KR20060078642A - Device for preventing backstream in vacumm line anc method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체장치를 제조하는 공정챔버에 진공분위기를 제공하기 위한 진공라인에서 공정챔버의 진공원인 진공펌프에 문제가 발생되어 오프될 때 공정챔버로 공정진행 후 생성되는 바이프로덕트가 역류되어 공정챔버를 오염시키는 것을 방지할 수 있도록 하는 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지장치 및 그 방법에 관한 것이다.According to the present invention, when a problem occurs in a vacuum pump, which is a vacuum source of a process chamber, in a vacuum line for providing a vacuum atmosphere to a process chamber for manufacturing a semiconductor device, a biproduct generated after the process proceeds to the process chamber is flowed back to the process chamber. The present invention relates to a backflow preventing apparatus and a method of a vacuum line for a semiconductor process chamber, which can prevent the contamination.

이를 실현하기 위한 본 발명은, 공정챔버, 상기 공정챔버의 공기를 흡입하는 진공펌프 상기 공정챔버와 진공펌프사이에 연결된 진공라인 및 상기 진공펌프의 배기구측에 연결되는 배기덕트를 포함하는 반도체 공정챔버용 진공라인에 있어서, 상기 공정챔버와 진공펌프를 연결하는 진공라인의 일단과 배기덕트 사이에 보조 진공라인을 연결하고, 상기 진공라인에 연결되는 보조 진공라인의 입구에는 진공펌프 오프시 개방되는 아이솔레이션밸브를 설치하며, 또한 상기 보조 진공라인의 통로 일측에는 벤츄리관을 설치하는 한편, 상기 벤츄리관에 질소가스를 공급하는 질소공급부를 설치한 구조로 이루어진 발명임.The present invention for realizing this, the semiconductor process chamber including a process chamber, a vacuum pump for sucking the air of the process chamber, a vacuum line connected between the process chamber and the vacuum pump and an exhaust duct connected to the exhaust port side of the vacuum pump In the vacuum line, the auxiliary vacuum line is connected between one end of the vacuum line connecting the process chamber and the vacuum pump and the exhaust duct, the inlet of the auxiliary vacuum line connected to the vacuum line is opened when the vacuum pump off A valve is provided, and a venturi tube is installed at one side of the passage of the auxiliary vacuum line, and a nitrogen supply unit is installed to supply nitrogen gas to the venturi tube.

공정챔버, 바이프로덕트(byproduct), 진공라인, 진공펌프Process Chamber, byproduct, vacuum line, vacuum pump

Description

반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지장치 및 그 방법{Device for preventing backstream in vacumm line anc method thereof} Device for preventing backstream in vacumm line anc method according to vacuum line for semiconductor process chamber             

도 1은 일반적인 공정챔버의 진공라인의 구성도 및 기체흐름도,1 is a configuration diagram and a gas flow diagram of a vacuum line of a general process chamber;

도 2는 본 발명에 따른 공정챔버의 진공라인의 구성도 및 기체흐름도를 나타낸다.Figure 2 shows the configuration and the gas flow diagram of the vacuum line of the process chamber according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 -- 진공펌프, 11 -- 진공라인,10-vacuum pump, 11-vacuum line,

12 -- 공정챔버, 13 -- 배기덕트,12-process chamber, 13-exhaust duct,

14 -- 아이솔레이션밸브, 20 -- 보조 진공라인,14-isolation valve, 20-auxiliary vacuum line,

21 -- 아이솔레이션밸브, 22 -- 콘트롤러,21-isolation valve, 22-controller,

23 -- 질소공급부.
23-nitrogen supply.

본 발명은 반도체장치를 제조하는 공정챔버에 진공분위기를 제공하기 위한 진공라인에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정챔버의 진공원인 진공펌프에 문제가 발생되어 오프될 때 공정챔버로 공정진행 후 생성되는 바이프로덕트(byproduct)가 역류되어 공정챔버를 오염시키는 것을 방지할 수 있도록 하는 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지장치 및 그 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a vacuum line for providing a vacuum atmosphere to a process chamber for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, when a problem occurs in the vacuum pump, which is a vacuum source of the process chamber, is generated after the process proceeds to the process chamber. An apparatus and method for preventing backflow of a vacuum line for a semiconductor process chamber to prevent a byproduct from flowing back and contaminating the process chamber.

각종 전자장비의 제조에 사용되는 전자부품인 반도체 소자를 제조하는 공정중에는 필요한 장비가 구비된 공정챔버에서 진행된다. 가령, 웨이퍼의 특정 부분 물질을 화학 반응을 통해 제거해 내는 식각공정이나, 화학 반응을 이용하여 웨이퍼상에 박막을 형성하는 화학기상증착공정, 실리콘 단결정으로 된 웨이퍼의 특정한 영역에 전기전도특성을 부여하기 위하여 불순물을 첨가하는 이온주입공정 등은 모두 공정챔버내에서 진행되는 공정이다. During the process of manufacturing a semiconductor device, which is an electronic component used in the manufacture of various electronic equipment, the process proceeds in a process chamber equipped with necessary equipment. For example, an etching process for removing a specific portion of a wafer through a chemical reaction, a chemical vapor deposition process for forming a thin film on a wafer using a chemical reaction, and providing electrical conductivity to a specific region of a wafer made of silicon single crystal. In order to add impurities, all ion implantation processes are performed in the process chamber.

공정챔버에서는 플라즈마를 쉽게 발생시키기 위해 주로 챔버내의 공기를 모두 뺀 후 몇가지 원하는 공기만 주입하고, 고전력고주파를 인가하여 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼와 주입된 가스간의 화학/물리적 반응을 통해 박막 및 식각 공정을 수행하게 된다.In the process chamber, in order to easily generate a plasma, the air inside the chamber is removed and only a few desired air are injected, and a high power high frequency is applied to generate a plasma to perform a thin film and etching process through a chemical / physical reaction between the wafer and the injected gas. Will be performed.

공정챔버에서 소정의 진공분위기를 형성하기 위해서는 공정챔버에 진공라인으로 연결된 진공펌프의 흡입작용으로 이루어지며, 흡입된 공기는 배기덕트를 통해 외부로 배출되어진다.
In order to form a predetermined vacuum atmosphere in the process chamber, a suction action of a vacuum pump connected to the process chamber by a vacuum line is performed, and the sucked air is discharged to the outside through an exhaust duct.

도 1은 일반적인 공정챔버의 진공라인의 구성도 및 기체흐름도를 나타낸다. 1 shows a configuration diagram and a gas flow diagram of a vacuum line of a general process chamber.                         

첨부도면을 참조하여 설명하면, 진공펌프(10)가 정상적인 동작을 할 때에는 진공라인(11)을 통해 공정챔버(12)내의 공기를 흡입하게 되는데, 이때 공정챔버(12)내의 반도체 웨이퍼와 반응된 가스들은 진공펌프(10)에 의해 흡입되어 배기덕트(13)를 통해 외부로 배출된다.Referring to the accompanying drawings, when the vacuum pump 10 operates normally, the air in the process chamber 12 is sucked through the vacuum line 11, where the reaction with the semiconductor wafer in the process chamber 12 occurs. Gases are sucked by the vacuum pump 10 and discharged to the outside through the exhaust duct 13.

그러나 공정챔버(12)의 진공원인 진공펌프(10)에 이상이 발생하여 진공펌프(10)의 작동이 중지되게 되면 진공라인의 압력은 상승하게 되고 공정챔버(12)는 정상적으로 진공상태를 유지하고 있게 되므로, 진공펌프(10)에 의해 흡입되던 진공라인상의 공정진행 후 생성된 부산물 즉 바이프로덕트가 역류되어 공정챔버(12)로 역류되어 공정챔버(12) 오염의 주요한 요인이 되었다.However, when an abnormality occurs in the vacuum pump 10, which is the vacuum source of the process chamber 12, and the operation of the vacuum pump 10 is stopped, the pressure in the vacuum line increases and the process chamber 12 maintains a normal vacuum state. Since the by-products, i.e., biproducts, generated after the process on the vacuum line sucked by the vacuum pump 10 are flowed back to the process chamber 12, the main factors of the process chamber 12 contamination.

