KR20060064811A - 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents

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강신택
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Abstract

본 발명은, 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로서, 절연기판과; 상기 절연기판 위에 형성된 게이트 라인 및 이와 연결된 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성된 광차단 배선과; 상기 게이트 배선 및 광차단 배선을 덮는 게이트 절연막과; 상기 광차단 배선 상의 상기 게이트 절연막 위에 형성되며, 상기 게이트 라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 라인을 포함하는 데이터 배선과; 상기 화소영역에 각각 형성되며, 3원색의 안료를 포함한 감광성 유기물질로 만들어진 컬러필터를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 컬러필터를 포함하는 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 개구율을 감소시키지 않으면서 데이터 라인을 따라 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.

Description

박막 트랜지스터 기판{THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 개략적인 배치도,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면도,
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면도,
도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면도,
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 요부 단면도,
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 개략적인 배치도,
도 7은 컬러필터 간의 경계를 도시한 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 절연기판 22 : 게이트 라인
24 : 게이트 패드 26 : 게이트 전극
29 : 광차단 배선
30 : 게이트 절연막 62 : 데이터 라인
65 : 소스 전극 66 : 드레인 전극
68 : 데이터 패드 70 : 보호막
82 : 화소 전극
본 발명은, 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 컬러필터를 포함하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
박막 트랜지스터 기판은 주사 신호를 전달하는 주사 신호 배선 또는 게이트 배선과 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 게이트 배선을 덮어 절연하는 게이트 절연막 및 박막 트랜지스터와 데이터 배선을 덮어 절연하는 보호막 등으로 이루어져 있다.
박막 트랜지스터는 게이트 배선의 일부인 게이트 전극과 채널을 형성하는 반도체층, 데이터 배선의 일부인 소스 전극과 드레인 전극 및 게이트 절연막과 보호막 등으로 이루어진다. 박막 트랜지스터는 게이트 배선을 통하여 전달되는 주사 신호에 따라 데이터 배선을 통해 전달되는 화상 신호를 화소 전극에 전달 또는 차단하는 스위칭(Switching) 소자이다.
이러한 박막 트랜지스터 기판(Thin Film Transistor; TFT)은 액정 표시 장치(LCD; Liquid Crystal Display)나 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로써 사용된다.
여기서, 액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서 화소 전극이 형성된 박막 트랜지스터 기판 및 공통 전극이 형성된 대향 기판과 그 사이에 채워져 있는 액정층으로 이루어진다. 그리고, 화소 전극과 공통 전극 사이에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하여 화상을 표시하게 된다.
일반적으로 액정 표시 장치는 기판을 통과하는 빛에 색을 부여하기 위한 컬러필터가 대향 기판에 형성된다. 그러나, 제조공정을 단순화하여 생산비용을 줄이기 위해서 컬러필터를 박막 트랜지스터 기판에 형성하여 사용할 수도 있다. 이 경우에는 대향 기판에 블랙 매트릭스와 같은 구성을 생략할 수 있으며, 양 기판을 간단하게 정렬시킬 수 있는 장점이 있다.
이와 같이, 컬러필터를 박막 트랜지스터 기판에 형성하는 경우 박막 트랜지스터 기판의 게이트 라인과 데이터 라인이 불필요한 빛을 차단하고 컬러필터 사이를 구분하여 블랙 매트릭스와 같은 기능을 하게 된다.
하지만, 최하층에 형성된 게이트 라인과 달리 데이터 라인은 복수의 층간에 형성되어 데이터 라인을 따라 빛샘 현상이 발생되기 쉬우며, 이를 방지하기 위해 데이트 라인의 폭을 넓힐 경우 개구율이 나빠지는 문제점이 있다.
또한, 이러한 문제점은 4매 마스크를 사용한 제조공정에서 더욱 부각된다. 이는 4매 마스크를 이용한 제조공정의 특성상 완성된 데이터 라인의 폭이 초기 설계치보다 감소되기 때문이다.
따라서, 본 발명의 목적은, 컬러필터를 포함하는 박막 트랜지스터 기판에 있 어서, 개구율을 감소시키지 않으면서 데이터 라인을 따라 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서,
절연기판과; 상기 절연기판 위에 형성된 게이트 라인 및 이와 연결된 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성된 광차단 배선과; 상기 게이트 배선 및 광차단 배선을 덮는 게이트 절연막과; 상기 광차단 배선 상의 상기 게이트 절연막 위에 형성되며, 상기 게이트 라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 라인을 포함하는 데이터 배선과; 상기 화소영역에 각각 형성되며, 3원색의 안료를 포함한 감광성 유기물질로 만들어진 컬러필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 의해 달성된다.
여기서, 상기 광차단 배선은 상기 데이터 라인의 길이방향에 양측 단부와 중첩된 것이 바람직하다.
또한, 상기 광차단 배선은 한 쌍의 라인이 상기 데이터 라인의 길이방향에 양측 단부에 각각 중첩될 수도 있다.
그리고, 상기 광차단 배선은 상기 데이터 라인보다 큰 폭을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 유지용량을 보충하는 유지 전극 배선을 더 포함할 수도 있다.
여기서, 상기 광차단 배선은 상기 유지 전극 배선과 연결될 수도 있다.
그리고, 상기 게이트 절연막 위에 형성되며 상기 게이트 전극과 적어도 일부 가 중첩된 반도체층과, 상기 반도체층 위에 형성되며 상기 게이트 전극을 중심으로 분리되어 있는 저항성 접촉층을 더 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 데이터 배선은 상기 게이트 전극을 중심으로 분리되어 상기 저항성 접촉층 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하며, 상기 소스 전극은 상기 데이터 라인에 연결된 것이 바람직하다.
여기서, 상기 반도체층 및 상기 저항성 접촉층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 사이를 제외하고 동일한 패턴으로 형성되며, 상기 데이터 배선을 따라 그 아래에 형성된 것이 바람직하다.
그리고, 상기 컬러필터를 덮고 있으며, 평탄화되어 있는 보호막을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 3원색은 각각 청색, 녹색 및 적색이거나, 각각 청록색, 자홍색 및 노랑색일 수도 있다.
여기서, 상기 컬러필터는 상기 데이터 라인 상에서 적어도 일부가 서로 중첩될 수도 있다.
이에, 개구율을 감소시키지 않으면서 데이터 라인을 따라 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있게 된다.
이하에서 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 첨부도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 첨부도면에서는, 4매 마스크 공정으로 형성된 비정질 실리콘(a-Si) 박막 트랜지스터(TFT)가 사용되며, 컬러필터를 포함한 표시장치용 박막 트랜지스터 기판이 개략적으로 도시되어 있다.
또한, 설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
먼저, 도 1을 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대해 설명하면 다음과 같다.
절연기판(10) 상에 다수의 게이트 라인(22)과, 게이트 라인(22)과 나란하게 다수의 유지 전극 라인(28)이 형성된다. 그리고, 게이트 라인(22) 및 유지 전극 라인(28)과 동일한 층에 형성되며, 후술할 데이트 라인(62) 아래에 배치되도록 광차단 배선(29)이 형성된다.
게이트 라인(22)은 일부가 분기되어 게이트 전극(26)을 이루며, 게이트 라인(22)의 일단에는 게이트 패드(24)가 형성된다. 이러한 게이트 라인(22), 게이트 전극(26) 및 게이트 패드(24) 등을 모두 포함하여 게이트 배선이라 한다.
게이트 라인(22) 및 유지 전극 라인(28) 위에는 절연 교차되는 다수의 데이터 라인(62)이 형성된다. 또한, 데이터 라인(62)은 광차단 배선(29) 위에 형성된다. 데이터 라인(62), 데이터 라인(62)에서 분기된 소스 전극(65), 소스 전극(65)과 마주하는 드레인 전극(66) 및 데이터 라인(62)의 일단에 형성된 데이터 패드(68) 등을 모두 포함하여 데이터 배선이라 한다. 그리고, 유지 전극 라인(28)이 형성된 경우 데이터 배선과 같은 층에 유지 축전기용 도전체(64)가 형성된다.
그리고, 게이트 라인(22)과 데이터 라인(62)의 교차로 정의되는 영역에는 다수의 화소 전극(82)이 형성되고, 게이트 라인(22), 데이터 라인(62) 및 화소 전극(82)과 전기적으로 연결된 다수의 박막 트랜지스터가 형성된다.
또한, 적어도 게이트 라인(22)과 데이터 라인(62)의 교차로 정의되는 화소영역 상에 형성되는 컬러필터(96, 97, 98)를 포함한다. 이와 같이, 박막 트랜지스터 기판에 컬러필터가 형성되는 것을 COA(Color filter On Array) 방식이라 한다.
도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 Ⅱa-Ⅱa선 및 Ⅱb-Ⅱb선에 따른 단면도이다. 도 2a 및 도 2b를 참조 하여 박막 트랜지스터 기판에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 절연기판(10) 상에 게이트 배선(22, 24, 26), 유지 전극 라인(28) 및 광차단 배선(29)이 형성된다. 게이트 배선은 가로방향으로 뻗어있는 주사 신호선 또는 게이트 라인(22), 게이트 라인(22)의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터의 주사 신호를 인가받아 게이트 라인(22)으로 전달하는 게이트 패드(24) 및 게이트 라인(22)의 일부인 박막 트랜지스터의 게이트 전극(26)을 포함한다. 이러한 게이트 배선(22, 24, 26)은 각 금속 또는 합금의 단점을 보완하고 원하는 물성을 얻기 위해 다중층으로 형성될 수 있다. 일예로, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 하부층으로 사용하고 크롬, 몰리브덴, 몰리브덴-텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 나이트라이드를 상부층으로 사용하는 이중층으로 형성하는 것이다. 이는 하부층으로 배선저항에 의한 신호저항을 막기 위해 비저항이 작은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 사용하고, 상부층으로 화학약품에 의한 내식성이 약하며 쉽게 산화되어 단선이 발생되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 단점을 보완하기 위해 화학약품에 대한 내식성이 강한 크롬, 몰리브덴, 몰리브덴-텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 나이트라이드를 사용하는 것이다. 근래에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 등이 배선재료로 각광받고 있다. 또한, 유지 전극 라인(28) 및 광차단 배선(29)도 게이트 배선(22, 24, 26)과 동시에 형성되는 것이 바람직하므로 게이트 배선(22, 24, 26)과 마찬가지로 다중층으로 형성될 수 있다.
유지 전극 라인(28)은 후술할 화소 전극(82)과 연결된 유지 축전기용 도전체(64)와 중첩되어 화소의 전하 보존 능력을 향상시키는 유지 축전기를 이루며, 후술할 화소 전극(82)과 게이트선(22)의 중첩으로 발생하는 유지 용량이 충분할 경우 형성하지 않을 수도 있다. 유지 전극 라인(28)에는 박막 트랜지스터 기판에 대향 배치될 상부 기판(미도시)의 공통 전극(미도시)과 동일한 전압이 인가되는 것이 보통이다.
광차단 배선(29)은 데이터 라인(62) 아래에 배치되도록 형성되며 데이터 라인(62)보다 큰 폭을 갖는다. 여기서, 광차단 배선(29)의 폭 안쪽에 데이터 라인(62)의 폭이 포함되도록 배치되어야 한다. 즉, 광차단 배선(29)은 데이터 라인(62)의 길이방향에 양측 단부와 중첩되도록 배치된다.
게이트 배선(22, 24, 26), 유지 전극 라인(28) 및 광차단 배선(29) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 게이트 배선(22, 24, 26), 유지 전극 라인(28) 및 광차단 배선(29)을 덮는다.
게이트 절연막(30) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(42, 48)이 형성되며, 반도체층(42, 48) 위에는 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 비정질 규소 따위로 이루어진 저항성 접촉층(ohmic contact layer ; 55, 56, 58)이 형성된다.
저항성 접촉층(55, 56, 58) 위에는 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)이 형성된다. 이러한 데이터 배선은, 게이트 배선(22, 24, 26)과 마찬가지로, 각 금속 또는 합금의 단점을 보완하고 원하는 물성을 얻기 위해 다중층으로 형성될 수 있다. 일예로, 데이터 배선은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo)의 3중층으로 형성될 수 있다.
데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 라인의 끝 부분(68)을 가지며 광차단 배선(29)을 따라 그 위에 형성된 데이터 라인(62), 데이터선(62)의 분지인 박막 트랜지스터의 소스 전극(65) 및 데이터선(62)의 단부에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상신호를 인가받아 데이터라인(62)에 전달하는 데이터 패드(68)로 이루어진 데이터 라인부(62, 68, 65)를 포함하며, 또한 데이터 라인부(62, 68, 65)와 분리되어 있으며 게이트 전극(26) 또는 박막 트랜지스터의 채널부(E)에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽에 위치하는 박막 트랜지스터의 드레인 전극(66)과, 유지 전극 라인(28) 위에 위치하고 있는 유지 축전기용 도전체(64)도 포함한다. 유지 전극 라인(28)을 형성하지 않을 경우 유지 축전기용 도전체(64) 또한 형성하지 않는다.
저항성 접촉층(55, 56, 58)은 그 하부의 반도체층(42, 48)과 그 상부의 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)의 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 하며, 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)과 완전히 동일한 형태를 가진다. 즉, 데이터 라인부의 저 항성 접촉층(55)은 데이터 라인부(62, 68, 65)와 동일하고, 드레인 전극용 저항성 접촉층(56)은 드레인 전극(66)과 동일하며, 유지 축전기용 저항성 접촉층(58)은 유지 축전기용 도전체(64)와 동일하다.
한편, 반도체층(42, 48)은 박막 트랜지스터의 채널부(E)를 제외하면 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 및 저항성 접촉층(55, 56, 58)과 동일한 모양을 하고 있다. 구체적으로는, 유지 축전기용 반도체층(48)과 유지 축전기용 도전체(64) 및 유지 축전기용 저항성 접촉층(58)은 동일한 모양이지만, 박막 트랜지스터용 반도체층(42)은 데이터 배선 및 저항성 접촉층의 나머지 부분과 약간 다르다. 즉, 박막 트랜지스터의 채널부(E)에서 데이터 라인부(62, 68, 65), 특히 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)이 분리되어 있고 데이터 라인부의 저항성 접촉층(55)과 드레인 전극용 저항성 접촉층(56)도 분리되어 있으나, 박막 트랜지스터용 반도체층(42)은 이곳에서 끊어지지 않고 연결되어 박막 트랜지스터의 채널을 생성한다.
본 발명에 따른 실시예와 같이, 4매 마스크 공정에 의해 제조되는 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)은 4매 마스크 제조공정의 특성상 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)의 두 차례에 걸쳐 습식식각에 노출될 수 있으며, 이에 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)의 폭이 제조공정에서 초기 설계치보다 작아지게 된다. 또한, 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)의 폭이 아래의 저항성 접촉층 (55, 56, 58)및 반도체층(42, 48)보다 작아지게 된다. 즉, 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 아래의 저항성 접촉층(55, 56, 58) 및 반도체층(42, 48)이 데이터 배선의 길이방향에 양측으로 돌출하여 잔류하게 된다.
데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)과 이들로 가리지 않은 게이트 절연막(30) 위에는 적색, 녹색 및 청색의 3원색 또는 청록색, 자홍색 및 노랑색의 3원색을 갖는 컬러필터(96, 97, 98)가 형성되어 있다. 컬러필터(96, 97, 98)는 게이트 라인(22)과 데이터 라인(62)의 교차로 정의되는 화소영역마다 어느 하나의 색을 가지고 마련된다. 그리고, 컬러필터(96, 97, 98)는, 도 7에서 도시된 바와 같이, 화소영역의 경계에서, 즉 데이터 라인(62) 상에서 적어도 일부가 서로 중첩되도록 형성될 수도 있다.
컬러필터(96, 97, 98) 위에는 질화규소나 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법에 의하여 증착된 a-Si:C:O 막 또는 a-Si:O:F 막(저유전율 CVD막) 또는 유기막으로 이루어지며, 평탄화된 보호막(70)이 형성된다.
컬러필터(96, 97, 98)와 보호막(70)은 드레인 전극(66), 데이터 패드(68)의 일부 및 유지 축전기용 도전체(64)를 드러내는 접촉 구멍(76, 78, 72)을 가지고 있으며, 또한 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(24)의 일부를 드러내는 접촉 구멍(74)을 가진다.
보호막(70) 위에는 박막 트랜지스터로부터 화상 신호를 받아 상판의 공통전극과 함께 전기장을 생성하는 화소 전극(82)이 형성된다. 화소 전극(82)은 ITO 또는 IZO(indium tin oxide) 따위의 투명한 도전 물질로 만들어지며, 접촉 구멍(76)을 통하여 드레인 전극(66)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 화상 신호를 전달받는다. 화소 전극(82)은 또한 이웃하는 게이트 라인(22) 및 데이터 라인(62)과 중첩되어 개구율을 높이고 있으나, 중첩되지 않을 수도 있다. 또한, 화소 전극(82)은 접촉 구멍(72)을 통하여 유지 축전기용 도전체(64)와도 연결되어 유지 축전기용 도전체(64)로 화상 신호를 전달한다. 한편, 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68) 위에는 접촉 구멍(74, 78)을 통하여 각각 이들과 연결되는 접촉 보조 부재(86, 88)가 형성된다. 이 접촉 보조 부재(86, 88)는 끝 부분(24, 68)과 외부 회로 장치와의 접착성을 보완하고 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68)를 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 작용 및 효과를 살펴보면 다음과 같다.
컬러필터(96, 97, 98)가 박막 트랜지스터 기판 상에 형성되는 COA방식의 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 게이트 라인(22) 및 광차단 배선(29)이 불필요한 빛을 차단하고 컬러필터(96, 97, 98) 사이를 구분하게 된다.
이에, 광차단 배선(29) 상에 배치된 데이터 라인(62)은 빛을 차단하는 기능을 하지 않아도 되므로 그 폭을 보다 축소하여 형성할 수 있게 된다. 따라서, 4매 마스크를 사용한 제조공정에서 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)의 폭이 초기 설계치보다 작게 형성되더라도 무방하다.
또한, 광차단 배선(29)은 게이트 라인(22)과 마찬가지로 절연기판(10) 위에 바로 형성되므로, 즉 최하층에 형성되므로 복수의 층간에 형성된 데이터 라인(62)으로 빛을 차단할 때보다 작은 폭을 가지고도 시야각에 따른 빛샘 현상이 일어나지 않도록 빛을 차단할 수 있게 되어 화소영역의 개구율을 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은, 도 5에 서 도시된 바와 같이, 광차단 배선(29)이 한 쌍의 라인으로 이루어지며, 각 라인이 데이터 라인(62)의 길이방향에 양측 단부에 각각 중첩되도록 배치된다.
이와 같은 구성에 따라, 광차단 배선(29)이 불필요한 빛을 차단함과 동시에 데이터 라인(62)의 아래에 광차단 배선(29)이 배치됨으로써 발생될 수도 있는 기생용량이나 데이터 배선(62)에 걸리는 부하를 감소시킬 수 있게 된다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은, 도 6에서 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터 기판에 유지 전극 라인(28)이 형성되어 있는 경우, 광차단 배선(29)과 유지 전극 라인(28)이 연결되어 있다.
이와 같은 구성에 따라, 광차단 배선(29)이 불필요한 빛을 차단함과 동시에 광차단 배선(29)이 유지 전극 라인(28)과 연결됨으로써 화소의 전하 보존 능력을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명은, 전술한 가장 바람직한 실시예에 한정되지 않으며, 5매 마스크를 사용한 제조공정에 의해 제조된 컬러필터를 포함하는 COA방식의 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에도 적용될 수 있음은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 컬러필터를 포함하는 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 개구율을 감소시키지 않으면서 데이터 라인을 따라 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.

Claims (12)

  1. 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서,
    절연기판과;
    상기 절연기판 위에 형성된 게이트 라인 및 이와 연결된 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과;
    상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성된 광차단 배선과;
    상기 게이트 배선 및 광차단 배선을 덮는 게이트 절연막과;
    상기 광차단 배선 상의 상기 게이트 절연막 위에 형성되며, 상기 게이트 라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 라인을 포함하는 데이터 배선과;
    상기 화소영역에 각각 형성되며, 3원색의 안료를 포함한 감광성 유기물질로 만들어진 컬러필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광차단 배선은 상기 데이터 라인의 길이방향에 양측 단부와 중첩된 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광차단 배선은 한 쌍의 라인이 상기 데이터 라인의 길이방향에 양측 단 부에 각각 중첩되는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광차단 배선은 상기 데이터 라인보다 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    유지용량을 보충하는 유지 전극 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광차단 배선은 상기 유지 전극 배선과 연결된 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되며 상기 게이트 전극과 적어도 일부가 중첩된 반도체층과, 상기 반도체층 위에 형성되며 상기 게이트 전극을 중심으로 분리되어 있는 저항성 접촉층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 데이터 배선은 상기 게이트 전극을 중심으로 분리되어 상기 저항성 접촉층 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하며,
    상기 소스 전극은 상기 데이터 라인에 연결된 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 반도체층 및 상기 저항성 접촉층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 사이를 제외하고 동일한 패턴으로 형성되며, 상기 데이터 배선을 따라 그 아래에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 컬러필터를 덮고 있으며, 평탄화되어 있는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 3원색은 각각 청색, 녹색 및 적색이거나, 각각 청록색, 자홍색 및 노랑색인 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 컬러필터는 상기 데이터 라인 상에서 적어도 일부가 서로 중첩된 것을 특징으로 하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
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