KR100942067B1 - High Temperature Furnace - Google Patents

High Temperature Furnace Download PDF

Info

Publication number
KR100942067B1
KR100942067B1 KR1020070126437A KR20070126437A KR100942067B1 KR 100942067 B1 KR100942067 B1 KR 100942067B1 KR 1020070126437 A KR1020070126437 A KR 1020070126437A KR 20070126437 A KR20070126437 A KR 20070126437A KR 100942067 B1 KR100942067 B1 KR 100942067B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
air
reaction chamber
body portion
high temperature
temperature furnace
Prior art date
Application number
KR1020070126437A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090059539A (en
Inventor
장택용
이병일
유한길
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR1020070126437A priority Critical patent/KR100942067B1/en
Publication of KR20090059539A publication Critical patent/KR20090059539A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100942067B1 publication Critical patent/KR100942067B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

소정의 열처리를 수행하기 위하여 복수개의 기판이 장입되는 반응 챔버의 하단 외주부를 따라 설치되어 반응 챔버를 통하여 전달되는 열을 차단하는 냉각부가 설치되어 있는 고온 퍼니스가 개시된다. 본 발명에 따른 고온 퍼니스의 냉각부(300)는 반응 챔버(2)의 외벽에 접촉될 공기가 유입되어 흐르는 제1 바디부(310); 반응 챔버(2)의 외벽에 접촉된 공기가 배기되어 흐르는 제2 바디부(320); 및 제1(310) 및 제2 바디부(320)를 구분하는 분리판(330)을 포함한다. A high temperature furnace is provided in which a cooling unit is installed along a lower outer periphery of a reaction chamber in which a plurality of substrates are loaded to block a heat transmitted through the reaction chamber to perform a predetermined heat treatment. The cooling unit 300 of the high temperature furnace according to the present invention includes: a first body part 310 through which air to be contacted with the outer wall of the reaction chamber 2 flows; A second body part 320 through which air in contact with the outer wall of the reaction chamber 2 is exhausted; And a separator 330 that separates the first 310 and the second body 320.

반도체, 웨이퍼, 퍼니스, 챔버, 냉각 Semiconductor, Wafer, Furnace, Chamber, Cooling

Description

고온 퍼니스{High Temperature Furnace}High Temperature Furnace

본 발명은 반도체 소자 제조용 고온 퍼니스에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 소정의 열처리를 수행하기 위하여 복수개의 기판이 장입되는 반응 챔버의 하단 외주부를 따라 설치되어 반응 챔버를 통하여 전달되는 열을 차단하는 냉각 수단이 설치되어 있음으로써 반응 챔버의 냉각 효율을 증대시킬 수 있는 고온 퍼니스에 관한 것이다. The present invention relates to a high temperature furnace for the manufacture of semiconductor devices. More specifically, the present invention is installed along the lower outer periphery of the reaction chamber in which a plurality of substrates are loaded in order to perform a predetermined heat treatment, and cooling means for blocking heat transferred through the reaction chamber is installed. A high temperature furnace capable of increasing the cooling efficiency.

반도체 소자 제조를 위한 열처리 공정으로는 실리콘의 표면 산화를 위한 산화 공정, 불순물을 확산하기 위한 확산 공정, 반도체 기판 상에 소정의 물질을 증착하는 화학 기상 증착 공정, 및 균일한 확산이나 재결정 등을 목적으로 하는 어닐링(annealing) 공정 등이 있다. 이와 같은 반도체 제조 공정을 수행하기 위해서는 고온 퍼니스(furnace)의 사용이 필수적이다.Heat treatment processes for semiconductor device fabrication include oxidation processes for surface oxidation of silicon, diffusion processes for diffusing impurities, chemical vapor deposition processes for depositing predetermined materials on semiconductor substrates, and uniform diffusion and recrystallization. And an annealing step. In order to perform such a semiconductor manufacturing process, the use of a high temperature furnace is essential.

도 1은 종래기술에 따른 고온 퍼니스(1)의 구성을 나타내는 도면이다.1 is a view showing the configuration of a high temperature furnace 1 according to the prior art.

도시한 바와 같이, 고온 퍼니스(1)는 내부에 장입된 피처리체, 예를 들어 실리콘 웨이퍼(100)에 대한 반응(또는, 공정) 공간을 제공하는 반응 챔버(2), 반응 챔버(2) 내부를 가열하는 히터(3) 및 반응 챔버(2) 내부에 반응 가스를 분사시키는 가스 분사관(5)을 포함하여 구성되어 있다. As shown, the high temperature furnace 1 is a reaction chamber 2, a reaction chamber 2, which provides a reaction (or process) space for an object to be loaded, for example, a silicon wafer 100. And a gas injection tube (5) for injecting a reaction gas into the heater (3) for heating the reaction chamber (2).

가스 분사관(5)은 가스 공급관(4a)에 연결되어 반응 가스를 공급받고, 가스 분사관(5)의 단부는 반응 챔버(2)의 내측 상단 일측에 위치되어 외부에서 공급되는 반응 가스를 반응 챔버(2)의 내부로 분사하여 공급한다. The gas injection pipe 5 is connected to the gas supply pipe 4a to receive the reaction gas, and an end portion of the gas injection pipe 5 is located at one inner upper side of the reaction chamber 2 to react the reaction gas supplied from the outside. It is injected into the chamber 2 and supplied.

반응 챔버(2)에 반응 가스가 공급된 상태에서 히터(3)를 동작시키면 소정의 반도체 제조 공정이 수행되며, 사용된 반응 가스는 가스 배출관(4b)을 통해 챔버 외부로 배출된다. When the heater 3 is operated while the reaction gas is supplied to the reaction chamber 2, a predetermined semiconductor manufacturing process is performed, and the used reaction gas is discharged out of the chamber through the gas discharge pipe 4b.

가스 공급관(4a)과 가스 배출관(4b)은 반응 챔버(2)의 하단에 고정 플랜지(6)와 같은 수단을 통하여 연결되는 매니폴드(10)를 매개로 하여 반응 챔버(2)와 연결된다.The gas supply pipe 4a and the gas discharge pipe 4b are connected to the reaction chamber 2 via a manifold 10 connected to a lower end of the reaction chamber 2 through a means such as a fixing flange 6.

한편, 고온 퍼니스(1)에서 반응 챔버(2)의 내부는 경우에 따라서는 1,000℃ 이상의 고온을 유지해야 할 필요가 있기 때문에 반응 챔버(2)는 단열재(미도시)에 의해 외부와 열적으로 격리되어 있다. On the other hand, since the inside of the reaction chamber 2 in the high temperature furnace 1 needs to be maintained at a high temperature of 1,000 ° C. or higher in some cases, the reaction chamber 2 is thermally isolated from the outside by an insulator (not shown). It is.

