KR20060068044A - Wafer cleansing apparatus - Google Patents

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KR20060068044A
KR20060068044A KR1020040105967A KR20040105967A KR20060068044A KR 20060068044 A KR20060068044 A KR 20060068044A KR 1020040105967 A KR1020040105967 A KR 1020040105967A KR 20040105967 A KR20040105967 A KR 20040105967A KR 20060068044 A KR20060068044 A KR 20060068044A
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조경수
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동부일렉트로닉스 주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 중앙 부분에서의 거리가 각각 다르게 설치되어 서로 다른 유속과 양으로 초순수를 분사하기 위한 다수개의 세정 노즐과, 다수개의 세정 노즐에 초순수를 공급하는 각각의 공급관에 설치된 다수개의 밸브와, 밸브의 온/오프를 제어하여 다수개의 세정 노즐을 통해 분사되는 초순수량을 제어하는 제어부를 포함한다. 그러므로 본 발명은 웨이퍼 중앙 부분에서 외곽 부분에 각각 서로 다른 유속과 양으로 초순수를 분사하는 다수개의 세정 노즐을 구비함으로써 짧은 시간안에 빠르게 웨이퍼에 부착된 불필요한 물질 또는 오염 물질을 제거하여 세정 효과를 향상시킬 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning apparatus, and in particular, a plurality of cleaning nozzles for spraying ultrapure water at different flow rates and amounts, respectively, having different distances from a central portion of the wafer, and supplying ultrapure water to a plurality of cleaning nozzles. It includes a plurality of valves installed in the supply pipe of, and the control unit for controlling the on / off of the valve to control the amount of ultrapure water injected through the plurality of cleaning nozzles. Therefore, the present invention has a plurality of cleaning nozzles for spraying ultrapure water at different flow rates and amounts from the center to the outer portion of the wafer to remove unnecessary substances or contaminants adhering to the wafer in a short time, thereby improving the cleaning effect. Can be.

웨이퍼 세정 장치, 세정 노즐, 초순수 Wafer Cleaning Equipment, Cleaning Nozzle, Ultrapure Water

Description

웨이퍼 세정 장치{WAFER CLEANSING APPARATUS}Wafer cleaning apparatus {WAFER CLEANSING APPARATUS}

도 1은 종래 기술에 의한 웨이퍼 세정 장치의 일 예를 나타낸 도면,1 is a view showing an example of a wafer cleaning apparatus according to the prior art,

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 일 예를 나타낸 도면.2 is a view showing an example of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

100 : 웨이퍼 세정 장치 102 : 세정조100 wafer cleaning apparatus 102 cleaning tank

110 : 웨이퍼 112 : 제 1세정 노즐110: wafer 112: first cleaning nozzle

114 : 제 2세정 노즐 116 : 제 3세정 노즐114: second cleaning nozzle 116: third cleaning nozzle

118 : 기체 공급 노즐 120a, 120b, 120c : 밸브들118: gas supply nozzles 120a, 120b, 120c: valves

122 : 공급부 130 : 감지부122: supply unit 130: detection unit

132 : 제어부132 control unit

본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 상에 반도체 소자를 제조하는 공정 중에 웨이퍼 표면을 세정하기 위한 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing techniques, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus for cleaning a wafer surface during a process of manufacturing a semiconductor device on a wafer.

반도체 제조 공정중에서 웨이퍼에 부착된 불필요한 물질의 제거가 필수적이 다. 반도체 소자를 제조하기 위해서는 웨이퍼에 레지스트를 이용한 패턴 공정, 식각 공정, 증착 공정 등의 여러 가지 제조 공정이 이용되는데, 각 공정마다 웨이퍼 상의 불필요한 물질 또는 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정을 진행하고 있다. 예를 들어, 식각 후 레지스트를 산소 플라즈마 등의 에싱 공정으로 제거하고, 식각 공정에서의 잔류물과 에싱 공정에서 제거될 수 없는 레지스트 잔사와 같은 불필요한 물질 및 오염 물질을 웨이퍼 표면에서 제거하기 위한 세정 공정을 진행한다.It is essential to remove unnecessary materials attached to the wafer during the semiconductor manufacturing process. In order to manufacture a semiconductor device, various manufacturing processes, such as a pattern process, an etching process, and a deposition process using a resist, are used on a wafer, and a cleaning process for removing unnecessary substances or contaminants on the wafer is performed for each process. For example, after etching, the resist is removed by an ashing process such as an oxygen plasma, and a cleaning process for removing unnecessary substances and contaminants, such as residues from the etching process and resist residues that cannot be removed in the ashing process, from the wafer surface. Proceed.

