KR20060087714A - System for measurement of thickness and surface profile - Google Patents

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Abstract

본 발명은 두께 및 형상 측정 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 두께 및 형상 측정 시스템은 광을 방출하는 광원과; 기준 미러와, 상기 광원으로부터의 광을 측정 대상물 및 상기 기준 미러로 분리 조사하는 광 분할부와, 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이에 배치되어 다 파장 범위의 광을 투과하는 간섭 필터를 갖는 광 간섭모듈과; 상기 다 파장 범위를 포함하는 파장 분산 범위를 가지며, 상기 측정 대상물로부터 반사되는 광과 상기 기준 미러로부터 반사되는 광을 분광하는 분광부와; 상기 분광부에 의해 분광된 광이 결상되는 결상부와; 상기 결상부에 결상된 광의 파장 범위 중 상기 다 파장 범위를 제외한 파장 범위의 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 두께에 대한 정보를 산출하고, 상기 산출된 두께에 대한 정보와 상기 결상부에 결상된 광 중 상기 다 파장 범위 내의 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 형상에 대한 정보를 산출하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 두께 및 형상을 측정하는데 소요되는 시간을 감소시키면서도 제조 비용을 절감할 수 있다.The present invention relates to thickness and shape measurement systems. The thickness and shape measurement system according to the present invention comprises a light source for emitting light; A light having a reference mirror, a light splitting unit for separately irradiating light from the light source to a measurement object and the reference mirror, and an interference filter disposed between the reference mirror and the light splitting unit and transmitting light in a multi-wavelength range An interference module; A spectroscope having a wavelength dispersion range including the multi-wavelength range and spectroscopy light reflected from the measurement object and light reflected from the reference mirror; An imaging unit in which light spectroscopically formed by the spectroscope is formed; The information on the thickness of the measurement target is calculated based on light in a wavelength range excluding the multi-wavelength range among the wavelength ranges of the light formed on the imaging unit, and the information on the calculated thickness and the light formed on the imaging unit And a control unit for calculating information on the shape of the measurement target based on the light within the multi-wavelength range. Accordingly, the manufacturing cost can be reduced while reducing the time required for measuring thickness and shape.

Description

두께 및 형상 측정 시스템{SYSTEM FOR MEASUREMENT OF THICKNESS AND SURFACE PROFILE}Thickness and Shape Measurement System {SYSTEM FOR MEASUREMENT OF THICKNESS AND SURFACE PROFILE}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 두께 및 형상 시스템의 구성을 도시한 도면이고,1 is a view showing the configuration of a thickness and shape system according to a first embodiment of the present invention,

도 2는 도 1의 두께 및 형상 측정 시스템에 따라 그 두께 및 형상이 측정되는 측정 대상물의 일 예를 도시한 도면이고,FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a measurement object whose thickness and shape are measured according to the thickness and shape measurement system of FIG. 1.

도 3은 도 1의 두께 및 형상 측정 시스템을 통해 측정된 광을 분석한 도면이고,3 is a view analyzing light measured by the thickness and shape measurement system of FIG.

도 4는 도 1의 두께 및 형상 측정 시스템에서 형상에 대한 정보를 산출하는 과정을 설명하기 위한 그래프이고,FIG. 4 is a graph illustrating a process of calculating information about a shape in the thickness and shape measuring system of FIG. 1.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 두께 및 형상 측정 시스템의 구성을 도시한 도면이고,5 is a view showing the configuration of a thickness and shape measurement system according to a second embodiment of the present invention,

도 6은 도 5의 두께 및 형상 측정 시스템의 단일 플레이트의 일 예를 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a single plate of the thickness and shape measurement system of FIG. 5.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 광원 20 : 빔 스플리터10: light source 20: beam splitter

30 : 간섭모듈 31 : 간섭 필터30: interference module 31: interference filter

34 : 기준 미러 40 : 분광부34: reference mirror 40: spectroscopic portion

50 : 결상부 60 : 제어부50: imaging unit 60: control unit

70 : 단일 플레이트 80 : 플레이트 구동부70: single plate 80: plate driving unit

본 발명은 두께 및 형상 측정 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 두께 및 형상을 측정하는데 소요되는 시간을 감소시키면서도 제조 비용을 절감할 수 있고, 다양한 측정 모드를 제공할 수 있는 두께 및 형상 측정 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a thickness and shape measurement system, and more particularly, a thickness and shape measurement system which can reduce manufacturing costs while reducing the time required for measuring thickness and shape, and can provide various measurement modes. It is about.

일반적으로 반도체 제조 공정 중에서 불투명한 금속 층의 표면상에 투명한 박막 층을 도포하는 공정이 존재하는데, 이 때 투명한 박막 층의 두께 및 그 표면 형상에 대한 정보를 측정하는 몇가지 방법들이 제안되었다.In general, there is a process of applying a transparent thin film layer on the surface of the opaque metal layer in the semiconductor manufacturing process, several methods for measuring the information about the thickness and the surface shape of the transparent thin film layer has been proposed.

이러한 투명한 박막층의 두께와 그 표면 형상을 측정하는 방법의 하나로, 백색광 주사 간섭법(WSI : White-light Scanning Interferometry)이 제안되었는데, 종래의 위상 천이 간섭법(PSI : Phase Shifting Interferometry)이 가지는 2π-모호성(2π ambiguity)을 극복하여 거친면이나 고단차를 가지는 측정면도 고 분해능으로 측정할 수 있게 되었다.As a method of measuring the thickness of the transparent thin film layer and its surface shape, White-light Scanning Interferometry (WSI) has been proposed, and 2π- of the conventional Phase Shifting Interferometry (PSI) has been proposed. Overcoming the ambiguity (2π ambiguity), it is possible to measure the rough surface or the measuring surface having a high step with high resolution.

백색광 주사 간섭법의 기본 측정 원리는 백색광의 짧은 가간섭(Short Coherence Length) 특성을 이용한다. 이는 광분할기인 빔 스플리터(Beam splitter)에서 분리되는 기준광과 측정광이 거의 동일한 광경로차(Optical path difference)를 겪을 때에만 간섭신호(Interference signal)가 발생하는 원리를 이용한다.The basic measurement principle of white light scanning interferometry utilizes the short coherence length characteristic of white light. This uses the principle that the interference signal is generated only when the reference light and the measurement light separated by the beam splitter, which is an optical splitter, experience almost the same optical path difference.

