KR20060064240A - Plasma processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내에 상하 대향되게 마련되며, 챔버내에 전계를 발생시키는 상부전극 및 하부전극; 상기 상부전극과 챔버 내벽 사이 또는 상기 하부전극과 챔버 내벽 사이중 적어도 어느 한 곳에 마련되어 상호 전기적으로 연결하여 접지시키는 얇은 판상의 연결부재;를 포함하며,The present invention provides a plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state to perform a predetermined treatment on a substrate, the plasma processing apparatus comprising: an upper electrode and a lower electrode provided to face up and down in the chamber and generating an electric field in the chamber; And a thin plate-shaped connecting member provided at least one of the upper electrode and the chamber inner wall or between the lower electrode and the chamber inner wall to electrically connect and ground each other.

상기 연결부재는, 상기 상, 하부전극과, 그 전극에서 챔버 내측벽에 수평된 상태로 접촉되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.The connecting member provides the plasma processing apparatus, wherein the upper and lower electrodes are in contact with the chamber inner wall in a horizontal state.

플라즈마 처리장치, 챔버, 상, 하부전극, 접지, 연결부재Plasma processing apparatus, chamber, upper, lower electrode, ground, connection member

Description

플라즈마 처리장치{Plasma processing apparatus}Plasma processing apparatus

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 "A" 부분의 확대도이다.3 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 2.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110 : 챔버 112 : 상부전극110 chamber 112 upper electrode

120 : 하부전극 128 : 연결부재120: lower electrode 128: connecting member

130 : 측판130: side plate

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 챔버 내측벽과 상, 하부전극과 전기적으로 연결시켜 접지시키는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus which is electrically connected to the chamber inner wall and the upper and lower electrodes and grounded.

일반적으로, LCD 등의 평판표시소자를 제조하는 과정에서는 플라즈마를 사용하여 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치가 사용되며, 이러한 반도 체 웨이퍼 또는 액정 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 과정을 설명하면 우선, 기판 수납 장치(이하 "카세트"라 칭함)에 다수 적재된 반도체 웨이퍼 또는 액정기판(이하 "기판"이라 칭함)을 운송 로봇에 의해 반입 또는 반출시키되 진공과 대기압을 순환하는 로드락 챔버(Load Lock Chamber) 내로 반입시키고 상기 로드락 챔버의 내부가 진공상태가 되도록 펌핑(Pumping)을 실시하여 진공으로 만들고 난 다음, 이송수단을 작동시켜 기판을 반송 챔버(Transfer Chamber)로 이동시킨다.In general, in the process of manufacturing a flat panel display device such as an LCD, a plasma processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate using plasma is used. A process of performing plasma processing on a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate will be described. First, a load lock chamber which loads or unloads semiconductor wafers or liquid crystal substrates (hereinafter referred to as "substrates") which are largely loaded in a substrate storage device (hereinafter referred to as "cassette") by a transport robot and circulates vacuum and atmospheric pressure. It is carried into a lock chamber, pumped to make a vacuum inside the load lock chamber, and made into a vacuum, and then a transfer means is operated to move the substrate to the transfer chamber.

기판이 이송된 반송 챔버는 진공 상태를 유지하는 다수의 공정 챔버(Process Chamber)와 연통되어 있고, 상기 반송 챔버는 각각의 공정 챔버로 이송수단을 통해 반입, 반출을 실시하며, 여기서 각각의 공정 챔버로 반입된 기판은 하부 전극의 상부에 위치된 적재대 상에 놓이게 되며, 상부 전극 하부에 형성된 미세 구멍을 통해 공정 가스가 유입되고, 유입된 가스로 외부의 전원을 인가 받은 상, 하부 전극에 의해 전기 방전을 일으켜 기판의 표면에 플라즈마 공정을 진행하는 것이다.The transfer chamber to which the substrate is transferred is in communication with a plurality of process chambers that maintain a vacuum state, and the transfer chamber carries in and out of each process chamber through transfer means, where each process chamber The substrate brought into is placed on the mounting table positioned on the upper part of the lower electrode, the process gas is introduced through the micro holes formed in the lower part of the upper electrode, and the upper and lower electrodes are externally supplied with the introduced gas. It causes an electrical discharge to perform a plasma process on the surface of the substrate.

