KR20060058867A - Cassette chamber with a cooling system - Google Patents

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Abstract

본 발명은 별도의 냉각 장치 없이 기판을 빠른 시간 내에 냉각시킬 수 있는 냉각 시스템을 구비한 카세트 챔버를 개시하며, 본 발명에 따른, 공정 챔버로 이송되는 대상물 및 공정 챔버로부터 이송된 대상물(기판)이 적재되는 챔버는 외부의 가스 공급 수단에 연결되고 밸브가 설치된 가스 공급 메인 라인; 및 가스 공급 메인 라인에 병렬로 연결되고 밸브 및 열 교환기가 설치된 바이패스 라인을 포함한다. 따라서 챔버에는 가스 공급 메인 라인을 통하여 상온의 가스가, 바이패스 라인을 통하여 냉각된 가스가 선택적으로 공급되어 챔버 내의 퍼지 기능 및 대상물에 대한 냉각 기능을 수행한다. 바이패스 라인은 유량제어계가 연결되어 있어 유동하는 냉각 가스의 양을 제어하여 대상물의 급격한 온도 변화를 방지할 수 있다. The present invention discloses a cassette chamber having a cooling system capable of cooling a substrate in a short time without a separate cooling device, and according to the present invention, an object to be transferred to the process chamber and an object (substrate) transferred from the process chamber are The chamber to be loaded includes: a gas supply main line connected to an external gas supply means and provided with a valve; And a bypass line connected in parallel to the gas supply main line and provided with a valve and a heat exchanger. Therefore, the chamber is selectively supplied with gas at room temperature through the gas supply main line, and gas cooled through the bypass line to perform a purge function and a cooling function for the object. The bypass line is connected to a flow control system to control the amount of cooling gas flowing to prevent a sudden temperature change of the object.

냉각 시스템Cooling system

Description

냉각 시스템을 구비한 카세트 챔버{Cassette chamber with a cooling system}Cassette chamber with a cooling system

도 1은 일반적인 스퍼터링 장비의 챔버 배열 상태를 개략적으로 도시한 도면.1 is a schematic view showing a chamber arrangement of a typical sputtering equipment.

도 2는 도 1의 카세트 챔버 및 그 주변 구성을 개략적으로 도시한 도면.FIG. 2 is a schematic illustration of the cassette chamber and its peripheral configuration of FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명에 따른, 냉각 시스템을 구비한 카세트 챔버를 설명하기 위한 도면.3 illustrates a cassette chamber with a cooling system, in accordance with the present invention;

본 발명은 카세트 챔버에 관한 것으로서, 특히 챔버 내부에 적재된 기판에 대한 우수한 냉각 기능을 얻을 수 있는 냉각 시스템을 구비한 카세트 챔버에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a cassette chamber, and more particularly, to a cassette chamber having a cooling system capable of obtaining an excellent cooling function for a substrate loaded inside the chamber.

반도체 및 유기 전계 발광 소자의 제조 공정중의 하나인 스퍼터링 공정은 진공 챔버 내에서 공정이 진행되며, 진공 챔버 내에는 다수의 챔버들이 설치되어 있다.  The sputtering process, which is one of the processes for manufacturing semiconductors and organic EL devices, is performed in a vacuum chamber, and a plurality of chambers are provided in the vacuum chamber.

도 1은 일반적인 스퍼터링 장비 내의 챔버 배열 상태를 개략적으로 도시한 도면으로서, 스퍼터링 장비 내에는 중앙부의 기판 로딩/언로딩 수단(M)을 중심으로 다수의 챔버들(C, H 및 S1 내지 S4)이 배치되어 있다.  FIG. 1 is a view schematically illustrating a chamber arrangement in a general sputtering apparatus, in which a plurality of chambers C, H, and S1 to S4 are formed around a central substrate loading / unloading means M in the sputtering apparatus. It is arranged.

챔버들은 공정이 진행된 기판 및 공정을 진행되지 않는 기판이 적재된 카세트 챔버(C), 공정 진행 전에 기판을 예열시키기 위한 히터 챔버(H) 및 기판에 대한 공정이 진행되는 다수의 공정 챔버들(S1 내지 S4)로 구성된다.The chambers include a cassette chamber (C) on which a substrate which has been processed and a substrate which is not processed, a heater chamber (H) for preheating the substrate before processing, and a plurality of process chambers (S1) where the processing is performed on the substrate. To S4).

기판 로딩/언로딩 수단(M)은 카세트 챔버(C) 내에 적재된 기판을 언로딩하여 히터 챔버(H)로 로딩하며, 기판은 히터 챔버(H) 내에서 소정의 온도로 가열된다. 가열된 기판은 로딩/언로딩 수단(M)에 의하여 히터 챔버(H)로부터 언로딩된 후, 공정 챔버(예를 들어, S1)로 로딩되며, 이후 기판에 대한 소정의 공정이 진행된다.The substrate loading / unloading means M unloads the substrate loaded in the cassette chamber C and loads it into the heater chamber H, and the substrate is heated to a predetermined temperature in the heater chamber H. The heated substrate is unloaded from the heater chamber H by the loading / unloading means M, and then loaded into the process chamber (for example, S1), and then a predetermined process is performed on the substrate.

공정 챔버(S1)에서 공정이 완료된 기판은 로딩/언로딩 수단(M)에 의하여 카세트 챔버(C)로 로딩되며, 이러한 과정은 카세트 챔버(C) 내에 적재된 모든 기판(약 25매)에 대하여 반복적으로 진행된다.In the process chamber S1, the substrate having been processed is loaded into the cassette chamber C by the loading / unloading means M, and this process is performed for all the substrates loaded in the cassette chamber C (about 25 sheets). It is repeated repeatedly.

도 2는 도 1의 카세트 챔버 및 그 주변 구성을 개략적으로 도시한 도면으로서, 카세트 챔버(C) 내부에는 다수의 기판이 적재되는 카세트(S)가 위치한다. 도 2에서는 카세트(S)를 박스 형태로 도시하였으나, 그 내부에는 다수의 기판들이 적층 상태로 로딩된다.  FIG. 2 is a view schematically showing the cassette chamber of FIG. 1 and a peripheral configuration thereof, in which a cassette S on which a plurality of substrates are stacked is located in the cassette chamber C. Referring to FIG. In FIG. 2, the cassette S is illustrated in the form of a box, but a plurality of substrates are loaded in the stacked state.

카세트 챔버(C)의 선단에는 도어(D)가 설치되어 있어 기판 로딩/언로딩 수단(M)에 의한 기판의 로딩 및 언로딩이 원활하게 이루어지며, 후면에는 가스 공급 수단(도시되지 않음)에 연결된 가스 공급 라인이 연결되어 있다. A door D is installed at the front end of the cassette chamber C to smoothly load and unload the substrate by the substrate loading / unloading means M, and at the back of the gas supply means (not shown). The connected gas supply line is connected.

공정 챔버(S1 내지 S4)에서 기판에 대한 공정이 진행되는 동안 카세트 챔버 (C)의 도어(D)는 개방된 상태이다. 모든 기판에 대한 공정이 진행되고 카세트 챔버(C) 내로 로딩되고, 도어(D)가 닫힌 상태에서 카세트 챔버(C) 내로 가스(주로 N2 가스)는 공급된다. 고온 상태의 기판은 공급된 가스에 의하여 소정의 온도로 냉각된다. The door D of the cassette chamber C is open while the process for the substrate is performed in the process chambers S1 to S4. The process for all the substrates is carried out and loaded into the cassette chamber C, and gas (mainly N 2 gas) is supplied into the cassette chamber C with the door D closed. The substrate in a high temperature state is cooled to a predetermined temperature by the supplied gas.

스퍼터링 공정이 완료된 후 카세트 챔버(C)로 로딩된 기판은 그 온도가 100℃ 이상으로서 다음 공정으로 이송되기 전에 카세트 챔버(C) 내에서 충분히 냉각되어야 한다. 외부에서 가스가 공급될지라도 기판의 냉각에 소요되는 시간은 약 10분 정도로서, 이 시간 동안 기판들은 카세트 챔버(C) 내에서 대기 상태로 존재하게 된다. After the sputtering process is completed, the substrate loaded into the cassette chamber C must be sufficiently cooled in the cassette chamber C before its temperature is 100 ° C. or higher and transferred to the next process. Even if gas is supplied from the outside, the time required for cooling the substrate is about 10 minutes, during which time the substrates remain in the standby state in the cassette chamber (C).

기판을 냉각시키기 위하여 소요되는 이러한 시간은 공정의 효율성 및 생산성을 저하시키는 요인으로 작용하게 되며, 따라서 카세트 챔버 내에서 기판을 신속하게 냉각시킬 수 있는 별도의 수단이 요구되고 있다. This time required to cool the substrate acts as a factor in lowering the efficiency and productivity of the process, and therefore, a separate means for rapidly cooling the substrate in the cassette chamber is required.

본 발명은 공정이 진행된 고온의 기판을 냉각시키는 과정에서 발생되는 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 별도의 냉각 장치 없이 대상물(기판)을 빠른 시간 내에 냉각시킬 수 있는 냉각 시스템을 구비한 카세트 챔버를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the above problems caused in the process of cooling the high-temperature substrate is processed, a cassette chamber having a cooling system capable of cooling the object (substrate) in a short time without a separate cooling device The purpose is to provide.

상기 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른, 공정 챔버로 이송되는 대상물 및 공정 챔버로부터 이송된 대상물이 적재되는 챔버는 외부의 가스 공급 수단에 연 결되고 밸브가 설치된 가스 공급 메인 라인; 및 가스 공급 메인 라인에 병렬로 연결되고 밸브 및 열 교환기가 설치된 바이패스 라인을 포함한다. 따라서 챔버에는 가스 공급 메인 라인을 통하여 상온의 가스가, 바이패스 라인을 통하여 냉각된 가스가 선택적으로 공급되어 챔버 내의 퍼지 기능 및 대상물에 대한 냉각 기능을 수행한다. According to the present invention for realizing the above object, the chamber to which the object to be transferred to the process chamber and the object transported from the process chamber is loaded, the gas supply main line connected to the external gas supply means, the valve is installed; And a bypass line connected in parallel to the gas supply main line and provided with a valve and a heat exchanger. Therefore, the chamber is selectively supplied with gas at room temperature through the gas supply main line, and gas cooled through the bypass line to perform a purge function and a cooling function for the object.

한편, 바이패스 라인은 유량제어계가 연결되어 있어 유동하는 냉각 가스의 양을 제어하여 대상물의 급격한 온도 변화를 방지할 수 있다. On the other hand, the bypass line is connected to a flow control system can control the amount of cooling gas flowing to prevent a sudden temperature change of the object.

본 발명을 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른, 냉각 시스템을 구비한 카세트 챔버를 설명하기 위한 도면으로서, 도 3에 도시된 카세트 챔버의 구성 및 기능은 도 2를 통하여 설명된 카세트 챔버의 구성 및 기능과 동일하며, 따라서 이에 대한 중복 설명은 생략한다.3 is a view for explaining a cassette chamber having a cooling system according to the present invention, the configuration and function of the cassette chamber shown in Figure 3 is the same as the configuration and function of the cassette chamber described through FIG. Therefore, duplicate description thereof will be omitted.

본 발명에 따른 카세트 챔버는 외부에서 공급되는 가스(N2 )에 의한 기판의 냉각 및 퍼지 기능을 수행할 수 있는 냉각 시스템을 구비하고 있으며, 그 구성은 다음과 같다.The cassette chamber according to the present invention has a cooling system capable of performing a cooling and purging function of a substrate by a gas (N 2 ) supplied from the outside, and the configuration thereof is as follows.

카세트 챔버(C)에는 외부의 가스 공급 수단(도시되지 않음)에 연결된 가스 공급 메인 라인(L1)이 연결되어 있으며, 이 가스 공급 메인 라인(L1)에는 밸브(V1) 및 유량제어기(M1)가 순차적으로 연결되어 있다. 한편, 가스 공급 메인 라인(L1)에는 바이패스 라인(bypass line; L2)이 연결되어 있으며, 이 바이패스 라인(L2)에 는 가스 공급 수단에서부터 밸브(V2), 열교환기(E) 및 유랑제어기(M2)가 순차적으로 연결되어 있다. A gas supply main line L1 connected to an external gas supply means (not shown) is connected to the cassette chamber C, and a valve V1 and a flow controller M1 are connected to the gas supply main line L1. Are connected sequentially. Meanwhile, a bypass line L2 is connected to the gas supply main line L1, and the bypass line L2 is connected to the valve V2, the heat exchanger E, and the drifting controller from the gas supply means. (M2) is connected in sequence.

가스 공급 메인 라인(L1)의 밸브(V1)와 바이패스 라인(L2)의 밸브(V2)는 제어부(도시되지 않음)에 의하여 선택적으로 각각 개폐된다. The valve V1 of the gas supply main line L1 and the valve V2 of the bypass line L2 are selectively opened and closed by a controller (not shown).

이와 같이 구성된 냉각 시스템의 기능을 도 1 및 도 3을 통하여 설명한다.The function of the cooling system configured as described above will be described with reference to FIGS. 1 and 3.

위에서 설명한 바와 같이, 공정 챔버(S1 내지 S4)에서 기판에 대한 공정이 진행되는 동안에는 카세트 챔버(C)의 도어(D)는 개방된 상태(도 3은 도어가 닫혀진 상태를 도시함)이며, 또한 가스 공급 메인 라인(L1)의 밸브(V1)와 바이패스 라인(L2)의 밸브(V2)는 닫혀진 상태를 유지한다. As described above, while the process for the substrate in the process chambers S1 to S4 is in progress, the door D of the cassette chamber C is in an open state (FIG. 3 shows a state in which the door is closed). The valve V1 of the gas supply main line L1 and the valve V2 of the bypass line L2 remain closed.

기판에 대한 공정이 종료된 후, 카세트 챔버(C) 내에 모든 기판이 로딩되면, 도어(D)가 닫힘과 동시에 가스 공급 메인 라인(L1)의 밸브(V1)와 바이패스 라인(L2)의 밸브(V2)가 개방된다. 이 밸브들(V1 및 V2)의 개방에 따라 가스 공급 메인 라인(L1)과 바이패스 라인(L2)에도 N2 가스가 공급된다.After the process for the substrate is finished, if all the substrates are loaded into the cassette chamber C, the door D is closed and the valve V1 of the gas supply main line L1 and the valve of the bypass line L2 at the same time. V2 is opened. As the valves V1 and V2 are opened, N 2 gas is also supplied to the gas supply main line L1 and the bypass line L2.

바이패스 라인(L2)으로 유입된 상온의 N2 가스는 열교환기(E)를 거치면서 그 온도가 낮아지며, 온도가 낮아진 N2 가스는 카세트 챔버(C)로 유입되어 내부에 적재되어 있는 기판들을 냉각시킨다. 이때, N2 가스 공급 라인(L1)을 통해서도 상온의 N2 가스도 카세트 챔버(C) 내로 공급된다. N 2 gas of normal temperature flows into the bypass line (L2) is goes through the heat exchanger (E) lowers its temperature, N 2 gas to lower the temperature of the substrate that is loaded in the interior flows into the cassette chamber (C) Cool. At this time, N 2 N 2 gas through the gas supply line (L1) at room temperature is also fed into the cassette chamber (C).

한편, 고온 상태의 기판들이 저온의 N2 가스와 갑자기 접촉하는 경우, 열충 격이 기판에 가해지게 된다. 이러한 현상은 바이패스 라인(L2)에 설치된 유량제어기(M2; mass flow controller)에 의하여 방지될 수 있다.On the other hand, when the substrates in high temperature suddenly contact with the low temperature N 2 gas, thermal shock is applied to the substrate. This phenomenon can be prevented by the mass flow controller (M2) installed in the bypass line (L2).

즉, 바이패스 라인(L2)에 N2 가스가 유입되는 초기에 유량제어기(M2)는 통과하는 (냉각된) N2 가스의 양을 최소한으로 하여 카세트 챔버(C)로 공급하고, 이후 냉각된 N2 가스의 유동량을 점차적으로 늘려 유동시킴으로서 챔버(C) 내부의 온도가 급격하게 변화(온도 저하)되는 것을 방지한다. 따라서 급격한 온도 변화에 의한 기판의 열충격 현상은 발생하지 않는다.That is, at the beginning of the introduction of N 2 gas into the bypass line L2, the flow controller M2 supplies the cassette chamber C with a minimum amount of the (cooled) N 2 gas passing therethrough, and then cooled. By gradually increasing the flow amount of the N 2 gas, the temperature inside the chamber C is prevented from being suddenly changed (temperature drop). Therefore, the thermal shock phenomenon of the substrate by the sudden temperature change does not occur.

한편, 열교환기(E)를 통과한 저온의 N2 가스에 의한 대상물의 냉각 정도는 그 대상물의 물리적 화학적 특성에 맞추어 다르게 설정할 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 일반적인 글라스 기판은 5℃까지 냉각시키는 것이 바람직하다. On the other hand, the degree of cooling of the object by the low temperature N 2 gas passing through the heat exchanger (E) can of course be set differently in accordance with the physical and chemical properties of the object. For example, it is preferable to cool a general glass substrate to 5 degreeC.

기판의 온도가 설정된 온도까지 낮아진 후, 가스 공급 메인 라인(L1)과 바이패스 파인(L2)의 밸브(V1, V2)를 닫아 카세트 챔버(C)로의 N2 가스 공급을 차단한 후, 카세트 챔버(C)로부터 기판을 언로딩한다. After the temperature of the substrate is lowered to the set temperature, the valves V1 and V2 of the gas supply main line L1 and the bypass pine L2 are closed to block the N 2 gas supply to the cassette chamber C, and then the cassette chamber. The substrate is unloaded from (C).

이상과 같은 본 발명은 공정이 수행된 고온의 기판이 적재되는 카세트 챔버 내로 상온의 퍼지 가스와 저온의 냉각 가스를 공급함으로서 빠른 시간 내에 기판의 소정의 온도까지 냉각시킬 수 있다. 따라서, 고온의 기판이 냉각되는 시간을 현저하게 단축시킴으로서 공정의 효율성 및 생산성을 향상시킬 수 있다. The present invention as described above can be cooled to a predetermined temperature of the substrate in a short time by supplying a purge gas of a normal temperature and a cooling gas of a low temperature into the cassette chamber in which the high temperature substrate on which the process is performed is loaded. Therefore, the efficiency and productivity of the process can be improved by significantly shortening the time for cooling the hot substrate.                     

위에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having various ordinary knowledge of the present invention may make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. Additions should be considered to be within the scope of the following claims.

Claims (3)

공정 장비 내에 설치되며, 공정 챔버로 이송되는 대상물 및 공정 챔버로부터 이송된 대상물이 적재되는 챔버에 있어서, In the chamber installed in the process equipment, the object to be transported to the process chamber and the object transported from the process chamber is loaded, 외부의 가스 공급 수단에 연결되며, 밸브가 설치된 가스 공급 메인 라인; 및A gas supply main line connected to an external gas supply means and provided with a valve; And 가스 공급 메인 라인에 병렬로 연결되며, 밸브 및 열 교환기가 설치된 바이패스 라인을 포함하여, 가스 공급 메인 라인을 통하여 상온의 가스가, 바이패스 라인을 통하여 냉각된 가스가 선택적으로 공급되도록 구성된 챔버,A chamber connected in parallel to the gas supply main line and including a bypass line provided with a valve and a heat exchanger, the chamber configured to selectively supply the gas at room temperature through the gas supply main line and the cooled gas through the bypass line; 제 1 항에 있어서, 가스 공급 메인 라인에 연결된 밸브 및 바이패스 라인에 연결된 밸브는 제어부에 의하여 개폐가 제어되는 챔버.The chamber of claim 1, wherein the valve connected to the gas supply main line and the valve connected to the bypass line are controlled to be opened and closed by a control unit. 제 1 항에 있어서, 바이패스 라인은 유량제어계가 연결되어 있어 유동하는 냉각 가스의 양을 제어하는 챔버. The chamber of claim 1 wherein the bypass line is connected to a flow control system to control the amount of cooling gas flowing.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101483192B1 (en) * 2008-03-11 2015-01-19 주성엔지니어링(주) Fluid supplying apparatus in substrate processing system
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