그러므로, 측정물을 광축 방향으로 PZT 액츄에이터와 같은 이송수단으로 수 나노미터(nanometer)의 미소 간격씩 이동하면서 측정 영역 내의 각 측정점에서의 간섭신호를 관찰하면, 각 점이 기준미러와 동일한 광경로차가 발생하는 지점에서 짧은 간섭신호가 발생한다.Therefore, when the measured object is observed in the direction of the optical axis by the transmission means such as the PZT actuator at small intervals of several nanometers, the interference signal at each measuring point in the measuring area is observed, the optical path difference of each point is equal to the reference mirror. At this point, a short interference signal is generated.

이러한 간섭신호의 발생 위치를 측정 영역 내의 모든 측정점에서 산출하면 측정면의 3차원 형상에 대한 정보를 획득하게 되고, 획득된 3차원 정보로부터 박막층의 두께 및 형상을 측정하게 된다.When the generation position of the interference signal is calculated at all measurement points in the measurement area, information on the three-dimensional shape of the measurement surface is obtained, and the thickness and shape of the thin film layer are measured from the obtained three-dimensional information.

한편, 투명한 박막층의 두께와 그 표면 형상을 측정하는 방법으로는 음향광학변조필터(AOTF : Acoustic Optics Tunable Filter)를 사용하는 방법이 있다. 음향광학변조필터를 사용하는 방법은 음향광학변조필터가 특정 파장 대역의 광만을 선택적으로 투과함으로써, 백색광 주사 간섭법에서 PZT 액츄에이터가 측정물을 광축 방향으로 미소 간격씩 이동시키는 것과 동일한 효과를 얻는다.On the other hand, there is a method of measuring the thickness of the transparent thin film layer and its surface shape using an Acoustic Optics Tunable Filter (AOTF). In the method using the acoustooptic modulation filter, the acoustooptic modulation filter selectively transmits light of a specific wavelength band, thereby obtaining the same effect as the PZT actuator in the white light scanning interferometry to move the measurement object by minute intervals in the optical axis direction.

상기와 같은 두 방법의 일 예로 한국특허공개공보 제2000-0061037호와 한국특허공개공보 제2004-0004825호에 개시되어 있는바 구체적인 설명은 본 명세서에서 생략한다.Examples of the two methods as described above are disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2000-0061037 and Korean Patent Publication No. 2004-0004825, which will not be described in detail.

그런데, 박막층의 두께 및 형상을 측정하기 위한 상기의 두 방법은 모두 측정시간이 길고, 측정된 데이터의 량이 많으며, 측정된 데이터를 분석하기 위한 데 이터의 처리시간 또한 많이 소요되는 문제점이 제기되고 있다.However, the above two methods for measuring the thickness and shape of the thin film layer have a long measurement time, a large amount of measured data, a problem that takes a lot of processing time of data for analyzing the measured data has been raised. .

예컨대, 백색광 주사 간섭법의 경우에는 한 픽셀에 대해 PZT 액츄에이터가 측정물을 광축 방향으로 경우에 따라 수백 나노미터를 수 나노미터(nanometer)의 미소 간격씩 이동시키면서 CCD 카메라으로 촬영하게 되어 그 촬영에 소요되는 시간이 길고, 이에 따른 데이터의 량이 많아진다.For example, in the case of the white light scanning interference method, a PZT actuator moves a measurement object in a direction of an optical axis to a pixel by several hundreds of nanometers at a small interval of several nanometers (nanometer). The time required is long, and accordingly the amount of data becomes large.

또한, 음향광학변조필터를 이용한 방법은 고가의 음향광학변조필터를 사용하여야 하는 단점이 있다.In addition, the method using the acoustic optical modulation filter has a disadvantage that an expensive acoustic optical modulation filter should be used.

따라서, 본 발명의 목적은 두께 및 형상을 측정하는데 소요되는 시간을 감소시키면서도 제조 비용을 절감할 수 있고, 다양한 측정 모드를 제공할 수 있는 두께 및 형상 측정 시스템을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a thickness and shape measurement system that can reduce manufacturing time while reducing the time required to measure thickness and shape and can provide various measurement modes.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 광을 방출하는 광원을 갖는 두께 및 형상 측정 시스템에 있어서, 기준 미러와, 상기 광원으로부터의 광을 측정 대상물 및 상기 기준 미러로 분리 조사하는 광 분할부와, 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이에 배치되어 다 파장 범위의 광을 투과하는 간섭 필터를 갖는 광 간섭모듈과; 상기 다 파장 범위를 포함하는 파장 분산 범위를 가지며, 상기 측정 대상물로부터 반사되는 광과 상기 기준 미러로부터 반사되는 광을 분광하는 분광부와; 상기 분광부에 의해 분광된 광이 결상되는 결상부와; 상기 결상부에 결상된 광의 파장 범위 중 상기 다 파장 범위를 제외한 파장 범위의 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 두께에 대한 정보를 산출하고, 상기 산출된 두께에 대한 정보와 상기 결상부에 결상된 광 중 상기 다 파장 범위 내의 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 형상에 대한 정보를 산출하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 시스템에 의해 달성될 수 있다.According to the present invention, there is provided a thickness and shape measurement system having a light source for emitting light, comprising: a reference mirror, a light splitting unit for separately irradiating light from the light source to a measurement object and the reference mirror, and An optical interference module disposed between a reference mirror and the optical splitter and having an interference filter transmitting light in a multi-wavelength range; A spectroscope having a wavelength dispersion range including the multi-wavelength range and spectroscopy light reflected from the measurement object and light reflected from the reference mirror; An imaging unit in which light spectroscopically formed by the spectroscope is formed; The information on the thickness of the measurement target is calculated based on light in a wavelength range excluding the multi-wavelength range among the wavelength ranges of the light formed on the imaging unit, and the information on the calculated thickness and the light formed on the imaging unit It can be achieved by the thickness and shape measurement system, characterized in that it comprises a control unit for calculating information on the shape of the measurement object based on the light in the multi-wavelength range.

