KR20060113046A

KR20060113046A - Electron emission device

Info

Publication number: KR20060113046A
Application number: KR1020050035866A
Authority: KR
Inventors: 송기영
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2005-04-29
Filing date: 2005-04-29
Publication date: 2006-11-02

Abstract

An electron emission device is provided to absorb outgassing and improve a lifetime thereof by preventing vibration of a container for receiving a getter. A first substrate(2) and a second substrate are disposed opposite to each other in a predetermined interval. An electron emission unit is formed on the first substrate in order to emit electrons from the first substrate to the second substrate. A light emitting unit is formed on the second substrate and emits light by the electrons of the electron emission unit. A getter fixing unit(33) includes a getter(35) and is coupled with a groove(40) which is formed at one of the first and second substrates. The getter fixing unit includes a container(32) for receiving the getter and a spring(31) supported by the container and the groove.

Description

Electron Emission Element {ELECTRON EMISSION DEVICE}

도 1은 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 일부절제 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view of an electron emission device according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 하부기판의 일측에 설치된 게터 고정장치를 개략적으로 나타내 보인 일부 절제 사시도이다.2 is a partially cutaway perspective view schematically showing a getter fixing device installed on one side of a lower substrate of the electron emission device according to the present invention.

본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로, 특히 패널 내부를 고진공 상태로 유지시키도록 하는 게터의 장착상태가 개선된 전자 방출 소자에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emitting device, and more particularly to an electron emitting device having an improved mounting state of a getter for maintaining the inside of a panel in a high vacuum state.

일반적으로 전자 방출 소자는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.In general, the electron emission device may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of the electron source.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(field emitter array; FEA)형, 표면 전도 에미션(surface-conduction emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(metal-insulator-metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(metal-insulator-semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.Here, the electron-emitting device using a cold cathode is a field emitter array (FEA) type, surface conduction emission (SCE) type, metal-insulator-metal-insulator- metal (MIM) type and metal-insulator-semiconductor (MIS) type and the like are known.

상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속과 금속/절연층/반도체 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속 쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한다.The MIM type and the MIS type electron emission devices each form an electron emission portion having a metal / insulation layer / metal and a metal / insulation layer / semiconductor structure, and have a voltage between two metals or metals and semiconductors disposed with an insulating layer therebetween. When applying is used the principle that electrons are released as they move and accelerate from a metal with a high electron potential or from a semiconductor with a low electron potential.

상기 SCE형 전자 방출 소자는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하고 있으며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The SCE-type electron emission device forms an electron emission portion by providing a conductive thin film between the first electrode and the second electrode disposed to face each other on a substrate, and providing a micro crack to the conductive thin film. When the current flows to the surface of the conductive thin film by applying it, the principle that the electron is emitted from the electron emission portion.

그리고 상기 FEA형 전자 방출 소자는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것이다.In addition, the FEA type electron emission device uses a principle that electrons are easily emitted by an electric field in vacuum when a material having a low work function or a large aspect ratio is used as the electron source.

이와 같이 냉음극을 이용하는 전자 방출 소자는 기본적으로 진공 용기를 구성하는 두 기판 중 제1 기판 위에 전자 방출부와 더불어 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들을 구비하며, 제2 기판 위에 형광층과 더불어 제1 기판 측에서 방출된 전자들이 형광층을 향해 효율적으로 가속 되도록 하는 전자가속 전극을 구비하여 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.As such, the electron emission device using the cold cathode basically includes driving electrodes for controlling electron emission of the electron emission unit along with an electron emission unit on the first of the two substrates constituting the vacuum container, and a fluorescent layer on the second substrate. In addition, an electron acceleration electrode for efficiently accelerating electrons emitted from the first substrate side toward the fluorescent layer is used to perform a predetermined light emission or display function.

이처럼 전자 방출 소자는, 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 형광층을 발광시켜 이로부터 발광되는 가시광을 이용, 원하는 이미지를 구현하게 되는 바, 이에 전자 방출 소자는 그 특성 상, 패널 내부의 공간을 10 ^-6Torr 이하의 고진공 상태를 유지하여야 한다.As such, the electron emitting device emits a fluorescent layer by the electrons emitted from the electron emitting unit and uses the visible light emitted from the electron emitting device to implement a desired image. Maintain high vacuum of 10 ^-6 Torr or less.