그러나, 고온 퍼니스(1)에서 반응 챔버(2)의 외벽을 타고 전달되는 열은 단열재에 의해서도 격리가 되지 않음으로써 반응 챔버(2)의 직하방에 설치되어 있는 고정 플랜지(6)나 매니폴드(10)에 열 손상을 주는 문제점이 있었다. However, the heat transferred from the outer wall of the reaction chamber 2 in the high temperature furnace 1 is not isolated even by the heat insulator, so that the fixing flange 6 or the manifold installed directly under the reaction chamber 2 ( 10) There was a problem that causes heat damage.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반응 챔버를 통하여 전달되는 열을 차단하는 냉각부를 반응 챔버의 하단 외주부를 따라 설치함으로써 반응 챔버에 하부에 설치되는 고정 플랜지나 매니폴드의 열손상을 방지할 수 있는 고온 퍼니스를 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, the present invention has been made in order to solve the problems of the prior art as described above, by installing a cooling unit for blocking the heat transferred through the reaction chamber along the lower outer periphery of the reaction chamber fixed flange installed in the lower portion of the reaction chamber or It is an object of the present invention to provide a high temperature furnace that can prevent thermal damage of a manifold.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 고온 퍼니스는 소정의 열처리를 수행하기 위하여 복수개의 기판이 장입되는 반응 챔버의 하단 외주부를 따라 설치되어 상기 반응 챔버를 통하여 전달되는 열을 차단하는 냉각 수단을 포함하는 고온 퍼니스로서, 상기 냉각 수단은 상기 반응 챔버의 외벽에 접촉될 공기가 유입되어 흐르는 제1 바디부; 상기 반응 챔버의 외벽에 접촉된 공기가 배기되어 흐르는 제2 바디부; 및 상기 제1 및 제2 바디부를 구분하는 분리판을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the high temperature furnace according to the present invention is installed along the bottom outer periphery of the reaction chamber in which a plurality of substrates are loaded to perform a predetermined heat treatment, and cooling means for blocking heat transferred through the reaction chamber. A high temperature furnace comprising: a first body portion through which air to be in contact with the outer wall of the reaction chamber flows; A second body part through which air in contact with the outer wall of the reaction chamber is exhausted; And a separating plate that separates the first and second body parts.

상기 냉각 수단은 상기 반응 챔버의 외주부와 소정 거리만큼 이격되어 설치될 수 있다. The cooling means may be spaced apart from the outer peripheral portion of the reaction chamber by a predetermined distance.

상기 제1 바디부는 상기 제2 바디부 하방에 위치될 수 있다. The first body portion may be located below the second body portion.

상기 제1 바디부는 상기 반응 챔버의 외벽에 접촉될 공기가 유입되는 공기 유입관을, 상기 제2 바디부는 상기 반응 챔버의 외벽과 접촉된 공기가 배기되는 공기 배기관을 포함할 수 있다. The first body part may include an air inlet pipe through which air to be contacted with the outer wall of the reaction chamber is introduced, and the second body part may include an air exhaust pipe through which air contacted with the outer wall of the reaction chamber is exhausted.

상기 제1 바디부는 유입된 공기가 배출되어 상기 반응 챔버와 접촉되도록 상기 반응 챔버를 향하여 형성되는 복수개의 공기 배출홀을, 상기 제2 바디부는 상기 제1 바디부의 공기 배출홀을 통하여 배출되어 상기 반응 챔버의 외벽과 접촉된 공기가 흡입되도록 상기 반응 챔버를 향하여 형성되는 복수개의 공기 흡입홀을 포함 할 수 있다. The first body portion discharges a plurality of air discharge holes formed toward the reaction chamber so that the introduced air is discharged to contact the reaction chamber, and the second body portion is discharged through the air discharge hole of the first body portion to react the reaction. It may include a plurality of air suction holes formed toward the reaction chamber to suck the air in contact with the outer wall of the chamber.

상기 공기 배출홀의 직경은 상기 공기 흡입홀의 직경보다 클수 있다. The diameter of the air discharge hole may be larger than the diameter of the air suction hole.

상기 제1 바디부의 일단에는 팬 모터가 설치될 수 있다. A fan motor may be installed at one end of the first body part.

