KR20060075509A - Output enable signal generating apparatus, output enable signal outputting apparatus and memory using the generating apparatus - Google Patents
Output enable signal generating apparatus, output enable signal outputting apparatus and memory using the generating apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060075509A KR20060075509A KR1020040114309A KR20040114309A KR20060075509A KR 20060075509 A KR20060075509 A KR 20060075509A KR 1020040114309 A KR1020040114309 A KR 1020040114309A KR 20040114309 A KR20040114309 A KR 20040114309A KR 20060075509 A KR20060075509 A KR 20060075509A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- output enable
- output
- enable signal
- delay unit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4093—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4096—Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
- H03L7/0812—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2227—Standby or low power modes
Abstract
본 발명은 출력인에이블신호를 선택적으로 출력하는 출력인에이블신호 생성장치, 그 장치를 이용한 출력인에이블신호 출력장치 및 메모리 소자를 개시한다.The present invention discloses an output enable signal generating device for selectively outputting an output enable signal, an output enable signal output device and a memory element using the device.
본 발명의 출력인에이블신호 생성장치는 출력인에이블 리셋신호가 활성화시, 제 1 제어신호에 따라 제 1 출력인에이블신호를 일정시간 지연시켜 제 2 출력인에이블신호를 출력하는 제 1 출력인에이블지연부; 및 상기 출력인에이블 리셋신호가 활성화시, 카스레이턴시(CL) 신호, 상기 제 1 제어신호 및 제 2 제어신호에 따라 상기 제 2 출력인에이블신호를 지연시켜 복수개의 출력인에이블신호들을 선택적으로 출력하는 제 2 출력인에이블지연부를 구비, 미리 설정된 카스레이턴시 값에 따라 필요한 출력인에이블 신호만을 선택적으로 생성하고 불필요한 출력인에이블 신호는 생성되지 못하도록 차단함으로써 불필요한 전류소모를 줄일 수 있으며, 이로써 저전력을 요구하는 메모리 소자에 적용시 큰 잇점이 있다.The output enable signal generating device of the present invention is a first output enable for outputting a second output enable signal by delaying the first output enable signal for a predetermined time according to the first control signal when the output enable reset signal is activated. Delay unit; And selectively outputting a plurality of output enable signals by delaying the second output enable signal according to a cascade latency (CL) signal, the first control signal, and the second control signal when the output enable reset signal is activated. And a second output enable delay unit to selectively generate only the required output enable signal according to a preset cascade latency value and to block unnecessary output enable signals from being generated, thereby reducing unnecessary current consumption. There is a big advantage in the application to the memory device.
메모리, 출력인에이블, 카스레이턴시Memory, Output Enable, Cascading
Description
도 1은 종래 메모리 소자에서 데이터 출력과 관련된 신호들을 생성하는 회로의 구성을 나타내는 구성도.1 is a block diagram showing a configuration of a circuit for generating signals related to data output in a conventional memory device.
도 2는 DDR SDRAM에서 리드동작시 생성되는 출력인에이블신호들에 대한 타이밍도.2 is a timing diagram for output enable signals generated during a read operation in DDR SDRAM.
도 3은 도 1에서 출력인에이블신호 출력부의 구성을 보다 상세하게 나타낸 구성도.FIG. 3 is a diagram illustrating in more detail the configuration of the output enable signal output unit in FIG. 1; FIG.
도 4는 도 3에서 제 3 출력인에이블신호 생성부의 구성을 보다 상세하게 나타낸 회로도.FIG. 4 is a circuit diagram illustrating in detail the configuration of the third output enable signal generator in FIG. 3. FIG.
도 5는 본 발명에 따른 메모리 장치에서 데이터 출력과 관련된 신호들을 생성하는 회로의 구성을 나타내는 구성도.5 is a block diagram showing a configuration of a circuit for generating signals related to data output in a memory device according to the present invention.
도 6은 도 5에서 출력인에이블신호 출력부의 구성을 보다 상세하게 나타낸 구성도.FIG. 6 is a diagram illustrating the configuration of an output enable signal output unit in FIG. 5 in more detail. FIG.
도 7은 도 6에서 선택적 출력인에이블신호 생성부의 구성을 보다 상세하게 나타내는 회로도.FIG. 7 is a circuit diagram illustrating in more detail a configuration of an optional output enable signal generator in FIG. 6. FIG.
본 발명은 데이터 리드를 위한 출력인에이블신호를 생성하는 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 미리 설정된 카스레이턴시(Cas Latency, 이하 CL이라 함)신호에 따라 필요한 출력인에이블 신호만을 선택적으로 생성하고 불필요한 출력인에이블 신호는 생성되지 못하도록 차단함으로써 불필요한 전류소모를 줄일 수 있는 출력인에이블신호 생성장치 및 그 장치를 이용한 출력인에이블신호 출력장치와 메모리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for generating an output enable signal for a data read. More specifically, the present invention selectively generates only an output enable signal required according to a pre-set cas latency signal (CL). The present invention relates to an output enable signal generating device capable of reducing unnecessary current consumption by blocking an output enable signal from being generated, and an output enable signal output device and a memory device using the device.
