KR20060114570A - Thin film transistor and display device including the same - Google Patents

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Abstract

A thin film transistor and a display device including the same are provided to enhance operation reliability of the TFT(Thin Film Transistor) by reducing an amount of a focused current at an end of a channel. A thin film transistor includes a substrate, control electrodes(124a,124b), input electrodes(173a,173b), output electrodes(175a,175b), a semiconductor, and an insulation film. The control electrodes are formed on the substrate. The input electrodes and the output electrodes are formed on the substrate and separated from each other with the control electrodes between the electrodes. The semiconductor is in contact with the input and output electrodes. The insulation film is inserted between the control electrodes and the semiconductor. A distance between the input and output electrodes is different on various positions.

Description

박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치{THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}Thin film transistor and display device including same {THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이고,1 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 2 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면이고, 3 is an enlarged view of a portion A of FIG. 2;

도 4 및 도 5는 각각 도 2의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV 선 및 V-V 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,4 and 5 are cross-sectional views of the organic light emitting diode display of FIG. 2 taken along lines IV-IV and V-V, respectively.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고,6 is a layout view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.

도 7은 도 6의 유기 발광 표시 장치를 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 7 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 6 taken along the line VII-VII.

도 8은 도 7의 B부분을 확대한 도면이고,FIG. 8 is an enlarged view of a portion B of FIG. 7;

도 9 및 도 10은 구동 박막 트랜지스터의 다른 예들을 보여주는 배치도이다.9 and 10 are layout views illustrating other examples of the driving thin film transistor.

본 발명은 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 특 히 유기 발광 표시 장치의 박막 트랜지스터에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor and a display device including the same, and more particularly, to a thin film transistor of an organic light emitting display device.

최근 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전 등의 경량화 및 박형화에 따라 표시 장치도 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 평판 표시 장치로 대체되고 있다.In recent years, with the reduction in weight and thickness of personal computers and televisions, display devices are also required to be lighter and thinner, and cathode ray tubes (CRTs) are being replaced by flat panel displays.

이러한 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display, FED), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display), 플라스마 표시 장치(plasma display panel, PDP) 등이 있다. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), organic light emitting diode displays, and plasma display panels (PDPs). Etc.

일반적으로 능동형 평판 표시 장치에서는 복수의 화소가 행렬 형태로 배열되며, 주어진 휘도 정보에 따라 각 화소의 광 강도를 제어함으로써 화상을 표시한다. 이 중 유기 발광 표시 장치는 형광성 유기 물질을 전기적으로 여기 발광시켜 화상을 표시하는 표시 장치로서, 자기 발광형이고 소비 전력이 작으며, 시야각이 넓고 화소의 응답 속도가 빠르므로 고화질의 동영상을 표시하기 용이하다.In general, in an active flat panel display, a plurality of pixels are arranged in a matrix form, and an image is displayed by controlling the light intensity of each pixel according to given luminance information. Among these, an organic light emitting display is a display device that displays an image by electrically exciting and emitting a fluorescent organic material. The organic light emitting display is a self-emission type, has a low power consumption, a wide viewing angle, and a fast response time of pixels. It is easy.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)와 이를 구동하는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 구비한다. 이 박막 트랜지스터는 활성층(active layer)의 종류에 따라 다결정 규소(poly silicon) 박막 트랜지스터와 비정질 규소(amorphous silicon) 박막 트랜지스터 등으로 구분된다. 다결정 규소 박막 트랜지스터를 채용한 유기 발광 표시 장치는 여러 가지 장점이 있어서 일반적으로 널리 사용되고 있으나 박막 트랜지스터의 제조 공정이 복잡하고 이에 따라 비용도 증가한다. 또한 이러한 유기 발광 표시 장치로 는 대화면을 얻기가 어렵다.The organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode (OLED) and a thin film transistor (TFT) driving the organic light emitting diode (OLED). The thin film transistor is classified into a polysilicon thin film transistor and an amorphous silicon thin film transistor according to the type of the active layer. The organic light emitting diode display employing the polysilicon thin film transistor has many advantages, and thus is widely used. However, the manufacturing process of the thin film transistor is complicated and thus the cost increases. In addition, it is difficult to obtain a large screen with such an organic light emitting display device.

한편 비정질 규소 박막 트랜지스터를 채용한 유기 발광 표시 장치는 대화면을 얻기 용이하고, 다결정 규소 박막 트랜지스터를 채용한 유기 발광 표시 장치보다 제조 공정 수효도 상대적으로 적다. 그러나 비정질 규소 박막 트랜지스터가 유기 발광 다이오드에 지속적으로 전류를 공급해 줌에 따라 비정질 규소 박막 트랜지스터 자체의 문턱 전압이 천이되어 열화될 수 있다. 이것은 동일한 데이터 전압이 인가되더라도 불균일한 전류가 유기 발광 다이오드에 흐르게 하는데, 결국 이로 인하여 유기 발광 표시 장치의 화질 열화가 발생한다. 이와 같은 현상은 화소마다 보상회로를 구비하면 어느 정도의 문턱 전압의 천이를 해결할 수 있다. On the other hand, an organic light emitting display device employing an amorphous silicon thin film transistor is easy to obtain a large screen, and the number of manufacturing processes is relatively smaller than that of an organic light emitting display device employing a polysilicon thin film transistor. However, as the amorphous silicon thin film transistor continuously supplies current to the organic light emitting diode, the threshold voltage of the amorphous silicon thin film transistor itself may transition and deteriorate. This causes non-uniform current to flow through the organic light emitting diode even when the same data voltage is applied, resulting in deterioration of image quality of the organic light emitting diode display. This phenomenon can be solved by a certain threshold voltage transition by providing a compensation circuit for each pixel.

