KR20060122641A - Apparatus for supplying gas in semiconductor device and the theory - Google Patents

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Abstract

A semiconductor device manufacturing apparatus and method are provided to prevent the degradation of an ion implantation by using a scan faraday. A semiconductor device manufacturing apparatus includes a first scan faraday, a second scan faraday, a micom, a power supply unit, and electrodes. The first scan faraday(10) is used for detecting a first width of an ion beam at a first predetermined position spaced apart from an ion beam generating source. The second scan faraday(20) is used for detecting a second width of the ion beam at a second predetermined position spaced further apart from the ion beam generating source. The micom is used for supplying a power supply signal until the first and the second width of the ion beam are the same. The power supply unit(40) is used for supplying a power source according to the power supply signal. The electrodes(50,60) are used for controlling constantly the width of the ion beam implanted into a wafer.

Description

반도체 소자의 제조장치 및 방법{APPARATUS FOR SUPPLYING GAS IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE THEORY}Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device {APPARATUS FOR SUPPLYING GAS IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE THEORY}

도 1은 종래 반도체 소자에서의 이온빔 확대 현상을 도시한 도면,1 is a view illustrating an ion beam expanding phenomenon in a conventional semiconductor device;

도 2는 도 1에 도시된 이온빔 확대 현상에 의한 정션 폭을 도시한 도면,2 is a view showing a junction width due to the ion beam expanding phenomenon shown in FIG. 1;

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조장치를 위한 블록 구성도,3 is a block diagram for a device for manufacturing a semiconductor device according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법을 위한 상세 흐름도.4 is a detailed flowchart for a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

본 발명은 반도체 소자의 제조장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면, 임플란트(implant) 공정에 있어서, 웨이퍼 표면으로 주입되는 이온빔의 폭을 일정하게 조절할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to an apparatus and method for controlling the width of an ion beam uniformly injected into a wafer surface in an implant process.

주지된 바와 같이, 반도체 제조 공정 중 이온주입공정은 잘 알려져 있는 바와 같이 이미 형성되어 있는 소정 층, 혹은 영역에 도전성을 부여하기 위하여 확산 등의 물리적인 방법으로 이온을 주입하는 공정인 것이다. As is well known, the ion implantation process is a process of implanting ions by a physical method such as diffusion to impart conductivity to a predetermined layer or region already formed, as is well known.

이러한 이온주입공정을 설명함에 있어서, 설명의 편의를 위하여 MOS트랜지스터의 소오스 영역 및 드레인 영역 등을 형성하기 위하여 수행되는 공정을 부연 설 명한다. 즉, MOS 트랜지스터를 형성하는 공정과정은, 반도체 기판 상에 LOCOS법을 이용한 산화막 형성과정을 통하여 필드 산화막이 선택적으로 형성되며, 이 형성된 필드 산화막에 회로 소자들이 형성되어야 할 액티브 영역들이 한정된다. In describing the ion implantation process, a process performed to form a source region and a drain region of the MOS transistor will be described in detail for convenience of description. That is, in the process of forming the MOS transistor, a field oxide film is selectively formed through an oxide film forming process using a LOCOS method on a semiconductor substrate, and active regions in which circuit elements are to be formed are defined in the formed field oxide film.

이어서, 한정된 액티브 영역의 상부에는 게이트 산화막이 형성되고, 이 형성된 게이트 산화막의 상부에는 폴리 실리콘으로 구성되는 게이트 전극층이 형성된다. 여기서 게이트 전극층은 폴리 실리콘층 및 고융점 금속층이 순차적으로 적층되는 다층 구조로 형성될 수 있다. Subsequently, a gate oxide film is formed over the limited active region, and a gate electrode layer made of polysilicon is formed over the formed gate oxide film. The gate electrode layer may have a multilayer structure in which a polysilicon layer and a high melting point metal layer are sequentially stacked.

끝으로, 게이트 전극층의 형성이 완료되면, 소오스 및 드레인이 형성되어야 할 영역들에 이온빔을 주입시켜 도판트가 웨이퍼의 표면에 박힐 수 있도록 하며, 게이트 전극층은 이온주입 방지 마스크로서 작용하게 된다.Finally, when the formation of the gate electrode layer is completed, an ion beam is injected into regions where the source and drain should be formed so that the dopant can be embedded in the surface of the wafer, and the gate electrode layer serves as an ion implantation prevention mask.

이때, 이온채널효과를 극소화시키기 위하여 이온빔을 통상적으로 웨이퍼 표면에 수직인 방향으로 주입시키게 되는데, 이때 도 1에 도시된 바와 같이 주입되는 이온빔(1)의 각이 웨이퍼 표면에 도달할수록 확대(blow up)되어 주입되는 경우가 종종 발생하게 되며, 이러한 이온빔의 확대에 의한 웨이퍼(3) 표면 도달 각(2)으로 인하여 디바이스 내부에서는 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼 표면으로의 깊이(depth)에 대한 상태(Concentration)가 정션(Junction) 폭(4)이 넓어지게 되어 이온 공정의 품질을 저하시키게 되어 신뢰성을 현저하게 떨어뜨리게 되는 문제점을 갖는다. In this case, in order to minimize the ion channel effect, the ion beam is generally implanted in a direction perpendicular to the wafer surface. In this case, as the angle of the ion beam 1 implanted as shown in FIG. 1 reaches the wafer surface, it blows up. Is often injected, and due to the enlargement of the ion beam, a state of depth to the wafer surface is shown inside the device as shown in FIG. (Concentration) has a problem that the junction width (4) is widened to degrade the quality of the ion process to significantly reduce the reliability.

이에, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 그 목적은 웨이퍼 표면으로 주입되는 이온빔의 폭을 일정하게 조절하여 웨이퍼 표면으로의 깊이에 대한 상태에서 정션 폭을 최소화시킬 수 있는 반도체 소자의 제조장치 및 방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, the object of the semiconductor device is to minimize the width of the junction in the state to the depth to the wafer surface by constantly adjusting the width of the ion beam injected to the wafer surface The present invention provides an apparatus and method.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 이온빔 폭을 검출하는 제1스캔 파라데이와, 특정 거리보다 더 떨어진 이온빔 폭을 검출하는 제2 스캔 파라데이와, 제1스캔 파라데이와 제2스캔 파라데이에 의해 각각 검출된 이온빔 폭이 동일할 때까지 전원공급신호를 제공하는 마이컴과, 전원공급신호에 따라 전원을 공급하는 전원 공급부와, 전원에 의해 양전극을 형성시켜 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 폭을 일정하게 조절하는 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is a first scan Faraday for detecting the ion beam width separated by a specific distance from the source of the ion beam injected into the wafer, and to detect the ion beam width further away from the specific distance A microcomputer providing a power supply signal until the second scan holiday, the ion beam widths detected by the first scan holiday and the second scan holiday are the same, and a power supply unit supplying power according to the power supply signal And an electrode configured to form a positive electrode by a power source and to constantly adjust the width of the ion beam injected into the wafer.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 이온빔 폭을 검출하는 제1단계와, 특정 거리보다 더 떨어진 이온빔 폭을 검출하는 제2단계와, 제1단계와 제2단계에 의해 각각 검출된 이온빔 폭이 동일할 때까지 전원공급신호를 제공하는 제3단계와, 전원공급신호에 따라 전원을 공급하여 전극에 양전극을 형성시켜 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 폭을 일정하게 조절하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the semiconductor device manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is a first step of detecting the ion beam width separated by a specific distance from the source of the ion beam injected into the wafer, and the ion beam width further away from the specific distance And a third step of providing a power supply signal until the ion beam widths detected by the first and second steps are the same, and supplying power in accordance with the power supply signal to form a positive electrode on the electrode. And a fourth step of constantly adjusting the width of the ion beam injected into the wafer.

이하, 본 발명의 실시예는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 기술 분야 의 숙련자라면 이 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 잘 이해하게 될 것이다. Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention may exist, and a preferred embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Those skilled in the art will appreciate the objects, features and advantages of the present invention through this embodiment.

본 발명의 핵심 기술요지는, 스캔 파라데이(10)를 이용하여 웨이퍼(S1)로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 이온빔 폭을 검출하고, 스캔 파라데이(20)를 이용하여 특정 거리보다 더 떨어진 이온빔 폭을 검출하여 마이컴(30)에 제공한다. 그러면, 마이컴(30)은 각각 검출된 이온빔의 폭이 동일할 때까지 전원공급신호를 전원 공급부(40)에 제공하며, 전원 공급부(40)는 전원공급신호에 따라 전원을 전극(50, 60) 각각에 공급하여 양전극을 형성하도록 하여 웨이퍼(S1)로 주입되는 이온빔의 폭이 일정하도록 조절한다. 여기서, 스캔 파라데이(10, 20)는 웨이퍼(S1)로 주입되는 이온빔의 폭을 검출하기 위하여 지지수단(S2, S2-1)에 각각 장착되어 이온빔 방향의 수직으로 이동하며, 전극(50, 60)은 스캔 파라데이(10, 20)를 이동시키는 지지수단(S2, S2-1) 사이에 위치하는 하는 것으로, 이러한 기술적 수단을 통해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 쉽게 달성할 수 있다.The core technology of the present invention is to detect the ion beam width separated by a specific distance from the source of the ion beam injected into the wafer S1 using the scan Faraday 10, and using the scan Faraday 20 than the specific distance The further ion beam width is detected and provided to the microcomputer 30. Then, the microcomputer 30 provides a power supply signal to the power supply unit 40 until the detected ion beams have the same width, and the power supply unit 40 supplies power to the electrodes 50 and 60 according to the power supply signal. By supplying to each of them to form a positive electrode to adjust the width of the ion beam injected into the wafer (S1) to be constant. Here, the scan fares 10 and 20 are mounted on the supporting means S2 and S2-1, respectively, to detect the width of the ion beam injected into the wafer S1, and move vertically in the direction of the ion beam. 60 is located between the support means (S2, S2-1) for moving the scan Friday (10, 20), through this technical means can easily achieve the object of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조장치를 위한 블록 구성도로서, 웨이퍼(S1) 표면으로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 이온빔 폭을 검출하여 마이컴(30)에 제공하는 스캔 파라데이(10)와, 상술한 특정 거리보다 더 떨어진 이온빔 폭을 검출하여 마이컴(30)에 제공하는 스캔 파라데이(20)와, 스캔 파라데이(10)와 스캔 파라데이(20)에 의해 각각 검출된 이온빔 폭이 동일한지를 판단하여 동일할 때까지 전원 공급부(40)로 전원공급신호를 제공하는 마이컴(30)과, 마이컴(30)으로부터 제공되는 전원공급신호에 따라 전극(50, 60) 각각에 양의 전원을 공급하는 전원 공급부(40)와, 전원 공급부(40)로부터 공급되는 양의 전원에 의해 양전극이 형성하여 웨이퍼(S1)로 주입되는 이온빔의 폭을 일정하게 조절하는 전극(50, 60)을 포함한다. 여기서, 스캔 파라데이(10, 20)는 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(S1) 표면으로 주입되는 이온빔의 폭을 검출하기 위하여 지지수단(S2, S2-1)에 장착되어 이온빔 방향의 수직(예로, 상/하)으로 움직이면서 이온빔의 폭을 검출한다. FIG. 3 is a block diagram illustrating an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention, wherein scan width is provided to the microcomputer 30 by detecting an ion beam width separated by a specific distance from a source of an ion beam injected into a wafer S1 surface. (10) and the scan faraday 20 which detects the ion beam width further away from the above-mentioned specific distance and provides it to the microcomputer 30, and the scan faraday 10 and the scan faraday 20 respectively. It is determined whether the ion beam widths are the same, and both the microcomputers 30, which provide a power supply signal to the power supply unit 40, and each of the electrodes 50 and 60 according to the power supply signal provided from the microcomputer 30 until they are the same. The electrodes 50 and 60 which form a positive electrode by a power supply unit 40 for supplying power to the power source and the ion beam injected into the wafer S1 by a positive power source supplied from the power supply unit 40 are constantly adjusted. It includes. Here, as illustrated in FIG. 3, the scan fares 10 and 20 are mounted on the supporting means S2 and S2-1 to detect the width of the ion beam injected to the surface of the wafer S1, and are perpendicular to the ion beam direction. (Eg, up / down) while detecting the width of the ion beam.

도 4의 흐름도를 참조하면서, 상술한 구성을 바탕으로 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법에 대하여 보다 상세하게 설명한다. With reference to the flowchart of FIG. 4, the manufacturing method of the semiconductor element which concerns on this invention is demonstrated in detail based on the above-mentioned structure.

먼저, 이온빔이 도 3에 도시된 바와 같이 좌측에서 우측으로 이동하면서 웨이퍼(S1) 표면에 주입될 경우, 웨이퍼(S1) 표면으로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 위치와 상술한 특정 거리보다 더 떨어진 위치에 각각 지지수단(S2, S2-1)을 설치하며, 이 지지수단(S2, S2-1)에 스캔 파라데이(10, 20)를 각각 장착시켜 상/하로 이동할 수 있도록 구성한다. 또한, 이온빔이 상측에서 하측으로 이동하면서 웨이퍼(S1) 표면에 주입될 경우(도시되지 않음), 웨이퍼(S1) 표면으로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 위치와 상술한 특정 거리보다 더 떨어진 위치에 각각 지지수단(S2, S2-1)을 설치하며, 이 지지수단(S2, S2-1)에 스캔 파라데이(10, 20)를 각각 장착시켜 좌/우로 이동할 수 있도록 구성할 수도 있다.First, when the ion beam is injected to the surface of the wafer S1 while moving from left to right as shown in FIG. 3, the ion beam is located at a distance from the source of the ion beam injected to the surface of the wafer S1 by a certain distance and the above-described specific distance. The support means (S2, S2-1) are respectively installed at a further position, and the scan fares (10, 20) are mounted on the support means (S2, S2-1), respectively. In addition, when the ion beam is injected from the upper side to the lower side and is injected to the surface of the wafer S1 (not shown), the position away from the source of the ion beam injected into the surface of the wafer S1 by a certain distance and further from the specific distance described above. The support means (S2, S2-1) are respectively provided at the positions, and the scan fares (10, 20) may be mounted on the support means (S2, S2-1), respectively, so as to be able to move left and right.

상술한 바와 같이 구성된 상태에서, 설명의 편의를 위하여 도 3에 도시된 구성을 바탕으로 설명하면, 스캔 파라데이(10)는 지지수단(S2)에 장착되어 웨이퍼 (S1) 표면으로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 이온빔 폭을 상/하로 이동하면서 검출하여 마이컴(30)에 제공한다(단계 401). 그리고, 스캔 파라데이(20)는 상술한 특정 거리보다 더 떨어진 이온빔 폭을 상/하로 이동하면서 검출하여 마이컴(30)에 제공한다(단계 402). In the state configured as described above, for the sake of convenience of description, the scan Faraday 10 is mounted on the supporting means S2 and the ion beam is injected into the wafer S1 surface. The ion beam width separated by a specific distance from the generation source is detected while moving up and down and provided to the microcomputer 30 (step 401). In addition, the scan friday 20 detects the ion beam width which is further than the above-described specific distance while moving up and down, and provides it to the microcomputer 30 (step 402).

마이컴(30)은 스캔 파라데이(10)와 스캔 파라데이(20)에 의해 각각 검출된 이온빔 폭이 동일한지를 판단한다(단계 403). 상기 판단(403)결과, 스캔 파라데이(10, 20)에 의해 검출된 이온빔의 폭이 동일하지 않으면, 동일할 때까지 전원 공급부(40)로 전원공급신호를 제공한다(단계 404). 반면에, 상기 판단(403)결과, 스캔 파라데이(10, 20)에 의해 검출된 이온빔의 폭이 동일하면, 전원 공급부(40)로 전원공급신호를 곧바로 제공한다(단계 405). The microcomputer 30 determines whether the ion beam widths detected by the scan faraday 10 and the scan faraday 20 are the same (step 403). As a result of the determination 403, if the widths of the ion beams detected by the scan fares 10 and 20 are not the same, a power supply signal is provided to the power supply 40 until the same (step 404). On the other hand, when the determination 403 indicates that the widths of the ion beams detected by the scan fares 10 and 20 are the same, the power supply signal is directly supplied to the power supply 40 (step 405).

전원 공급부(40)는 마이컴(30)으로부터 제공되는 전원공급신호에 따라 전극(50, 60) 각각에 양의 전원을 공급한다(단계 406). 그러면, 전극(50, 60)은 전원 공급부(40)로부터 공급되는 양의 전원에 의해 양전극이 형성하여 웨이퍼(S1)로 주입되는 이온빔의 폭을 일정하게 조절한다(단계 407). 여기서, 전극(50, 60)은 스캔 파라데이(10, 20)를 이동시키는 지지수단(S2, S2-1) 사이에 위치한다. The power supply 40 supplies positive power to each of the electrodes 50 and 60 according to the power supply signal provided from the microcomputer 30 (step 406). Then, the electrodes 50 and 60 form a positive electrode by the positive power supplied from the power supply 40 to constantly adjust the width of the ion beam injected into the wafer S1 (step 407). Here, the electrodes 50 and 60 are located between the supporting means S2 and S2-1 for moving the scan fares 10 and 20.

따라서, 스캔 파라데이(10, 20)를 이용하여 웨이퍼(S1) 표면으로 주입되는 이온빔의 폭을 각각 검출하고, 각각 검출된 이온빔의 폭이 일정해 질 때까지 전극(50, 60) 각각에 양의 전원을 공급함으로써, 이온빔의 확대에 의한 웨이퍼 표면 도달 각으로 인하여 디바이스 내부에서 정션의 폭이 넓어지게 되어 이온 공정의 품질을 저하시키게 되는 기존 문제점을 해결할 수 있다. Accordingly, the widths of the ion beams injected into the surface of the wafer S1 are respectively detected using the scan fares 10 and 20, and the amount of each of the electrodes 50 and 60 is fixed until the widths of the detected ion beams become constant. By supplying the power source, the width of the junction inside the device is widened due to the angle of arrival of the wafer surface due to the expansion of the ion beam, thereby solving the existing problem of degrading the quality of the ion process.

또한, 본 발명의 사상 및 특허청구범위 내에서 권리로서 개시하고 있으므로, 본원 발명은 일반적인 원리들을 이용한 임의의 변형, 이용 및/또는 개작을 포함할 수도 있으며, 본 명세서의 설명으로부터 벗어나는 사항으로서 본 발명이 속하는 업계에서 공지 또는 관습적 실시의 범위에 해당하고 또한 첨부된 특허청구범위의 제한 범위 내에 포함되는 모든 사항을 포함한다. In addition, since the present invention is disclosed as a right within the spirit and claims of the present invention, the present invention may include any modification, use and / or adaptation using general principles, and the present invention as a matter deviating from the description of the present specification. It includes everything that falls within the scope of known or customary practice in the art to which it belongs and falls within the scope of the appended claims.

상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 스캔 파라데이를 이용하여 웨이퍼 표면으로 주입되는 이온빔의 폭을 각각 검출하고, 각각 검출된 이온빔의 폭이 일정해 질 때까지 전극에 양의 전원을 공급함으로써, 기존 이온빔의 확대에 의한 웨이퍼 표면 도달 각으로 인하여 디바이스 내부에서 정션의 폭이 넓어지게 되어 이온 공정의 품질을 저하시키게 되는 문제점을 해결하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. As described above, the present invention detects the width of the ion beam injected into the wafer surface by using the scan faraday, and supplies positive power to the electrode until the width of the detected ion beam becomes constant. Due to the widening angle of the wafer surface due to the expansion of the ion beam, the width of the junction is widened inside the device, thereby reducing the quality of the ion process, thereby improving reliability.

Claims (6)

이온빔을 웨이퍼로 주입시키는 반도체 소자의 제조 장치에 있어서, In the manufacturing apparatus of the semiconductor element which injects an ion beam to a wafer, 상기 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 이온빔 폭을 검출하는 제1스캔 파라데이와, A first scan friday that detects an ion beam width separated by a specific distance from a source of ion beam injected into the wafer; 상기 특정 거리보다 더 떨어진 이온빔 폭을 검출하는 제2 스캔 파라데이와,A second scan friday for detecting an ion beam width further than the specified distance; 상기 제1스캔 파라데이와 제2스캔 파라데이에 의해 각각 검출된 이온빔 폭이 동일할 때까지 전원공급신호를 제공하는 마이컴과,A microcomputer providing a power supply signal until the ion beam widths detected by the first scan holiday and the second scan holiday are the same; 상기 전원공급신호에 따라 전원을 공급하는 전원 공급부와,A power supply unit supplying power according to the power supply signal; 상기 전원에 의해 양전극을 형성시켜 상기 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 폭을 일정하게 조절하는 전극An electrode for forming a positive electrode by the power source to constantly adjust the width of the ion beam injected into the wafer 을 포함하는 반도체 소자의 제조 장치.Device for manufacturing a semiconductor device comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 스캔 파라데이는, 상기 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 폭을 검출하기 위하여 지지수단에 각각 장착되어 상기 이온빔의 수직방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치.And the scan friday is mounted on a supporting means to detect a width of an ion beam injected into the wafer, and moves in a vertical direction of the ion beam. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 전극은, 상기 스캔 파라데이를 이동시키는 지지수단 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치.The electrode is a device for manufacturing a semiconductor device, characterized in that located between the support means for moving the scan friday. 이온빔을 웨이퍼로 주입시키는 반도체 소자의 제조방법에 있어서,In the manufacturing method of a semiconductor device which injects an ion beam into a wafer, 상기 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 발생원으로부터 특정 거리만큼 떨어진 이온빔 폭을 검출하는 제1단계와, A first step of detecting an ion beam width separated by a specific distance from a source of an ion beam injected into the wafer; 상기 특정 거리보다 더 떨어진 이온빔 폭을 검출하는 제2단계와, Detecting an ion beam width further than the specified distance; 상기 제1단계와 제2단계에 의해 각각 검출된 이온빔 폭이 동일할 때까지 전원공급신호를 제공하는 제3단계와, A third step of providing a power supply signal until the ion beam widths detected by the first and second steps are the same; 상기 전원공급신호에 따라 전원을 공급하여 전극에 양전극을 형성시켜 상기 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 폭을 일정하게 조절하는 제4단계A fourth step of supplying power according to the power supply signal to form a positive electrode at an electrode to constantly adjust a width of an ion beam injected into the wafer 를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.Method for manufacturing a semiconductor device comprising a. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 제1단계와 제2단계는, 스캔 파라데이에 의해 검출되며, 상기 스캔 파라데이는 상기 웨이퍼로 주입되는 이온빔의 폭을 검출하기 위하여 지지수단에 각각 장착되어 상기 이온빔의 수직방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.The first step and the second step are detected by the scan faraday, the scan faraday is mounted on the support means to detect the width of the ion beam injected into the wafer, respectively, to move in the vertical direction of the ion beam The manufacturing method of the semiconductor element characterized by the above-mentioned. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, The method according to claim 4 or 5, 상기 전극은, 상기 스캔 파라데이를 이동시키는 지지수단 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.The electrode is a manufacturing method of a semiconductor device, characterized in that located between the support means for moving the scan friday.
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