KR20060079314A - Isolation system design of opti-probe apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an isolation system of a wafer thickness measuring apparatus.
이를 위한 본 발명은, 베이스(14)상으로 설치되고 있는 아이소레이터(13)는 상부로 고무노스(12)가, 하부의 CDA라인(15)을 통해 밸브(16)가 각각 설치되고, 상기 아이소레이터(13)의 고무노스(12)위쪽에는 아이소레이터 바(11)와 옵티 어셈블리의 상부베이스(10)가 설치되는 아이소레이션 시스템에 있어서, 상기 밸브(16)의 CDA라인(15')은 베이스(14)로부터, 아이소레이터 바의 CDA라인(22)은 아이소레이터 바(11)로, 상기 CDA라인(15)은 아이소레이터(13)내의 CDA 파이프라인(21)과 각각 연결되고; 상기 아이소레이터 바(11)는 CDA라인(22)과 상하의 오링(23)이 설치되고, 상기 아이소레이터(13)는 CDA라인(21)을 통해 혼(20)이 설치된 것을 그 특징으로 한다.
In the present invention for this purpose, the isolator 13 is installed on the base 14, the rubber nose 12 to the top, the valve 16 through the lower CDA line 15 is installed, respectively, In an isolation system in which an isolator bar 11 and an upper base 10 of an optim assembly are installed above the rubber nose 12 of the radar 13, the CDA line 15 'of the valve 16 is connected to the base. From (14), the CDA line 22 of the isolator bar is connected to the isolator bar 11, and the CDA line 15 is connected to the CDA pipeline 21 in the isolator 13, respectively; The isolator bar 11 is provided with a CDA line 22 and the upper and lower O-ring 23, the isolator 13 is characterized in that the horn 20 is installed through the CDA line 21.
OP장비, 웨이퍼 두께측정장치, 아이소레이션 시스템, 아이소레이터 바OP Equipment, Wafer Thickness Measuring Equipment, Isolation System, Isolator Bar
Description
도 1 은 종래 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 도시해 놓은 구성도, 1 is a configuration diagram showing an isolation system of a conventional wafer thickness measuring apparatus;
도 2 는 종래 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 설명하기 위한 상태도, 2 is a state diagram for explaining an isolation system of a conventional wafer thickness measuring apparatus;
도 3 은 본 발명의 실시예에 관한 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 도시해 놓은 구성도, 3 is a configuration diagram showing an isolation system of a wafer thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 4 및 도 5 는 본 발명의 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 설명하기 위한 상태도이다.4 and 5 are state diagrams for explaining the isolation system of the wafer thickness measuring apparatus of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10 : 상부베이스 11 : 아이소레이터 바10: upper base 11: isolator bar
12 : 고무노스 13 : 아이소레이터12: rubber north 13: isolator
14 : 베이스 15 : CDA 라인14
16 : 밸브 20 : 혼
16: valve 20: horn
본 발명은 웨이퍼 두께측정장비의 아이소레이션 시스템의 디자인구조 변경에 관한 것이다.
The present invention relates to a modification of the design structure of the isolation system of the wafer thickness measuring equipment.
반도체 메모리 소자 및 비메모리 소자의 제조과정은 단결정 실리콘재질의 웨이퍼와 같은 기판 상에 절연막이나 유전막, 금속막 등을 적층하는 공정과, 상기 적층된 막을 원하는 형태의 패턴으로 형성하는 공정을 포함한다. 상기 막이 당초 원하는 두께로 적층되었는 지를 검사하기 위해 상기 막의 적층 완료 직후에 높은 정확도를 갖는 비파괴형막 두께 측정장비에 의해 상기 막의 두께를 측정하고 있다.The manufacturing process of the semiconductor memory device and the non-memory device includes laminating an insulating film, a dielectric film, a metal film and the like on a substrate such as a wafer made of a single crystal silicon material, and forming the stacked film in a desired pattern. The thickness of the film is measured by a non-destructive film thickness measuring instrument with high accuracy immediately after the completion of the stacking of the film to check whether the film is initially laminated to a desired thickness.
상기 막 두께 측정장비는 크게 비파괴형 막 두께 측정 장비와 파괴형 막 두께 측정 장비로 구분된다. 상기 비파괴형 막 두께 측정 장비로는 일립소미터 (Ellipsometer)나, 레이저 또는 램프의 빛 흡수와 반사도를 이용한 두께 측정장비, 예를 들어 나노스펙(Nanospec), 옵티프로브(Optiprobe), 메타펄스(Metapulse) 등이 있다. 상기 파괴형 막 두께측정장비로는 투과전자현미경(TEM)이 있으며 비파괴형 막 두께측정장비보다 훨씬 높은 정확도를 갖고 있으나, 막의 두께를 측정하기 위해 웨이퍼를 절단하여야 하기 때문에 막의 두께가 측정 완료된 웨이퍼를 후속공정에 더 이상 적용할 수 없다.The film thickness measuring equipment is largely divided into non-destructive film thickness measuring equipment and destructive film thickness measuring equipment. The non-destructive film thickness measuring apparatus may be an ellipsometer or a thickness measuring apparatus using light absorption and reflectance of a laser or a lamp, for example, nanospec, optiprobe, and metapulse. ). The destructive film thickness measuring instrument is a transmission electron microscope (TEM) and has a much higher accuracy than a non-destructive film thickness measuring instrument. However, since the wafer must be cut to measure the film thickness, It is no longer applicable to subsequent processes.
현재, 반도체 메모리 소자 및 비메모리 소자의 제조 과정중 각종 막 두께 측 정장비의 보정(Calibration)이나 막 두께측정장비간의 매칭(Matching)및 정비 (Maintenance) 등을 위해 막 두께 인증기준물질(Film Thickness Certified Reference Material)이 사용되고 있다. 이는 막의 정확한 두께를 보장하여 줌으로써 반도체소자의 제조공정에서 요구되는 품질의 정확성을 향상시킬 수 있게 한다.Currently, the film thickness certification reference material (Film Thickness) is used for the calibration of various film thickness side ratios during the manufacturing process of semiconductor memory devices and non-memory devices, and for matching and maintenance of film thickness measurement equipment. Certified Reference Material). This ensures the exact thickness of the film, thereby improving the accuracy of the quality required in the manufacturing process of the semiconductor device.
도 1 은 종래 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 도시해 놓은 구성도로서, 베이스(14)상에는 아이소레이터(13)가 설치되고 있는 바, 이 아이소레이터(13)는 상부로 고무노스(12)가, 하부의 CDA(압축 건조공기)라인(15)을 통해 밸브(16)가 각각 설치되고 있다. 상기 아이소레이터(13)의 고무노스(12)위쪽에는 아이소레이터 바(11)와 옵티 어셈블리의 상부베이스(10)가 설치되고 있다. 상기 밸브(16)는 고무노스(12)측으로 연결되는 한편 업다운되는 상부베이스(10)가 연결된다. FIG. 1 is a configuration diagram showing an isolation system of a conventional wafer thickness measuring apparatus. An
도 2 는 종래 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 설명하기 위한 상태도로서, 도 2(a)는 아이소레이터 바(11)가 아이소레이터(13)상에서 상하로 작동되는 상태도이고, 도 2(b)는 아이소레이터 바(11)가 한 쪽으로 쏠린 상태도이며, 도 2(c)는 정면도이고 도 2(d)는 내부 평면도를 나타내고 있다.FIG. 2 is a state diagram for explaining an isolation system of a conventional wafer thickness measuring apparatus. FIG. 2 (a) is a state diagram in which the
도 2 에서 기존의 OP(Opti-Probe) 아이소레이션 시스템에서 아이소레이터 바(11)는 스테이지 업-다운 작동시 장비 4곳에 장착된 아이소레이터(13) 레벨에 조금의 시간차라도 발생한다면, 도 2(b)에 도시된 바와 같이 아이소레이터 바(11)가 한 쪽으로 쏠리는 현상이 발생하여, 웨이퍼 드롭으로 이어지는 일이 자주 발생하고 있었다.In the existing Opti-Probe (OP) isolation system in FIG. 2, if the
그리고, 또한 이러한 현상을 유발시키는 원인중에는 아이소레이터(13) 구조 가 텅비어 있는 상태에서 일시에 CDA(Compressed Dry Air)가 입력되어 고무노스 (12)를 부풀어 오르게 하다 보니, 이 고무노스(12)의 전면적에 고르게 압력이 가해지지 못하는 현상이 발생하는 것으로 판단되고 있다. 결국적으로 아이소레이터 바(11)의 쏠리는 현상에도 영향을 미치는 것으로 보여지고 있었다.
In addition, among the causes causing such a phenomenon, the compressed air (CDA) is input at a time while the isolator (13) structure is empty, thereby inflating the rubber nose (12). It is thought that the phenomenon that pressure is not applied evenly over the entire surface of the film is caused. Eventually, it was shown that the phenomenon of pulling the
본 발명은 상기와 같은 사정을 감안하여 발명한 것으로, 아이소레이션 바가 장착된 모든 장비로서 CDA 라인 장착과 세라믹 오링을 장착한 구조와, 통구조의 아이소레이터 내부를 혼구조로 신규 장착하여 압력 전달을 극대화한 구조로 되어 있는 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 제공함에 그 목적이 있다.
The present invention has been invented in view of the above circumstances, and all of the equipment equipped with an isolation bar are equipped with a CDA line mounting and a ceramic O-ring, and a tubular isolator inside is newly mounted in a horn structure for pressure transmission. The object of the present invention is to provide an isolation system for a wafer thickness measuring apparatus having an maximized structure.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 베이스(14)상으로 설치되고 있는 아이소레이터(13)는 상부로 고무노스(12)가, 하부의 CDA라인(15)을 통해 밸브(16)가 각각 설치되고, 상기 아이소레이터(13)의 고무노스(12)위쪽에는 아이소레이터 바(11)와 옵티 어셈블리의 상부베이스(10)가 설치되는 아이소레이션 시스템에 있어서, 상기 밸브(16)의 CDA라인(15')은 베이스(14)로부터, 아이소레이터 바의 CDA라인(22)은 아이소레이터 바(11)로, 상기 CDA라인(15)은 아이소레이터(13)내의 CDA 파이프라인(21)과 각각 연결되고; 상기 아이소레이터 바(11)는 CDA라인(22)과 상하의 오링(23)이 설치되고, 상기 아이소레이터(13)는 CDA라인(21)을 통해 혼(20)이 설치된 것을 그 특징으로 한다.
In the present invention for achieving the above object, the
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3 은 본 발명의 실시예에 관한 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 도시해 놓은 구성도이고, 도 4 및 도 5 는 본 발명의 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템을 설명하기 위한 상태도이다. 본 발명은 웨이퍼 두께측정장비의 아이소레이션시스템 디자인(ISOLATION SYSTEM DESIGN)의 구조 변경인 것이다. 3 is a configuration diagram showing an isolation system of the wafer thickness measurement apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are state diagrams for explaining the isolation system of the wafer thickness measurement apparatus of the present invention. The present invention is a structural change of the ISOLATION SYSTEM DESIGN of wafer thickness measuring equipment.
OP 장치는 두께 측정을 하는 장비로써, 두께 측정용 소스(SOURCE)인 BPR, BPE, AE, SE, BB 튤(TOOL)을 이용하여 생산 웨이퍼의 두께를 측정하여 값을 계산하는 장비인 것이다. 본 발명은 OP장비 스테이지시스템의 하나인 아이소레이션(ISOLATION)시스템에 관한 내용으로, 웨이퍼 로딩방법을 살펴보면 얼라이너에서 얼라인된 웨이퍼가 스테이지 다운에 의해 척(CHUCK)에 안착된 후 측정용 카메라가 있는 중앙으로 스테이지가 업(UP)하면서 이동한 후 두께를 측정하는 방식이다.The OP device is a device for measuring thickness, and is a device for calculating a value by measuring a thickness of a production wafer using BPR, BPE, AE, SE, and BB tulle (TOOL), which are thickness sources. The present invention relates to an ISOLATION system, which is one of the OP equipment stage systems. Looking at the wafer loading method, the measuring camera is mounted after the wafer aligned in the aligner is seated on the chuck by stage down. It is a method of measuring the thickness after the stage moves to the center.
그리고, 이러한 스테이지 업-다운(UP DOWN)을 하도록 하기 위해 장비에는 아이소레이터(ISOLATOR : 13)가 설치되어 있으며, 이 아이소레이터(13)는 스테이지 상부베이스(10)에 부착된 아이소레이터 바(11)와 연동하며, 다시 말해 스테이지 업(UP) 작동시 아이소레이터(13)에 CDA가 입력되면 아이소레이터 고무노스(NOSE : 12)가 부풀어 올라 베이스에 장착된 아이소레이터 바(11)를 밀어 올리게 되므로, 중앙에 장착된 카메라 어셈블리(CAMERA A`SSY)와의 접촉을 피하면서 스테이지와 카메라사이의 거리를 유지토록 한다.
In order to perform such a stage up-down, an equipment is provided with an isolator (ISOLATOR: 13), and the
본 발명을 서술하면, 첫째 위에서 말한 아이소레이터(13) 업-다운 작동시에 도 2(d)에서 보면 알 수 있듯이, 장비에는 모두 4개의 아이소레이터(13)가 장착되며, 각각 아이소레이터(13)옆에 붙어 있는 레벨게이지의 1차 세팅에 의해 업-다운 작동을 하게 된다.In describing the present invention, as shown in FIG. 2 (d) in the above-mentioned
그런데, 아이소레이터(13) 업 작동시 아이소레이터 바(11)의 내부가 도 2(a)에서 보듯이 바 중앙에 위치해야 정확하게 베이스가 수평을 유지하게 되어, 웨이퍼 측정에 문제가 없게 된다.However, when the
그러나, CDA 입력시 아이소레이터(13)의 고무노스(12)가 부풀어 올라 아이소레이터 바(11)를 밀어 올릴 때 에어의 량이 고무노스 중앙을 기준으로 동일하지 않을 시에는 아이소레이터 바(11)의 내부 어셈블리가 도 2 (b)에서 보듯이 한 쪽으로 기울어지게 된다. 이렇게 되면 아이소레이터 S/W 레벨이 맞지 않게 되어 척에 있는 웨이퍼를 드롭시키는 현상이 발생하게 된다.However, when the
그래서, 본 발명은 이러한 문제를 예방하기 위해 아이소레이터 바(11)의 디자인을 변경한 것으로, 상기 아이소레이터 바(11)에 도 4의 CDA 라인(22)을 신규 설치하여 아이소레이터 바(11)가 한쪽으로 기울어지지 않게 하기 위해 장비 업(UP)작동시 CDA를 입력시켜 압력에 의해 아이소레이터 바(11)가 기울어지는 현상을 예방한다. 또한 CDA가 아이소레이터 바(11) 위쪽으로 빠져나가는 것을 방지하기 위해 도 4 에 세라믹 재질의 오링(23, 23)을 제작 설치하여 압력의 유출을 제어한다.Therefore, the present invention is to change the design of the
도 5 에 도시된 바와 같이 본 발명의 아이소레이터(13) 내부 구조 변경에 관한 것으로, 기존 장치는 CDA 입력시 일시에 아이소레이터(13) 상부에 부착되어 있 는 고무노스(12)를 부풀려 아이소레이터 바(11)를 밀어 올리는 구조인 것이다. 여기서 문제점은 일정량의 CDA(21)가 일시에 같은 압력으로 고무노스(12)에 전달되어야 하는 데, 그러기 위해서는 현재의 아이소레이터 구조를 조금 변경(MODIFICATION)한다면 더욱더 수월하게 CDA(21)를 고무노스(12)에 전달할 수 있을 것으로 보인다.As shown in FIG. 5, the present invention relates to an internal structure change of the
그래서, 본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 도 5 에서 보듯이 아이소레이터(13) 내부에 있는 고무노스(12) 하단에 혼(HORN : 20)을 장착하여 CDA(21)의 동일 압력이 직접 고무노스(12) 전체에 전달될 수 있도록 도와주고 있다.Therefore, in order to solve this problem, the present invention is equipped with a horn (HORN: 20) at the bottom of the
따라서, 본 발명 장비에서 아이소레이터 바(11)와 아이소레이터(13)의 디자인 변경을 통하여 OP장비의 문제점을 해결할 수 있도록 도와주어, 장비의 고장을 현격히 줄여 줄 것이다.Therefore, the present invention helps to solve the problem of the OP equipment by changing the design of the
본 발명의 아이소레이션 시스템의 두 곳의 구조를 변경하여 도 3 와 같이 디자인을 구성하고 있다. 베이스(14)상으로 설치되고 있는 아이소레이터(13)는 상부로 고무노스(12)가, 하부의 CDA라인(15)을 통해 밸브(16)가 각각 설치되고 있다. 상기 밸브(16)의 CDA라인(15')은 베이스(14)로부터, 아이소레이터 바의 CDA라인(22)은 아이소레이터 바(11)로, 상기 CDA라인(15)은 아이소레이터(13)내의 CDA 파이프라인(21)과 각각 연결되게 된다. The structure of the two locations of the isolation system of the present invention is changed to form a design as shown in FIG. In the
상기 아이소레이터(13)의 고무노스(12)위쪽에는 아이소레이터 바(11)와 옵티 어셈블리의 상부베이스(10)가 설치되고 있다. 상기 아이소레이터 바(11)는 CDA라인(22)과 상하의 오링(23, 23)이 설치되고, 상기 아이소레이터(13)는 CDA라인(21)을 통해 혼(20)이 설치되게 된다. The
이상과 같이 구성되는 본 발명은 아이소레이션 바가 장착된 모든 장비로서 CDA 라인 장착과 세라믹 오링을 장착한 구조와, 통구조의 아이소레이터 내부를 혼구조로 신규 장착하여 압력 전달을 극대화한 구조등을 제공할 수 있다.The present invention constituted as described above is provided with a CDA line mounting and ceramic O-ring structure as all equipment equipped with an isolation bar, and a structure that maximizes pressure transmission by newly installing the inside of the tubular isolator as a horn structure. can do.
도 4 에 도시된 아이소레이터 바(11)에 CDA 라인(22)을 신규 제작 설치하여 아이소레이터(13) 업-다운(UP-DOWN) 진행시 CDA 압력에 의해 아이소레이터 바(11)가 한 쪽으로 쏠리는 현상을 예방할 수 있고, 이를 보완하기 위해 압력이 빠져 나가지 않도록 하기 위해 세라믹 재질의 오링(23, 23)을 아이소레이터 바(11)가 위, 아래로 움직이는 부위에 장착하여 압력 손실을 없애고 있다.
도 5 에 도시된 아이소레이터(13) 내부 구조 변경에 관한 것으로, 아이소레이터 바의 원인에 일부분 영향을 미치는 것으로 아이소레이터(13)의 내부 구조가 비어 있는 통 구조로서 높은 압력의 CDA(21)가 일시에 고무노스(12) 표면에 동일하게 같은 압력을 전달하기에는 문제가 있다고 판단되어 이것을 혼(20)이 설치되어 있는 구조로 변경하여, 상기 고무노스(12)와 가까운 거리에서 높은 압력을 그대로 고무노스(12) 표면에 동일하게 전달할 수 있도록 한다.The internal structure change of the
본 발명의 아이소레이션 시스템을 이용 스테이지를 움직이는 장비의 안정성을 확보할 수 있다. 또한, 웨이퍼 드롭으로 인한 공정사고를 미연에 예방하여 확실한 생산성 확보할 수 있다.
It is possible to ensure the stability of the equipment moving the stage using the isolation system of the present invention. In addition, it is possible to secure a certain productivity by preventing a process accident due to the wafer drop in advance.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 아이소레이션 바가 장착된 모든 장비로서 CDA 라인 장착과 세라믹 오링을 장착한 구조와, 통구조의 아이소레이터 내부를 혼구조로 신규 장착하여 압력 전달을 극대화한 구조등을 제공할 수 있다. As described above, according to the present invention, all equipment equipped with an isolation bar is equipped with a CDA line mounting and a ceramic O-ring, and a tubular isolator structure is newly mounted in a horn structure to maximize pressure transmission. Can provide.
본 발명은 웨이퍼 두께측정장치의 아이소레이션 시스템에 대한 기술사상을 예시도면에 의거하여 설명했지만, 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명의 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다. 본 발명은 이 기술분야의 통상 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings, the technical idea of the isolation system of the wafer thickness measuring device is illustrative of the best embodiments of the present invention, and is not intended to limit the claims of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and imitations can be made without departing from the scope of the technical idea of the present invention.
Claims (4)
Priority Applications (1)
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KR1020040117079A KR20060079314A (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Isolation system design of opti-probe apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020040117079A KR20060079314A (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Isolation system design of opti-probe apparatus |
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KR20060079314A true KR20060079314A (en) | 2006-07-06 |
Family
ID=37170965
Family Applications (1)
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KR1020040117079A KR20060079314A (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Isolation system design of opti-probe apparatus |
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- 2004-12-30 KR KR1020040117079A patent/KR20060079314A/en not_active Application Discontinuation
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