한편, 반도체에 흐르는 구동 전류는 입력 전극 및 출력 전극이 마주보는 변의 가장자리에 집중되어 흐른다. 전류가 집중된 부분은 온도가 상승할 수 있으며, 이와 같은 현상은 박막 트랜지스터, 특히 비정질 규소 박막 트랜지스터의 열화를 가속화하며 표시 장치의 수명을 단축시키는 요인이 된다.On the other hand, the driving current flowing through the semiconductor is concentrated at the edges of the sides where the input electrode and the output electrode face. The concentration of the current may increase in temperature, and this phenomenon may accelerate the deterioration of the thin film transistor, particularly the amorphous silicon thin film transistor, and shorten the life of the display device.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 박막 트랜지스터의 신뢰성을 확보하는 것이다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to ensure the reliability of the thin film transistor.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제어 전극, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제어 전극을 중심으로 서로 분리되어 있는 입력 전극 및 출력 전극, 상기 입력 전극 및 상기 출력 전극과 접촉하는 반도체, 그리고 상기 제어 전극과 상기 반도체 사이에 끼어 있는 게이트 절연막을 포함하며, 상기 입력 전극과 상기 출력 전극의 거리는 위치에 따라 다르다. The organic light emitting diode display according to the present invention includes a substrate, a control electrode formed on the substrate, an input electrode and an output electrode formed on the substrate and separated from each other with respect to the control electrode, and the input electrode and the output electrode; And a gate insulating film sandwiched between the semiconductor and the control electrode and the semiconductor, wherein the distance between the input electrode and the output electrode varies depending on the position.

상기 입력 전극과 상기 출력 전극 사이의 거리는 가장자리에서 멀어질 수 있고, 중앙 부분에서 일정할 수 있으며, 마주보는 두 변은 가장자리에서 둥근 모양일 수 있다.The distance between the input electrode and the output electrode may be far from the edge, may be constant at the center portion, and the two opposite sides may be round at the edge.

상기 반도체는 비정질 규소를 포함할 수 있다.The semiconductor may include amorphous silicon.

상기 입력 전극이 구부러져 있을 수 있으며, 상기 출력 전극과 상기 입력 전극의 마주보는 변이 사행(蛇行)일 수 있다.The input electrode may be bent, and a side facing the output electrode and the input electrode may be meandering.

상기 출력 전극과 연결되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극과 마주보는 공통 전극, 그리고 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 끼어 있는 유기 발광 부재를 더 포함할 수 있다.The display device may further include a pixel electrode connected to the output electrode, a common electrode facing the pixel electrode, and an organic light emitting member interposed between the pixel electrode and the common electrode.

이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on top" of another part, this includes not only when the other part is "right over" but also when there is another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

먼저 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치에 대하여 도 1을 참고로 상세하게 설명한다.First, a thin film transistor and a display device including the same according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of signal lines 121, 171, and 172 and a plurality of pixels PX connected to the plurality of signal lines 121, 171, and 172 and arranged in a substantially matrix form. ).

신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 데이터선(data line)(171) 및 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The signal line includes a plurality of gate lines 121 for transmitting a gate signal (or scan signal), a data line 171 for transmitting a data signal, and a plurality of driving voltage lines for transmitting a driving voltage. voltage line 172. The gate lines 121 extend substantially in the row direction, and are substantially parallel to each other, and the data line 171 and the driving voltage line 172 extend substantially in the column direction, and are substantially parallel to each other.

각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode)(LD)를 포함한다.Each pixel PX includes a switching transistor Qs, a driving transistor Qd, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode LD. do.

스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.The switching transistor Qs has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the gate line 121, and the input terminal is a data line 171. ) And the output terminal is connected to the driving transistor Qd. The switching transistor Qs transfers the data signal applied to the data line 171 to the driving transistor Qd in response to the scan signal applied to the gate line 121.

구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.The driving transistor Qd also has a control terminal, an input terminal and an output terminal, the control terminal being connected to the switching transistor Qs, the input terminal being connected to the driving voltage line 172, and the output terminal being the organic light emitting diode. It is connected to (LD). The driving transistor Qd flows an output current I LD whose magnitude varies depending on the voltage applied between the control terminal and the output terminal.