상술한 공정 챔버의 상, 하부 전극은 챔버의 내부 상, 하측에 각각 설치되며, 플라즈마 공정처리의 수행 대상물인 기판이 적재되는 하부전극의 양측에 절연체가 설치된다. 상술한 전극은 통상적으로 알루미늄이 사용되고, 반도체를 공정 처리하는데 비교적 저렴한 재료로 가장 폭넓게 사용되며 상, 하부전극간에 가해지는 고전압에 따라 전극으로 유입된 가스의 방전으로 형성되는 플라즈마의 화학적인 반응과 고전압으로부터 각각의 전극을 보호한다.The upper and lower electrodes of the above-described process chamber are respectively provided above and below the inside of the chamber, and insulators are provided on both sides of the lower electrode on which the substrate, which is a target of plasma processing, is loaded. The above-mentioned electrode is generally aluminum, and is a relatively inexpensive material for processing semiconductors, and is widely used, and chemical reaction and high voltage of plasma formed by discharge of gas introduced into the electrode according to high voltage applied between upper and lower electrodes. Protect each electrode from

또한, 플라즈마 공정은 알루미늄에 대해 부식을 초래할 수 있으므로 알루미늄재질인 전극의 표면을 보호하기 위한 산화 알루미늄(Al₂O₃)피막과 같은 비교적 불활성의 세라믹 재료가 사용된다.In addition, since the plasma process may cause corrosion to aluminum, a relatively inert ceramic material such as an aluminum oxide (Al 2 O 3) coating is used to protect the surface of the electrode made of aluminum.

이러한 플라즈마 처리장치는 상부 전극과 하부 전극 사이에 기판을 위치시키고, 양 전극 사이의 공간에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 것이다. 이때 양 전극 중 어느 한 전극에는 고주파 전원이 인가되고, 다른 한 전극은 접지된다. In such a plasma processing apparatus, a substrate is placed between an upper electrode and a lower electrode, and plasma is generated in a space between both electrodes to perform a predetermined treatment on the substrate. At this time, a high frequency power is applied to one of the two electrodes, and the other electrode is grounded.

종래의 플라즈마 처리장치는 도 1에서 도시한 바와 같이 챔버(10)내 상부 영역에 상부전극(12)이 구비되고 이러한 상부전극(12)과 대향되는 하부 영역에 설치되되 상술한 챔버(10) 바닥과 소정 거리만큼 이격된 상태로 구비되는 베이스(14)와, 이 베이스(14)의 상부 영역에 적재되는 절연부재(16)와, 이러한 절연부재(16)의 상부 영역에 적재되는 냉각판(18)과, 이 냉각판(18)의 상부 영역에 적재되는 하부전극(20)으로 구성된 전극부가 구비된다. 상술한 상부전극(12)과, 하부전극(20)이 포함된 전극부는 공정 진행시 플라즈마로부터 보호하기 위하여 전극면을 제외한 나머지 부분 즉, 상부 영역 가장자리부와 각측면을 절연부(22)를 부착한 다음 그 외측에 세라믹판(22)을 부착하였다.In the conventional plasma processing apparatus, as shown in FIG. 1, an upper electrode 12 is provided in an upper region of the chamber 10 and is installed in a lower region facing the upper electrode 12, but the bottom of the chamber 10 is described above. A base 14 provided at a predetermined distance from the base 14, an insulating member 16 mounted on the upper region of the base 14, and a cooling plate 18 stacked on the upper region of the insulating member 16. ) And an electrode portion composed of a lower electrode 20 mounted on the upper region of the cooling plate 18. The electrode part including the upper electrode 12 and the lower electrode 20 described above attaches the insulating portion 22 to the remaining portion except the electrode surface, that is, the upper region edge portion and each side surface in order to protect it from the plasma during the process. Then, the ceramic plate 22 was attached to the outside thereof.

