KR20060075924A - Wafer aligner for the ion implant equipment - Google Patents
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- 239000007943 implant Substances 0.000 title abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 93
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 이온 주입 장비의 웨이퍼 정렬 장치에 관한 것으로서, 웨이퍼를 고정하여 회전시키는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척에 웨이퍼를 로드/언로드하는 로봇 아암; 상기 웨이퍼 척의 상부 또는 하부에 설치되는 웨이퍼 위치감지 장치; 및 제어부를 포함하며, 상기 웨이퍼 위치감지 장치를 통해 오리엔팅 작업이 완료된 웨이퍼의 위치를 감지한 후, 상기 로봇 아암이 이온 주입 장비의 플레이튼에 감지된 위치만큼 보상하여 안착시키는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 웨이퍼 정렬 장치를 제공한다.The present invention relates to a wafer alignment apparatus of an ion implantation apparatus, comprising: a wafer chuck for fixing and rotating a wafer; A robot arm for loading / unloading wafers into the wafer chuck; A wafer position sensing device installed above or below the wafer chuck; And a control unit, and after detecting the position of the wafer on which the orienting operation is completed through the wafer position sensing device, the robot arm compensates and mounts the robot arm as much as the detected position on the platen of the ion implantation equipment. Provided is a wafer alignment apparatus for injection equipment.
본 발명에 의하면, 오리엔트 과정 중에서 슬립되거나 이탈된 웨이퍼를 이온 주입 장비의 플레이튼에 정확하게 위치시키게 되므로 생산 수율을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라, 부정확한 위치에 웨이퍼를 장착함으로써 플레이튼을 손상시키는 것도 방지할 수 있게 되는 것이다.According to the present invention, the wafer slipped or escaped during the orient process is accurately positioned on the platen of the ion implantation equipment, thereby improving production yield and preventing damaging the platen by mounting the wafer at an incorrect position. You can do it.
웨이퍼, 이온 주입, 오리엔트, 플레이튼.Wafer, ion implant, orient, platen.
Description
도 1은 종래의 이온 주입 장비의 웨이퍼 정렬 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a wafer alignment apparatus of a conventional ion implantation apparatus.
도 2는 본 발명에 따른 이온 주입 장비의 웨이퍼 정렬 장치의 일 실시예를 개략적으로 도시한 측면도이다.2 is a side view schematically showing an embodiment of a wafer alignment apparatus of the ion implantation apparatus according to the present invention.
<도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
100 : 웨이퍼 척,100: wafer chuck,
102 : 로봇 아암,102: robot arm,
106 : 웨이퍼 엘리베이터,106: wafer elevator,
110 : 플레이튼,110: platen,
120 : 고정 플레이트,120: fixed plate,
122 : 발광부,122: light emitting unit,
132 : 수광부.132: light receiving unit.
본 발명은 이온 주입 장비의 웨이퍼 정렬 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 표면에 이온을 주입하는 이온 주입 공정에 있어서, 웨이퍼를 장비에 정확한 위치에 안착시키기 위한 웨이퍼 정렬 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer alignment apparatus of an ion implantation apparatus, and more particularly, to a wafer alignment apparatus for seating a wafer at an accurate position in an equipment in an ion implantation process for implanting ions onto a surface of a wafer.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평판화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과 같은 일련의 단위 공정들을 수행하여 형성된다.Generally, a semiconductor device includes a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing process for flattening the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and a photoresist pattern. A series of units such as an etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor substrate, and a cleaning process for removing impurities on the semiconductor substrate Formed by performing the processes.
상기 단위 공정들 중에서 이온 주입 공정은 반도체 기판의 소정 부위에 특정 이온을 주입하여 트랜지스터의 소스, 드레인을 형성하는 공정이다. 상기 이온 주입 공정에서의 주요한 기술은 상기 특정 이온을 균일한 깊이로 주입하여, 상기 소스 및 드레인을 형성시키는 것이다. 상기 이온 주입 공정을 수행하는 장치의 일 예로서, 미합중국 특허 제5,343,047호 및 제5,641,969호에는 이온 주입 장치와 이온 주입 시스템이 개시되어 있다.Among the unit processes, an ion implantation process is a process of forming a source and a drain of a transistor by implanting specific ions into a predetermined portion of a semiconductor substrate. The main technique in the ion implantation process is to implant the specific ions to a uniform depth to form the source and drain. As an example of an apparatus for performing the ion implantation process, US Pat. Nos. 5,343,047 and 5,641,969 disclose an ion implantation apparatus and an ion implantation system.
이온 주입 공정에서, 특정 이온들은 반도체 기판을 이루는 실리콘의 결정 구조에 따른 채널링 효과에 의해 불균일한 깊이로 주입된다. 이러한 이유로, 반도체 기판은 이온빔의 방향에 대하여 소정의 경사각을 갖도록 배치되어야 한다. 이온빔은 이온 공급원으로부터 수평 방향으로 제공되며, 반도체 기판은 플레이튼(platen)에 의해 수직선에 대하여 약 7°의 경사각을 갖도록 배치된다. 이때, 반도체 기판의 표면에는 트랜지스터의 게이트 패턴이 형성되어 있으며, 상기 트랜지스터 게이트 패턴의 높이에 의해 상기 이온이 주입되는 영역이 일정 부분 가려지는 이온 섀도우 표과가 발생된다. 상기 이온 섀도우 효과의 영향을 최소화하기 위해서, 상기 웨이퍼는 상기 웨이퍼의 플랫존을 기준으로 하여 45°의 오리엔트 각도로 수평 회전한 상태로 위치하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 이온 주입 장치에는 상기 웨이퍼를 소정 각도로 수평회전시키기 위한 정렬 장치가 구비된다.In the ion implantation process, certain ions are implanted at a non-uniform depth by the channeling effect of the crystal structure of silicon constituting the semiconductor substrate. For this reason, the semiconductor substrate should be arranged to have a predetermined inclination angle with respect to the direction of the ion beam. The ion beam is provided in a horizontal direction from the ion source, and the semiconductor substrate is arranged to have an inclination angle of about 7 ° with respect to the vertical line by a platen. In this case, a gate pattern of a transistor is formed on a surface of the semiconductor substrate, and an ion shadow constellation is generated in which a region where the ion is implanted is partially covered by a height of the transistor gate pattern. In order to minimize the influence of the ion shadow effect, the wafer is preferably positioned in a horizontal rotation state at an orientation angle of 45 ° with respect to the flat zone of the wafer. Therefore, the ion implantation apparatus is provided with an alignment device for horizontally rotating the wafer at a predetermined angle.
도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 척(100)을 중심으로 하여 우측 로봇 아암(102)과 좌측 로봇 아암(104)이 배치되고, 각각의 로봇 아암(102, 104)들은 우측 웨이퍼 엘리베이터(106)와 좌측 웨이퍼 엘리베이터(108)로부터 웨이퍼를 꺼내어 순차적으로 상기 웨이퍼 척(100)의 상부에 적재한다. 이 상태에서 웨이퍼를 정렬 시킨 후 이온 주입이 이루어지는 챔버 내의 플레이튼(110)에 웨이퍼를 적재하여 공정을 진행한다. 이하에서는, 상기 정렬 장치에 의해 웨이퍼를 소정의 오리엔트각도로 위치시키는 방법에 대해서 간단히 설명한다.As shown in FIG. 1, a right
웨이퍼 척 상에 웨이퍼를 로딩하고, 상기 웨이퍼 척을 수평 회전시킨다. 상기 회전하고 있는 웨이퍼의 가장자리 부위로 광을 조사하고, 상기 조사되는 광이 웨이퍼에 의해 차단됨으로서 발생하는 광량의 차이에 의해 플랫존의 설정된 2지점을 센싱한다.The wafer is loaded onto the wafer chuck and the wafer chuck is rotated horizontally. Light is irradiated to the edge portion of the rotating wafer, and the set two points of the flat zone are sensed by the difference in the amount of light generated when the irradiated light is blocked by the wafer.
