KR20060134684A - 액정표시패널 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시패널 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060134684A
KR20060134684A KR1020050054571A KR20050054571A KR20060134684A KR 20060134684 A KR20060134684 A KR 20060134684A KR 1020050054571 A KR1020050054571 A KR 1020050054571A KR 20050054571 A KR20050054571 A KR 20050054571A KR 20060134684 A KR20060134684 A KR 20060134684A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
reflective
forming
organic insulating
thin film
Prior art date
Application number
KR1020050054571A
Other languages
English (en)
Inventor
나윤정
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050054571A priority Critical patent/KR20060134684A/ko
Publication of KR20060134684A publication Critical patent/KR20060134684A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13356Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 액정표시패널은 기판소재와; 상기 기판소재 상에 형성되어 있으며 드레인 전극을 가지는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상에 적층되어 있으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 접촉구가 형성되어 있는 유기절연막과; 상기 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소전극과; 상기 화소전극과 전기적으로 연결되어 있는 반사막과; 상기 화소전극 및 상기 반사막과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 반사막보다 두께가 얇으며 동일 물질로 이루어진 반사투과막을 포함한다. 이에 의하면 백라이트 유닛에서 조사된 빛의 투과율 감소는 적으면서도 외부로부터 입사되는 빛에 대한 반사율을 증가시켜 휘도를 높일 수 있는 액정표시패널이 제공된다.

Description

액정표시패널 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MAKING THE SAME}
도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 액정표시패널의 박막트랜지스터 기판의 배치도,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따른 액정표시패널의 단면도,
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제 1실시예에 따른 액정표시패널의 박막트랜지스터 기판의 제조과정을 순차적으로 나타낸 단면도, 및
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 액정표시패널의 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 박막트랜지스터 기판 110 : 기판 소재
121 : 게이트선 122 : 게이트 전극
123 : 게이트 패드 131 : 게이트 절연막
132 : 반도체층 133 : 저항 접촉층
141 : 데이터선 142 : 소스 전극
143 : 드레인 전극 144 : 데이터 패드
151 : 무기막 152 : 유기 절연막
153, 165 : 렌즈부 161 : 화소 전극
162, 163 : 접촉보조부재 170 : 금속층
172 : 반사막 174 : 반사투과막
175 : 투과창 181 : 유기막홀
183 : 게이트 패드 접촉구 형성부 185 : 드레인 접촉구
187 : 게이트 패드 접촉구 188 : 데이터 패드 접촉구
200 : 칼라필터 기판 300 : 유기막용 마스크
400 : 액정
500 : 포토레지스트
본 발명은 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 백라이트 유닛에서 조사되는 빛 뿐만 아니라 외부로부터 입사되는 빛도 광원으로 사용할 수 있는 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 박막트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다.
액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 후면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 이러한 액정표시패널에는 전적으로 백라이트 유닛에서 발생된 빛만을 사용하는 투과형 액정표시패널과 백라이트 유닛에서 발생된 빛 뿐만 아니라 외부광도 사용하는 반투과형 액정표시패널이 있다.
투과형 액정표시패널을 사용하는 액정표시장치의 경우 소비전력의 3분의 2이상을 백라이트 유닛이 소모하므로 소비전력이 커서 광원의 수명이 줄어들고 특히 휴대용 정보통신기기에 사용되는 액정표시장치의 경우 밧데리의 사용 시간이 짧아 사용에 불편을 초래하는 문제점이 있다.
이에 반해 반투과형 액정표시패널을 사용하는 액정표시장치는 외부광을 사용할 수 없는 환경인 실내나 밤의 경우에는 백라이트 유닛의 광을 사용하는 것은 동일하나, 외부광인 태양광이나 주변광을 이용할 수 있는 실외나 낮의 경우에는 백라이트 유닛을 사용하지 않고 액정표시패널로 입사된 외부광을 박막트랜지스터 기판상에 형성시킨 반사막을 이용해 반사시켜 사용한다. 이에 따라 투과형 액정표시패널을 사용하는 액정표시장치에 비해 소비전력을 약 3분의 1로 줄임으로써 광원 및 밧데리의 수명을 늘여 휴대용 정보통신 기기의 사용성능을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
그러나 반투과형 액정표시패널을 사용하는 액정표시장치는 투과형 액정표시패널을 사용하는 액정표시장치에 비해 휘도가 떨어짐에 따라 표시성능이 저하되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 백라이트 유닛에서 조사된 빛의 투과율 감소는 적으면서도 외부로부터 입사되는 빛에 대한 반사율을 증가시켜 휘도를 높일 수 있는 액정표시패널을 제공하는데 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은 백라이트 유닛에서 조사된 빛의 투과율 감소는 적으면서도 외부로부터 입사되는 빛에 대한 반사율을 증가시켜 휘도를 높일 수 있는 액정표시패널을 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 기판소재와; 상기 기판소재 상에 형성되어 있으며 드레인 전극을 가지는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상에 적층되어 있으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 접촉구가 형성되어 있는 유기 절연막과; 상기 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소전극과; 상기 화소전극과 전기적으로 연결되어 있는 반사막과; 상기 화소전극 및 상기 반사막과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 반사막보다 두께가 얇으며 동일 물질로 이루어진 반사투과막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널에 의해 달성된다.
상기 반사투과막은 외부로부터 입사되는 빛은 반사하며 상기 기판소재의 하부로부터 입사되는 빛은 투과시키는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.
상기 반사막 및 상기 반사투과막은 알루미늄으로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 반사투과막의 두께는 400Å 내지 600Å인 것이 바람직하다.
상기 박막트랜지스터와 상기 유기 절연막의 사이에 위치하는 무기막을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 유기 절연막의 상부에는 렌즈부가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 다른 목적은, 기판소재 상에 드레인 전극을 가지는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상에 적층되어 있으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 접촉구가 형성되어 있는 유기 절연막을 형성하는 단계와; 상기 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 화소전극과 각각 전기적으로 연결되어 있는 반사막과 상기 반사막보다 두께가 얇으며 동일 물질로 이루어진 반사투과막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법에 의해서 달성된다.
상기 반사막과 반사투과막을 형성하는 단계는, 상기 화소전극의 상부에 금속층을 형성하는 단계와; 상기 금속층에 포토레지스트를 적층하는 단계와; 상기 포토레지스트를 패터닝하여 제 1두께를 갖는 제1영역과 상기 제 1두께보다 작은 제 2두께를 갖는 제 2영역을 가지는 포토레지스트 패턴을 마련하는 단계와; 상기 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 금속층을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 제 1영역에 대응하는 금속층으로부터 반사막이 형성되며, 상기 제 2영역에 대응하는 금속층으로부터 반사투과막이 형성되는 것이 바람직하다.
상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계와 상기 유기 절연막을 형성하는 단계 사이에, 상기 박막트랜지스터 상에 무기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 유기 절연막을 형성하는 단계에서는, 상기 유기 절연막의 상부에 렌즈부를 형성하는 것이 바람직하다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
여러 실시예에 있어서 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였으며, 동일한 구성요소에 대하여는 제 1실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.
본 발명의 제 1실시예에 따른 액정표시패널을 도 1 및 도 2를 참조로 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 액정표시패널의 박막트랜지스터 기판의 배치도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 부분에 해당하는 액정표시패널의 단면도이다.
기판 소재(110) 위에는 게이트 배선(121, 122, 123)이 형성되어 있다.
게이트 배선(121, 122, 123)은 일정한 간격으로 평행하게 배치되어 있는 다수의 게이트선(121), 상기 게이트선(121)의 일부이며 박막트랜지스터 형성을 위한 게이트 전극(122), 게이트선(121)과 집적회로를 연결하는 게이트 패드(123)를 포함한다. 게이트 패드(123)는 게이트선(121)에 비해 폭이 다소 넓다. 게이트 배선(121, 122, 123)은 금속단일층 또는 금속다중층일 수 있다.
게이트 배선(121, 122, 123)의 상부에는 게이트 절연막(131)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(131)은 질화규소 등의 무기물로 이루어져 있다. 게이트 절연막(131)은 게이트 패드 접촉구(187)에서는 제거되어 있다.
반도체층(132)은 게이트 전극(122)의 상부에 위치하며 보통 비정질규소로 되어 있다. 반도체층(132)의 상부에는 저항접촉층(133)이 위치하는데, 저항접촉층(133)은 게이트 전극(122)을 중심으로 두 부분으로 나뉘어져 있다. 저항접촉층(133)은 주로 n+규소 등으로 형성한다.
데이터 배선(141, 142, 143, 144)은 게이트선(121)과 대략 직각을 이루며 평행하게 배치되는 다수의 데이터선(141), 데이터선(141)의 분지인 소스 전극(142), 게이트 전극(122)을 사이에 두고 소스 전극(142)과 마주하는 드레인 전극(143) 및 데이터 패드(144)를 포함한다. 데이터 패드(144)는 데이터선(141)과 집적회로를 연결하며 게이트 패드(123)와 마찬가지로 데이터선(141)에 비해 폭이 다소 넓다. 데이터 배선(141, 142, 143, 144)은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 또는 이들의 합금 등을 사용할 수 있으며, 다중층으로 이루어질 수도 있다.
데이터 배선(141, 142, 143, 144)과 이들이 가리지 않는 반도체층(132)의 상부에는 무기막(151)이 형성되어 있다. 무기막(151)은 주로 질화규소로 되어 있다. 무기막(151)은 게이트 패드 접촉구(187), 데이터 패드 접촉구(188) 및 드레인 접촉구(185)에서 제거되어 있다.
무기막(151)의 상부에는 유기 절연막(152)이 형성되어 있다. 유기 절연막(152)은 통상 감광성 물질인 벤조사이클로부텐과 아크릴계 수지 중 어느 하나일 수 있다. 유기 절연막(152)도 무기막(151)과 마찬가지로 게이트 패드 접촉구(187), 데이터 패드 접촉구(188), 드레인 접촉구(185)에서 제거되어 있다. 유기 절연막(152) 상부에는 렌즈부(153)가 형성되어 있다.
유기 절연막(152)의 상부에는 투명전극(160)이 형성되어 있다. 투명전극(160)은 화소 전극(161)과 접촉보조부재(162,163)를 포함한다. 화소 전극(161)은 드레인 접촉구(185)를 통하여 드레인 전극(143)과 전기적으로 연결되어 있으며 화소 영역을 형성한다. 접촉보조부재(162,163)는 게이트 패드 접촉구(187)와 데이터 패드 접촉구(188)를 통하여 각각 게이트 패드(123) 및 데이터 패드(144)와 연결되도록 형성되어 있다. 여기서 화소 전극(161)과 접촉보조부재(162, 163)는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 이루어져 있다.
화소 전극(161)의 상부에도 렌즈부(165)가 형성되어 있으며 렌즈부(165)의 상부에는 반사막(172)과 반사투과막(174)이 형성되어 있다. 앞에서 형성된 렌즈부(165)의 상부에 형성되기 때문에, 반사막(172)과 반사투과막(174) 역시 물결모양을 갖게 된다. 반사막(172)과 반사투과막(174)은 주로 알루미늄이나 은을 사용하는데 경우에 따라서는 알루미늄/몰리브덴의 이중층을 사용할 수도 있다.
반사막(172)과 반사투과막(174)은 화소전극(161)을 통하여 드레인 전극(143)과 전기적으로 연결되어 드레인 전극(143)으로부터 전기적 신호를 받으며 이를 반사막(172)과 반사투과막(174)의 상부에 위치하는 액정(400)에 인가한다. 반사막(172)과 반사투과막(174)은 소스 전극(142) 및 드레인 전극(143) 위에 있는 유기 절연막(153)의 상부, 게이트선(121)의 상부에서는 제거되어 있다. 반사투과막(174)은 반사막(172)과 동일 평면상에 위치하며 반사막(172)의 중앙부분에 위치한다.
반사막(172)의 두께(d1)는 외부로부터 입사되는 빛이 반사막(172)을 투과하지 못하고 반사만 이루어지도록 하기 위해서 1800Å이상이어야 한다. 한편 반사투과막(174)의 두께(d2)는 외부로부터 입사되는 빛을 반사하며 기판소재(110)의 하부에 있는 백라이트 유닛(미도시)으로부터 입사되는 빛을 투과시키기 위해 반사막(172)의 두께(d1)보다 얇아야 하며 그 두께(d2)는 400Å내지 600Å일 수 있다.
이와 같은 구성을 가진 박막트랜지스터 기판(100)에 있어, 집적회로는 게이트 패드(123)와 데이터 패드(144)를 통하여 연결된다.
박막트랜지스터 기판(100)의 상부에는 컬러필터 기판(200)이 위치하며 컬러 필터기판(200)과 박막트랜지스터 기판(100) 사이에 형성된 실런트(미도시)에 의해 양기판(100,200)이 부착 지지된다. 실런트(미도시)로 경계되어진 내부 표시영역에는 액정(400)이 위치하고 있다.
이하에서는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시패널의 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 도3a 내지 도 3f를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시패널의 박막트랜지스터 기판의 제조과정을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
우선 도 3a에서 보는 바와 같이, 우선 박막트랜지스터 기판 소재(110) 상에 게이트 금속층을 증착한 후 패터닝하여(제1마스크 사용) 게이트선(121), 게이트 전극(122), 게이트 패드(123)를 형성한다.
이후 게이트 절연막(131), 반도체층(132), 저항 접촉층(133)을 형성한다.
이 과정을 자세히 살펴보면 먼저 질화규소 등의 무기물로 이루어진 게이트 절연막(131)이 증착된다. 게이트 절연막(131)의 증착 후 통상 비정질 규소로 이루어진 반도체층(132)과 통상 n+ 규소인 저항 접촉층(133)이 증착된다. 즉 게이트 절연막(131), 반도체층(132), 저항접촉층(133)으로 이루어진 3중층이 연속으로 증착되는 것이다. 반도체층(132)과 저항접촉층(133)은 패터닝되어(제2마스크 사용) 게이트 전극(122)의 상부에만 존재하게 된다. 경우에 따라서 반도체층(132)과 저항접촉층(133)은 게이트선(121)과 데이터선(141)이 겹쳐지는 부분에도 형성될 수 있다.
이후 데이터 금속층을 증착한 후 패터닝하여 (제3마스크 사용) 데이터선 (141), 소스 전극(142), 드레인 전극(143) 및 데이터 패드(144)를 형성한다.
다음으로 도 3b에서 보는 바와 같이 무기막(151)과 유기 절연막(152)을 순차적으로 증착하고 패터닝한다(제4마스크 사용). 무기막(151)은 통상 산화실리콘막 또는 질화실리콘막 중 적어도 어느 하나로 형성한다. 유기 절연막(152)은 벤조사이클로부텐과 아크릴계 수지 중 어느 하나로 형성 가능하다.
유기 절연막(152)의 패터닝은 유기 절연막(152)의 노광을 포함한다. 이에 한정되는 것은 아니나 본 발명의 제 1실시예에서 사용되는 유기막용 마스크(300)는 석영기판소재(310) 위에 몰리브덴 실리콘층(320)과 크롬층(330)으로 순차적으로 적층되어 있으며 후술할 유기막홀(181)과 게이트패드 접촉구 형성부(183)에 대응하는 부분(A부분)에는 몰리브덴실리콘층(320)과 크롬층(330)이 제거되어 있다. 또한 렌즈부(153)에 대응하는 부분(C부분)에는 몰리브덴실리콘층(320) 위의 크롬층(330)이 일정간격으로 형성되어 있다. 따라서 노광시 유기막홀(181)과 게이트패드 접촉구 형성부(183)의 영역에 비해, 렌즈부(153)의 영역에서의 노광강도는 약하게 된다.
도 3c는 유기 절연막(152)이 패터닝된 박막 트랜지스터 기판의 단면도이다.
드레인 전극(143) 상부의 무기막(151)을 드러내는 유기막홀(181)과 게이트 패드(123) 상부의 무기막(151)을 드러내는 게이트 패드 접촉구 형성부(183)가 형성된다. 또한 유기 절연막(152)의 상부에는 렌즈부(153)가 형성된다. 즉 패터닝을 통하여 유기 절연막(152)의 상부를 요철형상으로 만들고 이에 열을 가하여 리플로우(Reflow) 시키면 물결모양의 렌즈부(153)를 만들 수 있다. 렌즈부(153)의 형상은 후술할 반사막(172) 및 반사투과막(174)의 형상이 되어, 반사막(172) 및 반사투과 막(174)이 외부로부터 입사되는 빛을 효율적으로 반사할 수 있도록 한다.
이어서 도3d에서 보는 바와 같이 유기막 패턴을 마스크로 하여 드레인 전극(143) 상부의 유기막홀(181)의 무기막(151) 및 게이트 패드 접촉구 형성부(183)의 무기막(151)과 무기막(151)의 하부에 있는 게이트 절연막(131)이 각각 제거되어 드레인 접촉구(185)와 게이트 패드 접촉구(187)가 각각 형성된다. 이때 무기막(151)을 제거하기 위해서 별도의 마스크를 사용하지 않으며 무기막(151)과 게이트 절연막(131)은 모두 질화 규소로 형성되는 경우가 많기 때문에 동시에 에칭이 가능하다.
이어서 제 5마스크를 사용하여 투명전극(161,162,163)을 형성한다. 투명전극(161,162,163)은 화소 전극(161)과 접촉보조부재(162,163)를 포함한다. 화소 전극(161)은 드레인 접촉구(185)를 통하여 드레인 전극(143)과 전기적으로 연결되며, 유기 절연막(152)의 상부에 형성된 렌즈부(153)와 같은 물결모양의 렌즈부(165)가 형성되게 된다. 또한 접촉보조부재(162, 163)는 게이트 패드 접촉구(187)와 데이터 패드 접촉구(188)를 통하여 각각 게이트 패드(123) 및 데이터 패드(144)와 연결되도록 형성되게 된다.
이어서 제 6마스크를 사용하여 화소전극(161)의 상부에 반사막(172)과 반사투과막(174)을 형성한다.
이 과정을 자세히 살펴보면, 도 3e에서 보는 바와 같이 반사막(172)과 반사투과막(174)을 만들기 위한 금속층(170)을 적층시킨다. 이어서 금속층(170)에 포토레지스트(500)를 코팅시키고 포토레지스트(500)의 상부에 제 6마스크를 위치시킨 다. 제 6마스크에는 반사투과막(174)이 형성되는 금속층(170) 부분에 대응되는 부분에 슬릿패턴이 형성되어 있으며 반사막(172)이 형성되는 금속층의 부분을 제외한 부분은 비어있다.
이후 노광 및 현상을 거치게 되면 도 3f에서 보는 바와 같이 반사막(172) 및 반사투과막(174)이 되는 금속층(170)의 상부에만 포토레지스트(510)가 남게 되며 다른 부분에서는 제거되어 금속층(170)이 노출되게 된다. 이때 남아 있는 포토레지스트(510)는 반사투과막(174)이 되는 금속층(170)의 상부의 두께(d4)가 대략 300Å정도가 되어 반사막(172)이 되는 금속층(170)의 상부의 두께(d3)인 대략 1500Å정도보다 얇게 형성된다.
이후 건식 식각을 행하면 포토레지스트(510)가 남아 있지 않은 부분의 노출된 금속층(170)은 모두 제거되며, 두께가 d4인 포토레지스트(510)는 제거되면서 그 하부의 금속층이 적당한 두께인 d2로 깍여서 반사투과막(174)이 된다. 한편 두께가 d3인 포토레지스트(510)는 식각에 의해 제거되지 않으며 그 하부의 금속층(170)도 원래의 두께(d1)로 남아 반사막(172)이 된다.
이후 남아 있는 포토레지스트(510)를 에싱을 통해 제거하면 박막트랜지스터 기판(100)이 완성된다. 이어서, 완성된 박막트랜지스터 기판(100)의 가장자리를 따라 실런트(미도시)를 형성한 후 박막트랜지스터 기판(200)과 컬러필터기판(200)을 접착시키고 액정(400)을 주입하면 도 2의 액정표시패널이 완성되게 된다. 여기서 실런트를 컬러필터기판(200)의 둘레를 따라 형성한 후, 박막트랜지스터 기판과 접착해도 무방하다.
이와 같이 본 발명의 제 1실시예에 따른 액정표시패널에 의하면 반사투과막(174)이 기판소재(110)의 하부에 위치하는 백라이트 유닛(미도시)에서 입사되는 빛의 투과효율을 적게 감소시킴으로써 외부광을 사용할 수 없는 환경인 실내나 밤의 경우에도 원하는 휘도 조건을 만족시킬 수 있다. 또한 외부광인 태양광이나 주변광을 사용하는 경우에도 반사막(172) 뿐만 아니라 반사투과막(174)도 반사를 시킴으로써 반사효율을 증가시켜 휘도를 높일 수 있게 된다.
이하 본 발명의 제 2실시예에 따른 액정표시패널 및 그 제조방법을 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 액정표시패널의 단면도이다. 제 1실시예와 동일한 부분에 대하여는 같은 번호를 사용하였으며 중복되는 설명은 생략한다.
본 발명의 제 2실시예에서는 제 1실시예와 달리 유기 절연막(152)이 제거되어 있으며 반사막(172)과 반사투과막(174)도 제거된 투과창(175)이 형성되어 있다.
제 2실시예에 따른 액정표시패널의 박막트랜지스터 기판의 제조방법은 마스크 3을 이용한 패터닝을 통해 데이터선(141), 소스 전극(142), 드레인 전극(143) 및 데이터 패드(144)를 형성하는 과정까지는 동일하다.
이후 마스크4(유기막용 마스크)를 이용한 유기 절연막(152)의 패터닝에서 도 3b와 달리 투과창(175)을 형성하기 위해 대응되는 유기막용 마스크는 크롬층(330)이 제거되고 슬릿패턴된 몰리브덴실리콘층(320)을 갖도록 형성된다. 따라서 노광시 유기막홀(181)과 게이트패드 접촉구 형성부(183)의 영역에 비해, 투과창 (175)을 형성하는 부분에 대응되는 영역은 노광 강도는 약하게 된다. 이에 따라 도 3c와 달리 유기 절연막(152)이 상당부분 제거된 투과창(175)이 형성되는 부분이 마련된다.
이어서 유기막 패턴을 마스크로 하여 게이트 절연막(131)과 무기막(151)이 제거되어 드레인 접촉구(185)를 형성하는 과정 및 무기막(151)이 제거되어 게이트 패트 접촉구(187)가 형성되는 과정에서, 투과창(175)이 형성되는 부분에 잔존하는 유기 절연막(152)이 제거되어 투과창(172)이 형성된다. 투과창(172)에서는 무기막(151)이 제거되고 게이트 절연막(131)이 노출되어도 무방하며 유기 절연막(152)이 다소 남아 있어도 무방하다.
이 후 제 5마스크 및 제 6마스크를 이용하여 도 4의 액정표시패널의 박막트랜지스터 기판을 완성하게 된다. 이 과정에서 제 6마스크는 본 발명의 제 1실시예와 달리 투과창(175)에 대응하는 부분의 포토레지스트(500)의 상부에서는 비어 있는 부분을 가지도록 형성하여야 한다.
따라서 본 발명의 제 2실시예에 따른 액정표시패널에 의해서도 투과창(175) 및 반사투과막(174)의 투과에 의해 백라이트 유닛에서 조사된 빛의 투과율 감소는 적으면서도, 반사막(172) 및 반사투과막(174)의 반사에 의해 외부로부터 입사되는 빛에 대한 반사율을 증가시켜 휘도를 높일 수 있는 액정표시패널이 제공된다.
이하의 실시예는 다양하게 변형가능하다. 본 발명의 제 1실시예 및 제 2실시예에서 반사막(172) 및 반사투과막(174)은 화소전극(161)의 렌즈부(165) 상부에 형 성되어 있으나 화소전극(161)과 동일한 평면에 형성시킬 수 있다. 이 경우에도 반사막(172)과 반사투과막(174)은 화소전극(161)과 상호 전기적으로 연결된다. 또한 본 발명의 제 1실시예 및 제 2실시예에서는 반투과형 액정표시패널의 박막트랜지스터 기판은 6 마스크 공정을 사용하였으나 이에 한정되는 것은 아니며 제 5마스크 공정에 따라 제조될 수도 있다.
따라서 비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 백라이트 유닛에서 조사된 빛의 투과율 감소는 적으면서도 외부로부터 입사되는 빛에 대한 반사율을 증가시켜 휘도를 높일 수 있는 액정표시패널 및 그 제조방법이 제공된다.

Claims (10)

  1. 기판소재와;
    상기 기판소재 상에 형성되어 있으며 드레인 전극을 가지는 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터 상에 적층되어 있으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 접촉구가 형성되어 있는 유기 절연막과;
    상기 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소전극과;
    상기 화소전극과 전기적으로 연결되어 있는 반사막과;
    상기 화소전극 및 상기 반사막과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 반사막보다 두께가 얇으며 동일 물질로 이루어진 반사투과막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반사투과막은 외부로부터 입사되는 빛은 반사하며 상기 기판소재의 하부로부터 입사되는 빛은 투과시키는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 반사막 및 상기 반사투과막은 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 반사투과막의 두께는 400Å 내지 600Å인 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터와 상기 유기 절연막의 사이에 위치하는 무기막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 유기 절연막의 상부에는 렌즈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  7. 기판소재 상에 드레인 전극을 가지는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터 상에 적층되어 있으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 접촉구가 형성되어 있는 유기 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 화소전극과 각각 전기적으로 연결되어 있는 반사막과 상기 반사막보다 두께가 얇으며 동일 물질로 이루어진 반사투과막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 반사막과 반사투과막을 형성하는 단계는,
    상기 화소전극의 상부에 금속층을 형성하는 단계와;
    상기 금속층에 포토레지스트를 적층하는 단계와;
    상기 포토레지스트를 패터닝하여 제 1두께를 갖는 제1영역과 상기 제 1두께보다 작은 제 2두께를 갖는 제 2영역을 가지는 포토레지스트 패턴을 마련하는 단계와;
    상기 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 금속층을 식각하는 단계를 포함하며,
    상기 제 1영역에 대응하는 금속층으로부터 반사막이 형성되며, 상기 제 2영역에 대응하는 금속층으로부터 반사투과막이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계와 상기 유기 절연막을 형성하는 단계 사이에,
    상기 박막트랜지스터 상에 무기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  10. 제 6항에 있어서
    상기 유기 절연막을 형성하는 단계에서는,
    상기 유기 절연막의 상부에 렌즈부를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
KR1020050054571A 2005-06-23 2005-06-23 액정표시패널 및 그 제조방법 KR20060134684A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050054571A KR20060134684A (ko) 2005-06-23 2005-06-23 액정표시패널 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050054571A KR20060134684A (ko) 2005-06-23 2005-06-23 액정표시패널 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060134684A true KR20060134684A (ko) 2006-12-28

Family

ID=37813021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050054571A KR20060134684A (ko) 2005-06-23 2005-06-23 액정표시패널 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060134684A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108803161A (zh) * 2018-06-29 2018-11-13 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108803161A (zh) * 2018-06-29 2018-11-13 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7488983B2 (en) Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP4574940B2 (ja) 反射−透過型液晶表示装置およびその製造方法
US7436480B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101197223B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2006259745A (ja) 半透過型液晶表示装置パネル及びその製造方法
JP4472990B2 (ja) 反射型液晶表示装置及びその製造方法
KR100617290B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US8576361B2 (en) Transreflective liquid crystal display device and fabricating method thereof having uneven patterns consisting of organic material in the reflective portion
KR101005355B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법
US20040125288A1 (en) Method of fabricating liquid crystal display device having concave reflector
US7929102B2 (en) Manufacturing method of transflective LCD and transflective LCD thereof
KR20060018137A (ko) 반투과 액정표시장치와 그 제조방법
KR100913305B1 (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2004145024A (ja) Tftアレイ基板およびこれを用いた半透過型または反射型液晶表示装置並びにtftアレイ基板の製造方法
KR20060134684A (ko) 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20070078244A (ko) 표시 기판과 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20080061924A (ko) 박막트랜지스터 기판과 이의 제조방법
KR100930921B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2007121804A (ja) 薄膜積層基板、及びその製造方法、並びに薄膜積層基板を備える液晶表示装置
KR20080013287A (ko) 반투과형 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법
KR20100130097A (ko) 반투과형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR20060015107A (ko) 액정표시장치와 그 제조방법
KR20110066738A (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20050090678A (ko) 반사/반투과 액정표시장치와 그 제조방법
KR20030066904A (ko) 반사전극을 갖는 액정표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination