, and the back side thereof, that is, the opposite side of the surface where the device is formed, faces the top of the wafer chuck 150. It is mounted on the upper surface of the wafer chuck 150 so as to. The wafer chuck 150 fixes the wafer 90 seated on the upper surface of the wafer chuck 150 by vacuum suction or the like. The wafer chuck 150 is rotatably installed. Thus, the wafer chuck 150 is self-rotated at a predetermined ALPM, for example, when the wafer 90 fixed thereon begins to be polished.

한편, 웨이퍼 척(150)의 상부에는 웨이퍼 척(150)에 안착된 웨이퍼(90)의 뒷면을 연마하도록 연마헤드(120)가 구비된다. 연마헤드(120)는 소정거리 승강 가능하게 설치된다. 따라서, 웨이퍼 척(150) 상에 웨이퍼(90)가 안착되면, 연마헤드(120)는 웨이퍼 척(150)의 상부로부터 소정거리 하강되어 웨이퍼 척(150) 상의 웨이퍼(90)를 연마하게 된다. On the other hand, the polishing head 120 is provided on the top of the wafer chuck 150 to polish the back surface of the wafer 90 seated on the wafer chuck 150. The polishing head 120 is installed to move up and down a predetermined distance. Accordingly, when the wafer 90 is seated on the wafer chuck 150, the polishing head 120 is lowered by a predetermined distance from the top of the wafer chuck 150 to polish the wafer 90 on the wafer chuck 150.

구체적으로, 연마헤드(120)는 웨이퍼(90)를 연마하도록 그 하부에 다수의 휠 블레이드가 마련된 연마 휠(127)과, 연마 휠(127)의 휠 블레이드들 중 적어도 어느 하나 또는 휠 블레이드들 전체를 각각 승강시키는 휠 이동유닛(130,230)과, 연마 휠(127)을 회전시키도록 연마 휠(127)의 상부에서 연마 휠(127)을 클램핑하는 휠 클램프(123) 및, 휠 클램프(123)를 소정 알피엠으로 회전시키는 헤드모터(121)를 포함한다. Specifically, the polishing head 120 may include a polishing wheel 127 having a plurality of wheel blades provided thereon to polish the wafer 90, at least one of the wheel blades of the polishing wheel 127, or all of the wheel blades. Wheel moving units 130 and 230 for elevating the wheels, wheel clamps 123 for clamping the polishing wheels 127 on the top of the polishing wheels 127 to rotate the polishing wheels 127, and the wheel clamps 123. It includes a head motor 121 to rotate by a predetermined RMP.

연마 휠(127)은 원반 형상의 휠 몸체(124)와, 휠 몸체(124)의 하부에 마련되는 휠 블레이드로 구성된다. 휠 몸체(124)는 휠 클램프(123)의 하부에 탈착 가능하게 장착된다. 따라서, 일정 매수의 웨이퍼 연마가 수행되면, 유저 등은 이 휠 몸체(124)를 휠 클램프(123)로부터 분리함으로써 연마 휠(127)을 교체하게 된다. The polishing wheel 127 is composed of a disk-shaped wheel body 124 and a wheel blade provided below the wheel body 124. The wheel body 124 is detachably mounted to the lower portion of the wheel clamp 123. Therefore, when a certain number of wafer polishing is performed, the user or the like replaces the polishing wheel 127 by detaching the wheel body 124 from the wheel clamp 123.

휠 블레이드들은 웨이퍼(90)의 뒷면에 접촉되어 웨이퍼(90)를 직접 연마하는 역할을 한다. 따라서, 휠 블레이드들은 다양한 형태로 구성 및 배치될 수 있다. The wheel blades contact the back side of the wafer 90 and serve to directly polish the wafer 90. Accordingly, the wheel blades can be constructed and arranged in various forms.

일 실시예로, 휠 블레이드들은 도 5와 같이 구성 및 배치될 수 있다. 즉, 휠 블레이드들은 휠 몸체(124)의 밑면 가장자리에 마련된 원형 링 형상의 제1휠 블레이드(125)와, 제1휠 블레이드(125)의 내측에 배치되는 원형 링 형상의 제2휠 블레이드(126)로 구성될 수 있다. 이때, 제1ㆍ제2휠 블레이드들(125,126)은 각각 서로 다른 크기의 입도를 갖는 다이아몬드 재질로 형성될 수 있으며, 동심원 형태로 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1휠 블레이드(125)의 입도는 2000 메쉬(Mesh)를 갖을 수 있고, 제2휠 블레이드(126)의 입도는 3000 메쉬를 갖을 수 있다. 또한, 제1휠 블레이드(125)와 제2휠 블레이드(126)는 서로 다른 재질로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 제1휠 블레이드(125)는 다이아몬드 미립자와 레진 등을 소결한 재질 즉, 다이아몬드 재질로 형성될 수 있고, 제2휠 블레이드(126)는 폴리에틸렌 섬유 등을 폴리머로 압축시킨 재질 즉, 부직포 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1휠 블레이드(125)는 웨이퍼(90)의 뒷면을 거칠게 연마(Grinding) 즉, 황삭 연마를 수행할 수 있고, 제2휠 블레이드(126)는 웨이퍼(90)의 뒷면을 미세하게 연마(Polishing) 즉, 연삭 연마를 수행할 수 있다. In one embodiment, the wheel blades may be constructed and arranged as shown in FIG. 5. That is, the wheel blades include a circular ring shaped first wheel blade 125 provided at the bottom edge of the wheel body 124 and a circular ring shaped second wheel blade 126 disposed inside the first wheel blade 125. It can be composed of). In this case, the first and second wheel blades 125 and 126 may be formed of diamond materials having particle sizes of different sizes, respectively, and may be arranged in a concentric shape. For example, the particle size of the first wheel blade 125 may have 2000 mesh, and the particle size of the second wheel blade 126 may have 3000 mesh. In addition, the first wheel blade 125 and the second wheel blade 126 may be formed of different materials. For example, the first wheel blade 125 may be formed of a material that sinters diamond fine particles and resin, that is, a diamond material, and the second wheel blade 126 may be a material that compresses polyethylene fiber or the like into a polymer, It may be formed of a nonwoven material. In this case, the first wheel blade 125 may roughly grind the back surface of the wafer 90, that is, rough grinding, and the second wheel blade 126 may finely back the back surface of the wafer 90. Polishing, that is, grinding polishing may be performed.