도 1은 종래 기술에 의한 웨이퍼 세정 장치의 일 예를 나타낸 도면으로서, 종래 웨이퍼 세정 장치(10)는 세정 배쓰(12)와, 세정 배쓰(12)내 웨이퍼 척(미도시됨)에 안착된 웨이퍼(20) 상부에 초순수(DI water : deionized water)를 분사하는 세정 노즐(32)을 포함한다. 그리고 웨이퍼(20)에 세정 가스 또는 비활성 가스를 분사하는 기체 공급 노즐(34)이 더 포함된다.1 is a view showing an example of a conventional wafer cleaning apparatus, in which a conventional wafer cleaning apparatus 10 includes a cleaning bath 12 and a wafer seated on a wafer chuck (not shown) in the cleaning bath 12. 20, a cleaning nozzle 32 for spraying deionized water (DI water) on the upper portion. In addition, a gas supply nozzle 34 for injecting a cleaning gas or an inert gas into the wafer 20 is further included.

또 웨이퍼 세정 장치(10)의 상단 부분에는 세정 노즐(32) 및 기체 공급 노즐(34)이 위치되는 오프닝 부분(16)과 그리고 초순수가 외부로 튀는 것을 방지하는 컵(14)이 설치되어 있다.Moreover, the upper part of the wafer cleaning apparatus 10 is provided with the opening part 16 in which the cleaning nozzle 32 and the gas supply nozzle 34 are located, and the cup 14 which prevents ultrapure water from splashing outside.

또한 종래 웨이퍼 세정 장치(10)는 초순수 용액이 담긴 공급부(38)와 세정 노즐(32) 사이에 연결된 공급관을 통해 초순수를 세정 노즐(32)에 공급하기 위한 밸브(36)가 설치되어 있고, 밸브(36)는 초순수 공급량을 조절하게 된다.In addition, the conventional wafer cleaning apparatus 10 is provided with a valve 36 for supplying ultrapure water to the cleaning nozzle 32 through a supply pipe connected between the supply part 38 containing the ultrapure water solution and the cleaning nozzle 32. 36 adjusts the amount of ultrapure water supplied.

또한 종래 웨이퍼 세정 장치(10)는 밸브(36)를 통해 공급되는 초순수 양을 감지하는 감지센서(40)와, 세정 작동시 밸브(36)의 온/오프(on/off)를 제어하며 감지 센서(40)에서 감지된 초순수 공급량이 기설정된 값을 벗어날 경우 밸브(36)의 작동을 제어하는 제어부(42)를 더 포함한다.In addition, the conventional wafer cleaning device 10 is a sensor 40 for detecting the amount of ultrapure water supplied through the valve 36, and controls the on / off (on / off) of the valve 36 during the cleaning operation and the detection sensor The control unit 42 further controls the operation of the valve 36 when the amount of ultrapure water detected at 40 is out of a predetermined value.

한편 도면에 미도시되어 있지만, 세정 배쓰(12)내에는 웨이퍼 척을 일정 주기로 회전하는 회전 지지대와 이에 연결된 구동부를 포함한다.On the other hand, although not shown in the figure, the cleaning bath 12 includes a rotary support for rotating the wafer chuck at regular intervals and a driving unit connected thereto.

이와 같이 구성된 종래 기술에 의한 웨이퍼 세정 장치(10)는 세정 작동시 제어부(42)의 제어에 의해 밸브(36)가 온으로 작동하게 되고, 이로 인해 공급부(38)의 초순수가 세정 노즐(32)에 공급된다. 이때 세정 배쓰(12)내 웨이퍼 척에 안착된 웨이퍼(20)는 일정 속도로 회전되는 상태이므로 세정 노즐(32)을 통해 초순수가 회전되는 웨이퍼(20) 상부면으로 분사되어 웨이퍼(20)에 부착된 불필요한 물질 또는 오염 물질 등을 제거한다.In the wafer cleaning apparatus 10 according to the related art configured as described above, the valve 36 is turned on by the control of the control unit 42 during the cleaning operation, whereby the ultrapure water of the supply 38 is the cleaning nozzle 32. Supplied to. At this time, since the wafer 20 seated on the wafer chuck in the cleaning bath 12 is rotated at a constant speed, the wafer 20 is sprayed to the upper surface of the wafer 20 where ultrapure water is rotated through the cleaning nozzle 32 and attached to the wafer 20. Remove any unwanted substances or contaminants.

그런데, 이와 같은 종래 웨이퍼 세정 장치(10)는 초순수가 분사되는 세정 노즐(32)이 웨이퍼(20) 상부면의 일정 영역에 위치되어 있고, 세정 노즐(32)에 공급되는 초순수또한 일정 속도와 압력으로 고정되기 때문에 짧은 시간안에 빠르게 웨이퍼(20)에 부착된 불필요한 물질 또는 오염 물질을 제거하는데 한계가 있었다. However, in the conventional wafer cleaning apparatus 10, the cleaning nozzle 32 to which ultrapure water is injected is located in a predetermined region of the upper surface of the wafer 20, and the ultrapure water supplied to the cleaning nozzle 32 is also a constant speed and pressure. Since it is fixed to, there was a limit to remove unnecessary substances or contaminants attached to the wafer 20 quickly in a short time.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 웨이퍼 일정 영역에 각각 서로 다른 유속과 양으로 초순수를 분사하는 다수개의 세정 노즐을 구비함으로써 짧은 시간안에 빠르게 웨이퍼에 부착된 불필요한 물질 또는 오염 물질을 제거하여 세정 효과를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to solve the above problems of the prior art by providing a plurality of cleaning nozzles for spraying ultrapure water at different flow rates and amounts in a predetermined area of the wafer, thereby causing unnecessary substances or contamination to adhere to the wafer quickly in a short time. The present invention provides a wafer cleaning apparatus capable of removing a substance to improve a cleaning effect.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼 상에 초순수를 분사하는 노 즐을 갖는 웨이퍼 세정 장치에 있어서, 웨이퍼의 중앙 부분에서의 거리가 각각 다르게 설치되어 서로 다른 유속과 양으로 초순수를 분사하기 위한 다수개의 세정 노즐과, 다수개의 세정 노즐에 초순수를 공급하는 각각의 공급관에 설치된 다수개의 밸브와, 밸브의 온/오프를 제어하여 다수개의 세정 노즐을 통해 분사되는 초순수량을 제어하는 제어부를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer cleaning apparatus having a nozzle for injecting ultrapure water onto a wafer, wherein a plurality of distances are installed at different distances from a central portion of the wafer to inject ultrapure water at different flow rates and amounts. Washing nozzles, a plurality of valves provided in respective supply pipes for supplying ultrapure water to the plurality of washing nozzles, and a control unit controlling the on / off of the valves to control the amount of ultrapure water injected through the plurality of washing nozzles.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 일 예를 나타낸 도면이다.2 is a view showing an example of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치(100)는 세정 배쓰(102)와, 세정 배쓰(102)내 웨이퍼 척(미도시됨)에 안착된 웨이퍼(110) 상부에서 웨이퍼(110)의 설정된 영역에 각각 서로 다른 유속과 양으로 초순수를 분사하기 위한 다수개의 세정 노즐(112, 114, 116)을 포함한다.Referring to FIG. 2, a wafer cleaning apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include a cleaning bath 102 and an upper portion of a wafer 110 seated on a wafer chuck (not shown) in the cleaning bath 102. A plurality of cleaning nozzles 112, 114, and 116 for spraying ultrapure water at different flow rates and amounts, respectively, in the set region of the wafer 110.

이때 다수개의 세정 노즐(112, 114, 116)은 동일한 웨이퍼 방향 또는 서로 다른 웨이퍼 방향에서 각각 서로 다른 유속과 양으로 초순수를 분사하기 위하여 각 세정 노즐(112, 114, 116)의 공급관 두께 및 길이가 서로 다르게 형성하는데, 웨이퍼(110) 외곽 부분에 위치한 세정 노즐(112)에서 분사되는 초순수 공급량이 적으며 느린 유속을 갖도록 해당 노즐(112)의 공급관 직경이 작은 반면에, 웨이퍼(110) 중앙 부분에 위치한 세정 노즐(116)에서 분사되는 초순수 공급량이 많아지며 빠른 유 속을 갖도록 해당 노즐(116)의 공급관 직경이 제일 크다.At this time, the plurality of cleaning nozzles (112, 114, 116) has a supply pipe thickness and length of each of the cleaning nozzles (112, 114, 116) in order to spray ultra-pure water at different flow rates and amounts in the same wafer direction or different wafer directions, respectively. Differently formed, the supply pipe diameter of the nozzle 112 is small so that the ultra-pure water supplied from the cleaning nozzle 112 located at the outer portion of the wafer 110 is small and has a slow flow rate. The supply amount of ultrapure water sprayed from the located cleaning nozzle 116 is increased and the diameter of the supply pipe of the nozzle 116 is the largest so as to have a high flow rate.

예를 들어, 본 실시예에서 다수개의 세정 노즐을 3개 설치할 경우 웨이퍼(110) 상부면의 외곽 부분에 위치한 제 1세정 노즐(112)은 해당 노즐의 공급관 길이와 두께가 다른 노즐(114, 116)의 공급관에 비해 제일 얇고 짧다. 그리고 웨이퍼(110) 상부면에서 외곽 에지와 중앙 부분의 중간에 위치한 제 2세정 노즐(114)은 해당 노즐의 공급관 길이와 그 두께가 제 1세정 노즐(112) 및 제 3세정 노즐(116)의 공급관에 비해 중간 크기를 갖는다. 또 웨이퍼(110) 상부면의 중앙 부분에 위치한 제 3세정 노즐(116)은 해당 노즐의 공급관 길이와 두께가 다른 노즐(112, 114)의 공급관에 비해 제일 두껍고 길다.For example, in the present embodiment, when three cleaning nozzles are installed, the first cleaning nozzles 112 located at the outer portion of the upper surface of the wafer 110 may have nozzles 114 and 116 having different thicknesses from the supply pipe lengths of the nozzles. It is the thinnest and shortest than the supply pipe of). In addition, the second cleaning nozzle 114 positioned between the outer edge and the center portion of the upper surface of the wafer 110 may have a supply pipe length and a thickness thereof corresponding to that of the first cleaning nozzle 112 and the third cleaning nozzle 116. It has a medium size compared to the feed pipe. In addition, the third cleaning nozzle 116 located at the center of the upper surface of the wafer 110 is thickest and longest than the supply pipes of the nozzles 112 and 114 having different lengths and thicknesses of the nozzles.

그리고 웨이퍼(100)에 세정 가스 또는 비활성 가스(예를 들어, Ar, N2 등)를 분사하는 기체 공급 노즐(118)이 더 포함된다.In addition, a gas supply nozzle 118 that injects a cleaning gas or an inert gas (eg, Ar, N2, etc.) to the wafer 100 is further included.

또 웨이퍼 세정 장치(100)의 상단 부분에는 다수개의 세정 노즐(112, 114, 116) 및 기체 공급 노즐(118)이 위치되는 오프닝 부분(106)과 그리고 초순수가 외부로 튀는 것을 방지하는 컵(104)이 설치되어 있다. 한편 도면에 도시되어 있지 않지만, 세정 배쓰(102)내에는 웨이퍼 척을 일정 주기로 회전하는 회전 지지대와 이에 연결된 구동부를 포함한다.In addition, an upper portion of the wafer cleaning apparatus 100 includes an opening portion 106 in which a plurality of cleaning nozzles 112, 114, and 116 and a gas supply nozzle 118 are located, and a cup 104 that prevents ultrapure water from splashing to the outside. ) Is installed. Although not shown in the drawings, the cleaning bath 102 includes a rotation support for rotating the wafer chuck at regular intervals and a driving unit connected thereto.

또한 본 발명의 웨이퍼 세정 장치(100)는 초순수 용액이 담긴 공급부(122)와 다수개 세정 노즐(112, 114, 116) 사이에 연결된 각각의 공급관을 통해 초순수를 각 세정 노즐(112, 114, 116)에 공급하기 위한 각각의 밸브(120a, 120b, 120c)가 설치되어 있다. 각 밸브(이하, 제 1 내지 제 3밸브라 함)(120a, 120b, 120c)는 제 어부(132)의 제어에 따라 온/오프 작동하여 공급부(122)의 초순수를 각 세정 노즐(112, 114, 116)로 공급하거나 공급하지 않게 된다. 도면에 도시되지 않았지만, 공급부(122)의 초순수 용액은 필터 등을 통해서 각각의 공급관 및 밸브(120a, 120b, 120c)를 통해 각 세정 노즐(112, 114, 116)에 공급된다.In addition, the wafer cleaning apparatus 100 of the present invention supplies ultrapure water to each cleaning nozzle 112, 114, and 116 through a supply pipe connected between the supply unit 122 containing the ultrapure water solution and the plurality of cleaning nozzles 112, 114, and 116. Each valve 120a, 120b, 120c for supplying to () is provided. Each valve (hereinafter, referred to as first to third valves) 120a, 120b, and 120c may be turned on and off under the control of the control unit 132 to supply ultrapure water from the supply unit 122 to each of the cleaning nozzles 112 and 114. Or 116). Although not shown in the drawing, the ultrapure water solution of the supply part 122 is supplied to each of the cleaning nozzles 112, 114, and 116 through the respective supply pipes and valves 120a, 120b, and 120c through a filter or the like.

또한 본 발명의 웨이퍼 세정 장치(100)는 제 1 내지 제 3밸브(120a, 120b, 120c)를 통해 공급되는 초순수 양을 감지하는 감지센서(130)와, 세정 작동시 각 밸브(120a, 120b, 120c)의 온/오프를 제어하며 감지 센서(130)에서 감지된 초순수 공급량이 기설정된 값을 벗어날 경우 제 1 내지 제 3밸브(120a, 120b, 120c)의 온/오프 작동을 제어하는 제어부(132)를 더 포함한다.In addition, the wafer cleaning apparatus 100 of the present invention includes a detection sensor 130 for detecting the amount of ultrapure water supplied through the first to third valves 120a, 120b, and 120c, and each valve 120a, 120b, The controller 132 controls on / off of the 120c) and controls on / off operation of the first to third valves 120a, 120b, and 120c when the ultrapure water supply amount detected by the sensing sensor 130 is out of a predetermined value. More).

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치(100)는 다음과 같이 작동한다.The wafer cleaning apparatus 100 according to the present invention configured as described above operates as follows.

세정 작동시 제어부(132)의 제어에 의해 제 1 내지 제 3밸브(120a, 120b, 120c)가 온으로 작동된다. 이로 인해 공급부(122)의 초순수가 다수개의 세정 노즐(112, 114, 116)에 각각 공급된다. 이때 세정 배쓰(102)내 웨이퍼 척에 안착된 웨이퍼(110)는 일정 속도로 회전되는 상태이다.In the cleaning operation, the first to third valves 120a, 120b, and 120c are turned on by the control of the controller 132. As a result, ultrapure water from the supply unit 122 is supplied to the plurality of cleaning nozzles 112, 114, and 116, respectively. At this time, the wafer 110 seated on the wafer chuck in the cleaning bath 102 is rotated at a constant speed.

웨이퍼(110) 상부면의 중앙 부분에 위치한 제 3세정 노즐(116)은 해당 노즐의 공급관 직경 크기가 제일 크기 때문에 해당 세정 노즐(116)을 통해 회전되는 웨이퍼(110)의 중앙 부분에 초순수가 제일 빠른 유속과 많은 양으로 분사된다. 그리고 웨이퍼(110) 상부면의 외곽 에지와 중앙 부분의 중간에 위치한 제 2세정 노즐(114)은 해당 노즐의 공급관 직경 크기가 중간이기 때문에 해당 세정 노즐(114)을 통해 회전되는 웨이퍼(110)의 외곽 에지와 중앙 부분의 중간에 초순수가 중간 유속 및 양으로 분사된다. 또한 웨이퍼(110) 상부면의 외곽 부분에 위치한 제 1세정 노즐(112)은 해당 노즐의 공급관 직경이 제일 작기 때문에 해당 세정 노즐(112)을 통해 회전되는 웨이퍼(110)의 외곽 부분에 초순수가 제일 느린 유속과 적은 양으로 분사된다.Since the third cleaning nozzle 116 located at the center portion of the upper surface of the wafer 110 has the largest supply pipe diameter size, ultrapure water is best at the center portion of the wafer 110 rotated through the cleaning nozzle 116. It is sprayed with high flow rate and large quantity In addition, the second cleaning nozzle 114 positioned in the middle of the outer edge of the upper surface of the wafer 110 and the central portion of the wafer 110 rotates through the cleaning nozzle 114 because the diameter of the supply pipe of the nozzle is medium. Ultrapure water is injected at medium flow rates and in the middle between the outer edge and the central part. In addition, since the first cleaning nozzle 112 located at the outer portion of the upper surface of the wafer 110 has the smallest supply pipe diameter, ultrapure water is best at the outer portion of the wafer 110 rotated through the cleaning nozzle 112. Sprayed at low flow rates and low volume.

이렇게 웨이퍼(110) 상부면의 서로 다른 위치에 있는 다수개의 세정 노즐(112, 114, 116)에 의해 서로 다른 양과 유속으로 초순수를 회전하는 웨이퍼(110)에 분사하기 때문에 웨이퍼(110) 바깥쪽에서 중앙 부분으로 갈수록 초순수 공급량을 많이 그리고 빠른 유속으로 분사하여 웨이퍼(110)에 부착된 불필요한 물질 또는 오염 물질 등을 웨이퍼 에지쪽으로 쉽게 제거시킨다.In this way, the plurality of cleaning nozzles 112, 114, and 116 located at different positions on the upper surface of the wafer 110 are sprayed onto the wafer 110 to rotate the ultrapure water at different amounts and flow rates, so that the center of the wafer 110 is outside from the center. Ultra-pure water is injected into the portion at a higher and higher flow rate to easily remove unnecessary substances or contaminants attached to the wafer 110 toward the wafer edge.

본 발명의 웨이퍼 세정 장치(100)는 웨이퍼(110)에 부착된 불필요한 물질 또는 오염 물질을 빠르고 쉽게 제거하기 위하여 웨이퍼(110) 중앙 부분에 설치된 제 3세정 노즐(116)의 초순수 유속을 제일 빠르게, 웨이퍼(110) 외곽 부분에 설치된 제 1세정 노즐(112)의 초순수 유속을 제일 느리게 하였으나, 각 세정 노즐(112, 114, 116)의 밸브(120a, 120b, 120c)의 온/오프 비율(open/close rate)(예를 들어 70% 온, 50% 온, 100% 온)을 조정하여 각 세정 노즐로 공급되는 초순수 공급량을 조정하여 초순수 유속을 동일하거나 다르게 제어할 수도 있다.In the wafer cleaning apparatus 100 of the present invention, the ultrapure water flow rate of the third cleaning nozzle 116 installed at the center portion of the wafer 110 in order to quickly and easily remove unnecessary substances or contaminants attached to the wafer 110 is the fastest. Although the ultrapure water flow rate of the first cleaning nozzle 112 provided at the outer portion of the wafer 110 was the slowest, the on / off ratio of the valves 120a, 120b, and 120c of each of the cleaning nozzles 112, 114, and 116 (open / The ultrapure water flow rate may be controlled to be the same or different by adjusting the close rate (for example, 70% on, 50% on, 100% on) to adjust the amount of ultrapure water supplied to each cleaning nozzle.

한편, 본 발명의 웨이퍼 세정 장치(100)는 감지부(130)를 통해 제 1 내지 제 3밸브(120a, 120b, 120c)를 통해 공급되는 초순수 양을 감지하며 감지 센서(130)에서 감지된 초순수 공급량이 기설정된 값을 벗어날 경우 상기 제 1 내지 제 3밸브 (120a, 120b, 120c)의 온/오프 작동을 제어할 수도 있다.Meanwhile, the wafer cleaning apparatus 100 of the present invention detects the amount of ultrapure water supplied through the first to third valves 120a, 120b, and 120c through the sensing unit 130, and detects the ultrapure water detected by the sensing sensor 130. When the supply amount is out of a predetermined value, it is possible to control the on / off operation of the first to third valve (120a, 120b, 120c).

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼 중앙 부분에서 외곽 부분에 각각 서로 다른 유속과 양으로 초순수를 분사하는 다수개의 세정 노즐을 구비함으로써 짧은 시간안에 빠르게 웨이퍼에 부착된 불필요한 물질 또는 오염 물질을 제거하여 세정 효과를 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention includes a plurality of cleaning nozzles for spraying ultrapure water at different flow rates and amounts from the center portion of the wafer to the outer portion, thereby removing unnecessary or contaminants quickly adhered to the wafer in a short time. The effect can be improved.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

Claims (4)

웨이퍼 상에 초순수를 분사하는 노즐을 갖는 웨이퍼 세정 장치에 있어서,A wafer cleaning apparatus having a nozzle for injecting ultrapure water onto a wafer, 상기 웨이퍼의 중앙 부분에서의 거리가 각각 다르게 설치되어 서로 다른 유속과 양으로 초순수를 분사하기 위한 다수개의 세정 노즐과,A plurality of cleaning nozzles for dispensing ultrapure water at different flow rates and amounts at different distances from the center portion of the wafer, 상기 다수개의 세정 노즐에 상기 초순수를 공급하는 각각의 공급관에 설치된 다수개의 밸브와,A plurality of valves provided in each supply pipe for supplying the ultrapure water to the plurality of cleaning nozzles; 상기 밸브의 온/오프를 제어하여 상기 다수개의 세정 노즐을 통해 분사되는 초순수량을 제어하는 제어부Control unit for controlling the on / off of the valve to control the amount of ultrapure water sprayed through the plurality of cleaning nozzles 를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.Wafer cleaning apparatus comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 다수개의 세정 노즐에서 상기 웨이퍼의 중앙 부분에서의 거리를 다르게 하기 위하여 각각의 노즐 공급관의 길이를 다르게 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.2. The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the length of each nozzle supply pipe is differently formed so as to vary a distance from the central portion of the wafer in the plurality of cleaning nozzles. 제 1항에 있어서, 상기 다수개의 세정 노즐에서 상기 웨이퍼의 중앙 부분에서 가까울수록 노즐 공급관의 직경이 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the diameter of the nozzle supply pipe is larger as the plurality of cleaning nozzles are closer to the center portion of the wafer. 제 1항에 있어서, 상기 다수개의 밸브를 통해 공급되는 초순수 양을 감지하는 감지부를 더 포함하며 상기 제어부는 상기 감지부에서 감지된 값에 따라 상기 다수개의 밸브의 온/오프를 제어하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.The method of claim 1, further comprising a sensing unit for sensing the amount of ultrapure water supplied through the plurality of valves, wherein the control unit controls the on / off of the plurality of valves in accordance with the value detected by the sensing unit. Wafer cleaning apparatus.
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