KR20060064457A

KR20060064457A - Ｐｉｆａ 안테나 및 이를 이용한 ｒｆｉｄ 태그

Info

Publication number: KR20060064457A
Application number: KR1020050035741A
Authority: KR
Inventors: 최원규; 손해원; 윤재훈; 배지훈; 표철식; 채종석
Original assignee: 한국전자통신연구원
Priority date: 2004-12-08
Filing date: 2005-04-28
Publication date: 2006-06-13
Also published as: KR100797398B1

Abstract

본 발명은 CPW(Co-Planar Waveguide) 급전 구조를 갖는, 금속 표면에 부착 가능한 PIFA 안테나 및 이를 이용한 RFID 태그에 관한 것이다.

본 발명은 PIFA(Planar Inverted-F Antenna) 안테나로서, 유전체층의 일면에 형성된 방사 패치층, CPW(Co-Planar Waveguide) 급전층, 급전 프로브, 단락부를 포함한다. CPW 급전층은 상기 유전체층의 타면에 형성된 급전부와, 상기 급전부와 이격된 접지면으로 이루어진다. 급전 프로브는 상기 유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 급전부를 전기적으로 연결하며, 상기 방사 패치층에 방사할 RF 신호를 제공한다. 단락부는 상기 유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 접지면을 단락한다.

본 발명은 CPW 급전 구조에 의해 RFID 칩의 부착이 용이하여 수동형 RFID 태그에 적용가능하다. 또한, 본 발명은 RFID 칩을 CPW 급전층에 부착하는 위치를 조절함으로써 안테나와 RFID 칩간의 임피던스 정합이 가능하다. 또한, 본 발명은 안테나의 공진 주파수와 리액턴스를 용이하게 조절할 수 있는 효과를 제공한다.

PIFA(Planar Inverted-F Antenna), RFID, 금속 부착, 안테나

Description

ＰＩＦＡ 안테나 및 이를 이용한 ＲＦＩＤ 태그{PIFA, RFID Tag Using the Same and Manufacturing Method therefor}

도 1은 전형적인 PIFA 안테나의 사시도;

도 2는 종래의 PIFA 안테나의 사시도;

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 PIFA 안테나의 사시도;

도 4는 도3에 따른 PIFA 안테나의 단면도;

도 5는 도3에 따른 PIFA 안테나의 CPW 급전층의 상세도;

도 6은 도3에 따른 PIFA 안테나의 방사 패치층의 상세도;

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 PIFA 안테나의 사시도; 및

도 8은 도7에 따른 PIFA 안테나의 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100: PCB 기판 110: 방사 패치층

120: 유전체층 130: CPW 급전층

140: 급전 프로브 150: 단락 포스트

160: 이격층 170: 금속 표면

180: RFID 칩

본 발명은 PIFA(Planar Inverted-F Antenna) 안테나 및 이를 이용한 RFID(Radio Frequency IDentification) 태그(tag)에 관한 것으로, 보다 상세하게는, CPW(Co-Planar Waveguide) 급전 구조를 갖는, 금속 표면에 부착 가능한 PIFA 안테나 및 이를 이용한 RFID 태그에 관한 것이다.

수동형 RFID의 리더(Readr)와는 달리, 태그는 다양한 재질과 모양으로 이루어진 사물에 부착하여 사용되므로, 부착 재질에 따른 안테나의 특성 열화를 최소화하는 것이 태그 안테나의 기본 설계 개념이다. 특히, 태그 안테나가 금속 재질에 부착될 경우, 안테나의 반사손실 특성과 방사패턴 특성이 심각하게 영향을 받을 수 있으므로 안테나 설계에 많은 주의를 요한다. 일반적인 다이폴 안테나를 금속체에 근접시킬 경우, 전자기적인 이미지 효과에 의해서 전자파가 방사되지 못하므로 금속체를 방사 구조의 일부로 사용하는 안테나가 금속체 부착형 태그 안테나로 고려되어야 한다. 이런 부류의 대표적인 안테나가 마이크로스트립 패치 안테나와 PIFA 안테나이다.

일반적으로, 마이크로스트립 패치 안테나는 제작이 용이하고, 경량 박형이라는 장점이 있지만, 공진 주파수에서 반파장의 크기를 갖기 때문에, RFID 태그용 안테나로 사용되기에는 다소 크다. 이에 비해 PIFA 안테나는 마이크로스트립 패치 안테나에서 전계가 없는 부분을 도체판으로 단락시켜 크기를 반으로 줄이고, 단락판을 기준으로 급전점의 위치를 변화시켜 특정 임피던스에 정합하는 구조로서, 공 진 주파수에서 1/4 파장의 크기를 갖는다. 따라서, PIFA 안테나는 소형이면서 금속체에 부착 가능하다.

도 1은 전형적인 PIFA 안테나의 사시도로서, Kashiwa 등의 논문에 제시되어 있다[T. Kashiwa, N. Yoshida and I. Fukai, "Analysis of Radiation Characteristics of Planar Inverted-F Type Antenna on Conductive Body of Hand-held Transceiver by Spiral Network Method", IEE Electronics Letters 3rd August 1989, Vol. 25, No. 16, pp. 1044-1045]. 도면에 도시된 바와 같이, 전형적인 PIFA 안테나는, 접지면(1), 방사패치(2), 급전부(3) 및 단락판(4)로 구성되어 있다. 단락판(4)은 방사패치(2)와 접지면(1)을 단락시켜 마이크로 스트립 패치 안테나에 비해 그 크기를 반으로 줄인다. 동축선을 이용하여 안테나 임피던스가 50옴되는 점에서 급전부(3)로 급전한다. PIFA 안테나의 필드는 방사패치와 접지면에 형성된 전류에 의해서 방사된다. 이는 마이크로스트립 패치 안테나의 방사 매커니즘과 같다.

그러나, 상기 논문에 제시된 PIFA 안테나는 급전점에서의 안테나 임피던스를 조정할 수 없어, 금속체의 크기가 변하는 등과 같은 환경의 변화에 따라 안테나 임피던스가 50옴이되는 급전점이 변경되면 급전부의 위치를 변경해야 하는 어려움이 있다. 또한, 상기 논문의 PIFA 안테나는 공진 주파수에서 1/4파장의 크기를 갖으므로, 안테나 크기가 다소 크다는 단점이 있다. 또한, 상기 논문의 PIFA 안테나는 RFID 등과 같은 서비스를 충족할 만한 기능을 충분히 제공하지 못한다.

이러한 전형적인 PIFA 안테나에 슬롯과 스터브등을 접목하여 다중대역, 광대 역 및 소형화등을 구현하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 미국특허 제6,741,214호, "Planar Inverted-F Antenna (PIFA) Having a Slotted Radiating Element Providing Global Cellular and GPS-Bluetooth Frequency Response"는 그러한 한 예이다. 도 2는 미국특허 제6,741,214호에 제시된 PIFA 안테나의 사시도이다.

도 2에 도시된 종래의 PIFA 안테나는 이중 공진 모드를 구현하기 위해 방사패치(16)에 C형의 슬롯이 형성되어 있고, 방사패치(16)와 접지면(11)과의 용량성 리액턴스를 조정하기 위해 임피던스 조정용 스터브(13)가 방사패치(16)와 직각으로 접해 있다. 또한, 단락 금속판(12)이 방사패치(16)와 접지면(11)을 단락시킨다. 상기의 금속 구조물(12, 13, 14, 16)은 판금에 의해 제작되며, 물리적인 안정도를 유지하기 위해 유전물질(17)에 입혀진다.

그러나, 상기 특허의 PIFA 안테나는 임피던스 조정용 스터브로 유도성 리액턴스와 용량성 리액턴스를 다양하게 조정하기 어려워서, 사용 환경에 따라서 50옴을 위한 급전점이 달라질 수 있다. 또한, 상기 특허의 PIFA 안테나는 기계적인 안정도를 위해 사용된 유전 물질로 인하여 안테나의 대역폭과 방사효율이 낮이지는 문제점이 있으며, 그 구조상 RFID 칩을 부착하여 RFID 태그에 사용되기에 어려운 문제점이 있다. 또한, 상기 특허의 PIFA 안테나는 금속체에 직접 부착될 경우, 금속 표면의 재질과 형태에 따라 안테나의 공진 특성이 변하는 문제점이 있다.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, U슬롯이 형성된 방사 패치층을 통해 소형화가 가능하고, CPW 급전 구조에 의해 RFID 태그에 적용이 용이한 PIFA 안테나를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 단락 포스트의 개수와 단락 포스트간의 간격에 따라 공진 주파수를 조정되는 특성을 갖고, CPW 급전 구조에 의해 안테나의 리액턴스가 조절되는 특성을 갖는 PIFA 안테나를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 태그와 리더간의 통신이 원할하도록 하는, 금속 표면에 부착 가능한 PIFA 안테나를 제공하는 것을 목적으로 한다.

제1발명은 PIFA(Planar Inverted-F Antenna) 안테나로서, 유전체층의 일면에 형성된 방사 패치층, CPW(Co-Planar Waveguide) 급전층, 급전 프로브, 단락부를 포함한다. CPW 급전층은 상기 유전체층의 타면에 형성된 급전부와, 상기 급전부와 이격된 접지면으로 이루어진다. 급전 프로브는 상기 유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 급전부를 전기적으로 연결하며, 상기 방사 패치층에 방사할 RF 신호를 제공한다. 단락부는 상기 유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 접지면을 단락한다.

제2발명은 PIFA 안테나로서, 제1유전체층의 일면에 형성된 방사 패치층, CPW 급전층, 급전 프로브, 단락부로 이루어진다. CPW 급전층은 제2유전체층의 일면에 형성된 급전부와, 상기 급전부와 이격된 접지면으로 이루어지며, 상기 제1유전체층의 타면에 접한다. 급전 프로브는 상기 제1유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 급전부를 전기적으로 연결하며, 상기 방사 패치층에 방사할 RF 신호를 제공한다. 단락부는 상기 제1유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 접지면을 단락한다.

상술한 목적 및 특징은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한 본 발명을 설명함에 있어서 본발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 PIFA 안테나의 사시도이고, 도 4는 도3의 측면도이다. 본 발명에 따른 PIFA 안테나는 방사 패치층(110), 유전체층(120), CPW 급전층(130), 급전 프로브(140), 단락 포스트(150)로 이루어진다.

방사 패치층(110)은 PCB(Printed Circuit Board) 기판(100)의 일면에 형성된다. PCB 기판(100)은 유전체층(120) 상하면에 전도층을 갖는다. 방사 패치층(110)은 이러한 PCB 기판(100)의 전도층을 에칭(etching)함으로써 형성된다. 방사 패치층(110)은 안테나의 공진 주파수에서 공진하여 급전 프로브(140)로부터 공급된 RF(Radio Frequency) 신호를 방사한다. 방사 패치층(110)에는 U자 형태의 슬롯(112)이 형성된다. 방사 패치층(110)에 U 슬롯(112)이 형성되면, 안테나의 공진 길이가 늘어남으로써 소형의 안테나를 구현할 수 있다. 당업자라면, U자 형태외에 다른 형태의 슬롯도 소형의 안테나를 구현하기 위해 형성될 수 있다는 것을 알 것이 다.

U 슬롯(112)에는 안테나의 전류를 미세하게 조정하는 스터브(114a,114b)가 대칭적으로 형성된다. 스터브(114a,114b)는 안테나의 전류를 미세하게 조정하여 공진주파수를 낮추어 안테나가 보다 소형으로 구현될 수 있도록 한다.

CPW 급전층(130)은 PCB 기판(100)의 타면에 형성된다. CPW 급전층(130)은 유전체층(120) 상하면에 전도층을 갖는 PCB 기판(100)의 전도층을 에칭함으로써 형성된다. 도 5에서와 같이, CPW 급전층(130)은 RFID 칩(180)에 RF 신호를 제공하며 CPW(Co-Plamar Waveguide) 구조를 갖는다. 도5는 도4에서 CPW 급전층(130) 밑면에서 상향(A방향)으로 본 단면을 나타낸다.

CPW 급전층(130)은 동일 평면상에 형성된 급전부(132)와 접지면(134)으로 이루어진다. 급전부(132)는 내측 일단에 금속 패드(132a)가 형성되어, 전체적으로 T자 형태를 가진다. 접지면(134)은 급전부(132)를 감싸는 형태이되, 급전부(132)와 일정 간격으로 이격되어 있다. RFID 칩(180)의 한 단자는 급전부(132)에 연결되고, 다른 단자는 접지면(134)에 연결된다. 급전부(132)와 접지면(134)의 간격을 조정하면 CPW 급전층(130)의 특성 임피던스가 변화한다. 급전부(132)와 접지면(134)의 간격이 좁아지면 급전부(132)와 접지면(134)간의 커패시턴스가 커지므로 CPW 급전층(130)의 특성 임피던스가 커진다. 반대로, 급전부(132)와 접지면(134)의 간격이 넓어지면 급전부(132)와 접지면(134)간의 커패시턴스가 작아지므로 CPW 급전층(130)의 특성 임피던스가 작아진다.

급전 프로브(140)는 유전체층(120)을 관통하여 방사 패치층(110)과 CPW 급전 층(130)의 금속 패드(132a)에 연결된다. 급전 프로브(140)는 안테나의 임피던스에 따라 위치가 변화될 수 있다. 급전 프로브(140)는 방사 패치층(110)에 방사할 RF 신호를 제공하며, 전자기적으로 유도성 리액턴스 특성을 갖는다. 그러나, 일반적으로 안테나가 공진하기 위해서는 유도성 리액턴스와 용량성 리액턴스가 같아 서로 상쇄되어야 한다. 이를 위해 급전부(132)에 형성된 금속 패드(132a)의 면적을 조절함으로써 방사 패치층(110)과의 사이에 형성된 용량성 리액턴스를 조절한다. 즉, 유전체층(120)이 높은 유전율을 가지면 용량성 리액턴스가 증가하지만 안테나의 대역폭과 방사효율이 낮아지는 단점이 있다. 그러나, 본 발명에 따른 금속 패드(132a)를 이용하면, 유전체층(120)이 낮은 유전율을 가지더라도 용량성 리액턴스를 증가시킬 수 있어, 안테나의 대역폭과 방사효율의 저하를 방지할 수 있다.

단락 포스트(150)는 유전체층(120)을 관통하여 방사 패치층(110)과 CPW 급전층(130)의 접지면(134)에 연결된다. 도6은 도3의 방사 패치층(110)의 상면도이다. 도6에서와 같이, 단락 포스트(150)는 복수개가 형성된다. 단락 포스트(150)의 개수와 단락 포스트 간의 간격(d)를 조정하면 PIFA 안테나의 공진 주파수를 변화시킬 수 있다. 단락 포스트의 개수가 늘어나면 공진 주파수가 높아지고, 단락 포스트 간의 간격이 커져도 공진 주파수가 높아지게 된다.

이격층(160)은 전술한 본 발명의 PIFA 안테나와, PIFA 안테나가 부착될 금속표면(170)을 전기적으로 분리시킨다. 안테나가 금속 표면(170)에 직접 부착될 경우, 금속 표면의 재질과 형태에 따라 안테나의 공진 특성이 심하게 변화될 수 있으므로, 이격층(160)을 형성하여 안테나와 부착 금속 표면을 분리시키는 것이 바람직 하다. 특히, 도5에서와 같이, RFID 칩(180)이 CPW 급전층(130)에 연결되는 경우, RFID 칩(180)이 금속 표면(170)에 직접 접촉되는 것을 방지하기 위해서도 이격층(160)이 필요하다. 이격층(160)은 스티로폼과 같이 공기와 유전율이 유사한 폼(foam)으로 형성되는 것이 안테나의 특성상 바람직하다.

도3에 따른 PIFA 안테나를 이용하여 RFID 태그(tag)를 제작하기 위해서는, 먼저, 유전체층(120) 양면에 전도층을 갖는 PCB 기판(100)에 대해, 한면의 전도층에 에칭 등의 방법으로 U-슬롯을 갖도록 방사 패턴층(110)을 형성하고, 다른 면의 전도층에 에칭 등의 방법으로 CPW 급전층(130)을 형성한다. 유전체층(120)으로는 테플론과 같이 유전율이 낮은 물질이 사용될 수 있다. CPW 급전층(130)은 도5에서와 같이, 금속 패드(132a)를 갖는 T자 형태의 급전부(132)와, 급전부(132)를 감싸면서 급전부(132)와 이격되어 있는 접지면(134)으로 이루어진다.

PCB 기판(100)에 형성된 비아 홀(via hole)에, 전도성 물질을 주입하여 급전 프로브(140)와 단락 포스트(150)가 각각 금속 패드(132a)와 접지면(134)에 연결되도록 형성한다. 이후, CPW 급전층(130)에 RFID 칩(180)을 전도성 잉크를 이용하여 본딩한다. CPW 급전층(130)은 유전체층(120)상에서 두 신호선 즉, 급전부(132)와 접지면(134)가 평면으로 형성되어 있기 때문에, RFID 칩(180) 본딩이 용이하다. 이때, CPW 급전층(130) 상에서 RFID 칩(180)의 본딩 위치에 따라 RFID 칩(180)에서 안테나를 바라 본 임피던스가 변하기 때문에, RDID 칩(180)의 본딩 위치를 변화시킴으로써 안테나와 RFID 칩(180)간의 임피던스 정합 정도를 조정할 수 있다. 이후 스티로폼을 이용하여 이격층(160)을 CPW 급전층(130)에 부착함으로써 금속 표면(170)에 부착가능한 RFID 태그가 완성된다.

당업자라면 PCB 기판에 에칭을 이용하여 방사 패치층과 CPW 급전층을 형성하는 대신, 유전체 기판에 증착이나 인쇄방법을 이용하여 방사 패치층과 CPW 급전층을 형성할 수 있다는 것을 알 것이다.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 PIFA 안테나의 사시도이고, 도 8은 도7의 측면도이다. 본 발명에 따른 PIFA 안테나는 방사 패치층(210), 제1유전체층(220), CPW 급전층(230), 급전 프로브(240), 단락 포스트(250), 제2유전체층(290)으로 이루어진다.

제2실시예는 제1실시예와 비교하여 제2유전체층(290)이 더 포함된다. 방사 패치층(210)은 제1유전체층(220)과 전도층으로 이루어진 제1PCB 기판(200a)의 전도층을 에칭함으로써 형성된다. CPW 급전층(230)은 제2유전체층(220)과 전도층으로 이루어진 제2PCB 기판(200b)의 전도층을 에칭함으로써 형성된다. 방사 패치층(210), CPW 급전층(230), 급전 프로브(240), 단락 포스트(250)의 구조는 도3에서의 방사 패치층(110), CPW 급전층(130), 급전 프로브(140), 단락 포스트(150)와 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다. 이격층(260)은 전술한 본 발명의 PIFA 안테나와, PIFA 안테나가 부착될 금속표면(270)을 전기적으로 분리시키며, 제2유전체층(260)에 부착된다. 이격층(260)의 구조도 도3의 이격층(160)과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.

도7에 따른 PIFA 안테나를 이용하여 RFID 태그(tag)를 제작하기 위해서는, 먼저, 제1유전체층(220) 일면에 전도층을 갖는 제1PCB 기판(200a)에 대해, 전도층에 에칭 등의 방법으로 U-슬롯을 갖도록 방사 패턴층(210)을 형성하고, 제2유전체층(290) 일면에 전도층을 갖는 제2PCB 기판(200b)에 대해, 전도층에 에칭 등의 방법으로 CPW 급전층(230)을 형성한다. 제1,2유전체층(220,290)으로는 테플론과 같이 유전율이 낮은 물질이 사용될 수 있다. CPW 급전층(230)은 도5의 CPW 급전층(130)과 동일한 형태로, 금속 패드를 갖는 T자 형태의 급전부와, 급전부를 감싸면서 급전부와 이격되어 있는 접지면으로 이루어진다. 이후, CPW 급전층(230)에 RFID 칩을 전도성 잉크를 이용하여 본딩하고, 제1PCB 기판(200a)과 제2PCB 기판(200b)을 제1유전체층(220)과 CPW 급전층(230)이 접하도록 부착한다.

다음으로, 제1PCB 기판(200a)에 형성된 비아 홀(via hole)에, 전도성 물질을 주입하여 급전 프로브(240)와 단락 포스트(250)가 각각 금속 패드와 접지면에 연결되도록 형성한다. 이후, 스티로폼을 이용하여 이격층(260)을 제2유전체층(290)에 부착함으로써 금속 표면(270)에 부착가능한 RFID 태그가 완성된다.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

본 발명에 따른 PIFA 안테나는 U슬롯이 형성된 방사 패치층을 통해 소형화가 가능하다. 또한, 본 발명은 CPW 급전 구조에 의해 RFID 칩의 부착이 용이하여 수동형 RFID 태그에 적용가능하다. 또한, 본 발명은 RFID 칩을 CPW 급전층에 부착하는 위치를 조절함으로써 안테나와 RFID 칩간의 임피던스 정합이 가능하다.

또한, 본 발명은 전자파 환경이 매우 불안정한 금속 구조 환경에서도, 안테나에 부착된 이격층을 통해 RFID 태그가 금속표면에 접하므로, RFID 리더와 RFID 태그간의 통신 성능을 향상시킨다. 또한, 본 발명은 안테나의 공진 주파수와 리액턴스를 용이하게 조절할 수 있는 효과를 제공한다. 또한, 본 발명은 PCB 기판을 이용하여 구현할 수 있기 때문에 제작이 용이하고, 대량으로 생산할 경우 제작 오차와 생산 단가를 낮출 수 있다.

Claims

PIFA(Planar Inverted-F Antenna) 안테나에 있어서,

유전체층의 일면에 형성된 방사 패치층;

상기 유전체층의 타면에 급전부와, 상기 급전부와 이격된 접지면이 형성된 CPW(Co-Planar Waveguide) 급전층;

상기 유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 급전부를 전기적으로 연결하며, 상기 방사 패치층에 방사할 RF 신호를 제공하는 급전 프로브; 및

상기 유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 접지면을 단락하는 단락부를 포함하는

PIFA 안테나.
제1항에 있어서,

상기 방사 패치층은 U형 슬롯이 형성되어 있는

PIFA 안테나.
제2항에 있어서,

상기 U형 슬롯에는 안테나 전류를 조정하는 스터브가 형성되어 있는

PIFA 안테나.
제3항에 있어서,

상기 스터브는 대칭적으로 형성되어 있는

PIFA 안테나.
제1항에 있어서,

상기 급전부는 T자 형태를 가지는

PIFA 안테나.
제1항에 있어서,

상기 급전부는 금속 패드를 구비하며, 상기 금속 패드의 면적에 따라 상기 방사 패치층과의 용량성 리액턴스가 조정되는 특성을 갖는

PIFA 안테나.
제6항에 있어서,

상기 급전 프로브는 상기 금속 패드에 연결되는

PIFA 안테나.
제1항에 있어서,

상기 단락부는 복수개의 단락 포스트로 구성되는

PIFA 안테나.
제8항에 있어서,

상기 단락 포스트의 개수에 따라 상기 안테나의 공진 주파수가 조정되는 특성을 갖는

PIFA 안테나.
제9항에 있어서,

상기 단락 포스트의 개수가 증가하면 상기 공진 주파수가 높아지는 특성을 갖는

PIFA 안테나.
제8항에 있어서,

상기 단락 포스트간의 간격에 따라 상기 안테나의 공진 주파수가 조정되는 특성을 갖는

PIFA 안테나.
제11항에 있어서,

상기 단락 포스트간의 간격이 증가하면 상기 공진 주파수가 높아지는 특성을 갖는

PIFA 안테나.
제1항에 있어서,

상기 급전부와 상기 접지면의 간격에 따라 상기 CPW 급전층의 특성 임피던스가 조정되는 특성을 갖는

PIFA 안테나.
제13항에 있어서,

상기 급전부와 상기 접지면의 간격이 증가하면 상기 특성 임피던스가 작아지는 특성을 갖는

PIFA 안테나.
제1항에 있어서,

상기 CPW 급전층에 부착되어 상기 안테나를 금속표면과 이격시키는 이격층을 더 포함하는

PIFA 안테나.
제15항에 있어서,

상기 이격층은 폼(foam) 물질로 구성되는

PIFA 안테나.
PIFA(Planar Inverted-F Antenna) 안테나에 있어서,

제1유전체층의 일면에 형성된 방사 패치층;

상기 제1유전체층의 타면과 접하며, 제2유전체층의 일면에 급전부와, 상기 급전부와 이격된 접지면이 형성된 CPW(Co-Planar Waveguide) 급전층;

상기 제1유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 급전부를 전기적으로 연결하며, 상기 방사 패치층에 방사할 RF 신호를 제공하는 급전 프로브; 및

상기 제1유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 접지면을 단락하는 단락부를 포함하는

PIFA 안테나.
RFID 태그에 있어서,

PIFA 안테나; 및

상기 PIFA 안테나에 연결된 RFID 칩을 포함하며,

상기 PIFA 안테나는,

유전체층의 일면에 형성된 방사 패치층;

상기 유전체층의 타면에 급전부와, 상기 급전부와 이격된 접지면이 형성된 CPW(Co-Planar Waveguide) 급전층;

상기 유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 급전부를 전기적으로 연결하며, 상기 방사 패치층에 방사할 RF 신호를 제공하는 급전 프로브; 및

상기 유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 접지면을 단락하는 단락 부를 포함하고,

상기 RFID 칩은 상기 CPW 급전층에 연결되는

RFID 태그.
제18항에 있어서,

상기 안테나 및 상기 RFID 칩을 금속표면과 이격시키는 이격층을 더 포함하는

RFID 태그.
제18항에 있어서,

상기 방사 패치층은 안테나 전류 조정용 스터브를 갖는 U형 슬롯이 형성되어 있는

RFID 태그.
제18항에 있어서,

상기 급전부는 금속 패드를 구비하며, 상기 금속 패드의 면적에 따라 상기 방사 패치층과의 용량성 리액턴스가 조정되는 특성을 갖는

RFID 태그.
제18항에 있어서,

상기 급전 프로브는 상기 금속 패드에 연결되고, 상기 단락부는 복수개의 단락 포스트로 구성되는

RFID 태그.
제18항에 있어서,

상기 급전부와 상기 접지면의 간격에 따라 상기 CPW 급전층의 특성 임피던스가 조정되는 특성을 갖는

RFID 태그.
RFID 태그에 있어서,

PIFA 안테나; 및

상기 PIFA 안테나에 연결된 RFID 칩을 포함하며,

상기 PIFA 안테나는,

제1유전체층의 일면에 형성된 방사 패치층;

상기 제1유전체층의 타면과 접하며, 제2유전체층의 일면에 급전부와, 상기 급전부와 이격된 접지면이 형성된 CPW(Co-Planar Waveguide) 급전층;

상기 제1유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 급전부를 전기적으로 연결하며, 상기 방사 패치층에 방사할 RF 신호를 제공하는 급전 프로브; 및

상기 제1유전체층을 관통하여 상기 방사 패치층과 상기 접지면을 단락하는 단락부를 포함하고,

상기 RFID 칩은 상기 CPW 급전층에 연결되는

RFID 태그.
제24항에 있어서,

상기 제2유전체층의 타면에 부착되어 상기 안테나를 금속표면과 이격시키는 이격층을 더 포함하는

RFID 태그.