다른 실시예로, 휠 블레이드들은 도 6과 같이 구성 및 배치될 수 있다. 즉, 휠 블레이드들은 휠 몸체(224)의 밑면 가장자리에 마련된 원형 링 형상의 제1휠 블레이드(225)와, 제1휠 블레이드(225)의 내측에 배치되는 원형 링 형상의 제2휠 블레이드(226) 및, 제2휠 블레이드(226)의 내측 배치되는 원형 링 형상의 제3휠 블레이드(227)로 구성될 수 있다. 이때, 제1ㆍ제2휠ㆍ제3 블레이드들(225,226,227)은 각각 서로 다른 크기의 입도를 갖는 다이아몬드 재질로 형성될 수 있으며, 동심원 형태로 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1휠 블레이드(225)의 입도는 2000 메쉬를 갖을 수 있고, 제2휠 블레이드(226)의 입도는 2500 메쉬를 갖을 수 있으며, 제3휠 블레이드(227)의 입도는 3000 메쉬를 갖을 수 있다. 또한, 제1휠 블레이드(225)와 제2휠 블레이드(226) 및 제3휠 블레이드(227)는 각각 서로 다른 재질로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 제1휠 블레이드(225)와 제2휠 블레이드(226)는 서로 입도 또는 강도가 다른 다이아몬드 재질로 형성될 수 있고, 제3휠 블레이드(227)는 폴리에틸렌 섬유 등을 폴리머로 압축시킨 부직포 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1휠 블레이드(225)와 제2휠 블레이드(226)는 웨이퍼(90)의 뒷면을 거칠게 연마 즉, 황삭 연마를 수행할 수 있고, 제3휠 블레이드(227)는 웨이퍼(90)의 뒷면을 미세하게 연마 즉, 연삭 연마를 수행할 수 있다. In another embodiment, the wheel blades can be constructed and arranged as shown in FIG. That is, the wheel blades include a circular ring-shaped first wheel blade 225 provided at the bottom edge of the wheel body 224, and a circular ring-shaped second wheel blade 226 disposed inside the first wheel blade 225. ) And a third wheel blade 227 having a circular ring shape disposed inside the second wheel blade 226. In this case, the first, second wheel, and third blades 225, 226, and 227 may be formed of diamond materials having particle sizes of different sizes, and may be arranged in a concentric shape. For example, the particle size of the first wheel blade 225 may have 2000 mesh, the particle size of the second wheel blade 226 may have 2500 mesh, and the particle size of the third wheel blade 227 is 3000 mesh. It may have a. In addition, the first wheel blade 225, the second wheel blade 226, and the third wheel blade 227 may be formed of different materials. For example, the first wheel blade 225 and the second wheel blade 226 may be formed of a diamond material having a different particle size or strength, and the third wheel blade 227 may be formed by compressing polyethylene fiber or the like with a polymer. It may be formed of a nonwoven material. In this case, the first wheel blade 225 and the second wheel blade 226 may roughly polish the back surface of the wafer 90, that is, rough polishing, and the third wheel blade 227 may be the wafer 90. The back side of the finely polished, that is, grinding polishing can be performed.

또다른 실시예로, 휠 블레이드들은 도 7과 같이 구성 및 배치될 수 있다. 즉, 휠 블레이드들은 휠 몸체(124)의 밑면 가장자리에 마련된 원형 링 형상의 제1휠 블레이드(325)와, 제1휠 블레이드(325)의 내측에 배치되는 원반 형상의 제2휠 블레이드(329)로 구성될 수 있다. 이때, 제1휠 블레이드(325)와 제2휠 블레이드(329)는 서로 다른 재질로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 제1휠 블레이드(325)는 다이아몬드 미립자와 레진 등을 소결한 재질 즉, 다이아몬드 재질로 형성될 수 있고, 제2휠 블레이드(329) 폴리에틸렌 섬유 등을 폴리머로 압축시킨 재질 즉, 부직포 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1휠 블레이드(325)는 웨이퍼(90)의 뒷면을 거칠게 연마 즉, 황삭 연마를 수행할 수 있고, 제2휠 블레이드(329)는 웨이퍼(90)의 뒷면을 미세하게 연마 즉, 연삭 연마를 수행할 수 있다. In another embodiment, the wheel blades may be constructed and arranged as shown in FIG. That is, the wheel blades have a circular ring-shaped first wheel blade 325 provided at the bottom edge of the wheel body 124, and a disk-shaped second wheel blade 329 disposed inside the first wheel blade 325. It can be configured as. In this case, the first wheel blade 325 and the second wheel blade 329 may be formed of different materials. For example, the first wheel blade 325 may be formed of a material obtained by sintering diamond fine particles and resin, that is, a diamond material, and a material obtained by compressing polyethylene fiber or the like of the second wheel blade 329 with a polymer, that is, a nonwoven fabric. It may be formed of a material. In this case, the first wheel blade 325 may roughly polish the back surface of the wafer 90, that is, rough polishing, and the second wheel blade 329 may finely polish the back surface of the wafer 90, Grinding polishing can be performed.