여기서, 상기 분광부는, 상기 측정 대상물로부터 반사되는 광과 상기 기준 미러로부터 반사되는 광이 통과하여 분광되는 회절격자와; 상기 회절격자를 통과한 광이 상기 결상부를 향하도록 투과 또는 반사하는 빔 스플리터를 포함할 수 있다.Here, the spectroscope includes: a diffraction grating in which light reflected from the measurement object and light reflected from the reference mirror pass and are spectroscopically; It may include a beam splitter for transmitting or reflecting the light passing through the diffraction grating toward the image forming portion.

그리고, 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이에 배치되는 블로킹 플레이트와, 상기 간섭 필터와 상기 블로킹 플레이트 중 적어도 어느 하나가 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 배치되도록 상기 간섭 필터 및/또는 상기 블로킹 플레이트를 이동시키는 플레이트 구동부를 더 포함하며; 상기 제어부는 상기 블로킹 플레이트가 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 배치되는 경우, 상기 결상부에 결상된 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 두께를 측정할 수 있다.And a blocking plate disposed between the reference mirror and the light splitting unit, at least one of the interference filter and the blocking plate is disposed on an optical path between the reference mirror and the light splitting unit. / Or further comprises a plate drive for moving the blocking plate; When the blocking plate is disposed on an optical path between the reference mirror and the light splitter, the controller may measure the thickness of the measurement object based on light formed in the imaging unit.

그리고, 상기 간섭 필터 및 상기 블록킹 플레이트는 하나의 단일 플레이트에 마련되고; 상기 구동부는 상기 단일 플레이트에 마련된 상기 간섭 필터 및 상기 블록킹 플레이트 중 어느 하나가 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 배치되도록 상기 단일 플레이트를 이동시킬 수 있다.And the interference filter and the blocking plate are provided in one single plate; The driving unit may move the single plate such that any one of the interference filter and the blocking plate provided on the single plate is disposed on an optical path between the reference mirror and the light splitter.

그리고, 상기 구동부는 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 상기 간섭 필터 및 상기 블록킹 플레이트가 배치되지 않는 상태가 되도록 상기 단일 플레이트를 이동 가능하게 마련되고; 상기 제어부는 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 상기 간섭 필터 및 상기 블로킹 플레이트가 배치되지 않은 상태인 경우, 상기 결상부에 결상된 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 형상을 측정할 수 있다.The driving unit is provided to move the single plate such that the interference filter and the blocking plate are not disposed on an optical path between the reference mirror and the light splitting unit. When the interference filter and the blocking plate are not disposed on the optical path between the reference mirror and the light splitter, the controller may measure the shape of the measurement object based on light formed in the imaging unit. Can be.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 제1 실시예에 따른 두께 및 형상 측정장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 광원(10), 빔 스플리터(20)(Beam splitter), 간섭모듈(30), 측정부(100), 분광부(40), 결상부(50) 및 제어부(60)를 포함할 수 있다.Thickness and shape measurement apparatus according to a first embodiment of the present invention, as shown in Figure 1, the light source 10, the beam splitter 20 (Beam splitter), the interference module 30, the measuring unit 100 , The spectrometer 40, the imaging unit 50, and the controller 60 may be included.

광원(10)은 단색광, 예컨대 백생광을 방출하며, 대략 70W 정도의 텅스텐-할로겐 램프를 사용할 수 있다. 여기서, 광원(10)으로부터 출광된 광은 출광방향으로 광 파이버(11)의 일측에 연결된다.The light source 10 emits monochromatic light, such as white light, and may use a tungsten-halogen lamp of approximately 70 W. Here, the light emitted from the light source 10 is connected to one side of the optical fiber 11 in the outgoing direction.

광 파이버(11)는 그 일측을 통해 입사되는 광을 타측으로 전송된다. 광 파이버(11)의 타측은 고정부재(12)에 의해 고정된다. 여기서, 고정부재(12)의 중앙에는 핀홀이 마련되어 광 파이버(11)의 타측이 연결될 수 있다. 그리고, 핀홀을 통해 출사되는 광은 핀홀을 중심으로 펴져나간다.The optical fiber 11 transmits light incident through one side to the other side. The other side of the optical fiber 11 is fixed by the fixing member 12. Here, a pinhole is provided at the center of the fixing member 12 so that the other side of the optical fiber 11 may be connected. The light emitted through the pinholes extends around the pinholes.

고정부재(12)와 빔 스플리터(20) 사이에는 제1 볼록렌즈(13)가 배치된다. 여기서, 광 파이버(11)로부터 출사되는 광은 제1 볼록렌즈(13)를 투과하면서 일정한 폭으로 정렬된다.The first convex lens 13 is disposed between the fixing member 12 and the beam splitter 20. Here, the light emitted from the optical fiber 11 is aligned at a constant width while passing through the first convex lens 13.

제1 볼록렌즈(13)를 투과한 광은 제1 볼록렌즈(13)로부터 소정 거리를 두고 위치하는 빔 스플리터(20)에 입사된다. 여기서, 빔 스플리터(20)는 입사되는 광을 대략 50:50의 비율로 분리시킬 수 있는 무편광 튜브(Non Polarized Cube) 형태를 가질 수 있다. 여기서, 빔 스플리터(20)의 반사각은 광의 입사방향에 대해 약 45ㅀ 정도이므로, 반사되는 광은 입사방향에 수직하게 반사된다.The light transmitted through the first convex lens 13 is incident on the beam splitter 20 positioned at a predetermined distance from the first convex lens 13. Here, the beam splitter 20 may have a form of a non polarized cube that can separate incident light at a ratio of approximately 50:50. Here, since the reflection angle of the beam splitter 20 is about 45 degrees with respect to the incident direction of light, the reflected light is reflected perpendicularly to the incident direction.

빔 스플리터(20)에 의해 반사되어 측정 대상물(200)로 향하는 광은 간섭모듈(30)에 입사된다. 여기서, 본 발명에 따른 간섭모듈(30)은 마이켈슨(Michelson) 간섭모듈 형태의 간섭모듈(30)을 사용하는 것을 일 예로 한다.Light reflected by the beam splitter 20 and directed toward the measurement object 200 is incident on the interference module 30. Here, for example, the interference module 30 according to the present invention uses the interference module 30 in the form of a Michelson interference module.

