KR20060074422A - Method for detecting flatness of wafer chuck in exposure equipment - Google Patents
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Abstract
노광 장비의 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 일반 웨이퍼를 웨이퍼 척 상에 장착하여 웨이퍼 척의 평탄도를 측정하고, 측정된 웨이퍼 척의 평탄도를 일반 웨이퍼 자체의 평탄도를 이용하여 보정하여 측정된 웨이퍼 척의 평탄도로부터 웨이퍼 척의 고유 평탄도를 얻는 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법을 제시한다. A wafer chuck flatness measuring method of an exposure apparatus is presented. According to the present invention, a wafer is mounted on a wafer chuck to measure the flatness of the wafer chuck, and the flatness of the measured wafer chuck is corrected using the flatness of the normal wafer itself, thereby measuring the inherent characteristics of the wafer chuck from the flatness of the measured wafer chuck. A wafer chuck flatness measuring method for obtaining flatness is presented.
노광, 척 평탄도, 초평탄 웨이퍼 Exposure, Chuck Flatness, Ultra Flat Wafer
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광 장비의 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically illustrating a wafer chuck flatness measuring method of an exposure apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 노광 장비의 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 공정 흐름도이다. 2 is a flowchart schematically illustrating a method for measuring wafer chuck flatness of an exposure apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 반도체 제조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노광 장비의 웨이퍼 척(wafer chuck) 평탄도 측정 방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor manufacturing, and more particularly, to a method for measuring wafer chuck flatness of exposure equipment.
반도체 소자를 제조하는 과정은 패턴을 웨이퍼 상에 전사하고 선택적으로 식각하여 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 과정들을 포함하고 있다. 이러한 웨이퍼 상에 패턴을 전사하는 과정에 다양한 형태의 리소그래피(lithography) 장비가 이용된다. The process of manufacturing a semiconductor device includes the steps of transferring a pattern onto a wafer and selectively etching to form a pattern on the wafer. Various types of lithography equipment are used in the process of transferring a pattern on such a wafer.
이러한 리소그래피 장비, 즉, 노광 장비에서 노광 과정 또는 패턴 과정을 수행할 때 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 척의 평탄도는 패턴이 형성될 웨이퍼 면의 평탄도를 결정하는 요소로 이해되고 있다. 웨이퍼 척의 평탄도는 패턴 공정 또는 노광 공정에서 X, Y 좌표 위치에 따른 상대적 높이 차이 정도를 나타내는 요소로 이해될 수 있다. 이러한 웨이퍼 척의 평탄도는 웨이퍼 면의 평탄도를 결정하므로, 웨이퍼 척의 평탄도가 좋지 않을 경우 노광 시 디포커스(defocus)가 발생하게 된다. 이에 따라, 패턴 변형 또는 불량이 발생되므로, 웨이퍼 척 평탄도는 매우 중요한 변수로 고려되고 있다. When performing an exposure process or a pattern process in such lithography apparatus, that is, the exposure apparatus, the flatness of the wafer chuck on which the wafer is mounted is understood as an element that determines the flatness of the wafer surface on which the pattern is to be formed. The flatness of the wafer chuck may be understood as an element indicating a degree of relative height difference according to X and Y coordinate positions in a pattern process or an exposure process. Since the flatness of the wafer chuck determines the flatness of the wafer surface, if the flatness of the wafer chuck is not good, defocus occurs during exposure. Accordingly, since pattern deformation or defects occur, wafer chuck flatness is considered to be a very important variable.
따라서, 이러한 웨이퍼 척의 평탄도를 관리하기 위해서, 주기적으로 노광 장비 내부에 광을 이용한 측정 장치를 이용하여 초평탄 웨이퍼를 척 상에 올려놓고 평탄도를 측정하는 과정을 수행하고 있다. 이러한 척 평탄도 측정에서 평탄도가 좋지 않게 검출될 경우 웨이퍼 척을 세정하거나 또는 교체하고 있다. Therefore, in order to manage the flatness of the wafer chuck, a process of periodically placing the ultra-flat wafer on the chuck using a measuring device using light in the exposure equipment is performed. The wafer chuck is cleaned or replaced if the chuck flatness is poorly detected.