그리고, 상술한 하부전극(20)의 저면에 챔버(10)의 외부에서 고주파 전원(RF)이 인가되는 고주파 전원 공급봉(24)이 설치되며, 상술한 고주파 전원 공급봉(24)을 외부에서 보호하는 벨로우즈를 베이스(14)의 저면과 챔버(10) 바닥면에 고정시킨다.In addition, a high frequency power supply rod 24 to which high frequency power RF is applied to the bottom of the lower electrode 20 is applied to the outside of the chamber 10, and the high frequency power supply rod 24 is described above. A protective bellows is fixed to the bottom of the base 14 and the bottom of the chamber 10.

또한, 상술한 베이스(14)의 사방 측면에 단차부가 형성되어 이러한 단차부에 상부가 절곡된 측판(30)의 절곡부가 사방에 설치된 상태로 각각 고정되며, 상술한 측판(30)의 하부 영역이 챔버(10) 바닥면에 접촉된 상태로 위치시킨다.In addition, the stepped portions are formed on the four sides of the base 14 described above, and the bent portions of the side plates 30, the upper portions of which are bent at the stepped portions, are fixed to the four sides, respectively, and the lower regions of the side plates 30 are The chamber 10 is placed in contact with the bottom surface.

그리고, 상술한 챔버(10)의 내측벽과 측판(30)과의 이격 공간에 구비되어 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 챔버(10) 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 챔버(10) 하부로 배기시키는 통로 역할을 하며, 1차적으로 블럭킹(blocking)된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구(도면에 미도시)를 통해 배출되는 배플(Baffle : 32)이 마련된다.In addition, the chamber 10 may be provided at a space between the inner wall of the chamber 10 and the side plate 30 to perform unprocessed gas and polymer generated during the process or after the process is performed. Baffle 32 which serves as a passage for exhausting to the lower part and which is first blocked and discharged through an exhaust port (not shown) formed at each corner of the lower surface of the process chamber is provided.

또한, 상술한 냉각판(18)과 이 냉각판(18)의 저면에 설치되는 절연부재(16)의 상면 양단에 수직 방향으로 구비되는 한 쌍의 지지부(26)가 설치될 수 있게 구멍이 형성되며, 상술한 지지부(26)는 전극부의 내부에서 챔버(10)의 하방 외측까지 연장되게 형성되어 그 연장된 지지부(26)의 하단과 챔버(10)의 저면에 지지부(26)의 노출된 부분을 보호하는 벨로우즈가 상술한 지지부(26)의 둘레 영역에 마련된다.In addition, a hole is formed so that the pair of support parts 26 provided in the vertical direction may be provided at both ends of the cooling plate 18 and the upper surface of the insulating member 16 provided on the bottom surface of the cooling plate 18. The support part 26 is formed to extend from the inside of the electrode part to the bottom outer side of the chamber 10 so that the lower part of the extended support part 26 and the exposed part of the support part 26 on the bottom of the chamber 10 are exposed. To protect the bellows is provided in the peripheral region of the support portion 26 described above.

한편, 상술한 베이스(14)의 저면과 챔버(10) 바닥의 양단에 볼트로 각각 체결되는 연결부재(28)가 마련되며, 이러한 연결부재(28)는 전극부의 하부전극(20)과 챔버(10) 바닥을 전기적으로 연결하여 접지시키는 역할을 한다. 여기서, 상술한 연결부재(28)는 도면에는 도시하지 않았지만 상술한 챔버(10)내 천정과 상부전극(12)에도 연결된다. 그리고, 상술한 연결부재(28)는 전극부가 대략 10㎜정도 승강하므로 최고점에 도달했을 때 파손되는 것을 방지하기 위해 신장되는 길이를 고려한 곡선 형상을 갖도록 고정된다.On the other hand, connecting members 28 fastened with bolts are provided at both ends of the bottom of the base 14 and the bottom of the chamber 10, and the connecting members 28 include the lower electrode 20 and the chamber ( 10) It serves to ground by electrically connecting the floor. Here, although not shown in the drawings, the above-described connection member 28 is also connected to the ceiling and the upper electrode 12 in the chamber 10 described above. In addition, the connection member 28 described above is fixed to have a curved shape in consideration of the elongated length in order to prevent the breakage when reaching the highest point because the electrode portion is elevated by approximately 10mm.

