KR20060082095A - Manufacturing method of inner polarizer - Google Patents

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KR20060082095A
KR20060082095A KR1020050002534A KR20050002534A KR20060082095A KR 20060082095 A KR20060082095 A KR 20060082095A KR 1020050002534 A KR1020050002534 A KR 1020050002534A KR 20050002534 A KR20050002534 A KR 20050002534A KR 20060082095 A KR20060082095 A KR 20060082095A
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polarizing plate
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KR1020050002534A
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권민성
윤대승
박정우
추대호
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명에서는 박막 트랜지스터 표시판과 색필터 표시판의 내측 표면에 TCF(thin crystal film)을 코팅하고 후속 공정의 베이크(bake) 온도에 비하여 낮은 온도로 저온 베이크 처리하여 내부 편광판을 형성한다.In the present invention, an internal polarizing plate is formed by coating a thin crystal film (TCF) on the inner surfaces of the thin film transistor array panel and the color filter panel and baking at a low temperature compared to the baking temperature of a subsequent process.

이렇게 형성함으로써, 별도로 편광판이 필요 없으며, 이를 부착하는 부착 공정도 필요 없으므로 비용이 절감된다. 또한, 후속 공정의 베이크 온도보다 낮은 온도로 베이크하여 내부 배향막의 수분을 제거함으로써, 후속 공정의 베이크 온도가 높더라도 크랙이 발생하지 않아서 내부 편광판의 성능을 향상시킨다. By forming in this way, there is no need for a polarizing plate separately, and there is no need for an attaching step for attaching the polarizing plate. In addition, by baking at a temperature lower than the baking temperature of the subsequent process to remove moisture of the internal alignment layer, cracks do not occur even if the baking temperature of the subsequent process is high, thereby improving the performance of the internal polarizing plate.

내부 편광판, TCF, 저온 베이크Internal Polarizer, TCF, Low Temperature Bake

Description

내부 편광판의 형성방법{MANUFACTURING METHOD OF INNER POLARIZER}MANUFACTURING METHOD OF INNER POLARIZER

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 내부 편광판의 형성방법을 보여주는 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of forming an internal polarizer according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 내부 편광판의 형성방법을 보여주는 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of forming an internal polarizer according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 내부 편광판의 형성방법을 보여주는 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method of forming an internal polarizer according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 내부 편광판에 크랙(crack)이 형성되어 있는 모습을 보여주는 그림이다.FIG. 5 is a view illustrating a crack formed on an inner polarizer. FIG.

도 6 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따라서 내부 편광판을 형성한 경우 및 그 이후의 공정에서 내부 편광판의 모습을 보여주는 그림이다.6 to 9 illustrate the internal polarizer in the case where the internal polarizer is formed according to the first exemplary embodiment of the present invention and in subsequent processes.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

3: 액정층 3: liquid crystal layer

11, 21: 배향막 12, 22: 내부 편광판11, 21: alignment film 12, 22: internal polarizing plate

100: 박막 트랜지스터 표시판 110: 하부 절연 기판 100: thin film transistor array panel 110: lower insulating substrate

124: 게이트 전극 140: 게이트 절연막 124: gate electrode 140: gate insulating film                 

154: 반도체층 163, 165: 저항성 접촉층154: semiconductor layer 163, 165: ohmic contact layer

173: 소스 전극 175: 드레인 전극173: source electrode 175: drain electrode

180: 보호막 185: 유기 절연막180: protective film 185: organic insulating film

190: 화소 전극 195: 반사 전극190: pixel electrode 195: reflective electrode

200: 색필터 표시판 210: 상부 절연 기판200: color filter display plate 210: upper insulating substrate

220: 블랙 매트릭스 230: 색 필터220: black matrix 230: color filter

250: 평탄화막 270: 공통 전극 250: planarization film 270: common electrode

본 발명은 내부 편광판의 형성방법에 대한 발명이다.This invention is the invention regarding the formation method of an internal polarizing plate.

액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 구비되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전극에 인가되는 전압을 조절하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절하는 표시 장치이다. 이때, 빛의 투과율은 액정층을 통과할 때 액정 물질의 광학적 특성에 의해 발생하는 위상 지연(phase retardation)에 의해 결정되며, 이러한 위상 지연은 액정 물질의 굴절률 이방성과 두 기판 사이의 간격을 조절하여 결정한다.Liquid crystal displays (LCDs) are one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display (LCD) is composed of two substrates having electrodes and a liquid crystal layer interposed therebetween. The display device adjusts the transmittance of light passing through the liquid crystal layer by rearranging the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer. In this case, the light transmittance is determined by phase retardation caused by the optical properties of the liquid crystal material when passing through the liquid crystal layer, and the phase retardation is controlled by adjusting the refractive index anisotropy of the liquid crystal material and the distance between the two substrates. Decide

액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 기판에 전극이 각각 구비되어 있고 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 가지고 있는 액정 표시 장치이며, 박막 트랜지스터는 두 기판 중 하나에 형성되어 있는 것이 일반적이다.Among the liquid crystal display devices, a liquid crystal display device having a thin film transistor (TFT) that has electrodes on each of two substrates and switches a voltage applied to the electrodes is one of the two liquid crystal display devices. It is generally formed in.

이러한 액정 표시 장치는 특정 광원인 백라이트(backlight)에 의해 발광된 빛을 액정층에 투과시켜 화상을 표시하는 투과형과 자연광 따위의 외부광을 액정 표시 장치의 반사 전극으로 액정층으로 반사시켜 화상을 표시하는 반사형으로 나눌 수 있으며, 최근에는 반사 모드와 투과 모드로 모두 동작하는 반투과 모드가 개발되어 있다.Such a liquid crystal display displays an image by transmitting light emitted by a backlight, which is a specific light source, to the liquid crystal layer to display an image, and external light such as natural light reflected by the reflective electrode of the liquid crystal display to the liquid crystal layer. It can be divided into a reflective type, and recently, a semi-transmissive mode that operates in both a reflection mode and a transmission mode has been developed.

한편, 일반적인 액정 표시 장치는 컬러 화상을 표시하기 위하여 적, 녹, 청의 색필터를 구비하고 있다. 컬러 화상은 적, 녹, 청의 색필터 각각을 통과하는 빛의 투과율을 조절함으로써 얻어진다.On the other hand, a general liquid crystal display device is provided with a color filter of red, green, and blue to display a color image. The color image is obtained by adjusting the transmittance of light passing through each of the color filters of red, green, and blue.

이러한 액정 표시 장치의 외측에는 상부 및 하부에 편광판이 형성된다. 상부 및 하부 편광판은 백라이트에서 입사한 빛을 흰색 또는 검은색으로 표시하기 위하여 서로 평행하거나 서로 수직으로 형성한다. 외측에 상부 및 하부 편광판을 형성하면, 별도의 편광판을 준비해야하며, 별도의 부착 공정이 더 필요하다는 단점이 있다.Polarizers are formed on upper and lower sides of the liquid crystal display. The upper and lower polarizers are formed parallel to each other or perpendicular to each other to display white or black light incident from the backlight. When the upper and lower polarizers are formed on the outside, a separate polarizer must be prepared, and a separate attachment process is required.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 별도의 부착 공정 없이 상부 및 하부 편광판을 형성하는 방법을 제공하기 위한 발명이다.The technical problem to be achieved by the present invention is an invention for providing a method for forming the upper and lower polarizing plate without a separate attachment process.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 박막 트랜지스터 표시판과 색 필터 표시판의 내측 표면에 TCF(thin crystal film)을 코팅하고 후속 공정의 베이크(bake) 온도에 비하여 낮은 온도로 저온 베이크 처리하여 내부 편광판을 형성한다.In order to solve this problem, in the present invention, an internal polarizer is formed by coating a thin crystal film (TCF) on the inner surfaces of the thin film transistor array panel and the color filter panel and baking at a low temperature compared to the bake temperature of a subsequent process. do.

구체적으로는, 내부 편광판이 형성될 부분을 세정하는 단계, 상기 세정된 부분에 플라즈마 처리를 행하는 단계, 상기 내부 편광판의 재료를 코팅하는 단계, 상기 코팅된 재료를 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 재료를 안정화시키는 단계, 상기 안정화된 재료를 후속 공정에서의 베이크 온도보다 낮은 온도로 저온 베이크하는 단계를 포함하는 내부 편광판의 형성방법에 관한 것이며,Specifically, cleaning the portion where the internal polarizer is to be formed, performing a plasma treatment on the cleaned portion, coating a material of the internal polarizer, patterning the coated material, and patterning the patterned material It relates to a method of forming an internal polarizing plate comprising the step of stabilizing, low-temperature baking the stabilized material to a temperature lower than the baking temperature in a subsequent process,

상기 내부 편광판의 재료는 TCF(thin crystal film)인 것이 바람직하며,The material of the internal polarizer is preferably a thin crystal film (TCF),

상기 내부 편광판의 재료를 코팅하는 방법에는 파스 슬롯 다이 코팅법(FAS Slot die coating) 또는 메이어 로드 코팅법(Mayer rod coating)이 사용되는 것이 바람직하며,In the method of coating the material of the internal polarizing plate, it is preferable to use FAS Slot die coating method or Mayer rod coating method.

상기 코팅된 재료를 패터닝하는 단계는 이온을 제거한 DI 워터(Deionized water)를 사용하여 패터닝하는 것이 바람직하며,The step of patterning the coated material is preferably patterned using deionized DI water (Deionized water),

상기 패터닝된 재료를 안정화시키는 단계는 염화 바륨(BaCl₂)을 사용하여 상기 TCF를 안정화시키는 것이 바람직하며,In the stabilizing of the patterned material, it is preferable to stabilize the TCF by using barium chloride (BaCl 2),

상기 저온 베이크하는 단계는 온도가 60도 이상 130도 이하이며, 베이크 시간이 3분 이상 120분 이하인 것이 바람직하며,The low temperature baking may be a temperature of 60 degrees or more and 130 degrees or less, and a baking time of 3 minutes or more and 120 minutes or less,

내부 편광판이 형성될 부분을 세정하는 단계, 상기 세정된 부분에 플라즈마 처리를 행하는 단계, 상기 내부 편광판의 재료를 코팅하는 단계, 상기 코팅된 재료 를 후속 공정에서의 베이크 온도보다 낮은 온도로 저온 베이크하는 단계, 상기 저온 베이크된 재료를 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 재료를 안정화시키는 단계를 포함하는 내부 편광판의 형성방법에 관한 것이며,Cleaning a portion where an internal polarizer is to be formed, performing a plasma treatment on the cleaned portion, coating a material of the internal polarizer, and baking the coated material at a temperature lower than a baking temperature in a subsequent process. It relates to a method of forming an internal polarizing plate comprising the step of: patterning the cold baked material, stabilizing the patterned material,

내부 편광판이 형성될 부분을 세정하는 단계, 상기 세정된 부분에 플라즈마 처리를 행하는 단계, 상기 내부 편광판의 재료를 코팅하는 단계, 상기 코팅된 재료를 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 재료를 후속 공정에서의 베이크 온도보다 낮은 온도로 저온 베이크하는 단계, 상기 저온 베이크된 재료를 안정화시키는 단계를 포함하는 내부 편광판의 형성방법에 관한 것이다.Cleaning the portion where the internal polarizer is to be formed, subjecting the cleaned portion to plasma treatment, coating the material of the internal polarizer, patterning the coated material, and subjecting the patterned material to subsequent processing. It relates to a method of forming an internal polarizing plate comprising the step of low temperature baking at a temperature lower than the baking temperature, and stabilizing the low temperature baked material.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

이제 본 발명의 실시예에 따른 내부 편광판의 형성방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. Now, a method of forming an internal polarizing plate according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.                     

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에서는 반투과형 액정 표시 장치를 도시하고 있으나, 본 발명인 내부 편광판의 형성은 반투과형, 투과형, 반사형 등 어떠한 액정 표시 장치에도 형성할 수 있다. 이하에서는 반투과형 액정 표시 장치를 중심으로 기술한다.Although the transflective liquid crystal display device is illustrated in FIG. 1, the internal polarizer of the present invention may be formed in any liquid crystal display device such as a transflective type, a transmissive type, or a reflective type. Hereinafter, a description will be given of the transflective liquid crystal display.

본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치는, 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 색필터 표시판(200) 및 두 표시판(100, 200) 사이에 주입되어 있는 액정층(3)을 포함한다. The transflective liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100 and a color filter panel 200 facing each other and a liquid crystal layer 3 injected between the two display panels 100 and 200. do.

박막 트랜지스터 표시판(100)과 색필터 표시판(200)에는 액정층을 제어하기 위한 배향막(11, 21)이 형성되어 있다. 박막 트랜지스터 표시판(100)의 배향막(11) 하부에는 하부 내부 편광판(12)이 형성되어 있으며, 색필터 표시판(200)의 배향막(21) 상부에는 상부 내부 편광판(22)이 형성되어 있다. In the thin film transistor array panel 100 and the color filter panel 200, alignment layers 11 and 21 for controlling the liquid crystal layer are formed. The lower internal polarizer 12 is formed under the alignment layer 11 of the thin film transistor array panel 100, and the upper internal polarizer 22 is formed on the alignment layer 21 of the color filter display panel 200.

박막 트랜지스터 표시판(100)에는 서로 교차하여 행렬 배열의 단위 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선이 형성되어 있다. 각각의 화소 영역에는 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터(TFT)와 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극이 구비되어 있다. 화소 전극은 투명한 도전막으로 이루어진 투명 전극(190)과 반사율을 가지는 도전막으로 형성되어 있는 반사 전극(195)을 포함한다. 반사 전극(195)의 표면은 일반적으로 엠보싱 처리가 되어 있다. 이하에서는 반사 전극(195)이 형성되어 있는 영역을 "반사 영역(R)"이라 하고, 투명 전극(190)만이 형성되어 있는 영역을 "투과 영역(T)"이라 한다. In the thin film transistor array panel 100, gate lines and data lines are formed to cross each other to define a unit pixel area of a matrix array. Each pixel area includes a thin film transistor TFT connected to a gate line and a data line, and a pixel electrode electrically connected to the thin film transistor TFT. The pixel electrode includes a transparent electrode 190 made of a transparent conductive film and a reflective electrode 195 formed of a conductive film having a reflectance. The surface of the reflective electrode 195 is generally embossed. Hereinafter, the region where the reflective electrode 195 is formed is referred to as the "reflection region R", and the region where only the transparent electrode 190 is formed is referred to as the "transmission region T".

박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주하는 색필터 표시판(200)에는 화소 영역 에 대응하는 개구부를 가지는 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있고, 각각의 화소 영역에는 적, 녹, 청의 색필터(230)가 각각 형성되어 있으며, 적, 녹, 청의 색필터(230) 각각은 표시 영역(R, T)에 따라 두께가 다르게 형성될 수도 있는데, 본 실시예에서는 동일한 두께로 형성되어 있는 실시예를 도시하고 있다. 상기 색필터(230)는 유기 절연 물질로 이루어진 평탄화막(250)으로 덮여 있으며, 평탄화막(250)의 상부에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. In the color filter panel 200 facing the thin film transistor array panel 100, a black matrix 220 having an opening corresponding to the pixel region is formed, and the red, green, and blue color filters 230 are formed in each pixel region. Each of the color filters 230 of red, green, and blue may be formed to have different thicknesses according to the display areas R and T. In the present embodiment, an embodiment having the same thickness is shown. . The color filter 230 is covered with a planarization film 250 made of an organic insulating material, and a common electrode 270 is formed on the planarization film 250.

반사 영역(R)은 반사 전극(195)에서 반사된 빛을 이용하여 화상을 표시하는데 사용되고, 투과 영역(T)은 백라이트, 즉 자체 광원으로부터의 빛을 이용하여 화상을 표시하는데 사용된다.The reflective region R is used to display an image using light reflected from the reflective electrode 195, and the transparent region T is used to display an image using light from a backlight, that is, its own light source.

다음은, 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 표시판의 구조에 대하여 좀더 구체적으로 살펴본다.Next, the structure of the thin film transistor array panel in the transflective liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in more detail.

박막 트랜지스터 표시판(100)은 절연 기판(110)을 포함한다. 절연 기판(110) 위에는 주로 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 게이트선이 형성되어 있다. 게이트선은 낮은 비저항의 물질, 예를 들어 은 또는 은 합금 또는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 단일막을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 게이트선은 전술한 물질을 포함하는 적어도 하나의 막과 다른 물질과 접촉 특성이 우수한 패드용 적어도 하나의 막을 포함하는 다층막으로 이루어질 수 있다. 다층막의 예로는 알루미늄과 몰리브덴 합금의 이중층을 들 수 있다. 게이트선의 한 끝 부근에 위치한 부분은 외부로부터의 게이트 신호를 게이트선으로 전달하며, 각 게이트선의 복수의 가지는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(124)을 이룬다. The thin film transistor array panel 100 includes an insulating substrate 110. A plurality of gate lines extending mainly in the horizontal direction are formed on the insulating substrate 110. The gate line may comprise a single layer of low resistivity material, for example silver or silver alloy or aluminum or aluminum alloy. Alternatively, the gate line may be formed of a multilayer film including at least one film containing the above-described material and at least one film for pads having excellent contact properties with other materials. An example of the multilayer film is a double layer of aluminum and molybdenum alloy. The portion located near one end of the gate line transmits a gate signal from the outside to the gate line, and a plurality of branches of each gate line form the gate electrode 124 of the thin film transistor.                     

질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(140)이 게이트선을 덮고 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) covers the gate line.

게이트 전극(124) 상부의 게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소 등으로 이루어진 섬 모양 반도체(154)가 형성되어 있으며, 반도체(154)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위로 만들어진 복수 쌍의 저항성 접촉층(163, 165)이 형성되어 있다. 각 쌍의 저항성 접촉층(163, 165)은 해당 게이트 전극(124)을 중심으로 서로 분리되어 있다.An island-like semiconductor 154 made of hydrogenated amorphous silicon or the like is formed on the gate insulating layer 140 on the gate electrode 124, and n + hydrogenation in which silicide or n-type impurities are heavily doped is formed on the semiconductor 154. A plurality of pairs of ohmic contacts 163 and 165 made of amorphous silicon are formed. Each pair of ohmic contacts 163 and 165 are separated from each other with respect to the corresponding gate electrode 124.

저항성 접촉층(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선 및 복수의 드레인 전극(175)이 형성되어 있다. 데이터선과 드레인 전극(175)은 알루미늄 또는 은과 같은 저저항의 도전 물질로 이루어진 도전막을 포함한다. 데이터선은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선과 교차한다. 데이터선의 복수의 가지(173)는 각 쌍의 저항성 접촉층(163, 165) 중 하나(163)의 상부까지 연장되어 박막 트랜지스터의 소스 전극(173)을 이룬다. 데이터선의 한쪽 끝부분에는 외부로부터의 화상 신호를 데이터선에 전달하기 위하여 폭이 확대된 부분이 형성되어 있다. 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175)은 데이터선과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 소스 전극(173)의 반대쪽 저항성 접촉층(165) 상부에 위치한다.A plurality of data lines and a plurality of drain electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating layer 140. The data line and the drain electrode 175 include a conductive film made of a low resistance conductive material such as aluminum or silver. The data line mainly extends in the vertical direction and crosses the gate line. The plurality of branches 173 of the data line extends to an upper portion of one of the pair of ohmic contacts 163 and 165 to form the source electrode 173 of the thin film transistor. At one end of the data line, an enlarged portion is formed to transfer an image signal from the outside to the data line. The drain electrode 175 of the thin film transistor is separated from the data line and positioned above the ohmic contact layer 165 opposite to the source electrode 173 with respect to the gate electrode 124.

데이터선 및 드레인 전극(175)과 이들이 가리지 않는 반도체(154) 상부에는 질화 규소 등으로 형성되어 있는 보호막(180)과 평탄화 특성이 우수한 유기 물질로 이루어진 유기 절연막(185)이 형성되어 있다.A passivation layer 180 formed of silicon nitride or the like and an organic insulating layer 185 made of an organic material having excellent planarization characteristics are formed on the data line and drain electrode 175 and the semiconductor 154 that does not cover the semiconductor line 154.

보호막(180) 및 유기 절연막(185)에는 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 접 촉 구멍이 형성되어 있다. 투명 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 있다. 여기서, 투명 전극(190)은 투명한 도전 물질인 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등으로 이루어져 있다.A contact hole for exposing the drain electrode 175 is formed in the passivation layer 180 and the organic insulating layer 185, respectively. The transparent electrode 190 is electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185. Here, the transparent electrode 190 is made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which are transparent conductive materials.

투명 전극(190) 상부 중 일부 영역에는 반사 전극(195)이 형성되어 있다. 반사 전극(195)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 은 또는 은 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 등과 같이 높은 반사율을 가지는 도전막으로 이루어진다. 상기 반사 전극(195)의 표면에는 요철이 형성되어 있을 수도 있다. 반사 전극(195)과 투명 전극(190)은 쌍을 이루어 화소 전극이 된다.The reflective electrode 195 is formed in a portion of the upper portion of the transparent electrode 190. The reflective electrode 195 is made of a conductive film having a high reflectance such as aluminum or an aluminum alloy, silver or silver alloy, molybdenum or molybdenum alloy. Unevenness may be formed on the surface of the reflective electrode 195. The reflective electrode 195 and the transparent electrode 190 are paired to form a pixel electrode.

화소 전극의 위에는 내부 편광판(12)이 형성되어 있다. 내부 편광판(12)은 TCF(thin crystal film) 등으로 이루어지며, 내부 편광판(12)을 형성하는 방법에 대해서는 후술한다.The internal polarizer 12 is formed on the pixel electrode. The internal polarizing plate 12 is made of a thin crystal film (TPF) or the like, and a method of forming the internal polarizing plate 12 will be described later.

내부 편광판(12)의 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다. The alignment film 11 is formed on the internal polarizing plate 12.

한편, 박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주하는 색필터 표시판(200)에는 상부의 절연 기판(210)에 화소 가장자리에서 빛이 새는 것을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 그리고 색필터 표시판(200)에 형성되어 있는 블랙 매트릭스(220)는 각 화소 가장자리뿐 아니라 복수개의 화소로 이루어지는 표시 영역의 가장자리에도 형성되어 있다.Meanwhile, a black matrix 220 is formed on the color filter display panel 200 facing the thin film transistor array panel 100 to prevent light leakage from the pixel edge on the upper insulating substrate 210. The black matrix 220 formed on the color filter display panel 200 is formed not only at each pixel edge but also at an edge of the display area including a plurality of pixels.

블랙 매트릭스(220)가 형성되지 않은 영역에는 적, 녹, 청색의 색필터(230)가 형성되어 있다. 상기 샐필터(230) 및 블랙 매트릭스(220)의 상부에는 평탄화막(250)이 형성되어 있으며, 그 상부에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전 극(270)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전체로 형성된다.Red, green, and blue color filters 230 are formed in regions where the black matrix 220 is not formed. The planarization layer 250 is formed on the sal filter 230 and the black matrix 220, and a common electrode 270 is formed on the sal filter 230 and the black matrix 220. The common electrode 270 is formed of a transparent conductor such as ITO or IZO.

상기 공통 전극(270)의 위에는 내부 편광판(22)이 형성되어 있으며, 그 위에는 배향막(21)이 형성되어 있다. 여기서 내부 편광판(22)은 TCF(thin crystal film) 등으로 이루어진다.An internal polarizer 22 is formed on the common electrode 270, and an alignment layer 21 is formed thereon. Here, the internal polarizer 22 is made of a thin crystal film (TPF) or the like.

이하에서는 도 2 내지 도 4에서 도시하고 있는 바와 같이 내부 편광판(12, 22)을 형성하는 방법에 대하여 살펴본다.Hereinafter, a method of forming the internal polarizers 12 and 22 will be described as illustrated in FIGS. 2 to 4.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 내부 편광판의 형성방법을 보여주는 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of forming an internal polarizer according to a first embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따르면 하부의 내부 편광판(12)은 박막 트랜지스터 표시판(100)의 화소 전극 위에 형성되며, 상부의 내부 편광판(22)은 색필터 표시판(200)의 공통 전극(270) 위에 형성된다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the lower inner polarizer 12 is formed on the pixel electrode of the thin film transistor array panel 100, and the upper inner polarizer 22 is formed on the common electrode 270 of the color filter panel 200. do.

그러므로 도 2에서 도시하고 있는 내부 편광판의 형성방법은 하부의 내부 편광판(12)인 경우에는 박막 트랜지스터 표시판(100)의 화소 전극이 형성된 상태에서 그 이후에 진행되는 공정이며, 상부의 내부 편광판(22)인 경우에는 색필터 표시판(200)의 공통 전극(270)이 형성된 상태에서 그 이후에 진행되는 공정이다. 이는 도 3 및 도 4의 경우도 동일하다.Therefore, the method of forming the internal polarizer illustrated in FIG. 2 is a process proceeding after the pixel electrode of the thin film transistor array panel 100 is formed in the case of the lower internal polarizer 12, and the upper internal polarizer 22 of the upper part is formed. ), The process proceeds after the common electrode 270 of the color filter panel 200 is formed. This is also the case in FIGS. 3 and 4.

우선 내부 편광판(12, 22)을 형성하기 위하여 내부 편광판(12, 22)이 형성될 부분을 세정한다(S1). 즉, 하부 내부 편광판(12)일 경우에는 화소 전극의 표면을 세정하며, 상부 내부 편광판(22)일 경우에는 공통 전극의 표면을 세정한다. 그 후, 세정된 부분에 플라즈마 처리를 행한다(S2). 플라즈마 처리를 행함으로 인하여 추 후 형성되는 내부 편광판(12, 22)의 특성이 좋아진다.First, in order to form the internal polarizers 12 and 22, the portions on which the internal polarizers 12 and 22 are to be formed are cleaned (S1). That is, in the case of the lower internal polarizer 12, the surface of the pixel electrode is cleaned, and in the case of the upper internal polarizer 22, the surface of the common electrode is cleaned. Thereafter, the washed portion is subjected to plasma treatment (S2). By performing the plasma treatment, the characteristics of the internal polarizing plates 12 and 22 formed later are improved.

그 후, 내부 편광판(12, 22)을 형성하는 재료로 코팅한다(S3). 내부 편광판(12, 22)으로 사용되는 재료는 일반적으로 TCF(thin crystal film)가 사용되며, 내부 편광판(12, 22)을 코팅하는 방법에는 일반적으로 파스 슬롯 다이 코팅법(FAS Slot die coating)과 메이어 로드 코팅법(Mayer rod coating) 등이 이용된다. 내부 편광판은 코팅하는 방향에 따라서 편광 방향이 정해지는데, TCF의 경우 코팅하는 방향이 투과축의 방향이 된다. 즉, 코팅 방향의 빛은 투과하며, 이에 수직하는 빛은 차단된다.Thereafter, the internal polarizers 12 and 22 are coated with a material for forming (S3). As a material used for the internal polarizers 12 and 22, a thin crystal film (TCF) is generally used, and methods of coating the internal polarizers 12 and 22 generally include a FAS slot die coating method and a FAS slot die coating method. Mayer rod coating etc. are used. The polarizing direction is determined according to the coating direction of the internal polarizing plate. In the case of TCF, the coating direction is the direction of the transmission axis. That is, light in the coating direction is transmitted, and light perpendicular thereto is blocked.

그 후, 이온을 제거한 DI 워터(Deionized water)를 사용하여 코팅된 내부 편광판(12,22)의 재료(이하에서는 TCF라 한다)를 패터닝한다(S4). TCF는 물에 녹는 성질이 있으므로 DI 워터를 사용하여 패터닝한다. 내부 편광판(12, 22)을 형성하는 물질에 따라서 패터닝하는 물질도 바뀐다.Then, the material (hereinafter referred to as TCF) of the inner polarizing plates 12 and 22 coated using DI water (Deionized water) from which ions are removed is patterned (S4). TCF is soluble in water, so pattern it using DI water. The material to be patterned also changes depending on the material forming the internal polarizers 12 and 22.

그 후, 염화 바륨(BaCl₂) 등을 사용하여 패터닝된 TCF를 안정화시킨다(S5). 이는 TCF가 물에 의하여 식각되는 것을 방지하기 위하여 염화 바륨을 TCF에 제공한다. Thereafter, the patterned TCF is stabilized using barium chloride (BaCl 2) or the like (S5). This provides barium chloride to the TCF to prevent it from being etched by water.

그 후, 안정화된 TCF를 저온으로 베이크(bake)하여 내부 편광판(12, 22)을 완성한다(S6). 여기서 저온이라 함은 내부 편광판(12, 22)이 형성된 후 표시판(100, 200) 완성에 이르기까지의 후속 공정에서 발생하는 베이크(bake) 공정의 온도에 비하여 저온이다. 일반적으로 저온 베이크 공정의 온도는 60도에서 130도 정도이며, 베이크하는 시간은 3분에서 120분 정도이다. Thereafter, the stabilized TCF is baked at low temperature to complete the internal polarizing plates 12 and 22 (S6). Here, the low temperature is lower than the temperature of the bake process that occurs in the subsequent process from the formation of the internal polarizers 12 and 22 to the completion of the display panels 100 and 200. In general, the temperature of the low temperature baking process is about 60 to 130 degrees, and the baking time is about 3 to 120 minutes.                     

그 후에는 후속 공정(본 실시예의 경우에는 배향막 형성 공정)이 진행된다.Thereafter, a subsequent step (in this embodiment, an alignment film forming step) is performed.

이와 같이 저온 베이크 공정을 수행하는 이유는 내부 편광판(12, 22)에 수분이 함유되어 있는 경우가 많아서 후속 공정의 고온 베이크시 내부 편광판(12, 22)에 크랙(crack)이 발생하기 때문이다. 저온 베이크 처리(S6)는 내부 편광판(12, 22)의 내에 수분을 제거하기 위한 공정이다.The low temperature bake process is performed because the internal polarizers 12 and 22 often contain moisture, so that cracks are generated in the internal polarizers 12 and 22 during the high temperature bake of the subsequent process. The low temperature bake treatment S6 is a step for removing moisture in the internal polarizing plates 12 and 22.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 내부 편광판의 형성방법을 보여주는 순서도이고, 도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 내부 편광판의 형성방법을 보여주는 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of forming an internal polarizer according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of forming an internal polarizer according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4에 도시되어 있는 내부 편광판(12, 22)의 형성방법은 도 2와 순서가 다르다.The method of forming the internal polarizers 12 and 22 shown in FIGS. 3 and 4 is different from that of FIG. 2.

살펴보면, 도 3은 내부 편광판(12, 22)이 형성될 부분을 세정하고(S10), 세정된 부분을 플라즈마 처리를 한 후(S20), 내부 편광판(12, 22)의 재료(일반적으로 TCF)를 코팅한다(S30). 그 후, 후속 공정의 베이크 온도보다 낮은 온도로 베이크 처리하고(S40), DI 워터(Deionized water)를 사용하여 내부 편광판(12, 22)을 패터닝한다(S50). 여기서 DI 워터를 사용하여 패터닝하는 단계에서 패터닝되어 제거되는 부분 이외에는 DI 워터가 접촉되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 그 후, 염화 바륨(BaCl₂) 등을 사용하여 패터닝된 내부 편광판(12, 22)을 안정화시킨다(S60). Referring to FIG. 3, after cleaning the portions in which the internal polarizers 12 and 22 are to be formed (S10) and performing a plasma treatment on the cleaned portions (S20), the material of the internal polarizers 12 and 22 (typically TCF) To coat (S30). Thereafter, baking is performed at a temperature lower than the baking temperature of a subsequent process (S40), and the internal polarizing plates 12 and 22 are patterned using DI water (Sion). Here, it is preferable not to contact the DI water except for a portion which is patterned and removed in the step of patterning using DI water. Thereafter, barium chloride (BaCl 2) or the like is used to stabilize the patterned internal polarizing plates 12 and 22 (S60).

한편, 도 4는 내부 편광판(12, 22)이 형성될 부분을 세정하고(S100), 세정된 부분을 플라즈마 처리를 한 후(S200), 내부 편광판(12, 22)의 재료(일반적으로 TCF)를 코팅한다(S300). 그 후, DI 워터(Deionized water)를 사용하여 내부 편광판 (12, 22)을 패터닝하고(S400), 후속 공정의 베이크 온도보다 낮은 온도로 베이크 처리한다(S500). 그 후, 염화 바륨(BaCl₂) 등을 사용하여 패터닝된 내부 편광판(12, 22)을 안정화시킨다(S600). On the other hand, Figure 4 is to clean the portion in which the internal polarizing plate (12, 22) is to be formed (S100), after the plasma treatment of the cleaned portion (S200), the material of the internal polarizing plate (12, 22) (typically TCF) To coat (S300). Thereafter, the internal polarizers 12 and 22 are patterned using DI water (Sion) and baked at a temperature lower than the baking temperature of a subsequent process (S500). Thereafter, the patterned internal polarizers 12 and 22 are stabilized using barium chloride (BaCl 2) (S600).

도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같은 방법을 통하여 내부 편광판(12, 22)을 형성할 수 있다. 이러한 방법 중 도 2에 도시한 방법으로 형성된 내부 편광판(12, 22)을 이하에서 살펴보겠다.Internal polarizers 12 and 22 may be formed through the method as illustrated in FIGS. 2 to 4. Among these methods, the internal polarizers 12 and 22 formed by the method illustrated in FIG. 2 will be described below.

도 5는 내부 편광판에 크랙(crack)이 형성되어 있는 모습을 보여주는 그림이고, 도 6 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따라서 내부 편광판을 형성한 경우 및 그 이후의 공정에서 내부 편광판의 모습을 보여주는 그림이다.5 is a view showing a crack formed on the inner polarizing plate, and FIGS. 6 to 9 are views of the inner polarizing plate when the inner polarizing plate is formed according to the first embodiment of the present invention and in subsequent steps. This picture shows how it looks.

우선 도 5는 내부 편광판에 크랙이 형성되어 내부 편광판의 성능을 발휘하기 어렵도록 형성된 경우이다. 도 5와 같이 크랙의 발생은 도 2에 도시한 형성방법 중에 저온 베이크 처리 단계(S6)를 수행하지 않은 채로 후속 공정을 수행한 경우에 발생하였다. 이러한 크랙은 내부 편광판에 함유되어 있던 수분이 후속 공정의 고온 베이크 공정에서 수분이 외부로 증발하면서 발생되게 되는데, 이러한 단점을 제거하기 위하여 본원 발명에서는 저온 베이크 공정(S6)을 추가하였다.First, FIG. 5 illustrates a case in which cracks are formed in the internal polarizing plate so that performance of the internal polarizing plate is difficult to be exhibited. As shown in FIG. 5, cracking occurred when the subsequent process was performed without performing the low temperature bake treatment step S6 in the forming method shown in FIG. 2. This crack is generated as the moisture contained in the internal polarizing plate evaporates the moisture to the outside in the high temperature baking process of the subsequent process, in order to eliminate this disadvantage, in the present invention, a low temperature baking process (S6) was added.

도 6은 도 2의 S1 단계에서 S5 단계까지 수행한 후(저온 베이크 공정(S6)전) 내부 편광판을 살펴본 도면이다. 도 6에서 알 수 있는 바와 같이 크랙이 발생되지 않았음을 알 수 있다.FIG. 6 is a view illustrating an internal polarizer after performing steps S1 to S5 of FIG. 2 (before the low temperature bake process S6). As can be seen in Figure 6 it can be seen that no crack has occurred.

도 7은 도 2의 S6 단계(저온 베이크 단계; 100도에서 3분간 베이크)를 수행한 후 내부 편광판을 살펴본 도면이다. 도 6과 마찬가지로 도 7에서도 크랙이 발생 되지 않았음을 알 수 있다.FIG. 7 is a view illustrating an internal polarizer after performing step S6 (low temperature bake step; bake for 3 minutes at 100 degrees) of FIG. 2. As in FIG. 6, it can be seen that no crack is generated in FIG. 7.

도 8은 후속 공정에서 베이크를 수행한 후 내부 편광판을 살펴본 도면이다. 여기서 베이크는 135도에서 3분 동안 베이크하였다. 도 8에서 도시한 바와 같이 내부 편광판에 크랙이 발생하지 않았다.8 is a view illustrating an internal polarizer after baking in a subsequent process. The bake here was baked at 135 degrees for 3 minutes. As illustrated in FIG. 8, no crack was generated in the internal polarizer.

도 9는 후속 공정의 베이크의 온도를 높여서 베이크하였다. 즉 200도로 3분간 베이크한 후 내부 편광판을 살펴본 도면이다. 도 9에서도 내부 편광판에 크랙이 발생하지 않았다.9 was baked by raising the temperature of the baking of the subsequent process. That is, after baking at 200 degrees for 3 minutes, the internal polarizer is shown. In FIG. 9, no crack was generated in the internal polarizer.

이상에서 살펴본 바와 같이 저온 베이크 공정을 통하여 내부 편광판에 함유되어 있는 수분을 미리 제거함으로써, 후속 공정에서 고온으로 베이크를 하여도 크랙이 발생하지 않는다.As described above, by removing the moisture contained in the internal polarizing plate in advance through a low temperature bake process, cracking does not occur even when baking at a high temperature in a subsequent process.

본 실시예에서는 내부 편광판(12,22)이 배향막(11, 21)의 아래에 위치하고 있으나, 색필터 표시판(200)의 경우 평탄화막(250) 보다 아래에 형성할 수도 있다. 즉, 내부 편광판(12, 22)을 형성하는 위치가 본 실시예의 층상 구조와 다르게 형성할 수 있다. 내부 편광판(12, 22)을 형성하는 위치가 달라지더라도 도 2 내지 도 4에서 도시하고 있는 형성방법은 동일하게 적용된다.In the present exemplary embodiment, the internal polarizers 12 and 22 are disposed under the alignment layers 11 and 21, but the color filter display panel 200 may be formed below the planarization layer 250. That is, the position at which the internal polarizers 12 and 22 are formed may be formed differently from the layered structure of the present embodiment. Even if the positions for forming the internal polarizing plates 12 and 22 are different, the forming method shown in FIGS. 2 to 4 is equally applied.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

이상에서 살펴본 바와 같은 방법으로 내부 배향막을 형성함으로써, 별도로 편광판이 필요 없으며, 이를 부착하는 부착 공정도 필요 없으므로 비용이 절감된다. 또한, 후속 공정의 베이크 온도보다 낮은 온도로 베이크하여 내부 배향막의 수분을 제거함으로써, 후속 공정의 베이크 온도가 높더라도 크랙이 발생하지 않아서 내부 편광판의 성능을 향상시킨다.  By forming the internal alignment layer by the method as described above, the polarizer is not required separately, and also the attachment process for attaching the same does not require the cost, thereby reducing the cost. In addition, by baking at a temperature lower than the baking temperature of the subsequent process to remove moisture of the internal alignment layer, cracks do not occur even if the baking temperature of the subsequent process is high, thereby improving the performance of the internal polarizing plate.

Claims (8)

내부 편광판이 형성될 부분을 세정하는 단계,Cleaning the portion where the internal polarizer is to be formed, 상기 세정된 부분에 플라즈마 처리를 행하는 단계,Performing a plasma treatment on the cleaned portion, 상기 내부 편광판의 재료를 코팅하는 단계,Coating a material of the internal polarizer; 상기 코팅된 재료를 패터닝하는 단계,Patterning the coated material, 상기 패터닝된 재료를 안정화시키는 단계,Stabilizing the patterned material, 상기 안정화된 재료를 후속 공정에서의 베이크 온도보다 낮은 온도로 저온 베이크하는 단계를 포함하는 내부 편광판의 형성방법.Baking the stabilized material at a temperature lower than the baking temperature in a subsequent process. 제1항에서,In claim 1, 상기 내부 편광판의 재료는 TCF(thin crystal film)인 내부 편광판의 형성방법.And a material of the internal polarizer is a thin crystal film (TPF). 제1항에서,In claim 1, 상기 내부 편광판의 재료를 코팅하는 방법에는 파스 슬롯 다이 코팅법(FAS Slot die coating) 또는 메이어 로드 코팅법(Mayer rod coating)이 사용되는 내부 편광판의 형성방법.The method of coating the material of the internal polarizing plate is a method of forming an internal polarizing plate using a FAS Slot die coating method or Mayr rod coating method. 제1항에서,In claim 1, 상기 코팅된 재료를 패터닝하는 단계는 이온을 제거한 DI 워터(Deionized water)를 사용하여 패터닝하는 내부 편광판의 형성방법.The patterning of the coated material is a method of forming an internal polarizer using patterned deionized water using DI water (Deionized water). 제2항에서,In claim 2, 상기 패터닝된 재료를 안정화시키는 단계는 염화 바륨(BaCl₂)을 사용하여 상기 TCF를 안정화시키는 내부 편광판의 형성방법.The stabilizing of the patterned material is a method of forming an internal polarizer to stabilize the TCF using barium chloride (BaCl₂). 제1항에서,In claim 1, 상기 저온 베이크하는 단계는 온도가 60도 이상 130도 이하이며, 베이크 시간이 3분 이상 120분 이하인 내부 편광판의 형성방법.The low temperature baking may include a temperature of 60 degrees or more and 130 degrees or less, and a baking time of 3 minutes or more and 120 minutes or less. 내부 편광판이 형성될 부분을 세정하는 단계,Cleaning the portion where the internal polarizer is to be formed, 상기 세정된 부분에 플라즈마 처리를 행하는 단계,Performing a plasma treatment on the cleaned portion, 상기 내부 편광판의 재료를 코팅하는 단계,Coating a material of the internal polarizer; 상기 코팅된 재료를 후속 공정에서의 베이크 온도보다 낮은 온도로 저온 베이크하는 단계,Low temperature baking the coated material to a temperature lower than the baking temperature in a subsequent process, 상기 저온 베이크된 재료를 패터닝하는 단계,Patterning the cold baked material, 상기 패터닝된 재료를 안정화시키는 단계를 포함하는 내부 편광판의 형성방법.Stabilizing the patterned material. 내부 편광판이 형성될 부분을 세정하는 단계,Cleaning the portion where the internal polarizer is to be formed, 상기 세정된 부분에 플라즈마 처리를 행하는 단계,Performing a plasma treatment on the cleaned portion, 상기 내부 편광판의 재료를 코팅하는 단계,Coating a material of the internal polarizer; 상기 코팅된 재료를 패터닝하는 단계,Patterning the coated material, 상기 패터닝된 재료를 후속 공정에서의 베이크 온도보다 낮은 온도로 저온 베이크하는 단계,Low temperature baking the patterned material to a temperature lower than the baking temperature in a subsequent process, 상기 저온 베이크된 재료를 안정화시키는 단계를 포함하는 내부 편광판의 형성방법.Stabilizing the low temperature baked material.
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