KR20070009284A - Dose control device for use in semiconductor fabrication equipment - Google Patents

Dose control device for use in semiconductor fabrication equipment Download PDF

Info

Publication number
KR20070009284A
KR20070009284A KR1020050064425A KR20050064425A KR20070009284A KR 20070009284 A KR20070009284 A KR 20070009284A KR 1020050064425 A KR1020050064425 A KR 1020050064425A KR 20050064425 A KR20050064425 A KR 20050064425A KR 20070009284 A KR20070009284 A KR 20070009284A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fan
controller
ion implantation
control unit
power
Prior art date
Application number
KR1020050064425A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최종연
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050064425A priority Critical patent/KR20070009284A/en
Publication of KR20070009284A publication Critical patent/KR20070009284A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

A dose control apparatus of semiconductor fabricating equipment is provided to embody an effective cooling function by absorption and exhaust of air by designing a twin-fan structure. An absorption fan(1300) absorbs external air from the outside of a case. An exhaust fan(1400) exhausts the air in the case. A first control unit controls the quantity of implanted ions, installed in the case. A second control unit receives the power from the control unit and supplies power to the absorption fan and the exhaust fan, installed in the case. The second control unit detects whether the absorption fan and the exhaust fan operate normally. The first control unit controls a first display unit in a manner that displays a fan operation state according to the detection result from the second control unit. The second control unit blocks the power from the first control unit when the absorption fan and the exhaust fan malfunction.

Description

반도체 제조 장비의 도즈 제어 장치{DOSE CONTROL DEVICE FOR USE IN SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT}DOSE CONTROL DEVICE FOR USE IN SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT}

도 1은 일반적인 이온 주입 시스템을 개략적으로 보여주는 블록도이다.1 is a block diagram schematically showing a general ion implantation system.

도 2는 도 1에 도시된 빔 전송 수단을 개략적으로 보여주는 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram schematically showing the beam transmission means shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명에 따른 이온 주입량 제어 장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다.3 is a block diagram schematically showing an ion implantation control apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 이온 주입량 제어 장치의 공기 흐름을 보여주는 도면이다.4 is a view showing the air flow of the ion implantation amount control device according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1000 : 이온 주입량 제어 장치 1100 : 이온 주입량 제어기1000: ion implantation amount control device 1100: ion implantation amount controller

1200 : 팬 제어기 1300 : 흡입팬1200: fan controller 1300: suction fan

1400 : 방출팬 1500, 1600 : 표시 유니트1400: emission fan 1500, 1600: display unit

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는, 반도체 웨이퍼의 이온 주입에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to ion implantation of a semiconductor wafer.

반도체 결정의 전기적인 특성들은 반도체 결정 내에 제어된 양의 불순물을 주입함으로써 변경될 수 있다. 이온 주입 및 확산(ion implantation and diffusion)은 불순물을 반도체 웨이퍼에 주입하는 가장 일반적으로 사용되는 방법들이다. 실리콘 반도체 기술에 있어서, 예를 들면, 보론(boron) 또는 BF2와 같은 P형 불순물과 비소(arsenic), 인(phosphorus) 또는 안티몬(antimony)과 같은 N형 불순물이 일반적인 불순물(dopants)이다.The electrical properties of the semiconductor crystal can be changed by injecting a controlled amount of impurities into the semiconductor crystal. Ion implantation and diffusion are the most commonly used methods for implanting impurities into semiconductor wafers. In silicon semiconductor technology, for example, P-type impurities such as boron or BF2 and N-type impurities such as arsenic, phosphorus or antimony are common impurities.