본 발명에 따르면, 반응 챔버를 통하여 전달되는 열을 차단하는 냉각부를 반응 챔버의 하단 외주부를 따라 설치함으로써 반응 챔버에 하부에 설치되는 고정 플랜지나 매니폴드의 열손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by installing the cooling unit for blocking the heat transferred through the reaction chamber along the lower outer periphery of the reaction chamber there is an effect that can prevent the thermal damage of the fixing flange or manifold installed in the lower portion of the reaction chamber.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각부(300)의 구성을 나타내는 사시도 및 단면도이다.2 and 3 are a perspective view and a cross-sectional view showing the configuration of the cooling unit 300 according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 냉각부(300)는 반응 챔버의 외벽에 접촉될 공기가 유입되어 흐르는 제1 바디부(310), 반응 챔버의 외벽에 접촉된 공기가 배기되어 흐르는 제2 바디부(320) 및 제1 및 제2 바디부(310, 320)를 구분하는 분리판(330)을 포함한다.As shown in the drawing, the cooling unit 300 includes a first body part 310 through which air to be contacted with the outer wall of the reaction chamber flows in and a second body part 320 through which air contacted with the outer wall of the reaction chamber is exhausted. And a separator 330 that separates the first and second body parts 310 and 320.

도 2 및 도 3을 참조하면, 고온 퍼니스를 구성하는 반응 챔버(2) 하단 원주부를 따라 반응 챔버(2)의 외벽에 접촉될 공기가 유입되어 흐르는 제1 바디부(310)와 반응 챔버(2)의 외벽에 접촉된 공기가 배기되어 흐르는 제2 바디부(320)를 설치하도록 한다. Referring to FIGS. 2 and 3, the first body part 310 and the reaction chamber in which air to be contacted with the outer wall of the reaction chamber 2 flows along the lower circumference of the reaction chamber 2 constituting the high temperature furnace ( It is to install the second body portion 320 through which the air in contact with the outer wall of 2) is exhausted.

일반적으로 반응 챔버(2)는 원통형으로 형성되므로, 반응 챔버(2)의 하단 외주부 상에 설치되는 제1 바디부(310)와 제2 바디부(320)도 원형의 링 형태로 형성 되는 것이 바람직하다. 반응 챔버(2)의 형태가 다른 형태로 형성된다면, 제1 바디부(310)와 제2 바디부(320)의 형태도 반응 챔버(2)의 형태에 따라 변화된다. 이때, 제1 바디부(310)와 제2 바디부(320)의 내부는 공간이 형성되도록 하여 공기와 같은 유체가 자유롭게 지날 수 있도록 한다.In general, since the reaction chamber 2 is formed in a cylindrical shape, it is preferable that the first body part 310 and the second body part 320 which are installed on the outer peripheral portion of the lower end of the reaction chamber 2 also have a circular ring shape. Do. If the shape of the reaction chamber 2 is formed in another shape, the shape of the first body portion 310 and the second body portion 320 is also changed according to the shape of the reaction chamber (2). At this time, the interior of the first body portion 310 and the second body portion 320 is formed so that a fluid such as air can pass freely.

또한, 도 2 및 도 3을 참조하면, 반응챔버(2)에 냉각부(300)의 설치 및 해체를 용이하게 하기 위하여 냉각부(300)는 반원 형태의 2개의 파트로 제작된 후, 각 파트의 양단을 서로 접합시킴으로써 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 냉각부(300)의 형성을 위해 2개의 파트를 서로 연결하였으나, 파트의 개수를 그 이상으로 할 수도 있고, 파트를 형성하여 연결하지 않고 냉각부(300)를 일체형으로 형성할 수도 있다. In addition, referring to Figures 2 and 3, in order to facilitate the installation and disassembly of the cooling unit 300 in the reaction chamber 2, the cooling unit 300 is made of two parts of a semi-circular shape, each part It can be formed by joining both ends of each other. In this embodiment, the two parts are connected to each other to form the cooling unit 300, but the number of parts may be more than that, or the cooling unit 300 may be integrally formed without connecting the parts. have.

제1 바디부(310)와 제2 바디부(320)는 수평으로 설치되는 분리판(330)에 의해 구분된다. 여기서, 분리판(330)에 의해 구분되는 제1 바디부(310)는 하부에 위치되고, 제1 바디부(310)의 상부에는 제2 바디부(320)가 배치된다. The first body part 310 and the second body part 320 are divided by the separating plate 330 installed horizontally. Here, the first body portion 310 divided by the separating plate 330 is positioned at the bottom, and the second body portion 320 is disposed above the first body portion 310.

그리고, 제1 바디부(310)의 외측으로는 제1 바디부(310)로 공기를 유입시키는 공기 유입관(314)이 설치되고, 제2 바디부(320)의 외측으로는 반응 챔버(2)의 냉각에 사용된 공기를 제2 바디부(320) 외부로 배기하는 공기 배기관(324)이 설치되며, 공기 유입관(314)의 단부에는 제1 바디부(310)로의 공기의 유입이 원활히 이루어질 수 있도록 팬 모터(M)를 설치하는 것이 바람직하다. 이때, 공기 유입관(314)과 공기 배기관(324)은 대략 180˚의 간격을 두고 설치되는 것이 바람직하다. In addition, an air inlet pipe 314 for introducing air into the first body 310 is installed outside the first body 310, and the reaction chamber 2 is located outside the second body 320. Air exhaust pipe 324 for exhausting the air used for cooling the outside of the second body portion 320 is installed, the inlet of the air to the first body portion 310 smoothly at the end of the air inlet pipe 314. It is preferable to install the fan motor (M) to be made. At this time, the air inlet pipe 314 and the air exhaust pipe 324 is preferably installed at intervals of approximately 180 degrees.

그리고, 링 형태로 형성된 제1 바디부(310)와 제2 바디부(320)의 내주면에는 일정한 간격으로 반응 챔버(2)를 향하여 공기 배출홀(316)과 공기 흡입홀(326)이 각각 형성된다. In addition, air discharge holes 316 and air suction holes 326 are formed on the inner circumferential surfaces of the first body 310 and the second body 320 formed in a ring shape toward the reaction chamber 2 at regular intervals. do.

공기 배출홀(316)은 제1 바디부(310)의 내주면에 반응 챔버(2)를 향하여 복수개로 형성되어, 제1 바디부(310)로 유입된 공기가 배출될 수 있도록 하고, 배출된 공기는 반응 챔버(2)의 외주부에 접촉하여 반응 챔버(2)를 냉각한다. 이후, 냉각에 사용된 공기는 제2 바디부(320)의 내주면에 반응 챔버(2)를 향하여 복수개로 형성된 공기 흡입홀(326)을 통해 제2 바디부(320)의 내부로 흡입되고, 제2 바디부(320)로 흡입된 공기는 공기 배기관(324)을 통해 제2 바디부(320)의 외부로 배기된다. A plurality of air discharge holes 316 are formed on the inner circumferential surface of the first body 310 toward the reaction chamber 2 to allow the air introduced into the first body 310 to be discharged, and the discharged air. Contacts the outer periphery of the reaction chamber 2 to cool the reaction chamber 2. Thereafter, the air used for cooling is sucked into the second body part 320 through a plurality of air suction holes 326 formed toward the reaction chamber 2 on the inner circumferential surface of the second body part 320. The air sucked into the second body part 320 is exhausted to the outside of the second body part 320 through the air exhaust pipe 324.

제1 바디부(310)와 제2 바디부(320)의 내주면에 각각 형성되는 공기 배출홀(316)과 공기 흡입홀(326)은 각각 일정한 간격으로 형성되는 것이 바람직하다.The air discharge holes 316 and the air suction holes 326 respectively formed on the inner circumferential surfaces of the first body 310 and the second body 320 are preferably formed at regular intervals.

공기 배출홀(316) 및 공기 흡입홀(326)을 통하여 공기가 유통되면서 반응 챔버(2)의 외벽을 타고 내려오는 열이 원활하게 차단되기 위해서는, 반응 챔버(2)의 외주면과 제1 바디부(310)와 제2 바디부(320)의 내주면은 소정의 거리만큼 이격되는 것이 바람직하다. 이때, 냉각부(300)의 상부에는 반응 챔버(2)의 외주부를 따라 설치되는 단열재(미도시)가 설치되어 있기 때문에, 공기 배출홀(316)에서 배출된 공기는 공기 흡입홀(326)로만 유입되고 특별히 냉각부(300)의 외부로는 누설되지 않는다. In order to smoothly block heat flowing down the outer wall of the reaction chamber 2 while the air flows through the air discharge hole 316 and the air suction hole 326, the outer circumferential surface of the reaction chamber 2 and the first body part The inner circumferential surface of the 310 and the second body part 320 may be spaced apart by a predetermined distance. At this time, since the heat insulating material (not shown) installed along the outer circumference of the reaction chamber 2 is installed at the upper portion of the cooling unit 300, the air discharged from the air discharge hole 316 is only the air suction hole 326. It is introduced and does not leak to the outside of the cooling unit 300 in particular.

아울러, 공기 흡입홀(326)을 공기 배출홀(316) 보다 작게 형성하면, 공기 흡 입홀(326)을 통해 흡입되는 공기의 유속은 공기 배출홀(316)에서 공기가 배출될 때의 유속보다 커지기 때문에, 반응 챔버(2)의 외벽을 타고 내려오는 열을 효과적으로 차단할 수 있다.In addition, when the air intake hole 326 is formed smaller than the air discharge hole 316, the flow rate of the air sucked through the air intake hole 326 becomes larger than the flow rate when the air is discharged from the air discharge hole 316 Therefore, heat coming down the outer wall of the reaction chamber 2 can be effectively blocked.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각부가 설치된 고온 퍼니스의 구성을 나타내는 도면으로서, 이를 참조하여 냉각부의 작동예를 설명하기로 한다. 4 is a view illustrating a configuration of a high temperature furnace in which a cooling unit is installed according to an embodiment of the present invention, and an operation example of the cooling unit will be described with reference to this.

먼저, 팬 모터(M)를 작동시켜 공기 유입관(314)으로 냉각에 사용되는 공기를 공급한다. First, the fan motor M is operated to supply air used for cooling to the air inlet pipe 314.

팬 모터(M)에 의해 공급된 공기는 공기 유입관(314)을 통해 제1 바디부(310)로 유입되고 유입된 후 제1 바디부(310)의 내부를 순환하는 도중에 공기 배출홀(316)을 통해 배출되며, 배출된 공기는 반응 챔버(2) 하단의 외주부 표면에 접촉하면서 반응 챔버(2)의 외벽을 타고 내려오는 열을 차단시킨다. The air supplied by the fan motor M is introduced into the first body 310 through the air inlet pipe 314, and after being introduced, the air discharge hole 316 while circulating inside the first body 310. Exhausted through the), the discharged air blocks the heat coming down the outer wall of the reaction chamber 2 while contacting the outer peripheral surface of the bottom of the reaction chamber (2).

반응 챔버(2)와 접촉된 공기는 반응 챔버(2)와의 열 교환에 의해 온도가 상승되어 부피가 팽창하면서 반응 챔버(2)의 표면을 따라 상승하게 되고, 상승된 후에는 공기 흡입홀(326)을 통해 제2 바디부(320)로 유입되며, 제2 바디부(320)로 유입된 공기는 제2 바디부(320)의 외측에 설치되어 있는 공기 배기관(324)을 통해 외부로 배기된다. The air in contact with the reaction chamber 2 rises along the surface of the reaction chamber 2 as the temperature is increased by heat exchange with the reaction chamber 2 and the volume expands, and after being raised, the air intake hole 326. ) Is introduced into the second body part 320, and the air introduced into the second body part 320 is exhausted to the outside through the air exhaust pipe 324 installed outside the second body part 320. .

이때, 팬 모터(M)의 계속적인 동작에 의해 공기 배출홀(316)을 통한 공기의 배출과 공기 흡입홀(326)을 통한 공기의 흡입이 계속 이루어지므로, 반응 챔버(2)의 외벽을 타고 내려오는 열을 지속적으로 차단시킨다.At this time, since the air is discharged through the air discharge hole 316 and the air is sucked through the air suction hole 326 by the continuous operation of the fan motor M, the outer wall of the reaction chamber 2 Keep the heat from falling down.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고온 퍼니스는 반응 챔버(2)를 통하여 전 달되는 열을 차단하는 냉각부(300)를 반응 챔버(2)의 하단 외주부를 따라 설치함으로써 반응 챔버(2)에 하부에 설치되는 고정 플랜지(150)나 매니폴드(200)의 열손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.As described above, the high temperature furnace according to the present invention is installed in the reaction chamber 2 by installing a cooling unit 300 for blocking heat transferred through the reaction chamber 2 along the lower outer periphery of the reaction chamber 2. There is an advantage that can prevent the thermal damage of the fixing flange 150 or the manifold 200 is installed in the lower portion.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다. Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and various modifications made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Modifications and variations are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

도 1은 종래기술에 따른 고온 퍼니스의 구성을 나타내는 도면. 1 is a view showing the configuration of a high temperature furnace according to the prior art.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각부의 구성을 사시도 및 단면도.2 and 3 are a perspective view and a cross-sectional view of the configuration of the cooling unit according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각부가 설치된 고온 퍼니스의 구성을 나타내는 도면. 4 is a view showing the configuration of a high-temperature furnace equipped with a cooling unit according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 고온 퍼니스1: high temperature furnace

2: 반응 챔버2: reaction chamber

100: 웨이퍼100: wafer

150: 고정 플랜지150: fixed flange

200: 매니폴드200: manifold

300: 냉각부300: cooling unit

310: 제1 바디부310: first body portion

314: 공기 공급관314: air supply line

316: 공기 배출홀316: air outlet hole

320: 제2 바디부320: second body portion

324: 공기 배기관324: air exhaust pipe

326: 공기 흡입홀326: air intake hole

330: 분리판330: separator

M: 팬 모터M: fan motor

Claims (7)

열처리를 수행하기 위하여 복수개의 기판이 장입되는 반응 챔버의 하단 외주부를 따라 설치되어 상기 반응 챔버를 통하여 전달되는 열을 차단하는 냉각 수단을 포함하는 고온 퍼니스로서, A high temperature furnace including cooling means for blocking heat transferred through the reaction chamber is installed along the lower outer periphery of the reaction chamber in which a plurality of substrates are charged to perform a heat treatment, 상기 냉각 수단은,The cooling means, 상기 반응 챔버의 외벽에 접촉될 공기가 유입되어 흐르는 제1 바디부;A first body part through which air to be contacted with an outer wall of the reaction chamber flows in; 상기 반응 챔버의 외벽에 접촉된 공기가 배기되어 흐르는 제2 바디부; 및A second body part through which air in contact with the outer wall of the reaction chamber is exhausted; And 상기 제1 및 제2 바디부를 구분하는 분리판Separating plate for separating the first and second body portion 을 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 퍼니스.High temperature furnace comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 냉각 수단은 상기 반응 챔버의 외주부와 이격되어 설치되는 것을 특징으로 하는 고온 퍼니스.The cooling means is a high temperature furnace, characterized in that spaced apart from the outer peripheral portion of the reaction chamber. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 바디부는 상기 제2 바디부 하방에 위치하는 것을 특징으로 하는 고온 퍼니스.The first body portion is a high temperature furnace, characterized in that located below the second body portion. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 바디부는 상기 반응 챔버의 외벽에 접촉될 공기가 유입되는 공기 유입관을, 상기 제2 바디부는 상기 반응 챔버의 외벽과 접촉된 공기가 배기되는 공기 배기관을 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 퍼니스. Wherein the first body portion includes an air inlet pipe through which air to be contacted with the outer wall of the reaction chamber is introduced, and the second body portion includes an air exhaust pipe through which air contacted with the outer wall of the reaction chamber is exhausted. . 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 바디부는 유입된 공기가 배출되어 상기 반응 챔버와 접촉되도록 상기 반응 챔버를 향하여 형성되는 복수개의 공기 배출홀을, 상기 제2 바디부는 상기 제1 바디부의 공기 배출홀을 통하여 배출되어 상기 반응 챔버의 외벽과 접촉된 공기가 흡입되도록 상기 반응 챔버를 향하여 형성되는 복수개의 공기 흡입홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 퍼니스. The first body portion discharges a plurality of air discharge holes formed toward the reaction chamber so that the introduced air is discharged to contact the reaction chamber, and the second body portion is discharged through the air discharge hole of the first body portion to react the reaction. And a plurality of air suction holes formed toward the reaction chamber to suck air contacted with the outer wall of the chamber. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 공기 배출홀의 직경은 상기 공기 흡입홀의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 고온 퍼니스. Hot air furnace, characterized in that the diameter of the air outlet hole is larger than the diameter of the air suction hole. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 바디부의 일단에는 팬 모터가 설치되는 것을 특징으로 하는 고온 퍼니스.One end of the first body portion is a high temperature furnace, characterized in that the fan motor is installed.
KR1020070126437A 2007-12-06 2007-12-06 High Temperature Furnace KR100942067B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070126437A KR100942067B1 (en) 2007-12-06 2007-12-06 High Temperature Furnace

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070126437A KR100942067B1 (en) 2007-12-06 2007-12-06 High Temperature Furnace

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090059539A KR20090059539A (en) 2009-06-11
KR100942067B1 true KR100942067B1 (en) 2010-02-11

Family

ID=40989621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070126437A KR100942067B1 (en) 2007-12-06 2007-12-06 High Temperature Furnace

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100942067B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5477955B2 (en) * 2010-02-25 2014-04-23 株式会社日立国際電気 Heat treatment apparatus and semiconductor device manufacturing method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070060252A (en) * 2005-12-08 2007-06-13 주식회사 테라세미콘 Wafer manufacturing apparatus for high-temperatuer process

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070060252A (en) * 2005-12-08 2007-06-13 주식회사 테라세미콘 Wafer manufacturing apparatus for high-temperatuer process

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090059539A (en) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8741065B2 (en) Substrate processing apparatus
KR101444039B1 (en) Substrate processing apparatus and heating equipment
JP5089401B2 (en) Thermal insulation structure, heating apparatus, heating system, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method
TWI405266B (en) Heat treatment apparatus, heater and manufacturing method thereof
JP6709855B2 (en) Semiconductor processing chamber
JP2011211163A (en) Vertical heat treatment apparatus, and method for cooling the same
KR101569557B1 (en) Heat treatment furnace and heat treatment apparatus
KR100942067B1 (en) High Temperature Furnace
CN113451198A (en) Substrate mounting table and substrate processing apparatus
KR100639712B1 (en) Furnace apparatus and heat treatment method using the apparatus
CN105074884A (en) Apparatus for processing substrate
US6538237B1 (en) Apparatus for holding a quartz furnace
KR20060130531A (en) Furnace apparatus
KR100605389B1 (en) Apparatus for quick caching residual products in semiconductor device
KR100539386B1 (en) Furnace apparatus
JP2008078196A (en) Substrate treatment apparatus
JP4185395B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR200360036Y1 (en) Furnace apparatus
KR200361897Y1 (en) Furnace apparatus
JP5274696B2 (en) Thermal insulation structure, heating apparatus, heating system, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method
KR20090012928U (en) High Temperature Furnace
KR100896025B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus having trap for vacuum line
JP4287228B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
KR20070023406A (en) apparatus for manufacturing semiconductor having a thermal exaust duct
KR200269804Y1 (en) A vacuum pipe of vertical furnace for manufacturing a semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130129

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140204

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150205

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160119

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170206

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190123

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 11