KR20060088974A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDFInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 21
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Description
Claims (12)
- 기판 처리 장치에 있어서,기판을 지지하며 회전가능한 기판 지지부와;상기 지지부에 놓여진 기판 상으로 약액을 공급하는 노즐과;상기 노즐로 약액을 공급하는 약액 공급부와; 그리고공정 진행 중 기판 상에서 상기 노즐의 위치가 변화되도록 상기 노즐을 이동시키는 노즐 이동부를 포함하되,상기 약액 공급부는 기판 상의 영역에 따라 상이한 량의 약액이 공급되도록 상기 노즐의 위치에 따라 상기 노즐로 공급되는 약액의 량을 조절하는 유량 조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 유량 조절기는 질량 유량계(mass flow controller)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 노즐 이동부는 상기 노즐이 기판의 가장자리 상부에서 기판의 중심 상부를 지나도록 상기 노즐을 회전 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 3항에 있어서,상기 유량 조절기는 상기 노즐이 상기 기판의 가장자리 상부에 있을 때에 비해 상기 기판의 중심 상부에 있을 때 상기 노즐로 더 많은 량의 약액이 공급되도록 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 노즐 이동부는,상기 노즐을 지지하는 노즐 지지대와;상기 노즐 지지대와 결합되며 구동기에 의해 회전되는 이동축을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 장치는 내부에 상기 기판 지지부를 감싸며, 상하로 적층된 환형의 약액 회수 챔버들을 가지는 용기를 더 포함하고,상기 장치는 상기 용기 내에서 상기 기판 지지대의 위치를 변화하기 위해 상기 용기 또는 상기 기판 지지대를 이동시키는 구동부를 더 포함하고,상기 약액 공급부는 상기 용기 내에서 상기 기판 지지대의 위치에 따라 상이한 종류의 약액을 상기 노즐로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 약액은 식각액을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 노즐은 기판 상에서 상기 노즐의 위치에 따라 이동속도가 변화되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 노즐은 일정시간씩 머무르면서 이동되고, 상기 노즐이 머무르는 시간은 상기 기판 상의 영역에 따라 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 기판 처리 방법에 있어서,기판 지지대 상에 기판이 놓여지는 단계와;상기 기판 상부로 노즐이 위치되는 단계와;상기 기판이 회전되는 단계와; 그리고상기 노즐이 상기 기판으로 약액을 공급하면서 상기 기판 상부에서 이동되는 단계를 포함하되,상기 노즐이 상기 기판으로 약액을 공급하면서 상기 기판 상부에서 이동되는 단계는 상기 기판 상부에서의 상기 노즐의 위치에 따라 상기 노즐로 공급되는 약액의 량을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 기판 상부에서의 상기 노즐의 위치에 따라 상기 노즐로 공급되는 약액의 량을 조절하는 단계는 상기 노즐이 상기 기판의 가장자리 영역 상부에 위치될 때에 비해 상기 기판의 중심 영역 상부에 위치될 때 상기 노즐로 더 많은 량의 약액을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 노즐이 상기 기판으로 약액을 공급하면서 상기 기판 상부에서 이동되는 단계는 상기 기판 상부에서의 상기 노즐의 위치에 따라 상기 노즐의 이동속도가 조절되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050009506A KR100635380B1 (ko) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050009506A KR100635380B1 (ko) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060088974A true KR20060088974A (ko) | 2006-08-07 |
KR100635380B1 KR100635380B1 (ko) | 2006-10-17 |
Family
ID=37177202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050009506A KR100635380B1 (ko) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100635380B1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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A201 | Request for examination | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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