KR20060066952A - Ic chip having embedded bump and chip stack structure using the same - Google Patents

Ic chip having embedded bump and chip stack structure using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20060066952A
KR20060066952A KR1020040105615A KR20040105615A KR20060066952A KR 20060066952 A KR20060066952 A KR 20060066952A KR 1020040105615 A KR1020040105615 A KR 1020040105615A KR 20040105615 A KR20040105615 A KR 20040105615A KR 20060066952 A KR20060066952 A KR 20060066952A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
bump
integrated circuit
recess
stack structure
Prior art date
Application number
KR1020040105615A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
민성환
정기권
정세영
송은석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040105615A priority Critical patent/KR20060066952A/en
Publication of KR20060066952A publication Critical patent/KR20060066952A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/074Stacked arrangements of non-apertured devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 범프 내장형 집적회로 칩 및 이를 이용한 칩 적층 구조에 관한 것이다. 범프 내장형 칩은 소정의 회로가 형성되는 회로면과, 회로면의 반대 면에 형성되는 오목부와, 오목부 안에 내장되는 다수의 전도성 범프를 포함한다. 칩 적층 구조는 제1 칩의 회로면과 제2 칩의 범프 사이의 접합에 의하여 이루어진다. 제1 칩의 회로면에는 돌출부가 형성될 수 있고, 돌출부가 제2 칩의 오목부 안에 삽입될 수 있다. 오목부 안에 범프를 배치하는 내장형 범프 구조는 외부의 기계적 충격으로부터 범프를 보호할 수 있으므로 범프 크기 축소가 가능하며, 범프 두께를 칩 안으로 흡수하여 칩 적층 구조를 박형화하고 적층 칩의 개수를 증가시킬 수 있다.The present invention relates to a bump embedded integrated circuit chip and a chip stack structure using the same. The bump embedded chip includes a circuit surface on which a predetermined circuit is formed, a recess formed on an opposite surface of the circuit surface, and a plurality of conductive bumps embedded in the recess. The chip stack structure is formed by the junction between the circuit surface of the first chip and the bump of the second chip. A protrusion may be formed on the circuit surface of the first chip, and the protrusion may be inserted into the recess of the second chip. The built-in bump structure, which places bumps in the recess, protects the bumps from external mechanical shocks, reducing bump size, absorbing bump thickness into the chip, making the chip stack structure thin and increasing the number of stacked chips. have.

칩 적층 구조, 내장형 범프, 웨이퍼 표면 가공Chip Lamination, Embedded Bumps, Wafer Surface Machining

Description

범프 내장형 집적회로 칩 및 이를 이용한 칩 적층 구조 {IC chip having embedded bump and chip stack structure using the same}Integrated IC chip and chip stack structure using same {IC chip having embedded bump and chip stack structure using the same}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩의 개략적인 구조를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a schematic structure of a bump embedded integrated circuit chip according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩의 적층 구조를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a stacked structure of a bump embedded integrated circuit chip according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 종래 기술과 본 발명에 따른 칩 적층 구조를 비교하여 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view comparing a conventional chip stack structure with the present invention.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.4A through 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a bump-embedded integrated circuit chip according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩의 적층 구조를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a stacked structure of a bump embedded integrated circuit chip according to another exemplary embodiment of the present invention.

<도면에 사용된 참조 번호의 설명><Description of Reference Number Used in Drawing>

10, 10a, 10b, 40, 50, 60, 70: 범프 내장형 집적회로 칩10, 10a, 10b, 40, 50, 60, 70: integrated circuit chip with bump

11, 11a, 11b, 41, 51, 61, 71: 회로면11, 11a, 11b, 41, 51, 61, 71: circuit surface

12, 12a, 12b, 42, 52a, 52b, 62, 72: 전도성 범프12, 12a, 12b, 42, 52a, 52b, 62, 72: conductive bump

13, 13a, 13b, 43, 53, 73a, 73b: 오목부 13, 13a, 13b, 43, 53, 73a, 73b: recessed portion                 

14, 14a, 53a, 54, 64a, 64b: 돌출부14, 14a, 53a, 54, 64a, 64b: protrusions

20, 30, 80: 칩 적층 구조20, 30, 80: chip stack structure

21: 접착층21: adhesive layer

본 발명은 반도체 집적회로 소자의 적층 기술에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 전도성 범프를 이용한 칩 적층 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stacking technology for semiconductor integrated circuit devices, and more particularly, to a chip stacking technology using conductive bumps.

시스템의 고집적화를 위하여 전도성 범프, 특히 솔더 볼 범프(solder ball bump)를 이용하여 집적회로 칩을 적층하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 칩 적층 기술의 현안 중의 하나가 적층 구조의 박형화 문제와 범프 접합의 기계적 강도 문제이다. 이와 관련하여 집적회로 칩의 두께를 줄이는 후면 연마(back lapping) 기술, 전도성 범프의 크기를 줄이는 기술, 범프 접합의 강도를 향상시키는 기술 등에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.In order to achieve high integration of the system, researches for stacking integrated circuit chips using conductive bumps, particularly solder ball bumps, have been actively conducted. One of the issues in chip stacking technology is the problem of thinning of the laminated structure and the mechanical strength of bump bonding. In connection with this, researches on back lapping techniques for reducing the thickness of integrated circuit chips, techniques for reducing the size of conductive bumps, and techniques for improving the strength of bump junctions have been actively conducted.