상기 플랫존의 위치에 의해 상기 웨이퍼의 중심점의 위치를 계산한다. 그리고, 상기 웨이퍼를 원하는 오리엔트 각도로 위치시키기 위해 웨이퍼 척이 회전되어야 하는 회전각을 계산한다. 상기 웨이퍼 척을 소정의 오리엔트 각도에 위치할 때까지 수평 회전시킨 후에 상기 웨이퍼 척을 정지시킨다.The position of the center point of the wafer is calculated by the position of the flat zone. Then, calculate the rotation angle at which the wafer chuck should be rotated to position the wafer at the desired orientation angle. The wafer chuck is stopped after the wafer chuck is rotated horizontally until it is positioned at a predetermined orientation angle.
그러나, 오리엔트 과정에서 웨이퍼가 상기 웨이퍼 척 상에서 미세하게 슬립되는 경우가 발생될 수 있으나, 이를 보상할 수단이 존재하지 않아 이온 빔이 웨이퍼의 엣지 부분에 정확하게 주입되지 못하여 플레이튼의 손상을 가져올 우려가 있는 것이다.However, a slight slip may occur on the wafer chuck during the orient process, but there is a risk that the ion beam may not be accurately injected to the edge portion of the wafer because there is no means for compensating for the wafer. It is.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서,웨이퍼 플랫존 오리엔트시에 발생될 수 있는 웨이퍼 슬립을 감지하여 웨이퍼를 이온 주입 장비의 플레이튼에 정확하게 위치시킬 수 있는 이온 주입 장비의 웨이퍼 정렬 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the drawbacks of the prior art as described above, the ion implantation equipment that can accurately position the wafer on the platen of the ion implantation equipment by detecting the wafer slip that can occur during wafer flat zone orientation It is a technical problem to provide a wafer alignment device.
상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼를 고정하여 회전시키는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척에 웨이퍼를 로드/언로드하는 로봇 아암; 상기 웨이퍼 척의 상부 또는 하부에 설치되는 웨이퍼 위치감지 장치; 및 제어부를 포함하며, 상기 웨이퍼 위치감지 장치를 통해 오리엔팅 작업이 완료된 웨이퍼의 위치를 감지한 후, 상기 로봇 아암이 이온 주입 장비의 플레이튼에 감지된 위치만큼 보상하여 안착시키는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 웨이퍼 정렬 장치를 제공 한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is a wafer chuck fixed to rotate the wafer; A robot arm for loading / unloading wafers into the wafer chuck; A wafer position sensing device installed above or below the wafer chuck; And a control unit, and after detecting the position of the wafer on which the orienting operation is completed through the wafer position sensing device, the robot arm compensates and mounts the robot arm as much as the detected position on the platen of the ion implantation equipment. Provides a wafer alignment device of the injection equipment.
즉, 본 발명은 오리엔팅 작업이 완료된 후 재차 웨이퍼의 위치를 감지한 후, 상기 제어부가 로봇 아암을 제어하여 웨이퍼가 정위치에서 벗어난 양만큼 보상하여 웨이퍼를 이온 주입 장비의 플레이튼에 안착시키도록 한 것이다.That is, in the present invention, after sensing the position of the wafer again after the completion of the orienting operation, the controller controls the robot arm to compensate the amount of the wafer out of the fixed position so that the wafer is seated on the platen of the ion implantation equipment. It is.
여기서, 상기 웨이퍼 위치감지 장치로는 상기 웨이퍼 척의 상부에 위치하는 발광부; 및 상기 웨이퍼 척의 하부에 위치하는 수광부를 포함하도록 할 수 있다.The wafer position sensing apparatus may include a light emitting unit positioned above the wafer chuck; And a light receiving unit positioned below the wafer chuck.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 이온 주입 장비의 웨이퍼 정렬 장치의 실시예에 대해서 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the wafer alignment device of the ion implantation apparatus according to the present invention.
도 2를 참조하면, 웨이퍼 척(100)의 상부에 웨이퍼(w)가 장착되어 있으며, 상기 웨이퍼(w)에 대해서 상술한 과정을 통해서 웨이퍼 정렬 작업을 진행한다. 한편, 상기 웨이퍼 척(100)의 상부에는 웨이퍼(w)를 향하여 빛을 조사하는 세 개의 발광부(122)가 설치된다. 상기 발광부(122)들은 고정 플레이트(120)에 부착되어 있으며, 도시되지 않은 제어부와 연결되어 있다.Referring to FIG. 2, a wafer w is mounted on an upper portion of the
또한, 상기 웨이퍼 척(100)의 하부에는 상기 발광부(122)로부터 조사된 빛을 받아들이는 수광부(132)가 위치한다. 상기 수광부(132)는 또 다른 고정 플레이트(130)상에서 상기 발광부(122)의 직하에 위치하며, 상기 발광부(122)들은 상기 웨이퍼의 외주부를 향하여 빛을 조사하며, 웨이퍼의 위치에 따라서 수광부(132)로 전달되는 빛의 양이 변경되므로 이를 전기적 신호로 변경하여 상기 제어부로 전달하며, 상기 제어부는 이러한 전기적 신호를 통해 웨이퍼의 위치를 파악할 수 있다.In addition, a
이렇게 감지된 웨이퍼의 위치는 웨이퍼를 이온 주입 장비의 플레이튼(110)에 웨이퍼를 안착시킬 때 이용된다. 즉, 상기 제어부는 로봇 아암을 이용해 웨이퍼를 플레이튼(110)을 안착시키는 경우, 웨이퍼(w)가 정위치에서 이탈된만큼 웨이퍼를 이동시켜 안착함으로써 오리엔트 과정 중에서 슬립 등에 의해 정위치를 벗어난 웨이퍼를 플레이튼에 정확하게 안착시키게 된다.The detected position of the wafer is used when the wafer is placed on the
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 오리엔트 과정 중에서 슬립되거나 이탈된 웨이퍼를 이온 주입 장비의 플레이튼에 정확하게 위치시키게 되므로 생산 수율을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라, 부정확한 위치에 웨이퍼를 장착함으로써 플레이튼을 손상시키는 것도 방지할 수 있게 되는 것이다.According to the present invention having the above-described configuration, since the wafer slipped or released during the orient process is accurately positioned on the platen of the ion implantation equipment, not only can the production yield be improved, but also the play is performed by mounting the wafer at an incorrect position. It is also possible to prevent damage to the steel.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040115299A KR100619116B1 (en) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | Wafer aligner for the ion implant equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040115299A KR100619116B1 (en) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | Wafer aligner for the ion implant equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060075924A true KR20060075924A (en) | 2006-07-04 |
| KR100619116B1 KR100619116B1 (en) | 2006-09-01 |
Family
ID=37168412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040115299A KR100619116B1 (en) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | Wafer aligner for the ion implant equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100619116B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242250A (en) | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Fujitsu Ltd | Wafer position detecting method, aligner and semiconductor treating apparatus |
| KR100271361B1 (en) * | 1997-08-30 | 2001-01-15 | 윤종용 | Apparatus and method for aligning wafer |
-
2004
- 2004-12-29 KR KR1020040115299A patent/KR100619116B1/en not_active IP Right Cessation
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| KR100850072B1 (en) * | 2006-11-03 | 2008-08-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Implanter having a compensation function of a cut angle of a semiconductor wafer and method thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100619116B1 (en) | 2006-09-01 |
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| A201 | Request for examination | ||
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