확산에 의한 반도체 웨이퍼의 도핑은 웨이퍼에 불순물을 주입하고 높은 온도에서 반도체 결정으로 불순물을 재분배함으로써 행해진다. 확산과 달리, 이온 주입은 불순물이 목표 웨이퍼에 충돌할 때 임의 깊이로 파고들도록 이온화된 불순물(ionized dopants)이 높은 에너지로 가속되는 저온 공정(low-temperature process)이다. 상이한 불순물 프로파일을 달성하는 데 있어서 유연하고 불순물 농도의 용이한 제어 때문에, 일반적으로, 이온 주입이 반도체를 도핑하는 바람직한 방법이 되어 오고 있다.Doping of the semiconductor wafer by diffusion is performed by injecting impurities into the wafer and redistributing the impurities into semiconductor crystals at high temperatures. Unlike diffusion, ion implantation is a low-temperature process in which ionized dopants are accelerated to high energy such that impurities dig into any depth as they hit the target wafer. Because of the flexibility and easy control of impurity concentrations in achieving different impurity profiles, ion implantation has generally been the preferred method of doping semiconductors.

도 1은 일반적인 이온 주입 시스템의 블록도를 보여준다. 이온 주입기(ion implantation machine 또는 ion implanter)의 주요 구성 요소들은 이온 소오스(ion source)(10), 빔 전송 수단(beam transport)(12), 앤드 스테이션(end station)(14), 그리고 맨-머신 인터페이스(man-machine interface)(16)를 포함한다. 이온 소오스(10)는 고밀도 이온들을 생성하고, 빔 전송 수단(12)은 고밀도 이온들로부터 초점이 맞추어진 이온 빔을 추출하고 이온 빔을 앤드 스테이션(14) 내의 타깃 웨이퍼로 전송한다.1 shows a block diagram of a typical ion implantation system. The main components of an ion implantation machine or ion implanter are ion source 10, beam transport 12, end station 14, and man-machine. A man-machine interface 16. The ion source 10 generates high density ions, and the beam transmitting means 12 extracts the focused ion beam from the high density ions and transmits the ion beam to the target wafer in the end station 14.

도 2는 일반적인 빔 전송 수단(12)을 개략적으로 보여주는 블록도이다. 빔 전송 수단(12)은 질량 분석기(mass analyzer)(120), 가속기(accelerator)(124), 초점 시스템(focusing system)(126) 그리고 스캔 시스템(128)을 포함한다. 질량 분석기(120)는 질량-전하비(mass-to-charge ratio)에 따라 이온들을 분리하는 강한 자계의 사용을 통해 이온 소오스(10)로부터의 많은 이온 형태들 중 하나를 선택하는 데 사용된다. 질량 분석기(120)를 떠난 후, 이온 빔은 가속기(124)에 의해서 가속되어 요구되는 운동 에너지(kinetic energy)를 얻는다. 그 다음에, 가속된 이온 빔은 초점 시스템(126)에 의해서 초점이 맞추어지고, 앤드 스테이션(14) 내에 실장된 웨이퍼(140)의 전면에 균일하게 불순물을 뿌리도록 웨이퍼(140)의 맞은 편에 있는 스캔 시스템(128)에 의해서 수직적으로 그리고 수평적으로 흡수된다. 스캔 시스템(128)은 일반적으로 X-스캔 플레이트들(128a)과 Y-스캔 플레이트들(128b)을 포함한다.2 is a block diagram schematically showing a general beam transmitting means 12. The beam transmission means 12 comprises a mass analyzer 120, an accelerator 124, a focusing system 126 and a scanning system 128. Mass analyzer 120 is used to select one of many ion forms from ion source 10 through the use of a strong magnetic field that separates the ions according to mass-to-charge ratio. After leaving the mass analyzer 120, the ion beam is accelerated by the accelerator 124 to obtain the required kinetic energy. The accelerated ion beam is then focused by the focusing system 126 and opposite the wafer 140 to evenly spread impurities over the entire surface of the wafer 140 mounted in the end station 14. Absorbed vertically and horizontally by the scanning system 128. Scan system 128 generally includes X-scan plates 128a and Y-scan plates 128b.

