KR20060134763A - 나노 입자와 고분자 소재로 구성된 비휘발성 메모리 소자 - Google Patents

나노 입자와 고분자 소재로 구성된 비휘발성 메모리 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노 입자와 고분자 소재를 이용한 비휘발성 메모리 소자에 대한 것으로 기존의 플래쉬 메모리와 EEPROM 소자를 대체하기 위한 것이다.
본 발명의 나노 입자는 와 고분자 소재로 비 휘발성 메모리 소자를 구현 한에 있으며, 이때 형성된 소자는 금속, 세라믹, 반도체 및 고분자 소재의 단독 또는 혼합된 구성을 갖는 1nm~100nm 크기의 나노 입자를 공명구조, 전자 주게, 전자 받게 등의 특성을 갖는 유기물 그룹을 단독 또는 혼합된 구성의 고분자 소재에 분산 또는 각각 층을 형성하여 구성하는 소자로 전압 변화에 따라 저항값의 변화가 10배 이상으로 나타나는 특징을 가지며, 역방향 전압에 의해 변화된 저항 값이 복원 될 수 있는 소자이다. 또한 변화된 저항 값은 외부 전력 공급이 없이도 유지됨에 따라 비휘발성을 갖고 이들 변화된 저항에 의해 정보의 저장이 가능한 메모리 소자이다. 본 소자는 구동 속도가 빨라 기존 메모리 소자 및 장치의 대용으로 적용 가능하며 또한 SoC에 적용하여 구동될 수 있으며, RF-ID 및 Smart Card에 적용도 가능한 특징이 있다.
Figure 112005033560163-PAT00001
나노입자, 고분자, 저항, 비휘발성 메모리

Description

나노 입자와 고분자 소재로 구성된 비휘발성 메모리 소자 {Non-volatile memory devices composed by nanoparticles and polymer}
그림 1은 본 발명의 단일 소자의 단면이다.
그림 2는 본 발명소자의 정보의 저장 및 삭제와 정보의 읽기 기능을 나타내는 소자 구동 방식이다.
비휘발성 메모리 소자는 무기물 소재를 기본으로 하는 Flash 및 EEPROM이 상용화된 대표적인 소자들이나 소자 집적도를 향상하기 위해서는 기존 소재의 물리적 한계를 극복해야 하는 어려움이 있다. 또한 소자들의 기본 구성이 트랜지스터를 바탕으로 하므로 향후 소자의 정보 저장에 요구되는 높은 구동 전압 (Writing Voltage > 15 V)에 기인한 소자 손상과 정보의 저장을 위한 쓰기 시간 (Writing Time)이 1us 이상으로 속도가 낮아 소자 운영 속도의 저하가 문제시 되고 있다.
그 외 무기물 소재의 상변화를 이용한 비휘발성 메모리, 나노 플로팅 게이트를 이용한 비휘발성 메모리, 저항 변화를 이용한 비휘발성 메모리 등에 대한 관심을 가지고 있으나 소자내의 열 발생, 플로팅 게이트의 전하 축적량 및 터널링 산화 막의 취약성, 반복적인 저항 변화에 대한 안정성에 문제점이 있는 것으로 파악된다.
본 발명은 소자 구조가 간단하여 집적도 향상이 용이하며, 정보의 저장을 위한 지우기 (Erase) 및 쓰기 전압 (Vt)이 -10V에서 +10 V 범위에서 이루어지며, 정보의 쓰기 시간이 50 ns 미만의 속도로 이루어 질 수 있으며, 정보의 읽기 전압 (Vr)이 +(-)0.5 V 에서 +(-)3 V 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자이다. 또한 소자의 Ion/Ioff의 값이 10배 이상인 특징을 갖는다.
그리고 본 발명은 기존 한 개의 단위 소자가 하나의 정보를 저장하는 방식으로 구동되는 특성은 물론이고, 기존의 실리콘 기판을 이용한 소자와 달리기판 의존성이 없는 특징을 가지는 소자이다. 기판의존성이 없는 특징에 의해 다층으로 소자를 구현할 수 있어 동일 면적의 기판에 고집적화를 통한 메모리 용량 증가가 가능한 소자이다.
1. 그림 및 도면 설명
본 발명은 전극 (1, 4)사이에 나노 입자(2)를 보유한 고분자층 (3)으로 구성된 것을 특징으로 하는 소자로 양단 전극을 이용하여 소자의 저항을 제어하는 방식으로 정보의 쓰기 읽기 및 지우기가 가능한 비휘발성 메모리 소자이다.
특히, 일정 전압 값 (Vt) 이상에서 저항이 급격히 변화하여 소자에 흐르는 전류량이 크게 변화하는 특징을 가지고 있다. 소자의 변화된 저항은 전원 공급을 중단하여도 변화된 소자 저항값이 유지되며, 저항 변화 유발(Vt) 유무에 따라 측정전압 (Vr)에서 소자에 흐르는 전류 값(Ion, Ioff)이 달리 나타나는 특징으로 정보 저장에 이용한다.
그림1은 소자의 기본 구조를 나타낸 것으로 전극 1과 전극 2사이에 나노 입자인 2를 전기적 활성이 가능한 고분자 3으로 구성된 기지에 분산하여 구성하거나 고분자 2 층과 나노입자 3 층을 각각 적층하는 방식으로 구성하며, 소자는 6의 배선을 이용하여 제어 및 측정이 가능한 회로 또는 기구인 7에 연결되어 있다. 이때 사용 가능한 전극재료로는 Au, Al, Ag, Pt, Cu, Doped-Si, Ni, Co, Mn, Mo, 등과 같은 금속 및 합금과 ITO, ZnO, MoO, RuOx, VOx등과 같은 투명 전도성 세라믹 소재와 PEDOT, Polypyrrole, Polyaniline, Polythiophene, Polyacetylene,Poly(3-alkyl thiophene), Poly(!-amino pyrene), Polyazomethine, Polyazulene, Polydiphenylamine, Poly(3-methyl Thiophene), Poly(isothianaphthene), Poly(3-octyl thiophene), Poly(p-phenylene vinylene), Poly(p-phenylene sulfide), Poly(p-phenylene), Poly(phenylene oxide), 등의 전도성 고분자가 가능하다. 또한 소자에 사용된 나노 입자 (2)는 금속인 Au, Zn, Mn, Hg, Al, Ga, In, Th, Pt, Ni, Cu, Ag, 등과 그 합금이 가능하며 또한, 금속 나노입자 표면이 Oxide, Sulfide, Nitride, Boride,등의 세라믹상으로 capping되어 있어도 가능하며, Thiols, Phosphates, Phosphines, Amines 등의 유기물 및 그 유도체로 capping된 것도 가능하다. 또한, 고분자 나노입자로서 Polystyrene, Polyimide Polyvinylcarbazole, Poly(styrene-b-acrylicacid), Polyaniline, Polyacrylonitrile, Poly(4-vinylphenol), Polysiloxane, Polysulfone, Poly(thienylene vinylene)등과 그 유도체가 가능하며, 세라믹 및 반도체 소재인 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AIP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TIN, TIP, TIAs, TlSb, PbS, PbSe, PbTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, AIN, AIP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, TIN, TIP, TIAs, TlSb, TlSb, PbS, PbSe, PbTe 등의 나노입자를 단독 또는 복합하여 구성되며, 나노입자 크기는 1nm~100nm가 적용 가능하며,
그림 1의 5와 같이 적층 구조의 나노입자층은 용매에 나노입자를 분산시켜 코팅하는 방식과 고분자인 Polystyrene, Polyimide Polyvinylcarbazole, Polyaniline, Polyacrylonitrile, Poly(4-vinylphenol),Polysiloxane, Polysulfone, Poly(thienylene vinylene) 등과 그 유도체가 적용가능하며, 또한, Diblock copolymer인 Poly(acrylic acid-b-methyl methacrylate), Poly(methyl methacrylate-b-acrylic acid), Poly(methacrylic acid-b-neopentyl methacrylate) ,Poly(neopentyl methacrylate-b-methacrylic acid), Poly(t-butyl methacrylate-b-ethylene oxide), Poly(methyl methacrylate-b-N,N-dimethyl acrylamide), Poly(butadiene(1,2 addition)-b-methylacrylic acid) , Poly(butadiene(1,4 addition)-b-acrylic acid) ,Poly(butadiene(1,4 addition)-b-ethylene oxide) ,Poly(butadiene(1,2 addition)-b-ethylene oxide) , Poly(butadiene-b-N-methyl 4-vinyl pyridinium iodide), Poly(isoprene-b-N-methyl 2-vinyl pyridinium iodide) Poly(isoprene-b-ethylene oxide) ,Poly(propylene-ethylene-b-ethylene oxide), Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid), Poly(ethylene oxide-b-??-caprolactone), Poly(ethylene oxide-b-6-(4-cyanobiphenyl-4-yloxy)hexyl methacrylate), Poly(ethylene oxide-b-2-hydroxyethyl methacrylate) , Poly(ethylene oxide-b-methyl methacrylate) , Poly(ethylene oxide-b-2-methyl oxazoline),Poly(ethylene oxide-b-propylene oxide) ,Poly(ethylene oxide-b-t-butyl acrylate) ,Poly(ethylene oxide-b-tetrahydrofurfuryl methacrylate), Poly(ethylene oxide-b-N,N-dimethylethylmethacrylate),Poly(isobutylene-b-ethylene oxide)
Poly(styrene-b-acrylic acid),Poly(styrene-b-acrylamide) Poly(p-chloromethyl styrene-b-acrylamide) , Poly(styrene-co-p-chloromethyl styrene-b-acrylamide) , Poly(styrene-co-p-chloromethyl styrene-b-acrylic acid) , Poly(styrene-b-ethylene oxide), Poly(4-styrenesulfonic acid-b-ethylene oxide) ,Poly(styrene-b-methacrylic acid) ,Poly(styrene-b-N-methyl 2-vinyl pyridinium iodide),Poly(styrene-b-N-methyl-4-vinyl pyridinium iodide) ,Poly(dimethylsiloxane-b-acrylic acid),Poly(2-vinyl naphthalene-b-acrylic acid), Poly(2-vinyl pyridine-b-ethylene oxide) ,Poly(N-methyl 2-vinyl pyridinium iodide-b-ethylene oxide) ,Poly(N-methyl 4-vinyl pyridinium iodide-b-methyl methacrylate)를 이용한 micelle 구조를 형성하여 그 내부에 금속 및 반도체 나노입자를 형성하는 방법과 3번의 고분자 층위에 micelle 구조를 형성한 후 금속 및 반도체를 증착하여 열처리를 함으로써 이들이 micelle 내부로 침투하여 core-shell 구조의 정렬된 나노 입자를 구성하는 방법을 포함한다. 나노 입자를 지탱하고 전기적인 활성을 나타내기 위한 기지로 구성되는 고분자인 3은 공명구조를 갖는 단분자가 연결되거나 곁가지로 구성된 polyacene, Polyaniline, Poly(ethylenedioxythiophene), Poly-p-phenylene, poly-p-phenylenevinylene 등과 그 유도체들이 가능하며, 또는 전자 주게 및 전자받게 그룹을 포함한 고분자들로 Polyvinylcarbazole, Polyacrylonitrile, Poly(3-hexylthiophene), Poly(3-octylthiophene), Poly(3-dodecylthiophene),Poly(2-methoxy-5-(3, 7-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylenevinylene, Poly(benzimidazolephenanthroline), cyano-substituted poly(p-phenylene. vinylene), poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)등과 그 유도체들이 가능하다. 또한, 유기물 및 고분자 물질 중 밴드갭이 0.5eV에서 10eV사이를 갖는 고분자는 Polyvinylcarbazole, Poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexoxy)-p-phenylene-vinylene), Poly(3-n-hexylthiophene), Poly(3-methylthiophene), Polypyrrole, N,N-diphenyl-bis(1-naphthyl)(1,1-biphenyl)-4,4-diamine, N,N-diphenyl-bis(3-methylphenyl)-(1,1-biphenyl)-4,4-diamine ,Fullerenes
,Poly-p-phenylene, Poly(methylphenylsilane), Polyisothianaphthene, Poly-p-phenylenevinylene, Polyfluorene ,Perylene, Pentacene, Tetracene, Anthracene 등과 그 유도체가 가능하다. 이때 구성된 고분자 층은 5nm ~ 300nm 두께로 구성하고, 고분자층 형성 방법은 Spin Coating, Casting, Ink-jet 프린팅, Laser 전사 방식 등 일반적으로 알려진 방법에 의해 구현 될 수 있다.
그림 2는 그림 1의 소자를 운영하는 방법으로 전압 구동에 따라 전류 값의 변화로 소자의 특성이 나타낸 것으로 소자에 8번과 같은 방향으로 전압을 인가하면 Vt 전압에서 소자에 흐르는 전류값이 9과 같이 급격히 증가하며, 이때 증가폭 최소 10배 이상의 값이다. 이후 전압 증가에 의해 소자는 10번과 같은 크기의 전류가 흐르게 된다. 이후 소자 전극 양단에 인가된 전압의 방향이 변화되지 않을 경우 11과 같은 전류-전압 특성을 나타내며, 소자에 전류 공급을 중단한 후 다시 측정하여도 11과 같은 동일한 특성을 나타내는 특징을 가진다. 그러나 소자에 전압 인가 방향을 반대로 하여 적용할 경우 12과 같은 상태로 전류값이 증가하고 일정 전압(Ve)에서는 소자의 저항이 급격히 증가하여 14과 같이 소자에 흐르는 전류가 미미하게 된다. 이후 다시 소자에 Vt 이상의 전압을 인가하면 다시 소자는 저저항 상태로 변환된다. 즉, 소자에 운영에 있어 Vt 전압 이상을 소자에 인가하여 Vr에서 Ion 상태로 유지하거나 Ve를 인가하여 Vr에서 Ioff 상태를 유지하는 방식으로 소자에 정보를 저장할 수 있으며, 외부의 전력공급 없이도 나노 입자와 고분자로 구성된 소자의 저항 상태는 유지되므로 비 휘발성 메모리 소자로 사용할 수 있다.
실시예 1
Si웨이퍼를 기판으로 하여 e-beam Evaporation 방식으로 SiO2를 50nm증착한 후, 동일 방식으로 Al을 전극을 접촉 마스크를 사용하여 50nm 증착하였다. 금속 전극이 형성된 기판을 Ar으로 충진 된 글로브 박스로 in-line으로 이동하여 톨루엔에 0.01wt%의 Dodecanethiol-Capped Au Nanoparticles과 1wt%의 PVK를 7000rpm으로 Spin Coating 한 후 진공 조건에서 건조를 1시간 실시하였다. 이후 나노 입자를 함유한 고분자층이 완성된 기판을 다시 진공 증착 장비로 이송하여 Al 전극을 형성하여 소자 특성을 평가하였다. 평가 결과 Vt는 3.5V, Ve는 -5.24V, 1V에서 Ioff는 120nA, Ion은 47uA로 나타났다.
Figure 112005033560163-PAT00002
실시예 1 Device의 전기적 특성(I-V curve)측정 자료
실시예 2
Si웨이퍼를 기판으로 하여 e-beam Evaporation 방식으로 SiO2를 50nm증착한 후, 동일 방식으로 Al을 전극을 접촉 마스크를 사용하여 50nm 증착하였다. 금속 전극이 형성된 기판을 1wt%의 PAN이 함유된 DMF 용액을 1000rpm으로 Spin Coating한 후 100?? 진공에서 1시간 건조 시킨 후, Ar으로 충진 된 글로브 박스로 in-line으로 이동하여 1wt%의 Dodecanethiol-Capped Au Nanoparticles과 1wt% PS가 함유된 톨루엔 용액을 7000rpm으로 Spin Coating 후 진공 조건에서 건조를 1시간 실시하였다. 이후 다시 1wt% PAN이 함유된 DMF 용액을 1000rpm으로 Spin Coating 한 후 100?? 진공에서 1시간 건조하여 나노 입자를 함유한 고분자층이 완성된 기판을 다시 진공 증착 장비로 이송하여 Al 전극을 형성하여 소자 특성을 평가하였다. 평가 결과 Vt는 2.27V, Ve는 -5.15V, 1V에서 Ioff는 652nA, Ion은 16.5mA로 나타났다.
Figure 112005033560163-PAT00003
실시예 2 Device의 전기적 특성(I-V curve)측정 자료
실시예 3
0.75g의 Tetraoctylammoniumbromide를 40ml(2.5equiv)의 톨루엔에 녹인 뒤,
0.155g의 HAuCl4를 12.5ml(1equiv)의 water에 녹인 용액을 섞는다. AuCl4-이온이 유기상으로 이동하며, 유기상을 분리시킨다. 분리된 용액에 0.0925g의 dodecanethiol(1equiv)을 넣은 뒤, 상온에서 10분 동안 휘젓는다. 이 용액에 NaBH4(0.19g 10equiv)를 12.5ml의 물에 녹인 용액을 10초동안 떨어뜨린 후, 3시간 동안 크게 휘저어 준다. 3시간 후 톨루엔을 증발시킨 후, 15ml의 에탄올을 넣은 뒤, sonication을 시킨다. 이 용액을 에탄올 40ml와 아세톤 40ml로 씻어주면서 여과시킨 후 걸러진 왁스형태의 product를 40도 vacuum oven에 건조시킨다. TEM 사진 분석 결과 약 3.0nm의 gold nanoparticle들이 측정되었다.
Figure 112005033560163-PAT00004
실시예 3 Dodecanethiol capped Au의 TEM 사진
본 발명의 적용 분야는 현재 급속한 증가 속도를 보이고 있는 비휘발성 메모리 분야로 특히 Mobile IT 제품에 적용이 가능하며, 또한 응답속도가 빠름에 따라 SoC (System on Chip) 분야의 메모리 소자로 적용 가능하다. 특히 기존 소자에 비하여 간단한 구조와 적층 및 Multi-Bit 운영이 가능하여 고집적이 용이하고 제조 공정이 간단함에 따라 저가의 고집적 소자의 생산이 가능하여 최종 제품의 가격 경쟁력을 높일 수 있는 기술이다.
또한, 고집적 부분이 아닌 분야에서의 메모리 기능 소자의 제작이 유기물 및 고분자, 무기물 및 유기물 입자로 제작될 수 있으므로 Ink-Jet과 같은 저렴하고 쉬운 공정으로 소자의 제작이 가능한 기술이므로 RF-ID 및 Display 소자 내의 기억소자 영역에 활용될 수 있다.

Claims (6)

  1. 나노 입자가 함유된 고분자층 양단에 전극을 형성하여 전압 인가에 따라 저항 변화를 유발하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
  2. 청구항 1의 나노 입자가 함유된 고분자층은 5nm-300nm의 두께를 가지는 고분자층에 나노입자가 균일하게 분산되어 있는 것을 특징으로 한다.
  3. 청구항 1의 나노 입자가 함유된 고분자층은 고분자 층과 나노 입자층, 고분자층으로 적층되어 구성되며 전체 두께는 5nm-300nm를 갖는 것을 특징으로 한다.
  4. 청구항 1의 나노입자는 1nm~100nm 크기의 금속 세라믹 반도체 및 고분자 소재의 단독 또는 혼합된 구성으로 이루어진 특징을 갖는 소재로 Au, Zn, Mn, Hg, Al, Ga, In, Th, Pt, Ni, Cu, Ag, 등과 그 합금, 금속 나노입자 표면이 Oxide, Sulfide, Nitride, Boride,등의 세라믹상으로 capping되어 있는 물질, Thiols, Phosphates, Phosphines, Amines 등의 유기물 및 그 유도체로 capping된 물질. Polystyrene, Polyimide Polyvinylcarbazole, Poly(styrene-b-acrylicacid), Polyaniline, Polyacrylonitrile, Poly(4-vinylphenol) 등과 그 유도체, 세라믹 및 반도체 소재인 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AIP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TIN, TIP, TIAs, TlSb, PbS, PbSe, PbTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, AIN, AIP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, TIN, TIP, TIAs, TlSb, TlSb, PbS, PbSe, PbTe이다.
  5. 청구항 1의 고분자 소재는 공명구조, 전자 주게, 전자 받게, 밴드갭을 갖는 것을 특성으로 갖는 그룹을 포함한 고분자소재로 Poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexoxy)-p-phenylene-vinylene),Poly(3-n-hexylthiophene),Poly(3-methylthiophene),Polypyrrole, ,Poly-p-phenylene,Poly(methylphenylsilane),Polyisothianaphthene, Poly-p-phenylenevinylene,Polyfluorene,Polyvinylcarbazole, Polyacrylonitrile,Poly(3-hexylthiophene),Poly(3-octylthiophene), Poly(3-dodecylthiophene),Poly(2-methoxy-5-(3, 7-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylenevinylene, Poly(benzimidazolephenanthroline),cyano-substituted poly(p-phenylene. vinylene), poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)와 그 유도체이다.
  6. 청구항 1의 나노 입자가 함유된 고분자층에서 나노입자의 형성을 위해 micelle을 형성할 수 있는 특징을 갖는 Diblockcopolymer로 Poly(acrylic acid-b-methyl methacrylate), Poly(methyl methacrylate-b-acrylic acid), Poly(methacrylic acid-b-neopentyl methacrylate) ,Poly(neopentyl methacrylate-b-methacrylic acid), Poly(t-butyl methacrylate-b-ethylene oxide), Poly(methyl methacrylate-b-N,N-dimethyl acrylamide), Poly(butadiene(1,2 addition)-b-methylacrylic acid) , Poly(butadiene(1,4 addition)-b-acrylic acid) ,Poly(butadiene(1,4 addition)-b-ethylene oxide) ,Poly(butadiene(1,2 addition)-b-ethylene oxide) , Poly(butadiene-b-N-methyl 4-vinyl pyridinium iodide), Poly(isoprene-b-N-methyl 2-vinyl pyridinium iodide) Poly(isoprene-b-ethylene oxide) ,Poly(propylene-ethylene-b-ethylene oxide), Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid), Poly(ethylene oxide-b-6-(4-cyanobiphenyl-4-yloxy)hexyl methacrylate), Poly(ethylene oxide-b-2-hydroxyethyl methacrylate) , Poly(ethylene oxide-b-methyl methacrylate) , Poly(ethylene oxide-b-2-methyl oxazoline),Poly(ethylene oxide-b-propylene oxide) ,Poly(ethylene oxide-b-t-butyl acrylate) ,Poly(ethylene oxide-b-tetrahydrofurfuryl methacrylate), Poly(ethylene oxide-b-N,N-dimethylethylmethacrylate),Poly(isobutylene-b-ethylene oxide)
    Poly(styrene-b-acrylic acid),Poly(styrene-b-acrylamide) Poly(p-chloromethyl styrene-b-acrylamide) , Poly(styrene-co-p-chloromethyl styrene-b-acrylamide) , Poly(styrene-co-p-chloromethyl styrene-b-acrylic acid) , Poly(styrene-b-ethylene oxide), Poly(4-styrenesulfonic acid-b-ethylene oxide) ,Poly(styrene-b-methacrylic acid) ,Poly(styrene-b-N-methyl 2-vinyl pyridinium iodide),Poly(styrene-b-N-methyl-4-vinyl pyridinium iodide) ,Poly(dimethylsiloxane-b-acrylic acid),Poly(2-vinyl naphthalene-b-acrylic acid), Poly(2-vinyl pyridine-b-ethylene oxide) ,Poly(N-methyl 2-vinyl pyridinium iodide-b-ethylene oxide) ,Poly(N-methyl 4-vinyl pyridinium iodide-b-methyl methacrylate)와 그 유도체이다.
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