KR20060078917A - Method and apparatus for automatic aiming laser beam of afm - Google Patents

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Abstract

본 발명은 원자력 현미경(Atomic Force Microscope, 이하 'AFM'이라 함)의 팁(tip) 교체 후, AFM 장치의 캔틸레버에 정확히 조준되었을 때의 레이저 광선 패턴이 입력된 디지털 신호 분석기(digital signal analyzer)를 AFM 장치의 팁(tip) 아래에 배치하고, 팁이 교체된 캔틸레버의 윗면에 레이저 광선을 비춰서 디지털 신호 분석기의 센서에 형성되는 패턴과 디지털 신호 분석기에 입력되어 있는 패턴이 일치되도록 AFM의 레이저 장치를 자동으로 조준하는 방법 및 그 장치이다. 본 발명에 의해서 AFM 장치의 팁 교체 후 신속하고 정확하게 레이저 광선을 재조준할 수 있으므로, 시간을 절감하고 AFM 장치를 사용하여 얻은 데이터의 신뢰성을 높일 수 있다.The present invention relates to a digital signal analyzer in which a laser beam pattern is inputted when the tip of an atomic force microscope (AFM) is accurately positioned on a cantilever of an AFM device. Place the AFM laser device under the tip of the AFM device and align the pattern formed on the sensor of the digital signal analyzer with the pattern input to the digital signal analyzer by shining a laser beam on the top of the replaced cantilever. Automatic aiming method and the device. According to the present invention, the laser beam can be retargeted quickly and accurately after tip replacement of the AFM device, thereby saving time and increasing the reliability of data obtained using the AFM device.

AFM, 캔틸레버, 팁, 레이저, 디지털 신호 분석기AFM, Cantilever, Tip, Laser, Digital Signal Analyzer

Description

ＡＦＭ 장치의 레이저 광선의 자동 조준 방법 및 그 장치{Method and Apparatus for Automatic Aiming Laser Beam of AFM} Aim method for laser beam of AFM device and device therefor {Method and Apparatus for Automatic Aiming Laser Beam of AFM}

도 1은 AFM의 작동 원리를 설명하기 위한 개략도.1 is a schematic diagram for explaining the principle of operation of the AFM.

도 2는 종래 기술에서 AFM 장치의 팁 교체 후 레이저 조준하는 과정을 설명하기 위한 개략도.Figure 2 is a schematic diagram for explaining the process of laser aiming after tip replacement of the AFM device in the prior art.

도 3은 본 발명에 의해 AFM 장치의 팁 교체 후 레이저 조준하는 과정을 설명하기 위한 개략도. Figure 3 is a schematic diagram for explaining the process of laser aiming after tip replacement of the AFM device according to the present invention.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

31: 캔틸레버 33: 디지털 신호 분석기31: cantilever 33: digital signal analyzer

35: 디지털 신호 분석기의 일구역 37: 캔틸레버 기판35: One section of the digital signal analyzer 37: Cantilever substrate

39: 레이저 스팟39: laser spot

본 발명은 AFM에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 원자력 현미경(Atomic Force Microscope, 이하 'AFM'이라 함)의 팁(tip)을 자동 정렬하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.The present invention relates to AFM, and more particularly, to a method and an apparatus for automatically aligning the tips of an atomic force microscope (hereinafter referred to as 'AFM').

반도체 소자가 고집적화됨에 따라서 미세영역을 검사하는 방법이 더욱 중요해지고 있다. 그 결과 전자현미경보다 더 큰 배율과 분해능을 가지는 원자현미경의 사용도 늘고 있다.As semiconductor devices are highly integrated, a method of inspecting microregions becomes more important. As a result, the use of atomic force microscopes with greater magnification and resolution than electron microscopes is increasing.

원자현미경 중 처음으로 등장한 STM(Scanning Tunneling Microscope)은 터널링(tunneling) 현상에 의해 탐침과 시료 사이에 흐르는 전류가 흐르도록 해서 시료의 지형을 보여주는 것으로 시료가 부도체여서 전류가 흐르지 않는 경우에는 사용하기가 곤란하였다. Scanning Tunneling Microscope (STM), the first of its kind, shows the topography of the sample by allowing the current flowing between the probe and the sample to be caused by the tunneling phenomenon. It was difficult.

이와 달리 AFM은 전기적으로 부도체인 시료의 경우에도 사용이 가능하다. AFM에서는 텅스텐 탐침 대신에 실리콘을 식각하여 만든 팁(tip)과 마이크로머시닝으로 제작된 캔틸레버(cantilever)를 사용한다.AFM, on the other hand, can also be used for electrically nonconducting samples. Instead of tungsten probes, AFM uses a tip made from etching silicon and a cantilever made by micromachining.

캔틸레버는 길이 100㎛, 폭 20㎛, 두께 1㎛ 로 아주 작으며, 미세한 힘에 의해 아래 위로 쉽게 휘어진다. AFM 장치를 개략적으로 나타낸 도 1에서 보듯이 캔틸레버(1) 끝에 실리콘을 식각해서 뽀족하게 만든 삼각뿔 모양의 팁(3)이 부착되어 있다.The cantilever is very small, 100 µm long, 20 µm wide and 1 µm thick, and easily bent up and down by fine force. As shown in FIG. 1 schematically showing the AFM device, a triangular pyramid-shaped tip 3 is attached to the end of the cantilever 1 by etching silicon.

이 팁(3)을 시료(5) 표면에 접근시키면, 팁 끝부분의 원자와 시료 표면의 원자 사이에 끌어당기거나 밀치는 힘이 작용한다. 이 힘은 1nN ~ 10nN 으로 아주 작지만, 캔틸레버(1)는 이 힘에 의해 아래 위로 휘어진다. 캔틸레버(1)의 휘는 정도를 측정하기 위해 레이저 장치(7)로 레이저 광선(9)을 캔틸레버(1)에 비추고, 캔틸레버(1) 윗면에서 반사되어 나오는 광선(11)의 각도를 포토 다이오드(13)로 측정한다.When the tip 3 approaches the surface of the sample 5, a force that pulls or pushes between an atom at the tip end and an atom at the surface of the sample acts. This force is very small, from 1nN to 10nN, but the cantilever 1 is bent up and down by this force. In order to measure the degree of warpage of the cantilever 1, the laser beam 9 shines the laser beam 9 onto the cantilever 1, and the angle of the light beam 11 reflected from the upper surface of the cantilever 1 is measured by the photodiode 13. Measure with).

이렇게 해서 캔틸레버(1)가 0.01㎚ 정도로 미세하게 움직이는 것까지 측정할 수 있고, 측정 결과를 피드백(feedback)하여 캔틸레버(1)가 일정하게 휘도록 팁(3)과 시료(5) 표면 사이의 거리를 조절하면 시료의 형상을 얻을 수 있다. In this way, the cantilever 1 can be measured up to a fine movement of about 0.01 nm, and the distance between the tip 3 and the surface of the sample 5 is fed back to the measurement result so that the cantilever 1 is bent constantly. Adjust the to obtain the shape of the sample.

한편, 캔틸레버(1)에 부착된 팁(3)은 실리콘을 식각하여 제작한 것으로 서, 장시간 사용할 경우 시료와 상호 작용해서 마모된다. 따라서, 캔틸레버(1)와 팁(3)을 교체해 주어야 한다. 일반적으로 팁(3)은 캔틸레버(1)에 부착되어 있으므로 함께 교환해주며, 이 경우 교체된 캔틸레버에 레이저 광선을 다시 조준해서, 캔틸레버 윗면에서 레이저 광선이 정확히 반사되도록 레이저 장치(7)를 조절해야 한다. On the other hand, the tip (3) attached to the cantilever (1) is made by etching the silicon, when worn for a long time interacts with the sample. Therefore, the cantilever 1 and the tip 3 should be replaced. In general, the tip (3) is attached to the cantilever (1), so exchange together. In this case, the laser device (7) must be adjusted so that the laser beam is accurately reflected on the top of the cantilever by aiming the laser beam again on the replaced cantilever. do.

종래에는 AFM 팁(3)을 교체할 때, 도 2와 같이 레이저 광선의 스팟(spot)(15)을 보면서 레이저 광선을 캔틸레버(1) 윗면에 조준하였다. 하지만, 이처럼 육안으로 레이저 광선을 캔틸레버(1)에 조준하는 경우, 캔틸레버의 폭이 20㎛ 밖에 되지 않아 조준하기가 용이하지 않고 시간이 많이 소모될 뿐 아니라 측정 데이터의 신뢰성에 문제가 생길 수 있다. Conventionally, when the AFM tip 3 is replaced, the laser beam is aimed on the upper surface of the cantilever 1 while looking at the spot 15 of the laser beam as shown in FIG. 2. However, when the laser beam is aimed at the cantilever 1 with the naked eye as described above, the width of the cantilever is only 20 μm, which makes it difficult to aim and consumes a lot of time, and may cause a problem in reliability of measurement data.

본 발명의 목적은 디지털 신호 분석기(digital signal analysis)를 사용해서 AFM 장치의 팁을 더 정확하고 신속하게 교체할 수 있는 방법과 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a method and apparatus that can use a digital signal analysis to more accurately and quickly replace the tip of an AFM device.

본 발명의 다른 목적은 AFM 팁 교체의 시간을 줄이고 정확성을 높여 전체 공정이 효과적이고 신속하게 이루어질 수 있도록 하는 것이다.Another object of the present invention is to reduce the time and accuracy of AFM tip replacement so that the whole process can be done effectively and quickly.

AFM(Automatic Force Microscope) 장치의 레이저(laser) 광선을 정렬하는 방법으로서, AFM 장치의 팁(tip)을 교체하는 단계와, AFM 장치의 캔틸레버에 정확히 조준되었을 때의 레이저 광선 패턴이 입력된 디지털 신호 분석기(digital signal analyzer)를 AFM 장치의 팁(tip) 아래에 배치하는 단계와 팁이 교체된 캔틸레버의 윗면에 레이저 광선을 비추는 단계와, 비춰진 레이저 광선이 디지털 신호 분석기의 센서에 형성하는 패턴과 디지털 신호 분석기에 입력되어 있는 패턴을 비교하여 센서에 감지되는 패턴이 상기 입력된 패턴과 일치되도록 AFM의 레이저 장치를 조절하는 단계를 포함한다.A method of aligning the laser beam of an Automatic Force Microscope (AFM) device, comprising: replacing a tip of an AFM device, and a digital signal inputted with a laser beam pattern when accurately aimed at the cantilever of the AFM device Placing a digital signal analyzer under the tip of the AFM device; illuminating the laser beam on the top of the cantilever with the tip replaced; and the pattern and digital pattern of the reflected laser beam on the sensor of the digital signal analyzer. Comparing the pattern input to the signal analyzer and adjusting the laser device of the AFM so that the pattern detected by the sensor matches the input pattern.

디지털 신호 분석기에 감지되는 레이저 광선의 패턴은 입력된 레이저 광선의 패턴과 비교되어 그 차이가 피드백 루프(feedback loop)를 따라서 레이저 장치로 전해지며, 레이저 장치는 피드백된 데이터를 근거로 레이저 광선을 정렬한다.The pattern of the laser beam detected by the digital signal analyzer is compared with the pattern of the input laser beam and the difference is transmitted to the laser device along the feedback loop, which aligns the laser beam based on the fed back data. do.

따라서, 본 발명을 구현하는 장치는 캔틸레버에 정조준 되었을 때의 레이저 광선 패턴이 입력된 디지털 신호 분석기가 AFM 장치의 교체된 팁 하부에 배치되어 있고, 디지털 신호 분석기의 센서가 피드백 루프(feedback loop)를 따라서 레이저 장치와 전기적으로 연결되어 있는 구조를 포함한다.Therefore, in the device implementing the present invention, a digital signal analyzer inputted with a laser beam pattern when aiming at the cantilever is disposed below the replaced tip of the AFM device, and the sensor of the digital signal analyzer performs a feedback loop. Therefore, it includes a structure that is electrically connected to the laser device.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

AFM 장치의 팁을 교체한 다음 도 3과 같이 교체된 캔틸레버(31)에 부착된 팁(미도시) 아래에 디지털 신호 분석기(33)를 배치한다. 디지털 신호 분석기(33)는 레이저 광선이 정확히 조준되었을 때의 패턴이 각 구역(35) 별로 구역 내의 X/Y 좌표에 따라서 입력되어 있다. 즉, 정확히 조준된 레이저 광선이 켄틸레버(31) 윗면 에 비춰지면 산란되어서(scattered) 디지털 신호 분석기(33) 위에 일정한 패턴의 명암을 형성하며, 디지털 신호 분석기(33)에는 형성된 명암(contrast)의 정도가 디지털 신호로 변경되어 각 구역별로 X/Y 좌표에 따라 입력되어 있다. After replacing the tip of the AFM device, the digital signal analyzer 33 is disposed below the tip (not shown) attached to the replaced cantilever 31 as shown in FIG. 3. The digital signal analyzer 33 inputs the pattern when the laser beam is aimed correctly according to the X / Y coordinates in the zone for each zone 35. That is, when a precisely aimed laser beam is reflected on the top of the cantilever 31, it is scattered to form a certain pattern of contrast on the digital signal analyzer 33, and the contrast of the contrast formed in the digital signal analyzer 33 is The degree is converted into a digital signal and inputted according to the X / Y coordinates for each zone.

다음으로 레이저 광선을 비춰서, 교체된 캔틸레버 기판(37)에 달려있는 캔틸레버(31) 위에 레이저 스팟(39)이 위치하도록 한다. 교체된 캔틸레버(31) 위에 레이저 광선이 비춰지면, 산란된 레이저 광선이 디지털 신호 분석기(33) 위에 새로운 패턴을 형성한다. Next, the laser beam is shined so that the laser spot 39 is positioned on the cantilever 31 depending on the replaced cantilever substrate 37. When the laser beam shines on the replaced cantilever 31, the scattered laser beam forms a new pattern on the digital signal analyzer 33.

본 발명에서는 이 새로운 패턴을 디지털 신호 분석기(33)의 센서가 감지해서, 이를 디지털 신호로 변환하고 그 데이터를 피드백하며, 레이저가 정조준 되었을 때 입력된 패턴과 비교하게 된다. 그 결과 팁이 교체된 후의 패턴이 만든 디지털 신호와 입력되어 있던 신호가 차이 나는 부분은 이를 보정하도록 레이저 장치를 조절한다. In the present invention, the sensor of the digital signal analyzer 33 detects this new pattern, converts it into a digital signal, feeds back the data, and compares the pattern with the input pattern when the laser is aimed. As a result, the laser device adjusts to compensate for the difference between the digital signal produced by the pattern after the tip is replaced and the input signal.

본 발명에 따르면 디지털 신호 분석기(33)의 각 구역 내 각각의 X/Y 좌표에 따라서 팁 교체 후 형성된 패턴의 명암 값과 레이저가 정조준 되었을 때 해당 좌표에 입력되어 있던 값을 일대일로 비교되어 그 차이를 보정해 나가므로, 캔틸래버(31)에 입사되는 레이저 광선을 정확히 조준할 수 있고, 디지털 신호를 처리하게 되므로 신속하게 조준을 마칠 수 있다.According to the present invention, the contrast value of the pattern formed after tip replacement according to the respective X / Y coordinates in each zone of the digital signal analyzer 33 and the value inputted in the corresponding coordinates when the laser is aimed are compared in one-to-one comparison. Since the laser beam is corrected, the laser beam incident on the cantilever 31 can be accurately aimed, and since the digital signal is processed, the aiming can be completed quickly.

지금까지 도면을 참조로 본 발명의 구체적인 구현 방법을 설명하였지만, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이고 발명의 기술적 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의하여 정하여지며, 도면을 참조로 한 설명은 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 충분히 변형되거나 수정될 수 있다.Although a specific implementation method of the present invention has been described above with reference to the drawings, it is intended to be easily understood by those skilled in the art and is not intended to limit the technical scope of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention is determined by the matters described in the claims, and the description with reference to the drawings may be sufficiently modified or modified within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명에 의해서 AFM 장치 팁 교체 후 신속하고 정확하게 레이저 광선을 재조준할 수 있으므로, 시간을 절감할 수 있을 뿐 아니라, AFM 장치를 사용하여 얻은 데이터의 신뢰성을 높일 수 있다.


According to the present invention, the laser beam can be retargeted quickly and accurately after the tip replacement of the AFM device, thereby saving time and increasing the reliability of data obtained by using the AFM device.


Claims (2)

AFM(Automatic Force Microscope) 장치의 레이저(laser) 광선을 조준하는 방법으로서, A method of aiming the laser beam of an Automatic Force Microscope (AFM) device. AFM 장치의 팁(tip)을 교체하는 단계와,Replacing the tip of the AFM device, 상기 AFM 장치의 캔틸레버에 정확히 조준되었을 때의 레이저 광선 패턴이 입력된 디지털 신호 분석기(digital signal analyzer)를 상기 AFM 장치의 팁(tip) 아래에 배치하는 단계와Placing a digital signal analyzer under the tip of the AFM device in which a laser beam pattern is inputted when accurately aimed at the cantilever of the AFM device; 상기 팁이 교체된 AMF 장치의 캔틸레버 윗면에 레이저 광선을 비추는 단계와,Illuminating a laser beam on the top surface of the cantilever of the AMF device with the tip replaced; 상기 비춰진 레이저 광선이 상기 디지털 신호 분석기의 센서에 형성하는 패턴과 상기 디지털 신호 분석기에 입력된 패턴을 비교하여 상기 센서에 감지되는 패턴이 상기 입력된 패턴과 일치되도록 상기 AFM 장치의 레이저 장치를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 AFM 장치의 레이저 광선 자동 조준 방법. The laser beam of the AFM device is adjusted so that the pattern detected by the sensor is matched with the input pattern by comparing the pattern formed by the reflected laser beam to the sensor of the digital signal analyzer and the pattern input to the digital signal analyzer. A laser beam automatic aiming method of an AFM device, comprising the step. AFM 장치의 레이저 광선을 조준하는 장치로서,A device for aiming the laser beam of the AFM device, 캔틸레버에 정조준되었을 때의 레이저 광선 패턴이 입력된 디지털 신호 분석기가 AFM 장치의 교체된 팁 하부에 배치되어 있고,The digital signal analyzer with the laser beam pattern input when aiming at the cantilever is placed under the replaced tip of the AFM device, 상기 디지털 신호 분석기의 센서가 피드백 루프(feedback loop)를 따라서 레이저 장치와 전기적으로 연결되어 있는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 AFM 장치의 레이저 광선 자동 조준 장치. And a structure in which the sensor of the digital signal analyzer is electrically connected to the laser device along a feedback loop.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5705814A (en) * 1995-08-30 1998-01-06 Digital Instruments, Inc. Scanning probe microscope having automatic probe exchange and alignment
JPH10214868A (en) 1997-01-29 1998-08-11 Shimadzu Corp Evaluation of cmp treatment
KR100339186B1 (en) 1998-09-28 2002-05-31 포만 제프리 엘 Apparatus and method for defining a pattern on a substrate
GB0009902D0 (en) * 2000-04-20 2000-06-07 Univ Bristol Resonant probe driving arrangement and a scanning probe microscope including such an arrangement
KR100508530B1 (en) * 2003-03-10 2005-08-17 엘지전자 주식회사 SPM -type data storage apparatus using air bearing effect and driving method of the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8434159B2 (en) 2009-06-17 2013-04-30 Nanofocus, Inc. AFM measuring method and system thereof

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