한편, 휠 이동유닛(130,230)은 연마 휠(127)의 휠 블레이드들 중 적어도 어느 하나 또는 휠 블레이드들 전체를 각각 승강시키는 역할을 하는 바, 다양한 방식 및 다양한 구성으로 구현될 수 있다. 예를 들면, 휠 이동유닛에는 볼스크류 방식이나 실린더 방식 또는 리니어 모터 방식 등이 적용될 수 있다. Meanwhile, the wheel moving units 130 and 230 serve to elevate at least one of the wheel blades of the polishing wheel 127 or the entire wheel blades, respectively, and may be implemented in various ways and in various configurations. For example, a ball screw type, a cylinder type, or a linear motor type may be applied to the wheel moving unit.

도 2 내지 도 5를 참조하여 일실시예를 설명하면, 휠 이동유닛(130,230)은 휠 블레이드(125,126)의 상부에 결합되는 연결축(139,239)과, 연결축(139,239)의 일측단에 구비되는 베어링(137,237)과, 연결축(139,239)이 이동되도록 베어링(137,237)에 접촉되되 연결축(139,239)의 수직방향으로 소정거리 왕복 이동되는 캠(138,238)과, 캠(138,238)에 연결된 회전축(134,234)과, 캠(138,238)이 왕복 이동되도록 회전축(134,234)을 회전시키면서 회전축(134,234)을 소정거리 왕복 이동시키는 회전모터(132,232) 및, 캠(138,238)에 의해 이동된 연결축(139,239)을 원래의 위치로 복귀시키는 탄성부재(131,231)를 포함할 수 있으며, 휠 클램프(121)의 원주방향을 따라 소정각도를 두고 다수개 배치될 수 있다. 이 경우, 휠 몸체(124)와 휠 클램프(123)의 내부에는 각각 휠 블레이드(125,126)에 결합된 연결축(139,239)이 관통되도록 소정크기의 관통홀(122,135)이 형성될 수 있다. 그리고, 연결축(139,239)의 상부 곧, 휠 클램프(123)에 형성된 관통홀(135)의 상부에는 캠(138,238)이나 연결축(134,234) 등이 배치되도록 소정크기의 설치공간(133)이 형성될 수 있다. 2 to 5, the wheel moving units 130 and 230 are provided at connection shafts 139 and 239 coupled to upper portions of the wheel blades 125 and 126, and at one end of the connection shafts 139 and 239, respectively. The bearings 137 and 237, the cams 138 and 238 which are in contact with the bearings 137 and 237 so as to move the connecting shafts 139 and 239, and are reciprocated for a predetermined distance in the vertical direction of the connecting shafts 139 and 239, and the rotating shafts 134 and 234 connected to the cams 138 and 238. ), The rotary motors 132 and 232 for rotating the rotary shafts 134 and 234 a predetermined distance while rotating the rotary shafts 134 and 234 so that the cams 138 and 238 are reciprocated, and the connecting shafts 139 and 239 moved by the cams 138 and 238. It may include an elastic member (131, 231) to return to the position of, and may be arranged in a plurality at a predetermined angle along the circumferential direction of the wheel clamp 121. In this case, through-holes 122 and 135 of a predetermined size may be formed in the wheel body 124 and the wheel clamp 123 to pass through the connecting shafts 139 and 239 coupled to the wheel blades 125 and 126, respectively. In addition, an installation space 133 having a predetermined size is formed in the upper portion of the connecting shafts 139 and 239, the upper portion of the through hole 135 formed in the wheel clamp 123, such that the cams 138 and 238 or the connecting shafts 134 and 234 are arranged. Can be.

구체적으로, 베어링(137,237)은 구 형상으로 형성될 수 있다. 이 경우, 연결 축(139,239)의 상단은 구 형상의 베어링(137,237)이 외부로 이탈되지 않고 연결축(139,239)의 상단에서만 구를 수 있도록 오목부가 마련될 수 있다. 그리고, 캠(138,238)은 회전축(134,234) 등에 의해 일측방향으로 이동될 시 그 하부에 접촉된 베어링(137,237)을 누를 수 있도록 그 하부면이 경사면으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 캠(138,238)은 사다리꼴 형상으로 형성될 수 있다. 회전축(134,234)은 소정길이를 갖는 원기둥 형상으로, 일측단은 전술한 바와 같이 캠(138,238)과 연결되고, 타측단은 회전모터(132,232)를 관통하거나 회전모터(132,232)의 내부에 끼워진다. 이때, 회전축(134,234)의 외주면에는 나선이 형성되고, 회전모터(132,234)는 이 회전축(134,234)이 끼워지도록 소정크기의 너트를 갖는 회전자를 구비할 수 있다. 이 경우, 회전자에 마련된 너트의 내주면에는 회전축(134,234)의 나선에 대응되는 별도의 나선이 더 형성될 수 있다. 따라서, 회전모터(132,232)가 정방향 또는 역방향으로 회전될 경우, 회전축(134,234)은 이 나선들에 의하여 전방향 또는 후 방향 등으로 왕복이동된다. In detail, the bearings 137 and 237 may be formed in a spherical shape. In this case, the upper ends of the connecting shafts 139 and 239 may be provided with recesses so that the bearings 137 and 237 having a spherical shape may be rolled only at the upper ends of the connecting shafts 139 and 239. In addition, the lower surfaces of the cams 138 and 238 may be formed as inclined surfaces so as to press the bearings 137 and 237 in contact with the lower portions when the cams 138 and 238 are moved in one direction by the rotation shafts 134 and 234. For example, the cams 138 and 238 may be formed in a trapezoidal shape. The rotating shafts 134 and 234 have a cylindrical shape having a predetermined length, and one end thereof is connected to the cams 138 and 238 as described above, and the other end thereof penetrates the rotary motors 132 and 232 or is fitted into the rotary motors 132 and 232. At this time, a spiral is formed on the outer circumferential surface of the rotary shafts 134 and 234, and the rotary motors 132 and 234 may include a rotor having a nut of a predetermined size so that the rotary shafts 134 and 234 are fitted. In this case, a separate spiral corresponding to the spiral of the rotation shafts 134 and 234 may be further formed on the inner circumferential surface of the nut provided in the rotor. Therefore, when the rotation motors 132 and 232 are rotated in the forward or reverse direction, the rotation shafts 134 and 234 are reciprocated in the forward or backward direction by these spirals.

