KR101064437B1 - Anode substrate for electron emission display device - Google Patents

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KR101064437B1 KR1020040037548A KR20040037548A KR101064437B1 KR 101064437 B1 KR101064437 B1 KR 101064437B1 KR 1020040037548 A KR1020040037548 A KR 1020040037548A KR 20040037548 A KR20040037548 A KR 20040037548A KR 101064437 B1 KR101064437 B1 KR 101064437B1
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Abstract

본 발명은 내부 잔류가스의 흡착효율을 향상시킬 수 있는 전자방출 표시장치용 애노드 기판에 관한 것으로, 기판 상에 전자 방출원에서 방출된 전자빔을 가속하기 위한 적어도 하나의 애노드 전극들, 애노드전극에 접속되어 전자빔의 충돌에 의해 발광하는 형광층, 및 잔류 가스를 흡착하는 게터부를 포함하며, 게터부는 애노드전극으로 인가되는 전압에 의해 활성화되는 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 제공한다.
The present invention relates to an anode substrate for an electron emission display device capable of improving the adsorption efficiency of the internal residual gas, and connected to at least one anode electrode and the anode electrode for accelerating an electron beam emitted from an electron emission source on the substrate. And a getter portion for adsorbing a residual layer and a fluorescent layer emitting light by collision of an electron beam, wherein the getter portion provides an anode substrate for an electron emission display device activated by a voltage applied to the anode electrode.

전자방출 표시장치, 기판, 애노드 전극, 게터부, 흡착Emission display device, substrate, anode electrode, getter part, adsorption

Description

전자방출 표시장치용 애노드 기판{ANODE SUBSTRATE FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}Anode substrate for electron emitting display device {ANODE SUBSTRATE FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1은 종래 기술에 의한 전자방출 표시장치 일부의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a portion of a conventional electron emission display device.

도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 개략적인 사시도이다.2A is a schematic perspective view of an anode substrate for an electron emission display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a의 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 A-A 에 따라 절단한 개략적인 단면도이다.FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A of the anode substrate for electron emission display device of FIG. 2A.

도 3a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 개략적인 사시도이다.3A is a schematic perspective view of an anode substrate for an electron emission display device according to a second embodiment of the present invention.

도 3b는 도 3a의 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 A-A 에 따라 절단한 개략적인 단면도이다.FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A of the anode substrate for electron emission display device of FIG. 3A.

도 4a는 본 발명에 따른 전자방출 표시장치의 개략적인 분해 사시도이다.4A is a schematic exploded perspective view of an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4b는 도 4a의 전자방출 표시장치를 A-A에 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
4B is a schematic cross-sectional view taken along line AA of the electron emission display of FIG. 4A.

본 발명은 전자방출 표시장치용 애노드 기판에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 내부 잔류가스의 흡착효율을 향상시킬 수 있는 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 제공한다.The present invention relates to an anode substrate for an electron emission display device, and more particularly, to provide an anode substrate for an electron emission display device capable of improving the adsorption efficiency of internal residual gas.

전자방출 표시장치(electron emission display device)는 전자를 방출시키는 전자방출부와 방출된 전자를 형광층에 충돌시켜 이를 발광시킴으로써 영상이 구현되도록 하는 화상부로 구성된 표시장치로서, 전자방출원으로 열음극(thermonic cathode)을 사용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 사용하는 방식이 있다.An electron emission display device is a display device composed of an electron emission unit for emitting electrons and an image unit for impinging the emitted electrons on the fluorescent layer to emit light, thereby realizing an image. There is a method using a cathode and a method using a cold cathode.

냉음극을 이용하는 방식의 전자방출 표시장치로는 FE(Field Emitter)형 전자방출 표시장치, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 전자방출 표시장치, MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형 전자방출 표시장치 및 표면 전도형 전자방출 표시장치(Surface conduction Electron-emitting display; SED) 등이 있다.The electron emission display device using a cold cathode includes a field emitter (FE) type electron emission display device, a metal-insulator-metal (MIM) type electron emission display device, and a metal-insulator-semiconductor (MIS) type electron emission display device And Surface conduction Electron-emitting display (SED).

이와 같은 전자방출 표시장치에서, 전자방출 효율을 향상시키고 저전류로서 전자를 방출시키기 위해서 전자방출 표시장치 내부의 고진공이 요구되고 있다. 전자방출 표시장치 내부에 잔류하는 가스입자들은 전자 방출원과 형광층을 오염시키며, 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의해 이온화된 기체는 전기방전으로 전자방출 표시장치를 열화시킨다. 따라서, 전자방출 표시장치 내부에 잔류하는 가스 입자들을 능동적으로 흡착하는 방법들이 제안되었다.In such an electron emission display device, a high vacuum inside the electron emission display device is required to improve electron emission efficiency and emit electrons as a low current. Gas particles remaining in the electron emission display device contaminate the electron emission source and the fluorescent layer, and the gas ionized by the electrons emitted from the electron emission source deteriorates the electron emission display device by electric discharge. Accordingly, methods for actively adsorbing gas particles remaining in the electron emission display device have been proposed.

제안된 방법 중 일예로 한국 공개특허 제2001-0019349호에 개시되어 있는데, 도 1은 종래 기술에 의한 전자방출 표시장치 일부의 개략적인 구성도이다. An example of the proposed method is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 2001-0019349, which is a schematic diagram of a part of an electron emission display device according to the prior art.                         

도 1을 참조하면, 전자방출 표시장치는 애노드 기판(10)과 캐소드 기판(20)을 포함한다. 애노드 기판(10)은 기판(11), 애노드전극(12) 및 형광층(14)으로 이루어지며 캐소드 기판(20)은 기판(11), 캐소드전극(22), 전자방출원(23), 절연층(24) 및 게이트 전극(26)으로 이루어 진다. 기판(11) 상부에 애노드 전극(12) 및 형광층(14)이 적층되어 있으며, 형광층(14)은 전자 방출원(23) 각각에 대응하도록 구비된다.Referring to FIG. 1, an electron emission display device includes an anode substrate 10 and a cathode substrate 20. The anode substrate 10 is composed of the substrate 11, the anode electrode 12 and the fluorescent layer 14, the cathode substrate 20 is the substrate 11, the cathode electrode 22, the electron emission source 23, insulation It consists of a layer 24 and a gate electrode 26. The anode electrode 12 and the fluorescent layer 14 are stacked on the substrate 11, and the fluorescent layer 14 is provided to correspond to each of the electron emission sources 23.

기판(21) 상부에 캐소드전극(22), 절연층(24), 캐소드전극(22)과 수직한 스트라이프 형태로 형성되는 게이트 전극(26), 및 게이트 전극(26)과 절연층(24)이 식각된 캐소드전극(22) 표면에 전자방출 물질로 이루어진 전자 방출원(23)이 적층되어 있다.The cathode electrode 22, the insulating layer 24, the gate electrode 26 formed in a stripe perpendicular to the cathode electrode 22, and the gate electrode 26 and the insulating layer 24 are formed on the substrate 21. An electron emission source 23 made of an electron emission material is stacked on the etched cathode electrode 22 surface.

이 예에서는 외부 전원(40)으로부터 게터(18a,18b)로 전압을 인가하는 연결 전극(42)을 포함한다. 보다 상세하게는, 게터(18a,18b)는 연결 전극(42)이 각각 연결된 제 1 게터(18a) 및 2 게터(18b)로 이루어지며, 연결 전극(42)에 의해 인가된 전압에 의해 제 1 게터(18a) 및 2 게터(18b) 사이에 전기장이 형성된다.This example includes a connection electrode 42 for applying a voltage from the external power source 40 to the getters 18a and 18b. More specifically, the getters 18a and 18b are composed of the first getter 18a and the second getter 18b to which the connection electrode 42 is connected, respectively, and the first getter 18a and 18b are connected to each other by the voltage applied by the connection electrode 42. An electric field is formed between the getter 18a and the two getters 18b.

이에 따라 게터(18a,18b)는 외부 전원(40)으로부터 인가된 전압에 의해 전자방출 표시장치 내부에 잔류하는 이온화된 가스 입자를 흡착한다. 그러나, 게터(18a,18b)를 활성화하여 가스 입자를 흡착하기 위해서는 외부로부터 별도의 전원을 인가해야 하기 때문에 전자방출 표시장치의 구동 전원과는 독립적인 전원을 구비해야하는 문제점이 있었다.Accordingly, the getters 18a and 18b adsorb the ionized gas particles remaining in the electron emission display device by the voltage applied from the external power source 40. However, in order to activate the getters 18a and 18b to adsorb the gas particles, a separate power source must be applied from the outside, thereby providing a power source independent of the driving power source of the electron emission display device.

상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 게터 실장이 보다 용이한 새로운 구조를 갖는 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an anode substrate for an electron emission display device having a novel structure in which getter mounting is easier.

본 발명의 다른 목적은 제조공정이 단순하고 제조비용이 저렴하면서 흡착효율이 우수한 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an anode substrate for an electron emission display device having a simple manufacturing process, low manufacturing cost and excellent adsorption efficiency.

상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명은 기판 상에 전자 방출원에서 방출된 전자빔을 가속하기 위한 적어도 하나의 애노드 전극들, 애노드전극에 접속되어 전자빔의 충돌에 의해 발광하는 형광층, 및 잔류 가스를 흡착하는 게터부를 포함하며, 게터부는 애노드전극으로 인가되는 전압에 의해 활성화되는 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 제공한다.As a technical means for solving the above-described problems, the present invention provides at least one anode electrode for accelerating the electron beam emitted from the electron emission source on the substrate, a fluorescent layer connected to the anode electrode to emit light by the collision of the electron beam, And a getter part for absorbing residual gas, wherein the getter part provides an anode substrate for an electron emission display device activated by a voltage applied to the anode electrode.

바람직하게는, 게터부는 상기 애노드 전극의 측면에 형성되어 전압이 인가되는 단자 영역에 전기적으로 연결되어 형성된다.Preferably, the getter portion is formed on the side of the anode electrode and is electrically connected to the terminal region to which a voltage is applied.

바람직하게는, 게터부는 상기 애노드 전극의 측면에 형성되어 전압이 인가되는 단자 영역에 절연층을 개재하여 적층된 구조로 형성된다.Preferably, the getter part is formed on a side surface of the anode electrode and is formed in a stacked structure via an insulating layer in a terminal region to which a voltage is applied.

바람직하게는, 게터부는 주성분으로서 2A족, 3B족, 4B족, 5B족, 및 6B족 원소에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하여 형성한다.
Preferably, the getter portion is formed by including one or more elements selected from Group 2A, 3B, 4B, 5B, and 6B elements as main components.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명 의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 의한 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 구비한 전자방출 표시장치를 상세히 설명한다. 도 2a 및 2b는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 개략적인 사시도 및 단면도이다.
Hereinafter, an electron emission display device having an anode substrate for an electron emission display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 2A and 2B are schematic perspective views and cross-sectional views, respectively, of an anode substrate for an electron emission display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2a 및 2b를 참조하면, 전자방출 표시장치용 애노드 기판(110)은 기판(111), 전자 방출원(미도시)에서 방출된 전자빔을 가속하기 위한 적어도 하나의 애노드 전극(112), 전자빔의 충돌에 의해 발광하는 형광층(114), 및 잔류 가스를 흡착하는 게터부(118)를 포함하며, 적어도 하나의 애노드 전극(112)과 게터부(118)는 전기적으로 연결되어 일체로 구비되어 있다.2A and 2B, an anode substrate 110 for an electron emission display device includes at least one anode electrode 112 for accelerating an electron beam emitted from a substrate 111 and an electron emission source (not shown). And a getter portion 118 for adsorbing residual gas and a fluorescent layer 114 emitting light by collision, and at least one anode electrode 112 and getter portion 118 are electrically connected and integrally provided. .

제1 실시예에 의한 전자방출 표시장치용 애노드 기판(110)은 기판(111), 기판 상부에 스트라이프 형상으로 형성된 형광층(114), 이 사이에 위치한 역흑색영(116)을 포함하며, 기판(111) 상부 전체에 걸쳐 형광층(114)과 역흑색영(116)을 덮도록 애노드전극(112)이 도포되어 있다. 게터부(118)는 애노드 전극(112)으로 전압을 인가하는 인출단(112a) 영역에 전기적으로 연결되어 형성되어 있다. 다시 말해, 게터부(18)가 전자 방출원으로부터 형광층(114)으로 향하는 전자빔의 방출을 저해하지 않는 위치에 형성된다.The anode substrate 110 for an electron emission display device according to the first embodiment includes a substrate 111, a fluorescent layer 114 formed in a stripe shape on the substrate, and an inverse black region 116 disposed therebetween. The anode electrode 112 is coated to cover the fluorescent layer 114 and the reverse black region 116 over the entire upper portion of the (111). The getter part 118 is electrically connected to an area of the lead end 112a for applying a voltage to the anode electrode 112. In other words, the getter portion 18 is formed at a position that does not inhibit the emission of the electron beam directed from the electron emission source to the fluorescent layer 114.

프릿(frit)(미도시)을 도포하고 소성처리함으로써 한정되는 애노드 기판(110)과 캐소드 기판(미도시) 사이의 이격공간은 배기공정을 통해서 진공상태로 유지하는데, 배기공정중 애노드 전극(112)에 인가되는 1 내지 수 kV의 전압에 의한 열 에너지에 의해서 게터부(118)가 활성화되어 전자방출 표시장치 내부에 발생한 가스를 유효하게 흡착함으로써 고진공을 유지하게 된다. 그러나, 배기 공정 후에도 전자방출 표시장치 내부에 잔류가스가 존재하게 되는데, 본 실시예에서, 전자방출 표시장치의 동작시 애노드 전극(112)에 인가되는 전압에 의한 열에너지에 의해 게터부(118)가 활성화되어 잔류가스를 흡착함으로써 장시간에 걸쳐 전자방출 표시장치 내부를 고진공으로 유지할 수 있다.A space between the anode substrate 110 and the cathode substrate (not shown), which is defined by applying a frit (not shown) and firing, is maintained in a vacuum state through an exhaust process, and the anode electrode 112 is exhausted during the exhaust process. The getter unit 118 is activated by the thermal energy applied by the voltage of 1 to several kV to maintain the high vacuum by effectively adsorbing the gas generated in the electron emission display device. However, even after the exhaust process, the residual gas is present in the electron emission display device. In the present embodiment, the getter unit 118 is caused by thermal energy due to a voltage applied to the anode electrode 112 during operation of the electron emission display device. By activating and adsorbing the residual gas, the inside of the electron emission display device can be maintained at a high vacuum for a long time.

이와 같이, 애노드 전극(112) 측면에 게터부(118)를 접촉하여 일체로 형성함으로써, 애노드 기판(110) 상의 애노드 전극(112)과 형광층(114)을 소성할 때 발생하는 가스를 제거하여 형광층(114)의 직접적인 오염 가능성을 제거할 수 있다. As such, the getter unit 118 is integrally formed on the side surface of the anode electrode 112 to remove the gas generated when firing the anode electrode 112 and the fluorescent layer 114 on the anode substrate 110. The possibility of direct contamination of the fluorescent layer 114 can be eliminated.

여기서, 본 실시예에 의한 게터부(118)는 기판(111)상에 공지 기술에 의한 스크린 인쇄법등으로 형성할 수도 있으나, 게터부(118) 형성방법은 이에 제한되지 아니한다. 또한, 게터부(118)는 잔류가스와 반응할 가능성이 높아지며 가스 흡착 효율이 높아지도록 최대한의 표면적을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.Here, the getter part 118 according to the present embodiment may be formed on the substrate 111 by a screen printing method according to a known technique, but the method of forming the getter part 118 is not limited thereto. In addition, the getter unit 118 is preferably formed to have a maximum surface area to increase the possibility of reacting with the residual gas and increase the gas adsorption efficiency.

한편, 전자방출 표시장치의 내부를 고진공으로 유지하기 위하여 게터(getter)를 사용는데, 일반적으로 내부 진공 유지를 위하여 사용되는 게터로는 증발형 게터(evaporable getter)와 비증발형 게터(non-evaporable getter)로 구분된다. 증발형 게터는, Ti 또는 Ba 등이 주성분이며, 1000℃ 이상으로 가열하여 활성화시키면 게터재료가 증발하며 넓은 피막을 형성하여 기체 분자들과 반응한다. 반면에, 비증발형 게터는 Zr-Al 합금, Zr-V-Fe 합금을 주성분으로 제2의 금속을 첨가하며, 증발형 게터와는 달리 전자방출원이나 형광층을 오염시킬 가능성이 없어 전자방출 표시장치용으로 적합하다.On the other hand, a getter is used to maintain the interior of the electron emission display device at a high vacuum, and generally, a getter used for maintaining an internal vacuum is an evaporable getter and a non-evaporable getter. getter). The evaporation getter is mainly composed of Ti or Ba, and when activated by heating to 1000 ° C. or higher, the getter material evaporates to form a wide film to react with gas molecules. On the other hand, non-evaporable getters add a second metal based on Zr-Al alloys and Zr-V-Fe alloys, and unlike evaporation getters, there is no possibility of contaminating the electron emission source or the fluorescent layer. Suitable for display devices

따라서, 본 실시예에 의한 게터부(118)의 주성분으로 2A족, 3B족, 4B족, 5B족, 및 6B족 원소에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로, Ba, Sc, Ti, V, Cr, Y, Zr, Nb, Mo, La, Hf, Ta 및 W 등에서 선택된다.Therefore, the main component of the getter unit 118 according to the present embodiment preferably includes at least one element selected from Group 2A, Group 3B, Group 4B, Group 5B, and Group 6B elements. More specifically, it is selected from Ba, Sc, Ti, V, Cr, Y, Zr, Nb, Mo, La, Hf, Ta and W and the like.

한편, 본 실시예에서는 기판(111)의 내측에 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상의 형광층(114)이 형성되어 있으며 이 사이에 역흑색영(116)이 형성되어 있고 형광층(114)과 역흑색영(116) 상부 전체에 걸쳐 일체로 형성된 애노드전극(112)이 형성되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 애노드 전극(112)은 일체형 전극뿐만 아니라 스트라이프 형상 또는 분할형 전극일 수도 있다. 형광층(114)은 스트라이프 형상 또는 도트(dot) 형상 양쪽 모두 가능하다. 또한, 본 실시예에서는, 게터부(118)가 애노드 전극(112)으로 전압을 인가하는 인출단(112a) 영역에 전기적으로 연결되어 형성되어 있으나, 게터부(118)와 인출단(112a) 영역 사이에 절연층을 개재하여 절연층에 의한 열 에너지에 의해 게터부(118)가 활성화되도록 하는 구성도 가능하다.
On the other hand, in this embodiment, the fluorescent layer 114 of a predetermined pattern, for example, a stripe shape, is formed inside the substrate 111, and an inverse black region 116 is formed between the substrate 111 and the reverse of the fluorescent layer 114. Although the anode electrode 112 is integrally formed over the entire black zero 116, the anode electrode 112 may be a stripe or divided electrode as well as an integrated electrode. The fluorescent layer 114 may be both a stripe shape or a dot shape. Further, in the present embodiment, the getter part 118 is electrically connected to the lead end 112a region for applying the voltage to the anode electrode 112, but the getter unit 118 and the lead end 112a region are formed. It is also possible to configure the getter unit 118 to be activated by thermal energy by the insulating layer through the insulating layer in between.

도 3a 및 3b는 각각 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 개략적인 사시도 및 단면도이다. 3A and 3B are schematic perspective and cross-sectional views of an anode substrate for an electron emission display device according to a second embodiment of the present invention, respectively.                     

도 3a 및 3b를 참조하면, 전자방출 표시장치용 애노드 기판(110)은 기판(111), 전자 방출원(미도시)에서 방출된 전자빔을 가속하기 위한 적어도 하나의 애노드 전극(112), 전자빔의 충돌에 의해 발광하는 형광층(114), 및 잔류 가스를 흡착하는 게터부(118)를 포함하며, 적어도 하나의 애노드 전극(112)과 게터부(118)는 전기적으로 접촉하여 일체로 구비되어 있다.3A and 3B, an anode substrate 110 for an electron emission display device includes at least one anode electrode 112 for accelerating an electron beam emitted from a substrate 111 and an electron emission source (not shown). And a getter portion 118 for adsorbing a residual gas and a fluorescent layer 114 emitting light by collision, and at least one anode electrode 112 and the getter portion 118 are electrically provided in contact with each other. .

제2 실시예에 의한 전자방출 표시장치용 애노드 기판(110)은 기판(111), 기판(111) 상부에 형성된 애노드전극(112), 애노드전극(112) 상부에 스트라이프 형상으로 형성된 형광층(114), 형광층(114) 사이에 형성된 역흑색영(116)을 포함한다. The anode substrate 110 for an electron emission display device according to the second embodiment includes a substrate 111, an anode electrode 112 formed on the substrate 111, and a fluorescent layer 114 formed in a stripe shape on the anode electrode 112. ), And an inverse black spot 116 formed between the fluorescent layers 114.

게터부(118)는 애노드 전극(112)으로 전압을 인가하는 인출단(112a) 영역에 전기적으로 연결되어 형성되어 있다. 다시 말해, 게터부(118)의 위치는 제1 실시예에 의한 기판(111)상의 게터부 위치와 동일한 위치에 형성되며, 게터부(118)의 활성화는 제1 실시예에 의한 게터부의 활성화 메커니즘과 동일하므로, 이하 상세한 설명은 생략한다.
The getter part 118 is electrically connected to an area of the lead end 112a for applying a voltage to the anode electrode 112. In other words, the position of the getter portion 118 is formed at the same position as the getter portion position on the substrate 111 according to the first embodiment, and the activation of the getter portion 118 is the activation of the getter portion according to the first embodiment. Since the mechanism is the same, detailed description thereof will be omitted.

도 4a 및 4b는 각각 본 발명의 제1 실시예에 의한 전자방출 표시장치용 애노드기판을 채용한 전자방출 표시장치의 개략적인 분해 사시도 및 단면도이다.4A and 4B are schematic exploded perspective views and cross-sectional views of an electron emission display device employing an anode substrate for an electron emission display device according to a first embodiment of the present invention, respectively.

도 4a 및 4b 참조하면, 전자방출 표시장치(100)는 애노드 기판(110)과 캐소드 기판(120)을 구비하고 있다. 애노드 기판(110)은 본 발명의 제1 실시예에 의한 애노드 기판(110) 구성과 동일하므로, 이하 상세한 설명은 생략한다.4A and 4B, the electron emission display device 100 includes an anode substrate 110 and a cathode substrate 120. The anode substrate 110 is the same as the configuration of the anode substrate 110 according to the first embodiment of the present invention, a detailed description thereof will be omitted below.

캐소드 기판(120)에 대해서 설명하면, 기판(121)의 내측에는 소정의 패턴, 가령 스트라이프 상의 캐소드전극(122)을 형성하고, 그 위에 절연층(124)을 형성한 다음, 그 위에 캐소드전극(122)과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 게이트 전극(126)이 형성되어 있다. 캐소드전극(122) 상의 절연층(124)에는 홀이 형성되고 이 홀에 의해 노출된 캐소드전극(122) 상에는 전자 방출을 위한 전자 방출원(123)이 형성되어 있다. 게이트 전극(126)에는 홀에 대응하는 개구부가 형성되어 있어 전자 방출원(123)으로부터 방출된 전자들이 애노드 전극(112)쪽으로 방출될 수 있도록 되어 있다. 게터부(118)는 형광층(114)이 형성되어 있지 않은 애노드 전극(112)의 측면에 애노드 전극(112)과 전기적으로 접촉하여 형성되어 있다. 하지만, 앞서 상술한 바와 같이 변형 실시예로서, 애노드전극(112)과 게터부(118)사이에 절연층(미도시)을 개재하여 형성할 수도 있다.Referring to the cathode substrate 120, a cathode pattern 122 on a predetermined pattern, such as a stripe, is formed inside the substrate 121, and an insulating layer 124 is formed thereon, and then the cathode electrode ( The gate electrode 126 is formed on the stripe in the direction crossing the 122. A hole is formed in the insulating layer 124 on the cathode electrode 122, and an electron emission source 123 for electron emission is formed on the cathode electrode 122 exposed by the hole. An opening corresponding to the hole is formed in the gate electrode 126 to allow electrons emitted from the electron emission source 123 to be emitted toward the anode electrode 112. The getter part 118 is formed in electrical contact with the anode electrode 112 on the side of the anode electrode 112 on which the fluorescent layer 114 is not formed. However, as described above, a modified embodiment may be formed between the anode electrode 112 and the getter part 118 via an insulating layer (not shown).

이와 같은 구조를 가지는 전자방출 표시장치(100)에서 전자 방출원(123)으로부터 방출되어 애노드 전극(112) 쪽으로 진행하는 전자들이 형광층(114)에 충돌하여 소정의 화상을 구현하게 된다.In the electron emission display device 100 having such a structure, electrons emitted from the electron emission source 123 and traveling toward the anode electrode 112 collide with the fluorescent layer 114 to implement a predetermined image.

상술한 바와 같은 전자방출 표시장치(100)에 인가 가능한 전압을 살펴보면, 일례로서, 게이트 전극(126)에는 대략 10 내지 120V 의 스캔 전압을 인가하고, 캐소드전극(122)에는 대략 -120 내지 -10V의 데이터 전압을 인가한다. 전자 방출원(123)으로부터 방출된 전자가 가속될 수 있도록 애노드 전극(112)에는 1 내지 수 kV의 전압을 인가한다. 여기서, 게이트 전극(126)과 캐소드전극(122)에 각각 데이터 전압과 스캔 전압이 바뀌어 인가될 수 있는 여지가 있음은 당연하다.Looking at the voltage that can be applied to the electron emission display device 100 as described above, as an example, a scan voltage of approximately 10 to 120V is applied to the gate electrode 126, and approximately -120 to -10V is applied to the cathode electrode 122. Apply a data voltage of. A voltage of 1 to several kV is applied to the anode electrode 112 so that electrons emitted from the electron emission source 123 can be accelerated. Here, it is natural that the data voltage and the scan voltage may be applied to the gate electrode 126 and the cathode electrode 122 respectively.

한편, 본 실시예에서는 저항가열법에 의해 게터부(118)를 활성화하였으나, 이외에 RF 방법, 레이저 방법 등이 선택적으로 추가되어 사용될 수도 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the getter unit 118 is activated by the resistance heating method. In addition, the getter unit 118 may be selectively added and used.

애노드 기판(110) 및 캐소드 기판(120)은 특별히 한정되지 않은 다양한 종류가 가능하며, 예를 들어 유리 또는 Na등의 불순물이 감소된 유리 등의 재질로 구성될 수 있으며, 상부에 SiO2등의 절연층을 형성한 실리콘 기판, 세라믹 기판 등을 이용될 수 있다.The anode substrate 110 and cathode substrate 120 are possible are different types are not particularly limited, and examples thereof include glass or Na, etc. it may be impurity is made of a material of a reduced glass, of SiO 2, etc. to the upper A silicon substrate, a ceramic substrate, or the like having an insulating layer may be used.

전자 방출원(123)은 카본계 물질, 예컨대 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 또는 이들의 조합이나 기타 나노튜브 또는 Si, SiC 등의 나노 와이어로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 카본 나노튜브를 이용할 수 있다.The electron emission source 123 may be made of a carbon-based material such as carbon nanotubes, graphite, diamond, diamond-like carbon or a combination thereof, or other nanotubes or nanowires such as Si and SiC, and preferably carbon nanotubes. Can be used.

한편, 그리드(grid) 전극을 게이트 전극(126) 상부에 추가 설치하여 게이트 전극(126)과 애노드 전극(112) 사이에서 전자 방출원(123)으로부터 방출되는 전자를 제어하여 전자빔을 효과적으로 집속할 수도 있으며, 스페이서(134)를 애노드 기판(110)과 캐소드 기판(120) 사이에 추가 설치하여 일정한 간격을 유지하도록 할 수도 있다.Meanwhile, a grid electrode may be further installed on the gate electrode 126 to control the electrons emitted from the electron emission source 123 between the gate electrode 126 and the anode electrode 112 to effectively focus the electron beam. In addition, the spacer 134 may be additionally installed between the anode substrate 110 and the cathode substrate 120 to maintain a constant gap.

또한, 기판(111) 상에는 애노드 전극(112)과 형광층(114a,114b,114c)이 형성되는데, 애노드 전극(112) 일체형 또는 스트립형상으로 형성되는 것이 가능하다. 기판(111) 상에는 제1 실시예에 의한 형광층과 금속박막이 적층된 애노드 기판, 및 제2 실시예에 의한 투명전극과 형광층이 적층된 애노드기판뿐만 아니라, 투명전극과 형광층과 금속박막이 적층된 애노드기판에도 적용가능하며, 공지의 기술에 의해서 형광층(114)으로부터 발광되는 빛을 기판(111)방향으로 반사시키는 동시에 이차 전자에 의한 피해가 방지되도록 하는 메탈 백(metal back)등이 추가될 수 있음 당연하다.
In addition, the anode electrode 112 and the fluorescent layers 114a, 114b, and 114c are formed on the substrate 111, and the anode electrode 112 may be formed in an integral form or in a strip shape. On the substrate 111, not only the anode substrate on which the fluorescent layer and the metal thin film are stacked, and the anode substrate on which the transparent electrode and the fluorescent layer are stacked according to the second embodiment, but also the transparent electrode, the fluorescent layer and the metal thin film It is also applicable to the laminated anode substrate, and a metal back for reflecting light emitted from the fluorescent layer 114 toward the substrate 111 by a known technique and at the same time preventing damage caused by secondary electrons. Of course it can be added.

본 발명의 바람직한 실시예에 의한 전자방출 표시장치는, 특히, 캐소드기판 상부에 캐소드전극 및 게이트 전극이 형성된 구조를 갖는 것으로 예시되어 있으나, 전자방출부로부터 전자를 방출하여 애노드기판의 형광체에 충돌할 수 있는 구조를 가지면 특별히 한정되지 않고 다양한 종류를 가지는 전자방출 표시장치에도 적용가능할 수 있음은 당연하다.The electron emission display device according to a preferred embodiment of the present invention, in particular, is illustrated as having a structure in which a cathode electrode and a gate electrode are formed on the cathode substrate. It is natural that the present invention can be applied to an electron emitting display device having various types without being particularly limited.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명에 의한 전자방출 표시장치는 공정상 비교적 단순한 구조를 통하여 게터의 실장이 용이하도록 하여 제조공정이 단순하고 제조비용이 저렴한 효과가 있다.The electron emission display device according to the present invention has an effect that the getter can be easily mounted through a relatively simple structure in the process, and thus the manufacturing process is simple and the manufacturing cost is low.

한편, 본 발명에 의한 전자방출 표시장치는 게터를 활성화하기 위해 애노드 전극에 인가되는 전압을 공통적으로 사용함으로써 제조공정이 단순하고 제조비용이 저렴한 효과가 있다.On the other hand, the electron emission display device according to the present invention has a simple manufacturing process and low manufacturing cost by using a common voltage applied to the anode electrode to activate the getter.

Claims (6)

기판 상에 전자 방출원에서 방출된 전자빔을 가속하기 위한 적어도 하나의 애노드 전극들;At least one anode electrodes for accelerating an electron beam emitted from an electron emission source on the substrate; 상기 애노드전극에 접속되어 상기 전자빔의 충돌에 의해 발광하는 형광층; 및A fluorescent layer connected to the anode electrode and emitting light by the collision of the electron beam; And 잔류 가스를 흡착하기 위해 Ba, Sc, Cr, Y, Nb, Mo, La 및 W 중 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 물질로 형성된 게터부를 포함하며,A getter portion formed of a material including at least one element selected from Ba, Sc, Cr, Y, Nb, Mo, La, and W to adsorb residual gas, 상기 게터부는 상기 애노드전극으로 인가되는 전압에 의해 활성화되는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.And the getter portion is activated by a voltage applied to the anode electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게터부는 상기 애노드 전극의 측면에 형성되어 전압이 인가되는 단자 영역에 전기적으로 연결되어 형성되는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.And the getter part is formed on a side surface of the anode electrode and is electrically connected to a terminal area to which a voltage is applied. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게터부는 상기 애노드 전극의 측면에 형성되어 전압이 인가되는 단자 영역에 절연층을 개재하여 적층구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.And the getter part is formed on a side surface of the anode electrode, and is formed in a stacked structure with an insulating layer in a terminal region to which a voltage is applied. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 형광층 사이에 배치되는 흑색영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.The anode substrate of claim 1, further comprising a black region disposed between the fluorescent layers. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 상에 상기 기판 방향으로 향하도록 빛을 반사시키는 메탈 백을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.And a metal back reflecting light toward the substrate toward the substrate.
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