축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프된 뒤에도 이를 유지한다.The capacitor Cst is connected between the control terminal and the input terminal of the driving transistor Qd. The capacitor Cst charges the data signal applied to the control terminal of the driving transistor Qd and maintains it even after the switching transistor Qs is turned off.

유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.The organic light emitting diode LD has an anode connected to the output terminal of the driving transistor Qd and a cathode connected to the common voltage Vss. The organic light emitting diode LD displays an image by emitting light having a different intensity depending on the output current I LD of the driving transistor Qd.

스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.The switching transistor Qs and the driving transistor Qd are n-channel field effect transistors (FETs). However, at least one of the switching transistor Qs and the driving transistor Qd may be a p-channel field effect transistor. In addition, the connection relationship between the transistors Qs and Qd, the capacitor Cst, and the organic light emitting diode LD may be changed.

그러면, 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조의 한 예에 대하여 도 2 내지 도 5를 참고하여 상세하게 설명한다.Next, an example of a detailed structure of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 5.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면이고, 도 4 및 도 5는 각각 도 2의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV 선 및 V-V 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.2 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 3 is an enlarged view of a portion A of FIG. 2, and FIGS. 4 and 5 are IV- of the organic light emitting diode display of FIG. 2, respectively. It is sectional drawing cut along the IV line and the VV line.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 제1 제어 전극(control electrode)(124a)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 제2 제어 전극(124b)을 포함하는 복수의 게이트 도전체(gate conductor)가 형성되어 있다.A plurality of gates including a plurality of gate lines 121 including a first control electrode 124a and a plurality of second control electrodes 124b on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic. A gate conductor is formed.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함하며, 제1 제어 전극(124a)은 게이트선(121)으로부터 위로 뻗어 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a wide end portion 129 for connection with another layer or an external driving circuit, and the first control electrode 124a extends upward from the gate line 121. When a gate driving circuit (not shown) generating a gate signal is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

제2 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며, 아래 방향으로 뻗다가 오른 쪽으로 잠시 방향을 바꾸었다가 위로 길게 뻗은 유지 전극(storage electrode)(127)을 포함한다.The second control electrode 124b is separated from the gate line 121 and includes a storage electrode 127 extending downward and briefly changing to the right and extending upward.

게이트 도전체(121, 124b)는 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트 도전체(121, 124b)는 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The gate conductors 121 and 124b are made of aluminum-based metals such as aluminum (Al) and aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, copper-based metals such as copper (Cu) and copper alloys, and molybdenum (Mo) It may be made of molybdenum-based metals such as molybdenum alloys, chromium (Cr), tantalum (Ta), and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a low resistivity metal such as an aluminum-based metal, a silver-based metal, or a copper-based metal to reduce signal delay or voltage drop. On the other hand, other conductive films are made of other materials, particularly materials having excellent physical, chemical and electrical contact properties with indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum, and the like. Good examples of such a combination include a chromium bottom film, an aluminum (alloy) top film, and an aluminum (alloy) bottom film and a molybdenum (alloy) top film. However, the gate conductors 121 and 124b may be made of various metals or conductors.

게이트 도전체(121, 124b)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30°내지 약 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate conductors 121 and 124b are inclined with respect to the substrate 110 surface, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트 도전체(121, 124b) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate conductors 121 and 124b.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 제1 및 제2 섬형 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다. 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)는 각각 제1 및 제2 제어 전극(124a, 124b) 위에 위치한다.On the gate insulating layer 140, a plurality of first and second island-like semiconductors 154a and 154b made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si) or polysilicon, etc. are formed. It is. The first and second semiconductors 154a and 154b are positioned on the first and second control electrodes 124a and 124b, respectively.

제1 및 제2 반도체(154a, 154b) 위에는 각각 복수 쌍의 제1 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 165a)와 복수 쌍의 제2 저항성 접촉 부재(163b, 165b)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 섬 모양이며, 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 제1 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 쌍을 이루어 제1 반도체(154a) 위에 배치되어 있고, 제2 저항성 접촉 부재(163b, 165b) 또한 쌍을 이루어 제2 반도체(154b) 위에 배치되어 있다.A plurality of pairs of first ohmic contacts 163a and 165a and a plurality of pairs of second ohmic contacts 163b and 165b are formed on the first and second semiconductors 154a and 154b, respectively. The ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b have an island shape, and may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus are heavily doped or made of silicide. The first ohmic contacts 163a and 165a are arranged in pairs on the first semiconductor 154a, and the second ohmic contacts 163b and 165b are also arranged in pairs and disposed on the second semiconductor 154b.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)과 복수의 구동 전압선(172)과 복수의 제1 및 제2 출력 전극(output electrode)(175a, 175b)을 포함하는 복수의 데이터 도전체(data conductor)가 형성되어 있다.The plurality of data lines 171, the plurality of driving voltage lines 172, and the plurality of first and second output electrodes 175a are disposed on the ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b and the gate insulating layer 140. , A plurality of data conductors including 175b are formed.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 복수의 제1 입력 전극(input electrode)(173a)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 데이터 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121. Each data line 171 has a wide end portion 179 for connection of a plurality of first input electrodes 173a extending toward the first control electrode 124a with another layer or an external driving circuit. It includes. When a data driving circuit (not shown) generating a data signal is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 구동 전압선(172)은 제2 제어 전극(124b)을 향하여 뻗은 복수의 제2 입력 전극(173b)을 포함한다. 구동 전압선(172)은 유지 전극(127) 과 중첩하며, 서로 연결될 수 있다.The driving voltage line 172 transfers a driving voltage and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121. Each driving voltage line 172 includes a plurality of second input electrodes 173b extending toward the second control electrode 124b. The driving voltage line 172 overlaps the storage electrode 127 and may be connected to each other.

제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a)은 제1 제어 전극(124a)을 중심으로 서로 마주보고, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)은 제2 제어 전극(124b)을 중심으로 서로 마주본다. 서로 마주보고 있는 제2 입력 전극(173b)의 변과 제2 출력 전극(175b)의 변은 제2 반도체(154b)의 경계와 만나며 두 변 사이의 간격은 중앙 부근에서는 일정하며, 가장자리, 즉 제2 반도체(154b)와의 교차점 부근에서 커진다.The first and second output electrodes 175a and 175b are separated from each other and also separated from the data line 171 and the driving voltage line 172. The first input electrode 173a and the first output electrode 175a face each other with respect to the first control electrode 124a, and the second input electrode 173b and the second output electrode 175b are the second control electrode. Face each other with reference to (124b). The sides of the second input electrode 173b and the sides of the second output electrode 175b that face each other meet the boundary of the second semiconductor 154b, and the distance between the two sides is constant near the center, and the edge, that is, the first side It becomes large near the intersection with the two semiconductors 154b.

데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속 따위의 도전막(도시하지 않음)과 저저항 물질 도전막(도시하지 않음)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다. 다층막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)는 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The data conductors 171, 172, 175a, and 175b are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof. It may have a multilayer film structure composed of a film (not shown). Examples of the multilayer film structure include a double film of chromium or molybdenum (alloy) lower film and an aluminum (alloy) upper film, a triple layer of molybdenum (alloy) lower film, aluminum (alloy) interlayer and molybdenum (alloy) upper film. However, the data conductors 171, 172, 175a, and 175b may be made of various other metals or conductors.

게이트 도전체(121, 124b)와 마찬가지로 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 약 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.Like the gate conductors 121 and 124b, the data conductors 171, 172, 175a and 175b also preferably have their side surfaces inclined at an inclination angle of about 30 ° to 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 그 아래의 반도체(154a, 154b)와 그 위의 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154a, 154b)는 입력 전극(173a, 173b)과 출력 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)로 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있다.The ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b exist only between the semiconductors 154a and 154b below and the data conductors 171, 172, 175a, and 175b thereon, thereby lowering the contact resistance. The semiconductors 154a and 154b have portions exposed between the input electrodes 173a and 173b and the output electrodes 175a and 175b and not covered by the data conductors 171, 172, 175a and 175b.

데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소(SiNx)나 산화규소(SiOx) 따위의 무기 절연물, 유기 절연물, 저유전율 절연물 따위로 만들어진다. 유기 절연물과 저유전율 절연물의 유전 상수는 4.0 이하인 것이 바람직하며 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등이 그 예이다. 유기 절연물 중 감광성(photosensitivity)을 가지는 것으로 보호막(180)을 만들 수도 있으며, 보호막(180)의 표면은 평탄할 수 있다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(154a, 154b) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.A passivation layer 180 is formed on the data conductors 171, 172, 175a, and 175b and the exposed portions of the semiconductors 154a and 154b. The passivation layer 180 is made of an inorganic insulator such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), an organic insulator, or a low dielectric insulator. The dielectric constant of the organic insulator and the low dielectric insulator is preferably 4.0 or less, for example, a-Si: C: O, a-Si: O: F, etc. formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). to be. The passivation layer 180 may be formed by having photosensitivity among the organic insulators, and the surface of the passivation layer 180 may be flat. However, the passivation layer 180 may have a double layer structure of the lower inorganic layer and the upper organic layer so as not to damage the exposed portions of the semiconductors 154a and 154b while maintaining excellent insulating properties of the organic layer.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 제1 및 제2 출력 전극(175b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(182, 185a, 185b)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 제2 입력 전극(124b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(181, 184)이 형성되어 있다.The passivation layer 180 is formed with a plurality of contact holes 182, 185a, and 185b exposing the end portion 179 of the data line 171 and the first and second output electrodes 175b, respectively. The gate insulating layer 140 has a plurality of contact holes 181 and 184 exposing the end portion 129 of the gate line 121 and the second input electrode 124b, respectively.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 연결 부재(connecting member)(85) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of pixel electrodes 191, a plurality of connecting members 85, and a plurality of contact assistants 81 and 82 are formed on the passivation layer 180. These may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver or an alloy thereof.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)을 통하여 제2 출력 전극(175b)과 물리적·전기적으로 연결되어 있으며, 연결 부재(85)는 접촉 구멍(184, 185a)을 통하여 제2 제어 전극(124b) 및 제1 출력 전극(175a)과 연결되어 있다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the second output electrode 175b through the contact hole 185b, and the connection member 85 is connected to the second control electrode 124b through the contact holes 184 and 185a. ) And the first output electrode 175a.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(179, 129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portions 179 and 129 of the data line 171 and the gate line 121 and the external device.

보호막(180) 위에는 격벽(partition)(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어진다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(361)은 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다.A partition 361 is formed on the passivation layer 180. The partition 361 surrounds the edge of the pixel electrode 191 like a bank to define an opening 365 and is made of an organic insulator or an inorganic insulator. The partition 361 may also be made of a photosensitizer including a black pigment, in which case the partition 361 serves as a light blocking member and the forming process is simple.

격벽(361)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365) 내에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다. 유기 발광 부재(370)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어진다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 부재(370)들이 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.An organic light emitting member 370 is formed in the opening 365 on the pixel electrode 191 defined by the partition 361. The organic light emitting member 370 is made of an organic material that uniquely emits light of any one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue. The organic light emitting diode display displays a desired image by using a spatial sum of the primary color light emitted by the organic light emitting members 370.

유기 발광 부재(370)는 빛을 내는 발광층(emitting layer)(도시하지 않음) 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)(도시하지 않음)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer)(도시하지 않음) 및 정공 수송층(hole transport layer)(도시하지 않음)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injecting layer)(도시하지 않음) 및 정공 주입층(hole injecting layer)(도시하지 않음) 등이 있다.The organic light emitting member 370 may have a multilayer structure including an auxiliary layer (not shown) for improving the light emitting efficiency of the light emitting layer in addition to the light emitting layer (not shown) for emitting light. The auxiliary layer includes an electron transport layer (not shown) and a hole transport layer (not shown) for balancing electrons and holes, and an electron injection layer for enhancing the injection of electrons and holes ( electron injecting layers (not shown) and hole injecting layers (not shown).

유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 공통 전압(Vss)을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 금속 또는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어진다.The common electrode 270 is formed on the organic light emitting member 370. The common electrode 270 receives a common voltage Vss and is made of a reflective metal including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum, silver, or the like, or a transparent conductive material such as ITO or IZO. .

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 게이트선(121)에 연결되어 있는 제1 제어 전극(124a), 데이터선(171)에 연결되어 있는 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)은 제1 반도체(154a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널(channel)은 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a) 사이의 제1 반도체(154a)에 형성된다. 제1 출력 전극(175a)에 연결되어 있는 제2 제어 전극(124b), 구동 전압선(172)에 연결되어 있는 제2 입력 전극(173b) 및 화소 전극(191)에 연결되어 있는 제2 출력 전극(175b)은 제2 반도체(154b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b) 사이의 제2 반도체(154b)에 형성된다. In the organic light emitting diode display, the first control electrode 124a connected to the gate line 121, the first input electrode 173a and the first output electrode 175a connected to the data line 171 may be formed. 1 together with the semiconductor 154a, a switching TFT Qs is formed, and a channel of the switching TFT Qs is formed between the first input electrode 173a and the first output electrode 175a. 1 is formed in the semiconductor 154a. The second control electrode 124b connected to the first output electrode 175a, the second input electrode 173b connected to the driving voltage line 172, and the second output electrode connected to the pixel electrode 191 ( 175b forms a driving TFT Qd together with the second semiconductor 154b, and a channel of the driving TFT Qd is formed between the second input electrode 173b and the second output electrode 175b. It is formed in the second semiconductor 154b.

그런데, 도 3에 도시한 바와 같이, 그리고 앞서 설명한 것처럼 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널 길이, 즉, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 입력 전극(173b)과 출력 전극(175b)의 마주보는 두 변 사이의 길이는 가장자리에서 길어진다. 여기서, 제2 입력 전극(173b) 및 제2 출력 전극(175b)의 마주보는 두 변은 끝 부분에서 곡선이지만 선형, 계단형 등의 다양한 모양으로 만들어질 수도 있다. 이와 같이 하면 채널 가장자리에서의 전류 집중이 줄어든다. 이와 같은 구조는 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)에도 적용할 수 있다. However, as shown in FIG. 3 and as described above, the channel length of the driving thin film transistor Qd, that is, between two opposite sides of the input electrode 173b and the output electrode 175b of the driving thin film transistor Qd. The length of is longer at the edge. Here, two opposite sides of the second input electrode 173b and the second output electrode 175b are curved at the ends but may be made in various shapes such as linear and stepped. This reduces current concentration at the channel edges. This structure can also be applied to the switching thin film transistor Qs.

화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. 서로 중첩하는 유지 전극(127)과 구동 전압선(172)은 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 이룬다.The pixel electrode 191, the organic light emitting member 370, and the common electrode 270 form an organic light emitting diode LD, and the pixel electrode 191 is an anode and the common electrode 270 is a cathode. Alternatively, the pixel electrode 191 becomes a cathode and the common electrode 270 becomes an anode. The storage electrode 127 and the driving voltage line 172 overlapping each other form a storage capacitor Cst.

화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. 서로 중첩하는 유지 전극(127)과 구동 전압선(172)은 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 이룬다.The pixel electrode 191, the organic light emitting member 370, and the common electrode 270 form an organic light emitting diode LD, and the pixel electrode 191 is an anode and the common electrode 270 is a cathode. Alternatively, the pixel electrode 191 becomes a cathode and the common electrode 270 becomes an anode. The storage electrode 127 and the driving voltage line 172 overlapping each other form a storage capacitor Cst.

이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 위쪽 또는 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시한다. 불투명한 화소 전극(191)과 투명한 공통 전극(270)은 기판(110)의 위쪽 방향으로 영상을 표시하는 전면 발광(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치에 적용하며, 투명한 화소 전극(191)과 불투명한 공통 전극(270)은 기판(110)의 아래 방향으로 영상을 표시하는 배면 발광(bottom emission) 방식의 유기 발광 표시 장치에 적용한다.The organic light emitting diode display emits light toward the top or the bottom of the substrate 110 to display an image. The opaque pixel electrode 191 and the transparent common electrode 270 are applied to a top emission type organic light emitting display device that displays an image in an upward direction of the substrate 110. The opaque common electrode 270 is applied to a bottom emission organic light emitting display device that displays an image in a downward direction of the substrate 110.

한편, 반도체(154a, 154b)가 다결정 규소인 경우에는, 제어 전극(124a, 124b)과 마주보는 진성 영역(intrinsic region)(도시하지 않음)과 그 양쪽에 위치한 불순물 영역(extrinsic region)(도시하지 않음)을 포함한다. 불순물 영역은 입력 전극(173a, 173b) 및 출력 전극(175a, 175b)과 전기적으로 연결되며, 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 생략할 수 있다.On the other hand, when the semiconductors 154a and 154b are polycrystalline silicon, an intrinsic region (not shown) facing the control electrodes 124a and 124b and an impurity region (extrinsic region) located at both sides thereof are not shown. Not included). The impurity region is electrically connected to the input electrodes 173a and 173b and the output electrodes 175a and 175b, and the ohmic contacts 163a, 163b, 165a and 165b may be omitted.

또한, 제어 전극(124a, 124b)을 반도체(154a, 154b) 위에 둘 수 있으며 이때에도 게이트 절연막(140)은 반도체(154a, 154b)와 제어 전극(124a, 124b) 사이에 위치한다. 이때, 데이터 도전체(171, 172, 173b, 175b)는 게이트 절연막(140) 위에 위치하고 게이트 절연막(140)에 뚫린 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 반도체(154a, 154b)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와는 달리 데이터 도전체(171, 172, 173b, 175b)가 반도체(154a, 154b) 아래에 위치하여 그 위의 반도체(154a, 154b)와 전기적으로 접촉할 수 있다.In addition, the control electrodes 124a and 124b may be disposed on the semiconductors 154a and 154b, and the gate insulating layer 140 may be positioned between the semiconductors 154a and 154b and the control electrodes 124a and 124b. In this case, the data conductors 171, 172, 173b, and 175b may be disposed on the gate insulating layer 140 and may be electrically connected to the semiconductors 154a and 154b through contact holes (not shown) bored in the gate insulating layer 140. . Alternatively, the data conductors 171, 172, 173b, and 175b may be positioned under the semiconductors 154a and 154b to be in electrical contact with the semiconductors 154a and 154b thereon.

도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조의 다른 예에 대하여 도 6 내지 도 8을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Another example of the detailed structure of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 8.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 7은 도 6의 유기 발광 표시 장치를 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 8은 도 7의 B 부분을 확대하여 도시한 도면이다.6 is a layout view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 6 taken along a line VII-VII. FIG. 8 is a portion B of FIG. 7. Figure is an enlarged view.

도 6 및 도 7을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 층상 구조는 도 4 내지 6에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 층상 구조와 거의 동일하다.6 and 7, the layer structure of the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment is substantially the same as the layer structure of the thin film transistor array panel shown in FIGS. 4 to 6.

제1 제어 전극(124a)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 제2 제어 전극(124b)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에는 게이트 절연막(140), 제1 및 제2 섬형 반도체(154a, 154b), 그리고 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)가 차례로 형성되어 있다.A plurality of gate conductors 121 including the first control electrode 124a and a plurality of gate conductors including the plurality of second control electrodes 124b are formed on the substrate 110, and the gate insulating layer 140 is disposed thereon. ), The first and second island-like semiconductors 154a and 154b, and the ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b are sequentially formed.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 제1 입력 전극(173a)을 포함하는 복수의 데이터선(171), 제2 입력 전극(173b)을 포함하는 복수의 구동 전압선(172) 및 복수의 제1 및 제2 출력 전극 (175a, 175b)을 포함하는 복수의 데이터 도전체가 형성되어 있고, 그 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)은 접촉 구멍(181)을 가지고 보호막(180)은 복수의 접촉 구멍(182, 184, 185a, 185b)을 가진다. 보호막(180) 위에는 화소 전극(191), 연결 부재 (85) 및 접촉 보조 부재 (81, 82)가 형성되어 있고, 그 위에는 개구부(365)를 가지는 격벽(361)이 형성되어 있다. 개구부 (365) 및 격벽(361)에는 유기 발광 부재(370)와 공통 전극(270)이 형성되어 있다. A plurality of driving devices including a plurality of data lines 171 including a first input electrode 173a and a second input electrode 173b on the ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b and the gate insulating layer 140. A plurality of data conductors including a voltage line 172 and a plurality of first and second output electrodes 175a and 175b are formed, and a passivation layer 180 is formed thereon. The passivation layer 180 and the gate insulating layer 140 have contact holes 181, and the passivation layer 180 has a plurality of contact holes 182, 184, 185a, and 185b. The pixel electrode 191, the connection member 85, and the contact auxiliary members 81 and 82 are formed on the passivation layer 180, and a partition 361 having an opening 365 is formed thereon. The organic light emitting member 370 and the common electrode 270 are formed in the opening 365 and the partition 361.

그러나, 도 2 내지 도 5의 유기 발광 표시 장치와는 달리, 제1 입력 전극(173a)은 게이트 전극(124a)과 중첩하는 데이터선(171) 일부와 게이트선(121)과 중첩하며 구동 전압선(172)을 향하여 뻗어 있는 부분을 포함한다. 따라서, 제1 출력 전극(175a)의 두 변이 제1 입력 전극(173a)과 마주본다.However, unlike the organic light emitting diode display of FIGS. 2 to 5, the first input electrode 173a overlaps the portion of the data line 171 overlapping the gate electrode 124a and the gate line 121 and the driving voltage line ( 172 extending toward. Therefore, two sides of the first output electrode 175a face the first input electrode 173a.

제2 제어 전극(124b)은 매우 크며, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)의 마주 보는 변 및 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널의 형태가 다르다.The second control electrode 124b is very large, and the sides of the second input electrode 173b and the second output electrode 175b and the channel of the driving thin film transistor Qd are different.

서로 마주 보는 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b) 사이에 노출된 반도체(154b) 부분, 즉 채널은 사행(蛇行)이다. 도 8을 참고하면 사행의 채널에서 채널 길이는 직선인 부분에서는 서로 마주 보고 있는 제2 입력 전극(173b)의 변과 제2 출력 전극(175b)의 변 사이의 거리(L1)이고, 곡선인 부분에서는 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)의 변에 대한 평행한 접선 사이의 간격(L2)이 된다. 채널 길이는 대부분의 곳에서 일정하지만 제2 반도체(154b)와의 교차점 부근에서 커진다.A portion of the semiconductor 154b exposed between the second input electrode 173b and the second output electrode 175b facing each other, that is, the channel, is meandering. Referring to FIG. 8, in a meandering channel, the channel length is a distance L1 between the sides of the second input electrode 173b and the sides of the second output electrode 175b facing each other in a straight portion, and the curved portion. In this case, the distance L2 between the parallel tangent lines on the sides of the second input electrode 173b and the second output electrode 175b is obtained. The channel length is constant in most places but increases near the intersection with the second semiconductor 154b.

또한, 연결 부재(85)는 아래 방향으로 뻗다가 오른 쪽으로 잠시 방향을 바꾸었다가 위로 길게 뻗은 유지 전극(storage electrode)(87)을 포함한다. 여기서, 유지 전극(87)은 구동 전압선(172)과 중첩되어 있다.In addition, the connection member 85 includes a storage electrode 87 extending downward and briefly changing to the right and extending upward. Here, the sustain electrode 87 overlaps the driving voltage line 172.

또한, 복수의 섬형 반도체(156)가 게이트선(121)과 구동 전압선(172)이 교차하는 부분에 형성되어 있다. 섬형 반도체(156)는 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 구동 전압선(172)의 단선을 방지한다. In addition, a plurality of island-like semiconductors 156 are formed at portions where the gate line 121 and the driving voltage line 172 cross each other. The island type semiconductor 156 prevents disconnection of the driving voltage line 172 by smoothing the surface profile.

도 9 및 도 10은 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 다른 예들을 보여주는 배치도이다.9 and 10 are layout views illustrating other examples of the driving thin film transistor Qd.

도 9에 도시한 제2 출력 전극(175b)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 가지고 있다. 이때, 막대형인 다른 쪽 끝 부분은 구부러진 제2 입력 전극(173b)으로 둘러싸여 있다. 여기서, 반도체(154b)는 제2 입력 전극 (173b)의 면적보다 넓고, 제2 입력 전극(173b)은 U자형이다.The second output electrode 175b shown in FIG. 9 extends in the vertical direction and has the other end portion that is rod-shaped. At this time, the other end portion having a rod shape is surrounded by the bent second input electrode 173b. Here, the semiconductor 154b is wider than the area of the second input electrode 173b, and the second input electrode 173b is U-shaped.

도 10에 도시한 제2 출력 전극(175b)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 가지고 있다. 이때, 막대형인 다른 쪽 끝 부분은 구부러진 제2 입력 전극(173b)으로 둘러싸여 있다. 여기서, 반도체(154b)는 제2 입력 전극(173b)보다 넓고, 제2 입력 전극(173b)은 J자형이다.The second output electrode 175b shown in FIG. 10 extends in the vertical direction and has the other end portion that is rod-shaped. At this time, the other end portion having a rod shape is surrounded by the bent second input electrode 173b. Here, the semiconductor 154b is wider than the second input electrode 173b, and the second input electrode 173b is J-shaped.

도 9 및 도 10에서, 입력 전극(173b)과 출력 전극(175b)의 마주보는 두 변 사이의 길이, 즉 채널 길이는 입력 전극(173b)의 끝 부분에서 길어진다. 도면에서 제2 입력 전극(173b)의 끝 부분은 둥근 모양이지만 계단형, 선형 등의 다양한 모양으로 만들어질 수 있다.9 and 10, the length between two opposite sides of the input electrode 173b and the output electrode 175b, that is, the channel length, is longer at the end of the input electrode 173b. In the drawing, the end portion of the second input electrode 173b is round in shape, but may be made in various shapes such as stepped and linear.

도 9 및 도 10에 도시한 것처럼, 가장자리의 채널 길이를 길게 하면 가장자리에서의 전류 집중이 줄어들 수 있다. 이와 같은 구조는 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)에도 적용할 수 있다.As shown in Figs. 9 and 10, increasing the channel length of the edge can reduce current concentration at the edge. This structure can also be applied to the switching thin film transistor Qs.

도 9 및 도 10에 도시한 구동 박막 트랜지스터(Qd)는 도 2 내지 도 8에 도시한 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.The driving thin film transistor Qd illustrated in FIGS. 9 and 10 may be applied to the organic light emitting diode display illustrated in FIGS. 2 to 8.

본 발명에 따르면, 박막 트랜지스터의 입력 전극과 출력 전극의 마주보는 두 변 사이의 길이, 즉 채널 길이가 중앙 부근에서는 일정하고 끝 부분에서는 커지게 함으로써 전류가 집중되는 끝 부분의 채널 저항을 크게하여 전류 집중을 줄일 수 있다. 이에 따라, 박막 트랜지스터의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the present invention, the length between the two opposite sides of the input electrode and the output electrode of the thin film transistor, that is, the channel length is constant near the center and large at the end, thereby increasing the channel resistance at the end where the current is concentrated. Reduced concentration Accordingly, the reliability of the thin film transistor may be improved.

또한, 표시 장치의 열화 현상을 효과적으로 줄일 수 있다.In addition, the degradation of the display device can be effectively reduced.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Although preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of the invention.

Claims (7)

기판,Board, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제어 전극,A control electrode formed on the substrate, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제어 전극을 중심으로 서로 분리되어 있는 입력 전극 및 출력 전극,An input electrode and an output electrode formed on the substrate and separated from each other with respect to the control electrode; 상기 입력 전극 및 상기 출력 전극과 접촉하는 반도체, 그리고A semiconductor in contact with the input electrode and the output electrode, and 상기 제어 전극과 상기 반도체 사이에 끼어 있는 절연막An insulating film interposed between the control electrode and the semiconductor 을 포함하며,Including; 상기 입력 전극과 상기 출력 전극의 거리는 위치에 따라 다른The distance between the input electrode and the output electrode is different depending on the position 표시 장치. Display device. 제1항에서, In claim 1, 상기 입력 전극과 상기 출력 전극 사이의 거리는 가장자리에서 멀고 중앙 부분에서는 일정한 유기 발광 표시 장치.The distance between the input electrode and the output electrode is far from the edge and constant in the center portion. 제1항에서, In claim 1, 상기 입력 전극과 상기 출력 전극의 마주보는 두 변은 가장자리에서 둥근 표시 장치.Two opposite sides of the input electrode and the output electrode are rounded at an edge. 제1항에서, In claim 1, 상기 반도체는 비정질 규소를 포함하는 표시 장치.The semiconductor device includes amorphous silicon. 제1항에서, In claim 1, 상기 입력 전극이 구부러져 있는 표시 장치.The display device is bent the input electrode. 제1항에서, In claim 1, 상기 출력 전극과 상기 입력 전극의 마주보는 변이 사행(蛇行)인 표시 장치.And a side facing the output electrode and the input electrode is meandering. 제1항에서, In claim 1, 상기 출력 전극과 연결되어 있는 화소 전극,A pixel electrode connected to the output electrode, 상기 화소 전극과 마주보는 공통 전극, 그리고A common electrode facing the pixel electrode, and 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 끼어 있는 유기 발광 부재An organic light emitting member interposed between the pixel electrode and the common electrode 를 더 포함하는 표시 장치.Display device further comprising.
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