그러나, 기판에 소정의 처리를 실시하는 과정에서 상술한 고주파 전원 공급 봉(24)에서 인가되는 고주파 전원은 매우 높은 전압이므로 상대적으로 상, 하부전극(12, 20)의 중간부위보다는 가장자리 영역에서 전기장이 집중되어 공정 처리시 플라즈마의 균일하지 못하며, 그에 따라 기판처리시 균일도 확보가 어렵고 상술한 연결부재(28)가 베이스(14)와 챔버(10)의 바닥면에 마련되어 높이 차이에 따른 전위차가 발생되며, 그 전위차에 따른 아킹(Arcing) 현상을 초래하는 문제점이 있었다.However, since the high frequency power applied by the high frequency power supply rod 24 described above in the process of performing a predetermined process on the substrate is a very high voltage, the electric field is relatively formed in the edge region rather than the middle portion of the upper and lower electrodes 12 and 20. This concentration is not uniform in the plasma during the process treatment, it is difficult to ensure uniformity during substrate processing, and the above-described connection member 28 is provided on the bottom surface of the base 14 and the chamber 10, the potential difference according to the height difference occurs There is a problem that causes an arcing phenomenon according to the potential difference.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 상술한 연결부재를 상부전극 및 전극부의 베이스와 수평된 챔버 내측벽에 접지시키므로 상, 하부전극 모서리부에 집중된 전기장이 분산되어 기판에 소정처리시 플라즈마 균일도가 확보되며, 그 연결부재의 설치시 높이차가 없으므로 전위차에 따른 아킹 현상이 발생되지 않게 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.The present invention has been made in order to solve the above problems, the object is to ground the above-described connection member to the inner wall of the chamber horizontal to the base of the upper electrode and the electrode portion, the electric field concentrated in the upper and lower electrode corners are dispersed The present invention provides a plasma processing apparatus that ensures plasma uniformity in a predetermined process on a substrate and prevents arcing from occurring due to a potential difference since there is no height difference when the connecting member is installed.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내에 상하 대향되게 마련되며, 챔버내에 전계를 발생시키는 상부전극 및 하부전극; 상기 상부전극과 챔버 내벽 사이 또는 상기 하부전극과 챔버 내벽 사이중 적어도 어느 한 곳에 마련되어 상호 전기적으로 연결하여 접지시키는 얇은 판상의 연결부재;를 포함하며, 상기 연결부재는, 상기 상, 하부전극과, 그 전극에서 챔버 내측벽에 수평된 상태로 접촉됨으로써, 상술한 상부전극과 수평된 챔버내 일측벽과, 상술한 하부전극과 연결된 베이스와 수평된 챔버내 일측벽에 적정 길이를 갖는 연결부재로 접지시켜 인가되는 고주파 전원으로 상, 하부전극 가장자리 영역에 자기장이 집중되는 것을 분산시켜 기판에 소정처리할 때 플라즈마의 균일성이 확보되며, 수평방향으로 마련되는 연결부재에 의해 전위차 발생에 따른 아킹 현상이 발생되는 것을 방지하므로 바람직하다.
In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state to perform a predetermined treatment on a substrate, wherein the plasma processing apparatus is provided to face up and down in the chamber, and generates an electric field in the chamber. Upper and lower electrodes; And a thin plate-shaped connecting member provided at least one of the upper electrode and the chamber inner wall or between the lower electrode and the chamber inner wall to electrically connect and ground each other. The connecting member includes the upper and lower electrodes; The electrode is horizontally contacted with the inner wall of the chamber, thereby grounding a connection member having an appropriate length to one side wall in the chamber horizontal to the above-mentioned upper electrode, and one side wall in the chamber horizontal to the base connected to the above-described lower electrode. By dispersing the concentration of magnetic fields in the upper and lower electrode edge regions with high frequency power applied to the substrate, plasma uniformity is ensured when a predetermined process is performed on the substrate. It is preferable because it prevents it from occurring.