도 1에 도시된 맨-머신 인터페이스(16)는 가속 전압 및 이온 주입량과 같은 이온 주입 시스템 파라미터들을 제어하기 위해서 오퍼레이터에 의해서 사용된다. 이 인터페이스(16)는 또한 오퍼레이터가 연속해서 이온 주입 공정을 모니터할 수 있도록 스크린 상에, 빔 전류와 같은 다른 시스템 파라미터들을 표시할 수 있다. 오퍼레이터는 필요에 따라 이온 주입 공정을 조정할 수 있다. 예를 들면, 오퍼레이터는 조정 스틱을 조정함으로써(또는 제어 스위치들을 조작함으로써) X-플레이트 및 Y-플레이트 전압을 제어할 수 있다. 빔 셋업 모드에서 시스템 파라미터들이 모두 조정되면, 이온 주입 시스템은 실질적으로 이온 빔이 웨이퍼 상에 스캔되는 이 온 주입 모드로 전환된다. 이온 주입 모드에서는 이온 주입량, 빔 전류, 주입 시간 등이 자동적으로 제어되며, 이는 잘 알려진 도즈 프로세서(dose processor)에 의해서 수행된다. 이온 주입 모드로의 전환은 오퍼레이터가 리모트 콘솔(remote console)의 키 스위치를 조작함으로써 이루어진다.The man-machine interface 16 shown in FIG. 1 is used by the operator to control ion implantation system parameters such as acceleration voltage and ion implantation amount. This interface 16 can also display other system parameters, such as beam current, on the screen so that the operator can continuously monitor the ion implantation process. The operator can adjust the ion implantation process as needed. For example, the operator can control the X-plate and Y-plate voltage by adjusting the adjustment stick (or by operating the control switches). Once the system parameters are all adjusted in the beam setup mode, the ion implantation system is substantially switched to the ion implantation mode where the ion beam is scanned on the wafer. In the ion implantation mode, the ion implantation amount, beam current, implantation time and the like are automatically controlled, which is performed by a well-known dose processor. Switching to the ion implantation mode is made by the operator operating the key switch of the remote console.

앞서 언급된 맨-머신 인터페이스(16)에는 이온 주입량을 제어하기 위한 제어 가 제공된다. 그러한 이온 주입량 제어기는, 일반적으로, 수납 공간을 갖는 함 내부에 설치된다. 공정이 진행됨에 따라 즉, 이온 주입량 제어기의 장기간 사용으로 인해 함 내부의 온도가 상승하게 된다. 이러한 온도 상승을 억제하기 위해서, 일반적으로, 함에는 내부 공기를 외부로 배출하기 위한 방출용 냉각팬이 설치되어 있다. 함의 냉각팬은 제어기로부터 공급되는 전원으로 동작한다.The man-machine interface 16 mentioned above is provided with a control for controlling the ion implantation amount. Such an ion implantation amount controller is generally installed inside a compartment having a storage space. As the process proceeds, that is, the temperature inside the vessel rises due to long-term use of the ion implantation controller. In order to suppress such a temperature rise, the ship is generally equipped with a discharge cooling fan for discharging the internal air to the outside. The cooling fan in the box operates on the power supplied from the controller.

단지 방출용 냉각팬만이 설치되어 있기 때문에, 함 내부의 온도를 효율적으로 관리하기 어렵다. 뿐만 아니라, 냉각팬이 고장이 나더라도, 오퍼레이터에 의해서 확인되기 이전에는 냉각팬의 고장 유무를 확인하는 것이 어렵다. 특히, 냉각팬의 고장으로 인해 이온 주입량 제어기가 오동작할 수 있다. 예를 들면, 냉각팬의 고장시 갑작스럽 서지 전압으로 인해 이온 주입량 제어기가 일시적으로 이온 주입량을 측정하지 못하는 상황이 발생할 수 있다. 즉, 냉각팬의 고장시 이온 주입량 제어기가 영향을 받을 수 있다.Since only a discharge cooling fan is provided, it is difficult to efficiently manage the temperature inside the compartment. In addition, even if the cooling fan fails, it is difficult to confirm the failure of the cooling fan before it is confirmed by the operator. In particular, the ion implant amount controller may malfunction due to a failure of the cooling fan. For example, when a cooling fan fails, a sudden surge voltage may cause the ion implantation controller to temporarily not measure the ion implantation amount. That is, the ion implantation amount controller may be affected when the cooling fan breaks down.

본 발명의 목적은 향상된 냉각 기능을 갖고, 냉각팬의 고장시 이온 주입량 제어기에 유입되는 영향을 차단하고, 냉각팬의 고장 여부를 실시간으로 확인 가능 하게 하는 이온 주입량 제어 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an ion implantation amount control device having an improved cooling function, blocking an effect of inflow into an ion implantation amount controller when a cooling fan breaks down, and making it possible to check in real time whether a cooling fan has failed.

상술한 제반 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 반도체 제조 장비의 이온 주입량 제어 장치는 함의 외부 공기를 흡입하기 위한 흡입팬과; 상기 함의 내부 공기를 배출하기 위한 방출팬과; 상기 함 내부에 설치되며, 이온 주입량을 제어하는 제 1 제어기와; 그리고 상기 함 내부에 설치되며, 상기 제어기로부터의 전원을 입력받아 상기 흡입팬 및 상기 방출팬으로 전원을 공급하는 제 2 제어기를 포함하며, 상기 제 2 제어기는 상기 흡입팬 및 상기 방출팬이 정상적으로 동작하는 지의 여부를 검출하며; 그리고 상기 제 1 제어기는 상기 제 2 제어기로부터의 검출 결과에 따라 팬 동작 유무를 나타내도록 제 1 표시 유니트를 제어한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the ion implantation amount control apparatus of the semiconductor manufacturing equipment includes a suction fan for sucking the outside air of the box; A discharge fan for discharging internal air of the bin; A first controller installed inside the box and controlling an ion implantation amount; And a second controller installed inside the cabinet and receiving power from the controller to supply power to the suction fan and the discharge fan, wherein the second controller operates the suction fan and the discharge fan normally. Detect whether or not; The first controller controls the first display unit to indicate whether or not the fan is operating according to the detection result from the second controller.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 제 2 제어기는 상기 흡입팬 및 상기 방출팬이 고장날 때 상기 제 1 제어기로부터의 전원을 차단한다.In an exemplary embodiment, the second controller shuts off power from the first controller when the suction fan and the discharge fan fail.

예시적인 실시예에 있어서, 반도체 제조 장비의 이온 주입량 제어 장치는 이온 주입량을 표시하도록 상기 제 1 제어기에 의해서 제어되는 제 2 표시 유니트를 더 포함한다.In an exemplary embodiment, the ion implantation amount control apparatus of the semiconductor manufacturing equipment further includes a second display unit controlled by the first controller to display the ion implantation amount.

앞의 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명 모두 예시적이라는 것이 이해되어야 하며, 청구된 발명의 부가적인 설명이 제공되는 것으로 여겨져야 한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary, and that additional explanations of the claimed invention are provided.

참조 부호들이 본 발명의 바람직한 실시 예들에 상세히 표시되어 있으며, 그것의 예들이 참조 도면들에 표시되어 있다. 가능한 어떤 경우에도, 동일한 참조 번호들이 동일한 또는 유사한 부분을 참조하기 위해서 설명 및 도면들에 사용된다.Reference numerals are shown in detail in preferred embodiments of the invention, examples of which are shown in the reference figures. In any case, like reference numerals are used in the description and the drawings to refer to the same or like parts.

아래에서, 불 휘발성 메모리 장치로서 낸드 플래시 메모리 장치가 본 발명의 특징 및 기능을 설명하기 위한 한 예로서 사용된다. 하지만, 이 기술 분야에 정통한 사람은 여기에 기재된 내용에 따라 본 발명의 다른 이점들 및 성능을 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시 예들을 통해 또한, 구현되거나 적용될 수 있을 것이다. 게다가, 상세한 설명은 본 발명의 범위, 기술적 사상 그리고 다른 목적으로부터 상당히 벗어나지 않고 관점 및 응용에 따라 수정되거나 변경될 수 있다.In the following, a NAND flash memory device as a nonvolatile memory device is used as an example for explaining the features and functions of the present invention. However, one of ordinary skill in the art will readily appreciate the other advantages and performances of the present invention in accordance with the teachings herein. The present invention may be implemented or applied through other embodiments as well. In addition, the detailed description may be modified or changed according to aspects and applications without departing from the scope, technical spirit and other objects of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 이온 주입량 제어 장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 이온 주입량 제어 장치(1000)는 이온 주입량 제어기(도면에는 "PDC"라 표기됨) (1100), 팬 제어기(1200), 흡입팬(1300), 방출팬(1400), 그리고 2개의 표시 유니트들(1500, 1600)을 포함한다.3 is a block diagram schematically showing an ion implantation control apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 3, the ion implantation amount control apparatus 1000 according to the present invention includes an ion implantation rate controller (denoted as “PDC” in the drawing) 1100, a fan controller 1200, a suction fan 1300, and an emission fan ( 1400, and two display units 1500 and 1600.

이온 주입량 제어기(1100)는, 앞서 언급된 바와 같이, 이온 주입량을 제어하기 위한 것으로, 이 분야에 잘 알려져 있다. 이온 주입량 제어기(1100)는 이온 주입량을 표시하도록 표시 유니트(1500)를 제어한다. 이온 주입량 제어기(1100)는 팬이 정상적으로 동작하는 지의 여부를 나타내는 정보에 따라 표시 유니트(1600)를 제어한다. 예를 들면, 팬이 정상적으로 동작할 때, 이온 주입량 제어기(1100)는 녹색이 표시되도록 표시 유니트(1600)를 제어한다. 팬이 비정상적으로 동작할 때(또는 팬이 고장이라는 정보가 입력될 때), 이온 주입량 제어기(1100)는 적색이 표시되도록 표시 유니트(1600)를 제어한다. 예시적인 이온 주입량 제어기(1100)가 대한민국특허공개번호 제2001-0054277호에 "이온 검출 장치"라는 제목으로, 대한민국실 용신안공개번호 제1998-0028589호에 "이온주입설비의 패러데이 전압 모니터링 장치"라는 제목으로, 대한민국특허공개번호 제1997-0030321호에 "반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리"라는 제목으로, U.S. Patent No. 6,297,510에 "ion implant dose control"라는 제목으로, 그리고 U.S. Patent No. 6,870,170에 "ion implant dose control"라는 제목으로 각각 게재되어 있으며, 이 출원의 레퍼런스로 포함된다.The ion implantation controller 1100, as mentioned above, is for controlling the ion implantation amount and is well known in the art. The ion implantation controller 1100 controls the display unit 1500 to display the ion implantation amount. The ion implantation amount controller 1100 controls the display unit 1600 according to the information indicating whether the fan operates normally. For example, when the fan operates normally, the ion implantation amount controller 1100 controls the display unit 1600 to display green. When the fan operates abnormally (or when information indicating that the fan has failed) is input, the ion implantation controller 1100 controls the display unit 1600 to display red. An exemplary ion implantation amount controller 1100 is entitled " Ion Detection Device " in Korean Patent Publication No. 2001-0054277, and " Faraday Voltage Monitoring Device for Ion Injection Facilities " in Korean Utility Model Publication No. 1998-0028589. In the title of the Korean Patent Publication No. 1997-0030321 entitled " Faraday Cup Assembly of Semiconductor Ion Injection Facility ", US Patent No. 6,297,510 entitled " Ion Implant Dose Control " and US Patent No. 6,870,170, entitled " Ion Implant Dose Control, " respectively, incorporated herein by reference.

계속해서 도 3을 참조하면, 팬 제어기(1200)는 이온 주입량 제어기(1100)로부터 전원을 공급받고, 흡입팬(1300) 및 방출팬(1400)으로 전원을 공급한다. 팬 제어기(1200)는 흡입팬(1300) 및 방출팬(1400)이 정상적으로 동작하는 지의 여부를 검출한다. 만약 흡입팬(1300) 및 방출팬(1400)이 비정상적으로 동작하면, 이온 주입량 제어기(1100)로 이 정보를 제공한다. 이와 동시에, 팬 제어기(1200)는 고장난 팬에 의한 영향을 차단하기 위해서 이온 주입량 제어기(1100)와의 전원을 차단한다. 흡입팬(1300)은 함 내부로 외부 공기를 유입하기 위한 것이고, 방출팬(1400)은 함 내부의 공기를 외부로 방출하기 위한 것이다. 이러한 트윈-팬 구조에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 흡입 및 방출에 의해서 함 내부의 공기가 원활하게 순환된다. 이는 냉각 효율이 향상됨을 의미한다.3, the fan controller 1200 receives power from the ion implantation amount controller 1100 and supplies power to the suction fan 1300 and the discharge fan 1400. The fan controller 1200 detects whether the suction fan 1300 and the discharge fan 1400 operate normally. If the suction fan 1300 and the discharge fan 1400 are abnormally operated, the ion implantation amount controller 1100 provides this information. At the same time, the fan controller 1200 cuts off the power to the ion implantation controller 1100 in order to block the effect of the failed fan. The suction fan 1300 is for introducing external air into the inside of the compartment, and the discharge fan 1400 is for releasing the air inside the compartment to the outside. According to this twin-fan structure, as shown in FIG. 4, the air inside the box is circulated smoothly by suction and discharge. This means that the cooling efficiency is improved.

이상의 설명에 따르면, 냉각팬의 동작 유무를 확인하기 위한 표시 유니트(예를 들면, LED)를 설치함으로써 냉각팬의 동작 유무를 실시간으로 확인하는 것이 가능하다. 냉각팬이 고장이 날 때 냉각팬과 제어기를 전기적으로 차단함으로써 제어기 내부로 유입되는 영향을 차단하는 것이 가능하다. 더욱이, 트윈-팬 구조를 갖도 록 설계함으로써 공기의 흡입 및 방출에 의해서 효과적으로 냉각 기능을 구현할 수 있다.According to the above description, it is possible to confirm the operation of the cooling fan in real time by providing a display unit (for example, LED) for confirming the operation of the cooling fan. When the cooling fan fails, it is possible to block the effect of the cooling fan and the controller from flowing into the controller. Moreover, by designing a twin-fan structure, the cooling function can be effectively implemented by the intake and discharge of air.

본 발명의 범위 또는 기술적 사상을 벗어나지 않고 본 발명의 구조가 다양하게 수정되거나 변경될 수 있음은 이 분야에 숙련된 자들에게 자명하다. 상술한 내용을 고려하여 볼 때, 만약 본 발명의 수정 및 변경이 아래의 청구항들 및 동등물의 범주 내에 속한다면, 본 발명이 이 발명의 변경 및 수정을 포함하는 것으로 여겨진다.It will be apparent to those skilled in the art that the structure of the present invention may be variously modified or changed without departing from the scope or spirit of the present invention. In view of the foregoing, it is believed that the present invention includes modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the following claims and their equivalents.

상술한 바와 같이, 냉각팬의 동작 유무를 실시간으로 확인할 수 있고, 냉각팬이 고장이 날 때 이온 주입량 제어기 내부로 유입되는 영향을 차단할 수 있으며, 공기의 흡입 및 방출에 의해서 효과적으로 냉각 기능을 구현할 수 있다.As described above, the operation of the cooling fan can be checked in real time, and when the cooling fan fails, the influence of the flow into the ion implantation controller can be blocked, and the cooling function can be effectively implemented by intake and discharge of air. have.