이는 전자 방출 소자의 패널 내부가 고진공 상태로 유지되지 않으면, 전자 방출부와 이 전자 방출부에 인접한 구동 전극 사이에 방전이 일어나거나 절연파괴가 일어날 수 있고, 다른 한편으로는 패널 내부에 존재하는 중성 입자들이 전자와 충돌하여 발생된 양이온이 전자 방출부에 충돌하여 이를 열화시키기나 전자와 충돌하여 전자의 가속 에너지를 감쇠시킴으로써 해당 전자 방출 소자의 휘도 특성을 저하시킬 수 있기 때문이다.This is because if the inside of the panel of the electron emitting device is not kept in a high vacuum state, discharge or insulation breakdown may occur between the electron emitting portion and the driving electrode adjacent to the electron emitting portion, and on the other hand, the neutral present inside the panel This is because the cations generated when the particles collide with the electrons collide with the electron emitters to deteriorate them or collide with the electrons to attenuate the acceleration energy of the electrons, thereby degrading the luminance characteristic of the electron-emitting device.

이를 방지하기 위하여, 전자 방출 소자의 제조 공정에는 패널 내부를 고진공 상태로 만드는 공정이 필요하다.In order to prevent this, the manufacturing process of the electron-emitting device requires a process of making the inside of the panel high vacuum.

종래에는 주로 게터(getter)를 이용하여 상기한 공정을 이루고 있는데, 이 게터를 설치하는 방법으로는, 크게 전자 방출 소자를 구성하는 상,하부 기판을 결합시켜 패널을 형성하기 전에 미리 게터를 미리 상기 상,하부 기판 중 어느 일 기판에 장착하는 방법과, 상,하부 기판을 합착하여 하나의 패널을 형성하고 이 패널 내부를 배기시키기 위한 튜브 내에 장착하는 방법이 있다.Conventionally, the above-described process is mainly performed by using a getter. In the method of installing the getter, the getter is preliminarily before the upper and lower substrates constituting the electron-emitting device are combined to form a panel. There is a method of mounting on any one of the upper and lower substrates, and a method of attaching the upper and lower substrates to form one panel and mounting it in a tube for evacuating the inside of the panel.

이 중, 전자의 방법이 패널 내부의 가스 흡착 효율을 비교적 높일 수 있어 주로 사용되고 있는데, 종래에 게터가 패널 내에 장착될 때에는 주로 스프링 장치에 의해 고정되고 있다.Among these, the former method is mainly used because it can relatively increase the gas adsorption efficiency inside the panel, but conventionally, when the getter is mounted in the panel, it is mainly fixed by a spring device.

그런데, 이 게터 고정 방식은 박형(상,하 기판 사이의 간격이 통상 1.5mm)으로 구비되는 전자 방출 소자의 환경에서, 이 전자 방출 소자의 구동시 일어나는 열변형이나, 외부의 충격, 그리고 게터를 고정시키는 스프링 장치의 장력 저하 등으로 인해 게터를 정위치에 위치시키지 못하고, 이 위치를 불안전하게 할 수 있어 게 터가 본 기능을 수행하지 못하도록 하는 빌미를 제공할 수 있다.By the way, this getter fixing method is characterized in that in the environment of an electron emitting device provided with a thin shape (a gap between the upper and lower substrates is usually 1.5 mm), the thermal deformation, the external shock, and the getter generated when the electron emitting device is driven. The getter may not be placed in the correct position due to a decrease in tension of the spring device to be fixed, and thus the position of the getter may be unstable, thereby providing a barrier that prevents the getter from performing this function.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 열변형이나 외부의 충격으로부터 게터가 정위치에서 이동되는 것을 방지 할 수 있으며, 나아가서는 상,하부 기판 사이에 의해 구획된 공간의 진공도를 높일 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는데 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, it is possible to prevent the getter from moving in position from the heat deformation or external impact, and further increase the vacuum degree of the space partitioned between the upper and lower substrates. An object of the present invention is to provide an electron emitting device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전자 방출 소자는,In order to achieve the above object, the electron emitting device according to the present invention,

소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판에 형성되어 상기 제1 기판에서 상기 제2 기판을 향해 전자를 방출하는 전자 방출부와, 상기 제2 기판에 형성되어 상기 전자 방출부로부터 방출되는 전자에 의해 발광되는 발광부 및 게터를 가지고 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 기판에 형성되는 홈에 결합되어 고정되는 게터고정장치를 포함한다.A first substrate and a second substrate disposed to face each other at a predetermined interval, an electron emission portion formed on the first substrate to emit electrons from the first substrate toward the second substrate, and formed on the second substrate And a getter fixing device having a light emitting part and a getter which are emitted by electrons emitted from the electron emitting part, and fixed to a groove formed in at least one of the first substrate and the second substrate.

상기 게터고정장치는, 상기 게터를 수용하는 컨테이너 및 이 컨테이너 및 상기 홈에 지지되는 스프링을 포함한다.The getter fixing device includes a container for receiving the getter and a spring supported by the container and the groove.

상기에서 스프링의 길이는 상기 홈의 길이보다 짧거나 같으며, 상기 홈의 폭은 상기 스프링의 폭보다 크거나 같게 형성될 수 있다.The length of the spring is shorter or equal to the length of the groove, the width of the groove may be formed to be greater than or equal to the width of the spring.

상기에서 스프링의 두께는 상기 홈의 깊이보다 얇거나 같게 형성될 수 있다.The thickness of the spring may be formed to be thinner or the same as the depth of the groove.

상기 홈은 식각에 의해 형성될 수 있다.The groove may be formed by etching.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 표시 소자를 도시한 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view illustrating an electronic display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 내부 공간부를 사이에 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 이 기판들 중 제1 기판(2)에는 전자 방출을 위한 구성이 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 임의의 발광 또는 표시를 행하는 발광부의 구성이 제공된다.Referring to the drawings, the electron emission device includes a first substrate 2 and a second substrate 4 which are disposed to face each other in parallel to each other with an internal space therebetween. Among these substrates, the first substrate 2 is provided with a configuration for emitting electrons, and the second substrate 4 is provided with a configuration of a light emitting portion that emits visible light by electrons to perform any light emission or display.

먼저, 제1 기판(2) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(6)이 소정의 패턴, 예컨대, 스트라이프 형상을 취하면서 상호 임의의 간격을 두고 제1 기판(2)의 일 방향을 따라 복수로 형성된다. 그리고 절연층(8)이 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 형성된다.First, on the first substrate 2, the cathode electrodes 6, which are the first electrodes, have a predetermined pattern, for example, a stripe shape, and are arranged in a plurality of directions along one direction of the first substrate 2 at arbitrary intervals from each other. Is formed. The insulating layer 8 is formed on the entire first substrate 2 while covering the cathode electrodes 6.

상기 절연층(8) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(10)이 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상을 취하면서 서로간 임의의 간격을 두고 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향을 따라 복수로 형성된다.On the insulating layer 8, a plurality of gate electrodes 10, which are second electrodes, are formed in a predetermined pattern, for example, in a stripe shape, along a direction orthogonal to the cathode electrode 6 at arbitrary intervals from each other. .

상기 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)이 교차하는 영역을 화소 영역으로 정의하면, 화소 영역마다 게이트 전극(6)과 절연층(8)에 하나 이상의 개구부(12)가 형성되어 캐소드 전극(6)의 일부 표면을 노출시킨다. 그리고 개구부(12) 내측으로 캐소드 전극(6) 위에 전자 방출부(14)가 형성된다. 전자 방출부(14)는 캐소드 전극(6)과의 접촉으로 이와 전기적으로 연결된다.When the region where the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 cross each other is defined as a pixel region, one or more openings 12 are formed in the gate electrode 6 and the insulating layer 8 in each pixel region to form a cathode electrode ( Expose some surface of 6). An electron emission portion 14 is formed on the cathode electrode 6 inside the opening 12. The electron emission portion 14 is electrically connected thereto in contact with the cathode electrode 6.

상기 전자 방출부(14)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.The planar shape of the electron emission unit 14, the number and arrangement form per pixel area, etc. are not limited to the illustrated example and may be variously modified.

상기 전자 방출부(14)는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(14)로 사용 바람직한 물질로는 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드 상 카본, C₆₀, 실리콘 나노와이어 중 어느 하나 또는 이들의 조합 물질이 있으며, 그 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.The electron emission unit 14 is formed of materials that emit electrons when an electric field is applied, such as a carbon-based material or a nanometer-sized material. Preferred materials for use as the electron emitter 14 include any one of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond phase carbons, C ₆₀ , silicon nanowires, or a combination thereof. Printing, direct growth, chemical vapor deposition or sputtering can be applied.

상기 구성에서 절연층(8)은 캐소드 전극들(6)과 게이트 전극들(10) 사이에 배치되어 두 전극들을 전기적으로 절연시킨다. In this configuration an insulating layer 8 is arranged between the cathode electrodes 6 and the gate electrodes 10 to electrically insulate the two electrodes.

제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(16)과 흑색층(18)이 형성되고, 형광층(16)과 흑색층(18) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어지는 애노드 전극(20)이 형성된다. 애노드 전극(20)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(16)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.A fluorescent layer 16 and a black layer 18 are formed on one surface of the second substrate 4 facing the first substrate 2, and a metal such as aluminum is disposed on the fluorescent layer 16 and the black layer 18. An anode electrode 20 made of a film is formed. The anode electrode 20 receives a high voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside, and reflects the visible light emitted toward the first substrate 2 of the visible light emitted from the fluorescent layer 16 toward the second substrate 4 side of the screen. It increases the brightness.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide; ITO)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.On the other hand, the anode electrode may be made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) rather than a metal film. In this case, the anode electrode may be positioned on one surface of the fluorescent layer facing the second substrate and the black layer, and may be formed in plural in a predetermined pattern.

전술한 제1 기판(2)과 제2 기판(4)은 게이트 전극(10)과 애노드 전극(20)이 서로 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 그 둘레에 도포되는 프리트 글라스(5)에 의해 일체로 접합되며 하나의 패널로서 전자 방출 소자를 구성한다.The first substrate 2 and the second substrate 4 described above are integrally formed by frit glass 5 applied around the substrate at random intervals while the gate electrode 10 and the anode electrode 20 face each other. And constitute an electron emitting device as a panel.

이 때, 상기 패널 내부 공간은 배기되고 진공 상태로 유지하게 되는 바, 상기 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 사이에는 진공도를 높이기 위하여 증발형 게터(35)가 설치되는데, 도 2에 도시된 바와 같이 이 게터(35)는 게터고정장치(33)에 지지되어 상기 제1 기판(2)에 설치된다.At this time, the inner space of the panel is evacuated and maintained in a vacuum state, and an evaporation getter 35 is installed between the first substrate 2 and the second substrate 4 to increase the degree of vacuum. As shown in FIG. 2, the getter 35 is supported by the getter fixing device 33 and installed on the first substrate 2.

본 발명에 있어 이 게터고정장치(33)는 본 실시예에와는 달리 제2 기판(4) 상에도 설치 가능하다. 이하의 설명에서는 제1 기판(2) 상에 설치되는 것으로 설명한다.In the present invention, the getter fixing device 33 can be installed on the second substrate 4, unlike in this embodiment. In the following description, it is described that it is provided on the first substrate 2.

본 실시예에서 상기 게터 고정장치(33)는 상기 게터(35)를 수용하는 컨테이너(32)와 이 컨테이너(32)에 일측을 고정시키고 다른 일측은 상기 제1 기판(2)에 형성된 홈(40)에 결합되는 스프링(31)을 포함한다. In the present embodiment, the getter fixing device 33 fixes the container 32 accommodating the getter 35 and one side to the container 32, and the other side is a groove 40 formed in the first substrate 2. The spring 31 is coupled to).

여기서 상기 홈(40)은 식각 공정에 의해 형성될 수 있으며, 소정의 폭(W2), 깊이(D1) 및 길이(L2)를 갖는다.The groove 40 may be formed by an etching process and has a predetermined width W2, a depth D1, and a length L2.

이 홈(40)은 전자 방출 소자의 구동시, 상기 스프링(31)의 열팽창량을 감안하여 스프링(31)의 전체 길이(L1)보다 긴 길이(L2)를 가지고 형성됨에 바람직하며, 그 폭(W2) 또한 스프링(31)의 폭(W1)보다 넓게 형성됨이 바람직하다. 더욱이 이 홈(32)의 깊이(D1)는 스프링(31)의 충분한 지지를 위하여 스프링의 두께(T)보다 큰 값을 가지고 형성됨이 바람직하다.The groove 40 is preferably formed to have a length L2 longer than the total length L1 of the spring 31 in consideration of the thermal expansion amount of the spring 31 when the electron emission element is driven. W2) is also preferably formed wider than the width W1 of the spring (31). Furthermore, the depth D1 of the groove 32 is preferably formed to have a value larger than the thickness T of the spring for sufficient support of the spring 31.

상기 구성의 전자 방출 소자는 기판 상에 형성된 홈(40)에 지지되는 스프링(31)을 이용하여 게터(35)를 담고 있는 컨테이너(32)를 고정시키게 되므로, 게터 (35)가 안정된 상태로 유지할 수 있게 된다.The electron-emitting device of the above configuration secures the container 32 containing the getter 35 by using the spring 31 supported on the groove 40 formed on the substrate, thereby keeping the getter 35 in a stable state. It becomes possible.

따라서, 본 실시예의 전자 방출 소자는, 상기 스프링(31)이 열변형되거나 그 장력이 저하되는 경우라도 이 스프링(31)이 홈(40) 내에서 유동되지 않도록 할 수 있게 되므로 이에 의해 컨테이너(32)의 흔들림을 방지할 수 있어 게터(35)를 지속적으로 정위치시킬 수 있게 된다.Therefore, the electron-emitting device of the present embodiment can prevent the spring 31 from flowing in the grooves 40 even when the spring 31 is thermally deformed or its tension is lowered. ) Can be prevented from shaking so that the getter 35 can be continuously positioned.

특히 상기 스프링(31)을 지지하는 홈(40)은 스프링(31)의 길이 보다 길게 형성되어 있으므로 스프링(31)의 열팽창시 스프링(31)이 지지홈(40)로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. In particular, since the groove 40 supporting the spring 31 is formed longer than the length of the spring 31, it is possible to prevent the spring 31 from being separated from the support groove 40 during thermal expansion of the spring 31. .

그리고 스프링(31)의 폭(W1)이 홈(W2)의 폭 보다 작게 형성되어 있으므로, 스프링(31)이 팽창되는 경우 이 스프링(31)이 홈(40)에 끼이게 되어 열팽창에 따른 흔들림이니 이동을 근본적으로 방지할 수 있다. Since the width W1 of the spring 31 is formed to be smaller than the width of the groove W2, when the spring 31 is expanded, the spring 31 is caught in the groove 40 and is shaken due to thermal expansion. The movement can be fundamentally prevented.

따라서, 본 실시예에의 전자 방출 소자는 정위치를 유지하는 게터(35)에 의해 양질의 게터 작용을 기대할 수 있게 되고, 그로 인해 패널 내의 진공도를 양질의 상태로 지속시킬 수 있게 된다.Therefore, the electron-emitting device according to the present embodiment can expect a good getter action by the getter 35 holding the position in place, thereby maintaining the vacuum degree in the panel in a good state.

한편, 상기에서는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들로 전자 방출부를 구성한 FEA형 전계 방출 소자에 대해 설명하였으나, 본 발명은 FEA형에 한정되지 않고 구동 전극들이 절연층을 사이에 두고 서로 다른 층에 위치하는 다른 전자 방출 소자에도 용이하게 적용된다.On the other hand, the above has been described with respect to the FEA type field emission device consisting of an electron emitting portion made of materials that emit electrons when an electric field is applied in a vacuum, the present invention is not limited to the FEA type, the drive electrodes are mutually with an insulating layer It is easily applied to other electron emitting devices located in other layers.

또한, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허 청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.In addition, although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it is within the scope of the present invention.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 소자의 게터 고정장치는 게터가 담긴 컨테이너의 흔들림을 방지하여 아웃게싱(outgassing)되는 가스를 최대한 흡수하여 수명을 향상시킬 수 있다. As described above, the getter fixing device of the electron-emitting device according to the present invention may prevent the shaking of the container containing the getter to maximize the absorption of the outgassing gas to improve the service life.

Claims

A first substrate and a second substrate disposed to face each other at a predetermined interval;

An electron emission part formed on the first substrate to emit electrons from the first substrate toward the second substrate;

A light emitting part formed on the second substrate and emitting light by electrons emitted from the electron emitting part; And

A getter fixing device having a getter coupled to and fixed to a groove formed in at least one of the first substrate and the second substrate.

Electron emitting device comprising a.

The method of claim 1,

The getter fixing device,

A container for receiving the getter; And

Springs supported by this container and the groove

Electron emitting device comprising a.

The method of claim 2,

The length of the spring is shorter than or equal to the length of the groove, the width of the groove is formed greater than or equal to the width of the spring.

The method of claim 2 or 3,

And the thickness of the spring is equal to or less than the depth of the groove.

The method of claim 1,

And the grooves are formed by etching.