KR20070000184A - Apparatus for controlling temperature of semiconductor equipment - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 장비용 온도 조절 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 온도를 조절하기 위하여 사용하는 반도체 장비용 온도 조절 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a temperature control device for semiconductor equipment, and more particularly, to a temperature control device for semiconductor equipment used to control the process temperature.
일반적으로 반도체 소자를 생산하는 공정은 노광, 식각, 확산, 증착 등의 공정을 선택적으로 수행하는 일련의 과정에 의해서 이루어지고, 웨이퍼의 표면에 형성된 패턴은 포토레지스트 패턴을 이용하여 필요한 부분만 남기고 박막의 일부를 식각 공정으로 제거하여 형성한다. In general, the process of producing a semiconductor device is made by a series of processes that selectively perform the process of exposure, etching, diffusion, deposition, etc., the pattern formed on the surface of the wafer using a photoresist pattern to leave only the necessary portion thin film It is formed by removing part of the etching process.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 미세한 패턴을 형성하기에 유리한 이방성 특성을 나타내는 건식 식각(dry etching)이 주로 이용된다. 상기 건식 식각은 고진공의 공정챔버 내에 공정가스로 사용되는 반응 가스를 주입하고, 고주파 전력을 인가하여 발생하는 플라스마 상태를 형성하여 실시한다. 건식 식각은 반응 가스로부터 이온을 발생시켜 박막을 식각하는 것으로 플라스마 식각 장비에서 실시한다.As the degree of integration of semiconductor devices increases, dry etching, which exhibits anisotropic properties which are advantageous for forming fine patterns, is mainly used. The dry etching is performed by injecting a reaction gas used as a process gas into a high vacuum process chamber and forming a plasma state generated by applying high frequency power. Dry etching is performed in plasma etching equipment by etching ions by generating ions from a reaction gas.
상기 플라스마 식각 장비에서 미세한 패턴을 반복적으로 계속 가공하기 위하여 식각 공정은 매우 엄격한 공정 조건하에서 실시되고, 공정 챔버에서 공정이 실시되는 온도는 식각 속도나 프로파일(profile) 및 폴리머에 의한 오염 등에 영향을 주기 때문에 엄격히 관리되어야 한다. 이를 위하여 반도체 장비용 온도 조절 장치는 웨이퍼에 대한 가공을 실시하는 공정챔버로 유체를 순환시켜 공정 온도를 일정하게 관리한다.In order to continuously process fine patterns in the plasma etching equipment, the etching process is performed under very strict process conditions, and the temperature at which the process is performed in the process chamber affects the etching rate, the profile and the contamination by the polymer. It must be strictly controlled. To this end, the temperature control device for semiconductor equipment circulates a fluid to a process chamber for processing a wafer to manage the process temperature constantly.
도1은 종래의 의 반도체 장비용 온도 조절 장치를 보여주는 구조도이다.1 is a structural diagram showing a conventional temperature control device for semiconductor equipment.
도1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)로 유체(11)를 순환시켜 공정 온도를 일정하게 관리하기 위한 종래의 반도체 장비용 온도 조절 장치(20)는 유체 탱크(21), 펌프(23), 온도 감지기(25) 및 제어부(27)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the temperature control device 20 for semiconductor equipment for controlling a process temperature constantly by circulating the fluid 11 into the process chamber 10 includes a fluid tank 21 and a pump 23. ), A temperature sensor 25 and a control unit 27.
유체 탱크(21)는 공정챔버(10)로 순환되는 유체(11)를 일정한 온도로 조절하며 저장하는 곳이고, 유체 탱크(21) 내부의 유체(11)는 공정챔버(10) 내부의 하부 전극(13) 또는 공정챔버(10)의 둘레에 연결된 유체 통로(도면에 표시하지 않음)를 통하여 공급된다. The fluid tank 21 is a place for controlling and storing the fluid 11 circulated to the process chamber 10 at a constant temperature, and the fluid 11 inside the fluid tank 21 is a lower electrode inside the process chamber 10. 13 or through a fluid passage (not shown) connected around the process chamber 10.
상기 유체(11)는 공정챔버(10) 내부의 하부 전극(13)에 공급되어, 하부 전극(13) 위에서 공정을 실시하는 웨이퍼(15)의 공정온도가 유체(11)에 의해서 직접 조절하는 것이 일반적인 추세이다. The fluid 11 is supplied to the lower electrode 13 in the process chamber 10 so that the process temperature of the wafer 15 performing the process on the lower electrode 13 can be directly controlled by the fluid 11. It is a general trend.
펌프(23)는 유체 탱크(21) 내부에 저장된 유체(11)를 순환시켜서 하부 전극(13) 또는 공정챔버(10)를 지난 유체(11)를 다시 유체 탱크(21)로 계속 순환시킨다. 상기 온도 감지기(25)는 공정챔버(10) 또는 하부 전극(13)에 장착되어 공정온도를 직접 감지하여 제어부(27)에 전달한다. The pump 23 circulates the fluid 11 stored in the fluid tank 21 to continuously circulate the fluid 11 past the lower electrode 13 or the process chamber 10 back to the fluid tank 21. The temperature sensor 25 is mounted in the process chamber 10 or the lower electrode 13 to directly detect the process temperature and transmit it to the control unit 27.
제어부(27)는 펌프(23)에 연결되어 온도 감지기(25)의 온도가 일정한 설정 범위를 벗어나면 펌프(23)에 의한 유체(11)의 순환 속도를 조절하여 온도를 조절한다. 또한 온도 감지기(25)의 온도가 어떤 한계를 벗어나면, 이를 기록하고 공정이 진행 중인 반도체 제조 장비에 에러 신호를 발생시켜 공정의 진행을 멈추게 한다.The controller 27 is connected to the pump 23 to adjust the temperature by adjusting the circulation rate of the fluid 11 by the pump 23 when the temperature of the temperature sensor 25 is out of a predetermined setting range. In addition, if the temperature of the temperature sensor 25 is beyond a certain limit, it records and generates an error signal to the semiconductor manufacturing equipment in the process to stop the process.
그런데 종래의 반도체 장비용 온도 조절 장치에서 상기 유체 탱크(21)의 크기나 냉각 용량이 한정되어 있기 때문에, 공정이 계속 진행되어 하부 전극(13)의 온도가 계속 증가하면 반도체 장비용 온도 조절 장치는 하부 전극(13)의 온도를 더 이상 조절하지 못하게 된다. 이로 인하여 공정이 정지되고 온도가 충분히 하강될 때까지 기다려야 하기 때문에 생산성이 저하되는 문제가 자주 발생한다.However, since the size and cooling capacity of the fluid tank 21 are limited in the conventional temperature regulating device for semiconductor equipment, if the process continues and the temperature of the lower electrode 13 continues to increase, the temperature regulating device for semiconductor equipment is The temperature of the lower electrode 13 can no longer be adjusted. This often leads to a problem that productivity is lowered because the process is stopped and the temperature must be sufficiently lowered.
따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 제조 장비에서 공정을 진행하는 중에 유체 탱크의 온도 조절 능력이 한계로 인하여 공정 온도가 일정한 조절 범위를 벗어나서, 불량이 발생하거나 공정이 정지되는 것을 방지하기 위하여 필요시에는 유체 탱크에 의한 온도 조절 용량을 보충하여 사용할 수 있는 반도체 장비용 온도 조절 장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is that the process temperature is out of a certain control range due to the limitation of the temperature control capability of the fluid tank during the process in the semiconductor manufacturing equipment, a failure occurs In order to prevent the process is stopped or to provide a temperature control device for semiconductor equipment that can be used to supplement the temperature control capacity by the fluid tank if necessary.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조용 온도 조절 장치는 웨이퍼에 대한 가공을 실시하는 공정챔버로 유체를 순환시켜 공정 온도를 조절하는 것으로서, 내부에 상기 유체를 저장하며, 서로 연결되어 상기 유체를 서로 전달 가능한 복수의 유체 탱크를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a semiconductor manufacturing temperature control apparatus according to an embodiment of the present invention controls a process temperature by circulating a fluid into a process chamber for processing a wafer, and stores the fluid therein, and And a plurality of fluid tanks connected to each other to transfer the fluids to each other.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조용 온도 조절 장치는 웨이퍼에 대한 가공을 실시하는 공정챔버로 유체를 순환시켜 공정 온도를 조절하는 것으로서, 내부에 상기 유체를 저장하는 유체 탱크; 내부에 일정한 온도의 보조 유체를 저장하고, 상기 유체 탱크와 연결되어 상기 유체를 전달하는 보조 유체 탱크; 상기 유체 탱크로부터 상기 공정챔버로 상기 유체를 순환시키는 펌프; 상기 공정챔버에 장착된 온도 감지기; 및 상기 온도 감지기가 정해진 범위를 벗어나면 상기 보조 유체를 상기 유체 탱크로 전달하도록 온도 감지기에 연결되어 보조 유체 탱크를 조절하는 제어부를 구비한다.According to another embodiment of the present invention, a temperature manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor is configured to control a process temperature by circulating a fluid into a process chamber for processing a wafer, the fluid tank storing the fluid therein; An auxiliary fluid tank configured to store an auxiliary fluid at a constant temperature therein and to be connected with the fluid tank to transfer the fluid; A pump for circulating the fluid from the fluid tank to the process chamber; A temperature sensor mounted to the process chamber; And a control unit connected to a temperature sensor to adjust the auxiliary fluid tank to transfer the auxiliary fluid to the fluid tank when the temperature sensor is out of a predetermined range.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 공정챔버의 하부 전극에 상기 유체를 공급하고, 상기 온도 감지기도 상기 하부 전극에 연결된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the fluid is supplied to the lower electrode of the process chamber, the temperature sensor is characterized in that connected to the lower electrode.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 보조 유체 탱크는 밸브로 조절되고, 상기 유체 탱크에 연결된 연결라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the auxiliary fluid tank is controlled by a valve, characterized in that it comprises a connection line connected to the fluid tank.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 보조 유체 탱크는 보조 밸브에 의해서 조절되고, 상기 유체 탱크에 연결되어 상기 유체 탱크에서 상기 보조 유체 탱크로 상기 유체를 전달 가능한 보조 연결라인을 포함한다.In a preferred embodiment, the auxiliary fluid tank is controlled by an auxiliary valve and includes an auxiliary connecting line connected to the fluid tank to transfer the fluid from the fluid tank to the auxiliary fluid tank.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 밸브는 상기 제어부에 의해서 조절되고, 상기 보조 유체 탱크는 상기 유체 탱크의 상부와 하부에 각각 연결되는 복수의 보조 연결라인을 더 포함한다.In a preferred embodiment, the valve is controlled by the control unit, the auxiliary fluid tank further comprises a plurality of auxiliary connection lines connected to the upper and lower portions of the fluid tank, respectively.
바람직한 실시예에 있어서, 복수의 상기 보조 연결라인은 각각으로 상기 제어부에 의해서 조절되는 밸브를 포함한다.In a preferred embodiment, the plurality of auxiliary connecting lines each comprise a valve controlled by the control unit.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 유체 탱크에 장착되고, 상기 제어부에 연결된 다른 온도 감지기를 더 구비한다.In a preferred embodiment, the apparatus further comprises another temperature sensor mounted to the fluid tank and connected to the control unit.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 보조 유체 탱크에 장착되고, 상기 제어부에 연결된 또 다른 온도 감지기를 더 구비한다.In a preferred embodiment, the apparatus further comprises another temperature sensor mounted to the auxiliary fluid tank and connected to the control unit.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 보조 유체 탱크가 복수 개인 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the auxiliary fluid tank is characterized in that a plurality.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 보조 유체 탱크는 각각으로 밸브에 의해서 조절되며 상기 유체 탱크에 연결된 각각의 연결라인을 포함한다.In a preferred embodiment, the auxiliary fluid tank each includes a respective connection line controlled by a valve and connected to the fluid tank.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 펌프에 연결되어 유체의 순환 속도를 조절한다.In a preferred embodiment, the control unit is connected to the pump to regulate the circulation rate of the fluid.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장비용 온도 조절 장치를 보여주는 구조도이다.2 is a structural diagram showing a temperature control apparatus for semiconductor equipment according to an embodiment of the present invention.
도2를 참조하여 본 발명의 반도체 장비용 온도 조절 장치를 자세히 설명하면, 본 발명의 반도체 장비용 온도 조절 장치는 유체 탱크(210), 보조 유체 탱크(220), 펌프(230), 온도 감지기(250) 및 제어부(270)를 구비한다.Referring to Figure 2 in detail the temperature control device for semiconductor equipment of the present invention, the temperature control device for semiconductor equipment of the present invention is a fluid tank 210, auxiliary fluid tank 220, pump 230, temperature sensor ( 250 and a control unit 270.
유체 탱크(210)는 공정챔버(100)로 순환되는 유체(110)를 일정한 온도로 조절하며 저장하는 곳이고, 보조 유체 탱크(220)는 내부에 저장된 보조 유체(120)를 일정한 온도로 유지하며 필요에 따라 유체 탱크(210)로 저장된 보조 유체(120)를 전달한다. 물론 보조 유체(120)와 유체(110)는 일반적으로 동일한 유체를 사용한다. The fluid tank 210 is a place for controlling and storing the fluid 110 circulated to the process chamber 100 at a constant temperature, and the auxiliary fluid tank 220 maintains the auxiliary fluid 120 stored therein at a constant temperature. If necessary, the auxiliary fluid 120 stored in the fluid tank 210 is delivered. Of course, the auxiliary fluid 120 and the fluid 110 generally use the same fluid.
이때 유체 탱크(210) 내부의 유체(110)는 공정챔버(100) 내부의 하부 전극(130) 또는 공정챔버(100)의 둘레에 연결된 유체 통로(도면에 표시하지 않음)를 통하여 공급되는데, 특히 유체(110)가 상기 하부 전극(130)에 공급되어 하부 전극(130) 위에서 공정이 진행되는 웨이퍼(150)의 공정 온도를 조절하는 것이 바람직하다.In this case, the fluid 110 inside the fluid tank 210 is supplied through the lower electrode 130 or the fluid passage (not shown) connected to the circumference of the process chamber 100 in the process chamber 100, in particular, It is preferable that the fluid 110 is supplied to the lower electrode 130 to adjust the process temperature of the wafer 150 on which the process proceeds on the lower electrode 130.
또한 상기 보조 유체 탱크(220)는 유체 탱크(210)에 연결된 연결라인(221)을 포함하고, 연결라인(221)에 설치된 밸브(223)에 의해서 연결라인(221)의 개폐가 조절되어 상기 하부 전극(130)의 온도에 따라 보조 유체 탱크(220)에서 온도가 조절되어 저장된 보조 유체(120)가 유체 탱크(210)로 전달된다.In addition, the auxiliary fluid tank 220 includes a connection line 221 connected to the fluid tank 210, the opening and closing of the connection line 221 is controlled by the valve 223 installed in the connection line 221, the lower The temperature is adjusted in the auxiliary fluid tank 220 according to the temperature of the electrode 130 and the stored auxiliary fluid 120 is transferred to the fluid tank 210.
펌프(230)는 유체 통로를 통하여 유체 탱크(210)에 연결되어 유체 탱크(220) 내부에 저장된 유체(110)를 하부 전극(130) 또는 공정챔버(100)의 둘레로 순환시키고, 펌프(230)에 의해서 유체 탱크(210)의 유체(110)는 유체 탱크(210)에서부터 하부 전극(130) 또는 공정챔버(100)를 지나 다시 유체 탱크(210)로 계속 순환된다. The pump 230 is connected to the fluid tank 210 through the fluid passage to circulate the fluid 110 stored in the fluid tank 220 around the lower electrode 130 or the process chamber 100, and the pump 230 The fluid 110 of the fluid tank 210 is continuously circulated from the fluid tank 210 to the fluid tank 210 through the lower electrode 130 or the process chamber 100.
온도 감지기(250)는 공정챔버(100) 또는 하부 전극(130)에 장착되어 공정챔버(100) 또는 하부 전극(130)의 온도를 감지한 결과를 제어부(270)에 전달한다.The temperature sensor 250 is mounted in the process chamber 100 or the lower electrode 130 and transmits a result of sensing the temperature of the process chamber 100 or the lower electrode 130 to the controller 270.
제어부(270)는 펌프(230) 또는 밸브(223)에 연결되어 이들의 동작을 조절한다. 온도 감지기(250)의 온도가 설정 범위를 벗어나면 제어부(270)는 펌프(230)의 동작을 조절하여 유체(110)의 순환 속도를 변경하고, 유체(110)의 순환 속도가 변경됨으로써 공정챔버(100) 또는 하부 전극(130)의 온도가 조절된다.The controller 270 is connected to the pump 230 or the valve 223 to control their operation. If the temperature of the temperature detector 250 is out of the set range, the controller 270 adjusts the operation of the pump 230 to change the circulation speed of the fluid 110, and the process chamber by changing the circulation speed of the fluid 110. The temperature of the 100 or the lower electrode 130 is adjusted.
그리고 제어부(270)는 온도 감지기(250)의 온도가 더 큰 설정 범위를 벗어나면 보조 유체 탱크(220) 내부에 저장된 일정한 온도의 보조 유체(120)를 유체 탱크(210)에 전달하도록 밸브(223)를 조절한다. In addition, the controller 270 may transfer the auxiliary fluid 120 having a constant temperature stored in the auxiliary fluid tank 220 to the fluid tank 210 when the temperature of the temperature sensor 250 is out of a larger setting range. ).
예를 들어, 상기 보조 유체 탱크(220)에 설치된 보조 펌프(231)에 제어부(270)를 연결하고, 제어부(270)는 보조 펌프(231)의 동작과 밸브(223)의 개폐를 조절하여서 연결라인(221)을 통하여 보조 유체 탱크(220) 내부의 보조 유체(120)를 유체 탱크(210)에 공급한다. For example, the control unit 270 is connected to the auxiliary pump 231 installed in the auxiliary fluid tank 220, and the control unit 270 controls the operation of the auxiliary pump 231 and the opening and closing of the valve 223. The auxiliary fluid 120 inside the auxiliary fluid tank 220 is supplied to the fluid tank 210 through the line 221.
또한 보조 유체 탱크(220)와 유체 탱크(210) 사이를 연결하는 보조 연결라인(225)이 보조 유체 탱크(220)에 형성되어 있어, 일정한 온도를 벗어난 유체 탱크(210)의 유체(110)가 보조 유체 탱크(220)에 전달된다. 이때 상기 보조 연결라인(225)에 설치된 보조 밸브(227)에 의해서 보조 연결라인(225)의 개폐가 조절되고, 보조 밸브(227)는 제어부(270)에 연결되어 조절된다. In addition, the auxiliary connection line 225 connecting the auxiliary fluid tank 220 and the fluid tank 210 is formed in the auxiliary fluid tank 220, so that the fluid 110 of the fluid tank 210 outside the constant temperature is It is delivered to the auxiliary fluid tank 220. At this time, opening and closing of the auxiliary connecting line 225 is controlled by the auxiliary valve 227 installed in the auxiliary connecting line 225, and the auxiliary valve 227 is connected to the control unit 270 and adjusted.
연결라인(221)과 상기 보조 연결라인(225)은 예를 들어 온도가 낮은 유체가 보조 유체 탱크(220)에서 유체 탱크(210)로 이동하면, 온도가 높은 유체는 유체 탱크(210)에서 보조 유체 탱크(220)로 이동시키는 기능을 한다. 이의 반대 작용도 가능하다. 그리고 밸브(223) 및 보조 밸브(227)는 내부를 통과하는 유체가 하나의 방향으로만 흘러서 전달되어, 역류를 방지하는 구조를 사용하는 것이 바람직하다.The connecting line 221 and the auxiliary connecting line 225 may be, for example, when a fluid having a low temperature moves from the auxiliary fluid tank 220 to the fluid tank 210, the fluid having a high temperature is assisted in the fluid tank 210. It functions to move to the fluid tank 220. The opposite is also possible. In addition, the valve 223 and the auxiliary valve 227 preferably use a structure in which fluid passing through the inside flows in only one direction to prevent backflow.
또한 유체 탱크(210)와 보조 유체 탱크(220) 사이에 상부와 하부에 각각 서로 연결된 복수의 연결라인(221, 222 또는 225와 동일한 모양)을 보조 유체 탱크(220)에 형성하여, 복수의 연결라인(221)에 제어부(270)에 의해서 조절되는 각각의 밸브(223, 224 또는 227과 동일한 구조)가 설치되어 연결라인의 개폐가 조절된다.In addition, a plurality of connection lines 221, 222, or 225 having the same shape as each other connected to each other between the fluid tank 210 and the auxiliary fluid tank 220 at upper and lower portions are formed in the auxiliary fluid tank 220, thereby providing a plurality of connections. Each valve 223, 224 or 227 having the same structure as that controlled by the control unit 270 is installed in the line 221 to control the opening and closing of the connection line.
이것은 상부와 하부의 온도차를 이용하기 위한 방법으로 예를 들어 고온의 유체를 이동시키려면 상부의 연결라인(222)으로 유체를 이동시키고, 저온의 유체를 이동시키려면 하부의 연결라인(221)으로 유체를 이동시키는 것이다.This is a method for utilizing the temperature difference between the upper and lower, for example, to move the fluid to the upper connection line 222 to move the high temperature fluid, and to the lower connection line 221 to move the low temperature fluid. To move the fluid.
또한 온도를 좀 더 정밀하게 조절하기 위하여 유체 탱크(210)와 보조 유체 탱크(220)에 보조 온도 감지기(251, 253)를 장착하여 제어부(270)에 연결하면 더욱 정확한 온도 조절이 가능하다. 또한 상기 보조 유체 탱크(220) 하나로 온도 조절에 충분한 유체를 공급하지 못하거나 좀더 신속한 온도 조절을 필요로 하는 경우에는 유체 탱크(210)에 복수 개의 보조 유체 탱크(220)를 동일한 방법으로 연결하는 것도 가능하다.In addition, in order to adjust the temperature more precisely, the auxiliary temperature sensors 251 and 253 are mounted on the fluid tank 210 and the auxiliary fluid tank 220, and connected to the control unit 270 to allow more accurate temperature control. In addition, when one of the auxiliary fluid tank 220 does not supply enough fluid for temperature control or needs more rapid temperature control, the plurality of auxiliary fluid tanks 220 may be connected to the fluid tank 210 in the same manner. It is possible.
도2를 참조하여 본 발명에 따른 반도체 장비용 온도 조절 장치의 동작을 설명한다. Referring to Figure 2 will be described the operation of the temperature control device for semiconductor equipment according to the present invention.
하나의 유체 탱크(210) 만을 가동시켜서 상기 하부 전극(130)의 온도를 냉각시키는 경우에 유체 탱크(210)의 냉각 용량만으로 부족하여 일시적으로 하부 전극(130)의 온도가 범위를 벗어나서 상승하게 된다. When only one fluid tank 210 is operated to cool the temperature of the lower electrode 130, the cooling capacity of the fluid tank 210 is insufficient to temporarily increase the temperature of the lower electrode 130 out of range. .
이때 제어부(270)는 연결라인(221)을 통하여 온도가 낮게 조절된 상태의 보조 유체 탱크(220)의 보조 유체(120)를 유체 탱크(210)로 전달하고, 온도가 높은 유체 탱크(210)의 유체(110)를 보조 연결라인(225)을 통하여 보조 유체 탱크(220)로 전달하여 유체 탱크(210) 내부의 유체(110) 온도를 짧은 시간에 충분히 낮출 수 있다.At this time, the control unit 270 transfers the auxiliary fluid 120 of the auxiliary fluid tank 220 in a state in which the temperature is low through the connection line 221 to the fluid tank 210, and the fluid tank 210 having a high temperature. The fluid 110 may be transferred to the auxiliary fluid tank 220 through the auxiliary connection line 225 to sufficiently lower the temperature of the fluid 110 in the fluid tank 210 in a short time.
특히 이때 보조 유체 탱크(220)의 하부에 있는 보조 유체(120)를 유체 탱크(210)로 이동시키고, 유체 탱크(210) 상부의 유체(110)를 보조 유체 탱크(220)로 이동시키면 효과적이다.In particular, at this time, it is effective to move the auxiliary fluid 120 in the lower portion of the auxiliary fluid tank 220 to the fluid tank 210, and to move the fluid 110 on the fluid tank 210 to the auxiliary fluid tank 220. .
그리고 이렇게 온도가 낮아진 유체 탱크(210)의 유체를 하부 전극(130) 또는 공정챔버(100)에 공급하면 짧은 시간에 효과적으로 온도를 원하는 조건으로 조절할 수 있다. In addition, when the fluid of the fluid tank 210 whose temperature is lowered is supplied to the lower electrode 130 or the process chamber 100, the temperature can be effectively adjusted to a desired condition in a short time.
또한 하부 전극(130)의 온도를 상승시켜야 하는 경우에는 반대로 동작시키면 된다.In addition, when the temperature of the lower electrode 130 needs to be increased, the operation may be reversed.
이렇게 동작시키면 본 발명의 반도체 장비용 온도 조절 장치에 의해서 유체 탱크(210)의 용량 부족으로 종래에 온도 조절이 원활하지 못하였던 것을 보완할 수 있다.By operating in this way, the temperature control device for semiconductor equipment of the present invention can compensate for the insufficiency in temperature control due to lack of capacity of the fluid tank 210.
도2를 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 설명한다. 도2에서 웨이퍼에 대한 가공을 실시하는 공정챔버(100)로 유체를 순환시켜 공정 온도를 일정하게 관리하기 위한 본 발명의 반도체 장비용 온도 조절 장치는 내부에 유체를 저장하며, 서로 연결되어 유체를 전달할 수 있는 복수의 유체 탱크(210)를 구비한다.Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 2, the temperature control device for semiconductor equipment of the present invention for circulating a fluid into a process chamber 100 for processing a wafer in order to manage process temperature uniformly stores fluid therein and is connected to each other to provide fluid. It is provided with a plurality of fluid tanks 210 that can be delivered.
이때 유체는 공정챔버(100)의 하부 전극(130)에 상기 유체를 공급하고, 복수의 상기 유체 탱크(210)는 밸브(223, 227)에 의해서 조절되는 연결라인(221, 225)에 의해서 연결된다.In this case, the fluid supplies the fluid to the lower electrode 130 of the process chamber 100, and the plurality of fluid tanks 210 are connected by connection lines 221 and 225 controlled by valves 223 and 227. do.
본 발명은 보조 유체 탱크를 형성하여 유체 탱크의 온도 조절 용량을 보완하는 기능을 가진다. 따라서 필요에 따라 보조 유체 탱크의 개수를 변경할 수 있는 것은 자명하고, 하나의 보조 유체 탱크로 여러 개의 유체 탱크에 대하여 온도 조절 능력을 보충할 수도 있다.The present invention has the function of forming an auxiliary fluid tank to complement the temperature regulating capacity of the fluid tank. Therefore, it is obvious that the number of auxiliary fluid tanks can be changed as needed, and one auxiliary fluid tank may supplement the temperature control capability of several fluid tanks.
이상에서, 본 발명의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상 및 특허청구 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the present invention have been shown in accordance with the above description and drawings, but this is merely described, for example, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit and scope of the present invention. Of course.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 제조 장비에서 공정온도를 조절하기 위하여 사용하는 유체 탱크에 보조 유체 탱크를 첨가하여 온도 조절 용량을 증가시킴으로써 종래에 비하여 온도 조절 에러에 의해서 발생하는 에러를 방지하는 효과가 있다. 또한 이러한 에러가 현저히 줄어둠에 따라 생산성이 향상되어 원가가 절감되는 장점이 있다.As described above, according to the present invention, by adding an auxiliary fluid tank to the fluid tank used to control the process temperature in the semiconductor manufacturing equipment to increase the temperature control capacity to prevent the error caused by the temperature control error compared to the conventional It works. In addition, as these errors are significantly reduced, productivity is improved, resulting in cost reduction.
도1은 종래의 반도체 장비용 온도 조절 장치를 보여주는 구조도.1 is a structural diagram showing a temperature control device for a conventional semiconductor equipment.
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장비용 온도 조절 장치를 보여주는 구조도.Figure 2 is a structural diagram showing a temperature control device for semiconductor equipment according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *
10, 100 : 공정챔버 11, 110 : 유체10, 100: process chamber 11, 110: fluid
13, 130 : 하부 전극 15, 150 : 웨이퍼13, 130: lower electrode 15, 150: wafer
21, 210 : 유체 탱크 23, 230 : 펌프21, 210: fluid tanks 23, 230: pump
25, 250 : 온도 감지기 27, 270 : 제어부25, 250: temperature sensor 27, 270: control unit
120 : 보조 유체 220 : 보조 유체 탱크120: auxiliary fluid 220: auxiliary fluid tank
221, 222 : 연결라인 223, 224 : 밸브221, 222 connection line 223, 224 valve
225 : 보조 연결라인 227 : 보조 밸브225: auxiliary connection line 227: auxiliary valve
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2013187624A1 (en) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | Substrate processing system having breakage-preventing function |
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|---|---|---|---|---|
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