그런데, 초평탄 웨이퍼의 사용 빈도가 누적되면, 초평탄 웨이퍼에 자체 변형이 발생할 수 있어 정확한 측정을 위해서는 주기적으로 새로운 초평탄 웨이퍼로 교체해야 한다. 또한, 여러 장비에서 척의 평탄도를 측정할 경우 이러한 초평탄 웨이퍼를 다수 개 준비해 둬야 한다. 따라서, 비용 증가의 문제점이 있다. However, when the frequency of use of the ultra-flat wafer is accumulated, self deformation may occur in the ultra-flat wafer, and thus, it is necessary to periodically replace new ultra-flat wafers for accurate measurement. In addition, when measuring the flatness of the chuck in various equipment, a large number of such ultra-flat wafers should be prepared. Therefore, there is a problem of increased cost.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 초평탄 웨이퍼의 사용 빈도를 감소시켜 보다 저렴하게 노광 장비의 웨이퍼 척의 평탄도를 측정할 수 있는 방법을 제시하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to reduce the frequency of use of ultra-flat wafers and to provide a method for measuring the flatness of a wafer chuck of an exposure apparatus at a lower cost.
상기의 기술적 과제를 위한 본 발명의 실시예는,Embodiment of the present invention for the above technical problem,
일반 웨이퍼를 웨이퍼 척 상에 장착하여 상기 웨이퍼 척의 평탄도를 측정하 는 단계; 및Mounting a normal wafer on a wafer chuck to measure flatness of the wafer chuck; And
상기 측정된 웨이퍼 척의 평탄도를 상기 일반 웨이퍼 자체의 평탄도를 이용하여 보정하고, 상기 측정된 웨이퍼 척의 평탄도로부터 상기 웨이퍼 척의 고유 평탄도를 얻는 단계를 포함하는 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법을 제시한다. Compensating the measured flatness of the wafer chuck using the flatness of the normal wafer itself, and obtaining the inherent flatness of the wafer chuck from the measured flatness of the wafer chuck presenting a method for measuring the wafer chuck flatness .
여기서, 초평탄 웨이퍼를 사용하여 제2의 웨이퍼 척의 제1 평탄도를 측정하는 단계; 상기 제2의 웨이퍼 척에 상기 일반 웨이퍼를 사용하여 상기 제2의 웨이퍼 척의 제2 평탄도를 측정하는 단계; 및 상기 제2 평탄도에서 상기 제1 평탄도를 차감하여 상기 웨이퍼의 자체 평탄도를 얻는 단계를 더 포함하고, 상기 웨이퍼 척의 고유 평탄도는 상기 측정된 웨이퍼 척의 평탄도로부터 상기 웨이퍼의 자체 평탄도를 차감하여 얻어질 수 있다. Here, measuring the first flatness of the second wafer chuck using the ultra-flat wafer; Measuring a second flatness of the second wafer chuck using the normal wafer for the second wafer chuck; And subtracting the first flatness from the second flatness to obtain self flatness of the wafer, wherein the intrinsic flatness of the wafer chuck is the self flatness of the wafer from the measured flatness of the wafer chuck. It can be obtained by subtracting.
상기 고유 평탄도가 측정된 상기 웨이퍼 척 상에 상기 일반 웨이퍼와는 다른 제2의 일반 웨이퍼를 장착하고 상기 웨이퍼 척의 제3 평탄도를 측정하는 단계; 상기 측정된 웨이퍼의 척의 제3 평탄도로부터 상기 웨이퍼 척의 고유 평탄도를 차감하여 상기 제2의 일반 웨이퍼의 자체 평탄도를 얻는 단계; 및 상기 제2의 일반 웨이퍼를 사용하여 다른 제2의 웨이퍼 척의 평탄도를 측정하는 단계를 더 포함할 수 있다.Mounting a second plain wafer different from the normal wafer on the wafer chuck from which the inherent flatness is measured and measuring a third flatness of the wafer chuck; Subtracting the inherent flatness of the wafer chuck from the measured third flatness of the chuck of the wafer to obtain self flatness of the second general wafer; And measuring the flatness of another second wafer chuck using the second general wafer.
상기 웨이퍼 척은 노광 장비에 설치된 것일 수 있다. The wafer chuck may be installed in the exposure equipment.
상기 웨이퍼 척은 정전척, 핀 형태 척 또는 링 형태 척일 수 있다. The wafer chuck may be an electrostatic chuck, a pin shaped chuck or a ring shaped chuck.
본 발명에 따르면, 초평탄 웨이퍼의 사용을 실질적으로 배제시켜 보다 저렴하게 노광 장비의 웨이퍼 척의 평탄도를 측정할 수 있다. According to the present invention, the flatness of the wafer chuck of the exposure equipment can be measured at a lower cost by substantially eliminating the use of the ultra-flat wafer.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예에서는 초평탄 웨이퍼 대신에 자체 평탄도를 보상한 일반 웨이퍼를 사용하여 정확하고 경제적으로 웨이퍼 척의 평탄도를 측정하는 기술을 제시한다. An embodiment of the present invention proposes a technique for accurately and economically measuring the flatness of a wafer chuck using a normal wafer that compensates for its flatness instead of an ultra-flat wafer.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광 장비의 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 노광 장비의 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 공정 흐름도이다. 1 is a view schematically illustrating a wafer chuck flatness measuring method of an exposure apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention. 2 is a flowchart schematically illustrating a method for measuring wafer chuck flatness of an exposure apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법은, 웨이퍼 척(100) 상에 별도의 고가의 초평탄 웨이퍼를 도입하지 않고 일반 웨이퍼(110)를 도입한다. 일반 웨이퍼(110) 상에 평탄도 측정부(131, 135)를 도입하고, 평탄도 측정부(131, 135)를 이용하여 일반 웨이퍼(110)의 위치에 따른 평탄도를 측정한다. 구체적으로, 발광부(131)에서 광을 발생시켜 일반 웨이퍼(110) 상에 조사하고, 반사되는 광을 수광부(135)의 센서(sensor)로 검출하여 일반 웨이퍼(110)의 위치에 따른 평탄도를 측정한다. 이후에, 측정된 평탄도를 보정하여 웨이퍼 척(100) 고유의 척 고유 평탄도를 얻어 웨이퍼 척(100)의 평탄도를 측정한다. Referring to FIG. 1, in the wafer chuck flatness measuring method according to an exemplary embodiment of the present invention, a
이와 같이 초평탄 웨이퍼가 아닌 일반 웨이퍼(110)를 이용하여 웨이퍼 척(100) 평탄도를 측정함에 따라, 의미 있는 평탄도 값을 구현하기 위해서 일반 웨이퍼(110) 자체의 평탄도를 고려하여 측정된 평탄도를 보정해야 한다. 따라서, 이러한 보정 과정 또한 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법에 포함되 게 된다. As such, as the flatness of the
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법은, 먼저, 초평탄 웨이퍼로 웨이퍼 척(도 1의 100)의 평탄도를 측정한다(도 2의 210), 이후에, 동일 웨이퍼 척(100)에 대해 일반 웨이퍼(도 1의 110)의 평탄도를 측정한다(도 2의 220). 이때, 일반 웨이퍼(110)의 평탄도에서 초평탄 웨이퍼의 평탄도 값을 빼주면 일반 웨이퍼(110)의 자체 평탄도를 웨이퍼 위치별로 얻을 수 있다(도 2의 230). 따라서, 이 일반 웨이퍼(110)로 임의의 웨이퍼 척(100)의 평탄도를 측정한 후(도 2의 240), 앞에서 구한 일반 웨이퍼(110) 자체 평탄도를 위치별로 빼주면 웨이퍼 척(100) 고유의 평탄도를 얻을 수 있다(도 2의 250).Referring to FIG. 2, in the wafer chuck flatness measuring method according to an exemplary embodiment of the present invention, first, the flatness of the wafer chuck 100 (see FIG. 1) is measured with an ultra-flat wafer (210 of FIG. 2). The flatness of the normal wafer (110 in FIG. 1) is measured with respect to the same wafer chuck 100 (220 in FIG. 2). In this case, by subtracting the flatness value of the ultra-flat wafer from the flatness of the
예를 들어, 초평탄 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 척의 평탄도를 측정한 위치별 데이터(data)를 Fsc(X, Y)라 하고, 일반 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 척의 평탄도를 측정한 위치별 데이터를 Fnc(X, Y)라 하며, 일반 웨이퍼 자체의 위치별 평탄도 데이터(동일 척 측정한)를 Fw(X, Y)라 하면, Fw(X, Y) = Fnc(X, Y) - Fsc(X, Y)에 의해서 얻어지게 된다. For example, the positional data (data) of measuring the flatness of the wafer chuck using an ultra-flat wafer is called Fsc (X, Y), and the positional data of the flatness of the wafer chuck is measured using the normal wafer. If the flatness data (measured in the same chuck) of the general wafer itself is called Fw (X, Y), then Fw (X, Y) = Fnc (X, Y)-Fsc (X , Y).
그리고, Fw(X, Y)를 구한 일반 웨이퍼로 임의의 척의 평탄도를 측정했을 때의 데이터를 Fac(X, Y)라 하면, 임의의 웨이퍼 척의 실제 평탄도 Fcr(X, Y)는 Fcr(X, Y) = Fac(X, Y) - Fw(X, Y)(동일 척 측정한다)로부터 웨이퍼 에러(error)를 보정하여 정확하게 구할 수 있다.If the data when the flatness of an arbitrary chuck is measured with a general wafer from which Fw (X, Y) is obtained is Fac (X, Y), the actual flatness Fcr (X, Y) of an arbitrary wafer chuck is Fcr ( X, Y) = Fac (X, Y)-Fw (X, Y) can be accurately obtained by correcting the wafer error from the same chuck measurement.
새로운 일반 웨이퍼의 자체 평탄도 Fw'(X, Y)를 구하는 방법은How to find the self flatness Fw '(X, Y) of a new ordinary wafer
Fw'(X, Y) = Fnc'(X, Y) - Fcr(X, Y) ----(동일 척 측정)로부터 구할 수 있 으며, 최초 보정 시를 제외하면 고가의 초평탄 웨이퍼를 전혀 사용하지 않고도, 웨이퍼 척의 평탄도를 정확하고 경제적으로 측정할 수 있다.Fw '(X, Y) = Fnc' (X, Y) minus Fcr (X, Y) ---- (same chuck measurement). Without use, the flatness of the wafer chuck can be measured accurately and economically.
이 후 평탄도 측정에서 사용될 기준 웨이퍼는 초평탄 웨이퍼 대신에 자체 평탄도가 구해진 기존 일반 웨이퍼를 사용하여 신규 일반 웨이퍼의 자체 평탄도를 구하고, 이를 이용하여 또 다른 웨이퍼 척의 실제 평탄도를 측정할 수 있다. 구체적으로, 정리하면 다음과 같은 순서로 신규 일반 웨이퍼를 이용하면서도 웨이퍼 척의 평탄도의 측정을 계속할 수 있다. Subsequently, the reference wafer to be used in the flatness measurement can use the existing normal wafer whose self flatness is obtained instead of the ultra-flat wafer to obtain the self flatness of the new normal wafer, and use it to measure the actual flatness of another wafer chuck. have. Specifically, it is possible to continue measuring the flatness of the wafer chuck while using a new general wafer in the following order.
최초 작업 시On first operation
Fw1(X, Y) = Fnc1(X, Y) - Fsc(X, Y) --------- 각각의 측정은 동일 척에서Fw1 (X, Y) = Fnc1 (X, Y)-Fsc (X, Y) --------- Each measurement on the same chuck
Fcr1(X, Y) = Fac1(X, Y) - Fw1(X, Y) --------- 각각의 측정은 동일 척에서Fcr1 (X, Y) = Fac1 (X, Y)-Fw1 (X, Y) --------- Each measurement on the same chuck
두 번째 작업 시 (초평탄 웨이퍼 대신 자체 평탄도가 측정된 기존 일반 웨이퍼 사용) In the second operation (using conventional plain wafers with their flatness measured instead of ultra-flat wafers)
Fw2(X, Y) = Fnc2(X, Y) - Fcr1(X, Y) --------- 각각의 측정은 동일 척에서Fw2 (X, Y) = Fnc2 (X, Y)-Fcr1 (X, Y) --------- Each measurement on the same chuck
Fcr2(X, Y) = Fac2(X, Y) - Fw2(X, Y) --------- 각각의 측정은 동일 척에서 Fcr2 (X, Y) = Fac2 (X, Y)-Fw2 (X, Y) --------- Each measurement on the same chuck
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n 번째 작업 시 (n-1 번째 일반 웨이퍼를 사용해서 n 번째 일반 웨이퍼의 평탄도를 측정 및 보정) In the nth operation (measuring and calibrating the flatness of the nth general wafer using the n-1th general wafer)
Fw[n](X, Y) = Fnc[n](X, Y) - Fcr[n-1](X, Y) ------- 각각의 측정은 동일 척에서 수행된다.Fw [n] (X, Y) = Fnc [n] (X, Y)-Fcr [n-1] (X, Y) ------- Each measurement is performed on the same chuck.
Fcr[n](X, Y) = Fac[n](X, Y) - Fw[n](X, Y) --------- 각각의 측정은 동일 척에서 수행된다.Fcr [n] (X, Y) = Fac [n] (X, Y)-Fw [n] (X, Y) --------- Each measurement is performed on the same chuck.
여기서, Fsc(X, Y)는 초평탄 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 척의 평탄도를 측정한 위치별 데이터로 이해될 수 있고, n = 0, 1, 2, 3 ..일 수 있으며, Fcr[n](X, Y)은 n번째 웨이퍼를 이용하여 얻은 웨이퍼 척의 실제 평탄도 데이터일 수 있다. 따라서, Fcr[0](X, Y)= Fsc(X, Y)이게 된다. Here, Fsc (X, Y) may be understood as location-specific data obtained by measuring the flatness of the wafer chuck using an ultra-flat wafer, and may be n = 0, 1, 2, 3 .. Fcr [n] (X, Y) may be actual flatness data of the wafer chuck obtained using the nth wafer. Therefore, Fcr [0] (X, Y) = Fsc (X, Y).
Fnc[n](X, Y)는 n번째 일반 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 척의 평탄도를 측정한 위치별 데이터일 수 있으며, Fw[n](X, Y)은 계산된 n번째 일반 웨이퍼의 자체 평탄도 데이터일 수 있다. Fac[n](X, Y)은 n 번째 일반 웨이퍼로 측정하고자 하는 척의 평탄도를 측정했을 때의 데이터일 수 있다. Fnc [n] (X, Y) may be positional data obtained by measuring the flatness of the wafer chuck using the nth general wafer, and Fw [n] (X, Y) is the self-flatness of the calculated nth general wafer. May also be data. Fac [n] (X, Y) may be data when the flatness of the chuck to be measured with the nth general wafer is measured.
따라서, 종래의 경우, 대부분의 웨이퍼 척은 평면이 아니므로 웨이퍼를 올려놓고 평탄도를 측정할 수밖에 없어 측정되는 평탄도에는 웨이퍼 자체의 평탄도 에러가 포함되므로, 일반 웨이퍼에서는 이 값이 크지만 어느 정도인지 모르기 때문에 이것이 무시할 정도로 작게 만들어진 고가의 초평탄 웨이퍼를 사용하는 경우와는 달리, 본 발명의 실시예에서는 일반 웨이퍼의 자체 평탄도를 알 수 있으므로, 이를 이용해 측정된 척 평탄도를 보정할 수 있어, 고가의 초평탄 웨이퍼의 사용은 실질적으로 배제된다. Therefore, in the conventional case, since most of the wafer chucks are not flat, the only way to measure the flatness is to put the wafer on, and the measured flatness includes the flatness error of the wafer itself. Unlike the use of expensive ultra-flat wafers, which are made to be negligibly small because they are not accurate, the embodiment of the present invention knows the flatness of a normal wafer, so that it is possible to correct the measured chuck flatness. As such, the use of expensive ultra-flat wafers is substantially ruled out.
상술한 본 발명에 따르면, 웨이퍼 척의 평탄도를 정확하고 경제적으로 측정할 수 있다. 구체적으로, 동일 척에서 초평탄 웨이퍼를 기준으로 사용하여 측정한 평탄도에서 일반 웨이퍼로 측정한 평탄도 데이터를 차감하여 일반 웨이퍼의 자체 평탄도를 얻은 다음, 이 웨이퍼로 측정하고자 하는 척의 평탄도 데이터를 얻은 후, 웨이퍼 자체 평탄도 데이터를 빼주어 보정함으로써, 웨이퍼 척의 실제 평탄도를 얻을 수 있다. 이 후 평탄도 측정에서 사용될 기준 웨이퍼는 초평탄 웨이퍼 대신에 자체 평탄도가 구해진 기존 일반 웨이퍼를 사용하여 신규 일반 웨이퍼의 자체 평탄도를 구하고 이를 이용하여 또 다른 웨이퍼 척의 실제 평탄도를 측정할 수 있다. According to the present invention described above, the flatness of the wafer chuck can be measured accurately and economically. Specifically, the flatness data of the normal wafer is obtained by subtracting the flatness data measured by the normal wafer from the flatness measured using the ultra-flat wafer on the same scale, and then the flatness data of the chuck to be measured by this wafer. After obtaining, the wafer self flatness data is subtracted and corrected to obtain the actual flatness of the wafer chuck. Subsequently, the reference wafer to be used in the flatness measurement can use the existing normal wafer whose self flatness is obtained instead of the ultra-flat wafer to obtain the self flatness of the new normal wafer and use it to measure the actual flatness of another wafer chuck. .
이와 같이 하여, 고가의 초평탄 웨이퍼의 사용은 최초의 작업 시에만 적용되고, 나머지 작업 시에는 초평탄 웨이퍼의 사용이 배제된다. 따라서, 고가의 초평탄 웨이퍼를 사용할 필요가 없어지므로 비용이 절감될 수 있다. 실질적으로, 최초 기준 웨이퍼 이외에는 저가의 일반 웨이퍼를 사용할 수 있으므로 비용이 크게 절감되게 된다. 일반 웨이퍼의 기준 및 측정 웨이퍼로서의 사용 횟수는 대략 10번으로 제한할 수 있으나, 장비 상황이나 측정 정밀도에 따라 늘이거나 줄일 수 있다. 또한, 일반 웨이퍼들을 많이 보정하여 동시에 여러 척의 평탄도를 측정하여 작업시간을 단축할 수 있다. In this way, the use of expensive ultra-flat wafers is applied only in the first operation, and the use of ultra-flat wafers is excluded in the remaining operations. Thus, there is no need to use expensive ultra-flat wafers, which can reduce costs. In practice, cost savings can be achieved because low cost generic wafers can be used in addition to the original reference wafer. The number of uses of a standard wafer as a reference and measurement wafer can be limited to approximately 10, but can be increased or decreased depending on the equipment situation or measurement accuracy. In addition, it is possible to shorten the working time by measuring a plurality of flatness at the same time by correcting a lot of ordinary wafers.
이와 같은 웨이퍼 척 평탄도 측정 방법은 웨이퍼 척이 링(ring) 형태의 척 또는 핀(pin) 형태의 척 등 정전척(ESC)과는 다른 형태의 척에도 적용될 수 있다. The wafer chuck flatness measuring method may be applied to a chuck of which the wafer chuck is different from an electrostatic chuck (ESC) such as a ring chuck or a pin chuck.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예들을 통하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명은 여러 형태로 변형될 수 있다. Although the present invention has been described through specific embodiments, the present invention may be modified in various forms by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
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2004
- 2004-12-27 KR KR1020040113156A patent/KR100642483B1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR100642483B1 (en) | 2006-11-02 |
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