간섭모듈(30)은 광 분할부(31), 기준 미러(34) 및 간섭 필터(32)를 포함할 수 있다.The interference module 30 may include an optical splitter 31, a reference mirror 34, and an interference filter 32.

광 분할부(31)는 광원(10)으로부터 방출되어 빔 스플리터(20)를 거쳐 간섭모듈(30)로 입사되는 광을 측정 대상물(200) 및 기준 미러(34)로 분리 조사한다. 여기서, 광 분할부(31)는 무편광 튜브(Non Polarized Cube) 형태의 빔 스플리터일 수 있다.The light splitter 31 irradiates the light emitted from the light source 10 and incident on the interference module 30 through the beam splitter 20 to the measurement object 200 and the reference mirror 34. The light splitter 31 may be a beam splitter in the form of a non-polarized cube.

광 분할부(31)로부터 출광되어 측정 대상물(200) 및 기준 미러(34)를 향하는 광 경로 상에는 광 분할부(31)로부터 출광된 광을 집광하는 제2 볼록렌즈(33) 및 제3 볼록렌즈(35)가 배치된다.The second convex lens 33 and the third convex lens for condensing the light emitted from the light splitter 31 on the light path emitted from the light splitter 31 toward the measurement object 200 and the reference mirror 34. 35 is disposed.

간섭 필터(32)는 광 분할부(31)와 제2 볼록렌즈(33) 사이에 배치된다. 여기서, 간섭 필터(32)는 다 파장 범위의 광을 선택적으로 투과시킨다. 본 발명에서는 간섭 필터(32)가 550nm ~ 633nm의 다 파장 범위의 광 만을 선택적으로 투과시키는 것을 일 예로 하여 설명한다. 여기서, 간섭 필터(32)는 제2 볼록렌즈(33)와 기준 미러(34) 사이에 배치될 수 있음은 물론이다.The interference filter 32 is disposed between the light splitter 31 and the second convex lens 33. Here, the interference filter 32 selectively transmits light in the multi wavelength range. In the present invention, the interference filter 32 selectively transmits only light in the multi-wavelength range of 550 nm to 633 nm will be described as an example. Here, of course, the interference filter 32 may be disposed between the second convex lens 33 and the reference mirror 34.

간섭 필터(32)를 통과한 550nm ~ 633nm의 파장의 광은 제2 볼록렌즈(33)를 거쳐 기준 미러(34)에서 반사되어 다시 제2 볼록렌즈(33) 및 간섭 필터(32)를 거쳐 광 분할부(31)를 향한다.Light having a wavelength of 550 nm to 633 nm passing through the interference filter 32 is reflected by the reference mirror 34 through the second convex lens 33 and then passes through the second convex lens 33 and the interference filter 32. Towards the partition 31.

제3 볼록렌즈(35)를 통과한 광은 측정 대상물(200)로부터 반사될 때 그 파장의 변화를 일으킨다. 여기서, 측정 대상물(200)로부터 반사되는 광의 파장의 변화는 측정 대상물(200)의 두께 및 형상에 대한 정보를 갖게 된다.The light passing through the third convex lens 35 causes a change in its wavelength when reflected from the measurement target 200. Here, the change in the wavelength of the light reflected from the measurement target 200 has information on the thickness and shape of the measurement target 200.

측정 대상물(200)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 등의 판면에 소정의 불투명의 금속 패턴(201)이 형성되어 있고, 금속 패턴(201) 및 판면에는 투명 박막(202)이 도포되어 있다. 여기서, 도 2의 미설명 참조번호 RS는 두께 및 형성 측정에 있어서의 기준면이다.As shown in FIG. 2, the measurement target 200 has a predetermined opaque metal pattern 201 formed on a plate surface such as a wafer, and a transparent thin film 202 is coated on the metal pattern 201 and the plate surface. have. Here, the unexplained reference number RS of FIG. 2 is a reference plane in the thickness and the formation measurement.

한편, 측정 대상물(200) 및 기준 미러(34)로부터 각각 반사되어 광 분할부(31)로 입사된 광은 광 분할부(31) 및 빔 스플리터(20)를 거쳐 분광부(40)에 입력된다.On the other hand, the light reflected from the measurement target 200 and the reference mirror 34 respectively and incident on the light splitter 31 is input to the spectrometer 40 through the light splitter 31 and the beam splitter 20. .

분광부(40)는 간섭 필터(32)의 다 파장 범위를 포함하는 파장 분산 범위로 입사되는 광을 분광한다. 여기서, 간섭 필터(32)의 다 파장 범위의 상한치는 분광부(40)의 파장 분산 범위의 상한치와 일치할 수 있다. 전술한 바와 같이, 간섭 필터(32)의 다 파장 범위가 633nm인 경우, 분광부(40)의 파장 분산 범위의 상한치도 대략 633nm가 된다. 본 발명에서는 분광부(40)의 파장 분산 범위가 400nm ~ 633nm 인 것을 일 예로 하여 설명한다.The spectrometer 40 spectroscopy light incident in a wavelength dispersion range including the multi-wavelength range of the interference filter 32. Here, the upper limit of the multi-wavelength range of the interference filter 32 may coincide with the upper limit of the wavelength dispersion range of the spectrometer 40. As described above, when the multi-wavelength range of the interference filter 32 is 633 nm, the upper limit of the wavelength dispersion range of the spectroscope 40 is also approximately 633 nm. In the present invention, the wavelength dispersion range of the spectrometer 40 is described as an example that 400nm ~ 633nm.

여기서, 분광부(40)는 회절격자(42), 빔 스플리터(41), 제4 볼록렌즈(43)를 포함할 수 있다.The spectrometer 40 may include a diffraction grating 42, a beam splitter 41, and a fourth convex lens 43.

빔 스플리터(20)로부터 회절격자(42)로 입사되는 광을 회절격자(42)를 통과하여 파장대별로 분광되어 빔 스플리터(41)로 향한다. 그리고, 회절격자(42)로부터의 광은 빔 스플리터(42)로부터 반사되어 결상부(50)로 향하게 된다. 여기서, 빔 스플리터(42)로부터 결상부(50)로 향하지 않는 파장의 광은 차단부재(44)에 흡수되어 소멸한다.The light incident on the diffraction grating 42 from the beam splitter 20 passes through the diffraction grating 42 and is spectroscopically directed to the beam splitter 41. The light from the diffraction grating 42 is reflected from the beam splitter 42 and directed to the image forming unit 50. Here, light having a wavelength that does not go from the beam splitter 42 to the image forming section 50 is absorbed by the blocking member 44 and then disappears.

여기서, 도 1에 도시된 미설명 참조번호 43은 차단부재(44)를 향하는 광을 차단부재로 모으는 볼록렌즈이다.Here, reference numeral 43, which is not shown in FIG. 1, is a convex lens that collects light directed toward the blocking member 44 as the blocking member.

분광부(40)에 의해 400nm ~ 633nm의 파장 분산 범위로 분광된 광은 결상부(50)에 결상된다. 결상부(50)는, 예컨대, CCD 카메라는 분광부(40)에 마련된 제4 볼록렌즈에 의해 초점이 맞춰지는 광을 결상하며, 결상된 광을 스켄하여 각 정보를 추출한다.Light spectroscopically distributed by the spectroscope 40 in the wavelength dispersion range of 400 nm to 633 nm is formed in the imaging unit 50. The imaging unit 50, for example, forms a light focused by the fourth convex lens provided in the spectroscope 40, scans the formed light, and extracts each piece of information.

여기서, 분광부(40)에 의해 400nm ~ 633nm의 파장으로 분광된 광 중 간섭 필터(32)의 다 파장 범위인 550nm ~ 633nm의 파장 범위를 갖는 광은 기준 미러(34)로부터 반사된 광과 측정 대상물(200)로부터 반사된 광 간의 간섭이 발생한 파장 범위에 해당하여, 측정 대상물(200)의 형상에 대한 정보를 포함한다. 그리고, 400nm ~ 633nm의 파장으로 분광된 광 중 다 파장 범위를 이외의 400nm ~ 550nm의 파장의 광은 측정 대상물(200)로부터 반사된 광으로 측정 대상물(200)의 두께에 대한 정보를 포함한다.Here, the light having the wavelength range of 550 nm to 633 nm, which is the multi-wavelength range of the interference filter 32, of the light spectroscopically detected at the wavelength of 400 nm to 633 nm by the spectroscope 40 is measured with the light reflected from the reference mirror 34. Corresponding to a wavelength range in which interference between light reflected from the object 200 occurs, the information about the shape of the measurement object 200 is included. The light having a wavelength of 400 nm to 550 nm other than the multi-wavelength range among the light spectroscopically detected at a wavelength of 400 nm to 633 nm includes information on the thickness of the measurement object 200 as light reflected from the measurement object 200.

도 3은 분광부(40)에 의해 분광되어 결상부(50)에 결상된 광을 제어부(60)가 파장 단위로 분석한 그래프이다. 여기서, 도 3의 그래프의 x축은 측정 대상물(200)에 대해 측정된 한 라인의 좌표이고, λ축은 광의 파장의 좌표이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 간섭 모듈(30)의 간섭 필터(32)에 의한 광의 선택적 투과를 이용하여, 결상부에 의해 결상된 광을 두께에 대한 정보를 포함하는 파장 범위와 형상에 대한 정보를 포함하는 파장 범위로 구분할 수 있게 된다.3 is a graph in which the control unit 60 analyzes the light spectroscopically analyzed by the spectroscope 40 and formed in the imaging unit 50 in units of wavelength. Here, the x-axis of the graph of FIG. 3 is the coordinate of one line measured with respect to the measurement object 200, and the λ-axis is the coordinate of the wavelength of light. As shown in FIG. 3, the wavelength range and the shape including the information on the thickness of the light formed by the image forming unit by using the selective transmission of the light by the interference filter 32 of the interference module 30 is included. It can be divided into a wavelength range including.

이하에서는, 도 3을 참조하여 제어부(60)가 결상부(50)를 통해 결상된 광에 포함된 정보에 기초하여 측정 대상물(200)의 두께 및 형상에 대한 정보를 산출하는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of calculating information on the thickness and shape of the measurement target 200 based on the information included in the light formed through the imaging unit 50 will be described with reference to FIG. 3.

먼저, 제어부(60)는 결상부(50)를 통해 결상된 광 중 400nm ~ 550nm의 파장의 광을 분석하여, [수학식 1]을 이용하여 측정 대상물(200)의 두께에 대한 정보를 산출한다.First, the controller 60 analyzes light having a wavelength of 400 nm to 550 nm among the light formed through the imaging unit 50, and calculates information on the thickness of the measurement target 200 by using Equation 1 below. .

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112005005702520-PAT00001
Figure 112005005702520-PAT00001

여기서, d는 두께에 대한 정보이고, k1 및 k2는 인접하는 두 최대점에 대한 전파상수이고, n(k1) 및 n(k2)은 각각 k1 및 k2 에서의 복소 굴절률의 흡수 계수이다.Where d is information on thickness, k 1 and k 2 are propagation constants for two adjacent maximum points, and n (k 1 ) and n (k 2 ) are the complex refractive indices of k 1 and k 2 , respectively. Absorption coefficient.

그런 다음, 제어부(60)는 결상부(50)를 통해 결상된 광 중 550nm ~ 633nm의 광과 [수학식 1]을 통해 산출된 두께에 대한 정보에 기초하여, 산출된다.Then, the control unit 60 is calculated based on the light of 550nm ~ 633nm of the light formed through the image forming unit 50 and the information on the thickness calculated through the equation (1).

이하에서는, 제어부(60)가 Spectral carrier frequency 개념을 이용하여 측정 대상물(200)의 형상에 대한 정보를 산출하는 과정을 설명한다. 여기서, 결상부(50)를 통해 결상된 광의 간섭 정보에 기초하여, Spectral Carrier Frequency 개념을 이용하여 전체 위상 함수 φ(k)를 다음과 같은 과정을 통해 k에 대한 함수로 정의할 수 있다.Hereinafter, the process of the controller 60 to calculate the information on the shape of the measurement target 200 by using the concept of the spectral carrier frequency. Here, the overall phase function φ (k) may be defined as a function of k through the following process using the concept of Spectral Carrier Frequency based on the interference information of the light formed through the imaging unit 50.

먼저, Spectral scanning profilometry 에서 두께 및 형상에 대한 정보는 [수학식 2]를 만족한다.First, information on thickness and shape in spectral scanning profilometry satisfies [Equation 2].

[수학식 2][Equation 2]

Figure 112005005702520-PAT00002
Figure 112005005702520-PAT00002

여기서, I0(k), ψ(k)를 a(k) 및 b(k)로 치환하고, Spectral carrier frequency h0를 인가하면, 간섭신호 I(k)는 [수학식 3]과 같이 표현될 수 있다.Here, if I 0 (k), ψ (k) is replaced with a (k) and b (k), and the spectral carrier frequency h 0 is applied, the interference signal I (k) is expressed as shown in [Equation 3]. Can be.

[수학식 3][Equation 3]

Figure 112005005702520-PAT00003
Figure 112005005702520-PAT00003

여기서,

Figure 112005005702520-PAT00004
이다.here,
Figure 112005005702520-PAT00004
to be.

여기서, h0은 전체 위상함수 φ(k)가 k에 대해 매우 느리게 변화하는 함수라는 가정하에 φ(k)에 높은 Spectral carrier frequency를 인가해 주는 역할을 한 다.Here, h 0 plays a role of applying a high spectral carrier frequency to φ (k) under the assumption that the overall phase function φ (k) changes very slowly with respect to k.

한편, [수학식 3]을 FFT(Fast Fourier Transform)시키면, [수학식 4]의 Spectral frequency fk 영역으로 변환된 주파수 특성 함수를 얻을 수 있다. 여기서, fk의 물리적 단위는 전파상수 k의 역수인 길이를 나타낸다.On the other hand, if FFT (Fast Fourier Transform) is used, a frequency characteristic function transformed into the Spectral frequency f k region of Equation 4 can be obtained. Here, the physical unit of f k represents a length that is the inverse of the propagation constant k.

[수학식 4][Equation 4]

Figure 112005005702520-PAT00005
Figure 112005005702520-PAT00005

여기서, A(fk)는 a(k)의 FFT 결과로 dc 성분을 나타내며, C(fk)는 c(k)의 FFT 결과로 궁극적으로 얻고자 하는 전체 위상 함수 φ(k) 정보를 포함한다.Where A (f k ) represents the dc component as a result of the FFT of a (k), and C (f k ) contains the total phase function φ (k) information that is ultimately obtained as the FFT result of c (k). do.

그리고, C*(fx)는 C(fx)의 컨쥬게이트(Conjugate)를 나타낸다.C * (f x ) represents a conjugate of C (f x ).

상기 [수학식 4]에서와 같이, Spectral carrier frequency h0에 의한 dc 성분 A(fk)와 C(fk-h0)가 분리될 수 있으며, 전체 위상 함수 φ(k)를 얻기 위해 C(fk-h0)가 필터링되어야 한다.As in Equation 4, the dc component A (f k ) and C (f k -h 0 ) by the Spectral carrier frequency h 0 can be separated, and C to obtain the overall phase function φ (k) (f k -h 0 ) should be filtered.

도 4는 간섭신호를 FFT 시켜서 사각 윈도우(Rectangular window)에 의해 필터링한 실험 결과를 도시한 도면이다. 그리고, 가능한 근사적으로 C(fk)로 센터링(Centering)한다. 실질적으로 Spectral carrier frequency h0을 얼만큼 인가하였는지 정확히 알 수 없지만, h(x,y)에 h0을 인가하고 다시 센터링하는 과정에서 실제로 hd의 더미(dummy) h가 추가되지만 hd 및 h0은 모드 x, y에 대한 상수이므로 h(x,y)의 위치별 형상 정보를 얻는데는 측정 에러를 유발하지 않는다.FIG. 4 is a diagram illustrating an experiment result obtained by filtering an interference signal by FFT and filtering by a rectangular window. And center as C (f k ) as approximately as possible. Actually, it is not known exactly how much the Spectral carrier frequency h 0 is applied, but in the process of applying h 0 to h (x, y) and centering again, a dummy h of h d is actually added, but h d and h Since 0 is a constant for modes x and y, it does not cause measurement error in obtaining positional shape information of h (x, y).

그런 다음, 최종적으로 센터링 된 C(fk-hd)를 IFFT(Inverse Fast Fourier Transform)시킴으로서, 더미(dummy) hd를 포함한 [수학식 5]를 얻을 수 있다.Then, by finally inverting the centered C (f k -h d ) by Inverse Fast Fourier Transform (IFFT), Equation 5 including a dummy h d can be obtained.

[수학식 5][Equation 5]

Figure 112005005702520-PAT00006
Figure 112005005702520-PAT00006

이와 같이, 전체 위상 함수 φ(k)가 산출되면, [수학식 6]을 통해 형상 정보 h(x)를 구할 수 있다.In this way, when the total phase function? (K) is calculated, the shape information h (x) can be obtained through Equation (6).

[수학식 6][Equation 6]

Figure 112005005702520-PAT00007
Figure 112005005702520-PAT00007

전술한 실시예에서는, 간섭 필터(32a)의 다 파장 범위가 550nm~630nm인 것을 일 예로 하여 설명하였으나, 측정 대상물(200)의 두께 및 형상의 특성에 따라 가변적일 수 있다.In the above-described embodiment, the multi-wavelength range of the interference filter 32a has been described as an example of 550 nm to 630 nm, but it may vary depending on the characteristics of the thickness and shape of the measurement target 200.

이하에서는, 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 두께 및 형상 측정 시스템을 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 두께 및 형상 측정 시스템을 설명함에 있어, 전술한 제1 실시예와 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하며, 필요에 따라 그 설명은 생략한다.Hereinafter, the thickness and shape measurement system according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 5. Here, in the description of the thickness and shape measurement system according to the second embodiment of the present invention, the same reference numerals are used for the same configuration as the above-described first embodiment, and description thereof will be omitted as necessary.

본 발명의 제2 실시예에 따른 두께 및 형상 측정 시스템은 블로킹 플레이트(71)와, 구동부(80)를 더 포함한다.The thickness and shape measurement system according to the second embodiment of the present invention further includes a blocking plate 71 and a driving unit 80.

블로킹 플레이트(71)는 간섭 모듈(30)의 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 사이에 배치된다. 그리고, 구동부(80)는 간섭 필터(32a)와 블로킹 플레이트(71) 중 적어도 어느 하나가 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 사이의 광 경로 상에 배치되도록 간섭 필터(32a) 및/또는 블로킹 플레이트(71)를 이동시킨다.The blocking plate 71 is disposed between the reference mirror 34 of the interference module 30 and the light splitter 31. In addition, the driver 80 may include the interference filter 32a and / or such that at least one of the interference filter 32a and the blocking plate 71 is disposed on an optical path between the reference mirror 34 and the light splitter 31. Or the blocking plate 71 is moved.

구동부(80)에 의해 블로킹 플레이트(71)가 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 사에에 배치되는 경우, 광 분할부(31)로부터 기준 미러(34)로 향하는 광을 차단한다.When the blocking plate 71 is disposed between the reference mirror 34 and the light splitter 31 by the driver 80, the light from the light splitter 31 to the reference mirror 34 is blocked.

블로킹 플레이트(71)는 입사되는 광을 모두 흡수하는 특성을 갖는다. 이에 따라, 블로킹 플레이트(71)에서는 입사되는 광이 반사되지 않게 되어, 결상부(50)에 의해 결상되는 광은 측정 대상물(200)로부터 반사되는 광만을 포함하게 된다. 따라서, 블로킹 플레이트(71)가 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 사이에 배치되는 경우, 제어부(60)는 결상부(50)에 의해 결상된 광에 기초하여 측정 대상물(200)의 두께에 대한 정보를 산출하게 된다.The blocking plate 71 has a characteristic of absorbing all incident light. Accordingly, the light incident on the blocking plate 71 is not reflected, and the light formed by the imaging unit 50 includes only the light reflected from the measurement target 200. Therefore, when the blocking plate 71 is disposed between the reference mirror 34 and the light splitter 31, the controller 60 controls the measurement object 200 based on the light formed by the imager 50. Information about the thickness is calculated.

이에 따라, 사용자는 구동부(80)에 의해 블로킹 플레이트(71)와 간섭 필터(32a) 중 어느 하나를 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 사이에 배치시킴으로서, 두가지 측정 모드에 따라 측정 대상물(200)을 측정할 수 있게 된다. 예컨대, 간섭 필터(32a)가 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 사이에 배치되는 경우에는 전술한 제1 실시에에서와 같이, 측정 대상물(200)의 두께 및 형상을 동시에 측정할 수 있게 된 다.Accordingly, the user arranges one of the blocking plate 71 and the interference filter 32a by the driving unit 80 between the reference mirror 34 and the light splitter 31, thereby measuring the object to be measured according to the two measurement modes. 200 can be measured. For example, when the interference filter 32a is disposed between the reference mirror 34 and the light splitter 31, the thickness and shape of the measurement target 200 can be simultaneously measured as in the first embodiment described above. It becomes.

반면, 블로킹 플레이트(71)가 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 사에에 배치되는 경우, 측정 대상물(200)의 두께만을 측정하게 되지만, 두께 측정을 위한 광의 파장의 범위가 넓어져 보다 정확한 두께 측정이 가능하게 되고, 측정 가능한 두께의 범위도 넓어지게 된다.On the other hand, when the blocking plate 71 is disposed between the reference mirror 34 and the light splitter 31, only the thickness of the measurement target 200 is measured, but the range of wavelengths of light for thickness measurement becomes wider. More accurate thickness measurements are possible, and the range of measurable thicknesses is also widened.

여기서, 구동부(80)는 블로킹 플레이트(71)와 기준 미러(34)를 모드 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 간의 광 경로에서 벗어나게 할 수 있다. 이 경우, 측정 대상물(200)에서 반사된 광과 기준 미러(34)에서 반사된 광은 전 파장 범위에서 간섭이 발생하여, 측정 대상물(200)의 형상에 대한 정보를 얻는데 그 측정 범위를 넓힐 수 있게 된다.Here, the driving unit 80 may move the blocking plate 71 and the reference mirror 34 out of the optical path between the mode reference mirror 34 and the light splitter 31. In this case, the light reflected from the measurement target 200 and the light reflected from the reference mirror 34 generate interference in the entire wavelength range, so that information about the shape of the measurement target 200 may be obtained. Will be.

도 6은 블로킹 플레이트(71)와 기준 미러(34)가 하나의 단일 플레이트(70) 내에 마련된 것을 일 예로 도시한 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 대략 판 형상의 단일 플레이트(70) 상의 제1 관통공(73)에 간섭 필터(32a)가 설치되고, 일측에는 제2 관통공(72)이 형성된다. 그리고, 일 영역은 차단된 블로킹 플레이트(71) 영역을 형성한다. 이에 따라, 구동부(80)는 단일 플레이트(70)를 판면 방향으로 이동시켜, 단일 플레이트(70), 간섭 필터(32a) 및 제2 관통공(72)을 기준 미러(34)와 광 분할부(31) 사이의 광 경로상에 선택적으로 위치시킴으로, 측정 모드를 달리할 수 있게 된다.FIG. 6 illustrates an example in which the blocking plate 71 and the reference mirror 34 are provided in one single plate 70. As shown in the figure, the interference filter 32a is installed in the first through hole 73 on the substantially plate-shaped single plate 70, and the second through hole 72 is formed at one side. In addition, one region forms a blocked blocking plate 71 region. Accordingly, the driving unit 80 moves the single plate 70 in the plate direction to move the single plate 70, the interference filter 32a, and the second through hole 72 to the reference mirror 34 and the light splitter ( By selectively positioning on the optical path between 31), the measurement mode can be changed.

상기 제2 실시예에 따른 두께 및 형상 측정 시스템의 각 측정 모드에서 결상부(50)를 통해 결상된 광에 기초하여 두께 및/또는 형상에 대한 정보를 산출하는 방법은, 전술한 제1 실시예에서의 두께 및 형상에 대한 정보를 산출하는 방법에 대응하는 바, 그 설명은 생략한다.A method of calculating information on thickness and / or shape based on light formed through the imaging unit 50 in each measurement mode of the thickness and shape measurement system according to the second embodiment is the first embodiment described above. Corresponding to the method for calculating the information on the thickness and shape in the bar, the description thereof will be omitted.

전술한 실시예들에서는 간섭 모듈(30)이 마이켈슨 간섭모듈 형태로 마련되는 것을 일 예로 하였다. 이 외에도, 리닉(Linnik) 간섭모듈 및 미라우(Mirau) 간섭모듈 등 다른 간섭 모듈의 형태에도 적용 가능함은 물론이다.In the above-described embodiments, the interference module 30 is provided as a Michelson interference module as an example. In addition, the present invention can be applied to other interference modules such as Linnik interference modules and Mirau interference modules.

비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그리고 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.Although some embodiments of the invention have been shown and described, it will be apparent to those skilled in the art that modifications may be made to the embodiment without departing from the spirit or spirit of the invention. . And the scope of the invention will be defined by the appended claims and equivalents thereof.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 두께 및 형상을 측정하는데 소요되는 시간을 감소시키면서도 제조 비용을 절감할 수 있고, 다양한 측정 모드를 제공할 수 있는 두께 및 형상 측정 시스템이 제공된다.As described above, the present invention provides a thickness and shape measurement system that can reduce manufacturing costs while reducing the time required for measuring thickness and shape, and can provide various measurement modes.

Claims (5)

광을 방출하는 광원을 갖는 두께 및 형상 측정 시스템에 있어서,A thickness and shape measurement system having a light source that emits light, 기준 미러와, 상기 광원으로부터의 광을 측정 대상물 및 상기 기준 미러로 분리 조사하는 광 분할부와, 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이에 배치되어 다 파장 범위의 광을 투과하는 간섭 필터를 갖는 광 간섭모듈과;A light having a reference mirror, a light splitting unit for separately irradiating light from the light source to a measurement object and the reference mirror, and an interference filter disposed between the reference mirror and the light splitting unit and transmitting light in a multi-wavelength range An interference module; 상기 다 파장 범위를 포함하는 파장 분산 범위를 가지며, 상기 측정 대상물로부터 반사되는 광과 상기 기준 미러로부터 반사되는 광을 분광하는 분광부와;A spectroscope having a wavelength dispersion range including the multi-wavelength range and spectroscopy light reflected from the measurement object and light reflected from the reference mirror; 상기 분광부에 의해 분광된 광이 결상되는 결상부와;An imaging unit in which light spectroscopically formed by the spectroscope is formed; 상기 결상부에 결상된 광의 파장 범위 중 상기 다 파장 범위를 제외한 파장 범위의 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 두께에 대한 정보를 산출하고, 상기 산출된 두께에 대한 정보와 상기 결상부에 결상된 광 중 상기 다 파장 범위 내의 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 형상에 대한 정보를 산출하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 시스템.The information on the thickness of the measurement target is calculated based on light in a wavelength range excluding the multi-wavelength range among the wavelength ranges of the light formed on the imaging unit, and the information on the calculated thickness and the light formed on the imaging unit And a control unit for calculating information on the shape of the measurement object based on light in the multi-wavelength range. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분광부는,The spectroscopic section, 상기 측정 대상물로부터 반사되는 광과 상기 기준 미러로부터 반사되는 광이 통과하여 분광되는 회절격자와;A diffraction grating, through which light reflected from the measurement object and light reflected from the reference mirror pass and are spectroscopically; 상기 회절격자를 통과한 광이 상기 결상부를 향하도록 투과 또는 반사하는 빔 스플리터를 포함하는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 시스템.And a beam splitter that transmits or reflects the light passing through the diffraction grating toward the image forming portion. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이에 배치되는 블로킹 플레이트와, 상기 간섭 필터와 상기 블로킹 플레이트 중 적어도 어느 하나가 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 배치되도록 상기 간섭 필터 및/또는 상기 블로킹 플레이트를 이동시키는 플레이트 구동부를 더 포함하며;A blocking plate disposed between the reference mirror and the light splitter, and the interference filter and / or such that at least one of the interference filter and the blocking plate is disposed on an optical path between the reference mirror and the light splitter And a plate driver for moving the blocking plate; 상기 제어부는 상기 블로킹 플레이트가 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 배치되는 경우, 상기 결상부에 결상된 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 시스템.When the blocking plate is disposed on an optical path between the reference mirror and the light splitter, the controller measures the thickness of the measurement object based on light formed in the imaging unit. Measuring system. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 간섭 필터 및 상기 블록킹 플레이트는 하나의 단일 플레이트에 마련되고;The interference filter and the blocking plate are provided in one single plate; 상기 구동부는 상기 단일 플레이트에 마련된 상기 간섭 필터 및 상기 블록킹 플레이트 중 어느 하나가 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 배치되도록 상기 단일 플레이트를 이동시키는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 시스템.Wherein the driving unit moves the single plate such that any one of the interference filter and the blocking plate provided on the single plate is disposed on an optical path between the reference mirror and the light splitting unit. . 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 구동부는 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 상기 간섭 필터 및 상기 블록킹 플레이트가 배치되지 않는 상태가 되도록 상기 단일 플레이트를 이동 가능하게 마련되고;The driving part is provided to move the single plate such that the interference filter and the blocking plate are not disposed on an optical path between the reference mirror and the light splitting part; 상기 제어부는 상기 기준 미러와 상기 광 분할부 사이의 광 경로 상에 상기 간섭 필터 및 상기 블로킹 플레이트가 배치되지 않은 상태인 경우, 상기 결상부에 결상된 광에 기초하여 상기 측정 대상물의 형상을 측정하는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 시스템.The controller is configured to measure the shape of the measurement target based on light formed in the imaging unit when the interference filter and the blocking plate are not disposed on the optical path between the reference mirror and the light splitter. Thickness and shape measurement system, characterized in that.
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