물론, 공정챔버(12)와 진공펌프(10) 사이의 진공라인(11)중 일측에는 아이솔레이션밸브(14)가 설치되어 있기는 하지만 역류화 현상을 최소화 하지는 못하는 문제점이 있었다.
Of course, although the isolation valve 14 is installed at one side of the vacuum line 11 between the process chamber 12 and the vacuum pump 10, there is a problem that does not minimize the backflow phenomenon.

본 발명은 상기한 사정을 감안하여 발명한 것으로, 공정챔버에 진공분위기를 조성하는 진공펌프의 동작이 정지되었을 때 공정챔버와 진공펌프사이의 진공라인을 흐르던 바이프로덕트를 별도 배기라인을 통해 배기덕트로 배출함으로써, 진공펌프 정지에 따라 공정챔버로 역류되던 바이프로덕트가 공정챔버에 유입되지 않아 공정챔버의 오염을 방지할 수 있도록 된 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지장치 및 그 방법을 제공하고자 함에 발명의 목적이 있다.
The present invention has been invented in view of the above-described circumstances, and the exhaust duct through a separate exhaust line is passed through the vacuum product between the process chamber and the vacuum pump when the operation of the vacuum pump that creates the vacuum atmosphere in the process chamber is stopped. In order to provide a backflow preventing device and method for a vacuum process chamber for a semiconductor process chamber which prevents contamination of the process chamber because the biproduct, which has flowed back to the process chamber when the vacuum pump is stopped, does not flow into the process chamber. There is an object of the invention.

이를 실현하기 위한 본 발명에 따른 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지장치는, 공정챔버, 상기 공정챔버의 공기를 흡입하는 진공펌프 상기 공정챔버와 진공펌프사이에 연결된 진공라인 및 상기 진공펌프의 배기구측에 연결되는 배기덕트를 포함하는 반도체 공정챔버용 진공라인에 있어서, 상기 공정챔버와 진공펌프를 연결하는 진공라인의 일단과 배기덕트 사이에 보조 진공라인을 연결하고, 상기 진공라인에 연결되는 보조 진공라인의 입구에는 진공펌프 오프시 개방되는 아이솔레이션밸브를 설치하며, 또한 상기 보조 진공라인의 통로 일측에는 벤츄리관을 설치하는 한편, 상기 벤츄리관에 질소가스를 공급하는 질소공급부를 설치한 구조로 되어 있다.In order to accomplish this, the apparatus for preventing backflow of a vacuum line for a semiconductor process chamber according to the present invention includes a process chamber, a vacuum pump for sucking air from the process chamber, a vacuum line connected between the process chamber and a vacuum pump, and an exhaust port of the vacuum pump. A vacuum line for a semiconductor process chamber including an exhaust duct connected to the side, wherein an auxiliary vacuum line is connected between one end of the vacuum line connecting the process chamber and the vacuum pump and the exhaust duct, and the auxiliary line is connected to the vacuum line. An isolation valve is installed at the inlet of the vacuum line to open when the vacuum pump is turned off, and a venturi tube is installed at one side of the passage of the auxiliary vacuum line, and a nitrogen supply unit is provided to supply nitrogen gas to the venturi tube. have.

또한, 본 발명에 따른 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지방법은, 진공펌프로 공정챔버의 공정진행 후 생성된 바이프로덕트를 흡입하여 배출하는 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지방법에 있어서, 상기 공정챔버와 진공펌프간 진공라인에 별도의 보조 진공라인을 구비하여, 진공펌프에서 이상발생시 상기 보조 진공라인을 개방함과 아울러 상기 보조 진공라인에 보조 진공을 발생시켜 상기 진공라인의 바이프로덕트를 외부로 배출하도록 이루어져 있다.In addition, the method for preventing a backflow of a vacuum line for a semiconductor process chamber according to the present invention, in the method for preventing a backflow of a vacuum line for a semiconductor process chamber for sucking and discharging a biproduct generated after the process chamber is processed with a vacuum pump, A separate auxiliary vacuum line is provided in the vacuum line between the process chamber and the vacuum pump, and when an abnormality occurs in the vacuum pump, the auxiliary vacuum line is opened and the auxiliary vacuum is generated in the auxiliary vacuum line to externally remove the biproduct of the vacuum line. To be discharged.

