KR20060092367A

KR20060092367A - 분해능과 신뢰성이 우수한 액정변조기와 그것을 이용한티에프티 기판 검사장치

Info

Publication number: KR20060092367A
Application number: KR1020050013083A
Authority: KR
Inventors: 노봉규
Original assignee: 세심광전자기술(주)
Priority date: 2005-02-17
Filing date: 2005-02-17
Publication date: 2006-08-23

Abstract

본 발명은 전압에 따라 배열이 달라지는 액정의 특성을 이용하여, TFT 기판의 화소전극(104)에 걸리는 전압을 알아내는 액정변조기(Liquid Crystal Modulator)와 이것을 이용하는 장치에 관한 것이다. 종래의 액정변조기의 하부기판(215)은 두께가 10㎛ 이하인 얇은 플라스틱 수지로 만들었다. 이러한 유기물 기판은 이동하는 과정에서 먼지나 기타 기계적 충격으로 흠집이 쉽게 생기므로, 사용 시간이 제한적이었다. 본 발명은 액정변조기의 하부기판은 GaAs나 유리기판 등의 무기물 기판을 얇게 연마하여, 두께가 20에서 50㎛ 사이로 만들었다. 그 결과 하부기판(217)이 단단하므로, 액정변조기가 이동하는 과정에서 액정변조기에 생기는 흠집을 최소로 줄여, 사용시간을 늘렸다. 본 발명에서는 액정의 종류를 편광반사특성이 생기는 TN이나 VA 모드를 채택하여, 신호 대비 잡음 비를 높여, 해상도가 큰 TFT 기판도 검사할 수 있게 하였다. 또한 액정변조기가 이동하는 동안에 TFT 기판에 흠집이 생기지 않도록, 액정변조기의 주입구 봉지재의 구조와 시일재의 모양을 최적화하였다. 본 발명의 액정변조기와 그것을 이용한 TFT 기판검사장치는 검사면적이 커서 이동이 많은 대형 TV용 TFT LCD 검사공정에 쓰일 수 있다.

TFT, 대형기판, 액정변조기, 신뢰성, TV,

Description

분해능과 신뢰성이 우수한 액정변조기와 그것을 이용한 티에프티 기판 검사장치 {LC Modulator with high resolution and high reliability and TFT array tester using it}

도1은 TFT기판의 등가회로도이다.

도2는 전압영상법의 TFT기판의 검사장치의 개략도이다.

도3은 액정층에 걸린 전압을 구하는 등가회로도이다.

도4는 액정변조기의 광특성곡선이다.

도5는 화소전극의 불량을 결정하는 판별도이다.

도6은 종래의 TFT기판 검사용 액정변조기의 단면도이다.

도7은 액정층에 걸리는 전압을 구하는 설명도이다.

도8은 본 발명의 한 예인 TFT기판 검사용 액정변조기의 단면도이다.

도9는 본 발명의 한 예인 TFT기판 검사용 액정변조기의 단면도이다.

도10은 본 발명의 한 예인 TFT기판 검사용 액정변조기의 단면도이다.

도11은 본 발명의 한 예인 TFT기판 검사용 액정변조기의 단면도이다.

도12는 개곡면 시일재의 형성도이다.

도13은 액정 주입구 봉지재의 한 예의 형성도이다.

도14는 본 발명의 액정변조기의 액정 주입구 봉지재 형성도이다.

도15는 본 발명의 액정변조기의 폐곡면 시일재 형성도이다.

도16은 외부전극과 연결이 쉬운 본 발명의 액정변조기의 단면도이다.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10 : 광원부 20 : 빔분할부 30 : 영상검출부

100 : TFT 기판 101 : 주사선 102 : 신호선

103 : TFT 104 : 화소전극 200 : 액정변조기

210 : 액정셀 211 : 상부기판 212 : 액정전극

213 : 고분자분산형 액정층 214 : 반사막

215 : 하부기판(유기물) 216 : TN 또는 VA 모드의 액정층

217 : 하부기판(무기물) 218 : 상배향막

219 : 하배향막 221 : 보호막 222 : 시일재(폐곡면)

223 : 시일재(개곡면) 224 : 봉지재 225 : 주입구

226 : 면취면 전극 230 : 지지부 231 : 지지기판

232 : 편광판 233 : 위상판 234 : 보상액정셀

본 발명은 전압에 따라 배열이 달라지는 액정의 특성을 이용하여, TFT(Thin Filn Transistor) 기판(100)의 화소전극(104)에 걸리는 전압을 알아내는 액정변조기(Liquid Crystal Modulator)와, 이것을 이용하여 TFT 기판의 불량여부를 알아내 는 장치에 관한 것이다.

TFT는 현재 LCD를 구동하는 소자로 많이 쓰이고 있다. 도1은 TFT 기판의 등가회로도이다. TFT 기판에는 게이트선(101)과 신호선(102)과 TFT(103)와 그리고 화소전극(104)이 만들어져 있다. TFT가 n채널인 경우에, 게이트선에 신호선보다 높은 전압을 걸어주면, TFT 채널의 저항이 줄어들어, 신호선의 전압이 화소전극에 걸린다.

TFT 기판의 불량 화소를 검사하는 방법 가운데 미국의 PDI(Photon Dynamic, Inc)회사의 전압영상법(Voltage Image Method)을 널리 쓰고 있다. (참고문헌 SID DIGEST 1994, p755) 전압영상법은 TFT 기판의 화소전극(104)과 액정변조기(200)의 액정전극(212) 사이에 바이어스 전압을 걸어주고, 액정변조기의 광투과 또는 반사특성을 재서, 이로부터 화소전극의 불량을 알아낸다. 액정변조기는 투과형이나 반사형 모두 만들 수 있지만, 투과형인 경우에는 광원부(10)와 영상검출부(30)가 TFT기판(100)을 사이에 두고 떨어져 있어야하므로 검사장치 구성이 복잡하다. 반사형에서는 광원부(10)와 영상검출부(30)가 같이 일체화할 수 있으므로 검사장치 구성이 간단하다. 따라서 액정변조기(200)는 도2에서와 같이 주로 반사형으로 만든다. 도2는 전압영상법의 TFT 기판 검사장치의 개략도이다. TFT 기판 위에 약 20㎛ 정도 사이를 띄고, 액정변조기가 놓인다. TFT 기판(100)의 화소전극(104)과 액정변조기의 액정전극(212) 사이에 바이어스 전압(V)을 걸어준다. 광원부(10)에서 나온 빛은 빔분할부(Beam Splitter;20)에서 반사된 빛이 액정변조기로 들어간다. 액정변조기에 들어온 빛은 액정층을 지나면서 빛의 편광이나 밝기 등이 변조되고, 액정변조기 의 반사막에서 반사된다. 반사막에서 반사된 빛은 다시 액정층을 지나면서 빛의 밝기나 편광 등이 달라져서, 빔분할부에 들어가서 투과된 빛만이 영상검출부(30)로 들어간다. 영상검출부는 주로 CCD(Charge Coupled Device) 카메라로 구성되는데, CCD의 각각의 화소는 TFT기판의 각각의 화소전극에 대응되게 구성한다. TFT기판의 화소전극이 불량이면, 그 화소전극에 대응되는 액정층에 걸리는 전압이 달라지므로, 이를 영상검출부에서 알아내어, 화소전극의 불량여부를 결정한다. 액정변조기의 크기는 대각선의 길이가 보통 20cm 정도이고, TFT 기판은 대각선의 길이가 100cm가 넘는다. 따라서 액정변조기가 TFT 기판 위에 여러 곳을 움직이면서 불량여부를 검사한다.

액정변조기의 작동을 파악하기 위한 등가회로가 도3에 나타나 있다. 액정변조기의 하부기판의 두께가 매우 얇다고 가정하면, 등가회로는 도3과 같이 화소전극과 액정변조기의 액정전극 사이에 액정층(C_L)과 공기층(C_A)의 두 축적용량(capacitor)이 직렬로 연결된 구조이다. 화소전극에 유도된 전압이 Vp이고, 화소전극과 액정변조기의 액정전극 사이에 걸리는 바이어스 전압이 V_B라면, 액정층에 걸리는 전압(V_L)은 아래식과 같다.

[수학식 1]

액정변조기를 지나온 빛의 반사광의 세기를 재서 화소전극의 불량을 알아낸 다. 도4는 액정변조기의 광특성을 나타내는 전기광학곡선이다. 가로축은 액정층에 걸리는 전압을 나타내고, 세로축은 반사율을 나타낸다. 도4에서는 액정층에 전압이 걸리지 않았을 때에 반사도가 높고, 문턱치 이상의 전압이 걸리면 반사율이 낮아지는 액정의 모드이다. 수학식1에서와 같이 화소전극에 걸리는 전압(Vp)이 다르면, 각각의 화소에 대응되는 액정변조기의 액정층에 걸리는 전압이 달라져, 영상검출부에서 반사도가 다르게 검출된다. TFT 기판에서 불량인 화소전극은 정상적으로 작동하는 화소전극과 전압 차이가 생기는데, 그 전압 차이로 정상인 화소전극과 불량인 화소전극에서 반사되는 빛의 강도가 달라진다. 정상으로 동작되는 액정변조기의 반사도를 도5에서와 같이 상한치(R1)와 하한치(R2)를 정하여, 불량여부를 판별한다.

도6은 종래의 액정변조기의 단면도이다. 액정변조기는 액정셀(210)과 기판부(230)로 구성된다. 기판부(230)는 액정셀(210)과 부착되어 액정셀이 휘는 것을 방지한다. 액정셀은 하부기판(215)과 상부기판(211) 사이에 반사막(214)과 액정층(213)과 그리고 투명한 액정전극(212)이 놓인 구조이다. 액정의 모드는 고분자분산형(PDLC; Polymer Dispersed Liquid Crystal)으로, 인쇄방식으로 피막하여 만든다. 투명도전막(212)이 피막된 상부기판(211)에 고분자분산형 액정층(213)을 피막한 다음에, 반사막(214)이 피막된 얇은 플라스틱 필름을 붙인다. 고분자분산형 액정은 문턱치 전압 이상에서는 액정분자의 장축이 고분자 도플렛(doplet) 안에서 서서히 전기장 방향으로 정렬하여 빛의 산란도가 줄어든다. 고분자분산형 액정은 문턱치 전압 이하에서는 도플렛의 방향이 불규칙하므로 도플렛과 도플렛 사이에서 빛이 산란되어 우유 빛처럼 된다. (참고자료 LCD Engineering p53 성안당출판)

액정변조기의 하부기판의 두께는 20㎛ 이하로, 종래의 액정변조기에는 하부기판을 페리클(pellicle)이라 부르는 플라스틱 수지로 만들었다. 페리클과 같이 플라스틱 유기물기판은 강도가 낮아, 이동하는 과정에서 TFT 기판 위의 먼지나 기타 파편 등의 충격으로 흠집이 쉽게 생긴다. 흠집 부분에서는 반사막이 갈라지거나 표면의 평탄도가 달라져 빛의 반사도가 차이가 생기므로, 검출력이 떨어져 사용시간이 제한적이었다. 또한 고분자 분산형 액정과 같이 액정의 모드가 빛의 산란특성을 이용하므로, 전압이 걸리지 않았을 때의 산란 된 빛과 전압이 걸렸을 때의 산란이 줄어든 빛의 강도의 차이가 적어 검출력이 떨어졌다.

본 발명은 액정변조기의 액정공정을 진행할 때, 하부기판을 GaAs나 유리기판의 두꺼운 기판으로 만들고, 액정공정셀이 만들어진 다음 하부기판을 얇게 연마하여, 두께가 20에서 50㎛ 사이로 만들었다. 그 결과 하부기판이 단단하여 액정변조기가 이동하는 과정에서 생기는 흠집을 방지하여 사용시간을 늘렸다. 또한 액정의 모드를 편광반사 특성이 생기는 TN이나 VA 모드를 채택하여, 신호 대비 잡음 비를 높여, 해상도가 높은 TFT 기판의 불량도 검사할 수 있게 하였다.

하부기판은 두께가 얇을수록 검출력이 뛰어나다. 하부기판이 두꺼우면, TFT 기판의 화소전극과 액정변조기의 액정전극 사이가 멀어지므로, 인접 화소전극의 평균값이 액정층에 반영되므로 검출력이 떨어진다. 도7은 액정층에 걸리는 전압을 구하는 설명도이다. 하부기판과 접하는 부분의 액정층의 A에 유도되는 전압은 인접 화소전극(104)과 액정전극(212)에 걸린 전압과 각각의 전극으로부터 떨어진 거리를 알면 구할 수 있다. 도7에서는 편의상 하부기판이 없는 것으로 가정하였다. 도7에서와 같이 액정변조기의 액정전극(212)에 걸린 전압이 V3이고, 화소전극은 2개만 있다고 가정하고 각각에 걸린 전압이 V1, V2이고, A가 매우 작은 면적의 전극이라고 가정한다. A와 액정변조기의 액정전극(212) 사이에 축적용량이 C3이고, V1전압과 V2전압이 걸린 화소전극과 이루는 축적용량을 C1, C2라고 가정하면, A에 유도되는 전압 V는 아래식과 같다. 플로팅된 전극에 유도된 전압은 주위 전극과의 축적용량과 전압으로부터 구할 수 있다.

[수학식 2]

하부기판이 두꺼울수록 축적용량 C1과 C2가 작아지므로 A에 유도되는 전압은 V3에 접근한다. 액정층에 걸리는 전압의 차이(액정전극과 A의 전압 차이)는 하부기판이 두꺼울수록 0V에 수렴한다. 하부기판의 두께가 d이고 상대유전률이 ε이라면, 하부기판 두께에 의한 효과를 공기층의 유효거리로 환산하면 d를 상대유전률을 ε으로 나눈 값과 같다. 유전체의 경우 유전율이 클수록 축적용량이 커지기 때문에 하부기판의 유전율이 클수록 두께에 의한 검출력 감소를 줄일 수 있다. 기판이 유리인 경우 상대유전율은 6 - 8이고, GaAs는 13.8이다. 하부기판의 두께가 얇으면 충격에 약하고, 두꺼우면 검출력이 떨어진다. 하부기판의 최적 두께는 액정변조기가 TFT 기판에서 떨어진 유효 거리에 30%에서 10% 정도로 둔다. 액정변조기가 TFT 기판에서 20㎛ 정도 떨어져있고, 하부기판이 유전율이 7인 유리라면 14(20*0.1*7)㎛에서 42㎛ 사이로 만든다.

도8은 본발명의 한 예인 TFT기판 검사용 액정변조기의 단면도이다. 액정변조기는 액정셀(210)과 기판부(230)로 구성된다. 기판부(230)는 액정셀(210)과 부착되어 액정셀이 휘는 것을 방지한다. 액정셀은 하부기판(215)과 상부기판(211) 사이에 반사막(214)과 하배향막(219)과 액정층(216)과 상배향막(218) 그리고 투명한 액정전극(212)이 놓인 구조이다. 반사막이 도전성을 띄게 되면, 검출이 되지 않는다. 따라서 반사막을 알루미늄과 같은 금속으로 할 경우에는 매우 작은 단위의 면적으로 각각의 단위는 전기적으로 단절된 구조로 만들어야한다. 이러한 구조로 반사막을 만들면 회절등의 효과로 검출력이 떨어진다. 따라서 반사막은 굴절률이 높고 낮은 유전체 막을 번갈아 피막하여 만든다. 굴절률이 큰 막은 보통 Ta₂O₅막을 쓰고, 굴절율이 낮은 유전체막으로는 SiO₂막을 쓴다. 액정셀(210)과 지지부(230)사이에는 반사가 생기지 않도록 비 반사코팅이 되어있거나 또는 두 경계면과 굴절률이 비슷한 접착제 물질로 채워져 있는 구조이다. 도8에서의 편광판(232;검광판)은 지지부(230)와 액정셀 (210) 사이에 있어도 된다. 편광판(232)이 제8도와 같이 지지기판(231)에 부착되어야, 만드는 공정이 수월하다. 액정변조기의 하부기판(217)은 유리나 GaAs등과 같은 비저항이 큰 무기물 기판으로 두께는 20㎛에서 50㎛사이에 둔다. 하부기판의 두께가 얇으면 충격에 부서지기 쉽고, 두꺼우면 액정층에 인접화소전극의 평균값이 액정층에 유도되므로 검출력이 떨어진다. 액정셀(210)을 만들 때부터 하부기판의 두께가 얇으면, 액정변조기의 제조 수율이 낮다. 액정셀을 만들 때에는 하부기판을 두께를 0.3에서 0.5mm 정도로 하고, 액정을 주입한 다음에 하부기판을 연마하여 얇게 하는 것이 유리하다. 또는 얇은 무기물 기판을 다른 두꺼운 기판 위에 덧붙여 액정셀을 만든 다음에 두꺼운 기판을 박리하여 만들 수 있다.

도8에서 액정의 모드는 액정층(216)에 걸리는 전압에 따라서 액정층을 지나는 빛의 편광이 달라지는 TN(Twist Nematic)형과 VA(Vertical Align)형이다. TN형과 VA형은 액정층 경계면에서 액정분자를 일정하게 배열해야하므로 도8에서와 같이 액정층의 경계면에는 각각 상배향막(21)과 하배향막(219)이 피막되어 있다. TN형은 현재 모니터나 TV용 TFT LCD에 많이 쓰이는 모드이다. 상배향막과 하배향막의 러빙방향과 Nematic 액정에 비틀린(twist) 구조를 만드는 콜레스트릭 액정을 넣어 액정을 주입한다. 액정층에 전압이 걸리지 않은 상태에서는 액정분자의 장축이 배향막 평면에 나란하면서 나사선 모양으로 비틀린(꼬인) 구조가 된다. 액정층에 문턱치 전압 이상이 걸리면 액정분자의 장축이 전기장과 나란하게 된다. TN형 액정은 비틀린 각(twist angle)이 90°인 90°TN 모드와 90°보다 더 비틀린 STN(Super Twist Nematic) 모드로 구분한다. 90°TN은 위상판이 없는 경우가 대부분이고, STN의 경우에는 위상판이 덧붙는다. (참고자료 LCD Engineering p34 성안당출판)

VA모드에서는 액정분자의 장축의 유전률이 단축의 유전률보다는 작다. 또한 수직 배향막으로, 액정층에 전압이 인가되지 않았을 때에 액정분자는 배향막에 수직으로된 배열이고, 문턱치보다 큰 전압이 걸리면 액정층 가운데부터 액정분자가 눕는 배열을 띈다. VA나 TN형 액정모드는 명암대비율(Contrast Ratio)이 보통 10이 상이다. 고분자분산형 액정의 명암대비율은 2정도로, VA나 TN형보다 낮다. 따라서 TFT 기판의 불량을 검사하는 액정변조기의 액정모드로는 TN형이나 VA형이 고분자분산형보다 검출력이 좋다.

도9는 위상판이 붙은 본 발명의 한 예인 TFT기판 검사용 액정변조기의 단면도이다. 도9는 도8과 구조가 유사하다. 다만 편광판(232)과 지지기판(231) 사이에 위상판(233)이 추가된 구조이다. 액정층의 비틀린각이 90°보다 크면, 명암대비율을 높이기 위하여 위상판(233)을 붙인다.

도10은 본 발명의 한 예인 TFT기판 검사용 액정변조기의 단면도이다. 도10은 도9와 유사한 구조이다. 위상판 대신 보상액정셀(234)이 부착된 구조이다. 보상액정셀(234)은 액정셀의(210) 액정층과 비틀린 방향이 반대이고, 서로 마주대하는 경계면에서 액정배열의 장축이 90°차이 나게 둔다. 보상액정셀(234)을 쓰면 명암대 비율이 큰 액정변조기를 만들 수 있다.(참고자료 LCD Engineering p34 성안당출판)

반사막(214)이 만들어진 하부기판(217)을 갖고 액정공정을 진행하는 것은, 대부분의 생산설비가 투과형으로 만들어졌기 때문에, 공정 진행이 어렵고 또한 수율이 낮다. 액정공정을 반사막이 없이 액정셀(210)을 만든 다음에, 하부기판을 연마하고, 하부기판에 반사막(214)을 피막한 후에 반사막에 보호막(221)을 입힌다. 도11은 이렇게 만든 액정변조기의 단면도이다. TFT기판의 먼지로부터 반사막(214)을 보호하는 보호막(221)이 있고, 보호막과 하부기판 사이에 반사막을 두는 구조이다.

본 발명에서는 액정변조기(200)가 TFT 기판 위에서 이동하는 동안에 흠집이 생기지 않도록, 액정변조기의 주입구 봉지재(224)의 구조와 시일재(223)의 모양을 최적화하였다. TN형과 VA형은 상부와 하부 유리기판을 붙이는 시일재를 하부기판에 만든 다음, 상부기판을 붙인다. 두 기판 내부를 진공으로 만들고, 액정을 액정주입구(225)로 채운다. 주입구는 도12와 같은 개곡면 부분이다. 액정이 주입된 다음에, 액정주입구로 액정이 새나가는 것을 막기 위하여, UV로 경화재를 써서 봉지재를 형성한다. 상부기판과 하부기판에 단차를 두지 않고 액정주입구를 봉지재로 밀봉하면, 제13도와 같이 봉지제(224)가 하부기판(217) 보다 두꺼워서, 액정변조기가 이동할 때에 TFT 기판에 흠집이 생긴다. 액정주입구를 막아주는 봉지재 때문에 TFT 기판에 흠집이 날 수 있으므로 도14와 같이 상부기판이 하부기판보다 크게하여 상하부기판을 주입구에서 단차 생기게 액정셀을 만든 다음, 봉지재를 상부기판(211)의 측면과 하부기판(217)의 윗면에만 묻게 하면, 액정변조기의 하부기판에 튀어 나오는 부분이 없으므로 TFT 기판의 흠집이 생기지 않는다. 봉지재가 없이도 액정변조기를 만들 수 있다. 이 경우에는 시일재를 도15와 같이 하부기판에 만든 다음, 기판 가운데 액정을 적당량 떨어뜨리고, 진공상태에서 상부기판과 하부기판을 부착하면 액정주입구 없이 액정변조기를 만들 수 있다.

액정전극에 바이어스전압을 걸려면, 외부 전극과 연결해야하는데, 액정변조기의 하부기판이 얇기 때문에, 액정전극과 외부전극을 매우 정교하게 연결해야한다. 도16과 같은 구조로 액정변조기를 만들면 액정전극(212)을 외부전극과 쉽게 연결할 수 있다. 즉 상부기판(211)의 한 모서리를 경사지게 처리하여 면취면을 만든다. 액정전극이 면취면전극과 전기적으로 도통하게한다. 상부기판의 두께는 보통 0.4mm 이상이므로 상부기판의 경사면의 액정전극에서 외부전극과 연결하도록 은풀(silver phaste)등을 붙일 수 있다.

본 발명은 액정변조기의 하부기판을 GaAs나 유리기판을 얇게 연마하여, 두께가 20에서 50㎛ 사이로 만들었다. 그 결과 하부기판을 단단하게 하여 액정변조기가 이동하는 과정에서 생기는 흠집을 최소로 줄여, 사용시간을 늘렸다. 본발명에서는 액정의 종류를 편광반사 특성이 생기는 TN이나 VA 모드를 채택하여, 신호 대비 잡음 비를 높여서, TFT 기판의 불량을 더욱 엄격하게 검출하게하였다. 또한 액정변조기가 이동하는 동안에 TFT 기판에 흠집이 생기지 않도록, 액정변조기의 주입구 봉지재의 구조와 시일재의 모양 그리고 외부전극과 액정전극 사이의 접촉방법 등을 최적화하였다. 본발명의 액정변조기와 그것을 이용한 TFT 기판검사장치는 검사면적이 커서 이동이 큰 대형 TV용 TFT LCD 검사공정에 쓰일 수 있다.

Claims

상부기판(211)과 하부기판(215) 사이에는 액정층(213,216)이 형성되고, 상부기판(211)과 액정층(213, 216) 사이에는 액정전극(212)이 형성되고, 액정층의 모드가 고분자분산형 또는 TN(Twist Nematic)형 또는 VA(Vertical Align)형이고, 하부기판(215)의 재질이 무기물이고, 하부기판에는 반사막(214)이 입혀진 것을 특징으로 하는 액정변조기.
제1항에 있어서 하부기판(215)의 반사막(214)의 재질이 유전체이고, 반사막(214)이 배향막(219)과 접하거나 또는 반사막이 액정층(213,216)과 접하는 것을 특징으로 하는 액정변조기.
제1항에 있어서 반사막(214)과 보호막(221)이 접하는 것을 특징으로 하는 액정변조기.
제1항에 있어서 시일재(222)가 폐곡면인 것을 특징으로 하는 액정변조기.
제1항에 있어서 액정주입구(225) 부분의 상부기판과 하부기판에 단차가 있는 것을 특징으로 하는 액정변조기.
제1항에 있어서 하부기판의 재질이 유리 또는 GaAs인 것을 특징으로 하는 액정변조기.
제1항에 있어서 지지부(230)에 보상 액정셀(233)이나 위상판(234) 또는 편광판(232)이 부착된 것을 특징으로 하는 액정변조기
제1항에 하부기판(217)의 두께가 20㎛에서 50㎛ 사이에 있는 것을 특징으로 하는 액정변조기
제1항에있어서 상부기판의 최소한 한 면이 경사진 면취면이 있고, 면취면에 전극(226)이 형성된 것을 특징으로 하는 액정변조기
TFT기판(100) 위에 액정변조기(200)가 일정한 간격을 유지하고 이동하면서 TFT기판의 화소전극(104)과 액정변조기의 액정전극(212) 사이에 걸리는 전압에 의하여 생기는 전기장으로 액정변조기에서 반사되는 반사광의 특성으로부터 TFT 기판의 불량을 검사하는 장치에 있어서,

액정변조기(200)의 상부기판(211)과 액정변조기(200)의 하부기판(215) 사이에는 액정층(213,216)이 형성되고, 액정변조기(200)의 상부기판(211)과 액정층(213,216) 사이에는 액정전극(212)이 형성되고, 액정변조기(200)의 액정층의 모드가 고분자분산형 또는 TN(Twist Nematic)형 또는 VA(Vertical Align)형이고, 액정 변조기(200)의 하부기판(215)의 재질이 무기물이고, 액정변조기(200)의 하부기판에는 반사막(214)이 입혀진 것을 특징으로 하는 TFT 기판 검사장치
제10항에 있어서 액정변조기(200)의 하부기판(217)의 반사막(214)의 재질이 유전체이고, 반사막이 배향막(9)과 접하거나 또는 액정층(213,21)과 접하는 것을 특징으로 하는 TFT 기판검사장치.
제10항에 있어서 액정변조기(200)의 반사막(214)과 보호막(221)이 접하는 것을 특징으로 하는 TFT 기판검사장치
제10항에 있어서 하기판의 재질이 유리 또는 GaAs인 것을 특징으로 하는 TFT 기판검사장치
제10항에 있어서 액정변조기(200)에 보상액정판(233)이나 위상판(234) 또는 편광판(232)이 부착된 것을 특징으로 하는 TFT 기판검사장치