일반적으로, 고속으로 동작하는 메모리 소자에 있어서 메모리 셀에 저장되어 있는 데이터를 읽기 위해서는, 외부에서 읽기 인에이블신호가 입력되고 한 클럭(clock)내에 동작을 처리하지 못하기 때문에 읽기 인에이블신호가 입력되고 몇 클럭 뒤에 데이터를 출력시킬 것인지를 정하는 CL 신호에 따라 출력인에이블신호가 인가되고 데이터가 출력된다.Generally, in order to read data stored in a memory cell in a memory device operating at a high speed, a read enable signal is input because an external read enable signal is input and the operation is not processed within one clock. Then, the output enable signal is applied and the data is output according to the CL signal that determines how many clocks to output the data.
도 1은 종래 메모리 소자에서 데이터 출력과 관련된 신호들을 생성하는 회로의 구성을 나타내는 구성도이며, 도 2는 DDR SDRAM에서 리드동작시 생성되는 출력인에이블신호들에 대한 타이밍도이다.FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a circuit for generating signals related to data output in a conventional memory device, and FIG. 2 is a timing diagram of output enable signals generated during a read operation in a DDR SDRAM.
클럭신호에 동기되어 외부에서 읽기명령신호 READ가 인가되면, 출력인에이블 신호 출력부 d_oe_gen는 제어신호 rclk_dll와 fclk_dll의 라이징 타이밍에 맞춰 각각 서로 다르게 지연되는 출력인에이블신호들 oe0, oe05, oe1, oe15, oe2, oe25, oe3, oe35, oe4을 생성하여 출력한다. 여기에서, 제어신호 rclk_dll은 메인 클럭(CLK)의 라이징 에지에서 펄스를 갖는 라이징클럭지연고정루프신호이며, 제어신호 fclk_dll은 메인 클럭(CLK)의 폴링 에지에서 펄스를 갖는 폴링클럭지연고정루프신호이다. 그리고, 각 출력인에이블신호의 지연은 기 설정된 CL 값에 따라 결정된다. 즉, 도 2에서와 같이 제어신호 rclk_dll와 fclk_dll의 라이징 타이밍에 맞춰, 출력인에이블신호 oe05는 출력인에이블신호 oe0를 지연시켜 생성하고, 출력인에이블신호 oe1은 출력인에이블신호 oe05를 지연시켜 생성한다. 그리고, 다른 출력인에이블신호들 oe15, oe2, oe25, oe3는 각각 출력인에이블신호 oe1, oe15, oe2, oe25를 지연시켜 생성한다.When the read command signal READ is applied from the outside in synchronization with the clock signal, the output enable signal output unit d_oe_gen is output enable signals oe0, oe05, oe1, and oe15 that are delayed differently according to the rising timings of the control signals rclk_dll and fclk_dll. Create and print oe2, oe25, oe3, oe35, and oe4. Here, the control signal rclk_dll is a rising clock delay locked loop signal having a pulse at the rising edge of the main clock CLK, and the control signal fclk_dll is a falling clock delay locked loop signal having a pulse at the falling edge of the main clock CLK. . The delay of each output enable signal is determined according to a predetermined CL value. That is, as shown in FIG. 2, the output enable signal oe05 is generated by delaying the output enable signal oe0 in accordance with the rising timing of the control signals rclk_dll and fclk_dll, and the output enable signal oe1 is generated by delaying the output enable signal oe05. do. The other output enable signals oe15, oe2, oe25 and oe3 are generated by delaying the output enable signals oe1, oe15, oe2 and oe25, respectively.
그리고, 출력인에이블신호 출력부 d_oe_gen에서 출력되는 출력인에이블신호들은 데이터출력 제어부 d_dout_ctrl 및 데이터스트로브 제어부 d_qs_ctrl로 각각 인가되어, 모드레지스터셋 MRS에 설정된 CL에 따라 표 1과 같이 제 1 필터링신호 fouten, 제 2 필터링신호 routen, 데이터출력 리셋신호 rst_doutz 및 데이터스트로브 프리앰블제어신호 qsen_pre, 데이터스트로브 인에이블신호 qsen를 생성한다. 이때, 제 1 및 제 2 필터링신호 fouten 및 routen는 위상지연루프회로(DLL)의 클럭신호 중 데이터 출력에 사용되는 클럭신호를 필터링하기 위한 신호로 각각 제어신호 fclk_dll 및 rclk_dll의 상승에지에 동기되어 생성된다.The output enable signals output from the output enable signal output unit d_oe_gen are respectively applied to the data output control unit d_dout_ctrl and the data strobe control unit d_qs_ctrl, and according to the CL set in the mode register set MRS, the first filtering signal fouten, A second filtering signal routen, a data output reset signal rst_doutz, a data strobe preamble control signal qsen_pre, and a data strobe enable signal qsen are generated. In this case, the first and second filtering signals fouten and routen are signals for filtering clock signals used for data output among clock signals of the phase delay loop circuit DLL and are generated in synchronization with rising edges of the control signals fclk_dll and rclk_dll, respectively. do.
도 3은 도 1에서 출력인에이블신호 출력부 d_oe_gen의 구성을 보다 상세하게 나타낸 구성도이다.FIG. 3 is a diagram illustrating in detail the configuration of the output enable signal output unit d_oe_gen in FIG. 1.
출력인에이블신호 출력부 d_oe_gen는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz를 생성하는 리셋부 d_oe_rstz, 출력인에이블신호 oe0을 생성하는 제 1 출력인에이블신호 생성부 d_oe0_gen, 출력인에이블신호 oe0로 출력인에이블신호 oe05를 생성하는 제 2 출력인에이블신호 생성부 d_oe05_gen, 출력인에이블신호 oe05로 출력인에이블신호 oe1를 생성하는 제 3 출력인에이블신호 생성부 d_oe1_gen, 및 출력인에이블신호 oe1로 출력인에이블신호 oe15, oe2, oe25, oe3, oe35, oe4를 생성하는 제 3 출력인에이블신호 생성부 d_oex_gen를 구비한다.The output enable signal output unit d_oe_gen is the reset unit d_oe_rstz for generating the output enable reset signal oe_rstz, the first output enable signal generator d_oe0_gen for generating the output enable signal oe0, and the output enable signal oe0 with the output enable signal oe05. A second output enable signal generator d_oe05_gen for generating a third output enable signal generator d_oe1_gen for generating an output enable signal oe1 with an output enable signal oe05, and an output enable signal oe15 with an output enable signal oe1. and a third output enable signal generator d_oex_gen for generating oe2, oe25, oe3, oe35, and oe4.
도 4는 도 3에서 제 3 출력인에이블신호 생성부 d_oex_gen의 구성을 보다 상세하게 나타낸 회로도이다.FIG. 4 is a circuit diagram illustrating in detail the configuration of the third output enable signal generator d_oex_gen in FIG. 3.
출력인에이블신호 생성부 d_oex_gen는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz와 제어신호 fclk_dllz 또는 rclk_dllz에 따라 출력인에이블신호 oe1, oe15, oe2, oe25, oe3를 각각 0.5 tck 만큼 지연시켜 출력인에이블신호 oe15, oe2, oe25, oe3, oe35를 생성하는 출력인에이블 지연부들(1 ∼ 5)이 순차적으로 직렬연결된다.The output enable signal generator d_oex_gen delays the output enable signals oe1, oe15, oe2, oe25, and oe3 by 0.5 tck, respectively, in response to the output enable reset signal oe_rstz and the control signal fclk_dllz or rclk_dllz. Output enable
그런데, 데이터출력을 위한 신호 fouten, routen, qsen_pre, 및 qsen의 발생은 표 1에서와 같이 CL 값에 따라 출력인에이블신호 생성부 d_oex_gen에서 생성되 는 모든 출력인에이블신호를 필요로 하지 않고 특정 출력인에이블신호만을 필요로 한다. 예컨대, CL=2인 경우에는, 출력인에이블신호 생성부 d_oex_gen에서 생성되는 출력인에이블신호들 중 하나의 출력인에이블신호 oe15만을 필요로 한다. 그러나, 제어신호 fclk_dllz 및 rclk_dllz가 모두 로우 레벨인 경우, 전송게이트가 온되어 출력인에이블신호들 oe2, oe25, oe3, oe35까지 모두 출력됨으로써 불필요한 전류소모를 초래하는 문제가 발생된다.However, the generation of the signals fouten, routen, qsen_pre, and qsen for the data output do not require all the output enable signals generated by the output enable signal generator d_oex_gen according to the CL value as shown in Table 1, but do not require a specific output. Only enable signal is required. For example, when CL = 2, only one output enable signal oe15 of one of the output enable signals generated by the output enable signal generator d_oex_gen is required. However, when the control signals fclk_dllz and rclk_dllz are both at the low level, the transmission gate is turned on to output all of the output enable signals oe2, oe25, oe3, and oe35, thereby causing unnecessary current consumption.
따라서, 상술된 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은 출력인에이블신호를 생성하는 회로의 구조를 개선하여 불필요한 출력인에이블신호의 발생을 차단시킴으로써 불필요한 전류소모를 방지하는데 있다.
Accordingly, an object of the present invention for solving the above-mentioned problem is to improve the structure of a circuit for generating an output enable signal, thereby preventing unnecessary current consumption by blocking the generation of unnecessary output enable signals.
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 출력인에이블신호 생성장치는 출력인에이블 리셋신호가 활성화시, 제 1 제어신호에 따라 제 1 출력인에이블신호를 일정시간 지연시켜 제 2 출력인에이블신호를 출력하는 제 1 출력인에이블지연부; 및 상기 출력인에이블 리셋신호가 활성화시, 카스레이턴시(CL) 신호, 상기 제 1 제어신호 및 제 2 제어신호에 따라 상기 제 2 출력인에이블신호를 지연시켜 복수개의 출력인에이블신호들을 선택적으로 출력하는 제 2 출력인에이블지연부를 구비한다.The output enable signal generating apparatus of the present invention for achieving the above object is to delay the first output enable signal for a predetermined time according to the first control signal when the output enable reset signal is activated to generate a second output enable signal. A first output enable delay unit for outputting; And selectively outputting a plurality of output enable signals by delaying the second output enable signal according to a cascade latency (CL) signal, the first control signal, and the second control signal when the output enable reset signal is activated. And a second output enable delay unit.
발명의 출력인에이블신호 출력장치는 출력인에이블 리셋신호를 생성하여 출 력하는 리셋부; 상기 출력인에이블 리셋신호 및 제 1 제어신호에 따라 제 1 출력인에이블신호를 생성하여 출력하는 제 1 출력인이에블신호 생성부; 상기 제 1 출력인에이블신호를 지연시켜 제 2 출력인에이블신호를 생성하여 출력하는 제 2 출력인에이블신호 생성부; 상기 제 2 출력인에이블신호를 지연시켜 제 3 출력인에이블신호를 생성하여 출력하는 제 3 출력인에이블신호 생성부; 및 제 2 제어신호 및 제 3 제어신호의 상승에지에 대응되게 상기 제 3 출력인에이블신호를 지연시켜 복수개의 제 4 출력인에이블신호들을 출력하며, 특정 카스레이턴시(CL) 신호들이 활성화시 상기 제 2 제어신호 및 상기 제 3 제어신호와 무관하게 복수개의 제 4 출력인에이블신호들의 출력을 선택적으로 차단하는 선택적 출력인에이블신호 생성부를 구비한다. The output enable signal output device of the present invention comprises: a reset unit for generating and outputting an output enable reset signal; A first output enable signal generator configured to generate and output a first output enable signal according to the output enable reset signal and the first control signal; A second output enable signal generator configured to delay the first output enable signal to generate and output a second output enable signal; A third output enable signal generator configured to delay the second output enable signal to generate and output a third output enable signal; And outputting a plurality of fourth output enable signals by delaying the third output enable signal to correspond to rising edges of the second control signal and the third control signal, and when the specific cascade latency (CL) signals are activated. And an optional output enable signal generator for selectively blocking outputs of the plurality of fourth output enable signals irrespective of the second control signal and the third control signal.
본 발명의 메모리 장치는 카스레이턴시 신호에 따라 출력인에이블신호들의 출력을 선택적으로 차단하는 출력인에이블신호 출력부; 상기 출력인에이블신호에 따라 위상지연루프회로(DLL)의 클럭신호 중 데이터 출력에 사용되는 클럭신호를 필터링하기 위한 필터링신호를 생성하여 출력하는 데이터출력 제어부; 및 상기 출력인에이블신호에 따라 데이터스트로브 프리앰블제어신호 및 데이터스트로브 인에이블신호를 생성하여 출력하는 데이터스트로브 제어부를 구비한다.The memory device of the present invention includes an output enable signal output unit for selectively blocking the output of the output enable signals in accordance with the cascade latency signal; A data output control unit for generating and outputting a filtering signal for filtering a clock signal used for data output among clock signals of a phase delay loop circuit (DLL) according to the output enable signal; And a data strobe control unit configured to generate and output a data strobe preamble control signal and a data strobe enable signal according to the output enable signal.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 메모리 장치에서 데이터 출력과 관련된 신호들을 생성하는 회로의 구성을 나타내는 구성도이다.FIG. 5 is a configuration diagram illustrating a configuration of a circuit for generating signals related to data output in a memory device according to the present invention.
본 발명의 메모리 장치는 출력인에이블신호 출력부(100), 데이터출력 제어부(200) 및 데이터스트로브 제어부(300)를 구비한다.The memory device of the present invention includes an output enable
출력인에이블신호 출력부(100)는 CL 신호에 따라 출력인에이블신호들의 출력을 선택적으로 차단시킨다. 즉, 출력인에이블신호 출력부(100)는 미도시된 모드레지스터셋 MRS에 설정된 CL 값에 따라 표 1에서와 같이 데이터출력 제어부(200) 및 데이터스트로브 제어부(300)의 출력신호 fouten, routen, qsen, qsen_pre의 발생에 영향을 주지않는 출력인에이블신호들의 출력을 선택적으로 차단한다. 보다 구체적으로, 출력인에이블신호 출력부(100)는 CL 신호 cl15, cl2, cl25, cl3가 활성화시 제어신호 rclk_dll와 fclk_dll의 상태와 상관없이 출력인에이블신호들 oe2, oe25, oe3, oe35, oe4의 출력을 선택적으로 차단한다.The output enable
데이터출력 제어부(200) 및 데이터스트로브 제어부(300)는 각각 도 1의 데이터출력 제어부 d_dout_ctrl 및 데이터스트로브 제어부 d_qs_ctrl와 그 구성 및 동작이 동일하므로 그에 대한 설명은 생략한다.Since the
도 6은 도 5에서 출력인에이블신호 출력부(100)의 구성을 보다 상세하게 나타낸 구성도이다.FIG. 6 is a diagram illustrating in detail the configuration of the output enable
본 발명의 출력인에이블신호 출력부(100)는 리셋부(110), 복수개의 출력인에이블신호 생성부(120 내지 140) 및 선택적 출력인에이블신호 생성부(150)를 구비한다.The output enable
리셋부(110)는 및 출력인에이블신호 생성부(120 내지 140)는 도 3의 그것들과 그 구성 및 기능이 동일하므로 그에 대한 설명은 생략한다.Since the
선택적 출력인에이블신호 생성부(150)는 CL 신호 cl15, cl2, cl25, cl3에 따라 출력인에이블신호들 oe2, oe25, oe3, oe35, oe4의 출력을 선택적으로 차단시킨다. 즉, 제어신호 rclk_dllz 및 fclk_dllz의 라이징 타이밍에 맞춰 출력인에이블신호들 oe2, oe25, oe3, oe35, oe4을 출력하던 도 3의 제 3 출력인에이블신호 생성부 d_oxe_gen와 달리, 본 발명의 선택적 출력인에이블신호 생성부(150)는 CL 신호 cl15, cl2, cl25, cl3의 활성화여부에 따라 제어신호 rclk_dllz 및 fclk_dllz와 상관없이 출력인에이블신호들 oe2, oe25, oe3, oe35, oe4의 출력을 선택적으로 차단시킨다.The optional output enable
도 7은 도 6에서 선택적 출력인에이블신호 생성부(150)의 구성을 보다 상세하게 나타내는 회로도이다.FIG. 7 is a circuit diagram illustrating in detail the configuration of the optional output enable
본 발명의 선택적 출력인에이블신호 생성부(150)는 직렬 연결된 복수개의 출력인에이블지연부(10 내지 50)를 구비한다.The selective output enable
출력인에이블지연부(10)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 제어신호 fclk_dllz에 따라 출력인에이블 oe1를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe15를 생성하여 출력한다.The output enable
이러한 출력인에이블지연부(10)는 제어신호 fclk_dllz에 따라 출력인에이블신호 oe1를 선택적으로 스위칭하는 스위칭부(12) 및 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 스위칭부(12)의 출력신호를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe15를 생성하여 출력하는 지연부(14)를 구비한다. 여기에서, 스위칭부(12)는 제어신호 fclk_dllz를 반전시켜 출력하는 인버터 IV1 및 제어신호 fclk_dllz와 인 버터 IV1의 출력신호에 따라 출력인에이블신호 oe1를 선택적으로 스위칭하는 전송게이트 TG1를 구비한다. 그리고, 지연부(14)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz와 스위칭부(12)의 출력신호를 낸드연산하는 낸드게이트 ND1, 낸드게이트 ND1의 출력을 스위칭부(12)의 출력단으로 반전시켜 피드백시키는 인버터 IV2, 및 낸드게이트 ND1의 출력을 반전시켜 출력인에이블신호 oe15를 출력하는 인버터체인 IV3 ∼ IV5을 구비한다.The output enable
출력인에이블지연부(20)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 제어신호 rclk_dllz 및 CL 신호 cl15, cl2에 따라 출력인에이블지연부(10)의 출력신호 oe15를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe2를 생성하여 출력한다.The output enable
이러한 출력인에이블지연부(20)는 제어신호 rclk_dllz 및 CL 신호 cl15, cl2에 따라 출력인에이블지연부(10)의 출력신호 oe15를 선택적으로 스위칭하는 스위칭부(22) 및 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 스위칭부(22)의 출력신호를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe2를 생성하여 출력하는 지연부(24)를 구비한다. 여기에서, 스위칭부(22)는 제어신호 rclk_dllz 및 CL 신호 cl15, cl2를 노아연산하는 노아게이트 NOR1, 노아게이트 NOR1의 출력을 반전시켜 출력하는 인버터 IV6, 및 노아게이트 NOR1의 출력신호와 인버터 IV6의 출력신호에 따라 출력인에이블신호 oe15를 선택적으로 스위칭하는 전송게이트 TG2를 구비한다. 그리고, 지연부(24)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz와 스위칭부(22)의 출력신호를 낸드연산하는 낸드게이트 ND2, 낸드게이트 ND2의 출력을 스위칭부(22)의 출력단으로 반전시켜 피드백시키는 인버터 IV7, 및 낸드게이트 ND2의 출력을 반전시켜 출력인에이블신호 oe2 출력하는 인버터체인 IV8 ∼ IV10을 구비한다.The output enable
출력인에이블지연부(30)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 제어신호 fclk_dllz 및 CL 신호 cl25에 따라 출력인에이블지연부(20)의 출력신호 oe2를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe25를 생성하여 출력한다.The output enable
이러한 출력인에이블지연부(30)는 제어신호 fclk_dllz 및 CL 신호 cl25에 따라 출력인에이블지연부(20)의 출력신호 oe2를 선택적으로 스위칭하는 스위칭부(32) 및 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 스위칭부(32)의 출력신호를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe25를 생성하여 출력하는 지연부(34)를 구비한다. 여기에서, 스위칭부(32)는 제어신호 fclk_dllz 및 CL 신호 cl25를 노아연산하는 노아게이트 NOR2, 노아게이트 NOR2의 출력을 반전시켜 출력하는 인버터 IV11, 및 노아게이트 NOR2의 출력신호와 인버터 IV11의 출력신호에 따라 출력인에이블신호 oe2를 선택적으로 스위칭하는 전송게이트 TG3를 구비한다. 그리고, 지연부(34)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz와 스위칭부(32)의 출력신호를 낸드연산하는 낸드게이트 ND3, 낸드게이트 ND3의 출력을 스위칭부(32)의 출력단으로 반전시켜 피드백시키는 인버터 IV12, 및 낸드게이트 ND3의 출력을 반전시켜 출력인에이블신호 oe25를 출력하는 인버터체인 IV13 ∼ IV15을 구비한다.The output enable
출력인에이블지연부(40)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 제어신호 rclk_dllz 및 CL 신호 cl3에 따라 출력인에이블지연부(30)의 출력신호 oe25를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe3를 생성하여 출력한다.The output enable delay unit 40 delays the output signal oe25 of the output enable
이러한 출력인에이블지연부(40)는 제어신호 rclk_dllz 및 CL 신호 cl3에 따 라 출력인에이블지연부(30)의 출력신호 oe25를 선택적으로 스위칭하는 스위칭부(42) 및 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 스위칭부(42)의 출력신호를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe3를 생성하여 출력하는 지연부(44)를 구비한다. 여기에서, 스위칭부(42)는 제어신호 rclk_dllz 및 CL 신호 cl3를 노아연산하는 노아게이트 NOR3, 노아게이트 NOR3의 출력을 반전시켜 출력하는 인버터 IV16, 및 노아게이트 NOR3의 출력신호와 인버터 IV16의 출력신호에 따라 출력인에이블신호 oe25를 선택적으로 스위칭하는 전송게이트 TG4를 구비한다. 그리고, 지연부(44)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz와 스위칭부(42)의 출력신호를 낸드연산하는 낸드게이트 ND4, 낸드게이트 ND4의 출력을 스위칭부(42)의 출력단으로 반전시켜 피드백시키는 인버터 IV17, 및 낸드게이트 ND4의 출력을 반전시켜 출력인에이블신호 oe3를 출력하는 인버터체인 IV18 ∼ IV20을 구비한다.The output enable delay unit 40 includes a
출력인에이블지연부(50)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 제어신호 fclk_dllz에 따라 출력인에이블지연부(40)의 출력신호 oe3를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe35를 생성하여 출력한다.The output enable
이러한 출력인에이블지연부(50)는 제어신호 fclk_dllz에 따라 출력인에이블지연부(40)의 출력신호 oe3를 선택적으로 스위칭하는 스위칭부(52) 및 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz가 활성화시 스위칭부(52)의 출력신호를 일정시간 지연시켜 출력인에이블신호 oe35를 생성하여 출력하는 지연부(54)를 구비한다. 여기에서, 스위칭부(52)는 제어신호 fclk_dllz를 반전시켜 출력하는 인버터 IV21 및 제어신호 fclk_dllz와 인버터 IV21의 출력신호에 따라 출력인에이블지연부(40)의 출력신호 oe3를 선택적으로 스위칭하는 전송게이트 TG5를 구비한다. 그리고, 지연부(54)는 출력인에이블 리셋신호 oe_rstz와 스위칭부(52)의 출력신호를 낸드연산하는 낸드게이트 ND5, 낸드게이트 ND5의 출력을 스위칭부(52)의 출력단으로 반전시켜 피드백시키는 인버터 IV22, 및 낸드게이트 ND5의 출력을 반전시켜 출력인에이블신호 oe35를 출력하는 인버터체인 IV23 ∼ IV25을 구비한다.The output enable
상술된 구성을 갖는 본 발명에 따른 선택적 출력인에이블신호 생성부(150)의 동작을 CL 신호의 값에 따라 구분하여 간략하게 설명하면 다음과 같다.The operation of the selective output enable
CL=1.5인 경우, 상술된 표 1에서 같이 데이터출력을 위한 신호 fouten, routen, qsen_pre, 및 qsen를 출력시키기 위해서는 출력인에이블신호 oe05, oe1 및 oe15만 발생시키면 된다. 즉, 출력인에이블신호 oe15를 지연시킨 출력인에이블신호 oe2 및 그 이하의 지연된 출력인에이블신호들 oe25, oe3은 발생시키지 않아야 불필요한 전류소모를 방지할 수 있으므로, 출력인에이블신호 oe2의 발생을 차단하면 된다(표 1에서 blocking signal 참조).When CL = 1.5, only the output enable signals oe05, oe1, and oe15 need to be generated to output the signals fouten, routen, qsen_pre, and qsen for data output as shown in Table 1 above. That is, since the output enable signal oe2 and the delayed output enable signals oe25 and oe3 having the delayed output enable signal oe15 are not generated, unnecessary current consumption can be prevented, thereby preventing the generation of the output enable signal oe2. (See blocking signal in Table 1).
또한, CL=2인 경우에도 역시 데이터출력을 위한 신호 fouten, routen, qsen_pre, 및 qsen를 출력시키기 위해 출력인에이블신호 oe1 및 oe15만 발생시키면 되므로 출력인에이블신호 oe2의 발생을 차단하면 출력인에이블신호들 oe25, oe3도 모두 발생되지 않게 된다.In the case of CL = 2, only output enable signals oe1 and oe15 need to be generated to output the signals fouten, routen, qsen_pre, and qsen for data output. Neither signals oe25 nor oe3 are generated.
따라서, 본 발명의 선택적 출력인에이블신호 생성부(150)는, 도 7의 회로에서와 같이, 출력인에이블신호 oe2를 출력하는 출력인에이블지연부(20)에서 스위칭부(22)의 입력단에 노아게이트 NOR1 및 인버터 IV6를 구비하여, 카스레이턴시가 1.5 또는 2로 설정되어 있음을 알리는 CL 신호 cl15, cl2 중 어느 하나가 활성화되면 스위칭부(22)가 출력인에이블지연부(10)의 출력신호 oe15가 지연부(24)로 인가되는 것을 차단시키도록 구성된다. 즉, CL 신호 cl15, cl2 중 어느 하나가 활성화되면, 제어신호 rclk_dllz의 상태와 상관없이 노아게이트 NOR1의 출력이 로우로 천이되어 전송게이트 TG2가 출력인에이블지연부(10)의 출력신호 oe15가 출력인에이블지연부(20)로 인가되지 못하도록 차단시킴으로써, 출력인에이블신호 oe2 및 그 이하의 출력인에이블신호들 oe25, oe3, oe35이 모두 활성화되지 못하도록 한다.Accordingly, the selective output enable
동일한 원리로, CL=2인 경우에는, 표 1에서와 같이 출력인에이블신호 oe25의 발생을 차단시키면 되므로, 출력인에이블신호 oe25를 출력하는 출력인에이블지연부(30)에서 스위칭부(32)의 입력단에 노아게이트 NOR2 및 인버터 IV11를 구비하여, 카스레이턴시가 2.5로 설정되어 있음을 알리는 CL 신호 cl25가 활성화되면 제어신호 fclk_dllz와 상관없이 스위칭부(32)는 출력인에이블지연부(20)의 출력신호 oe2가 지연부(34)로 인가되는 것을 차단시킨다. 이로써, CL 신호 cl25가 활성화되면 출력인에이블신호들 oe15, oe2은 활성화되지만 출력인에이블신호들 oe25, oe3, oe35은 모두 활성화되지 못한다.In the same principle, in the case of CL = 2, since the generation of the output enable signal oe25 is cut off as shown in Table 1, the switching
또한, CL=3인 경우에는 출력인에이블신호 oe3 및 그 이하의 출력인에이블신호 oe35가 활성화되지 않도록 하기 위해, 출력인에이블지연부(40)에서 스위칭부(42)의 입력단에 노아게이트 NOR3 및 인버터 IV16를 구비하여, 카스레이턴시가 3으로 설정되어 있음을 알리는 CL 신호 cl3가 활성화되면 제어신호 rclk_dllz와 상관없이 스위칭부(42)는 출력인에이블지연부(30)의 출력신호 oe25가 지연부(44)로 인 가되는 것을 차단시킨다. 이로써, CL 신호 cl3가 활성화되면 출력인에이블신호들 oe15, oe2, oe2, oe25은 활성화되지만 출력인에이블신호들 oe3, oe35은 모두 활성화되지 못한다.In the case of CL = 3, in order to prevent the output enable signal oe3 and the output enable signal oe35 below, the output enable delay unit 40 is connected to the nominal gate NOR3 and the input terminal of the switching
상술한 바와 같이, 본 발명의 선택적 출력인에이블신호 생성장치는 미리 설정된 카스레이턴시(Cas Latency, 이하 CL이라 함) 값에 따라 필요한 출력인에이블 신호만을 선택적으로 생성하고 불필요한 출력인에이블 신호는 생성되지 못하도록 차단함으로써 불필요한 전류소모를 줄일 수 있으며, 이로써 저전력을 요구하는 메모리 소자에 적용시 큰 잇점이 있다.As described above, the selective output enable signal generation device of the present invention selectively generates only the required output enable signal according to a preset Cas Latency (CL) value and unnecessary output enable signal is not generated. Blocking them can reduce unnecessary current consumption, which is a major advantage in memory devices that require low power.
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040114309A KR100611780B1 (en) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | output enable signal generating apparatus, output enable signal outputting apparatus and memory using the generating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040114309A KR100611780B1 (en) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | output enable signal generating apparatus, output enable signal outputting apparatus and memory using the generating apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060075509A true KR20060075509A (en) | 2006-07-04 |
KR100611780B1 KR100611780B1 (en) | 2006-08-10 |
Family
ID=37168035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040114309A KR100611780B1 (en) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | output enable signal generating apparatus, output enable signal outputting apparatus and memory using the generating apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100611780B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100734087B1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-07-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | Clock generation device for cas latency control |
KR100933800B1 (en) * | 2008-06-30 | 2009-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | Output enable signal generator of semiconductor memory device |
KR101018689B1 (en) * | 2008-11-06 | 2011-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor memory device and system operation method |
-
2004
- 2004-12-28 KR KR1020040114309A patent/KR100611780B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100734087B1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-07-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | Clock generation device for cas latency control |
KR100933800B1 (en) * | 2008-06-30 | 2009-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | Output enable signal generator of semiconductor memory device |
US8108709B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-01-31 | Hynix Semiconductor Inc. | Output enable signal generation circuit for semiconductor memory device |
KR101018689B1 (en) * | 2008-11-06 | 2011-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor memory device and system operation method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100611780B1 (en) | 2006-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10679683B1 (en) | Timing circuit for command path in a memory device | |
US9281035B2 (en) | Semiconductor integrated circuit capable of controlling read command | |
US7027336B2 (en) | Semiconductor memory device for controlling output timing of data depending on frequency variation | |
JP5309286B2 (en) | Clock generator | |
US6215710B1 (en) | Apparatus and method for controlling data strobe signal in DDR SDRAM | |
KR100274602B1 (en) | Synchronous memory device | |
US7259595B2 (en) | Circuit and method for detecting frequency of clock signal and latency signal generation circuit of semiconductor memory device with the circuit | |
WO2018038835A1 (en) | Apparatuses and methods for adjusting delay of command signal path | |
KR100719377B1 (en) | Semiconductor memory device reading out data pattern | |
US6954388B2 (en) | Delay locked loop control circuit | |
US6977848B2 (en) | Data output control circuit | |
US7710804B2 (en) | Auto precharge circuit sharing a write auto precharge signal generating unit | |
JP2004247017A (en) | Synchronous semiconductor memory | |
US7181638B2 (en) | Method and apparatus for skewing data with respect to command on a DDR interface | |
US6215722B1 (en) | Command latency circuit for programmable SLDRAM and latency control method therefor | |
KR100611780B1 (en) | output enable signal generating apparatus, output enable signal outputting apparatus and memory using the generating apparatus | |
US10832759B2 (en) | Half-width, double pumped data path | |
KR100798766B1 (en) | Device for controlling clock | |
US6301189B1 (en) | Apparatus for generating write control signals applicable to double data rate SDRAM | |
US6504767B1 (en) | Double data rate memory device having output data path with different number of latches | |
US7894295B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US6970395B2 (en) | Memory device and method of reading data from a memory device | |
KR100668517B1 (en) | Output control device with test device | |
KR100537206B1 (en) | Double data rate synchronous dram | |
CN117894352A (en) | Delay control circuit, method and semiconductor memory |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100726 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |