KR20070004193A - Method of forming a layer and method of manufacturing a capacitor using the same - Google Patents

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KR20070004193A KR1020050059585A KR20050059585A KR20070004193A KR 20070004193 A KR20070004193 A KR 20070004193A KR 1020050059585 A KR1020050059585 A KR 1020050059585A KR 20050059585 A KR20050059585 A KR 20050059585A KR 20070004193 A KR20070004193 A KR 20070004193A
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최재형
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정정희
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Abstract

A film forming method and a capacitor forming method using the same are provided to sufficiently eliminate metal precursor chemically and physically absorbed on a substrate by repeatedly performing a purging and pumping process. A source gas containing a precursor is supplied onto a substrate(100) disposed in a process chamber(10) to form a precursor film(112) on the substrate. The process chamber is purged to remove the source gas from the process chamber. The process chamber is pumped out to eliminate the precursor physically absorbed on the precursor film. The purging and pumping process is repeated. Then, an oxidant is supplied onto the precursor film.

Description

막 형성 방법 및 이를 이용하는 커패시터 제조 방법 {Method of forming a layer and method of manufacturing a capacitor using the same}Method of forming a layer and method of manufacturing a capacitor using the same

도 1 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 and 6 are cross-sectional views illustrating a capacitor manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 공정 챔버 100 : 반도체 기판10 process chamber 100 semiconductor substrate

102 : 상부 전극 110 : 소스 가스102: upper electrode 110: source gas

112 : 전구체 박막 114 : 산화제112 precursor thin film 114 oxidant

116 : 단위 유전막 120 : 유전막116 unit dielectric film 120 dielectric film

130 : 상부 전극130: upper electrode

본 발명은 막 형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 원자층 증착을 이용하여 유전막을 형성하는 방법과 이를 이용하여 커패시터를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming method and a capacitor manufacturing method using the same. More particularly, the present invention relates to a method of forming a dielectric film using atomic layer deposition and a method of manufacturing a capacitor using the same.

최근, 반도체 장치에 있어서, 커패시터의 유전막 등에 적용하기 위한 박막은 고유전율(high-k dielectric)을 갖는 물질을 사용하여 형성하고 있는 추세이다. 그 이유는 상기 고유전율을 갖는 물질로 이루어진 박막이 얇은 등가 산화막 두께(equivalent oxide thickness, EOT)를 가짐에도 불구하고 상기 커패시터의 하부 전극과 상부 전극 사이에서 빈번하게 발생하는 누설 전류 등을 충분하게 줄일 수 있기 때문이다.Recently, in semiconductor devices, thin films for applying to dielectric films of capacitors and the like have been formed using materials having high-k dielectrics. The reason is that although the thin film made of the material having the high dielectric constant has a thin equivalent oxide thickness (EOT), the leakage current frequently generated between the lower electrode and the upper electrode of the capacitor is sufficiently reduced. Because it can.

따라서, 최근에는 상기 커패시터의 유전막으로서 높은 유전율을 가지면서도 등가 산화막 두께를 충분하게 낮출 수 있는 HfO2, 또는 ZrO2로 이루어지는 박막이 사용되고 있으며, 또한, 이들을 포함하는 다층 박막 또는 합금 박막이 적용되고 있다.Therefore, recently, as the dielectric film of the capacitor, a thin film made of HfO 2 or ZrO 2 having a high dielectric constant and capable of sufficiently lowering the equivalent oxide film thickness has been used, and a multilayer thin film or an alloy thin film containing these has been applied. .

일 예로서, 상기 미합중국 특허 6,753,618호에 개시된 바에 의하면, 상기 커패시터의 유전막은 알루미늄 산화막과 상기 알루미늄 산화막 상에 형성하는 탄탈륨 산화막, 지르코늄 산화막, 하프늄 산화막, 하프늄-알루미늄-산화물을 함유하는 합금 박막 또는 란탄-알루미늄-산화물을 함유하는 합금 박막을 포함한다. 상기 대한민국 공개특허 2004-0002818호에 개시된 바에 의하면, 상기 커패시터의 유전막은 실리케이트 계면층과 고유전율을 가지면서 상기 실리케이트 계면층 상에 형성하는 하프늄 산화막, 지르코늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 알루미늄 산화막, 티타늄 산화막, 이트리움 산화막, BST막 또는 PZT막을 포함한다. 상기 대한민국 공개특허 2004-0011837호에 개시된 바에 의하면, 상기 커패시터의 유전막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 티타늄 산화막, 하프늄 산화막, 지르코늄 산화막, BST막 또는 PZT막을 포함한다.For example, as disclosed in US Pat. No. 6,753,618, the dielectric film of the capacitor may include an aluminum oxide film and a tantalum oxide film, a zirconium oxide film, a hafnium oxide film, an alloy thin film containing hafnium-aluminum oxide, or lanthanum. An alloy thin film containing aluminum oxide. As disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2004-0002818, the dielectric film of the capacitor has a high dielectric constant with a silicate interface layer and is formed on the silicate interface layer, a hafnium oxide film, a zirconium oxide film, a tantalum oxide film, an aluminum oxide film, a titanium oxide film, An yttrium oxide film, a BST film or a PZT film is included. As disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2004-0011837, the dielectric film of the capacitor includes a silicon oxide film, a silicon nitride film, an aluminum oxide film, a tantalum oxide film, a titanium oxide film, a hafnium oxide film, a zirconium oxide film, a BST film, or a PZT film.

한편, 최근 반도체 장치의 집적도가 향상됨에 따라, 단위 셀이 차지하는 면적이 감소되고 있으며, 이에 따라 목적하는 셀 커패시턴스를 확보하기가 용이하지 않은 상태이다. 일 예로서, 기존의 MIS(Metal/Insulator/(poly)Silicon) 구조의 커패시터의 경우, 하부 전극으로서 기능하는 폴리실리콘막의 산화에 따라 목적하는 등가 산화막 두께를 구현하기가 용이하지 않다.On the other hand, with the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, the area occupied by unit cells is decreasing, and thus, it is not easy to secure desired cell capacitance. As an example, in the case of a conventional MIS (Metal / Insulator / (poly) Silicon) capacitor, it is not easy to implement a desired equivalent oxide film thickness according to oxidation of a polysilicon film functioning as a lower electrode.

이에 따라, MIM(Metal/Insulator/Metal) 구조를 갖는 커패시터의 개발이 활발하게 진행되고 있다. 상기 커패시터의 전극 물질의 예로는 TiN, WN, TaN 등과 같은 금속 질화물과 Ru, Pt, Ir 등과 같은 귀금속이 있다. 특히, Ru 전극을 채용한 RIR 구조의 커패시터는 집적도가 용이하지 않으므로, TiN을 채용한 TIT 구조의 커패시터가 주목받고 있다.Accordingly, development of a capacitor having a MIM (Metal / Insulator / Metal) structure has been actively progressed. Examples of the electrode material of the capacitor include metal nitrides such as TiN, WN, TaN, and the like, and precious metals such as Ru, Pt, Ir, and the like. In particular, the capacitor of the RIR structure employing the Ru electrode is not easy to integrate, and therefore, the capacitor of the TIT structure employing the TiN attracts attention.

한편, 상기 고유전율 물질로 이루어지는 유전막은 단차 피복성 및 유전막의 전기적인 특성 등을 고려하여 원자층 증착(atomic layer deposition)이 주로 사용되고 있다. 최근, 상기 유전막을 형성하기 위한 원자층 증착의 경우, 낱장 방식으로 이루어지는 매엽식 공정은 쓰루풋이 매우 열악하기 때문에 다수의 기판들에 대하여 동시에 진행되는 배치식 공정에 대한 관심이 점차 높아지고 있다.Meanwhile, in the dielectric film made of the high dielectric constant material, atomic layer deposition is mainly used in consideration of the step coverage and the electrical characteristics of the dielectric film. In recent years, in the case of atomic layer deposition for forming the dielectric film, the sheet-fed sheet type process has a very poor throughput, and thus, interest in batch processes simultaneously performed on a plurality of substrates is increasing.

상기 배치식 원자층 증착의 경우, 금속 전구체 물질을 공급한 후 충분한 퍼지가 이루어지지 않음으로 인하여 유전막의 전기적인 특성이 열화되는 문제점이 있다. 예를 들면, TEMAH(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium)과 같은 금속 전구체를 포함하는 소스 가스를 공급한 후, 퍼지 및 펌핑의 불완전함으로 인하여 기판 상 에 상기 원자층 단위의 전구체 박막이 형성되지 않고, 상당량의 금속 전구체가 기판 상에 잔류함으로 인하여, 유전막의 전기적인 특성이 저하된다. 즉, 목적하는 등가 산화막 두께를 구현할 수 없으며, 유전 상수가 열화되는 문제점이 발생된다.In the case of the batch atomic layer deposition, there is a problem in that electrical properties of the dielectric film are deteriorated due to insufficient purging after supplying the metal precursor material. For example, after supplying a source gas containing a metal precursor such as TEMAH (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium), the precursor thin film of the atomic layer unit is not formed on the substrate due to incomplete purge and pumping, As the metal precursor remains on the substrate, the electrical properties of the dielectric film are degraded. That is, the desired equivalent oxide film thickness cannot be realized, and a problem arises in that the dielectric constant is degraded.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1 목적은 원자층 단위의 박막을 얻기 위하여 개선된 퍼지 및 펌핑을 포함하는 막 형성 방법을 제공하는데 있다.A first object of the present invention for solving the above problems is to provide a film forming method including an improved purge and pumping to obtain a thin film of atomic layer units.

본 발명의 제2 목적은 상술한 바와 같은 막 형성 방법을 이용하여 커패시터를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a capacitor using the film forming method as described above.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 막 형성 방법은, 전구체를 포함하는 소스 가스를 공정 챔버 내에 위치된 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 화학적으로 흡착된 원자층 단위의 전구체 박막을 형성하는 단계와, 상기 공정 챔버 내에 잔류하는 소스 가스를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 퍼지하는 단계와, 상기 전구체 박막 상에 물리적으로 흡착된 전구체를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 펌핑하는 단계와, 상기 퍼지 단계와 상기 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행하는 단계와, 상기 전구체 박막 상으로 산화제를 공급하여 원자층 단위의 산화막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a film, by supplying a source gas containing a precursor onto a substrate located in a process chamber, and chemically adsorbed onto the substrate. Forming a thin film, purging the process chamber to remove source gas remaining in the process chamber, pumping the process chamber to remove precursors physically adsorbed on the precursor thin film; And repeatedly performing the purge and pumping steps alternately, and supplying an oxidant onto the precursor thin film to form an oxide layer in atomic layer units.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 산화막을 형성한 후, 상기 공정 챔버 내에 잔류하는 산화제를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 이차 퍼지하는 단계와 상기 공정 챔버를 이차 펌핑하는 단계를 더 수행할 수 있다. 또한, 상기 이차 퍼지 단계와 상기 이차 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행될 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, after the oxide film is formed, the method may further include secondary purging the process chamber and secondary pumping the process chamber to remove the oxidant remaining in the process chamber. . In addition, the secondary purge step and the secondary pumping step may be repeatedly performed alternately.

상기와 같은 단계들을 통하여 기판 상에 하프늄 산화막을 형성하는 경우, 상기 소스 가스로는 Hf(OtBu)4, TEMAH(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium), TDMAH(Tetrakis Di-Methyl Amino Hafnium), TDEAH(Tetrakis Di-Ethyl Amino Hafnium) 등이 사용될 수 있다.When forming a hafnium oxide film on the substrate through the above steps, the source gas is Hf (OtBu) 4 , TEMAH (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium), TDMAH (Tetrakis Di-Methyl Amino Hafnium), TDEAH (Tetrakis Di-) Ethyl Amino Hafnium) and the like can be used.

상기와 같은 단계들을 통하여 기판 상에 지르코늄 산화막을 형성하는 경우, 상기 소스 가스로는 Zr(OtBu)4, TEMAZ(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Zirconium), TDMAZ(Tetrakis Di-Methyl Amino Zirconium), TDEAZ(Tetrakis Di-Ethyl Amino Zirconium) 등이 사용될 수 있다.When the zirconium oxide film is formed on the substrate through the above steps, the source gas may be Zr (OtBu) 4 , TEMAZ (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Zirconium), TDMAZ (Tetrakis Di-Methyl Amino Zirconium), or TDEAZ (Tetrakis Di-). Ethyl Amino Zirconium) and the like can be used.

상기와 같은 단계들을 통하여 기판 상에 알루미늄 산화막을 형성하는 경우, 상기 소스 가스로는 TMA(Tri Methyl Aluminium)가 사용될 수 있다.When forming the aluminum oxide film on the substrate through the above steps, TMA (Tri Methyl Aluminum) may be used as the source gas.

한편, 상기 산화제로는 O3, O2, N2O, O2 플라즈마 등이 사용될 수 있으며, 상기 공정 챔버 내에는 다수의 기판들이 배치되어 상기 기판들 상에 동시에 상기 산화막이 형성될 수 있다. 특히, 상기와 같은 막 형성 방법은 300mm 실리콘 웨이퍼와 같은 대구경 웨이퍼에 대하여 바람직하게 적용될 수 있다.The oxidant may be O 3 , O 2 , N 2 O, O 2 plasma, or the like, and a plurality of substrates may be disposed in the process chamber to simultaneously form the oxide layer on the substrates. In particular, the film formation method as described above may be preferably applied to large diameter wafers such as 300 mm silicon wafers.

상기 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 커패시터 제조 방법에 의하면, 기판 상에 하부 전극, 유전막 및 상부 전극을 포함하는 커패시터를 제조하는 방법에 있어서, 상기 유전막은, 금속 전구체를 포함하는 소스 가스를 공 정 챔버 내에 위치된 기판 상으로 공급하여 상기 하부 전극 상에 화학적으로 흡착된 원자층 단위의 금속 전구체 박막을 형성하는 단계와, 상기 공정 챔버 내에 잔류하는 소스 가스를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 퍼지하는 단계와, 상기 금속 전구체 박막 상에 물리적으로 흡착된 금속 전구체를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 펌핑하는 단계와, 상기 퍼지 단계와 상기 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행하는 단계와, 상기 금속 전구체 박막 상으로 산화제를 공급하여 상기 금속 전구체 박막을 산화시키는 단계를 통해 형성될 수 있다.According to a capacitor manufacturing method according to another aspect of the present invention for achieving the second object, in the method of manufacturing a capacitor including a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode on a substrate, the dielectric film, a metal precursor Supplying a source gas to a substrate located in a process chamber to form a chemically adsorbed atomic precursor thin film on the lower electrode, and removing the source gas remaining in the process chamber. Purging the process chamber, pumping the process chamber to remove the metal precursor physically adsorbed on the metal precursor thin film, repeatedly performing the purge step and the pumping step alternately; Supplying an oxidant onto the metal precursor thin film to oxidize the metal precursor thin film Can be formed through the steps.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 상부 전극 및 하부 전극은 TiN, WN, TaN 등과 같은 금속 질화물 또는 Ru, Pt, Ir과 같은 귀금속으로 각각 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the upper electrode and the lower electrode may be made of metal nitrides such as TiN, WN, TaN, or the like, and precious metals such as Ru, Pt, and Ir.

또한, 상기 유전막을 형성한 후, 상기 유전막을 플라즈마 처리하는 단계를 더 수행할 수 있으며, 상기 플라즈마 처리는 O2 플라즈마, N2 플라즈마, NH3 플라즈마, N2O 플라즈마, NO2 플라즈마 등의 플라즈마 분위기에서 수행될 수 있다.In addition, after the dielectric film is formed, plasma treatment of the dielectric film may be further performed, and the plasma treatment may include plasma such as O 2 plasma, N 2 plasma, NH 3 plasma, N 2 O plasma, and NO 2 plasma. May be performed in an atmosphere.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 유전막을 형성한 후, O2 또는 O3 분위기에서 열처리를 더 수행할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, after the dielectric film is formed, heat treatment may be further performed in an O 2 or O 3 atmosphere.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 소스 가스를 공급하여 기판 상에 금속 전구체 박막을 형성한 후, 퍼지 단계와 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행함으로써, 상기 기판 상에 목적하는 원자층 단위의 단일층의 금속 전구체 박막을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 금속 전구체 박막을 산화시킴으로써 개선된 전기 적 특성과 목적하는 고유전 상수를 갖는 유전막을 형성할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, by forming a metal precursor thin film on the substrate by supplying a source gas, by repeatedly performing the purge step and the pumping step alternately, the target atomic layer unit on the substrate A single layer of the metal precursor thin film can be formed. Subsequently, by oxidizing the metal precursor thin film, a dielectric film having improved electrical properties and a desired high dielectric constant may be formed.

이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다. 그러나, 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있으며, 막(층)이 다른 막(층) 도는 기판 상에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 다른 막(층) 또는 기판 상에 직접 형성되거나 그들 사이에 추가적인 막(층)이 개재될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments and may be implemented in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosure more complete and to fully convey the spirit and features of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness of each device or film (layer) and regions has been exaggerated for clarity of the invention, and each device may have a variety of additional devices not described herein. If (layer) is mentioned as being located on another film (layer) or substrate, it may be formed directly on another film (layer) or substrate, or an additional film (layer) may be interposed therebetween.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 to 6 are cross-sectional views illustrating a capacitor manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 하부 전극(102)을 형성한다. 만약, 상기 하부 전극(102)을 폴리 실리콘을 사용하여 형성할 경우에는 후속되는 유전막(120)을 형성할 때 상기 폴리 실리콘에 함유되어 있는 Si 성분이 상기 유전막(120)으로 침투하여 상기 유전막(120)을 열화시키기 때문에 바람직하지 않으며, 폴리 실리콘의 표면 부위가 산화하여 후속하여 형성될 유전막의 등가 산화막 두께에 영향을 주므로 바람직하지 않다. 그러므로, 상기 하부 전극(102)은 TiN, WN, TaN 등과 같은 금속 질화물로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 하부 전극(102)은 화학 기상 증착, 원자층 증착 등을 이용하여 형성될 수 있다. 그러나, 이와는 다르게, 상기 하 부 전극(102)은 Ru, Pt, Ir과 같은 귀금속으로 이루어질 수도 있다.Referring to FIG. 1, a lower electrode 102 is formed on a substrate 100. If the lower electrode 102 is formed using polysilicon, the Si component contained in the polysilicon penetrates into the dielectric layer 120 when the subsequent dielectric layer 120 is formed. ), Which is not preferable because it deteriorates the surface area of the polysilicon and thus affects the equivalent oxide film thickness of the dielectric film to be subsequently formed. Therefore, the lower electrode 102 is preferably made of a metal nitride such as TiN, WN, TaN. The lower electrode 102 may be formed using chemical vapor deposition, atomic layer deposition, or the like. Alternatively, the lower electrode 102 may be made of a noble metal such as Ru, Pt, and Ir.

이어서, 상기 하부 전극(102)을 갖는 기판(100)을 공정 챔버(10) 내에 위치시킨다. 상기 공정 챔버(10) 내의 온도가 약 200℃ 미만이면 상기 공정 챔버(10) 내에 제공되는 소스 가스와 산화제의 반응성이 양호하지 않기 때문에 바람직하지 않고, 상기 챔버(10) 내의 온도가 약 400℃를 초과하면 상기 하부 전극(102) 상에 형성하는 유전막(120)의 결정화가 진행되기 때문에 바람직하지 않다. 특히, 본 실시예에서는 원자층 적층을 수행하기 때문에 상기 공정 챔버(10) 내의 온도가 약 400℃를 초과하면 화학 기상 증착의 특성을 나타내기 때문에 더욱 바람직하지 않다. 따라서, 상기 공정 챔버(10) 내의 온도를 약 200 내지 400℃로 조절하는 것이 바람직하다. 특히, 상기 공정 챔버(10) 내의 온도를 약 300℃로 조절하는 것이 가장 바람직한데, 그 이유는 약 300℃의 온도에서 상기 원자층 적층의 특성이 가장 양호하게 나타나기 때문이다. 또한, 상기 공정 챔버(10) 내의 압력이 약 0.1torr 미만이면 상기 공정 챔버(10) 내에 제공되는 상기 소스 가스, 산화제 등의 반응성이 양호하지 않기 때문에 바람직하지 않고, 상기 공정 챔버(10) 내의 압력이 약 3.0torr을 초과하면 공정 조건의 제어가 용이하지 않기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 공정 챔버(10) 내의 압력을 약 0.1 내지 약 3.0torr로 조절하는 것이 바람직하다.Subsequently, the substrate 100 having the lower electrode 102 is positioned in the process chamber 10. If the temperature in the process chamber 10 is less than about 200 ° C., since the reactivity of the source gas and the oxidant provided in the process chamber 10 is not good, the temperature in the chamber 10 may be about 400 ° C. If it exceeds, the crystallization of the dielectric film 120 formed on the lower electrode 102 is not preferable. In particular, in this embodiment, since the atomic layer deposition is performed, it is not preferable because the temperature in the process chamber 10 exceeds about 400 ° C. because it shows the characteristics of chemical vapor deposition. Therefore, it is preferable to adjust the temperature in the process chamber 10 to about 200 to 400 ℃. In particular, it is most desirable to adjust the temperature in the process chamber 10 to about 300 ° C., because the properties of the atomic layer stacks appear best at temperatures of about 300 ° C. FIG. In addition, when the pressure in the process chamber 10 is less than about 0.1 torr, the reactivity of the source gas, the oxidant, and the like provided in the process chamber 10 is not preferable, and the pressure in the process chamber 10 is not preferable. It is not preferable to exceed this 3.0torr because control of the process conditions is not easy. Therefore, it is desirable to adjust the pressure in the process chamber 10 to about 0.1 to about 3.0 torr.

상기 공정 챔버(10) 내부를 상기 온도와 압력으로 조절한 상태에서 상기 공정 챔버(10) 내에 위치한 기판(100)의 하부 전극(102) 상부로 상기 금속 전구체를 포함하는 소스 가스(110)를 제공한다. 이때, 상기 소스 가스(110)는 버블러와 같은 부재를 사용하여 가스 상태로 제공된다.The source gas 110 including the metal precursor is provided on the lower electrode 102 of the substrate 100 positioned in the process chamber 10 while the inside of the process chamber 10 is adjusted to the temperature and the pressure. do. At this time, the source gas 110 is provided in a gas state using a member such as a bubbler.

도시된 바에 의하면, 상기 공정 챔버(10)가 매우 개략적으로 도시되어 있고, 단지 하나의 기판(100)만이 도시되어 있으나, 상기 공정 챔버(10)에는 다수의 기판들(100)이 배치되는 것이 바람직하다. 이는 매엽식으로 진행할 경우, 반도체 장치의 생산성이 매우 저하되기 때문이다. 예를 들면, 상기 공정 챔버(10)로는 수직 방향으로 연장하는 종형로 형태의 챔버가 사용될 수 있으며, 상기 다수의 기판들(100)은 상기 공정 챔버(10) 내에서 수직 방향으로 연장하는 보트에 의해 지지될 수 있다. 한편, 상기 기판(100)으로는 300mm의 직경을 갖는 대구경 실리콘웨이퍼가 사용될 수 있다.As shown, the process chamber 10 is very schematically illustrated, and only one substrate 100 is shown, but it is preferable that a plurality of substrates 100 are disposed in the process chamber 10. Do. This is because the productivity of the semiconductor device is greatly lowered when the sheet type is advanced. For example, a vertically shaped chamber extending in the vertical direction may be used as the process chamber 10, and the plurality of substrates 100 may be arranged in a boat extending in the vertical direction in the process chamber 10. Can be supported by. Meanwhile, a large diameter silicon wafer having a diameter of 300 mm may be used as the substrate 100.

상기 소스 가스(110)로는 하프늄, 지르코늄, 알루미늄 등을 포함하는 전구체 가스가 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 전극(102) 상에 하프늄 산화막을 형성하는 경우, 상기 소스 가스(110)로는 Hf(OtBu)4, TEMAH(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium), TDMAH(Tetrakis Di-Methyl Amino Hafnium), TDEAH(Tetrakis Di-Ethyl Amino Hafnium) 등이 사용될 수 있으며, 상기 하부 전극(102) 상에 지르코늄 산화막을 형성하는 경우, 상기 소스 가스(110)로는 Zr(OtBu)4, TEMAZ(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Zirconium), TDMAZ(Tetrakis Di-Methyl Amino Zirconium), TDEAZ(Tetrakis Di-Ethyl Amino Zirconium) 등이 사용될 수 있고, 상기 하부 전극(102) 상에 알루미늄 산화막을 형성하는 경우, 상기 소스 가스(110)로는 TMA(Tri Methyl Aluminium)가 사용될 수 있다.As the source gas 110, a precursor gas including hafnium, zirconium, aluminum, or the like may be used. For example, when the hafnium oxide film is formed on the lower electrode 102, the source gas 110 may include Hf (OtBu) 4 , TEMAH (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium), and TDMAH (Tetrakis Di-Methyl Amino Hafnium). , TDEAH (Tetrakis Di-Ethyl Amino Hafnium) may be used, and when forming a zirconium oxide film on the lower electrode 102, the source gas 110 as Zr (OtBu) 4 , TEMAZ (Tetrakis Ethyl Methyl Amino) Zirconium), TDMAZ (Tetrakis Di-Methyl Amino Zirconium), TDEAZ (Tetrakis Di-Ethyl Amino Zirconium) and the like may be used, and when forming an aluminum oxide film on the lower electrode 102, as the source gas 110 Tri Methyl Aluminum (TMA) may be used.

이와 같이, 상기 하부 전극(12) 상부로 소스 가스(110)를 제공함으로서 상기 하부 전극(102) 상에 상기 금속 전구체의 일부를 화학적으로 흡착시켜 원자층 단위의 금속 전구체 박막(112)을 형성한다. 이때, 상기 금속 전구체의 나머지는 상기 화학적으로 흡착된 금속 전구체 상에 물리적으로 흡착되거나 공정 챔버(10) 내부에서 표류한다.As such, by providing the source gas 110 over the lower electrode 12, a portion of the metal precursor is chemically adsorbed on the lower electrode 102 to form the metal precursor thin film 112 in atomic layer units. . At this time, the remainder of the metal precursor is physically adsorbed on the chemically adsorbed metal precursor or drifted inside the process chamber 10.

도 2를 참조하면, 상기 공정 챔버(10) 내부에 잔류하는 소스 가스를 상기 공정 챔버(10)로부터 제거하기 위하여 상기 공정 챔버(10) 내부로 퍼지 가스를 공급함과 동시에 상기 공정 챔버(10)를 펌핑한다. 따라서, 상기 잔류하는 소스 가스(110)는 퍼지 가스와 함께 공정 챔버(10)로부터 제거되며, 상기 물리적으로 흡착된 금속 전구체의 일부도 함께 제거된다.Referring to FIG. 2, in order to remove the source gas remaining in the process chamber 10 from the process chamber 10, a purge gas is supplied into the process chamber 10 and the process chamber 10 is simultaneously supplied. Pump. Thus, the remaining source gas 110 is removed from the process chamber 10 together with the purge gas and a portion of the physically adsorbed metal precursor is also removed together.

이어서, 상기 퍼지 가스의 공급을 중단시키고, 상기 물리적으로 흡착된 금속 전구체를 제거하기 위하여 공정 챔버(10) 내부를 고진공으로 펌핑시킨다.Subsequently, the supply of the purge gas is stopped, and the inside of the process chamber 10 is pumped with high vacuum to remove the physically adsorbed metal precursor.

그러나, 상기와 같이 퍼지와 펌핑을 한 차례 진행할 경우, 상기 물리적으로 흡착된 금속 전구체가 완전히 제거되지 않을 수 있다. 이 경우, 상기 하부 전극(102) 상에 원자층 단위의 금속 전구체 박막(112)만이 잔류하는 것이 아니라 상기 물리적으로 흡착된 금속 전구체가 함께 잔류한다. 상기와 같이 잔류하는 물리적으로 흡착된 금속 전구체는 최종적으로 형성될 유전막(120)의 전기적 특성 및 유전 상수를 열화시키는 원인으로 작용한다.However, when the purge and pumping is performed once as described above, the physically adsorbed metal precursor may not be completely removed. In this case, not only the metal precursor thin film 112 in atomic layer units remains on the lower electrode 102 but the physically adsorbed metal precursor remains together. The physically adsorbed metal precursor remaining as described above serves as a cause of deterioration of electrical characteristics and dielectric constant of the dielectric film 120 to be finally formed.

따라서, 상기 퍼지 단계와 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행함으로써 상기 하부 전극(102) 상에 원자층 단위의 금속 전구체 박막(112)만을 잔류시킨다. 이 때, 전체 퍼지 및 펌핑 시간은 변화시키지 않고 퍼지 및 펌핑 사이클 횟수만을 변화시키는 것이 쓰루풋 측면에서 바람직하다.Therefore, only the metal precursor thin film 112 in an atomic layer unit remains on the lower electrode 102 by repeatedly performing the purge step and the pumping step alternately. At this time, it is desirable to change only the number of purge and pumping cycles without changing the overall purge and pumping time in terms of throughput.

도 3을 참조하면, 상기 공정 챔버(10) 내부로 산화제(114)를 제공하여 상기 금속 전구체 박막(110)을 산화시킨다. 이에 따라, 상기 하부 전극(102) 상에는 원자층 단위의 유전막(116)이 형성된다. 상기 산화제의 예로는 O3, O2, N2O, O2 플라즈마 등이 사용될 수 있다.Referring to FIG. 3, an oxidant 114 is provided into the process chamber 10 to oxidize the metal precursor thin film 110. Accordingly, the dielectric film 116 in atomic layer units is formed on the lower electrode 102. Examples of the oxidant may be O 3 , O 2 , N 2 O, O 2 plasma and the like.

도 4를 참조하면, 상기 챔버(10) 내에 잔류하는 산화제(114)를 제거하기 위하여 퍼지 가스를 제공함과 동시에 펌핑시키는 이차 퍼지 단계와, 상기 퍼지 가스의 공급을 중단시키고 상기 공정 챔버(10)를 펌핑하는 이차 펌핑 단계를 순차적으로 수행한다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 산화제를 제거함과 동시에 상기 하부 전극(102) 상의 원자층 단위의 유전막(116)의 형성을 더욱 완전하게 하기 위하여 상기 이차 퍼지 단계와 이차 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 더 수행할 수도 있다.Referring to FIG. 4, a secondary purge step of simultaneously supplying and purging the purge gas to remove the oxidant 114 remaining in the chamber 10, stops the supply of the purge gas, and stops the process chamber 10. The secondary pumping step of pumping is performed sequentially. According to another embodiment of the present invention, the secondary purge step and the secondary pumping step may be repeated alternately to remove the oxidant and at the same time to more fully form the dielectric layer 116 in atomic layer units on the lower electrode 102. You can also do more.

도 5를 참조하면, 상기와 같은 원자층 단위의 유전막(116) 형성 단계들을 반복적으로 수행함으로써 목적하는 두께를 갖는 유전막(120)을 상기 하부 전극(102) 상에서 완성할 수 있다.Referring to FIG. 5, the dielectric film 120 having a desired thickness may be completed on the lower electrode 102 by repeatedly performing the above-described steps of forming the dielectric film 116 in units of atomic layers.

한편, 상기 소스 가스(110)의 공급 및 상기 산화제(114)의 공급 이전에 상기 소스 가스(110)의 프리 플러시 단계와 상기 산화제(114)의 프리 플러시 단계를 더 수행하는 것이 바람직하다. 이는 상기 소스 가스(110) 및 산화제(114)의 유동 특성 을 층류로 형성하기 위하여 수행된다.Meanwhile, before the supply of the source gas 110 and the supply of the oxidant 114, the pre-flushing step of the source gas 110 and the pre-flushing step of the oxidant 114 may be further performed. This is done to form laminar flow characteristics of the source gas 110 and the oxidant 114.

도 6을 참조하면, 상기 유전막(120)을 형성한 후, 상기 유전막(120)의 전기적 특성을 향상시키기 위하여 플라즈마 처리 또는 열처리를 수행한다. 구체적으로, 상기 플라즈마 처리 또는 열처리는 상기 유전막(120)을 치밀화시켜 누설 전류를 감소시키기 위하여 수행된다.Referring to FIG. 6, after the dielectric film 120 is formed, plasma treatment or heat treatment is performed to improve electrical characteristics of the dielectric film 120. Specifically, the plasma treatment or heat treatment is performed to reduce the leakage current by densifying the dielectric layer 120.

상기 플라즈마 처리는 상기 플라즈마 처리는 O2 플라즈마, N2 플라즈마, NH3 플라즈마, N2O 플라즈마, NO2 플라즈마 등의 플라즈마 분위기에서 수행될 수 있으며, 상기 열처리는 O2 또는 O3 분위기에서 수행될 수 있다.The plasma treatment may be performed in a plasma atmosphere such as O 2 plasma, N 2 plasma, NH 3 plasma, N 2 O plasma, NO 2 plasma, and the heat treatment may be performed in an O 2 or O 3 atmosphere. Can be.

이어서, 상기 유전막(120) 상에 상부 전극(130)을 형성한다. 상기 상부 전극(130)은 실질적으로 상기 하부 전극(102)과 동일한 물질로 이루어지질 수 있으며, 상기 하부 전극(102)을 형성하는 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 형성될 수 있다.Subsequently, an upper electrode 130 is formed on the dielectric layer 120. The upper electrode 130 may be made of substantially the same material as the lower electrode 102, and may be formed in substantially the same manner as the method of forming the lower electrode 102.

상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 소스 가스(110)의 공급에 의하여 하부 전극(102) 상에 화학적 및 물리적으로 흡착된 금속 전구체 박막(112)에서 상기 물리적으로 흡착된 부분은 반복적인 퍼지와 펌핑에 의해 충분히 제거될 수 있다. 따라서, 최종적으로 형성되는 유전막(120)의 전기적 특성 및 유전 상수를 목적하는 수준으로 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention as described above, the physically adsorbed portion of the metal precursor thin film 112 chemically and physically adsorbed on the lower electrode 102 by the supply of the source gas 110 is repeated It can be sufficiently removed by purge and pumping. Therefore, the electrical characteristics and the dielectric constant of the finally formed dielectric film 120 can be implemented at a desired level.

한편, 도시되지는 않았으나, 상기 유전막(120)은 고유전율 물질막들의 복합 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 유전막(120)은 하프늄 산화막/알루미늄 산화막, 지르코늄 산화막/알루미늄 산화막, 하프늄 산화막/알루미늄 산화막/하프늄 산화막, 지르코늄 산화막/알루미늄 산화막/지르코늄 산화막 등의 구조를 가질 수 있다.Although not shown, the dielectric layer 120 may have a complex structure of high dielectric constant material layers. For example, the dielectric layer 120 may have a structure such as a hafnium oxide film / aluminum oxide film, a zirconium oxide film / aluminum oxide film, a hafnium oxide film / aluminum oxide film / hafnium oxide film, a zirconium oxide film / aluminum oxide film / zirconium oxide film, or the like.

유전막의 특성 평가Characterization of dielectric film

본 발명의 실시예에 따른 유전막의 증착 특성을 평가하기 위하여 다음과 같은 실험을 수행하였다.In order to evaluate the deposition characteristics of the dielectric film according to the embodiment of the present invention, the following experiment was performed.

먼저, 종래의 원자층 증착을 이용하여 다수의 기판들 상에 제1 유전막들을 형성하였다. 구체적으로, TEMAH를 포함하는 소스 가스를 120초 동안 공급하여 원자층 단위의 박막을 형성하고, 퍼지 및 펌핑을 각각 60초 동안 수행하였다. 이어서, 산화제로서 O3 가스를 150초 동안 공급하고, 퍼지 및 펌핑을 각각 60초 동안 수행하였다. 계속해서, 목표 두께를 45Å으로 설정하고 상기와 같은 단계들을 반복적으로 수행하여 제1 유전막들을 형성하였다.First, first dielectric films were formed on a plurality of substrates using conventional atomic layer deposition. Specifically, a source gas containing TEMAH was supplied for 120 seconds to form a thin film of atomic layer units, and purging and pumping were performed for 60 seconds, respectively. Subsequently, O 3 gas was supplied as an oxidant for 150 seconds, and purge and pumping were performed for 60 seconds each. Subsequently, the target thickness was set to 45 mm 3 and the above steps were repeatedly performed to form first dielectric films.

그 다음, 본 발명의 실시예에 의하여 다수의 기판들 상에 제2 유전막들을 형성하였다. 구체적으로, 소스 가스를 공급한 후 퍼지와 펌핑을 각각 10초씩 6회에 걸쳐서 반복 수행하였다. 상기 퍼지와 펌핑을 반복적으로 수행한 것을 제외하면, 상기 제1 유전막들을 형성하는 단계와 동일한 방법으로 제2 유전막들을 형성하였다.Then, second dielectric layers were formed on the plurality of substrates by an embodiment of the present invention. Specifically, after supplying the source gas, purge and pumping were repeated six times, each 10 seconds. The second dielectric layers were formed in the same manner as the forming of the first dielectric layers, except that the purge and pumping were repeatedly performed.

상기 제1 유전막들 및 제2 유전막들의 두께를 측정한 결과, 상기 제1 유전막 들의 두께는 약 42Å 정도였으며, 상기 제2 유전막들의 두께는 약 44Å으로 측정되었다. 이같은 결과로부터, 본 발명의 실시예에 따라 형성된 유전막들의 증착 속도가 종래의 방법에 비하여 향상되었음을 알 수 있었다. 또한, 누설 전류의 경우, 본 발명의 실시예에 따라 형성된 제2 유전막들의 누설 전류 특성이 20fF/cell에서 약 0.1V 내지 0.15V 정도 개선되었음을 알 수 있었다.As a result of measuring the thicknesses of the first dielectric layers and the second dielectric layers, the thicknesses of the first dielectric layers were about 42 GPa, and the thickness of the second dielectric layers was about 44 GPa. From these results, it can be seen that the deposition rate of the dielectric films formed according to the embodiment of the present invention is improved compared to the conventional method. In addition, in the case of the leakage current, the leakage current characteristics of the second dielectric films formed according to the embodiment of the present invention was found to be improved by about 0.1V to 0.15V at 20fF / cell.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 퍼지 및 펌핑의 반복적인 수행에 의하여 소스 가스의 공급에 의해 기판 상에 화학적 및 물리적으로 흡착된 금속 전구체 박막으로부터 물리적으로 흡착된 부분을 충분히 제거할 수 있다. 따라서, 상기 기판 상에는 화학적으로 흡착된 원자층 단위의 금속 전구체 박막만이 잔류하며, 상기 금속 전구체 박막의 산화에 의해 화학양론적으로 우수한 유전막이 획득될 수 있다.According to the present invention as described above, it is possible to sufficiently remove the physically adsorbed portion from the metal precursor thin film chemically and physically adsorbed on the substrate by the supply of the source gas by the repetitive performance of purging and pumping. Therefore, only the metal precursor thin film of the atomic layer unit chemically adsorbed remains on the substrate, and the dielectric film having excellent stoichiometric value can be obtained by oxidation of the metal precursor thin film.

결과적으로, 상기 반도체 기판 상에 누설 전류 특성과 유전율이 개선된 고유전율 물질막을 유전막으로서 갖는 커패시터를 형성할 수 있다.As a result, a capacitor having a high dielectric constant material film having improved leakage current characteristics and dielectric constant as a dielectric film may be formed on the semiconductor substrate.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (13)

전구체를 포함하는 소스 가스를 공정 챔버 내에 위치된 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 화학적으로 흡착된 원자층 단위의 전구체 박막을 형성하는 단계;Supplying a source gas including a precursor onto a substrate located in a process chamber to form a precursor thin film of atomic layer units chemically adsorbed on the substrate; 상기 공정 챔버 내에 잔류하는 소스 가스를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 퍼지하는 단계;Purging the process chamber to remove source gas remaining in the process chamber; 상기 전구체 박막 상에 물리적으로 흡착된 전구체를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 펌핑하는 단계;Pumping the process chamber to remove precursors physically adsorbed on the precursor thin film; 상기 퍼지 단계와 상기 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행하는 단계; 및Repeatedly performing the purge step and the pumping step alternately; And 상기 전구체 박막 상으로 산화제를 공급하여 원자층 단위의 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 막 형성 방법.Supplying an oxidant onto the precursor thin film to form an oxide film in atomic layer units. 제1항에 있어서, 상기 공정 챔버 내에 잔류하는 산화제를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 이차 퍼지하는 단계와 상기 공정 챔버를 이차 펌핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.2. The method of claim 1, further comprising secondary purging the process chamber to remove oxidant remaining in the process chamber and secondary pumping the process chamber. 제2항에 있어서, 상기 이차 퍼지 단계와 상기 이차 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.3. The method of claim 2, further comprising repeatedly performing the secondary purge step and the secondary pumping step alternately. 제1항에 있어서, 상기 소스 가스는 Hf(OtBu)4, TEMAH(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium), TDMAH(Tetrakis Di-Methyl Amino Hafnium) 및 TDEAH(Tetrakis Di-Ethyl Amino Hafnium)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the source gas is one selected from the group consisting of Hf (OtBu) 4 , TEMAH (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium), TDMAH (Tetrakis Di-Methyl Amino Hafnium) and TDEAH (Tetrakis Di-Ethyl Amino Hafnium) The film formation method characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 소스 가스는 Zr(OtBu)4, TEMAZ(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Zirconium), TDMAZ(Tetrakis Di-Methyl Amino Zirconium) 및 TDEAZ(Tetrakis Di-Ethyl Amino Zirconium)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.According to claim 1, wherein the source gas is one selected from the group consisting of Zr (OtBu) 4 , TEMAZ (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Zirconium), TDMAZ (Tetrakis Di-Methyl Amino Zirconium) and TDEAZ (Tetrakis Di-Ethyl Amino Zirconium) The film formation method characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 소스 가스는 TMA(Tri Methyl Aluminium)인 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the source gas is Tri Methyl Aluminum (TMA). 제1항에 있어서, 상기 산화제는 O3, O2, N2O 및 O2 플라즈마로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the oxidant is at least one selected from the group consisting of O 3 , O 2 , N 2 O and O 2 plasma. 제1항에 있어서, 상기 공정 챔버 내에는 다수의 기판들이 배치되는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.The method of claim 1, wherein a plurality of substrates are disposed in the process chamber. 기판 상에 하부 전극, 유전막 및 상부 전극을 포함하는 커패시터를 제조하는 방법에 있어서, 상기 유전막은,In the method of manufacturing a capacitor comprising a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode on a substrate, the dielectric film, 금속 전구체를 포함하는 소스 가스를 공정 챔버 내에 위치된 기판 상으로 공급하여 상기 하부 전극 상에 화학적으로 흡착된 원자층 단위의 금속 전구체 박막을 형성하는 단계;Supplying a source gas including a metal precursor onto a substrate positioned in a process chamber to form a chemically adsorbed atomic precursor thin film on the lower electrode; 상기 공정 챔버 내에 잔류하는 소스 가스를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 퍼지하는 단계;Purging the process chamber to remove source gas remaining in the process chamber; 상기 금속 전구체 박막 상에 물리적으로 흡착된 금속 전구체를 제거하기 위하여 상기 공정 챔버를 펌핑하는 단계;Pumping the process chamber to remove metal precursors physically adsorbed on the metal precursor thin film; 상기 퍼지 단계와 상기 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행하는 단계; 및Repeatedly performing the purge step and the pumping step alternately; And 상기 금속 전구체 박막 상으로 산화제를 공급하여 상기 금속 전구체 박막을 산화시키는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.And supplying an oxidant onto the metal precursor thin film to oxidize the metal precursor thin film. 제9항에 있어서, 상기 상부 전극 및 하부 전극은 TiN, WN, TaN, Ru, Pt 및 Ir으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 각각 이루어지는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.The method of claim 9, wherein the upper electrode and the lower electrode each comprise at least one selected from the group consisting of TiN, WN, TaN, Ru, Pt, and Ir. 제9항에 있어서, 상기 유전막을 형성한 후, 상기 유전막을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.The method of claim 9, further comprising, after forming the dielectric layer, plasma treating the dielectric layer. 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 O2 플라즈마, N2 플라즈마, NH3 플라즈마, N2O 플라즈마 및 NO2 플라즈마로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 플라즈마 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.The method of claim 11, wherein the plasma processing is performed in at least one plasma atmosphere selected from the group consisting of O 2 plasma, N 2 plasma, NH 3 plasma, N 2 O plasma, and NO 2 plasma. . 제9항에 있어서, 상기 유전막을 형성한 후, O2 또는 O3 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.The method of claim 9, further comprising heat treating the dielectric film in an O 2 or O 3 atmosphere.
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