KR20060073835A - Low pressure chemical vapor deposition apparatus having multiple gas mass flow controller - Google Patents

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KR20060073835A KR1020040112269A KR20040112269A KR20060073835A KR 20060073835 A KR20060073835 A KR 20060073835A KR 1020040112269 A KR1020040112269 A KR 1020040112269A KR 20040112269 A KR20040112269 A KR 20040112269A KR 20060073835 A KR20060073835 A KR 20060073835A
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Abstract

본 발명은 저압화학기상증착 장치에 관한 것으로, 복수개의 반응실과 상기 복수개의 반응실로 복수개의 반응 가스를 공급하는 복수개의 가스 라인을 갖는 저압화학기상증착 장치에 있어서, 상기 복수개의 가스 라인 각각은 상기 복수개의 반응 가스의 플로우량을 각각 제어하는 복수개의 유량계를 포함하고, 상기 복수개의 반응 가스 각각은 상기 복수개의 반응실 사이의 온도 구배 없이 상기 복수개의 유량계 각각에 의해 상기 복수개의 반응실 각각으로 그 플로우량이 제어되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 가스의 유량계를 로(furnace)의 존(zone) 별로 장착하여 가스를 탑(top), 센터(center), 및 바텀(bottom)으로 플로우(flow) 가능토록 구현하여 존(zone)별 가스 플로우량 조절을 통해 반응실 간의 온도 구배를 없앨 수 있게 된다. 따라서, 기존에 발생하였던 증착막의 막질 및 서브 막질의 면저항의 존(zone)별 차이를 없앨 수 있어서 공정 균일도 및 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a low pressure chemical vapor deposition apparatus, the low pressure chemical vapor deposition apparatus having a plurality of reaction chambers and a plurality of gas lines for supplying a plurality of reaction gases to the plurality of reaction chambers, wherein each of the plurality of gas lines is A plurality of flow meters each controlling a flow rate of the plurality of reaction gases, each of the plurality of reaction gases being connected to each of the plurality of reaction chambers by each of the plurality of flow meters without a temperature gradient between the plurality of reaction chambers. The flow amount is controlled. According to this, a gas flowmeter is mounted for each zone of a furnace so that the gas can be flowed to the top, center, and bottom so that the flow can be performed for each zone. By controlling the flow rate of gas, it is possible to eliminate the temperature gradient between the reaction chambers. Therefore, it is possible to eliminate the difference in the zone resistance of the film quality of the deposited film and the sub-film quality that has occurred previously, thereby improving the process uniformity and yield.

Description

다원화된 가스 유량계를 갖는 저압화학기상증착 장치{LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS HAVING MULTIPLE GAS MASS FLOW CONTROLLER}LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS HAVING MULTIPLE GAS MASS FLOW CONTROLLER}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 저압화학기상증착 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 > <Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

100; 로 110; 제1 반응실100; To 110; First reaction chamber

120; 제2 반응실 130; 제3 반응실120; Second reaction chamber 130; Third reaction chamber

140; 제4 반응실 210; 제1 가스 라인140; Fourth reaction chamber 210; First gas line

220; 제2 가스 라인 230; 제3 가스 라인220; Second gas line 230; Third gas line

210a,220a,230a; 제1 가스 유량계 210b,220b,230b; 제2 가스 유량계210a, 220a, 230a; First gas flow meters 210b, 220b, 230b; Second gas flow meter

본 발명은 저압화학기상증착 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장치내 온도 차이를 없앨 수 있는 저압화학기상증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a low pressure chemical vapor deposition apparatus, and more particularly to a low pressure chemical vapor deposition apparatus that can eliminate the temperature difference in the device.

반도체소자의 제조공정중 박막을 증착하기 위해 사용되는 장치로서 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition;CVD) 장치가 있다. 화학기상증착(CVD) 공정의 개 념은 적층될 물질원자를 포함한 가스상태의 화학물질을 반응실로 보내고 이 반응실에서 화학물질이 다른 가스와 반응하여 원하는 물질을 만들어 이 물질을 기판위에 증착하는 것이다. 이러한 화학기상증착(CVD) 장치 중에서 대략 0.1∼100 토르(Torr) 압력하에서 박막을 증착하는 것이 저압화학기상증착(LPCVD) 장치이다.As a device used for depositing a thin film during the manufacturing process of a semiconductor device, there is a chemical vapor deposition (CVD) device. The concept of a chemical vapor deposition (CVD) process is to send gaseous chemicals, including material atoms, to be deposited into a reaction chamber, where the chemicals react with other gases to form the desired material and deposit the material on a substrate. . Among such chemical vapor deposition (CVD) devices, the deposition of a thin film under a pressure of approximately 0.1 to 100 Torr is a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) device.

그런데, 종래의 저압화학기상증착 장치를 사용하여 웨이퍼 상에 도핑된 폴리실리콘을 증착하는 경우 실레인 가스(SiH4)의 유량계(MFC)가 1개만이 설비되고 상하로 배열된 반응실 중 최하부의 반응실로만 실레인 가스를 흘려주었다. 각 반응실의 온도가 동일한 상태에서는 반응실 별로 증착막의 두께가 심하게 발생하였다. 따라서, 종래에는 각 반응실 간에 온도 차이를 둠으로써 증착막의 두께를 맞추었으나, 그로 인한 반응실 별로 증착막의 막질 차이 및 서브(SUB) 막질의 면저항(RS) 차이가 발생하는 문제점이 있었다.However, in the case of depositing doped polysilicon on a wafer using a conventional low pressure chemical vapor deposition apparatus, only one flowmeter (MFC) of silane gas (SiH 4 ) is installed and arranged in the lowermost part of the reaction chamber arranged up and down. Silane gas was only flowed into the reaction chamber. In the state where the temperatures of the reaction chambers were the same, the thickness of the deposited film was severely generated for each reaction chamber. Therefore, in the related art, the thickness of the deposited film was adjusted by providing a temperature difference between the reaction chambers, but there was a problem in that the film quality of the deposited film and the sheet resistance (RS) of the sub (SUB) film quality were generated for each reaction chamber.

이에 본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 반응실 별로 막질 차이가 없는 박막을 증착할 수 있는 저압화학기상증착 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, an object of the present invention is to provide a low-pressure chemical vapor deposition apparatus capable of depositing a thin film having no film quality difference for each reaction chamber.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 저압화학기상증착 장치는 다원화된 가스 유량계를 가지고 각 반응실 별로 반응가스를 흘려줌으로써 반응실 별로 막질의 차이가 없는 박막을 증착시키는 것을 특징으로 한다. Low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention for achieving the above object is characterized by depositing a thin film having no difference in film quality for each reaction chamber by flowing the reaction gas for each reaction chamber having a pluralized gas flow meter.                     

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 저압화학기상증착 장치는, 복수개의 반응실과 상기 복수개의 반응실로 복수개의 반응 가스를 공급하는 복수개의 가스 라인을 갖는 저압화학기상증착 장치에 있어서, 상기 복수개의 가스 라인 각각은 상기 복수개의 반응 가스의 플로우량을 각각 제어하는 복수개의 유량계를 포함하고, 상기 복수개의 반응 가스 각각은 상기 복수개의 반응실 사이의 온도 구배 없이 상기 복수개의 유량계 각각에 의해 상기 복수개의 반응실 각각으로 그 플로우량이 제어되는 것을 특징으로 한다.In the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention that can implement the above features, a low pressure chemical vapor deposition apparatus having a plurality of reaction chambers and a plurality of gas lines for supplying a plurality of reaction gases to the plurality of reaction chambers, Each of the plurality of gas lines includes a plurality of flow meters for respectively controlling the flow rate of the plurality of reaction gases, each of the plurality of reaction gases by each of the plurality of flow meters without a temperature gradient between the plurality of reaction chambers The flow rate is controlled to each of the plurality of reaction chambers.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 복수개의 반응실은 상하로 배열되고, 상기 복수개의 가스 라인은 상기 상하로 배열된 복수개의 반응실 각각으로 상기 복수개의 반응 가스를 공급하도록 각각 그 길이가 상기 복수개의 반응실의 배열 방향으로 상이한 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the plurality of reaction chambers are arranged up and down, and the plurality of gas lines are each of the plurality of lengths so as to supply the plurality of reaction gases to each of the plurality of reaction chambers arranged up and down. It is characterized by different in the arrangement direction of the reaction chamber.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 저압화학기상증착 장치는, 소정의 박막이 형성되는 증착 공정이 진행되는 제1, 2, 3 및 4 반응실이 상하로 수직하여 배열된 수직형 로; 상기 제1 반응실로 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 제공하는 제1 가스 라인과, 상기 제2 반응실과 제3 반응실로 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스를 제공하는 제2 가스 라인과, 상기 제4 반응실로 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스를 제공하는 제3 가스 라인을 포함하는 반응 가스 공급 라인; 및 상기 제1, 2 및 3 가스 라인 각각에 설비되어 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스 각각의 플로우량을 제어하는 제1 반응 가스 유량계들과 제2 반응 가스 유량계들을 포함하는 것을 특징으로 한다. In the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to a modified embodiment of the present invention capable of implementing the above characteristics, the first, second, third and fourth reaction chambers in which a deposition process in which a predetermined thin film is formed are vertically arranged vertically Type furnace; A first gas line providing a first reaction gas and a second reaction gas to the first reaction chamber, and a second gas line providing the first reaction gas and the second reaction gas to the second reaction chamber and the third reaction chamber And a third gas line providing the first reaction gas and the second reaction gas to the fourth reaction chamber; And first reactant gas flowmeters and second reactant gas flowmeters installed in each of the first, second, and third gas lines to control flow rates of the first and second reactant gases, respectively. do.                     

본 발명의 변형 실시예에 있어서, 상기 제1 가스 라인은 상기 제2 반응실에 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스를 제공하는 것을 특징으로 한다.In a modified embodiment of the present invention, the first gas line is characterized in that for providing the first reaction gas and the second reaction gas to the second reaction chamber.

본 발명의 변형 실시예에 있어서, 상기 제3 가스 라인은 상기 제3 반응실에 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스를 제공하는 것을 특징으로 한다.In a modified embodiment of the present invention, the third gas line is characterized in that for providing the first reaction gas and the second reaction gas to the third reaction chamber.

본 발명의 변형 실시예에 있어서, 상기 제1, 2 및 제3 반응실들 내의 반응 온도는 서로 동일한 것을 특징으로 한다.In a modified embodiment of the present invention, the reaction temperatures in the first, second and third reaction chambers are the same.

본 발명에 의하면, 반응 가스 유량계를 로(furnace)의 존(zone) 별로 장착하여 가스를 탑(top), 센터(center), 및 바텀(bottom)으로 플로우(flow) 가능토록 구현하여 존(zone)별 가스 플로우량 조절을 통해 반응실 간의 온도 구배를 없앨 수 있게 된다. 따라서, 기존에 발생하였던 증착막의 막질 및 서브 막질의 면저항의 존(zone)별 차이를 없앨 수 있어서 공정 균일도 및 수율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, a reaction gas flowmeter is mounted for each zone of a furnace so that gas can be flowed to the top, the center, and the bottom so that the zone can flow. By controlling the flow rate of gas by), it is possible to eliminate the temperature gradient between the reaction chambers. Therefore, it is possible to eliminate the difference of the zone resistance of the film quality of the deposited film and the sub-film quality, which has occurred previously, thereby improving process uniformity and yield.

이하, 본 발명에 따른 저압화학기상증착 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

종래 기술과 비교한 본 발명의 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
Advantages of the present invention over prior art will become apparent from the detailed description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

(실시예) (Example)                     

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 저압화학기상증착 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 저압화학기상증착 장치는 복수개의 반응실(110,120,130,140)을 포함하는 로(100;furnace)와, 각 반응실(110-140)에 반응가스, 가령 인산 가스(PH3)와 실레인 가스(SiH4)를 공급하는 복수개의 가스 라인(210,220,230)을 포함하여 구성된다. 각 반응실(110-140)에는 복수매의 웨이퍼(미도시)가 장착되고 약 0.1 내지 100 토르(Torr) 정도의 낮은 압력에서 웨이퍼 상에 증착막, 가령 도핑된 폴리실리콘막이 화학기상증착법으로 형성된다.Referring to FIG. 1, the low pressure chemical vapor deposition apparatus of the present embodiment includes a furnace 100 including a plurality of reaction chambers 110, 120, 130, and 140, and a reaction gas such as phosphoric acid gas (PH) in each reaction chamber 110-140. 3 ) and a plurality of gas lines 210, 220, and 230 supplying the silane gas SiH 4 . Each reaction chamber 110-140 is equipped with a plurality of wafers (not shown), and a deposition film, such as a doped polysilicon film, is formed on the wafer at a low pressure of about 0.1 to 100 Torr by chemical vapor deposition. .

복수개의 반응실(110-140)은 위에서부터 차례로 제1 반응실(110), 제2 반응실(120), 제3 반응실(130), 및 제4 반응실(140)로 구성될 수 있다. 이 반응실(110-140) 중에서 설명의 편의상 제1 반응실(110)과 제2 반응실(120)의 상부를 통틀어 로(100)의 탑 존(top zone)이라 지칭하고, 제2 반응실(120)의 하부와 제3 반응실(130)의 상부를 통틀어 로(100)의 센터 존(center zone)이라 지칭하고, 제3 반응실(130)의 하부와 제4 반응실(140)을 동틀어 로(100)의 바텀 존(bottom zone)이라 지칭하기로 한다.The plurality of reaction chambers 110-140 may be configured of a first reaction chamber 110, a second reaction chamber 120, a third reaction chamber 130, and a fourth reaction chamber 140 in order from the top. . Among the reaction chambers 110-140, for convenience of description, the upper portions of the first reaction chamber 110 and the second reaction chamber 120 are referred to as the top zones of the furnace 100 and the second reaction chamber The lower portion of the 120 and the upper portion of the third reaction chamber 130 are referred to as the center zone of the furnace 100, and the lower portion of the third reaction chamber 130 and the fourth reaction chamber 140 are referred to as “center zone”. Together, this will be referred to as a bottom zone of the furnace 100.

탑 존에 해당하는 제1 반응실(110)과 제2 반응실(120) 상부로는 제1 가스 라인(210)을 통해 반응 가스, 가령 인산과 실레인 가스를 공급한다. 이와 유사하게, 센터 존에 해당하는 제2 반응실(120) 하부와 제3 반응실(130) 상부로는 제2 가스 라인(220)을 통해 반응 가스, 가령 인산과 실레인 가스를 공급한다. 이와 유사하 게, 바텀 존에 해당하는 제3 반응실(130) 하부와 제4 반응실(140)로는 제3 가스 라인(230)을 통해 반응 가스, 가령 인산과 실레인 가스를 공급한다.The reaction gas, for example, phosphoric acid and silane gas, is supplied to the first reaction chamber 110 and the second reaction chamber 120 corresponding to the top zone through the first gas line 210. Similarly, the reaction gas, for example, phosphoric acid and silane gas, is supplied to the lower portion of the second reaction chamber 120 and the upper portion of the third reaction chamber 130 corresponding to the center zone through the second gas line 220. Similarly, the reaction gas, for example, phosphoric acid and silane gas, is supplied to the lower portion of the third reaction chamber 130 and the fourth reaction chamber 140 corresponding to the bottom zone through the third gas line 230.

제1 가스 라인(210)은 탑 존에 해당하는 제1 반응실(210)과 제2 반응실(220)의 상부까지 반응 가스가 공급될 수 있도록 제2 및 제3 가스 라인(220,230)에 비해 상대적으로 긴 길이를 갖는다. 그리고, 제1 가스 라인(210)은 반응 가스별로 가스 플로우량을 제어할 수 있는 유량계(210a,210b;MFC), 가령 인산 가스 유량계(210a)와 실레인 가스 유량계(210b)를 갖는다.The first gas line 210 is compared with the second and third gas lines 220 and 230 so that the reaction gas can be supplied to the upper portion of the first reaction chamber 210 and the second reaction chamber 220 corresponding to the top zone. Have a relatively long length. In addition, the first gas line 210 includes flowmeters 210a and 210b (MFC), for example, a phosphate gas flowmeter 210a and a silane gas flowmeter 210b, which can control a gas flow amount for each reactive gas.

제2 가스 라인(220)은 센터 존에 해당하는 제2 반응실(120) 하부와 제3 반응실(130) 상부에 반응 가스가 공급될 수 있도록 제1 가스 라인(210)에 비해 상대적으로 짧고 제3 가스 라인(230)에 비해 상대적으로 긴 길이를 갖는다. 그리고, 제2 가스 라인(220)은 반응 가스별로 가스 플로우량을 제어할 수 있는 유량계(220a,220b), 가령 인산 가스 유량계(220a)와 실레인 가스 유량계(220b)를 갖는다.The second gas line 220 is relatively shorter than the first gas line 210 so that the reaction gas can be supplied to the lower portion of the second reaction chamber 120 and the upper portion of the third reaction chamber 130 corresponding to the center zone. It has a relatively long length compared to the third gas line 230. The second gas line 220 includes flow meters 220a and 220b capable of controlling the gas flow amount for each reactive gas, for example, a phosphate gas flow meter 220a and a silane gas flow meter 220b.

제3 가스 라인(230)은 바텀 존에 해당하는 제3 반응실(130) 하부와 제4 반응실(140)에 반응 가스가 공급될 수 있도록 제1 및 제2 가스 라인(220,230)에 비해 상대적으로 짧은 길이를 갖는다. 그리고, 제3 가스 라인(230)은 반응 가스별로 가스 플로우량을 제어할 수 있는 유량계(230a,230b), 가령 인산 가스 유량계(230a)와 실레인 가스 유량계(220b)를 갖는다.The third gas line 230 is relative to the first and second gas lines 220 and 230 so that the reaction gas can be supplied to the lower portion of the third reaction chamber 130 and the fourth reaction chamber 140 corresponding to the bottom zone. Has a short length. The third gas line 230 includes flowmeters 230a and 230b capable of controlling the gas flow amount for each reactive gas, for example, a phosphate gas flowmeter 230a and a silane gas flowmeter 220b.

상기와 같이 구성된 저압화학기상증착 장치는 다음과 같이 동작한다.The low pressure chemical vapor deposition apparatus configured as described above operates as follows.

각 반응실(110-140)에는 복수매의 웨이퍼가 장착되고 상대적으로 낮은 압력(예, 0.1 내지 100 토르)하에서 각 반응실(110-140)에 반응 가스(예; 인산 가스와 실레인 가스)가 제공되어 웨이퍼 상에 도핑된 폴리실리콘막이 증착된다.Each reaction chamber 110-140 is equipped with a plurality of wafers and reactant gases (e.g. phosphoric acid gas and silane gas) in each reaction chamber 110-140 under relatively low pressure (e.g., 0.1 to 100 Torr). Is provided to deposit a doped polysilicon film on the wafer.

이때, 각 반응 가스는 가스 라인(21-230)을 통해 각 반응실(110-140)에 공급되는데, 제1 가스 라인(210)에 의해서 탑 존에 해당하는 제1 반응실(210)과 제2 반응실(220)의 상부로 흘러 들어가 화학 반응을 일으킨다. 유사하게, 각 반응 가스는 제2 가스 라인(220)에 의해 센터 존에 해당하는 제2 반응실(220)의 하부와 제3 반응실(230)의 상부로 흘러 들어가 화학 반응을 일으킨다. 유사하게, 각 반응 가스는 제3 가스 라인(230)에 의해 바텀 존에 해당하는 제3 반응실(230) 하부와 제4 반응실(240)로 흘러 들어가 화학 반응을 일으킨다.At this time, each reaction gas is supplied to each reaction chamber 110-140 through gas lines 21-230, and the first reaction chamber 210 corresponding to the top zone is formed by the first gas line 210. 2 flows into the upper portion of the reaction chamber 220 to cause a chemical reaction. Similarly, each reaction gas flows into the lower portion of the second reaction chamber 220 corresponding to the center zone and the upper portion of the third reaction chamber 230 by the second gas line 220 to cause a chemical reaction. Similarly, each reaction gas flows into the lower portion of the third reaction chamber 230 corresponding to the bottom zone and the fourth reaction chamber 240 by the third gas line 230 to cause a chemical reaction.

한편, 각 가스 라인(210-240)에는 각 반응 가스별로 가스 유량계(210a-230b)가 설비되어 있으므로 각 존(zone) 별로 반응 가스량이 적절하게 조절될 수 있어서 각 반응실(110-140) 별로 온도 구배를 설정할 필요가 없다. 따라서, 반응실(110-140)의 위치에 따른 증착막의 막질 차이가 없게 되거나 최소화된다.On the other hand, since each gas line (210-240) is equipped with a gas flow meter (210a-230b) for each reaction gas, the amount of reaction gas can be appropriately adjusted for each zone (zone) for each reaction chamber (110-140) There is no need to set a temperature gradient. Therefore, there is no difference in film quality of the deposited film according to the positions of the reaction chambers 110-140 or minimized.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 가스의 유량계를 로(furnace)의 존(zone) 별로 장착하여 가스를 탑(top), 센터(center), 및 바텀(bottom)으로 플로우(flow) 가능토록 구현하여 존(zone)별 가스 플로우량 조절을 통해 반응실 간의 온도 구배를 없앨 수 있게 된다. 따라서, 기존에 발생하였던 증착막의 막질 및 서브 막질의 면저항의 존(zone)별 차이를 없앨 수 있어서 공정 균일도 및 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, a gas flowmeter is mounted for each zone of a furnace so that gas is flowed to the top, center, and bottom. Implemented as possible, it is possible to eliminate the temperature gradient between the reaction chambers by controlling the gas flow rate for each zone. Therefore, it is possible to eliminate the difference in the zone resistance of the film quality of the deposited film and the sub-film quality that has occurred previously, thereby improving the process uniformity and yield.

Claims (6)

복수개의 반응실과 상기 복수개의 반응실로 복수개의 반응 가스를 공급하는 복수개의 가스 라인을 갖는 저압화학기상증착 장치에 있어서,In the low pressure chemical vapor deposition apparatus having a plurality of reaction chambers and a plurality of gas lines for supplying a plurality of reaction gases to the plurality of reaction chambers, 상기 복수개의 가스 라인 각각은 상기 복수개의 반응 가스의 플로우량을 각각 제어하는 복수개의 유량계를 포함하고,Each of the plurality of gas lines includes a plurality of flow meters for respectively controlling the flow amount of the plurality of reaction gases, 상기 복수개의 반응 가스 각각은 상기 복수개의 반응실 사이의 온도 구배 없이 상기 복수개의 유량계 각각에 의해 상기 복수개의 반응실 각각으로 그 플로우량이 제어되는 것을 특징으로 하는 저압화학기상증착 장치.And each of the plurality of reaction gases is controlled in flow rate to each of the plurality of reaction chambers by each of the plurality of flow meters without a temperature gradient between the plurality of reaction chambers. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수개의 반응실은 상하로 배열되고,The plurality of reaction chambers are arranged up and down, 상기 복수개의 가스 라인은 상기 상하로 배열된 복수개의 반응실 각각으로 상기 복수개의 반응 가스를 공급하도록 각각 그 길이가 상기 복수개의 반응실의 배열 방향으로 상이한 것을 특징으로 하는 저압화학기상증착 장치.And the plurality of gas lines are different in length in the arrangement direction of the plurality of reaction chambers so as to supply the plurality of reaction gases to each of the plurality of reaction chambers arranged up and down. 소정의 박막이 형성되는 증착 공정이 진행되는 제1, 2, 3 및 4 반응실이 상하로 수직하여 배열된 수직형 로;A vertical furnace in which first, second, third and fourth reaction chambers in which a deposition process for forming a predetermined thin film is performed are vertically arranged vertically; 상기 제1 반응실로 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 제공하는 제1 가스 라인과, 상기 제2 반응실과 제3 반응실로 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스 를 제공하는 제2 가스 라인과, 상기 제4 반응실로 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스를 제공하는 제3 가스 라인을 포함하는 반응 가스 공급 라인; 및A first gas line providing a first reaction gas and a second reaction gas to the first reaction chamber, and a second gas line providing the first reaction gas and the second reaction gas to the second reaction chamber and the third reaction chamber; And a third gas line providing the first reaction gas and the second reaction gas to the fourth reaction chamber; And 상기 제1, 2 및 3 가스 라인 각각에 설비되어 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스 각각의 플로우량을 제어하는 제1 반응 가스 유량계들과 제2 반응 가스 유량계들;First reactive gas flowmeters and second reactive gas flowmeters installed in each of the first, second and third gas lines to control a flow amount of each of the first reactive gas and the second reactive gas; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 저압화학기상증착 장치.Low pressure chemical vapor deposition apparatus comprising a. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제1 가스 라인은 상기 제2 반응실에 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스를 제공하는 것을 특징으로 하는 저압화학기상증착 장치.The first gas line is a low pressure chemical vapor deposition apparatus, characterized in that for providing the first reaction gas and the second reaction gas to the second reaction chamber. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제3 가스 라인은 상기 제3 반응실에 상기 제1 반응 가스와 상기 제2 반응 가스를 제공하는 것을 특징으로 하는 저압화학기상증착 장치.And the third gas line provides the first reaction gas and the second reaction gas to the third reaction chamber. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제1, 2 및 제3 반응실들 내의 반응 온도는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 저압화학기상증착 장치.Low pressure chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the reaction temperature in the first, second and third reaction chambers are the same.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20180045977A (en) * 2016-10-26 2018-05-08 에스케이하이닉스 주식회사 Plasma Processing Apparatus And Method of Cleaning Native Oxide Using The Same

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