KR20060075159A - Equipment for detecting leak point - Google Patents

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KR20060075159A
KR20060075159A KR1020040113732A KR20040113732A KR20060075159A KR 20060075159 A KR20060075159 A KR 20060075159A KR 1020040113732 A KR1020040113732 A KR 1020040113732A KR 20040113732 A KR20040113732 A KR 20040113732A KR 20060075159 A KR20060075159 A KR 20060075159A
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신정철
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 제조설비의 리크 포인트(leak point)를 검사하는데 사용되는 리크 포인트 탐지장치에 관한 것으로서, 리크 포인트가 정전척 관련 부위인지 챔버 관련 부위인지 여부를 식별하기 위한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a leak point detection apparatus used to inspect leak points of a semiconductor manufacturing facility, and to identify whether a leak point is an electrostatic chuck related part or a chamber related part.

이러한 본 발명은 정전척이 장착된 곳에 상기 정전척을 대신하여 장착되고 정전척 관련 부위와 챔버 관련 부위를 격리시키기 위한 지그와, 상기 챔버와 연결되고 이 챔버 내부 공간을 고진공 상태로 형성시키는 진공장치와, 상기 챔버와 연결되고 이 챔버 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention is provided in place of the electrostatic chuck where the electrostatic chuck is mounted, a jig for isolating the electrostatic chuck-related portion and the chamber-related portion, and a vacuum device connected to the chamber and forming the interior space of the chamber in a high vacuum state And a pressure gauge connected to the chamber and for measuring a pressure inside the chamber.

여기서, 상기 지그는 알루미늄으로 제작되며, 정전척과 유사한 형상을 가진다.
Here, the jig is made of aluminum, and has a shape similar to the electrostatic chuck.

반도체 제조설비, 리크 포인트 탐지장치, 지그, 정전척, 챔버Semiconductor manufacturing facilities, leak point detectors, jigs, electrostatic chucks, chambers

Description

리크 포인트 탐지장치{Equipment for detecting leak point} Equipment for detecting leak point             

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 리크 포인트 탐지장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic diagram for explaining a leak point detection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 지그의 사시도이다.
FIG. 2 is a perspective view of the jig shown in FIG. 1. FIG.

<도면의 주요부분에 대한 참조 부호의 설명><Description of reference numerals for main parts of the drawings>

100 : 반도체 제조설비 107 : 상부뚜껑     100: semiconductor manufacturing equipment 107: upper lid

109 : 하부몸체 110 : 개구    109: lower body 110: opening

112 : 가스 제공부 115 : 샤워헤드     112: gas providing unit 115: shower head

130 : 지그(jig) 132 : 손잡이    130 jig 132 handle

134 : 체결홀 140 : 지지부재    134: fastening hole 140: support member

145: 리프트핀 147 : 리프트핀 홀    145: lift pin 147: lift pin holes

150 : 벨로우즈 155 : 구동 플레이트    150: bellows 155: drive plate

157 : 구동부 160 : 헬륨 공급라인     157: drive unit 160: helium supply line

166 : 진공펌프 168 : 압력계
166: vacuum pump 168: pressure gauge

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조설비의 리크 포인트(leak point)를 검사하는데 사용되는 리크 포인트 탐지장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor fabrication equipment, and more particularly, to a leak point detection apparatus used to inspect leak points of semiconductor fabrication equipment.

반도체 소자의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 반도체 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다. BACKGROUND OF THE INVENTION The manufacturing technology of semiconductor devices has been developed to improve the degree of integration, reliability, response speed, etc. in order to satisfy various needs of consumers. Generally, a semiconductor device is manufactured by forming a predetermined film on a silicon semiconductor substrate used as a semiconductor substrate and forming the film in a pattern having electrical properties.

상기 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP) 등과 같은 단위공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. The pattern is formed by sequential or repeated performance of unit processes such as chemical vapor deposition, sputtering, photolithography, etching, ion implantation, chemical mechanical polishing (CMP), and the like.

상기와 같은 단위 공정들에 사용되는 반도체 제조설비는 챔버 내부에 반도체 기판을 지지하고, 고정시키는 척을 구비한다. 근래, 반도체 소자의 미세화 및 대용량화를 요구하는 반도체 기판 가공 기술에서는 매엽식 가공 공정 및 건식 가공 공정이 선호됨에 따라 반도체 기판을 고정시키는 방법도 크게 변하고 있다. 종래에는 클램프 또는 진공을 이용하여 반도체 기판을 고정하는 정도였으나, 근래에는 반도체 기판을 정전기력을 이용하여 고정시킴과 동시에 반도체 기판의 온도를 일정하게 유지하기 위한 온도 조절 가스를 제공하는 정전척(electro static chuck ; ESC)이 주로 사용되고 있다. 상기 정전척의 사용 범위는 화학 기상 증착, 식각, 스퍼터링, 이온 주입공정 등과 같이 전반적인 반도체 기판 가공 공정으로 확대되고 있다.The semiconductor manufacturing equipment used in the above unit processes includes a chuck for supporting and fixing the semiconductor substrate in the chamber. Recently, in the semiconductor substrate processing technology which requires miniaturization and large capacity of the semiconductor device, the method of fixing the semiconductor substrate is also greatly changed as the sheet processing and the dry processing are preferred. Conventionally, clamping or vacuum is used to fix a semiconductor substrate. However, in recent years, an electrostatic chuck which provides a temperature control gas for fixing a semiconductor substrate at a constant temperature and maintaining a constant temperature of the semiconductor substrate is used. chuck (ESC) is mainly used. The use range of the electrostatic chuck has been extended to the overall semiconductor substrate processing process, such as chemical vapor deposition, etching, sputtering, ion implantation process.

상기와 같은 정전척이 사용되는 매엽식 반도체 제조설비의 경우, 기판을 정전척 상에 안착시키고, 또 정전척으로부터 기판을 분리시키기 위한 리프트 핀이 정전척과 하부에서 정전척을 지지하는 지지부재를 관통하여 설치된다. 그리고 상기 리프트 핀은 구동부재와 연결되고, 이 구동부재에 의해 상하 이동을 한다. 구동부재와 지지부재 사이에는 챔버 내부의 고진공 상태를 유지하기 위해 리프트 핀을 감싸는 벨로우즈가 설치된다. In the case of a sheet type semiconductor manufacturing facility in which the above-mentioned electrostatic chuck is used, a lift pin for seating the substrate on the electrostatic chuck and separating the substrate from the electrostatic chuck penetrates the electrostatic chuck and a supporting member supporting the electrostatic chuck at the bottom. Is installed. And the lift pin is connected to the drive member, it moves up and down by this drive member. Between the drive member and the support member is provided a bellows surrounding the lift pin to maintain a high vacuum state inside the chamber.

또한, 웨이퍼의 표면온도 조절이 필요한 건식식각공정 등에서는 웨이퍼의 표면온도를 조절하기 위해 웨이퍼와 정전척 사이에 냉매, 예컨대 헬륨을 제공하는 공급라인이 정전척 및 지지부재에 설치된다. 챔버의 하부로부터 공급된 헬륨은 상기 공급라인을 통해 정전척 배면의 중앙부 및 에치부로 확산된 후, 해당 부위에 있는 홀을 통해 정전척 상부쪽으로 확산되어 웨이퍼를 냉각시키게 된다. Also, in a dry etching process requiring surface temperature control of a wafer, a supply line for providing a coolant, such as helium, between the wafer and the electrostatic chuck is installed in the electrostatic chuck and the support member to adjust the surface temperature of the wafer. Helium supplied from the lower part of the chamber diffuses through the supply line to the center portion and the etch portion of the back of the electrostatic chuck, and then diffuses to the upper portion of the electrostatic chuck through the hole in the portion to cool the wafer.

상술한 반도체 제조설비를 이용해 공정을 진행할 때 반도체 기판은 해당공정을 실시하기에 가장 적합한 조건에 놓이게 된다. 예를 들어, 식각공정에서는 우수한 특성을 가지는 콘택을 형성하기 위하여 공정조건에 적합한 갭이 조성되어야 한다. When the process is performed using the semiconductor manufacturing equipment described above, the semiconductor substrate is placed under the most suitable conditions for carrying out the process. For example, in the etching process, a gap suitable for the process conditions should be formed to form a contact having excellent characteristics.

또한, 반도체 기판이 프로세스 챔버 및 트랜스퍼 챔버로 이송될 때, 상기 챔버 내부는 고진공(high vacuum)을 유지해야한다. In addition, when the semiconductor substrate is transferred to the process chamber and the transfer chamber, the chamber interior must maintain a high vacuum.

만약 리크(leak)가 발생하게 되면 챔버 내부는 고진공을 유지할 수 없기 때 문에 반도체 소자의 품질면 등에서 문제가 발생하게 된다. If a leak occurs, the inside of the chamber cannot maintain a high vacuum, causing problems in terms of quality of the semiconductor device.

지지부재 하부에서 리프트 핀을 감싸고 있는 벨로우즈의 손상, 헬륨 공급라인 및 정전척 자체의 크랙(crack) 등 정전척과 관련된 부위에서 리크가 발생할 수 있고, 또 상기 정전척과 관련된 부위를 제외한 챔버와 관련된 부위 즉 챔버의 측면에 형성되며 반도체 기판이 드나드는 개구와 챔버의 내부 공간을 한정하는 상부뚜껑과 하부몸체의 결합부위 등에서도 리크가 발생할 수 있다.Leakage may occur in areas related to the electrostatic chuck, such as damage to the bellows surrounding the lift pins under the supporting member, cracks in the helium supply line, and the electrostatic chuck itself. Leaks may also be formed at the side surfaces of the chamber and at the coupling portions of the upper lid and the lower body that define the openings through which the semiconductor substrate enters and define the internal space of the chamber.

그런데 상술한 정전척과 관련된 부위 또는 챔버와 관련된 부위 중 어느 한 부분에서 리크가 발생할 경우에 어느 부위에서 리크가 발생하는지 알 수 없다. 따라서 리크가 발생된 부분 즉 리크 포인트(leak point)를 찾기 위해 전 부위를 모두 점검하여야 하는 불편함이 존재한다. By the way, when the leakage occurs in any of the above-mentioned site related to the electrostatic chuck or the site associated with the chamber it is not known where the leak occurs. Therefore, there is an inconvenience in that the entire area must be checked to find the leaked part, that is, the leak point.

게다가, 리크 포인트가 정전척과 관련된 부위에서만 발생한 경우에도, 챔버와 관련된 부위 즉 챔버의 측면에 형성된 개구와 챔버의 내부 공간을 한정하는 상부뚜껑과 하부몸체의 결합부위 등 모두 검사해야 하는 불합리함이 존재한다. In addition, even if the leak point occurs only at the site related to the electrostatic chuck, there is an irrationality that must be examined both at the site related to the chamber, that is, the opening formed at the side of the chamber and the coupling portion of the upper lid and the lower body defining the inner space of the chamber. do.

결국 상기와 같은 리크 포인트 탐지작업은 전 부위를 검사해야 하기 때문에 많은 시간이 소요되며, 이는 설비유지비용 상승의 원인이 된다. 또한, 이는 반도체 소자의 생산성을 저하시키는 원인이 되기도 한다.
As a result, the leak point detection operation takes a lot of time because the whole area must be inspected, which causes a rise in facility maintenance cost. In addition, this may cause a decrease in the productivity of the semiconductor device.

이에 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 리크 포인트가 정전척과 관련된 부위인지, 상기 부위를 제외한 챔버와 관련된 부위 인지 여부를 구별할 수 있는 리크 포인트 탐지장치를 제공하는데 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a leak point detection apparatus capable of distinguishing whether a leak point is a part related to an electrostatic chuck or a part related to a chamber except the part. .

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 제조설비의 챔버 관련 부위와 상기 챔버 내에 위치한 정전척 관련 부위 중에서 리크가 발생한 곳을 탐지하기 위한 리크 포인트 탐지장치에 있어서, 상기 정전척이 장착된 곳에 상기 정전척을 대신하여 장착되고 상기 정전척 관련 부위와 챔버 관련 부위를 격리시키기 위한 지그와, 상기 챔버와 연결되고 이 챔버 내부 공간을 고진공 상태로 형성시키는 진공장치와, 상기 챔버와 연결되고 이 챔버 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, a leak point detection device for detecting a leak occurs in a chamber-related portion of a semiconductor manufacturing facility and an electrostatic chuck-related portion located in the chamber, wherein the electrostatic chuck is mounted. A jig for mounting the electrostatic chuck and isolating the electrostatic chuck related part and the chamber related part, a vacuum device connected to the chamber and forming a space inside the chamber in a high vacuum state; It characterized in that it comprises a pressure gauge for measuring the pressure inside.

여기서, 상기 지그는 정전척과 유사한 형상으로 이루어질 수 있다. 또한 상기 지그는 알루미늄 재질로 제작될 수 있다. Here, the jig may be formed in a shape similar to the electrostatic chuck. In addition, the jig may be made of aluminum.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 비록 본 발명은 첨부된 도면에 의하여 설명되지만, 이는 당해 기술이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것으로써, 다양한 형태, 크기 등으로 대체될 수 있음은 자명한 일이다. 한편, 일반적으로 널리 알려져 있는 공지기술의 경우 그 구체적인 설명은 생략하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Although the present invention is illustrated by the accompanying drawings, it is provided to fully inform the scope of the invention to those of ordinary skill in the art, and may be replaced with various forms, sizes, and the like. Is self-explanatory. On the other hand, in the case of well-known techniques generally known, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 리크 포인트 탐지장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic diagram for explaining a leak point detection apparatus according to an embodiment of the present invention.                     

도 1을 참조하면, 반도체 제조설비(100)는 챔버와, 상기 챔버 내부에 구비되며 반도체 기판을 지지하기 위한 정전척(미도시)과, 상기 정전척을 지지하기 위한 지지부재(140)와, 반도체 기판을 가공하기 위한 가스를 챔버 내부로 균일하게 제공하기 위한 샤워헤드(115)와, 상기 가스를 제공하는 가스 제공부(112)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a semiconductor manufacturing apparatus 100 includes a chamber, an electrostatic chuck (not shown) provided in the chamber, for supporting a semiconductor substrate, a support member 140 for supporting the electrostatic chuck, It includes a shower head 115 for uniformly providing a gas for processing a semiconductor substrate into the chamber, and a gas providing unit 112 for providing the gas.

상기 챔버는 상부뚜껑(107)과 하부몸체(109)에 의해 일정공간이 한정되며, 이러한 챔버의 일측에는 챔버 내부를 고진공(high vacuum) 상태로 만들기 위한 진공장치가 연결되어 있다. 진공장치는 챔버와 연결된 진공라인(164)과, 상기 진공라인(164)의 끝에 결합된 진공펌프(166)와, 상기 진공 라인(164)에 설치되고 챔버의 내부 압력을 조절하기 위한 압력조절밸브(162)를 포함하여 구성된다.The chamber is limited to a predetermined space by the upper lid 107 and the lower body 109, one side of the chamber is connected to a vacuum device for making the interior of the chamber in a high vacuum (high vacuum) state. The vacuum apparatus includes a vacuum line 164 connected to the chamber, a vacuum pump 166 coupled to the end of the vacuum line 164, and a pressure control valve installed at the vacuum line 164 to regulate the internal pressure of the chamber. And 162.

한편, 챔버의 다른 일측에는 챔버 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계(168)가 연결되어 있다. 상기 압력계(168)는 챔버 내부에 설치되는 압력 센서(미도시)와, 상기 압력 센서와 연결되며, 상기 압력 센서로부터 측정된 압력을 보여주는 디스플레이로 구성될 수 있다. 그리고 상기 압력계(168) 아래에는 반도체 기판이 드나들 수 있는 개구(110)가 형성되어 있다. 이 개구(110)는 오링(미도시)을 구비한 슬롯밸브(미도시)에 의하여 개폐된다.On the other hand, the other side of the chamber is connected to the pressure gauge 168 for measuring the pressure in the chamber. The pressure gauge 168 may include a pressure sensor (not shown) installed inside the chamber, and a display connected to the pressure sensor and showing the pressure measured from the pressure sensor. An opening 110 through which the semiconductor substrate can enter and exit is formed under the pressure gauge 168. The opening 110 is opened and closed by a slot valve (not shown) having an O-ring (not shown).

반도체 기판을 지지하는 정전척(미도시)은 지지부재(140)에 결합되며, 지지부재(140)는 챔버의 하부에 고정되어 있다. 정전척과 지지부재(140)에는 다수의 리프트핀 홀(147)이 형성되고, 상기 리프트핀 홀(147)에는 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트핀(145)이 배치된다. An electrostatic chuck (not shown) supporting the semiconductor substrate is coupled to the support member 140, and the support member 140 is fixed to the lower portion of the chamber. A plurality of lift pin holes 147 are formed in the electrostatic chuck and the supporting member 140, and a plurality of lift pins 145 are disposed in the lift pin holes 147 for loading and unloading a semiconductor substrate.                     

리프트핀(145)은 지지부재(140)의 하측 부위에 구비되는 구동 플레이트(155)에 연결되고, 이 구동 플레이트(155) 및 리프트핀(145)은 구동부(157)에 의해 상하 운동을 하게 된다. 그리고 플레이트(155)와 지지부재(140) 사이에 벨로우즈(150)가 리프트핀(145)을 둘러싸도록 구성된다. 이러한 벨로우즈(150)로 인해 챔버 내부가 고진공을 유지할 수 있다.The lift pin 145 is connected to the drive plate 155 provided in the lower portion of the support member 140, the drive plate 155 and the lift pin 145 is to move up and down by the drive unit 157. . And the bellows 150 is configured to surround the lift pin 145 between the plate 155 and the support member 140. The bellows 150 allows the inside of the chamber to maintain a high vacuum.

정전척과 지지부재(140)에는 웨이퍼(미도시)의 표면온도를 조절하기 위해 정전척과 이에 안착되는 웨이퍼 사이에 냉매, 예컨대 헬륨을 제공하는 공급라인(160)이 설치된다. 헬륨은 공급라인(160)을 통해 정전척 상부쪽으로 제공되고, 이러한 헬륨은 웨이퍼와 접촉하여 웨이퍼를 냉각시키게 된다. The electrostatic chuck and the support member 140 are provided with a supply line 160 for providing a refrigerant, for example, helium, between the electrostatic chuck and the wafer seated thereon to adjust the surface temperature of the wafer (not shown). Helium is provided through the supply line 160 toward the top of the electrostatic chuck, and this helium is in contact with the wafer to cool the wafer.

가스 제공부(112)로부터 제공되는 가스는 샤워헤드(115)를 통해 챔버 내부로 균일하게 제공된다. 샤워헤드(115)에는 상기 가스를 균일하게 제공하기 위한 다수의 분사홀이 형성되어 있으며, 또한 상기 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 고주파 전원이 연결된다. 여기서, 상기 가스는 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 가스일 수도 있고, 반도체 기판 상에 형성된 막을 제거하기 위한 가스일 수도 있다.The gas provided from the gas providing unit 112 is uniformly provided into the chamber through the shower head 115. The shower head 115 is provided with a plurality of injection holes for uniformly providing the gas, and is connected to a high frequency power source for forming the gas in a plasma state. Here, the gas may be a gas for forming a film on the semiconductor substrate, or may be a gas for removing a film formed on the semiconductor substrate.

한편, 반도체 제조설비의 클리닝 작업을 끝낸 후에 리크 포인트 발생여부를 검사한다. 또한, 반도체 제조설비에서 리크가 발생하여 에러가 난 경우에도 리크 포인트를 탐지해야 한다.On the other hand, after the cleaning operation of the semiconductor manufacturing equipment is finished, the leak point is examined. In addition, leak points should be detected even if an error occurs due to leakage in the semiconductor manufacturing facility.

이 경우, 지지부재(140)에 안착된 정전척(미도시)을 분리하고, 그 자리에 정전척과 유사한 형상의 지그(130)를 설치한다. 도 2는 지그(130)의 사시도인데, 이 를 참조하면 원형 지그(130)의 상부면에는 손잡이(132)가 설치되고, 지그(130)의 가장자리에는 지지부재(140)와 결합하기 위한 체결홀(134)이 형성되어 있다. 그리고 지그(130)에는 정전척과 달리 리프트핀 홀(147)이나 헬륨 공급라인(160)이 형성되어 있지 않다. 따라서 정전척을 분리하고 그 자리에 지그(130)를 장착함으로 인해 지지부재(140)에 형성된 리프트핀 홀(147) 및 헬륨 공급라인(160)과 챔버 내부 공간은 완전히 격리된다. In this case, the electrostatic chuck (not shown) seated on the support member 140 is separated and a jig 130 having a shape similar to the electrostatic chuck is installed in place. 2 is a perspective view of the jig 130, referring to this, a handle 132 is installed on the upper surface of the circular jig 130, and a fastening hole for coupling with the support member 140 at the edge of the jig 130. 134 is formed. Unlike the electrostatic chuck, the jig 130 does not have a lift pin hole 147 or a helium supply line 160. Therefore, the lift pin hole 147 and the helium supply line 160 formed in the support member 140 and the chamber internal space are completely isolated by removing the electrostatic chuck and mounting the jig 130 therein.

다음으로, 진공장치를 이용하여 챔버 내부가 고진공이 되도록 하고, 압력계(168)를 이용해 챔버 내부가 고진공을 유지하는 지 여부를 검토한다. 만약 챔버 관련 부위에 리크가 발생하게 되면 챔버의 내부압력은 상승하여 챔버 내부가 고진공을 유지할 수 없다. 반면에 챔버 부위에 리크 포인트가 없다면 챔버 내부는 고진공을 유지할 수 있게 된다. 다시 말하면, 챔버 내부가 고진공 상태를 유지한다는 것은 정전척 관련 부위를 제외한 챔버 관련 부위에는 리크 포인트가 없다는 것을 의미한다. 이 경우 작업자는 챔버 관련 부위는 고려하지 않고 바로 정전척 관련 부위에 대해 리크 포인트를 탐지하게 된다. Next, the inside of the chamber is made high vacuum using a vacuum apparatus, and the pressure gauge 168 examines whether the inside of the chamber maintains high vacuum. If leakage occurs in the chamber-related area, the internal pressure of the chamber rises and the inside of the chamber cannot maintain a high vacuum. On the other hand, if there is no leak point in the chamber, the chamber can maintain a high vacuum. In other words, maintaining a high vacuum inside the chamber means that there are no leak points in the chamber-related parts except for the electrostatic chuck-related parts. In this case, the operator detects the leak point for the electrostatic chuck-related part without considering the chamber-related part.

상술한 일실시예에 의하면 리크 포인트 탐지장치를 이용해 챔버 관련 부위에 리크가 발생하는 지 여부를 쉽게 파악할 수 있는 바, 정전척 관련 부위에만 리크가 있는 경우에도 챔버 관련 부위를 포함한 전 부위를 검사해야하는 종래 문제점을 해결할 수 있다는 특징이 있다.According to the above-described embodiment, it is easy to determine whether leakage occurs in the chamber-related area by using the leak point detection device. Even if there is a leak only in the electrostatic chuck-related part, the entire area including the chamber-related part should be examined. There is a feature that can solve the conventional problems.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당업자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다. In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible for those skilled in the art within the range which does not deviate from the idea of this invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 정전척을 분리하고 그 자리에 지그를 장착하여 정전척 관련 부위와 챔버 관련 부위를 완전히 격리시킬 수 있기 때문에, 리크 포인트가 정전척 관련 부위인지, 챔버 관련 부위인지 여부를 쉽게 구별할 수 있다.As described above, according to the present invention, since the electrostatic chuck can be separated and a jig can be mounted in place to completely isolate the electrostatic chuck-related part from the chamber-related part, the leak point is an electrostatic chuck-related part or a chamber-related part. Can be easily distinguished.

또한, 리크 포인트를 신속하게 탐지할 수 있고, 그 부분만 수리함으로써 설비유지비용을 줄이는 효과가 있다.












In addition, it is possible to detect the leak point quickly, and repairing only that portion has the effect of reducing the cost of equipment maintenance.












Claims (3)

반도체 제조설비의 챔버 관련 부위와 상기 챔버 내에 위치한 정전척 관련 부위 중에서 리크가 발생한 곳을 탐지하기 위한 리크 포인트 탐지장치에 있어서,In the leak point detection device for detecting a leak occurs in the chamber-related portion of the semiconductor manufacturing equipment and the electrostatic chuck-related portion located in the chamber, 상기 정전척이 장착된 곳에 상기 정전척을 대신하여 장착되고, 상기 정전척 관련 부위와 챔버 관련 부위를 격리시키기 위한 지그;A jig mounted in place of the electrostatic chuck where the electrostatic chuck is mounted and for isolating the electrostatic chuck related part and the chamber related part; 상기 챔버와 연결되고, 이 챔버 내부 공간을 고진공 상태로 형성시키는 진공장치; 및 A vacuum device connected to the chamber and configured to form a space inside the chamber in a high vacuum state; And 상기 챔버와 연결되고, 이 챔버 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리크 포인트 탐지장치.And a pressure gauge connected to the chamber and configured to measure pressure in the chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지그는 정전척과 유사한 형상으로 이루어짐을 특징으로 하는 리크 포인트 탐지장치.The jig has a leak point detection device, characterized in that made of a shape similar to the electrostatic chuck. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 지그의 재질은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 리크 포인트 탐지장치. Leak point detection apparatus characterized in that the material of the jig.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112179577A (en) * 2020-10-13 2021-01-05 中国科学院合肥物质科学研究院 Suction gun head with continuously-changed volume and leak source detection system

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