상기 보조진공발생수단은 보조 진공라인의 일단에 벤츄리관을 형성하고 외부에서 질소를 공급하여 기압차에 의해 진공을 형성하도록 함을 특징으로 한다.
The auxiliary vacuum generating means is characterized by forming a venturi tube at one end of the auxiliary vacuum line and supplying nitrogen from the outside to form a vacuum by the pressure difference.

이하 본 발명의 바람직한 일실시예에 대한 구성 및 작용을 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 공정챔버의 진공라인의 구성도 및 기체흐름도를 나타낸다. 도 2에서 도 1에 도시된 구성요소와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대하여는 도 1과 동일한 참조부호를 부여하며, 중복설명을 피하기 위하여 상세한 설명은 생략한다.Figure 2 shows the configuration and the gas flow diagram of the vacuum line of the process chamber according to the present invention. In FIG. 2, components that perform the same functions as those illustrated in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1, and detailed descriptions thereof will be omitted in order to avoid duplication.

첨부도면에 도시된 바와 같이, 공정챔버(12)와 진공펌프(10) 사이에는 진공펌프(10)가 공정챔버(12)의 공정진행 후 생성되는 바이프로덕트의 흡입통로가 되는 진공라인(11)이 연결되어 있고, 상기 진공펌프(10)의 배기구측에는 배기덕트(13)가 연결되어 있다.As shown in the accompanying drawings, between the process chamber 12 and the vacuum pump 10, the vacuum pump 10 is a vacuum line 11 which is a suction passage of the bi-product generated after the process of the process chamber 12 The exhaust duct 13 is connected to the exhaust port side of the vacuum pump 10.

한편, 상기 공정챔버(12)와 진공펌프(10)를 연결하는 진공라인(11)과 배기덕트(13) 사이에는 별도의 보조 진공라인(20)이 연결되어 있다.On the other hand, a separate auxiliary vacuum line 20 is connected between the vacuum line 11 and the exhaust duct 13 connecting the process chamber 12 and the vacuum pump 10.

상기 보조 진공라인(20)과 진공라인(11)간의 결합부에는 아이솔레이션밸브(21)가 설치되어 있고, 상기 아이솔레이션밸브(21)는 상기 진공펌프(10)의 파워오프신호를 수신하여 아이솔레이션밸브(21)를 동작시키는 콘트롤러(22)에 의해 제어된다. 상기 아이솔레이션밸브(21)는 솔레노이드밸브를 이용하여 구성할 수 있으며, 따라서 콘트롤러(22)는 솔레노이드밸브 콘트롤러를 사용할 수 있다.An isolation valve 21 is installed at the coupling portion between the auxiliary vacuum line 20 and the vacuum line 11, and the isolation valve 21 receives the power-off signal of the vacuum pump 10 to isolate the isolation valve ( It is controlled by the controller 22 that operates 21. The isolation valve 21 may be configured using a solenoid valve, and thus the controller 22 may use a solenoid valve controller.

이러한 아이솔레이션밸브(21)는 진공펌프(10)가 정상동작하고 있을때 폐쇄상태를 유지하고 있다가 상기 진공펌프(10)가 파워오프 되었을때 개방되도록 콘트롤러(22)에 의해 제어된다. The isolation valve 21 is controlled by the controller 22 to maintain the closed state when the vacuum pump 10 is operating normally and then open when the vacuum pump 10 is powered off.                     

아울러 상기 보조 진공라인(20)의 일단에는 보조 진공라인(20)에 진공을 발생시키기 위한 벤츄리관(23)이 설치되어 있으며, 상기 벤츄리관(23)에는 벤츄리효과를 위한 질소가스를 공급하는 질소공급부(23)가 연결되어 있다.In addition, a venturi tube 23 for generating a vacuum in the auxiliary vacuum line 20 is installed at one end of the auxiliary vacuum line 20, and the venturi tube 23 is nitrogen supplying nitrogen gas for the venturi effect. The supply part 23 is connected.

상기 벤츄리관(23)은 질소공급부(23)에서 공급되는 질소를 빠르게 지나가도록 하여 벤츄리관(23) 후단의 압력을 낮춤으로써 벤츄리관(23) 전단에 위치하게 되는 상기 공정챔버(12)와 진공펌프(10) 사이의 진공라인(11)의 가스를 보조 진공라인(20)을 통해 배기덕트(13)로 배출하기 위함이다.The venturi tube 23 is vacuumed with the process chamber 12 positioned at the front end of the venturi tube 23 by lowering the pressure at the rear end of the venturi tube 23 by quickly passing the nitrogen supplied from the nitrogen supply unit 23. This is to discharge the gas of the vacuum line 11 between the pump 10 to the exhaust duct 13 through the auxiliary vacuum line 20.

도 2에서 내측이 비어 있는 화살표로 표시된 기체의 흐름은 진공펌프(10)가 정상동작중일 때의 기체의 흐름을 나타낸 것으로, 진공펌프(10)가 공정챔버(12)의 공정진행 후 생성되는 바이프로덕트를 흡입하여 배기덕트(13)로 배출함을 나타낸다. 이때 아이솔레이션밸브(21)는 폐쇄된 상태로 동작하므로 진공라인(11)내의 바이프로덕트는 보조 진공라인(20)으로 유입되지 않는 상태이다.In FIG. 2, a gas flow indicated by an arrow with an empty inside indicates gas flow when the vacuum pump 10 is in normal operation, and the vacuum pump 10 is generated after the process chamber 12 is processed. The product is sucked out and discharged to the exhaust duct 13. At this time, since the isolation valve 21 operates in a closed state, the biproduct in the vacuum line 11 does not flow into the auxiliary vacuum line 20.

그러다가 진공펌프(10)에 이상이 발생하여 진공펌프(10)가 정지된 경우에는 콘트롤러(22)에 의해 진공펌프 파워오프 신호가 수신되며, 이에 따라 콘트롤러(22)는 아이솔레이션밸브(21)를 개방함과 아울러 질소공급부(23)의 질소공급을 개시한다. 질소의 흐름은 실선의 화살표로 표시되어 있다.Then, when an abnormality occurs in the vacuum pump 10 and the vacuum pump 10 is stopped, the vacuum pump power-off signal is received by the controller 22. Accordingly, the controller 22 opens the isolation valve 21. In addition, the nitrogen supply of the nitrogen supply unit 23 is started. The flow of nitrogen is indicated by the solid arrow.

이에 따라 앞서 설명된 바와 같이 상기 벤츄리관(23)의 후단에서는 진공이 발생하여 상기 공정챔버(12)에 진공펌프(10)측으로 흡입되던 진공라인(11)상의 바이프로덕트를 흡입하게 되며, 흡입된 바이프로덕트는 점선으로 표시된 화살표와 같이 배기덕트(13)를 통해 외부로 배출되어진다. Accordingly, as described above, a vacuum is generated at the rear end of the venturi tube 23 to suck the biproduct on the vacuum line 11 which is sucked to the vacuum pump 10 in the process chamber 12. The bi-product is discharged to the outside through the exhaust duct 13 as shown by the arrow indicated by the dotted line.                     

이와 같이 하여 진공펌프가 정지한 경우 진공펌프측으로 흡입되다가 남아 있는 진공라인의 바이프로덕트를 새롭게 설치된 보조 진공라인을 통해 흡입하여 배출하는 1차적 보호작용이 이루어지게 되고, 공정챔버 출구에 설치되는 아이솔레이션밸브(14)에 의하여 2차적 보호작용이 이루어짐으로써 진공펌프의 정지시 공정챔버측으로 바이프로덕트의 역류를 방지할 수 있게 된다.
In this way, when the vacuum pump is stopped, the primary protection action is to inhale and discharge the biproduct of the remaining vacuum line through the newly installed auxiliary vacuum line while being sucked to the vacuum pump side, and the isolation valve installed at the process chamber outlet. By the secondary protection (14) it is possible to prevent the back flow of the bi-product to the process chamber side when the vacuum pump is stopped.

상기한 바와 같이 본 발명은 진공펌프가 정지되더라도 공정챔버에서 공정진행 후 생성된 바이프로덕트가 공정챔버로 역류되지 않고 배출될 수 있도록 함으로써 공정챔버의 오염을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.As described above, the present invention has an advantage of minimizing contamination of the process chamber by allowing the bi-products generated after the process in the process chamber to be discharged without being flowed back to the process chamber even when the vacuum pump is stopped.

Claims (3)

공정챔버, 상기 공정챔버의 공기를 흡입하는 진공펌프 상기 공정챔버와 진공펌프사이에 연결된 진공라인 및 상기 진공펌프의 배기구측에 연결되는 배기덕트를 포함하는 반도체 공정챔버용 진공라인에 있어서, 상기 공정챔버와 진공펌프를 연결하는 진공라인의 일단과 배기덕트 사이에 보조 진공라인을 연결하고, 상기 진공라인에 연결되는 보조 진공라인의 입구에는 진공펌프 오프시 개방되는 아이솔레이션밸브를 설치하며, 또한 상기 보조 진공라인의 통로 일측에는 벤츄리관을 설치하는 한편, 상기 벤츄리관에 질소가스를 공급하는 질소공급부를 설치하여 이루어진 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지장치.A process chamber, a vacuum pump that sucks air from the process chamber, and a vacuum line connected between the process chamber and the vacuum pump and an exhaust duct connected to an exhaust port side of the vacuum pump, wherein the process comprises: An auxiliary vacuum line is connected between one end of the vacuum line connecting the chamber and the vacuum pump and the exhaust duct, and an isolation valve is installed at the inlet of the auxiliary vacuum line connected to the vacuum line to open the vacuum pump. A venturi tube is installed at one side of the passage of the vacuum line, and a backflow preventing device of the vacuum process chamber for the semiconductor process chamber is formed by installing a nitrogen supply unit for supplying nitrogen gas to the venturi tube. 진공펌프로 공정챔버의 공정진행 후 생성된 바이프로덕트를 흡입하여 배출하는 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지방법에 있어서, 상기 공정챔버와 진공펌프간 진공라인에 별도의 보조 진공라인을 구비하여, 진공펌프에서 이상발생시 상기 보조 진공라인을 개방함과 아울러 상기 보조 진공라인에 보조 진공을 발생시켜 상기 진공라인의 바이프로덕트를 외부로 배출하도록 함을 특징으로 하는 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지방법.In the method of preventing a backflow of a vacuum line for a semiconductor process chamber for suctioning and discharging the bi-products generated after the process of the process chamber with a vacuum pump, a separate auxiliary vacuum line is provided in the vacuum line between the process chamber and the vacuum pump, A method of preventing backflow of a vacuum process chamber for a semiconductor process chamber, wherein when an abnormality occurs in a vacuum pump, the auxiliary vacuum line is opened and the auxiliary vacuum is generated in the auxiliary vacuum line to discharge the biproduct of the vacuum line to the outside. . 제2항에 있어서, 상기 보조진공발생수단은 보조 진공라인의 일단에 벤츄리관을 형성하고 외부에서 질소를 공급하여 기압차에 의해 진공을 형성하도록 함을 특징으로 하는 반도체 공정챔버용 진공라인의 역류방지방법.The backflow of the vacuum process chamber of claim 2, wherein the auxiliary vacuum generating means forms a venturi tube at one end of the auxiliary vacuum line and supplies nitrogen from the outside to form a vacuum by a pressure difference. Prevention method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100967773B1 (en) * 2006-10-31 2010-07-05 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 Leak containment apparatus for reactive gases

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KR100967773B1 (en) * 2006-10-31 2010-07-05 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 Leak containment apparatus for reactive gases

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