Claims (3)

함의 외부 공기를 흡입하기 위한 흡입팬과;A suction fan for sucking outside air of the bin; 상기 함의 내부 공기를 배출하기 위한 방출팬과;A discharge fan for discharging internal air of the bin; 상기 함 내부에 설치되며, 이온 주입량을 제어하는 제 1 제어기와; 그리고A first controller installed inside the box and controlling an ion implantation amount; And 상기 함 내부에 설치되며, 상기 제어기로부터의 전원을 입력받아 상기 흡입팬 및 상기 방출팬으로 전원을 공급하는 제 2 제어기를 포함하며,A second controller installed inside the box and receiving power from the controller to supply power to the suction fan and the discharge fan; 상기 제 2 제어기는 상기 흡입팬 및 상기 방출팬이 정상적으로 동작하는 지의 여부를 검출하며; 그리고 상기 제 1 제어기는 상기 제 2 제어기로부터의 검출 결과에 따라 팬 동작 유무를 나타내도록 제 1 표시 유니트를 제어하는 반도체 제조 장비의 이온 주입량 제어 장치.The second controller detects whether the suction fan and the discharge fan operate normally; And the first controller controls the first display unit to indicate whether or not a fan is operated according to a detection result from the second controller. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 제어기는 상기 흡입팬 및 상기 방출팬이 고장날 때 상기 제 1 제어기로부터의 전원을 차단하는 반도체 제조 장비의 이온 주입량 제어 장치.And the second controller cuts off power from the first controller when the suction fan and the discharge fan fail. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 이온 주입량을 표시하도록 상기 제 1 제어기에 의해서 제어되는 제 2 표시 유니트를 더 포함하는 반도체 제조 장비의 이온 주입량 제어 장치.And a second display unit controlled by the first controller to display an ion implantation amount.
KR1020050064425A 2005-07-15 2005-07-15 Dose control device for use in semiconductor fabrication equipment KR20070009284A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050064425A KR20070009284A (en) 2005-07-15 2005-07-15 Dose control device for use in semiconductor fabrication equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050064425A KR20070009284A (en) 2005-07-15 2005-07-15 Dose control device for use in semiconductor fabrication equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070009284A true KR20070009284A (en) 2007-01-18

Family

ID=38011132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050064425A KR20070009284A (en) 2005-07-15 2005-07-15 Dose control device for use in semiconductor fabrication equipment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070009284A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100876049B1 (en) Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in integrated processing systems
US4353160A (en) Solar cell junction processing system
US7491947B2 (en) Technique for improving performance and extending lifetime of indirectly heated cathode ion source
US20080090392A1 (en) Technique for Improved Damage Control in a Plasma Doping (PLAD) Ion Implantation
US8178365B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US7247867B2 (en) Ion implanter and method of manufacturing semiconductor device
US7816656B2 (en) Method of implanting ion species into microstructure products by concurrently cleaning the implanter
US6924215B2 (en) Method of monitoring high tilt angle of medium current implant
JPH03269940A (en) Manufacture of ion implantation device and semiconductor integrated circuit device thereof
KR20070009284A (en) Dose control device for use in semiconductor fabrication equipment
KR100514174B1 (en) Method and device for irradiating and ion beam, and related method and device thereof
KR100591756B1 (en) Ion Implantation System with Interlock Function
Bisello et al. Radiation damage of standard and oxygenated silicon diodes irradiated by 16-MeV and 27-MeV protons
JP2008166660A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
Horsky et al. Performance and lifetime of the extended life ion source
CN1183584C (en) Monitoring chip of high current ion transplant device and method to monitor charging phenomenon with the chip
Frey et al. High energy ion implantation for semiconductor application at Fraunhofer-AIS, Erlangen
JP3202002B2 (en) Impurity introduction device and impurity introduction method
KR19980076794A (en) Faraday bias voltage supply check device for semiconductor ion implantation equipment
KR100687435B1 (en) Ion implant method of semiconductor device
Qian et al. Reliability investigations and improvements of the pLEDMOS for PDP data driver ICs
Namaroff et al. High energy, high current performance of the GSD/VHE implanter for the production of high dose p-type buried layers
JPH06103906A (en) Neutralization control method of ion implanter
KR100484863B1 (en) Y-scan devoce of an ion implanting apparatus
Kawai et al. The Nissin PR-80A high current ion implantation system

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid