KR20060075298A - Cmos image sensor and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20060075298A
KR20060075298A KR1020040114069A KR20040114069A KR20060075298A KR 20060075298 A KR20060075298 A KR 20060075298A KR 1020040114069 A KR1020040114069 A KR 1020040114069A KR 20040114069 A KR20040114069 A KR 20040114069A KR 20060075298 A KR20060075298 A KR 20060075298A
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image sensor
cmos image
mos transistor
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송명호
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매그나칩 반도체 유한회사
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Abstract

본 발명는 각 단위화소에 구비되는 모스트랜지스터의 수를 줄여 집적도를 높이고, 노이즈등의 발생이 줄어든 시모스 이미지센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 모스트랜지스터의 게이트단; 상기 모스트랜지스터의 소스영역과 드레인영역; 상기 모스트랜지스터의 게이트단상에 적층된 포토다이오드; 및 상기 포토다이오드상에 배치되어 입사된 빛을 상기 포토다이오드에 전달하기 위한 마이크로 렌즈를 구비하는 시모스 이미지센서를 제공한다.
The present invention is to provide a CMOS image sensor to reduce the number of MOS transistors provided in each unit pixel to increase the integration, the generation of noise, etc., the present invention comprises a gate end of the MOS transistor; A source region and a drain region of the MOS transistor; A photodiode stacked on the gate end of the MOS transistor; And a micro lens disposed on the photodiode and configured to transmit incident light to the photodiode.

시모스 이미지센서, 모스트랜지스터, 포토다이오드, 마이크로 렌즈.CMOS image sensor, MOS transistor, photodiode, micro lens.

Description

시모스 이미지센서 및 그의 제조방법{CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME} CMOS image sensor and its manufacturing method {CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}             

도1은 통상적인 시모스 이미지센서의 단위화소를 나타내는 회로도.1 is a circuit diagram showing a unit pixel of a conventional CMOS image sensor.

도2는 도1에 도시된 단위화소의 단면도. FIG. 2 is a sectional view of the unit pixel shown in FIG.

도3은 종래기술에 의한 시모스 이미지센서의 동작을 나타내는 개념도.Figure 3 is a conceptual diagram showing the operation of the CMOS image sensor according to the prior art.

도4는 종래기술에 의한 시모스 이미지센서의 레이아웃도.4 is a layout diagram of a CMOS image sensor according to the prior art.

도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시모스 이미지센서를 나타내는 단면도.5 is a cross-sectional view showing a CMOS image sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

도6은 본 발명의 바람직한 실시예에 다른 시모스 이미지센서를 나타내는 레이아웃도.
6 is a layout diagram showing a CMOS image sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

a : 빛 b : 마이크로 렌즈a: light b: micro lens

c : 포토다이오드 d : 채널c: photodiode d: channel

s : 소스영역 d : 드레인영역
s: source region d: drain region

본 발명은 시모스 이미지센서에 관한 것으로, 단위화소에 구비되는 모스트랜지스터의 수를 크게 줄여 고집적화에 용이한 시모스 이미지센서에 관한 것이다.The present invention relates to a CMOS image sensor, and relates to a CMOS image sensor that is easy to high integration by greatly reducing the number of MOS transistors provided in the unit pixel.

일반적으로 반도체 장치중 이미지센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 장치로서, 대표적인 이미지센서 소자로는 전하결합소자(Charge Coupled Device; CCD)와 시모스 이미지센서를 들 수 있다.In general, an image sensor of a semiconductor device is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal. Representative image sensor devices include a charge coupled device (CCD) and a CMOS image sensor.

그 중에서 전하결합소자는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 시모스 기술을 이용하여 화소(pixel)수 만큼 모스 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.Among them, the charge-coupled device is a device in which charge carriers are stored and transported in the capacitor while individual metal-oxide-silicon (MOS) capacitors are located very close to each other, and the CMOS image sensor is a control circuit and a signal processing circuit. It is a device that adopts a switching method of making MOS transistors by the number of pixels by using CMOS technology using a signal processing circuit as a peripheral circuit and sequentially detecting the output using the MOS transistors.

도1은 통상적인 시모스 이미지센서의 단위화소를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a unit pixel of a conventional CMOS image sensor.

도1에 도시된 바와 같이, 단위화소 내에는 1개의 포토다이오드(510)와 4개의 NMOS 트랜지스터(520, 530, 540, 550)로 구성되어 있다. 4개의 NMOS 트랜지스터는 포토다이오드(510)에서 생성된 광전하를 플로팅 센싱 노드(560)로 운송하기 위한 트랜스퍼 모스트랜지스터(520)와, 다음 신호검출을 위해 상기 플로팅 센싱 노드(560)에 저장되어 있는 전하를 배출하기 위한 리셋 모스트랜지스터(530)와, 소스 팔로워(Source Follower) 역할을 하는 드라이브 모스트랜지스터(540) 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 모스트랜지스터(550)으로 구성된다. 미설명 도면부호 570은 로드(load) 트랜지스터를 나타낸다.As shown in FIG. 1, a unit pixel includes one photodiode 510 and four NMOS transistors 520, 530, 540, and 550. Four NMOS transistors are stored in the floating sensing node 560 for the transfer MOS transistor 520 for transporting the photocharge generated in the photodiode 510 to the floating sensing node 560 and for the next signal detection. A reset MOS transistor 530 for discharging charges, a drive MOS transistor 540 serving as a source follower, and a select MOS transistor 550 enabling addressing with a switching role. It consists of. Unexplained reference numeral 570 denotes a load transistor.

이렇게 4개의 모스트랜지스터와 하나의 포토다이오드가 하나의 단위화소를 이루며, 시모스 이미지센서에 구비되는 단위화소의 수에 따라 구비되는 포토다이오드와 그에 대응하는 단위화소용 모스트랜지스터의 수가 정해지는 것이다.As such, four MOS transistors and one photodiode form one unit pixel, and the number of photodiodes provided and the number of MOS transistors corresponding to the unit pixels are determined according to the number of unit pixels included in the CMOS image sensor.

도2는 도1에 도시된 단위화소의 단면도로서, 4개의 모스트랜지스터(Tx,Rx,Dx,Sx)와 하나의 포토다이오드(PD)가 도시되어 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the unit pixel shown in FIG. 1, showing four MOS transistors Tx, Rx, Dx, and Sx and one photodiode PD.

소자분리막이 형성된 기판에 포토다이오드로 전달된 빛에 대응하여 생성된 전하는 출력단(Output)으로 전달이 된다.Charge generated in response to light transmitted to the photodiode is transferred to the output terminal.

도3은 종래기술에 의한 시모스 이미지센서의 동작을 나타내는 개념도이다.3 is a conceptual diagram showing the operation of the CMOS image sensor according to the prior art.

도3을 참조하여 살펴보면, 마이크로 렌즈로 입사된 빛(a)는 그 하단에 구비된 포토다이오드(c)에 전달되고, 포토다이오드에 입사된 빛에 대응하는 전기신호가 4개의 트랜지스터를 거쳐서 내부 데이터 처리회로로 전달된다.Referring to FIG. 3, light (a) incident on a microlens is transmitted to a photodiode (c) provided at a lower end thereof, and an electrical signal corresponding to light incident on the photodiode is passed through four transistors. It is delivered to the processing circuit.

도4는 종래기술에 의한 시모스 이미지센서의 레이아웃도로서, 특히 한 단위화소를 나타내는데, 원형의 마아크로 렌즈가 있는 영역의 하단에 포토다이오드가 배치된다. 포토다이오드의 이웃한 영역에 4개의 모스트랜지스터가 배치된다.Fig. 4 is a layout diagram of the CMOS image sensor according to the prior art, in particular one unit pixel, in which a photodiode is disposed at the lower end of an area in which a circular microlens is located. Four MOS transistors are arranged in the adjacent area of the photodiode.

이상에서 살펴본 바와 같이, 종래의 시모스 이미지센서는 4개의 모스트랜지스터를 이용하여 데이터를 전달하는 구조였기 때문에, 4개의 트랜지스터를 거쳐오 면서 전기신호가 일정부분 손실이 생고, 또한 노이즈도 많이 발생하는 문제점이 있었다.As described above, since the conventional CMOS image sensor is a structure for transmitting data using four MOS transistors, a portion of the electrical signal is lost and a lot of noise occurs through the four transistors. There was this.

또한, 시모스 이미지센서에 구비되는 단위화소의 수가 더 증가하면서 각 단위화소마다 4개의 모스트랜지스터를 배치시킴으로서 회로의 면적이 증가되는 문제점이 생기고 있다.
In addition, as the number of unit pixels included in the CMOS image sensor increases, the area of the circuit is increased by disposing four MOS transistors in each unit pixel.

본 발명는 전술한 문제점을 해결하기 위해 각 단위화소에 구비되는 모스트랜지스터의 수를 줄여 집적도를 높이고, 노이즈등의 발생이 줄어든 시모스 이미지센서를 제공함을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide a CMOS image sensor to reduce the number of MOS transistors provided in each unit pixel to improve the integration, and to reduce the occurrence of noise, to solve the above problems.

본 발명은 모스트랜지스터의 게이트단; 상기 모스트랜지스터의 소스영역과 드레인영역; 상기 모스트랜지스터의 게이트단상에 적층된 포토다이오드; 및 상기 포토다이오드상에 배치되어 입사된 빛을 상기 포토다이오드에 전달하기 위한 마이크로 렌즈를 구비하는 시모스 이미지센서를 제공한다.The present invention is the gate terminal of the morph transistor; A source region and a drain region of the MOS transistor; A photodiode stacked on the gate end of the MOS transistor; And a micro lens disposed on the photodiode and configured to transmit incident light to the photodiode.

또한 본 발명은 매트릭스형태로 다수 배치된 모스트랜지스터의 게이트 패턴;상기 게이트 패턴의 일측과 타측에 각각 배치된 소스영역과 드레인영역; 상기 다수의 게이트 패턴상에 각각 적층되어 배치된 다수의 포토다이오드; 상기 다수의 포토다이오드 상에 각각 배치된 마이크로 렌즈; 같은 라인의 소스영역 마다 공통적으로 동작전압을 인가하기 위한 전압 공급부; 및 같은 라인의 드레인영역 마다 공통적으로 접속되어 라인별로 출력신호를 출력하기 위한 다수의 출력단을 구비하는 시모스 이미지센서를 제공한다.In addition, the present invention is a gate pattern of a plurality of transistors arranged in a matrix form; source and drain regions respectively disposed on one side and the other side of the gate pattern; A plurality of photodiodes stacked on each of the plurality of gate patterns; Micro lenses each disposed on the plurality of photodiodes; A voltage supply unit for applying an operating voltage to each source region of the same line in common; And a plurality of output terminals connected in common to drain regions of the same line and outputting an output signal for each line.

또한 본 발명은 기판상에 단위화소가 배치될 영역마다 모스트랜지스터의 게이트 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 패턴의 일측과 타측에 소스영역과 드레인영역을 형성하는 단계 상기 게이트 패턴상에 포토다이오드를 형성하는 단계; 및 상기 포토다이오드 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 시모스 이미지센서의 제조방법을 제공한다.
In addition, the present invention comprises the steps of forming a gate pattern of the MOS transistor for each region where the unit pixel is to be disposed on the substrate; Forming a source region and a drain region on one side and the other side of the gate pattern; forming a photodiode on the gate pattern; And it provides a method for manufacturing a CMOS image sensor comprising the step of forming a micro lens on the photodiode.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시모스 이미지센서를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a CMOS image sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

도5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 시모스 이미지센서에 구비되는 단위화소의 가장 큰 특징은 4개의 모스트랜지스터가 구비된느 것이 아니라 하나의 모스트랜지스터만을 구비하는 것이다.As shown in FIG. 5, the biggest feature of the unit pixel included in the CMOS image sensor according to the present embodiment is that only one MOS transistor is provided, not four MOS transistors.

또한, 도시된 바와 같이 포토다이오드는 모스트랜지스터의 게이트단에 배치된다. In addition, as shown, the photodiode is disposed at the gate end of the MOS transistor.

따라서 마이크로 렌즈는 포토다이오드의 상부에 배치되어야 하기 때문에 결 국 모스트랜지스터의 게이트단 상부에 배치되는 것이다.Therefore, since the microlens should be disposed on the photodiode, the microlens is disposed on the gate end of the MOS transistor.

마이크로 렌즈를 통해 전달된 빛은 그 하단에 배치된 포토다이오드에 전달되고, 포토다이오드에 전달된 빛에 대응하여 그 하단에 채널이 형성된다.Light transmitted through the microlens is transmitted to the photodiode disposed at the bottom thereof, and a channel is formed at the bottom thereof in response to the light transmitted to the photodiode.

채널이 형성되면 소스영역(S)에서 드레인영역(D)을 통해 출력신호가 전달된다.When the channel is formed, the output signal is transmitted from the source region S through the drain region D.

이 때에 채널이 생기는 시간은 포토다이오드에 전달된 빛의 세기에 따라서 정해지며 출력신호가 출력되는 시간으로 입사된 빛의 정도를 파악하게 된다. 여기서 포토다이오드의 극성방향은 어떤방향으로 구현하여도 된다.At this time, the time that the channel is generated is determined according to the intensity of light transmitted to the photodiode, and the time of output signal is output to determine the degree of incident light. The polarization direction of the photodiode may be implemented in any direction.

이렇게 포토다이오드를 모스트랜지스터의 게이트단에 배치시킴으로서 포토다이오드도 하나의 트랜지스터역할을 하게 함으로서, 4개의 모스트랜지스터로 구현되던 단위화소의 크기를 크게 줄일 수 있다.By arranging the photodiode at the gate terminal of the MOS transistor, the photodiode also acts as a transistor, thereby greatly reducing the unit pixel size of the 4 MOS transistors.

또한 신호가 전달되는 경로가 단순해져서 노이즈가 발생할 가능성도 크게 줄어들게 된다.In addition, the path through which the signal is delivered is simplified, greatly reducing the likelihood of noise.

또한, 포토다이오드가 모스트랜지스터의 게이트단에 배치됨으로서 마이크로 렌즈와 포토다이오드의 간격이 줄어들어, 마이크로 렌즈를 통과한 빛이 하단의 포토다이오드에 보다 많이 집속될 수 있다. 칼라필터는 통상적인 이미지센서에서와 같이 포토다이오드와 마이크로 렌즈의 사이에 배치된다.In addition, since the photodiode is disposed at the gate end of the MOS transistor, the gap between the microlens and the photodiode is reduced, so that the light passing through the microlens can be focused more on the lower photodiode. The color filter is disposed between the photodiode and the micro lens as in a conventional image sensor.

본 실시예에 따른 시모스 이미지센서를 제조하는 과정을 살펴보면, 각 단위화소가 형성될 자리에 게이트 패턴을 형성한다.Looking at the process of manufacturing the CMOS image sensor according to the present embodiment, a gate pattern is formed in place of each unit pixel.

게이트 패턴의 양측에 각각 모스트랜지스터의 소스영역과 드레인 영역을 형 성한다.Source and drain regions of the MOS transistor are formed on both sides of the gate pattern, respectively.

이어서 각 게이트 패턴상에 포토다이오드를 형성한다. 이어서 포토다이오드상에 다층의 절연막을 형성하고, 그 상부에 칼라필터를 형성한다. 이어서 그 상부에 마이크로 렌지를 형성한다.Subsequently, photodiodes are formed on each gate pattern. Subsequently, a multilayer insulating film is formed on the photodiode, and a color filter is formed thereon. Then a microrange is formed on top of it.

모스트랜지스터의 소스영역은 동작전압을 공급한 전압공급부가 연결되고, 드레인 영역은 전기신호가 출력된 출력단과 연결이 된다.
The source region of the MOS transistor is connected to a voltage supply unit supplying an operating voltage, and the drain region is connected to an output terminal outputting an electric signal.

도6은 본 발명의 바람직한 실시예에 다른 시모스 이미지센서를 나타내는 레이아웃도이다.6 is a layout diagram showing another CMOS image sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

도6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 시모스 이미지센서의 각 단위화소는 포토다이오드가 적층된 모스트랜지스터의 게이트단(c)이 매트릭스형태로 구비되면, 각 모스트랜지스터의 게이트단의 양측에는 소스영역(s)과 드레인영역(d)이 배치된다.As shown in FIG. 6, each unit pixel of the CMOS image sensor according to the present exemplary embodiment is provided with a matrix type of the gate terminal c of the MOS transistor on which the photodiodes are stacked, and is provided at both sides of the gate terminal of each MOS transistor. The source region s and the drain region d are arranged.

각 소스영역(s)에는 라인별로 동작전압(e)이 인가되고, 각 드레인 영역으로는 출력단(f)이 연결된다.An operating voltage e is applied to each source region s for each line, and an output terminal f is connected to each drain region.

만약 단위화소(X)의 포토다이오드에 입사된 빛에 해당되는 데이터를 판독하기 위해서는 동작전압2를 인가하고, 출력2를 통해 데이터를 전달받으면 되는 것이다.If the data corresponding to the light incident on the photodiode of the unit pixel X is read, the operating voltage 2 is applied and the data is transmitted through the output 2.

단위화소(X)를 이루는 모스트랜지스터의 게이트단상에 적층된 포토다이오드에 입사된 빛에 의해 그 하단에 채널이 형성되고, 그로 인해 소스영역에서 드레인 여영역으로 전류가 흐르게 된다. 전류가 흐르는 시간을 파악하면 단위화소(X)에 입사된 빛에 대한 정보를 알 수 있다.Channels are formed at the lower end of the photodiodes stacked on the gate ends of the MOS transistors constituting the unit pixel X, and current flows from the source region to the drain margin region. When the current flows, the information about the light incident on the unit pixel X can be known.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명에 의해서 시모스 이미지센서의 각 단위화소를 이루는 모스트랜지스터를 하나로 줄일 수 있게 되어 집적회로의 면적을 크게 줄일 수 있게 되었다.According to the present invention, the MOS transistor constituting each unit pixel of the CMOS image sensor can be reduced to one, thereby greatly reducing the area of the integrated circuit.

또한. 입사된 빛에 대한 전기신호가 전달되는 경로가 종래보다 크게 줄어들어 노이즈에 대한 영역을 줄일 수 있다.Also. The path through which the electrical signal is transmitted to the incident light is significantly reduced than before, thereby reducing the area for noise.

또한, 포토다이오드가 모스트랜지스터의 게이트 상부에 배치됨으로서 포토다이오드와 마이크로 렌즈의 간격을 줄일 수 있어 보다 많은 빛을 포토다이오드에 집광시킬 수 있다.
In addition, since the photodiode is disposed above the gate of the MOS transistor, the gap between the photodiode and the microlens can be reduced, so that more light can be focused on the photodiode.

Claims (8)

모스트랜지스터의 게이트단;A gate stage of the MOS transistor; 상기 모스트랜지스터의 소스영역과 드레인영역;A source region and a drain region of the MOS transistor; 상기 모스트랜지스터의 게이트단상에 적층된 포토다이오드; 및A photodiode stacked on the gate end of the MOS transistor; And 상기 포토다이오드상에 배치되어 입사된 빛을 상기 포토다이오드에 전달하기 위한 마이크로 렌즈Micro lens disposed on the photodiode for transmitting the incident light to the photodiode 를 구비하는 시모스 이미지센서.CMOS image sensor having a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소스영역에 소정레벨의 동작전압을 인가하기 위한 전압제공부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.And a voltage providing unit for applying an operating voltage of a predetermined level to the source region. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 드레인영역에 전달되는 전기신호를 출력하기 위한 출력수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.The CMOS image sensor further comprises an output means for outputting an electrical signal transmitted to the drain region. 제 1 항에 있어서The method of claim 1 상기 포토다이오드에 입사된 빛에 대응하여 상기 모스트랜지스터의 채널이 형성되는 구간이 정해지는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.And a section in which a channel of the MOS transistor is formed in response to the light incident on the photodiode is determined. 매트릭스형태로 다수 배치된 모스트랜지스터의 게이트 패턴;A gate pattern of a plurality of MOS transistors arranged in a matrix; 상기 게이트 패턴의 일측과 타측에 각각 배치된 소스영역과 드레인영역;Source and drain regions disposed on one side and the other side of the gate pattern, respectively; 상기 다수의 게이트 패턴상에 각각 적층되어 배치된 다수의 포토다이오드;A plurality of photodiodes stacked on each of the plurality of gate patterns; 상기 다수의 포토다이오드 상에 각각 배치된 마이크로 렌즈;Micro lenses each disposed on the plurality of photodiodes; 같은 라인의 소스영역 마다 공통적으로 동작전압을 인가하기 위한 전압 공급부; 및A voltage supply unit for applying an operating voltage to each source region of the same line in common; And 같은 라인의 드레인영역 마다 공통적으로 접속되어 라인별로 출력신호를 출력하기 위한 다수의 출력단Multiple output terminals commonly connected to drain regions of the same line to output output signals for each line 을 구비하는 시모스 이미지센서.CMOS image sensor having a. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 다수의 포토다이오드와 그 상부에 배치된 마이크로 렌즈의 사이에 각각 칼라필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.And a color filter between each of the plurality of photodiodes and the microlenses disposed thereon. 기판상에 단위화소가 배치될 영역마다 모스트랜지스터의 게이트 패턴을 형성하는 단계;Forming a gate pattern of a MOS transistor for each region where unit pixels are to be disposed on a substrate; 상기 게이트 패턴의 일측과 타측에 소스영역과 드레인영역을 형성하는 단계Forming a source region and a drain region on one side and the other side of the gate pattern 상기 게이트 패턴상에 포토다이오드를 형성하는 단계; 및Forming a photodiode on the gate pattern; And 상기 포토다이오드 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계Forming a micro lens on the photodiode 를 포함하는 시모스 이미지센서의 제조방법.Method for manufacturing a CMOS image sensor comprising a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 포토다이오드와 마이크로 렌즈의 사이에 칼라필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.The method of claim 1, further comprising forming a color filter between the photodiode and the micro lens.
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