KR20060113305A - Clock buffer in delay locked loop - Google Patents

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KR20060113305A KR1020050036600A KR20050036600A KR20060113305A KR 20060113305 A KR20060113305 A KR 20060113305A KR 1020050036600 A KR1020050036600 A KR 1020050036600A KR 20050036600 A KR20050036600 A KR 20050036600A KR 20060113305 A KR20060113305 A KR 20060113305A
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Abstract

A clock buffer of a delay locked loop(DLL) is provided to secure operation stability of the DLL by preventing abnormal pulsing of a DLL internal clock. A detection part compares a positive external clock with a negative external clock in response to a buffer enable signal. A latch part latches a clock enable signal in response to an output clock of the detection part. A logic assembly part performs logic assembly of the output clock of the detection part and an output signal of the latch part. The latch part comprises a D-flip flop.

Description

지연고정루프의 클럭 버퍼{CLOCK BUFFER IN DELAY LOCKED LOOP}Clock buffer of delay lock loop {CLOCK BUFFER IN DELAY LOCKED LOOP}

도 1은 종래기술에 따른 DDR SDRAM의 레지스터 제어 DLL의 블록 다이어그램.1 is a block diagram of a register control DLL of a DDR SDRAM according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 DLL의 클럭 버퍼의 회로도.2 is a circuit diagram of a clock buffer of a DLL according to the prior art.

도 3은 상기 도 2의 클럭 버퍼의 타이밍 다이어그램.3 is a timing diagram of the clock buffer of FIG.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 버퍼의 회로도.4 is a circuit diagram of a clock buffer according to an embodiment of the present invention.

도 5는 상기 도 4의 클럭 버퍼의 타이밍 다이어그램.5 is a timing diagram of the clock buffer of FIG.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

D F/F: D-플립플롭D F / F: D-Flip Flop

cock: DLL 내부클럭cock: DLL internal clock

본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 동기식 반도체 메모리 소자에 적용되는 지연고정루프(delay locked loop, DLL)의 클럭 버퍼에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor design techniques, and more particularly to a clock buffer of a delay locked loop (DLL) applied to a synchronous semiconductor memory device.

최근의 반도체 메모리 분야의 주된 이슈는 집적도에서 동작 속도로 변모하고 있다. 이에 따라 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM), RAMBUS DRAM 등의 고속 동기식 메모리가 반도체 메모리 분야의 새로운 화두로 떠오르고 있다.The main issue in the recent semiconductor memory field is changing from integration to operating speed. As a result, high-speed synchronous memories such as DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous DRAM) and RAMBUS DRAM are emerging as new topics in the semiconductor memory field.

동기식 메모리는 외부의 시스템 클럭에 동기되어 동작하는 메모리를 말하며, DRAM 중에서는 현재 양산 메모리 시장의 주류를 이루고 있는 SDRAM이 이에 속한다. SDRAM은 입/출력 동작을 클럭의 라이징 에지(rising edge)에 동기시켜 매 클럭마다 한번의 데이터 액세스를 수행하게 된다. 한편, DDR SDRAM 등의 고속 동기식 메모리는 클럭의 라이징 에지 뿐만 아니라, 폴링 에지(falling edge)에도 입/출력 동작이 동기되어 매 클럭마다 두번의 데이터 액세스가 가능하다.Synchronous memory refers to a memory that operates in synchronization with an external system clock. Among the DRAMs, SDRAM is the mainstream of the mass production memory market. The SDRAM performs one data access every clock by synchronizing input / output operations to the rising edge of the clock. On the other hand, high-speed synchronous memory such as DDR SDRAM is synchronized not only to the rising edge of the clock, but also to the falling edge (falling edge) input / output operation is possible to access the data twice every clock.

통상적으로, 반도체 메모리를 비롯한 각종 시스템이나 회로에서 클럭은 동작 타이밍을 맞추기 위한 레퍼런스로 사용되고 있으며, 에러(error)없이 보다 빠른 동작을 보장하기 위해서 사용되기도 한다.In general, a clock is used as a reference for timing operation in various systems or circuits including a semiconductor memory, and may be used to ensure faster operation without an error.

외부로부터 입력되는 클럭이 내부 회로에서 사용될 때 내부 회로에 의한 시간 지연(클럭 스큐)이 불가피하게 발생하게 되는데, 이러한 클럭 스큐를 보상하기 위하여 PLL, DLL 등의 클럭 동기화 회로가 널리 사용되고 있다.When a clock input from the outside is used in the internal circuit, a time delay (clock skew) caused by the internal circuit is inevitably generated. In order to compensate for this clock skew, clock synchronization circuits such as PLL and DLL are widely used.

한편, DLL은 기존에 사용되어 온 위상고정루프(Phase Locked Loop, PLL)에 비해 잡음의 영향을 덜 받는 장점이 있어 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM)을 비롯한 동기식 반도체 메모리에서 널리 사용되고 있다. 동기식 반도체 메모리 소자에서 DLL은 기본적으로 외부 클럭을 받아서 클럭 경로의 지연 성분을 보상하여 미리 네거티브 지연을 반영함으로써 데이터의 출력이 외부 클럭과 동기되도 록 해주는 기능을 갖는다.On the other hand, DLL is less noise-affected than the conventional phase locked loop (PLL) has been widely used in synchronous semiconductor memory, including DDR Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). In a synchronous semiconductor memory device, the DLL basically receives an external clock to compensate for the delay component of the clock path and reflects the negative delay in advance so that the output of the data is synchronized with the external clock.

첨부된 도면 도 1은 종래기술에 따른 DDR SDRAM의 레지스터 제어 DLL의 블록 다이어그램이다.1 is a block diagram of a register control DLL of a DDR SDRAM according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 DDR SDRAM의 레지스터 제어 DLL은, 반전 외부 클럭(/clk)을 입력으로 하여 외부 클럭(clk)의 폴링 에지에 동기된 내부 클럭(fall_clk)을 생성하기 위한 제1 클럭 버퍼(11)와, 외부 클럭(clk)을 입력으로 하여 외부 클럭(clk)의 라이징 에지에 동기된 내부 클럭(rise_clk)을 생성하기 위한 제2 클럭 버퍼(12)와, 외부 클럭(clk)의 라이징 에지에 동기된 내부 클럭(rise_clk)을 1/n(n은 양의 정수이며, 통상적으로 n=8)로 분주하여 지연 모니터링 클럭(dly_in) 및 기준 클럭(ref)을 출력하는 클럭 분주기(13)와, 외부 클럭(clk)의 폴링 에지에 동기된 내부 클럭(fall_clk)을 입력으로 하는 제1 지연 라인(14)과, 외부 클럭(clk)의 라이징 에지에 동기된 내부 클럭(rise_clk)을 입력으로 하는 제2 지연 라인(15)과, 지연 모니터링 클럭(dly_in)을 입력으로 하는 제3 지연 라인(16)과, 제1, 제2 제3 지연라인(14, 15, 16)의 지연량을 결정하기 위한 쉬프트 레지스터(17)와, 제1 지연 라인(14)의 출력(ifclk)을 구동하여 DLL 클럭(fclk_dll)을 생성하기 위한 제1 DLL 드라이버(20)와, 제2 지연 라인(15)의 출력(irclk)을 구동하여 DLL 클럭(rclk_dll)을 생성하기 위한 제2 DLL 드라이버(21)와, 제3 지연 라인(16)의 출력(feedback_dly)을 입력으로 하여 클럭(feedback_dly)이 실제 클럭 경로와 동일한 지연 조건을 거치도록 구성된 지연 모델(22)과, 지연 모델(22)의 출력(feedback)과 기준 클럭(ref)의 위상을 비교하기 위한 위상 비교기(19)와, 위상 비 교기(19)로부터 출력된 비교신호(ctrl)에 응답하여 쉬프트 레지스터(17)의 쉬프트 방향을 제어하기 위한 쉬프트 제어신호(SR, SL)를 출력하기 위한 쉬프트 제어기(18)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a register control DLL of a DDR SDRAM according to the related art is configured to generate an internal clock (fall_clk) synchronized with a falling edge of an external clock (clk) by using an inverted external clock (/ clk) as an input. The second clock buffer 12 and the external clock clk for generating the internal clock rise_clk synchronized with the rising edge of the external clock clk using the first clock buffer 11, the external clock clk as an input. Clock clock that outputs delayed clock clock (dly_in) and reference clock (ref) by dividing the internal clock (rise_clk) synchronized to the rising edge of 1) by 1 / n (n is a positive integer, typically n = 8). The first delay line 14 which receives the period 13, the internal clock fall_clk synchronized to the falling edge of the external clock clk, and the internal clock rise_clk synchronized to the rising edge of the external clock clk. 2nd delay line 15 which takes an input as an input, and a 3rd delay line which inputs the delay monitoring clock dly_in as an input. 6), a shift register 17 for determining the delay amount of the first and second third delay lines 14, 15, and 16, and an output ifclk of the first delay line 14 to drive the DLL. A first DLL driver 20 for generating a clock fclk_dll, a second DLL driver 21 for generating a DLL clock rclk_dll by driving an output irclk of the second delay line 15, A delay model 22 configured to receive the output of the third delay line 16 as the input (feedback_dly), and to have the clock (feedback_dly) pass through the same delay condition as the actual clock path, and the output of the delay model 22 and A shift control signal for controlling the shift direction of the shift register 17 in response to the phase comparator 19 for comparing the phases of the reference clock ref and the comparison signal ctrl output from the phase comparator 19. A shift controller 18 for outputting (SR, SL) is provided.

여기서, 지연 모델(22)은 더미 클럭 버퍼, 더미 출력 버퍼 및 더미 로드를 포함하며, 복제회로(replica circuit)라고도 불리운다.The delay model 22 here includes a dummy clock buffer, a dummy output buffer and a dummy load, also called a replica circuit.

이하, 상기와 같이 구성된 종래의 레지스터 제어 DLL의 동작을 살펴본다.Hereinafter, the operation of the conventional register control DLL configured as described above will be described.

우선, 제1 클럭 버퍼(11)는 외부 클럭(clk)의 폴링 에지를 받아 동기된 내부 클럭(fall_clk)을 발생시키고, 제2 클럭 버퍼(12)는 외부 클럭(clk)의 라이징 에지를 받아서 내부 클럭(rise_clk)을 발생시킨다. 클럭 분주기(13)는 외부 클럭(clk)의 라이징 에지에 동기된 내부 클럭(rise_clk)을 1/n 분주하여 외부 클럭(clk)과 n번째 클럭마다 한번씩 동기되는 클럭(ref, dly_in)을 만든다.First, the first clock buffer 11 receives the falling edge of the external clock clk to generate a synchronized internal clock fall_clk, and the second clock buffer 12 receives the rising edge of the external clock clk and receives the internal clock. Generate a clock (rise_clk). The clock divider 13 divides the internal clock rise_clk synchronized to the rising edge of the external clock clk by 1 / n to generate a clock (ref, dly_in) that is synchronized with the external clock clk once every nth clock. .

초기 동작시, 지연 모니터링 클럭(dly_in)은 제3 지연 라인(16)의 단위 지연소자 하나만을 통과하여 feedback_dly 클럭으로 출력되고, 이 클럭은 다시 지연 모델(22)를 거치면서 feedback 클럭으로 지연되어 출력된다.In the initial operation, the delay monitoring clock dly_in passes through only one unit delay element of the third delay line 16 and is output as a feedback_dly clock. The clock is delayed and output as a feedback clock while passing through the delay model 22 again. do.

한편, 위상 비교기(19)는 기준 클럭인 기준 클럭(ref)의 라이징 에지와 feedback 클럭의 라이징 에지를 비교하여 비교신호(ctrl)를 생성하고, 쉬프트 제어기(18)는 비교신호(ctrl)에 응답하여 쉬프트 레지스터(17)의 쉬프트 방향을 제어하기 위한 쉬프트 제어신호(SR, SL)를 출력한다. 쉬프트 레지스터(17)는 쉬프트 제어신호(SR, SL)에 응답하여 제1, 제2 및 제3 지연 라인(14, 15, 16)의 지연량을 결정한다. 이때, SR(shift right)이 입력되면 레지스터를 왼쪽으로 이동시키고, SL(shift left)가 입력되면 레지스터를 오른쪽으로 이동시킨다. 이후, 지연량이 제어된 feedback 클럭과 기준 클럭(ref)을 비교해 나가면서 두 클럭이 최소의 지터(jitter)를 가지는 순간에 지연고정(locking)이 이루어지게 되고, 이때 제1 및 제2 DLL 드라이버(20, 21)에서 출력되는 DLL 클럭(fclk_dll, rclk_dll)은 외부 클럭(clk)과 동일한 위상을 갖는다.Meanwhile, the phase comparator 19 compares the rising edge of the reference clock ref, which is a reference clock, with the rising edge of the feedback clock, to generate a comparison signal ctrl, and the shift controller 18 responds to the comparison signal ctrl. To output shift control signals SR and SL for controlling the shift direction of the shift register 17. The shift register 17 determines the delay amounts of the first, second and third delay lines 14, 15, and 16 in response to the shift control signals SR and SL. At this time, if a shift right (SR) is input, the register is shifted to the left, and if a shift left (SL) is input, the register is shifted to the right. Subsequently, as the delay amount is compared with the controlled feedback clock and the reference clock ref, delay locking is performed at the moment when the two clocks have the minimum jitter, and the first and second DLL drivers ( The DLL clocks fclk_dll and rclk_dll output from 20 and 21 have the same phase as the external clock clk.

도 2는 종래기술에 따른 DLL의 클럭 버퍼의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a clock buffer of a DLL according to the prior art.

도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 DLL의 클럭 버퍼는, 버퍼 인에이블신호(enable)에 응답하여 정 외부클럭(eclk)과 부 외부클럭(eclkb)을 비교하기 위한 검출부(NMOS 타입 차동증폭 회로로 구현됨)와, 검출부의 출력신호를 입력으로 하는 인버터(INV1)와, 인버터(INV1)의 출력클럭(clock1)을 입력으로 하는 인버터(INV2)와, 인버터(INV2)의 출력클럭을 입력으로 하는 인버터(INV3)와, 인버터(INV1)의 출력클럭(clock1)에 제어받아 클럭 인에이블신호(Clk_enb)를 선택적으로 출력하기 위한 트랜스미션 게이트(TG1)와, 트랜스미션 게이트(TG1)의 출력신호를 입력으로 하는 인버터(INV5)와, 인버터(INV3)의 출력클럭(clockb) 및 인버터(INV5)의 출력신호(Clk_en)를 입력으로 하여 DLL 내부클럭(clock)를 출력하기 위한 낸드게이트(NAND1)를 구비한다.Referring to FIG. 2, a clock buffer of a DLL according to the related art includes a detector (NMOS type differential amplifier circuit) for comparing a positive external clock eclk and a negative external clock eclkb in response to a buffer enable signal. And the output signal of the inverter INV2 and the output clock of the inverter INV2. The inverter INV1 inputs the output signal of the detector and the output clock clock1 of the inverter INV1. A transmission gate TG1 for selectively outputting the clock enable signal Clk_enb under the control of the inverter INV3, the output clock clock1 of the inverter INV1, and an output signal of the transmission gate TG1. And a NAND gate NAND1 for outputting an internal clock of the DLL by inputting the inverter INV5, the output clock clockb of the inverter INV3, and the output signal Clk_en of the inverter INV5. do.

도 3은 상기 도 2의 클럭 버퍼의 타이밍 다이어그램으로서, 이하 이를 참조하여 설명한다.3 is a timing diagram of the clock buffer of FIG. 2, which will be described below with reference to the diagram.

상기 도 2에 도시된 DLL의 클럭 버퍼를 살펴보면, 파워다운 모드를 주관하는 클럭 인에이블신호(Clk_enb)가 트랜스미션 게이트(TG1)를 통해 입력됨을 알 수 있 다. 이는 클럭의 토글링에 의한 불필요한 전류 소모를 줄위기 위한 것이다. 그리고, 인버터(INV5)를 통과한 클럭 인에이블신호(Clk_en)는 인버터(INV3)의 출력클럭(clockb)과 조합되어 DLL 내부클럭(clock)을 생성하고 있다.Referring to the clock buffer of the DLL illustrated in FIG. 2, it can be seen that the clock enable signal Clk_enb, which controls the power down mode, is input through the transmission gate TG1. This is to reduce unnecessary current consumption by toggling the clock. The clock enable signal Clk_en passing through the inverter INV5 is combined with the output clock clockb of the inverter INV3 to generate an internal clock of the DLL.

한편, 클럭 인에이블신호(Clk_enb)는 클럭 에지에 동기되는 동기 파라메터가 아닌 비동기 파라미터이다. 따라서, 도 3의 파워다운 모드 탈출 시점에서 인버터(INV3)의 출력클럭(clockb) 및 인버터(INV5)의 출력신호(Clk_en)가 만난다면, 낸드게이트(NAND1)로부터 출력되는 DLL 내부클럭(clock)에 비정상적인 펄스가 발생할 수 있다. 'a'는 클럭신호 clock1의 폴링 에지로부터 인버터(INV5)를 통과한 클럭 인에이블신호(Clk_en)의 라이징 에지까지의 딜레이를, 'b'는 클럭신호 clock1의 폴링 에지로부터 클럭신호 clockb의 폴링 에지까지의 딜레이를 각각 나타낸 것으로, 'a'〈 'b'의 관계가 성립되어 비정상적인 펄싱이 유발되는 것이다.On the other hand, the clock enable signal Clk_enb is an asynchronous parameter rather than a synchronous parameter synchronized with the clock edge. Therefore, if the output clock Cb_en of the inverter INV3 and the output signal Clk_en of the inverter INV5 meet at the time of exiting the power-down mode of FIG. 3, the internal clock of the DLL output from the NAND gate NAND1. Abnormal pulses may occur. 'a' is the delay from the falling edge of clock signal clock1 to the rising edge of clock enable signal Clk_en passing through inverter INV5, and 'b' is the falling edge of clock signal clockb from the falling edge of clock signal clock1. Delays up to, respectively, show a relationship of 'a' <'b' to cause abnormal pulsing.

이러한 비정상적인 클럭이 DLL 내부로 들어가게 되면, DLL의 동작에 심각한 오류를 유발하게 된다.If such an abnormal clock enters the DLL, it causes a serious error in the operation of the DLL.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 파워다운 모드 탈출 시점에서의 비정상적인 클럭 발생을 방지할 수 있는 지연고정루프의 클럭 버퍼를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to provide a clock buffer of a fixed delay loop that can prevent abnormal clock generation at the time of exiting the power-down mode.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 버퍼 인에이블신호에 응답하여 정 외부클럭과 부 외부클럭을 비교하기 위한 검출부; 상기 검출부의 출력클럭에 응답하여 클럭 인에이블신호를 래치하기 위한 래치부; 및 상기 검출부의 출력클럭 및 상기 래치부의 출력신호를 논리조합하기 위한 논리조합부를 구비하는 지연고정루프의 클럭 버퍼가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem, a detection unit for comparing the positive external clock and the negative external clock in response to the buffer enable signal; A latch unit for latching a clock enable signal in response to an output clock of the detector; And a logic combining section for logically combining the output clock of the detection section and the output signal of the latch section.

여기서, 상기 래치부는 D-플립플롭로 구현하는 것이 바람직하다.Here, the latch unit is preferably implemented as a D-flip flop.

바람직하게, 상기 논리조합부는 상기 검출부의 출력클럭 및 상기 래치부의 출력신호를 입력으로 하는 낸드게이트를 구비한다.Preferably, the logic combination section includes a NAND gate for inputting an output clock of the detector section and an output signal of the latch section.

본 발명에서는 파워다운 모드를 주관하는 클럭 인에이블신호를 클럭 버퍼 내부로 전달하기 위하여 종래와 같이 트랜스미션 게이트를 사용하지 않고 클럭 동기화가 기능을 가진 래치 회로를 사용한다. 클럭 동기화가 기능을 가진 래치 회로는 D-플립플롭으로 간단하게 구현할 수 있다. 이 경우, 클럭 버퍼 내부적으로 파워다운 모드 탈출 시점이 클럭에 동기되므로 비정상적인 클럭 발생을 방지할 수 있다.In the present invention, a latch circuit having a clock synchronization function is used without a transmission gate as in the related art in order to transfer a clock enable signal that controls a power-down mode into a clock buffer. Latch circuits with clock synchronization can be implemented simply with D-flip flops. In this case, the power down mode exit time is synchronized with the clock in the clock buffer to prevent abnormal clock generation.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 버퍼의 회로도이다.4 is a circuit diagram of a clock buffer according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 DLL의 클럭 버퍼는, 버퍼 인에이블신호(enable)에 응답하여 정 외부클럭(eclk)과 부 외부클럭(eclkb)을 비교하기 위한 검 출부(NMOS 타입 차동증폭 회로로 구현됨)와, 검출부의 출력신호를 입력으로 하는 인버터(INV11)와, 인버터(INV11)의 출력클럭(clock1)을 입력으로 하는 인버터(INV12)와, 인버터(INV12)의 출력클럭을 입력으로 하는 인버터(INV13)와, 인버터(INV1)의 출력클럭(clock1)에 응답하여 클럭 인에이블신호(Clk_enb)를 래치하기 위한 D-플립플롭(D F/F)과, D-플립플롭(D F/F)의 출력신호(Clk_en) 및 인버터(INV3)의 출력클럭(clockb)을 입력으로 하여 DLL 내부클럭(clock)를 출력하기 위한 낸드게이트(NAND11)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the clock buffer of the DLL according to the present embodiment is a detector (NMOS type differential) for comparing the positive external clock eclk and the negative external clock eclkb in response to a buffer enable signal. Implemented with an amplifying circuit), an inverter INV11 for inputting an output signal of the detector, an inverter INV12 for inputting an output clock clock1 of the inverter INV11, and an output clock of the inverter INV12. D-flip flop (DF / F) and D-flip flop (DF / F) for latching the clock enable signal Clk_enb in response to the inverter INV13 serving as an input, the output clock clock1 of the inverter INV1. And a NAND gate NAND11 for outputting the internal clock of the DLL by inputting the output signal Clk_en of / F and the output clock (clockb) of the inverter INV3.

도 5는 상기 도 4의 클럭 버퍼의 타이밍 다이어그램으로서, 이하 이를 참조하여 설명한다.FIG. 5 is a timing diagram of the clock buffer of FIG. 4, which will be described with reference to the following.

상기 도 4에 도시된 DLL의 클럭 버퍼를 살펴보면, 파워다운 모드를 주관하는 클럭 인에이블신호(Clk_enb)가 클럭신호(clock1)의 폴링 에지에서 래치되고 있음을 알 수 있다.Referring to the clock buffer of the DLL illustrated in FIG. 4, it can be seen that the clock enable signal Clk_enb, which controls the power-down mode, is latched at the falling edge of the clock signal clock1.

그리고, D-플립플롭(D F/F)의 출력신호(Clk_en)는 인버터(INV13)의 출력클럭(clockb)과 조합되어 DLL 내부클럭(clock)을 생성하고 있다.The output signal Clk_en of the D-flip flop D F / F is combined with the output clock b of the inverter INV13 to generate an internal clock of the DLL.

앞서 언급한 바와 같이 클럭 인에이블신호(Clk_enb)는 동기 파라메터가 아닌 비동기 파라미터이지만, 본 실시예에서는 D-플립플롭(D F/F)을 통과하여 입력되므로 낸드게이트(NAND11) 입장에서 보면 동기 파라메터와 같이 인식될 것이다.As mentioned above, the clock enable signal Clk_enb is an asynchronous parameter, not a synchronous parameter. However, in the present embodiment, the clock enable signal Clk_enb is input through the D-flip-flop DF / F. Will be recognized.

따라서, 도 5에 도시된 바와 같이 'a' 딜레이가 'b' 딜레이보다 항상 큰 관계가 성립되어('a'〉'b'), DLL 내부클럭(clock)가 비정상적으로 펄싱하는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 'a'는 클럭신호 clock1의 폴링 에지로부터 D-플립플롭(D F/F)의 출력신호(Clk_en)의 라이징 에지까지의 딜레이를, 'b'는 클럭신호 clock1의 폴링 에지로부터 클럭신호 clockb의 폴링 에지까지의 딜레이를 각각 나타낸 것이다.Thus, as shown in FIG. 5, a relationship 'a' delay is always greater than 'b' delay ('a'> 'b'), thereby preventing abnormally pulsing the DLL clock. have. Here, 'a' is the delay from the falling edge of clock signal clock1 to the rising edge of output signal Clk_en of D-flip-flop (DF / F), and 'b' is the clock signal clockb from the falling edge of clock signal clock1. Delays to the falling edges are shown.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those of ordinary knowledge.

예컨대, 전술한 실시예에서는 레지스터 제어 DLL의 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 본 발명은 클럭 버퍼를 사용하는 모든 제어 방식의 DLL에 적용할 수 있다.For example, in the above-described embodiment, the case of a register control DLL has been described as an example, but the present invention can be applied to a DLL of any control method using a clock buffer.

또한, 전술한 실시예에서 사용된 인버터 및 로직 게이트는 신호의 액티브 레벨에 따라 변경이 필요하다.In addition, the inverter and the logic gate used in the above-described embodiment need to be changed according to the active level of the signal.

전술한 본 발명은 DLL 내부클럭의 비정상적인 펄싱을 방지하여 DLL의 동작 안정성을 확보할 수 있으며, 나아가 칩 전체 동작 페일을 유발할 수 있는 가능성을 사전에 차단할 수 있다.The present invention as described above can prevent abnormal pulsing of the DLL internal clock to ensure the stability of the operation of the DLL, and further can block the possibility of causing the entire operation failure of the chip in advance.

Claims (3)

버퍼 인에이블신호에 응답하여 정 외부클럭과 부 외부클럭을 비교하기 위한 검출부;A detector configured to compare the positive external clock and the negative external clock in response to the buffer enable signal; 상기 검출부의 출력클럭에 응답하여 클럭 인에이블신호를 래치하기 위한 래치부; 및A latch unit for latching a clock enable signal in response to an output clock of the detector; And 상기 검출부의 출력클럭 및 상기 래치부의 출력신호를 논리조합하기 위한 논리조합부Logic combiner for logically combining the output clock of the detector and the output signal of the latch 를 구비하는 지연고정루프의 클럭 버퍼.A delay buffer loop clock buffer having a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 래치부는 D-플립플롭을 구비하는 것을 특징으로 하는 지연고정루프의 클럭 버퍼.And the latch portion includes a D-flip flop. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 논리조합부는 상기 검출부의 출력클럭 및 상기 래치부의 출력신호를 입력으로 하는 낸드게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 지연고정루프의 클럭 버퍼.And said logic combination section comprises a NAND gate for inputting an output clock of said detection section and an output signal of said latch section.
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