그리고, 탄성부재(131,231)는 캠(138,238)에 의해 이동된 연결축(139,239)을 원래의 위치로 복귀시키는 역할을 하는 바, 연결축(139,239)의 측면에 소정크기로 돌출된 걸림돌기(140,240)와 이 걸림돌기(140,240)에 대향되도록 걸림돌기(140,240)의 하부에 마련되되 휠 몸체(124)로부터 소정크기로 돌출된 지지돌기(128,228)의 사이에 배치되는 코일스프링일 수 있다. 따라서, 휠 이동유닛(130,230)의 캠(138,238)에 눌려서 소정거리 하강된 연결축(139,239)은 캠(138,238)이 연결축(139,239)을 누르지 않을 시 이상과 같은 돌기들(128,140)에 의 해 지지되는 탄성부재(131,231)의 작용에 의해서 원래의 위치로 복귀할 수 있게 된다. 이때, 걸림돌기(140,240)와 지지돌기(128,228) 및 탄성부재(131,231)는 연결축(139,239)이 관통되도록 형성된 휠 몸체(124)의 관통홀(122) 내부에 설치될 수 있다. In addition, the elastic members 131 and 231 serve to return the connecting shafts 139 and 239 moved by the cams 138 and 238 to their original positions, and the locking protrusions 140 and 240 protrude to the side surfaces of the connecting shafts 139 and 239. ) And the coil springs disposed between the support protrusions 128 and 228 protruding to a predetermined size from the wheel body 124 to be provided below the locking protrusions 140 and 240 so as to face the locking protrusions 140 and 240. Accordingly, the connecting shafts 139 and 239 that are pressed down by the cams 138 and 238 of the wheel moving units 130 and 230 by a predetermined distance are caused by the projections 128 and 140 as described above when the cams 138 and 238 do not press the connecting shafts 139 and 239. It is possible to return to the original position by the action of the supported elastic members (131, 231). In this case, the locking protrusions 140 and 240, the support protrusions 128 and 228, and the elastic members 131 and 231 may be installed in the through-holes 122 of the wheel body 124 formed such that the connecting shafts 139 and 239 penetrate.

또한, 휠 이동유닛(130,230)은 회전모터(132,232)의 일측에 위치하여 회전축(134,234)에 의해 이동되는 캠(138,238)의 이동거리를 감지하는 거리감지기(136,236)를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 휠 블레이드(125,126)의 하강거리는 캠(138,238)의 이동거리에 따라 비례하게 되는 바, 웨이퍼 연마장치(100)를 전체적으로 제어하는 중앙제어부(미도시)는 이 거리감지기(136,236)로부터 전송되는 데이터에 따라 회전모터(132,232)의 회전을 제어함으로써, 캠(138,238)의 이동거리와 휠 블레이드(125,126)의 하강거리를 제어하게 된다. 이때, 거리감지기(136,236)는 캠(138,238)과 캠(138,238)에 연결된 회전축(134,234)이 소정거리 이동됨에 따라 소정 시그날을 발생하는 엔코더(Encorder)일 수 있다. In addition, the wheel moving units 130 and 230 may further include distance detectors 136 and 236 positioned on one side of the rotary motors 132 and 232 to sense the moving distances of the cams 138 and 238 moved by the rotation shafts 134 and 234. In this case, the descending distances of the wheel blades 125 and 126 are proportional to the moving distances of the cams 138 and 238, so that a central controller (not shown) which controls the wafer polishing apparatus 100 as a whole is transmitted from the distance sensors 136 and 236. By controlling the rotation of the rotary motors 132 and 232 according to the data, the moving distance of the cams 138 and 238 and the falling distance of the wheel blades 125 and 126 are controlled. In this case, the distance detectors 136 and 236 may be encoders that generate a predetermined signal as the cams 138 and 238 and the rotation shafts 134 and 234 connected to the cams 138 and 238 are moved a predetermined distance.

한편, 휠 이동유닛(130',230')은 도 8과 도 9와 같이 다른 실시예로도 구성될 수 있다. 즉, 휠 이동유닛(130',230')은 휠 블레이드(125,126)의 상부에 결합되는 피스톤 로드(139',239')와, 피스톤 로드(139',239')에 연결되어 피스톤 로드(139',239')를 소정거리 승강시키는 실린더(132',232')를 포함할 수 있다. 이 경우, 실린더는 유압 실린더이거나 에어 실린더 일 수 있다.Meanwhile, the wheel moving units 130 ′ and 230 ′ may be configured in other embodiments as shown in FIGS. 8 and 9. That is, the wheel moving units 130 'and 230' are connected to the piston rods 139 'and 239' coupled to the upper portions of the wheel blades 125 and 126, and the piston rods 139 'and 239' are connected to the piston rods 139. It may include a cylinder (132 ', 232') for elevating the ', 239' a predetermined distance. In this case, the cylinder may be a hydraulic cylinder or an air cylinder.

이하, 이상과 같이 구성된 본 발명 웨이퍼 연마장치를 이용하여 웨이퍼를 연 마하는 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a method of polishing a wafer using the wafer polishing apparatus of the present invention configured as described above will be described in detail.

도 10은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법의 일실시예를 도시한 블럭도이고, 도 11은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법의 다른 실시예를 도시한 블럭도이며, 도 12는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마방법의 또다른 실시예를 도시한 블럭도이다. 10 is a block diagram showing an embodiment of a wafer polishing method according to the present invention, Figure 11 is a block diagram showing another embodiment of a wafer polishing method according to the present invention, Figure 12 is a wafer according to the present invention A block diagram showing another embodiment of the polishing method.

먼저, 도 7을 참조하여, 본 발명 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법의 일실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. First, referring to FIG. 7, an embodiment of a wafer polishing method using the wafer polishing apparatus of the present invention will be described in detail.

우선, 그라인딩될 웨이퍼(90)가 외부로부터 이송될 경우, 웨이퍼 이송로봇(미도시) 등은 이와 같이 이송된 웨이퍼(90)를 웨이퍼 척(150)으로 로딩한다(S11). First, when the wafer 90 to be ground is transferred from the outside, a wafer transfer robot (not shown) or the like loads the wafer 90 thus transferred to the wafer chuck 150 (S11).

이후, 웨이퍼 척(150)으로 웨이퍼(90)가 로딩되면, 웨이퍼 척(150)은 로딩된 웨이퍼(90)를 진공 흡착 등으로 방법으로 웨이퍼 척(150)의 상면에 고정한다. Thereafter, when the wafer 90 is loaded into the wafer chuck 150, the wafer chuck 150 fixes the loaded wafer 90 to the upper surface of the wafer chuck 150 by vacuum suction or the like.

계속하여, 웨이퍼(90)가 고정되면, 연마헤드(120)는 웨이퍼 척(150)의 상부로부터 그 하부로 소정거리 하강한 다음, 그 하부에 구비된 다수의 휠 블레이드를 이용하여 1차로 웨이퍼(90)를 연마(Grinding)한다(S13). 이때, 연마헤드(120)에 구비된 휠 클램프(123)와 이에 클램핑된 연마 휠(127)은 헤드모터(121)의 회전에 의해 일방향으로 회전되고, 웨이퍼 척(150)은 연마 휠(127)의 회전방향에 반대되는 방향 즉, 타방향으로 회전된다. 그리고, 이때의 휠 블레이드들은 각각 서로 다른 크기의 입도를 갖는 다이아몬드 재질로 형성될 수 있으며, 동심원 형태로 배치될 수 있다. 예를 들면, 어느 하나의 휠 블레이드의 입도는 2000 메쉬를 갖을 수 있고, 다른 하나의 휠 블레이드의 입도는 3000 메쉬를 갖을 수 있다. Subsequently, when the wafer 90 is fixed, the polishing head 120 descends a predetermined distance from the top of the wafer chuck 150 to the bottom thereof, and then the wafer (primaryly using the plurality of wheel blades provided at the bottom thereof) 90) (Grinding) (S13). At this time, the wheel clamp 123 provided in the polishing head 120 and the polishing wheel 127 clamped thereto are rotated in one direction by the rotation of the head motor 121, and the wafer chuck 150 is the polishing wheel 127. It is rotated in the direction opposite to the direction of rotation of the other direction. In this case, the wheel blades may be formed of a diamond material having particle sizes of different sizes, respectively, and may be arranged in a concentric shape. For example, the grain size of one wheel blade may have 2000 mesh and the grain size of the other wheel blade may have 3000 mesh.

이후, 1차 연마가 완료되면, 연마헤드(120)는 웨이퍼 척(150)의 상부로 소정 높이만큼 상승하고, 상승한 후에는 연마헤드(120)에 구비된 다수의 휠 블레이드들 중 일부를 소정높이로 하강시키게 된다(S15). 이때, 하강되는 휠 블레이드는 다수의 휠 블레이드들 중 제일 적은 크기의 입도값을 갖는 휠 블레이드일 수 있다. Subsequently, when the primary polishing is completed, the polishing head 120 ascends to the upper portion of the wafer chuck 150 by a predetermined height, and after raising, some of the plurality of wheel blades provided in the polishing head 120 are raised to a predetermined height. It is lowered to (S15). In this case, the lowered wheel blade may be a wheel blade having a particle size of the smallest size among the plurality of wheel blades.

이후, 다수의 휠 블레이드들 중 일부가 소정높이로 하강되면, 연마헤드(120)는 다시 웨이퍼 척(150)의 상면으로 하강한 다음, 다수의 휠 블레이드들 중 하강된 일부 휠 블레이드만을 이용하여 2차로 웨이퍼(90)를 연마(Grinding)한다(S17). Then, when some of the plurality of wheel blades are lowered to a predetermined height, the polishing head 120 is lowered back to the upper surface of the wafer chuck 150, and then using only some of the wheel blades lowered of the plurality of wheel blades 2 The wafer 90 is ground by grinding (S17).

계속하여, 1차 연마와 2차 연마로 인하여 웨이퍼 연마가 완료되면, 웨이퍼 이송로봇 등은 웨이퍼 척(150)에 안착된 웨이퍼(90)를 외부로 언로딩시킴으로써(S19), 웨이퍼 연마공정을 완료하게 된다. Subsequently, when wafer polishing is completed due to the first polishing and the second polishing, the wafer transfer robot or the like unloads the wafer 90 seated on the wafer chuck 150 to the outside (S19) to complete the wafer polishing process. Done.

다음, 도 8을 참조하여, 본 발명 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법의 다른 실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Next, another embodiment of the wafer polishing method using the wafer polishing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 8.

우선, 그라인딩될 웨이퍼(90)가 외부로부터 이송될 경우, 웨이퍼 이송로봇 등은 이와 같이 이송된 웨이퍼(90)를 웨이퍼 척(150)으로 로딩한다(S21). First, when the wafer 90 to be ground is transferred from the outside, the wafer transfer robot or the like loads the transferred wafer 90 into the wafer chuck 150 (S21).

이후, 웨이퍼 척(150)으로 웨이퍼(90)가 로딩되면, 웨이퍼 척(150)은 로딩된 웨이퍼(90)를 진공 흡착 등으로 방법으로 웨이퍼 척(150)의 상면에 고정한다. Thereafter, when the wafer 90 is loaded into the wafer chuck 150, the wafer chuck 150 fixes the loaded wafer 90 to the upper surface of the wafer chuck 150 by vacuum suction or the like.

