KR20060083504A

KR20060083504A - Apparatus for manufacturing semiconductor device

Info

Publication number: KR20060083504A
Application number: KR1020050004224A
Authority: KR
Inventors: 함규환
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-01-17
Filing date: 2005-01-17
Publication date: 2006-07-21

Abstract

실링 부재의 냉각 효율을 높일 수 있는 반도체 소자 제조 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 외부 튜브와 내부 튜브를 지지하는 플랜지, 외부 튜브와 플랜지 사이에 삽입되어 외부로부터의 공기의 출입을 차단하는 실링 부재, 플랜지 및 실링 부재를 냉각하는 냉각관, 냉각관에 냉각수를 공급하며 직경이 냉각관 직경의 1/4을 초과하고 1/2을 넘지 않는 냉각수 공급관 및 냉각관을 순환한 냉각수를 외부로 배출하는 냉각수 배출관을 포함한다.Provided is a semiconductor device manufacturing apparatus capable of increasing the cooling efficiency of a sealing member. The semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention is a flange for supporting the outer tube and the inner tube, a sealing member inserted between the outer tube and the flange to block the access of air from the outside, a cooling tube for cooling the flange and the sealing member, cooling Cooling water supply pipe for supplying the cooling water to the tube, the diameter exceeds 1/4 of the diameter of the cooling pipe and not more than 1/2, and the cooling water discharge pipe for discharging the cooling water circulated through the cooling pipe to the outside.

반도체, 냉각, 플랜지, 오링 Semiconductor, Cooling, Flange, O-Ring

Description

Apparatus for manufacturing semiconductor device

도 1은 종래의 반도체 소자 제조 장치의 플랜지의 상부 평면도이다.1 is a top plan view of a flange of a conventional semiconductor device manufacturing apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2를 A-A′에 따라 절개한 플랜지의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the flange taken along the line AA ′ of FIG. 2.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

210 : 상부 지지부 220 : 냉각관210: upper support portion 220: cooling tube

230 : 냉각수 공급관 240 : 냉각수 배출관230: cooling water supply pipe 240: cooling water discharge pipe

250 : 하부 지지부250: lower support part

310 : 히터 320 : 외부 튜브310: heater 320: outer tube

330 : 내부 튜브 340 : 웨이퍼 보트330: inner tube 340: wafer boat

350 : 승강대 360 : 실링 부재350: platform 360: sealing member

370 : 회전부 380 : 반응 가스 유입관370: rotating portion 380: reaction gas inlet pipe

390 : 반응 가스 배기관390: reaction gas exhaust pipe

본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실링 부재의 냉각 효율을 높일 수 있는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor device manufacturing apparatus that can increase the cooling efficiency of the sealing member.

반도체 소자 제조 공정에서 많이 사용되는 박막은 열적 성장이나 물리적 증착, 또는 화학 반응에 의해 증착되는 금속, 반도체, 부도체의 얇은 층을 말한다. 이러한 박막을 제조하는 공정에서 사용되는 방법 중 화학적 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition), 특히 저압 화학 기상 증착(LCVD : Low Pressure Chemical Vapor Deposition)은 밀폐된 공정 챔버 내에서 600℃ 이상의 고온, 0.1~10 Torr 정도의 저압 상태에서 반응이 이루어지는 것으로, 박막 형성 시 웨이퍼의 간격을 좁게 하여 동시에 많은 양의 균일한 막질을 얻을 수 있으며, 주로 고온 산화막이나 다결정 실리콘막을 증착시키는 데 사용되고 있다. 이 때, 공정 챔버 내부에 외부 공기가 유입되지 않으면서도 반응에 필요한 압력을 일정하게 유지시키는 것이 무엇보다 중요하다.Thin films commonly used in semiconductor device manufacturing processes refer to thin layers of metals, semiconductors, and insulators deposited by thermal growth, physical vapor deposition, or chemical reactions. Chemical Vapor Deposition (CVD), in particular, Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LCVD), is a high temperature of 600 ° C. or higher in a closed process chamber, and 0.1˜. The reaction takes place at a low pressure of about 10 Torr, and the gap between the wafers is narrowed at the time of forming the thin film to obtain a large amount of uniform film quality, and is mainly used for depositing high temperature oxide film or polycrystalline silicon film. At this time, it is important to maintain a constant pressure necessary for the reaction without introducing external air into the process chamber.

반도체 소자 제조 공정에서 사용되는 저압 화학 기상 증착 설비의 공정 챔버는 내부 튜브와 내부 튜브 외측에 설치되는 외부 튜브로 구성된다. 내부 튜브와 외부 튜브는 그 아래에 위치하는 플랜지(flange)에 의해 지지되며, 외부 튜브와 플랜지 사이에는 공정 챔버와 외부의 실링(sealing)을 위해 실링 부재인 오링(O-ring)이 삽입된다. 그런데, 오링은 합성 고무로 이루어져 있어 고온에서 공정이 수행될 때 열에 의해 변성되거나 연소의 우려가 있어 고진공을 조성하는데 어려운 문제가 있다.The process chamber of the low pressure chemical vapor deposition apparatus used in the semiconductor device manufacturing process includes an inner tube and an outer tube installed outside the inner tube. The inner tube and the outer tube are supported by a flange positioned below it, and an O-ring, which is a sealing member, is inserted between the outer tube and the flange for sealing of the process chamber and the outside. However, since the O-ring is made of synthetic rubber, when the process is performed at a high temperature, there is a risk of denatured by heat or combustion, which makes it difficult to form a high vacuum.

따라서, 이러한 오링의 과열에 의한 손상을 방지하기 위하여, 냉각수가 흐를 수 있는 냉각관을 오링 아래 부분의 플랜지 내부에 도 1과 같이 형성하였다. Therefore, in order to prevent damage due to overheating of the O-ring, a cooling tube through which cooling water can flow is formed in the flange of the lower portion of the O-ring as shown in FIG. 1.

도 1은 종래의 반도체 소자 제조 장치의 플랜지의 상부 평면도이다. 외부 튜브를 지지하기 위한 상부 지지부(110)와 내부 튜브를 지지하기 위한 하부 지지부(150), 그리고 상부 지지부(110) 내부에 형성되어 냉각수가 흐르는 냉각관(120), 냉각수가 유입되는 냉각수 공급관(130) 및 냉각수 배출관(140)이 도 1에서와 같이 형성되어 있다. 외부로부터 냉각수를 공급받아 플랜지(100) 내부의 냉각관(120)으로 흐르면서 플랜지와 플랜지 상부의 오링(미도시)을 냉각시키게 된다.1 is a top plan view of a flange of a conventional semiconductor device manufacturing apparatus. The upper support unit 110 for supporting the outer tube and the lower support unit 150 for supporting the inner tube, and the cooling tube 120 is formed inside the upper support 110, the cooling water flows, the cooling water supply pipe (C) 130 and the coolant discharge pipe 140 are formed as shown in FIG. 1. The cooling water is supplied from the outside to the cooling pipe 120 inside the flange 100 to cool the flange and the O-ring (not shown) of the upper flange.

그러나, 냉각수 공급관(130) 및 냉각수 배출관(140)의 직경이 냉각관(120) 직경의 1/4 정도로 플랜지(100) 및 오링의 냉각에 충분한 냉각수를 공급하지 못하여 오링은 열에 의해 변성되거나 연소하게 되고, 이로 인한 반도체 소자 제조 장치의 잦은 점검 및 오링의 교체에 따른 작업 손실 등이 발생한다.However, the diameters of the cooling water supply pipe 130 and the cooling water discharge pipe 140 do not supply enough cooling water to cool the flange 100 and the O-ring to about 1/4 of the diameter of the cooling pipe 120 so that the O-ring may be denatured or burned by heat. As a result, frequent inspection of the semiconductor device manufacturing apparatus and work loss due to the replacement of the O-ring occur.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 실링 부재의 냉각 효율을 높임으로써, 실링 부재가 열변성되거나 연소되지 않도록 하는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus for preventing the sealing member from being thermally denatured or burned by increasing the cooling efficiency of the sealing member.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자 제조 장치는 외부 튜브와 내부 튜브를 지지하는 플랜지, 외부 튜브와 플랜지 사이에 삽입되어 외 부로부터의 공기의 출입을 차단하는 실링 부재, 플랜지 및 실링 부재를 냉각하는 냉각관, 냉각관에 냉각수를 공급하며 직경이 냉각관 직경의 1/4을 초과하고 1/2을 넘지 않는 냉각수 공급관 및 냉각관을 순환한 냉각수를 외부로 배출하는 냉각수 배출관을 포함한다.The semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention for achieving the above technical problem is a flange for supporting the outer tube and the inner tube, a sealing member inserted between the outer tube and the flange to block the access of air from the outside, the flange and the sealing A cooling pipe for cooling the member, a cooling water supply pipe for supplying cooling water to the cooling pipe, the cooling water supply pipe having a diameter exceeding one quarter of the diameter of the cooling pipe and not exceeding 1/2, and a cooling water discharge pipe for discharging the cooling water circulated through the cooling pipe to the outside do.

기타 실시예의 구체적인 사항은 후술하는 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the following detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 이들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods of achieving the same will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be embodied in various different forms, and only the present embodiments are provided to make the disclosure of the present invention complete and the general knowledge in the technical field to which the present invention belongs. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 2 및 도 3을참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치에 대해 설명한다.A semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치의 단면도이고, 도 3은 도 2를 A-A′에 따라 절개한 플랜지의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a semiconductor device manufacturing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a flange taken along line AA ′ of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 반도체 소자 제조 공정을 수행하는 반도체 소자 제조 장치(300)는 히터(310), 외부 튜브(320), 내부 튜브(330), 플랜지(200), 냉각관(220), 냉각수 공급관(230) 및 냉각수 배출관(240)을 포함한다. 2 and 3, a semiconductor device manufacturing apparatus 300 performing a semiconductor device manufacturing process includes a heater 310, an outer tube 320, an inner tube 330, a flange 200, and a cooling tube 220. ), A coolant supply pipe 230 and a coolant discharge pipe 240.

히터(310)는 공정 수행에 필요한 고온으로 유지하기 위해 외부 튜브(320)의 외측에 설치되어 외부 튜브(320)를 가열하게 된다.The heater 310 is installed outside the outer tube 320 to maintain the high temperature required to perform the process to heat the outer tube 320.

내부 튜브(330)는 상부와 하부가 개방된 원통 형상이며, 내구성 및 내열성이 좋은 석영(quartz) 재질로 이루어진다. 내부에는 웨이퍼(W)를 적재한 웨이퍼 보트(340)가 위치하며, 공정이 수행될 수 있는 공간이 형성되어 있다.The inner tube 330 has a cylindrical shape with the top and bottom open, and is made of quartz material having good durability and heat resistance. The wafer boat 340 on which the wafers W are loaded is located inside, and a space in which the process can be performed is formed.

내부 튜브(330)로 삽입되는 웨이퍼 보트(340)는 승강대(350) 위에 안착되어 상하 이동을 통해 내부 튜브(330)로 삽입 또는 배출되도록 되어 있고, 공정 시의 회전을 위해 승강대(350) 하부에는 회전부(370)가 연결되어 웨이퍼 보트(340)의 회전이 가능하도록 되어 있다.The wafer boat 340 inserted into the inner tube 330 is seated on the platform 350 to be inserted or discharged into the inner tube 330 through vertical movement. The wafer boat 340 is disposed below the platform 350 for rotation during the process. The rotating part 370 is connected to enable the rotation of the wafer boat 340.

외부 튜브(320)는 내부 튜브(330)의 외측을 감싸듯이 위치하는데, 하부가 개방된 원통 형상이며, 재질은 내부 튜브(330)와 마찬가지로 석영(quartz) 재질로 이루어진다. The outer tube 320 is positioned to surround the outer side of the inner tube 330, and has a cylindrical shape with an open bottom, and the material is made of quartz material similar to the inner tube 330.

내부 튜브(330)와 외부 튜브(320)는 플랜지(200)에 의해 지지되는데, 이렇게 분리된 복수 개의 부재로 연결되는 경우, 내부의 진공도를 높이기 위해 외부 튜브(320)와 플랜지(200) 사이에 소정의 실링 부재(360)를 사용한다.The inner tube 330 and the outer tube 320 are supported by the flange 200. When the inner tube 330 and the outer tube 320 are connected by a plurality of separated members, the inner tube 330 and the outer tube 320 are disposed between the outer tube 320 and the flange 200 to increase the degree of vacuum therein. The predetermined sealing member 360 is used.

실링 부재(360)로는 합성 고무 재질로 이루어진 오링(O-ring) 등이 사용될 수 있다. 실링 부재(360)는 본 발명의 일 실시예에 의해 특별히 한정되지 않으며, 실링 효과가 있고 내구성 및 내열성이 강한 물질이라면 무엇이든 사용될 수 있다.As the sealing member 360, an O-ring made of synthetic rubber may be used. The sealing member 360 is not particularly limited by the exemplary embodiment of the present invention, and any sealing material 360 may be used as long as it has a sealing effect and a strong durability and heat resistance.

상기의 실링 부재(360)는 높은 온도에서 열변성을 일으키거나 연소될 수 있으므로, 플랜지(200)의 냉각을 통해 실링 부재(360)를 간접 냉각할 수 있도록 플랜 지((200) 내부에 냉각관(220)을 구비한다. 냉각관(220)에 관해서는 플랜지(100)의 구조와 함께 상세히 후술하도록 한다.Since the sealing member 360 may be thermally deformed or burned at a high temperature, the cooling pipe inside the flange 200 may indirectly cool the sealing member 360 by cooling the flange 200. It is provided with a 220. The cooling tube 220 will be described later in detail with the structure of the flange (100).

플랜지(200)는 외부 튜브(320) 및 내부 튜브(330)를 지지하는 역할을 하는 것으로, 원통 형상으로 되어 있으며, 외부 튜브(330)를 지지하는 상부 지지부(210)와 내부 튜브(330)를 지지하는 하부 지지부(250), 그리고 플랜지(200)의 냉각을 위해 상부 지지부(210)에 형성된 냉각관(220) 및 냉각수의 공급과 배출을 위한 냉각수 공급관(230)과 냉각수 배출관(240)을 포함한다.The flange 200 serves to support the outer tube 320 and the inner tube 330, and has a cylindrical shape. The flange 200 supports the upper support portion 210 and the inner tube 330 that support the outer tube 330. It includes a lower support 250 for supporting, and a cooling tube 220 formed on the upper support 210 for cooling the flange 200, and a cooling water supply pipe 230 and cooling water discharge pipe 240 for supplying and discharging the cooling water. do.

상부 지지부(210)는 플랜지(200)의 상단 외측벽에 외측벽면을 따라 돌출되어 형성됨으로써, 외부 튜브(320)가 안착될 수 있도록 되어 있다.The upper support portion 210 is formed to protrude along the outer wall surface on the upper outer wall of the flange 200, so that the outer tube 320 can be seated.

하부 지지부(210)는 플랜지(200)의 내측벽에 내측벽면을 따라 돌출되어 형성됨으로써, 내부 튜브(320)가 안착될 수 있도록 되어 있다.The lower support portion 210 is formed to protrude along the inner wall surface on the inner wall of the flange 200, so that the inner tube 320 can be seated.

상부 지지부(210) 내부에는 상부 지지부(210)에 안착되는 외부 튜브(320)와의 접촉면상에 위치하는 실링 부재(360)를 냉각시키기 위한 냉각관(220)이 링 형상으로 형성되어 있다.Inside the upper support 210, a cooling tube 220 for cooling the sealing member 360 positioned on the contact surface with the outer tube 320 seated on the upper support 210 is formed in a ring shape.

냉각관(220)은 외부에 위치한 별도의 냉각수 공급원(미도시)로부터 냉각수를 공급받아 플랜지(200) 내부로 보내 주는 냉각수 공급관(230) 및 플랜지(200)를 순환한 냉각수가 배출되는 냉각수 배출관(240)이 연결되어 있다.The cooling pipe 220 receives the cooling water from a separate cooling water supply source (not shown) located outside and sends the cooling water to the flange 200 and the cooling water discharge pipe through which the cooling water circulated through the flange 200 is discharged. 240 is connected.

냉각수 공급관(230) 및 냉각수 배출관(240)은 플랜지(200)의 외부로부터 플랜지(200) 내부의 냉각관(220)에 연결되어 있다. 냉각수 공급관(230)과 냉각수 배출관(240)은 동일 평면상에 위치하므로 도 2에서는 냉각수 공급관(230)만 도시하였 다. 냉각수 배출관(240)은 냉각수 공급관(230)의 후면에 위치한다. 도 3에 자세히 도시하고 있다.The cooling water supply pipe 230 and the cooling water discharge pipe 240 are connected to the cooling pipe 220 inside the flange 200 from the outside of the flange 200. Since the cooling water supply pipe 230 and the cooling water discharge pipe 240 are located on the same plane, only the cooling water supply pipe 230 is illustrated in FIG. 2. The coolant discharge pipe 240 is located at the rear of the coolant supply pipe 230. It is shown in detail in FIG.

냉각수 공급관(230)의 직경은 냉각관(220)의 직경의 1/4 보다 클 수 있으며 1/2 를 넘을 수 없다. 더 나아가 냉각관(220)의 직경의 약 3/8 정도로 형성될 수 있다.The diameter of the cooling water supply pipe 230 may be larger than 1/4 of the diameter of the cooling pipe 220 and may not exceed 1/2. Furthermore, about 3/8 of the diameter of the cooling tube 220 may be formed.

냉각수 배출관(240)의 직경은 반드시 냉각관(220)의 직경의 1/4 보다 커야 하는 것은 아니지만, 냉각수의 흐름을 원활하게 하기 위하여 냉각수 공급관(230)의 직경이 커짐에 따라 함께 커지는 것이 바람직하다.The diameter of the cooling water discharge pipe 240 is not necessarily larger than 1/4 of the diameter of the cooling pipe 220, but in order to facilitate the flow of the cooling water, it is preferable that the diameter of the cooling water supply pipe 230 increases as the diameter of the cooling water supply pipe 230 increases. .

냉각수 공급관(230)의 직경이 냉각관(220)의 직경의 1/4 이하가 되면, 플랜지(200) 및 실링 부재(360)가 충분히 냉각되지 못하여 실링 부재(360)가 열변성되거나 연소할 수 있다. When the diameter of the cooling water supply pipe 230 is less than 1/4 of the diameter of the cooling pipe 220, the flange 200 and the sealing member 360 may not be sufficiently cooled, and the sealing member 360 may be thermally denatured or burned. have.

플랜지(200) 하부에는 공정에 필요한 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 유입관(380)과 반응 가스 배기관(390)이 서로 마주하여 형성되어 있다.In the lower portion of the flange 200, a reaction gas inlet pipe 380 and a reaction gas exhaust pipe 390 for supplying a reaction gas for a process are formed to face each other.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치(300)의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the semiconductor device manufacturing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention described above are as follows.

먼저, 플랜지(200)의 하부 지지부(250)에 내부 튜브(330)를 안착시키고, 상부 지지부(210)에 외부 튜브(320)를 안착시킨다. First, the inner tube 330 is seated on the lower support part 250 of the flange 200, and the outer tube 320 is seated on the upper support part 210.

그리고, 승강대(350) 상에 웨이퍼 보트(340)를 안착시키고 상승시켜 내부 튜브(330) 내부로 삽입하여 밀착시킨다.Then, the wafer boat 340 is seated and lifted on the platform 350 to be inserted into the inner tube 330 to be in close contact.

진공 펌프(미도시)를 이용한 펌핑으로 고진공 상태가 형성되면 반응 가스 유 입관(380)을 통해 반응 가스를 주입하고, 히터(310)를 가열하여 공정을 수행한다. 공정이 완료된 후에는 내부에 잔류하고 있는 가스를 반응 가스 배기관(390)을 통해 외부로 배출한다.When a high vacuum state is formed by pumping using a vacuum pump (not shown), a reaction gas is injected through the reaction gas inlet pipe 380, and the heater 310 is heated to perform a process. After the process is completed, the gas remaining therein is discharged to the outside through the reaction gas exhaust pipe 390.

이 때, 600℃ 이상의 고온으로 공정이 진행되면, 반도체 소자 제조 장치(300)의 온도가 상승하게 되므로, 실링 부재(360)로 사용된 오링이 열변성되거나 연소될 우려가 있어, 오링과 접촉하고 있는 플랜지(200)를 냉각하여 오링을 간접 냉각하게 된다.At this time, when the process proceeds at a high temperature of 600 ° C. or higher, the temperature of the semiconductor device manufacturing apparatus 300 is increased, so that the O-ring used as the sealing member 360 may be thermally denatured or burned, thereby contacting the O-ring. Indirect cooling of the O-ring by cooling the flange 200 is present.

냉각 시에는, 외부의 냉각수 공급원(미도시)로부터 냉각수 공급관(230)을 통해 냉각수를 공급받아 플랜지(200)의 상부 지지부(210) 내부에 형성되어 있는 냉각관(220)으로 냉각수를 순환시킨다.At the time of cooling, the coolant is supplied from the external coolant supply source (not shown) through the coolant supply pipe 230 to circulate the coolant to the coolant tube 220 formed in the upper support part 210 of the flange 200.

냉각수 공급관(230)의 직경을 냉각관(220)에 공급되는 냉각수가 충분할 수 있을 정도의 크기로 형성함으로써, 플랜지(200) 및 실링 부재(360)의 냉각을 원활하게 할 수 있다. By forming the diameter of the cooling water supply pipe 230 to a size such that the cooling water supplied to the cooling pipe 220 may be sufficient, cooling of the flange 200 and the sealing member 360 may be smoothly performed.

냉각관(220)을 순환하고 난 냉각수는 냉각수 배출관(240)을 통해 외부로 배출된다. 냉각수 배출관(240)의 직경도 크게 해 주어, 냉각수의 흐름을 원활하게 만들어 준다.Cooling water circulated through the cooling pipe 220 is discharged to the outside through the cooling water discharge pipe 240. The diameter of the cooling water discharge pipe 240 also increases, making the flow of the cooling water smooth.

본 발명의 일 실시예에서는 외부 튜브(320)와 플랜지(200) 사이의 실링 부재(360)의 냉각관(220) 및 냉각수 공급관(230)과 냉각수 배출관(240)에 대해 설명하고 있으나, 다른 부분의 냉각관 및 냉각수 공급관과 냉각수 배출관에 대해서도 적용할 수 있음은 물론이다. In one embodiment of the present invention has been described with respect to the cooling tube 220 and the cooling water supply pipe 230 and the cooling water discharge pipe 240 of the sealing member 360 between the outer tube 320 and the flange 200, but other parts Of course, the cooling tube and the cooling water supply pipe and the cooling water discharge pipe can also be applied.

이상과 같이 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 예시된 도면을 참조로 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 아닌 것으로 이해해야만 한다. As described above with reference to the illustrated drawings of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment can be manufactured in a variety of different forms, it is usually in the art Those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치는 다음과 같은 효과가 있다.The semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention as described above has the following effects.

첫째, 플랜지의 냉각 효율을 높임으로써, 실링 부재의 냉각 효율도 함께 높일 수 있다. 따라서 실링 부재의 열변성 및 연소로 인한 교체 비용을 절감할 수 있고, 작업 시간의 손실을 줄일 수 있다는 장점이 있다.First, by increasing the cooling efficiency of the flange, it is also possible to increase the cooling efficiency of the sealing member. Therefore, it is possible to reduce the replacement cost due to the heat denaturation and combustion of the sealing member, there is an advantage that can reduce the loss of working time.

둘째, 실링 부재의 냉각 효율이 높아짐으로써, 실링 부재의 손상이 방지되어 실링 효율도 함께 높아져 리크가 감소되는 장점도 있다.Second, as the cooling efficiency of the sealing member is increased, damage to the sealing member is prevented, and the sealing efficiency is also increased, thereby reducing the leak.

Claims

A flange supporting the outer tube and the inner tube;

A sealing member inserted between the outer tube and the flange to block entry of air from the outside;

A cooling tube cooling the flange and the sealing member;

A cooling water supply pipe for supplying cooling water to the cooling pipe, the diameter of which exceeds 1/4 of the diameter of the cooling pipe and does not exceed 1/2; And

And a cooling water discharge pipe discharging the cooling water circulated through the cooling pipe to the outside.

The method of claim 1,

And the sealing member is an o-ring.

The method of claim 1,

Located outside the outer tube, and further comprising a heater for heating the outer tube.