또한, 본 발명에서의 연결부재는, 플렉서블(flexible)한 금속으로 형성됨으로써, 상부전극과 챔버 내측벽 또는 전극부의 베이스와 챔버 내측벽을 전기적으로 잘 연결하면서도, 잘 휘어질 수 있어서 양 물체 사이의 간격이 변동되더라도 연결 부재에 손상이 가지 않고, 잘 유지될 수 있도록 한다.
In addition, the connection member of the present invention is formed of a flexible metal, so that the upper electrode and the chamber inner wall or the base of the electrode portion and the chamber inner wall can be bent well while electrically connecting well between the two objects Even if the gap is changed, the connecting member is not damaged and can be maintained well.

또한, 본 발명에서의 연결부재는, 플라즈마로부터 미치는 영향을 차단하기 위해 그 표면에 절연체 코팅 처리함으로써, 기판에 공정 처리시 플라즈마 가스로부터 노출되어도 식각되거나 반응하지 못하게 하므로 바람직하다.
In addition, the connecting member in the present invention is preferable because it prevents the etching or reaction even when exposed to the substrate from the plasma gas during the process treatment to the substrate in order to block the effect from the plasma.

또한, 본 발명에서의 연결부재는, 플라즈마로부터 미치는 영향을 차단하기 위해 그 표면에 테이핑(Taping) 처리함으로써, 기판에 공정 처리시 플라즈마 가스로부터 노출되어도 식각되거나 반응하지 못하게 하므로 바람직하다.
In addition, the connection member in the present invention is preferable because it prevents the etching or reaction even when exposed to the substrate from the plasma gas during the process treatment to the substrate (Taping) to block the effect from the plasma.

이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일 실시예를 들 어 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, an embodiment of the plasma processing apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 바람직한 일 실시예의 플라즈마 처리장치는 도 2에 도시된 바와 같이 챔버(110)내부 상측에 마련되어 기판(도면에 미도시)의 표면에 소정의 가스를 제공하는 상부챔버(112)와, 상술한 상부챔버(112)에서 이격된 하측에 마련되며, 상면에 기판이 안착되는 전극부로 이루어진다.As shown in FIG. 2, the plasma processing apparatus of the present invention includes an upper chamber 112 provided above the chamber 110 and providing a predetermined gas to the surface of the substrate (not shown). It is provided on the lower side spaced apart from the upper chamber 112, the upper surface is composed of an electrode portion seated.

상술한 전극부는 최하부 영역에 적재된 판상의 베이스(114)와, 상술한 베이스(114)의 상부 영역에 적재된 판상의 절연부재(116)와, 상술한 절연부재(116)의 상부 영역에 적재된 판상의 냉각판(118)과, 상술한 냉각판(118)의 상부 영역에 안착되어 기판이 적재되는 하부전극(120)으로 이루어진다.The electrode portion described above is placed in the plate-shaped base 114 stacked in the lowermost region, the plate-shaped insulating member 116 stacked in the upper region of the base 114 described above, and the upper region of the insulating member 116 described above. The plate-shaped cooling plate 118 and the lower electrode 120 is mounted on the upper region of the above-described cooling plate 118 to load the substrate.

여기서, 상술한 상부전극(112)과 전극부는 플라즈마의 화학적인 반응과 고전압으로부터 각각의 전극을 보호하기 위해 그 전극부의 사방 측벽과 하부전극(120)의 상면 가장자리부에 다수개의 절연부(122)가 마련되며, 그 절연부(122)의 표면을 세라믹판(122)으로 감싸도록 구비한다.Here, the upper electrode 112 and the electrode portion described above, in order to protect the respective electrodes from the chemical reaction of the plasma and the high voltage, a plurality of insulating portions 122 on the four sides of the electrode portion and the upper edge of the lower electrode 120. Is provided, and is provided so as to surround the surface of the insulating portion 122 with a ceramic plate (122).

그리고, 도면에는 도시하지 않았지만 상술한 상부전극(112)의 외측벽과, 그 상부전극(112)과 수평된 챔버(110)의 사방 내측벽에 각각 연결부재(128)가 고정되며, 적정 길이의 연결부재(128)가 상술한 상부전극(112)의 상하 이동시 그 이동거리를 감안하여 상술한 연결부재(128)의 양단은 수평되게 고정하고 중심부는 소정 높이만큼 처지도록 마련된다.Although not shown in the drawings, the connecting member 128 is fixed to the outer side wall of the upper electrode 112 and the inner side walls of the chamber 110 parallel to the upper electrode 112, respectively, and has a proper length connection. Both ends of the connection member 128 are horizontally fixed and the central portion sags by a predetermined height in consideration of the movement distance of the member 128 when the upper electrode 112 is moved up and down.

그리고, 상술한 전극부에 마련되며, 베이스(114)의 단차부에 결합되는 측판 (130)의 외측벽과 그와 수평방향으로 대향되는 챔버(110)의 사방 내측벽의 각각 고정되며, 적정 길이를 갖는 연결부재(128)가 상술한 전극부의 상하 이동시 그 이동거리를 감안하여 상술한 연결부재(128)의 양단은 수평된 상태로 고정하고 중심부는 소정 높이만큼 처지도록 마련된다.Then, provided in the above-described electrode unit, and fixed to each of the outer side wall of the side plate 130 coupled to the stepped portion of the base 114 and the inner side walls of the chamber 110 opposite to the horizontal direction, and the appropriate length In consideration of the movement distance when the connecting member 128 having the above-described electrode moves up and down, both ends of the above-described connecting member 128 are fixed in a horizontal state and the central portion is provided to sag by a predetermined height.

상술한 연결부재는 도 2의 "A" 부분을 확대한 도 3에 도시된 바와 같이 플렉서블(flexible)한 금속으로 형성되어 상부전극(112)과 챔버(110) 내측벽 또는 전극부의 베이스(114)에 구비된 측판(130)의 외벽과 챔버(110) 내측벽을 전기적으로 잘 연결하면서도, 잘 휘어질 수 있어서 그 양측 사이의 간격이 변동되더라도 연결부재(128)에 손상이 가지 않는다. 그리고, 상술한 연결부재(128)는 소정길이를 갖는 박판으로 형성되어 공정처리시 플라즈마로부터 미치는 영향으로부터 보호하기 위해 그 표면에 절연체로 코팅하거나 테이핑(Taping) 처리한다.The connection member described above is formed of a flexible metal as shown in FIG. 3 in which the portion “A” of FIG. 2 is enlarged, so that the upper electrode 112 and the inner wall of the chamber 110 or the base 114 of the electrode part are formed. While connecting the outer wall of the side plate 130 and the inner wall of the chamber 110 electrically well, it can be bent well so that the connection member 128 is not damaged even if the distance between both sides is varied. In addition, the above-described connection member 128 is formed of a thin plate having a predetermined length and coated or taped with an insulator on its surface to protect it from the impact from the plasma during the process.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이 상술한 전극부중 최하부에 위치된 베이스(114)와, 절연부재(116)와, 냉각판(118)과, 하부전극(120)을 각각 순차적으로 적층시키는 과정에서 상술한 하부전극(120)의 중심부 저면에 고주파 전원 공급봉(124)을 외부로 연통되게 설치하며, 상술한 베이스(114)의 하면과 챔버(110) 바닥의 이격된 공간을 통해 그 챔버(110) 바닥을 관통하여 외부로 돌출되게 구비하는 고주파 전원 공급봉(124)이 마련되어 그 고주파 전원 공급봉(124)의 도중을 보호할 수 있도록 감싸는 벨로우즈가 마련되고, 상술한 냉각판(118)과 절연부재(116)에 접촉면 양측에 구비되며, 상술한 챔버(110) 바닥에 관통 형성된 구멍으로 하방으로 돌출되게 구비된 지지부(126)가 마련된다. Meanwhile, as shown in FIG. 2, in the process of sequentially stacking the base 114, the insulating member 116, the cooling plate 118, and the lower electrode 120 positioned in the lowermost part of the electrode part described above. The high frequency power supply rod 124 is installed on the bottom surface of the center of the lower electrode 120 to communicate with the outside, and the chamber 110 is spaced apart from the bottom of the base 114 and the bottom of the chamber 110. A high frequency power supply rod 124 is formed to penetrate the bottom to protrude to the outside, and a bellows is provided to protect the middle of the high frequency power supply rod 124 and is insulated from the cooling plate 118 described above. The support 126 is provided on both sides of the contact surface of the member 116 and is provided to protrude downward through a hole formed through the bottom of the chamber 110 described above.                     

한편, 상술한 베이스(114)는 그 사방 측면에 단차부가 형성되어 이러한 단차부에 "ㄱ"자 형상으로 절곡된 측판(130)의 상단에 형성된 절곡부가 사방에 걸린 상태로 각각 고정되며, 상술한 측판(130)의 하단은 챔버(110) 바닥의 둘레를 따라 구비된다. 여기서, 상술한 측판(130)이 마련되어 형성된 내부공간은 밀폐되므로 플라즈마로부터 미치는 영향이 차단된다.On the other hand, the base 114 has a stepped portion formed on all sides of the base 114, the bent portion formed at the upper end of the side plate 130 bent in a "b" shape on the stepped portion is fixed to each other in a fixed state, respectively, The lower end of the side plate 130 is provided along the circumference of the bottom of the chamber 110. Here, since the above-described side plate 130 is provided and the inner space is sealed, the influence from the plasma is blocked.

그리고, 상술한 챔버(110)의 내측벽과 측판(130)과의 이격된 공간에 구비되며, 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 챔버(110) 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 챔버(110) 하부로 배기시키는 통로 역할을 하며, 1차적으로 블럭킹(blocking)된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구(도면에 미도시)를 통해 배출되는 배플(Baffle : 132)이 마련된다.In addition, the chamber is provided in a space separated from the inner wall of the chamber 110 and the side plate 130, and the unreacted gas in the chamber 110 and the polymer generated in the process during the process or after the process is performed. A baffle 132 which serves as a passage for exhausting the lower part and which is first blocked, is discharged through an exhaust port (not shown) formed at each corner of the lower surface of the process chamber.

여기서, 상술한 연결부재(128)는 상술한 배플(32)의 상측에 마련된다.Here, the aforementioned connection member 128 is provided above the baffle 32 described above.

상술한 고주파 전원 공급봉(124)은 외부에서 인가 받은 고주파 전원(RF) 공급 라인과 전기적으로 연결될 수 있도록 하부전극(120)의 저면 중심부에 접촉되게 설치되어 상술한 하부전극(120)에 고주파 전원을 전달한다.The high frequency power supply rod 124 described above is installed to be in contact with the bottom center of the lower electrode 120 so as to be electrically connected to a high frequency power (RF) supply line applied from the outside. To pass.

또한, 베이스(114)의 저면과 챔버(110) 바닥과의 공간에서 노출된 고주파 전원 공급봉(124)의 도중을 보호할 수 있도록 상술한 베이스(114)의 저면과 챔버(110) 바닥에 상술한 고주파 전원 공급봉(124)의 외측 둘레 영역에 벨로우즈가 마련된다.In addition, in order to protect the middle of the high frequency power supply rod 124 exposed in the space between the bottom of the base 114 and the bottom of the chamber 110, the bottom of the base 114 and the bottom of the chamber 110 are described in detail. A bellows is provided in the outer circumferential region of one high frequency power supply rod 124.

그러므로, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 챔버 내부에 마련된 상, 하부전극을 접지하는 연결수단은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 상술한 하부전극 (120)상에 안착된 기판에 소정의 가스로 공정 처리하는 과정에서 소정 높이만큼 상,하방향으로 이동되는 하부전극(120)에 고주파 전원이 인가될 때, 상술한 하부전극(120)의 가장자리 부위에 집중되는 전기장으로 인해 플라즈마 가스에 의한 공정처리가 불균일하게 이루어지는 것을 방지할 수 있게 상술한 전극부의 베이스(114)에 결합된 측판(130)과 수평된 챔버(110) 내측벽의 위치에 중심부가 하방으로 처진 연결부재(128)를 볼트에 의해 체결 고정하므로 수평된 연결부재(128)를 따라 전기장이 이동하면서 집중되는 것을 방지하여 공정처리시 플라즈마의 균일성이 확보되며, 상술한 바와 같이 연결부재(128)를 전극부의 사방 측벽에 마련된 측판(130)과 그 측판(130)과 수평된 위치에서 대향되는 챔버(110)의 내측벽에 마련함으로써, 수평된 상태로 마련된 연결부재(128)에 의해 접지시 전위차가 발생하지 않으므로 아킹(Arcing) 현상이 일어나는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the connecting means for grounding the upper and lower electrodes provided inside the chamber of the plasma processing apparatus according to the present invention may be provided with a predetermined gas on the substrate seated on the lower electrode 120 as shown in FIGS. 2 and 3. When the high frequency power is applied to the lower electrode 120 which is moved up and down by a predetermined height in the process of the furnace process, the process by the plasma gas due to the electric field concentrated on the edge of the lower electrode 120 described above. In order to prevent the process from being made unevenly, the connecting member 128 with the central part sagging downward at the position of the side plate 130 coupled to the base 114 of the electrode part and the inner wall of the chamber 110 horizontal to the bolt is attached to the bolt. By fastening and fixing by means of preventing the electric field is concentrated while moving along the horizontal connection member 128 to ensure the uniformity of the plasma during the process, the connection member 12 as described above 8) is provided on the inner side wall of the chamber 110 opposed to the side plate 130 provided on the four sides of the electrode portion and the side plate 130 in a horizontal position, it is grounded by the connecting member 128 provided in a horizontal state When the potential difference does not occur during the arcing (Arcing) can be prevented from occurring.

이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 상술한 상부전극과 그 상부전극과 수평된 챔버 내측벽 또는 상술한 하부전극의 베이스와 그 베이스와 수평된 챔버 내측벽에 적정 높이만큼 처진 상태로 고정하는 연결부재에 의해 접지함으로써, 고전압인 고주파 전원의 전압으로 인해 상, 하부전극의 가장자리부에 자기장이 집중되지 않고 연결부재를 따라 분산되어 플라즈마 가스로 기판에 소정 처리할 때 균일한 플라즈마화를 형성시킬 수 있으며, 상술한 연결부재의 개재위치가 수평된 상태로 마련하여 전위차로 인해 발생될 수 있는 아킹 현상이 발생되지 않는 효과가 있다.As described above, the plasma processing apparatus of the present invention is connected to the upper electrode and the upper electrode and the chamber inner wall horizontally or the base of the lower electrode and the base and the chamber inner wall horizontally fixed to be drooped by an appropriate height. By grounding by the member, the magnetic field is not concentrated at the edges of the upper and lower electrodes due to the voltage of the high frequency power source, which is a high voltage, and is distributed along the connecting member to form a uniform plasma when the substrate is treated with plasma gas. In addition, there is an effect that the arcing phenomenon that may occur due to the potential difference is provided by providing the interposition position of the above-described connection member in a horizontal state.

Claims (4)

진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,A plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state to perform a predetermined treatment on a substrate. 상기 챔버내에 상하 대향되게 마련되며, 챔버내에 전계를 발생시키는 상부전극 및 하부전극;An upper electrode and a lower electrode provided upside down in the chamber and generating an electric field in the chamber; 상기 상부전극과 챔버 내벽 사이 또는 상기 하부전극과 챔버 내벽 사이중 적어도 어느 한 곳에 마련되어 상호 전기적으로 연결하여 접지시키는 얇은 판상의 연결부재;를 포함하며,And a thin plate-shaped connecting member provided at least one of the upper electrode and the chamber inner wall or between the lower electrode and the chamber inner wall to electrically connect and ground each other. 상기 연결부재는, 상기 상, 하부전극과, 그 전극에서 챔버 내측벽에 수평된 상태로 접촉되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And the connection member is in contact with the upper and lower electrodes in a state in which the electrode is horizontally formed on the inner wall of the chamber. 제 1항에 있어서, 상기 연결부재는,The method of claim 1, wherein the connection member, 플렉서블(flexible)한 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus, characterized in that formed of a flexible (flexible) metal. 제 2항에 있어서, 상기 연결부재는,The method of claim 2, wherein the connection member, 플라즈마로부터 미치는 영향을 차단하기 위해 그 표면에 절연체 코팅 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus, characterized in that the surface is insulated coating to block the impact from the plasma. 제 2항에 있어서, 상기 연결부재는,The method of claim 2, wherein the connection member, 플라즈마로부터 미치는 영향을 차단하기 위해 그 표면에 테이핑(Taping) 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And a taping treatment on a surface thereof to block the influence from the plasma.
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