계속하여, 웨이퍼(90)가 고정되면, 연마헤드(120)는 그 하부에 구비된 다수의 휠 블레이드 중 어느 일부를 소정높이만큼 하강시킨 다음, 그 하강된 휠 블레이드가 웨이퍼(90)에 접촉되도록 웨이퍼 척(150)을 향해 소정거리 하강하고, 하강한 후에는 다수의 휠 블레이드 중 하강된 어느 일부 휠 블레이드를 이용하여 1차로 웨 이퍼를 연마(Grinding)한다(S23). 이 경우, 하강된 어느 일부 휠 블레이드는 2000 메쉬의 입도를 갖는 다이아몬드 재질일 수 있다. Subsequently, when the wafer 90 is fixed, the polishing head 120 lowers any part of the plurality of wheel blades provided below the predetermined height, and then the lowered wheel blade contacts the wafer 90. After descending a predetermined distance toward the wafer chuck 150, and after descending, the wafer is first ground by using some of the wheel blades dropped among the plurality of wheel blades (S23). In this case, any of the lowered wheel blades may be a diamond material having a particle size of 2000 mesh.

이후, 1차 연마가 완료되면, 연마헤드(120)는 웨이퍼 척(150)의 상부로 소정높이만큼 상승하고, 상승한 후에는 연마헤드(120)에 구비된 다수의 휠 블레이드들 중 어느 일부의 휠 블레이드는 상승시키고 다른 일부를 소정높이로 하강시키게 된다(S25). Subsequently, when the primary polishing is completed, the polishing head 120 ascends the upper portion of the wafer chuck 150 by a predetermined height, and after the polishing, the wheel of any of the plurality of wheel blades provided in the polishing head 120 is raised. The blade is raised and the other part is lowered to a predetermined height (S25).

이후, 다수의 휠 블레이드들 중 다른 일부가 소정높이로 하강되면, 연마헤드(120)는 다시 웨이퍼 척(150)의 상면으로 하강한 다음, 다수의 휠 블레이드들 중 하강된 다른 일부 휠 블레이드만을 이용하여 2차로 웨이퍼를 연마(Grinding)한다(S27). 이 경우, 하강된 다른 일부 휠 블레이드는 3000 메쉬의 입도를 갖는 다이아몬드 재질일 수 있다. Thereafter, when another part of the plurality of wheel blades is lowered to a predetermined height, the polishing head 120 descends back to the upper surface of the wafer chuck 150 and then uses only some of the other wheel blades lowered among the plurality of wheel blades. The wafer is second polished (Grinding) (S27). In this case, the other lowered wheel blade may be a diamond material having a particle size of 3000 mesh.

계속하여, 1차 연마와 2차 연마로 인하여 웨이퍼 연마가 완료되면, 웨이퍼 이송로봇 등은 웨이퍼 척(150)에 안착된 웨이퍼(90)를 외부로 언로딩시킴으로써(S29), 웨이퍼 연마공정을 완료하게 된다. Subsequently, when wafer polishing is completed due to primary polishing and secondary polishing, the wafer transfer robot or the like unloads the wafer 90 seated on the wafer chuck 150 to the outside (S29) to complete the wafer polishing process. Done.

다음, 도 9를 참조하여, 본 발명 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법의 또다른 실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Next, another embodiment of the wafer polishing method using the wafer polishing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 9.

우선, 그라인딩될 웨이퍼(90)가 외부로부터 이송될 경우, 웨이퍼 이송로봇 등은 이와 같이 이송된 웨이퍼(90)를 웨이퍼 척(150)으로 로딩한다(S21). First, when the wafer 90 to be ground is transferred from the outside, the wafer transfer robot or the like loads the transferred wafer 90 into the wafer chuck 150 (S21).

이후, 웨이퍼 척(150)으로 웨이퍼(90)가 로딩되면, 웨이퍼 척(150)은 로딩된 웨이퍼(90)를 진공 흡착 등으로 방법으로 웨이퍼 척(150)의 상면에 고정한다. Thereafter, when the wafer 90 is loaded into the wafer chuck 150, the wafer chuck 150 fixes the loaded wafer 90 to the upper surface of the wafer chuck 150 by vacuum suction or the like.

계속하여, 웨이퍼(90)가 고정되면, 연마헤드(120)는 그 하부에 구비된 다수의 휠 블레이드 중 어느 일부를 소정높이만큼 하강시킨 다음, 그 하강된 휠 블레이드가 웨이퍼(90)에 접촉되도록 웨이퍼 척(150)을 향해 소정거리 하강하고, 하강한 후에는 다수의 휠 블레이드 중 하강된 어느 일부 휠 블레이드를 이용하여 1차로 웨이퍼(90)를 연마(Grinding)한다(S23). 이 경우, 하강된 어느 일부의 휠 블레이드는 다이아몬드 재질일 수 있다. Subsequently, when the wafer 90 is fixed, the polishing head 120 lowers any part of the plurality of wheel blades provided below the predetermined height, and then the lowered wheel blade contacts the wafer 90. After descending a predetermined distance toward the wafer chuck 150, and after descending, the wafer 90 is first ground by using some of the wheel blades dropped among the plurality of wheel blades (S23). In this case, some of the lowered wheel blades may be made of diamond.

이후, 1차 연마가 완료되면, 연마헤드(120)는 웨이퍼 척(150)의 상부로 소정높이만큼 상승하고, 상승한 후에는 연마헤드(120)에 구비된 다수의 휠 블레이드들 중 어느 일부의 휠 블레이드는 상승시키고 다른 일부를 소정높이로 하강시키게 된다(S25). Subsequently, when the primary polishing is completed, the polishing head 120 ascends the upper portion of the wafer chuck 150 by a predetermined height, and after the polishing, the wheel of any of the plurality of wheel blades provided in the polishing head 120 is raised. The blade is raised and the other part is lowered to a predetermined height (S25).

이후, 다수의 휠 블레이드들 중 다른 일부가 소정높이로 하강되면, 연마헤드(120)는 다시 웨이퍼 척(150)의 상면으로 하강한 다음, 다수의 휠 블레이드들 중 하강된 다른 일부 휠 블레이드만을 이용하여 2차로 웨이퍼(90)를 미세연마(Polishing)한다(S28). 이때, 하강된 다른 일부의 휠 블레이드는 부직포 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 1차로 웨이퍼를 연마하는 어느 일부의 휠 블레이드는 웨이퍼의 뒷면을 거칠게 연마 즉, 황삭 연마를 수행할 수 있고, 2차로 웨이퍼를 연마하는 다른 일부의 휠 블레이드는 웨이퍼의 뒷면을 미세하게 연마 즉, 연삭 연마를 수행할 수 있다.Thereafter, when another part of the plurality of wheel blades is lowered to a predetermined height, the polishing head 120 descends back to the upper surface of the wafer chuck 150 and then uses only some of the other wheel blades lowered among the plurality of wheel blades. In the second step, the wafer 90 is finely polished (S28). In this case, the lowered portion of the wheel blade may be formed of a nonwoven material. In this case, some of the wheel blades that first polish the wafer may roughly polish, i.e., rough, the backside of the wafer, and some other wheel blades that secondly polish the wafer may finely polish the backside of the wafer. That is, grinding polishing can be performed.

계속하여, 1차 연마(Grinding)와 2차 연마(Polishing)로 인하여 웨이퍼 연마 가 완료되면, 웨이퍼 이송로봇 등은 웨이퍼 척에 안착된 웨이퍼를 외부로 언로딩시킴으로써(S29), 웨이퍼 연마공정을 완료하게 된다. Subsequently, when wafer polishing is completed due to primary grinding and secondary polishing, the wafer transfer robot and the like unload the wafer seated on the wafer chuck to the outside (S29) to complete the wafer polishing process. Done.

이상, 본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As mentioned above, although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiments, it is only an example, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.

상술한 바와 같이 본 발명의 웨이퍼 연마장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마방법에 따르면, 서로 다른 입도를 갖는 다수의 휠 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 연마하거나 서로 다른 재질로 된 다수의 휠 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 연마하기 때문에 연마되는 칩의 표면 거칠기를 획기적으로 개선하면서 칩의 두께를 빠르게 감소시킬 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the wafer polishing apparatus of the present invention and the wafer polishing method using the same, the wafer is polished using a plurality of wheel blades having different particle sizes or the wafer is polished using a plurality of wheel blades of different materials. Therefore, it is possible to rapidly reduce the thickness of the chip while significantly improving the surface roughness of the chip to be polished.

또한, 본 발명의 웨이퍼 연마장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마방법에 따르면, 1차 연마는 다이아몬드 재질 등으로 형성된 휠 블레이드를 이용하여 수행하고, 2차 연마는 부직포 재질 등으로 형성된 휠 블레이드를 이용하여 수행할 수 있기 때문에 웨이퍼의 빠른 연마와 함께 웨이퍼의 미세연마가 가능한 효과가 있다. 따라서, 본 발명을 이용하면, 웨이퍼 연마에 따른 시간을 획기적으로 단축할 수 있고, 그 생산량을 극대화할 수 있는 효과가 있다. In addition, according to the wafer polishing apparatus of the present invention and the wafer polishing method using the same, the first polishing is performed using a wheel blade formed of a diamond material or the like, and the second polishing is performed using a wheel blade formed of a nonwoven material or the like. Since the wafer can be polished quickly, the wafer can be micropolished. Therefore, by using the present invention, it is possible to drastically shorten the time due to wafer polishing, thereby maximizing the yield.

Claims (23)

휠 몸체;Wheel body; 상기 휠 몸체의 일측에 마련되며, 웨이퍼를 연마하는 다수의 휠 블레이드; 및, A plurality of wheel blades provided on one side of the wheel body to polish the wafer; And, 상기 휠 블레이드들 중 적어도 어느 하나를 왕복이동시키는 휠 이동유닛을 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. And a wheel moving unit for reciprocating at least one of the wheel blades. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 휠 블레이드들은 상기 휠 몸체의 하부에 마련되고, The wheel blades are provided below the wheel body, 상기 휠 이동유닛은 상기 휠 블레이드들 중 적어도 어느 하나를 승강시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. And the wheel moving unit lifts at least one of the wheel blades. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 휠 블레이드들은 다이아몬드 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. And the wheel blades are formed of a diamond material. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 휠 블레이드들은 각각 서로 다른 크기의 입도를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. And the wheel blades have different particle sizes. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 휠 블레이드들은 각각 서로 다른 직경을 갖는 원형의 링 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치.The wheel blades are wafer polishing apparatus, characterized in that each formed in a circular ring shape having a different diameter. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 휠 블레이드들은 동심원 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. And the wheel blades are arranged concentrically. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 휠 블레이드들은 다이아몬드 재질로 형성된 제1휠 블레이드와, 부직포 재질로 형성된 제2휠 블레이드를 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치.And the wheel blades comprise a first wheel blade formed of a diamond material and a second wheel blade formed of a nonwoven material. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제1휠 블레이드는 원형의 링 형상으로 형성되고, The first wheel blade is formed in a circular ring shape, 상기 제2휠 블레이드는 상기 제1휠 블레이드의 내측에 배치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. And the second wheel blade is disposed inside the first wheel blade. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 휠 블레이드들은 상기 연마 휠의 가장자리에 마련된 원형 링 형상의 제 1휠 블레이드와, 상기 제1휠 블레이드의 내측에 배치되는 제2휠 블레이드를 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. And the wheel blades include a first ring blade having a circular ring shape provided at an edge of the polishing wheel, and a second wheel blade disposed inside the first wheel blade. 제 9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 제1휠 블레이드와 상기 제2휠 블레이드는 서로 다른 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. And the first wheel blade and the second wheel blade are formed of different materials. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 휠 이동유닛은 상기 어느 하나의 휠 블레이드의 일측에 결합되는 연결축과, 상기 연결축의 일측단에 구비되는 베어링과, 상기 연결축이 이동되도록 상기 베어링에 접촉되되 상기 연결축의 수직방향으로 소정거리 왕복 이동되는 캠과, 상기 캠에 연결된 회전축 및, 상기 캠이 왕복 이동되도록 상기 회전축을 회전시키면서 상기 회전축을 소정거리 왕복 이동시키는 회전모터를 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. The wheel movement unit is connected to one side of the one of the wheel blades, the bearing is provided on one side end of the connection shaft, and the contact contact the bearing so that the connecting shaft is moved a predetermined distance in the vertical direction of the connecting shaft And a cam for reciprocating movement, a rotation shaft connected to the cam, and a rotation motor for reciprocating the rotation shaft by a predetermined distance while rotating the rotation shaft so that the cam is reciprocated. 제 11항에 있어서, The method of claim 11, 상기 휠 이동유닛은 상기 회전모터의 일측에 위치하여 상기 캠의 이동거리를 감지하는 거리감지기를 더 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. The wheel movement unit further comprises a distance sensor located on one side of the rotary motor to detect the moving distance of the cam. 제 11항에 있어서, The method of claim 11, 상기 휠 이동유닛은 상기 캠에 의해 이동된 연결축을 원래의 위치로 복귀시키는 탄성부재를 더 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. The wheel moving unit further comprises an elastic member for returning the connecting shaft moved by the cam to its original position. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 휠 이동유닛은 상기 어느 하나의 휠 블레이드의 일측에 결합되는 피스톤 로드와, 상기 피스톤 로드에 연결되어 상기 피스톤 로드를 소정거리 왕복 이동시키는 실린더를 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. The wheel moving unit includes a piston rod coupled to one side of the one wheel blade, and a wafer polishing apparatus comprising a cylinder connected to the piston rod for reciprocating the piston rod a predetermined distance. 웨이퍼 척으로 웨이퍼를 로딩하는 단계;Loading a wafer into a wafer chuck; 다수의 휠 블레이드를 이용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 1차 연마단계; A primary polishing step of polishing the wafer using a plurality of wheel blades; 상기 휠 블레이드들 중 일부를 하강시키는 단계; 및, Lowering some of the wheel blades; And, 상기 하강된 휠 블레이드로 상기 웨이퍼를 연마하는 2차 연마단계를 포함하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. And a secondary polishing step of polishing the wafer with the lowered wheel blades. 제 15항에 있어서, The method of claim 15, 상기 휠 블레이드들은 다이아몬드로 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. The wheel blades are a wafer polishing method using a wafer polishing apparatus, characterized in that formed of a diamond material. 제 16항에 있어서, The method of claim 16, 상기 휠 블레이드들은 각각 서로 다른 크기의 입도를 갖는 것을 특징으로 하 는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. The wheel blades are a wafer polishing method using a wafer polishing apparatus, characterized in that each having a different size of particle size. 제 17항에 있어서, The method of claim 17, 상기 2차 연마단계는 상기 휠 블레이드들 중 제일 작은 크기의 입도를 갖는 휠 블레이드로 웨이퍼를 연마하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. The secondary polishing step is a wafer polishing method using a wafer polishing apparatus, characterized in that for polishing the wafer with a wheel blade having the smallest particle size of the wheel blades. 제 15항에 있어서, The method of claim 15, 상기 휠 블레이드들은 다이아몬드 재질로 형성된 휠 블레이드와 부직포 재질로 형성된 휠 블레이드를 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. The wheel blades are a wafer polishing method using a wafer polishing apparatus, characterized in that including a wheel blade formed of a diamond material and a wheel blade formed of a nonwoven material. 제 19항에 있어서, The method of claim 19, 상기 2차 연마단계는 부직포 재질로 형성된 휠 블레이드로 웨이퍼를 미세연마하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. The second polishing step is a wafer polishing method using a wafer polishing apparatus, characterized in that for fine grinding the wafer with a wheel blade formed of a non-woven material. 웨이퍼 척으로 웨이퍼를 로딩하는 단계;Loading a wafer into a wafer chuck; 다수의 휠 블레이드 중 어느 일부를 이용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 1차 연마단계; A primary polishing step of polishing the wafer using any one of a plurality of wheel blades; 상기 휠 블레이드들 중 다른 일부를 하강시키는 단계; 및,Lowering another of the wheel blades; And, 상기 하강된 휠 블레이드로 상기 웨이퍼를 연마하는 2차 연마단계를 포함하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. And a secondary polishing step of polishing the wafer with the lowered wheel blades. 제 21항에 있어서, The method of claim 21, 상기 2차 연마단계는 상기 1차 연마단계 보다 작은 크기의 입도를 갖는 휠 블레이드로 웨이퍼를 미세연마하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. The second polishing step is a wafer polishing method using a wafer polishing apparatus, characterized in that to finely polish the wafer with a wheel blade having a particle size smaller than the first polishing step. 제 21항에 있어서, The method of claim 21, 상기 1차 연마단계는 다이아몬드 재질로 형성된 휠 블레이드로 웨이퍼를 연마하고, The first polishing step is to polish the wafer with a wheel blade formed of a diamond material, 상기 2차 연마단계는 부직포 재질로 형성된 휠 블레이드로 웨이퍼를 미세연마하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치를 이용한 웨이퍼 연마방법. The second polishing step is a wafer polishing method using a wafer polishing apparatus, characterized in that for fine grinding the wafer with a wheel blade formed of a non-woven material.
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