종래의 칩 적층 기술은 웨이퍼의 후면을 연마하고 개별 칩으로 절단한 후, 솔더 볼 범프를 이용하여 상하 칩간 연결을 구현하는 것이다. 그런데 솔더 볼 범프는 기계적 강도 면에서 취약성을 안고 있기 때문에 외부로부터의 기계적 충격과 내부로부터의 균열로 인하여 자주 연결이 끊기는 문제가 발생하고 있다.The conventional chip stacking technique is to polish the back side of the wafer, cut it into individual chips, and then implement the interconnection between the upper and lower chips using solder ball bumps. However, since the solder ball bumps are vulnerable in terms of mechanical strength, they are frequently disconnected due to mechanical shocks from the outside and cracks from the inside.

이러한 문제를 해결하기 위하여 최근에는 범프 내부에 미세한 돌기들을 미리 형성함으로써 범프 접합 강도를 향상시키는 기술이 제안된 바 있다. 그러나 돌기의 크기가 범프에 비하여 상대적으로 매우 작기 때문에, 돌기를 내포하고 있는 범프는 강한 기계적 충격에 한계를 드러내고 있다. 또한, 이러한 기술은 범프 자체의 크기를 줄일 수 없다는 근본적인 단점이 있다.In order to solve this problem, recently, a technique for improving bump bond strength by forming fine protrusions inside the bumps in advance has been proposed. However, because the size of the protrusions is relatively small compared to the bumps, the bumps containing the protrusions show a limit to the strong mechanical impact. This technique also has a fundamental disadvantage of not being able to reduce the size of the bump itself.

이와 같이 종래의 칩 적층 구조는 박형화를 실현하기 위하여 범프 크기의 축소를 필요로 하고 있지만, 범프 접합 강도의 저하 때문에 범프 크기를 줄일 수 없다는 문제에 직면해 있다.As described above, the conventional chip stack structure requires a reduction in the bump size in order to realize a thinning, but faces a problem in that the bump size cannot be reduced due to the decrease in the bump bonding strength.

따라서 본 발명의 목적은 전도성 범프의 기계적 강도를 향상시키면서 동시에 전도성 범프의 크기를 축소할 수 있는 집적회로 칩 및 이를 이용한 칩 적층 구조를 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an integrated circuit chip and a chip stack structure using the same, which can reduce the size of the conductive bumps while improving the mechanical strength of the conductive bumps.

본 발명의 다른 목적은 칩 적층 구조 내에서 범프가 차지하는 두께를 최소화하여 전체 칩 적층 구조의 박형화를 실현하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to realize the thinning of the entire chip stack structure by minimizing the thickness of bumps in the chip stack structure.

본 발명의 또 다른 목적은 다양한 크기의 범프를 적용할 수 있고 다핀 구현에 적합한 칩 적층 구조를 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a chip stack structure capable of applying bumps of various sizes and suitable for multi-pin implementation.

이러한 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명은 범프 내장형 집적회로 칩과 이를 이용한 칩 적층 구조를 제공한다.In order to achieve these objects, the present invention provides a bump-embedded integrated circuit chip and a chip stack structure using the same.

본 발명에 따른 범프 내장형 집적회로 칩은, 소정의 회로가 형성되는 회로면과, 상기 회로면의 반대 면에 소정의 깊이로 형성되는 오목부와, 상기 오목부 안에 형성되는 다수의 전도성 범프를 포함한다. An integrated circuit chip with a bump according to the present invention includes a circuit surface on which a predetermined circuit is formed, a recess formed at a predetermined depth on an opposite surface of the circuit surface, and a plurality of conductive bumps formed in the recess. do.                     

본 발명에 따른 칩 적층 구조는, 제1 집적회로 칩 위에 제2 집적회로 칩이 적층되며, 각각의 상기 집적회로 칩은, 소정의 회로가 형성되는 회로면과, 상기 회로면의 반대 면에 소정의 깊이로 형성되는 오목부와, 상기 오목부 안에 형성되는 다수의 전도성 범프를 포함하며, 상기 제1 집적회로 칩의 상기 회로면과 상기 제2 집적회로 칩의 상기 전도성 범프가 접합되는 것을 특징으로 한다.In the chip stack structure according to the present invention, a second integrated circuit chip is stacked on a first integrated circuit chip, and each of the integrated circuit chips includes a circuit surface on which a predetermined circuit is formed and a surface opposite to the circuit surface. And a plurality of conductive bumps formed in the concave portion, wherein the concave portion is formed to a depth of the concave portion, wherein the circuit surface of the first integrated circuit chip and the conductive bump of the second integrated circuit chip are bonded to each other. do.

본 발명에 따른 칩 적층 구조에 있어서, 상기 제1 집적회로 칩은 상기 회로면에 형성되는 돌출부를 더 포함할 수 있으며, 상기 돌출부가 상기 제2 집적회로 칩의 상기 오목부 안에 삽입될 수 있다.In the chip stack structure according to the present invention, the first integrated circuit chip may further include a protrusion formed on the circuit surface, and the protrusion may be inserted into the recess of the second integrated circuit chip.

또한, 본 발명에 따른 칩 적층 구조는, 제1 집적회로 칩 위에 제2 집적회로 칩이 적층되며, 각각의 상기 집적회로 칩은, 소정의 회로가 형성되는 회로면과, 상기 회로면의 반대 면에 형성되는 다수의 전도성 범프를 포함하며, 상기 제1 집적회로 칩은, 상기 회로면에 형성되는 제1 오목부와, 상기 전도성 범프가 형성되는 제2 오목부를 더 포함하고, 상기 제2 집적회로 칩은, 상기 전도성 범프가 형성되는 돌출부를 더 포함하며, 상기 제2 집적회로 칩의 상기 돌출부가 상기 제1 집적회로 칩의 상기 제1 오목부 안에 삽입되고, 상기 제2 집적회로 칩의 상기 전도성 범프와 상기 제1 집적회로 칩의 상기 회로면이 접합되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the chip stack structure according to the present invention, a second integrated circuit chip is stacked on a first integrated circuit chip, and each of the integrated circuit chips has a circuit surface on which a predetermined circuit is formed and an opposite surface to the circuit surface. And a plurality of conductive bumps formed in the first integrated circuit chip, the first integrated circuit chip further comprising a first recess formed in the circuit surface, and a second recess formed in the conductive bumps. The chip further includes a protrusion in which the conductive bump is formed, the protrusion of the second integrated circuit chip is inserted into the first recess of the first integrated circuit chip, and the conductive of the second integrated circuit chip is formed. A bump and the circuit surface of the first integrated circuit chip are bonded.

실시예Example

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 보다 명확히 전달하기 위함이다.In describing the embodiments, descriptions of technical contents which are well known in the technical field to which the present invention belongs and are not directly related to the present invention will be omitted. This is to more clearly communicate without obscure the subject matter of the present invention by omitting unnecessary description.

마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. 각 도면에서 동일한 또는 대응하는 구성요소에는 동일한 참조 번호를 부여하였다.For the same reason, some components in the accompanying drawings are exaggerated, omitted, or schematically illustrated, and the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same or corresponding components in each drawing are given the same reference numerals.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩(10)의 개략적인 구조를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a schematic structure of a bump embedded integrated circuit chip 10 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 집적회로 칩(10)은 회로가 형성되는 회로면(11)과, 범프(12)가 내장되는 오목부(13)를 포함한다. 집적회로 칩(10)은 웨이퍼 상태이거나 또는 웨이퍼로부터 분리된 개별 칩 상태이다. 회로면(11)은 일반적인 웨이퍼 제조 공정을 통하여 형성된 회로 설계면을 의미한다. 회로면(11)은 편평한 표면으로 이루어질 수도 있지만, 칩 적층 구조에 사용되는 경우에는 적절한 돌출부(14)를 가지거나, 또는 다른 실시예에서 보여지듯이 오목부를 가질 수도 있다.Referring to FIG. 1, the integrated circuit chip 10 of the present exemplary embodiment includes a circuit surface 11 on which a circuit is formed, and a recess 13 in which bumps 12 are embedded. The integrated circuit chip 10 may be in a wafer state or in an individual chip state separated from the wafer. The circuit surface 11 means a circuit design surface formed through a general wafer manufacturing process. The circuit surface 11 may be of a flat surface, but when used in a chip stack structure, it may have a suitable protrusion 14, or may have a recess, as shown in other embodiments.

범프(12)는 솔더(solder) 또는 금(Au), 니켈(Ni) 등의 전도성 물질로 형성된다. 범프(12)는 오목부(13) 안에 배치되며, 오목부(13)의 깊이보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 본 명세서에서는 이와 같은 범프(12)의 배치 구조를 내장형 범프 구조라 칭하고, 내장형 범프 구조를 가지는 집적회로 칩(10)을 범프 내장형 집적회로 칩이라 칭한다. 오목부(13)는 회로면(11)의 반대 면에 소정의 깊이로 형성된 부위 를 가리킨다. 오목부(13)의 위치, 형태, 크기는 특정되지 않으며 칩 적층 구조에 따라 달라질 수 있다.The bump 12 is formed of solder or a conductive material such as gold (Au) or nickel (Ni). The bump 12 is disposed in the recess 13 and may be formed to a size smaller than the depth of the recess 13. In the present specification, such an arrangement structure of the bump 12 is referred to as an embedded bump structure, and the integrated circuit chip 10 having the embedded bump structure is referred to as a bump embedded integrated circuit chip. The recessed part 13 points to the site | part formed in the predetermined | prescribed depth on the opposite surface of the circuit surface 11. The position, shape, and size of the recess 13 are not specified and may vary depending on the chip stack structure.

이와 같이 오목부(13) 안에 범프(12)를 배치한 내장형 범프 구조는 외부에서 가해지는 기계적 충격으로부터 범프(12)를 효과적으로 보호할 수 있다. 따라서 범프(12)의 기계적 강도가 향상되므로 범프(12)의 크기를 축소할 수 있다. 아울러, 내장형 범프 구조는 범프(12)가 차지하는 두께를 칩(10) 안으로 흡수할 수 있다. 따라서 범프(12)가 형성된 칩(10) 전체 두께의 감소 효과를 거둘 수 있으며, 이러한 효과는 이후 설명하는 칩 적층 구조에서 더욱 두드러진다. 또한, 내장형 범프 구조는 범프(12)의 크기를 줄일 수 있으므로 다핀 구현에 적합하며, 다양한 크기의 범프(12)를 형성할 수 있다.In this way, the built-in bump structure in which the bump 12 is disposed in the recess 13 can effectively protect the bump 12 from an external mechanical impact. Therefore, since the mechanical strength of the bump 12 is improved, the size of the bump 12 can be reduced. In addition, the built-in bump structure may absorb the thickness occupied by the bump 12 into the chip 10. Therefore, it is possible to reduce the overall thickness of the chip 10 in which the bumps 12 are formed, and this effect is more prominent in the chip stack structure described later. In addition, since the built-in bump structure can reduce the size of the bump 12, it is suitable for implementing a multi-pin, and can form bumps 12 of various sizes.

이와 같은 구성을 가지는 범프 내장형 집적회로 칩(10)은 칩 적층 구조에 사용된다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩(10a, 10b)의 적층 구조(20)를 나타내는 단면도이다.The bump embedded integrated circuit chip 10 having such a configuration is used for a chip stack structure. 2 is a cross-sectional view illustrating a stacked structure 20 of bump-embedded integrated circuit chips 10a and 10b according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 두 개의 범프 내장형 집적회로 칩(10a, 10b)을 사용한 칩 적층 구조(20)가 예시되어 있다. 하부 칩(10a)과 상부 칩(10b)은 각각 회로가 형성되는 회로면(11a, 11b)과, 범프(12a, 12b)가 내장되는 오목부(13a, 13b)를 포함한다. 하부 칩(10a)의 회로면(11a)은 돌출부(14a)를 가지며, 상부 칩(10b)의 회로면(11b)은 돌출부 없이 편평한 표면으로 이루어진다.Referring to FIG. 2, a chip stack structure 20 using two bump embedded integrated circuit chips 10a and 10b is illustrated. The lower chip 10a and the upper chip 10b each include circuit surfaces 11a and 11b in which circuits are formed, and recesses 13a and 13b in which bumps 12a and 12b are embedded. The circuit surface 11a of the lower chip 10a has a protrusion 14a, and the circuit surface 11b of the upper chip 10b is a flat surface without the protrusion.

또한, 하부 칩(10a)의 범프(12a)는 오목부(13a)의 깊이보다 다소 크기가 큰 반면, 상부 칩(10b)의 범프(12b)는 오목부(13b)의 깊이보다 다소 크기가 작다. 하 부 칩(10a)의 범프(12a) 크기가 큰 이유는 칩 적층 구조(20)가 외부 기판(도시되지 않음) 등에 실장될 때 최종 단자 역할을 하기 때문이다. 반면에 상부 칩(10b)의 범프(12b) 크기는 하부 칩(10a)의 돌출부(14a)가 상부 칩(10b)의 오목부(13b) 안으로 삽입되기 때문에 오목부(13b)의 깊이보다 작게 형성할 수 있다.Further, the bump 12a of the lower chip 10a is somewhat larger than the depth of the recess 13a, while the bump 12b of the upper chip 10b is somewhat smaller than the depth of the recess 13b. . The reason why the bump 12a of the lower chip 10a is large is that the chip stack structure 20 serves as a final terminal when the chip stack structure 20 is mounted on an external substrate (not shown). On the other hand, the bump 12b size of the upper chip 10b is smaller than the depth of the recess 13b because the protrusion 14a of the lower chip 10a is inserted into the recess 13b of the upper chip 10b. can do.

이와 같이 하부 칩(10a)과 상부 칩(10b)의 적층은 하부 칩(10a)의 돌출부(14a)가 상부 칩(10b)의 오목부(13b) 안에 삽입되는 형태로 이루어진다. 상부 칩(10b)의 범프(12b)는 하부 칩(10a)의 회로면(11a)에 직접 접합되고, 상부 칩(10b)의 오목부(13b) 바깥쪽의 밑면은 하부 칩(10a)의 회로면(11a)에 접착층(21)을 통하여 접착된다.As described above, the lower chip 10a and the upper chip 10b are stacked in such a manner that the protrusion 14a of the lower chip 10a is inserted into the recess 13b of the upper chip 10b. The bump 12b of the upper chip 10b is directly bonded to the circuit surface 11a of the lower chip 10a, and the bottom surface outside the recess 13b of the upper chip 10b is the circuit of the lower chip 10a. It adhere | attaches on the surface 11a through the adhesive layer 21.

본 실시예의 칩 적층 구조(20)는 각 칩(10a, 10b)의 범프(12a, 12b)가 오목부(13a, 13b) 안에 내장될 뿐만 아니라, 하부 칩(10a)의 돌출부(14a)가 상부 칩(10b)의 오목부(13b) 안에 삽입되기 때문에, 칩 적층 구조(20) 전체의 두께가 대폭 감소된다. 따라서 본 발명은 박형화된 칩 적층 구조(20)를 실현할 수 있으며, 칩 적층 구조(20)를 이루는 적층 칩(10a, 10b)의 개수를 증가시킬 수 있다.In the chip stack structure 20 according to the present embodiment, bumps 12a and 12b of the respective chips 10a and 10b are not only embedded in the recesses 13a and 13b, but also the protrusions 14a of the lower chip 10a are upper part. Since the chip 10b is inserted into the recess 13b of the chip 10b, the thickness of the entire chip stack structure 20 is greatly reduced. Accordingly, the present invention can realize a thin chip stack structure 20 and increase the number of stacked chips 10a and 10b constituting the chip stack structure 20.

이를 보여주기 위하여 도 3을 예시하였다. 도 3은 종래 기술과 본 발명에 따른 칩 적층 구조(30, 20)를 비교하여 나타내는 단면도이다.To illustrate this, FIG. 3 is illustrated. 3 is a cross-sectional view comparing the conventional chip stack structure 30 and 20 according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 칩 적층 구조(30)는 범프가 형성된 집적회로 칩(31)이 모두 4개 적층을 이루는 구조이다. 반면, 본 발명에 따른 칩 적층 구조(20)는 범프가 차지하는 두께를 범프 내장형 집적회로 칩(10)이 흡수하기 때문에, 종래 기술과 비교하여 절반 수준으로 개별 칩 두께를 줄일 수 있다. 따라서 본 발명의 칩 적층 구조(20)는 모두 8개의 칩(10)을 사용하여 종래 기술과 동일한 두께의 칩 적층 구조(20)를 구현할 수 있다.As shown in FIG. 3, the chip stack structure 30 according to the related art is a structure in which all four integrated circuit chips 31 having bumps are stacked. On the other hand, in the chip stack structure 20 according to the present invention, since the bump-embedded integrated circuit chip 10 absorbs the thickness occupied by the bumps, the individual chip thicknesses can be reduced by half as compared with the conventional technology. Therefore, the chip stack structure 20 of the present invention can implement the chip stack structure 20 having the same thickness as the prior art by using all eight chips 10.

이어서 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩(10)의 제조 방법을 설명한다. 제조 방법에 대한 이하의 설명으로부터 범프 내장형 집적회로 칩(10)의 구조 또한 보다 명확해질 것이다. 도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩(10)의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.Next, a method of manufacturing the bump embedded integrated circuit chip 10 according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The structure of the bump embedded integrated circuit chip 10 will also be clearer from the following description of the manufacturing method. 4A through 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the bump-embedded integrated circuit chip 10 according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 상태의 집적회로 칩(10)을 준비한다. 집적회로 칩(10)은 제1 표면(15)과 제2 표면(16)을 포함하며, 아직 회로가 형성되지 않은 상태이다. 집적회로 칩(10)은 웨이퍼로부터 분리된 개별 칩 상태인 것을 사용할 수도 있으나, 웨이퍼 상태에서 제조 공정을 진행하는 것이 보다 바람직하다.First, as shown in FIG. 4A, an integrated circuit chip 10 in a wafer state is prepared. The integrated circuit chip 10 includes a first surface 15 and a second surface 16, with no circuit formed yet. The integrated circuit chip 10 may be in a separate chip state separated from the wafer, but it is more preferable to proceed with the manufacturing process in the wafer state.

이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 집적회로 칩(10)의 제1 표면(15)을 소정의 패턴으로 가공하여 돌출부(14)를 형성한다. 제1 표면(15)의 가공 공정은 일반적인 표면 식각 기술을 이용하여 수행할 수 있다. 즉, 제1 표면(15)의 일부(15a)를 식각하여 제거함으로써 돌출부(14)를 형성할 수 있다. 돌출부(14) 패턴은 특정되지 않으며 칩 적층 구조에 따라 적절하게 선택될 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 4B, the first surface 15 of the integrated circuit chip 10 is processed into a predetermined pattern to form the protrusion 14. The machining process of the first surface 15 may be carried out using conventional surface etching techniques. That is, the protrusion 14 can be formed by etching away a portion 15a of the first surface 15. The protrusion 14 pattern is not specified and may be appropriately selected according to the chip stack structure.

이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 일반적인 웨이퍼 제조 공정을 진행하여 제1 표면(15)에 회로면(11)을 형성한다. 물론 집적회로 칩(10)의 회로는 칩 내부에 형성되며, 여기에서 회로면(11)은 일반적인 의미에서 회로 설계면을 의미한다. Next, as shown in FIG. 4C, a general wafer fabrication process is performed to form the circuit surface 11 on the first surface 15. Of course, the circuit of the integrated circuit chip 10 is formed inside the chip, where the circuit surface 11 means a circuit design surface in a general sense.                     

웨이퍼 제조 공정이 완료되면, 도 4d에 도시된 바와 같이, 집적회로 칩(10)의 제2 표면(16)을 소정으로 패턴으로 가공하여 오목부(13)를 형성한다. 제2 표면(16)의 가공 공정 또한 일반적인 표면 식각 기술을 이용하여 수행할 수 있으며, 제2 표면(16)의 일부(16a)를 식각하여 제거함으로써 오목부(13)를 형성할 수 있다. 오목부 패턴 역시 특정되지 않으며 칩 적층 구조에 따라 적절하게 선택될 수 있다.When the wafer fabrication process is complete, as shown in FIG. 4D, the second surface 16 of the integrated circuit chip 10 is processed into a pattern to form a recess 13. The machining process of the second surface 16 may also be carried out using a general surface etching technique, and the recess 13 may be formed by etching and removing a portion 16a of the second surface 16. The recess pattern is also not specified and may be appropriately selected according to the chip stack structure.

이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 오목부(13) 안에 다수의 전도성 범프(12)들을 형성한다. 범프(12)의 형성 공정은 잘 알려진 바와 같이 전해도금 등을 이용할 수 있다. 도면에 도시되지는 않았지만, 범프(12)를 형성하기 위하여 오목부(13) 안의 제2 표면(16a)에는 범프 패드와 같은 영역이 미리 형성되며, 범프 패드는 집적회로 칩(10)의 회로와 전기적으로 연결되어 있다. 전기적 연결 방법은 칩 내부를 관통하는 비아(via) 또는 칩 표면을 따라 형성되는 재배선(rerouting) 등의 기존 기술을 이용할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 4E, a plurality of conductive bumps 12 are formed in the recess 13. As the bump 12 may be formed, electroplating or the like may be used as is well known. Although not shown in the drawing, an area, such as a bump pad, is formed in advance on the second surface 16a in the recess 13 to form the bump 12, and the bump pad is formed with the circuit of the integrated circuit chip 10. It is electrically connected. The electrical connection method may use existing techniques such as vias penetrating the inside of the chip or rerouting formed along the chip surface.

이상 설명한 본 발명의 범프 내장형 집적회로 칩의 적층 구조는 여러 가지의 다양한 양상을 가질 수 있다. 도 5는 그러한 예 중의 하나로, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 범프 내장형 집적회로 칩의 적층 구조(80)를 나타내는 단면도이다.The stacked structure of the bump embedded integrated circuit chip of the present invention described above may have various aspects. 5 is one such example, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a stacked structure 80 of a bump embedded integrated circuit chip according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 실시예의 칩 적층 구조(80)는 모두 4개의 적층 칩(40, 50, 60, 70)으로 이루어진다. 각각의 적층 칩(40, 50, 60, 70)은 조금씩 서로 다른 형태를 가지고 있지만, 본 발명에서 제안하는 범프 내장 기술을 이용한다는 점에서는 모두 동일하다. Referring to FIG. 5, the chip stack structure 80 of the present embodiment includes four stacked chips 40, 50, 60, and 70. Each of the stacked chips 40, 50, 60, and 70 has a slightly different form, but they are all the same in terms of using the bump embedded technology proposed in the present invention.                     

먼저, 맨 위쪽에 위치한 제1 칩(40)은 편평한 표면으로 이루어지는 회로면(41)과, 범프(42)가 내장되는 오목부(43)를 포함한다. 범프(42)는 오목부(43)의 깊이보다 다소 크기가 작으며, 모두 균일한 크기를 가지고 있다.First, the first chip 40 located at the top includes a circuit surface 41 formed of a flat surface and a recess 43 in which the bumps 42 are embedded. The bumps 42 are somewhat smaller in size than the depths of the recesses 43 and all have a uniform size.

제1 칩(40)의 바로 아래쪽에 위치한 제2 칩(50)은 회로면(51)에 형성된 돌출부(54)와, 범프(52a, 52b)가 내장되는 오목부(53)를 포함한다. 제2 칩(50)의 돌출부(54) 위쪽의 회로면(51)은 제1 칩(40)의 범프(42)와 접합되며, 돌출부(54) 바깥쪽은 접착제(21)를 통하여 제1 칩(40)의 밑면에 접착된다.The second chip 50 located directly below the first chip 40 includes a protrusion 54 formed in the circuit surface 51 and a recess 53 in which bumps 52a and 52b are embedded. The circuit surface 51 above the protrusion 54 of the second chip 50 is joined to the bump 42 of the first chip 40, and the outside of the protrusion 54 is connected to the first chip through the adhesive 21. It is adhered to the bottom of the 40.

제2 칩(50)의 오목부(53)는 일부 영역에서 미세하게 돌출된 돌출부(53a)를 가진다. 따라서 제2 칩(50)의 오목부(53) 안에 내장된 범프(52a, 52b)는 서로 다른 크기를 가진다. 제2 칩(50)의 범프(52a, 52b)가 서로 다른 크기를 가지더라도 모두 오목부(53)의 깊이보다는 작은 크기를 가진다.The recess 53 of the second chip 50 has a protrusion 53a that protrudes in some areas. Therefore, the bumps 52a and 52b embedded in the recess 53 of the second chip 50 have different sizes. Even if the bumps 52a and 52b of the second chip 50 have different sizes, all of them have a size smaller than the depth of the recess 53.

제2 칩(50)의 바로 아래쪽에 위치한 제3 칩(60)은 회로면(61)에 형성된 제1 돌출부(64a)와, 범프(62)가 배치되는 제2 돌출부(64b)를 포함한다. 제3 칩(60)의 제1 돌출부(64a) 위쪽의 회로면(61)은 제2 칩(50)의 범프(52a, 52b)와 접합되며, 제1 돌출부(64a) 바깥쪽은 접착제(21)를 통하여 제2 칩(50)의 밑면에 접착된다.The third chip 60 located directly below the second chip 50 includes a first protrusion 64a formed on the circuit surface 61 and a second protrusion 64b on which the bump 62 is disposed. The circuit surface 61 above the first protrusion 64a of the third chip 60 is bonded to the bumps 52a and 52b of the second chip 50, and the outside of the first protrusion 64a is adhesive 21. ) Is adhered to the bottom surface of the second chip 50.

제3 칩(60)의 예에서 보듯이 본 발명의 칩 적층 구조에 쓰이는 집적회로 칩 자체는 반드시 범프를 내장하기 위한 오목부를 가져야 하는 것은 아니다. 대신에 이웃하는 집적회로 칩에 오목부를 형성함으로써 범프 내장 형태를 유지할 수 있다.As shown in the example of the third chip 60, the integrated circuit chip itself used in the chip stack structure of the present invention does not necessarily have a recess for embedding bumps. Instead, it is possible to maintain a bump embedded form by forming recesses in neighboring integrated circuit chips.

제3 칩(60)의 바로 아래쪽에 위치한 제4 칩(70)은 회로면(71)에 형성된 제1 오목부(73b)와, 범프(72)가 배치되는 제2 오목부(73a)를 포함한다. 제4 칩(70)의 제1 오목부(73b)는 제3 칩(60)의 제2 돌출부(64b)를 수용하며, 제1 오목부(73b) 위쪽의 회로면(71)이 제3 칩(60)의 범프(62)와 접합된다. 제1 오목부(73b) 바깥쪽은 접착제(21)를 통하여 제3 칩(60)의 밑면에 접착된다.The fourth chip 70 located directly below the third chip 60 includes a first recess 73b formed in the circuit surface 71 and a second recess 73a in which the bumps 72 are disposed. do. The first recess 73b of the fourth chip 70 accommodates the second protrusion 64b of the third chip 60, and the circuit surface 71 above the first recess 73b is the third chip. It is joined with the bump 62 of 60. The outer side of the first recess 73b is attached to the bottom surface of the third chip 60 through the adhesive 21.

맨 아래쪽에 위치한 제4 칩(70)의 범프(72)는 칩 적층 구조(80)가 외부 기판(도시되지 않음) 등에 실장될 때 최종 단자 역할을 하므로, 제2 오목부(73a)의 깊이보다 다소 큰 크기로 형성하는 것이 바람직하다.The bump 72 of the fourth chip 70 located at the bottom serves as a final terminal when the chip stack structure 80 is mounted on an external substrate (not shown) or the like, so that the depth of the second recess 73a is greater than the depth of the second recess 73a. It is desirable to form a rather large size.

이상 설명한 실시예에서 알 수 있듯이, 본 발명의 칩 적층 구조는 범프를 내장하는 오목부가 어느 칩에 형성되는지가 중요한 것은 아니다. 단지 결과적으로 적층 구조 내에서 오목부 안에 범프가 수용되는 형태이기만 하면 충분하다.As can be seen from the embodiment described above, in the chip stack structure of the present invention, it is not important on which chip the recesses incorporating the bumps are formed. It is only sufficient if the result is that the bumps are accommodated in the recesses in the laminated structure.

지금까지 실시예를 통하여 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 범프 내장형 칩을 이용한 칩 적층 구조는 웨이퍼 표면 가공과 범프 내장을 이용함으로써 다음과 같은 여러 가지 효과를 기대할 수 있다.As described through the embodiments up to now, the chip stack structure using the bump embedded chip according to the present invention can expect various effects as follows by using wafer surface processing and bump embedded.

첫째, 오목부 안에 범프를 배치하는 내장형 범프 구조는 외부에서 가해지는 기계적 충격으로부터 범프를 효과적으로 보호할 수 있다. 따라서 범프의 기계적 강도가 향상되므로 범프의 크기를 대폭 축소할 수 있다.First, the built-in bump structure, which places the bumps in the recesses, can effectively protect the bumps from external mechanical impacts. Therefore, the mechanical strength of the bumps is improved, so that the size of the bumps can be greatly reduced.

둘째, 내장형 범프 구조는 범프가 차지하는 두께를 칩 안으로 흡수할 수 있다. 따라서 범프가 형성된 칩 전체의 두께를 줄일 수 있으며, 나아가 칩 적층 구조 전체의 두께를 대폭 감소시킬 수 있다. 따라서 칩 적층 구조를 박형화할 수 있고, 적층 칩의 개수를 증가시킬 수 있다. Second, the built-in bump structure can absorb the thickness occupied by the bump into the chip. Therefore, the entire thickness of the chip on which the bumps are formed can be reduced, and the thickness of the entire chip stack structure can be greatly reduced. Therefore, the chip stack structure can be reduced, and the number of stacked chips can be increased.                     

셋째, 내장형 범프 구조는 범프의 크기를 줄일 수 있으므로 다핀 구현에 적합하다.Third, the built-in bump structure can reduce the size of the bumps, which makes it suitable for multi-pin implementation.

넷째, 표면 가공을 이용하여 여러 형태의 오목부 또는 돌출부를 형성할 수 있으므로 다양한 크기의 범프를 적용할 수 있다.Fourth, since various types of recesses or protrusions can be formed using surface processing, bumps of various sizes can be applied.

본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.In the present specification and drawings, preferred embodiments of the present invention have been disclosed, and although specific terms have been used, these are merely used in a general sense to easily explain the technical contents of the present invention and to help the understanding of the present invention. It is not intended to limit the scope. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be carried out in addition to the embodiments disclosed herein.

Claims (4)

소정의 회로가 형성되는 회로면과, 상기 회로면의 반대 면에 소정의 깊이로 형성되는 오목부와, 상기 오목부 안에 형성되는 다수의 전도성 범프를 포함하는 범프 내장형 집적회로 칩.A bump embedded integrated circuit chip comprising a circuit surface on which a predetermined circuit is formed, a recess formed in a predetermined depth on an opposite surface of the circuit surface, and a plurality of conductive bumps formed in the recess. 제1 집적회로 칩 위에 제2 집적회로 칩이 적층되는 칩 적층 구조에 있어서,In a chip stack structure in which a second integrated circuit chip is stacked on a first integrated circuit chip, 각각의 상기 집적회로 칩은, 소정의 회로가 형성되는 회로면과, 상기 회로면의 반대 면에 소정의 깊이로 형성되는 오목부와, 상기 오목부 안에 형성되는 다수의 전도성 범프를 포함하며,Each of the integrated circuit chips includes a circuit surface on which a predetermined circuit is formed, a recess formed at a predetermined depth on an opposite surface of the circuit surface, and a plurality of conductive bumps formed in the recess, 상기 제1 집적회로 칩의 상기 회로면과 상기 제2 집적회로 칩의 상기 전도성 범프가 접합되는 것을 특징으로 하는 칩 적층 구조.And the circuit surface of the first integrated circuit chip and the conductive bump of the second integrated circuit chip are bonded. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 집적회로 칩은 상기 회로면에 형성되는 돌출부를 더 포함하며, 상기 돌출부가 상기 제2 집적회로 칩의 상기 오목부 안에 삽입되는 것을 특징으로 하는 칩 적층 구조.And the first integrated circuit chip further includes a protrusion formed on the circuit surface, wherein the protrusion is inserted into the recess of the second integrated circuit chip. 제1 집적회로 칩 위에 제2 집적회로 칩이 적층되는 칩 적층 구조에 있어서,In a chip stack structure in which a second integrated circuit chip is stacked on a first integrated circuit chip, 각각의 상기 집적회로 칩은, 소정의 회로가 형성되는 회로면과, 상기 회로면 의 반대 면에 형성되는 다수의 전도성 범프를 포함하며,Each of the integrated circuit chips includes a circuit surface on which a predetermined circuit is formed and a plurality of conductive bumps formed on opposite surfaces of the circuit surface, 상기 제1 집적회로 칩은, 상기 회로면에 형성되는 제1 오목부와, 상기 전도성 범프가 형성되는 제2 오목부를 더 포함하고,The first integrated circuit chip further includes a first recessed portion formed on the circuit surface, and a second recessed portion formed with the conductive bumps. 상기 제2 집적회로 칩은, 상기 전도성 범프가 형성되는 돌출부를 더 포함하며,The second integrated circuit chip further includes a protrusion on which the conductive bumps are formed. 상기 제2 집적회로 칩의 상기 돌출부가 상기 제1 집적회로 칩의 상기 제1 오목부 안에 삽입되고, 상기 제2 집적회로 칩의 상기 전도성 범프와 상기 제1 집적회로 칩의 상기 회로면이 접합되는 것을 특징으로 하는 칩 적층 구조.The protrusion of the second integrated circuit chip is inserted into the first recess of the first integrated circuit chip, and the conductive bump of the second integrated circuit chip and the circuit surface of the first integrated circuit chip are joined. Chip stack structure, characterized in that.
KR1020040105615A 2004-12-14 2004-12-14 Ic chip having embedded bump and chip stack structure using the same KR20060066952A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040105615A KR20060066952A (en) 2004-12-14 2004-12-14 Ic chip having embedded bump and chip stack structure using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040105615A KR20060066952A (en) 2004-12-14 2004-12-14 Ic chip having embedded bump and chip stack structure using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060066952A true KR20060066952A (en) 2006-06-19

Family

ID=37161610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040105615A KR20060066952A (en) 2004-12-14 2004-12-14 Ic chip having embedded bump and chip stack structure using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060066952A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106549009A (en) * 2015-09-17 2017-03-29 半导体元件工业有限责任公司 Stacked semiconductor device structure and preparation method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106549009A (en) * 2015-09-17 2017-03-29 半导体元件工业有限责任公司 Stacked semiconductor device structure and preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10483156B2 (en) Non-embedded silicon bridge chip for multi-chip module
US9685400B2 (en) Semiconductor package and method of forming the same
US6661085B2 (en) Barrier structure against corrosion and contamination in three-dimensional (3-D) wafer-to-wafer vertical stack
ES2812556T3 (en) Bridge interconnection with via silicon
US8022555B2 (en) Semiconductor package and method of forming the same
KR100497111B1 (en) WL CSP, stack package stacking the same and manufacturing method thereof
US8093711B2 (en) Semiconductor device
JP4409455B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
TWI389183B (en) Method and apparatus for stacking semiconductor chips
WO2010116694A2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
KR20010094894A (en) Semiconductor package and its manufacturing method
US20230253363A1 (en) Semiconductor package and a method for manufacturing the same
JP2003086762A (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2009026843A (en) Semiconductor device
JP5581064B2 (en) Semiconductor device
KR20210018843A (en) Semiconductor chip stack arrangement and semiconductor chips for manufacturing such semiconductor chip stack arrangement
KR20060066952A (en) Ic chip having embedded bump and chip stack structure using the same
KR100983471B1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101013560B1 (en) Stacked semiconductor package and method of manufacturing the same
KR100577015B1 (en) Stacked chip package of the semiconductor device and method for manufacturing thereof
KR20070081684A (en) Semiconductor chip and manufacturing method and mounting structure therof
JP2006108254A (en) Manufacturing methods of semiconductor chip and semiconductor device
KR20090113959A (en) Semiconductor package and wafer level fabrication method therefor
JP2005340483A (en) Semiconductor chip, semiconductor device, and manufacturing method thereof
KR20130068485A (en) Micro device having through silicon electrode, method of manufacturing the same and multi chip package having the same, and method of manufacturing the multi chip package

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination