KR20060057113A - Coating liquid nozzle in semiconductor fabricating equipment - Google Patents
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Abstract
반도체 소자의 제조를 위한 코팅액 디스차아지 장치에서 스피너성 불량을 방지할 수 있는 개선된 코팅액 노즐구조가 개시되어 있다. 그러한 반도체 제조장비의 코팅액 노즐구조는, 석크백 밸브로부터 인입되는 코팅액을 각기 독립적으로 수용하는 복수의 튜브들과, 상기 복수의 튜브들의 직경이 삽입되는 복수의 개구들이 형성되고 상기 복수의 튜브들을 홀딩하기 위한 베이스 부재와, 상기 베이스 부재에 삽입된 상기 복수의 튜브들과 각기 연결되며 상기 코팅액을 다양한 분사 조건에 맞게 다목적으로 디스차아지하기 위하여 가변 조절 사이즈의 개구 팁을 갖는 복수의 노즐들을 구비함에 의해, 코팅액 및 현상액의 균일성 저하에 기인되는 스피너성 불량이 감소 또는 최소화된다.
An improved coating liquid nozzle structure for preventing spinner defects in a coating liquid discharge apparatus for manufacturing a semiconductor device is disclosed. The coating liquid nozzle structure of such semiconductor manufacturing equipment includes a plurality of tubes each independently receiving a coating liquid introduced from a checkback valve, and a plurality of openings into which diameters of the plurality of tubes are inserted, and holding the plurality of tubes. And a plurality of nozzles each connected with the plurality of tubes inserted into the base member and having a variable tip size opening tip for diversifying the coating liquid for various spraying conditions. Thereby, the spinnery defects caused by the lowering of the uniformity of the coating liquid and developer are reduced or minimized.
반도체 제조장비, 코팅액 디스차아지 장치, 석크백 밸브, 다목적 노즐Semiconductor Manufacturing Equipment, Coating Liquid Discharge Device, Checkback Valve, Multi-Purpose Nozzle
Description
도 1은 통상적인 반도체 제조장비에서의 코팅액 디스차아지 장치의 블록도1 is a block diagram of a coating liquid discharge apparatus in a conventional semiconductor manufacturing equipment
도 2는 도 1중 구동밸브부의 구체적 단면도2 is a detailed cross-sectional view of the driving valve unit in FIG.
도 3은 도 2중 노즐의 통상적인 구조를 보인 도면3 is a view showing a typical structure of the nozzle of FIG.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 노즐의 구조도
4 is a structural diagram of a nozzle according to an embodiment of the present invention;
본 발명은 반도체 소자의 제조를 위한 반도체 제조장비에 관한 것으로, 특히 포토레지스트등과 같은 코팅액을 웨이퍼에 코팅하는 코팅액 디스차아지 장치의 노즐구조에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
근래에 컴퓨터와 같은 정보처리 장치의 급속한 발전에 따라 정보처리 장치의 부품으로서 채용되는 반도체 장치도 고속 동작화 및 대용량화되는 추세이다. 이에 따라 반도체 장치를 제조하기 위한 제조장비도 반도체 장치의 집적도, 동작속도, 및 신뢰도를 향상시키는 방향으로 눈부시게 진보되고 있다. In recent years, with the rapid development of information processing apparatuses such as computers, semiconductor devices employed as components of information processing apparatuses have also become high-speed operation and large capacity. Accordingly, the manufacturing equipment for manufacturing the semiconductor device has also been remarkably advanced in the direction of improving the integration, operating speed, and reliability of the semiconductor device.
널리 알려진 바로서, 반도체 소자의 제조공정에 있어서, 포토리소그래피 스텝에서 반도체 웨이퍼의 표면상에 레지스트 필름을 형성하기 위한 레지스트 코팅 처리(treatment)가 수행된 후, 노광 처리가 레지스트가 코팅된 웨이퍼에 대하여 수행되고, 현상 및 식각처리가 수행되어진다. As is widely known, in the manufacturing process of a semiconductor device, after a resist coating treatment for forming a resist film on the surface of a semiconductor wafer is performed in a photolithography step, an exposure treatment is performed on a resist coated wafer. Development and etching are carried out.
화학적 반응을 이용하는 포토리소그래피 공정에서 레지스트 코팅처리는 포토레지스트 등과 같은 코팅액을 상기 웨이퍼의 표면에 스핀 코팅법으로 코팅하는 것에 의해 주로 달성된다. 상기 코팅액은 코팅액 디스차아지 장치의 노즐을 통해 상기 웨이퍼에 공급되는데, 코팅액 디스차아지 장치의 공지된 예는 키타노 외 다수(kitano et al.)에게 허여된 미합중국 특허 제5,968,268호에 개시된 바 있다. In a photolithography process using a chemical reaction, a resist coating process is mainly achieved by coating a coating liquid such as photoresist on the surface of the wafer by spin coating. The coating liquid is supplied to the wafer through a nozzle of the coating liquid discharging device. A known example of the coating liquid discharging device is disclosed in US Pat. No. 5,968,268 to Kitano et al.
그러한 코팅액 디스차아지 장치에서 노즐 팁으로부터 코팅액을 석크백 하는 역할을 하는 석크백 밸브의 후단에 연결된 노즐의 구조는 스핀 코팅의 수행시간, 포토레지스트 또는 현상액의 균일성 저하에 기인하는 스피너(spinner)성 불량을 초래하므로 그 대책이 절실히 필요하다. 따라서, 코팅액을 디스차아지 하는 노즐의 구조에 따른 각종 문제들을 적극적으로 방지할 수 있는 기술이 요망된다.
In such a coating liquid discharge apparatus, the structure of the nozzle connected to the rear end of the suckback valve, which serves to suck back the coating liquid from the nozzle tip, is due to spinner performance due to spin coating performance, photoresist or developer uniformity decrease. Since it leads to poor performance, measures are urgently needed. Therefore, a technique for actively preventing various problems in accordance with the structure of the nozzle for discharging the coating liquid is desired.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결할 수 있는 반도체 제조장비를 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing equipment that can solve the above problems.
본 발명의 다른 목적은 스피너성 불량을 감소 또는 최소화할 수 있는 코팅액 디스차아지 장치의 노즐구조를 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a nozzle structure of the coating liquid discharge apparatus capable of reducing or minimizing spinnery defects.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 소자의 코팅액 균일성 저하를 최소화할 수 있는 코팅액 디스차아지 장치의 노즐구조를 제공함에 있다. Still another object of the present invention is to provide a nozzle structure of the coating liquid discharge apparatus which can minimize the coating liquid uniformity deterioration of the semiconductor device.
상기한 본 발명의 목적들 가운데 일부의 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 구체화(embodiment)에 따라, 반도체 제조장비의 코팅액 노즐구조는: 석크백 밸브로부터 인입되는 코팅액을 각기 독립적으로 수용하는 복수의 튜브들과, 상기 복수의 튜브들의 직경이 삽입되는 복수의 개구들이 형성되고 상기 복수의 튜브들을 홀딩하기 위한 베이스 부재와, 상기 베이스 부재에 삽입된 상기 복수의 튜브들과 각기 연결되며 상기 코팅액을 다양한 분사 조건에 맞게 다목적으로 디스차아지하기 위하여 가변 조절 사이즈의 개구 팁을 갖는 복수의 노즐들을 구비함을 특징으로 한다. According to an embodiment of the present invention in order to achieve some of the objects of the present invention described above, the coating liquid nozzle structure of the semiconductor manufacturing equipment comprises: a plurality of tubes each independently receiving the coating liquid introduced from the checkback valve; And a plurality of openings through which the diameters of the plurality of tubes are inserted are formed, and are connected to the base member for holding the plurality of tubes, and the plurality of tubes inserted into the base member, respectively, and spray the coating liquid. And a plurality of nozzles having an opening tip of a variable adjustment size for multipurpose discharge to suit the conditions.
바람직하기로, 상기 코팅액은 포토레지스트 또는 현상액, 초순수일 수 있으며, 상기 개구 팁은 내경이 확장 또는 축소되는 구조를 가진다. Preferably, the coating solution may be a photoresist or developer, ultrapure water, and the opening tip has a structure in which the inner diameter is expanded or reduced.
상기한 바와 같은 코팅액 노즐 구조에 따르면, 스핀 코팅의 수행시간이 단축되고, 코팅액 및 현상액의 균일성 저하에 기인하는 스피너성 불량이 감소 또는 최소화되는 이점이 있다.
According to the coating liquid nozzle structure as described above, the execution time of the spin coating is shortened, there is an advantage that the spinnerity defect due to the uniformity of the coating liquid and the developer is reduced or minimized.
이하에서는 본 발명에 따라, 반도체 제조장비의 코팅액 노즐 구조에 관한 바람직한 실시 예가 첨부된 도면들을 참조로 설명될 것이다. 비록 다른 도면에 각기 표시되어 있더라도 동일 또는 유사한 기능을 가지는 구성요소들은 동일 또는 유사한 참조부호로서 라벨링된다. 이하의 실시예에서 많은 특정 상세들이 도면을 따라 예를 들어 설명되고 있지만, 이는 본 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 이해를 돕기 위한 의도 이외에는 다른 의도 없이 설명되었음을 주목(note)하여야 한다. Hereinafter, according to the present invention, a preferred embodiment of the coating liquid nozzle structure of the semiconductor manufacturing equipment will be described with reference to the accompanying drawings. Although each is shown in different figures, components having the same or similar functions are labeled with the same or similar reference numerals. While many specific details are set forth in the following examples, by way of example only, and with reference to the drawings, it should be noted that this has been described without the intent to help those skilled in the art to understand the invention. .
먼저, 후술될 본 발명의 노즐 구조에 대한 철저한 이해를 제공할 의도로서만, 통상적인 코팅액 디스차아지 장치와 노즐의 구조가 예를 들어 설명될 것이다. First, only with the intention of providing a thorough understanding of the nozzle structure of the present invention to be described below, the structure of a conventional coating liquid discharge apparatus and nozzle will be described by way of example.
도 1은 통상적인 반도체 제조장비에서의 코팅액 디스차아지 장치의 개략적 블록도이다. 도면을 참조하면, 코팅액 저장부(110), 공급 펌프(120), 디스차징 펌프(130), 구동밸브부(100), 및 콘트롤러(140)가 나타나 있다. 공급 펌프(120)의 펌핑동작에 의해 코팅액 저장부(110)내에 저장된 코팅액은 연결관(112)에 보내진 후, 상기 공급 펌프(120)를 통해 출력 연결관(114)에 펌핑아웃된다. 상기 연결관(114)에 펌핑아웃된 상기 코팅액은 디스차징 펌프(130)에 의해 디스차아징되어 연결관(4)에 제공된다. 구동밸브부(100)가 오픈되면 상기 연결관(4)에 제공된 상기 코팅액은 연결관(5)의 일단에 설치된 노즐(3)을 통해 일정한 압력을 가진 채 방출(디스차아징)된다. 웨이퍼 스테이지(1)에 흡착된 웨이퍼(W)의 상부에 방출된 상기 코팅액은 상기 웨이퍼 스테이지(1)가 회전함 따라 발생되는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 가장자리로 퍼져나간다. 미리 설정된 타임동안에 상기 노즐(3)을 통하여 디스차아징이 수행되고 나면, 상기 콘트롤러(140)는 에어밸브들(122,142,144)을 제어하여 상기 노즐(3)을 통한 디스차아징이 완료되도록 한다. 이 때, 상기 에어밸브(142)가 제어되어 상기 구동밸브부(100)내의 개폐밸브(AV)는 닫혀지고, 상기 에어밸브(144)가 제어되어 상기 구동밸브부(100)내의 석크백(suck-back)밸브(SV)는 상기 노즐(3)의 내부에 수용된 코팅액에 대하여 음압(negative pressure)을 형성하게 된다. 1 is a schematic block diagram of a coating liquid discharge apparatus in a conventional semiconductor manufacturing equipment. Referring to the drawings, the coating
상기 구동밸브부(100)의 세부적 동작은 도 2를 참조하여 이하에서 설명될 것이다. 도 2는 도 1중 구동밸브부(100)의 구체적 단면도이다. Detailed operation of the
상기 구동밸브부(100)는, 코팅액 연결관(4)과 연결관(5)사이에 설치되고 상기 연결관(5)에 부착된 노즐(3)의 내부에 수용된 코팅액에 대하여 음압을 형성하여 노즐(3)의 팁으로부터 상기 코팅액이 일정높이 까지 흡입되어 지도록 하는 석크백 밸브(10)와, 상기 코팅액 연결관(4)과 상기 석크백 밸브(10)사이에 설치되고 상기 코팅액 연결관(4)과 상기 연결관(5)사이를 오픈 또는 클로즈하여 상기 코팅액 연결관(4)에 공급된 코팅액이 상기 연결관(5)으로 패스되도록 하거나 상기 코팅액 연결관(4)에 공급된 코팅액이 상기 연결관(5)으로 패스되는 것을 차단하는 개폐밸브(20)를 포함한다. The
상기 석크백 밸브(10)는, 외기와 밀폐된 내부 공간을 가지며 에어라인(104)에 연결된 석크백 밸브 바디(11), 상기 석크백 밸브 바디(11)와 상기 연결관(5)사이에 설치되며 코팅액을 흡입하기 위한 흡입구(16)를 가지는 흡입실(18), 상기 석크백 밸브(10)내부의 에어압력에 따라 상기 연결관(5)의 내부에 수용된 코팅액에 대하여 음압을 형성하는 다이아프램(15), 상기 석크백 밸브 바디(11)의 내부에 설치되고 상기 다이아프램(15)의 작동범위가 조절되도록 함에 의해 상기 노즐(3)의 내부에 수용된 코팅액에 대한 석크백 높이를 조절하는 누름쇠(13), 외부에서 상기 누름쇠(13)의 높이를 조절하는 석크백 높이 조절부(12), 및 상기 누름쇠(13)의 설정 높이를 유지시키는 복귀 스프링(14)을 포함한다. The
상기 개폐밸브(20)는, 외기와 밀폐된 내부 공간을 가지며 에어라인(102)에 연결된 개폐밸브 바디(21), 상기 개폐밸브 바디(21)의 내부에 설치되고 상기 에어라인(120)을 통하여 인가되는 에어압력이 상승하면 상기 코팅액 연결관(4)을 개방하고 상기 에어압력이 하강하면 상기 코팅액 연결관(4)을 롯드 팁(23a)으로서 차단하는 차단 롯드(23), 및 상기 차단 롯드(23)가 상기 코팅액 연결관(4)을 차단할 때 상기 차단 롯드(23)의 차단동작을 유지시키는 복귀 스프링(22)을 포함한다. The on-off
도 1의 콘트롤러(140)가 코팅액 디스차아징을 수행하기 위해 제어라인들(140c,140d)을 통해 에어밸브(142,144)를 제어하면, 도 2의 에어라인들(102,104)에 인가되는 에어압력이 상승한다. 이에 따라 개폐밸브 바디(21)내의 내부공간의 에어압력이 상승하기 시작하여 복귀 스프링(22)의 복원력 이상이 되면 상기 차단 롯드(23)가 수직상부 방향으로 이동된다. 따라서, 상기 코팅액 연결관(4)을 막고 있던 롯드 팁(23a)이 상부로 들려져 상기 코팅액 연결관(4)이 개방된다. 그러므로 연결관(4)에 공급된 코팅액은 연결관(5)으로 패스된다. 한편, 석크백 밸브 바디(11)내의 내부공간도 에어 압력이 상승하면 상기 누름쇠(13)가 수직 하방으로 내려온다. 이에 따라 다이아프램(15)은 눌려져서 수축된 상태를 코팅액의 디스차아지 동작동안에 유지하게 된다. 상기 연결관(5)으로 패스된 상기 코팅액은 노즐(3)을 통해 웨이퍼(W)의 상부에 디스차아지된다. When the
상기 웨이퍼(W)의 상부에 적당한 량의 코팅액이 디스차아지되면, 상기 웨이 퍼(W)는 회전되고, 상기 콘트롤러(140)는 코팅액 디스차아지 동작을 완료하기 위한 제어를 수행한다. 즉, 콘트롤러(140)가 코팅액 디스차아징 동작을 종료시키기 위해 상기 제어라인들(140c,140d)을 통해 에어밸브(142,144)를 제어하면, 도 2의 에어라인들(102,104)에 인가되는 에어압력이 하강한다. 이에 따라 개폐밸브 바디(21)내의 내부공간의 에어압력이 하강하기 시작하여 하강된 에어압력이 복귀 스프링(22)의 복원력 이하로 되면 상기 차단 롯드(23)가 수직하방으로 이동된다. 따라서, 상기 코팅액 연결관(4)은 상기 롯드 팁(23a)에 의해 폐쇄되어 상기 코팅액 연결관(4)이 클로즈된다. 그러므로 연결관(4)에 공급된 코팅액은 연결관(5)으로 더 이상 패스되지 못하여 상기 코팅액의 디스차아지는 정지된다. When the appropriate amount of coating liquid is discharged on the wafer W, the wafer W is rotated, and the
한편, 석크백 밸브 바디(11)내의 내부공간도 에어 압력이 하강하면 상기 복귀 스프링(14)의 복원력에 의해 상기 누름쇠(13)가 수직 상부로 올라간다. 이에 따라 수축되어 있던 다이아프램(15)은 확장되어 원래의 상태로 가게 되어, 연결관(5)내에 수용된 상기 코팅액은 상기 다이아프램(15)의 확장된 공간으로 유입된다. 결국, 상기 다이아프램(15)의 작동에 기인된 음압에 의해 상기 코팅액은 디스차아지 방향과는 반대의 방향으로 흡인된다. 따라서, 연결관(5)내의 코팅액은 노즐(3)의 팁으로부터 일정한 석크백 높이를 가진 상태로 수용된다. 상기 코팅액이 노즐(3)의 내부에 위치되면 외부 공기와의 접촉이 줄어들기 때문에 코팅액은 쉽게 경화되지 않는 상태로 유지된다. On the other hand, when the air pressure decreases in the internal space in the
도 3은 도 2중 노즐의 통상적인 구조를 보인 도면이다. 도면을 참조하면, 고정대(50)에 고정된 두 라인의 튜브들(2a,2b)과, 토출 사이즈가 고정된 노즐 팁을 각기 갖는 두 개의 노즐(3a,3b)이 형성된 구조가 보여진다. 3 is a view showing a typical structure of a nozzle in FIG. Referring to the drawings, there is shown a structure in which two lines of
상기한 도 3의 구조는 상기 두 개의 노즐(3a,3b)에서 코팅액이 디스차아지 되는 것을 예를 든 것이다. 사이즈가 고정된 디스차아지 경로들(P1,P2)을 통해 코팅액이 디스차아지되는 경우에 분사액의 양이 일정하게 고정되기 때문에, 대용량으로 디스차아지 하는 데에는 코팅 시간이 상당히 소요된다. 즉, 갈수록 대구경화 되어지는 웨이퍼가 투입되는 경우에는 웨이퍼 상에 코팅액을 많이 뿌리기 위해서 디스차아지 되는 분사량을 많게 할 필요성이 있다. 또한 노즐이 움직이면서 웨이퍼 전면에 코팅액을 디스차아지하는 구조일 경우에는 분사액의 균일성이 좋지 않게 되어 그로 인한 스피너성 불량이 유발될 수 있다. 3 is an example in which the coating liquid is discharged at the two
따라서, 본 발명의 실시 예에서는 도 4와 같은 개선된 노즐 구조가 마련된다. 도 4의 노즐 구조는 스핀 코팅의 수행시간을 줄이고, 포토레지스트 또는 현상액의 균일성 저하에 기인하는 스피너(spinner)성 불량을 방지할 수 있는 구조이다. Therefore, in the embodiment of the present invention, an improved nozzle structure as shown in FIG. 4 is provided. The nozzle structure of FIG. 4 is a structure capable of reducing the spin coating performance time and preventing spinner defects caused by a decrease in the uniformity of the photoresist or developer.
본 발명의 실시예에 따른 노즐의 구조를 보인 도 4를 참조하면, 도 2에서 보여지는 바와 같은 석크백 밸브로부터 인입되는 코팅액을 각기 독립적으로 수용하는 복수의 튜브들(2a-2d)과, 상기 복수의 튜브들(2a-2d)의 직경이 삽입되는 복수의 개구들이 형성되고 상기 복수의 튜브들(2a-2d)을 홀딩하기 위한 베이스 부재(51,52)와, 상기 베이스 부재에 삽입된 상기 복수의 튜브들과 각기 연결되며 상기 코팅액을 다양한 분사 조건에 맞게 다목적으로 디스차아지하기 위하여 가변 조절 사이즈의 개구 팁을 갖는 복수의 노즐들(3a-3d)을 구비한 노즐 형성구조가 보여진다. 여기서, 코팅액 또는 현상액의 균일성 저하에 기인되는 스피너성 불량이 감소 또는 최소화되는 이유는 상기 복수의 노즐들(3a-3d)이 토출 경로(P1-P2)상에 가변적인 분사량으로 코팅액을 디스차아지 하기 때문이다. 즉, 복수의 노즐들(3a-3d)은 각기 좌우의 화살표 방향과 같이 사이즈 조절되어 노즐 팁의 직경이 확장 또는 축소된다. 여기서, 상기 복수의 노즐들(3a-3d)은 나사 등의 회전에 의해 테이퍼 형태로 된 내경이 줄어 들거나 커지게 되는 구조를 가질 수 있다.Referring to Figure 4 showing the structure of the nozzle according to an embodiment of the present invention, a plurality of tubes (2a-2d) for respectively receiving the coating liquid drawn from the suckback valve as shown in Figure 2, and A plurality of openings in which diameters of the plurality of
또한, 복수의 노즐들(3a-3d)을 통해 한꺼번에 코팅액이 분사되므로 빠른 시간내에 대용량의 디스차아지가 이루어진다. 그리고, 하나의 석크 백 밸브에 복수의 튜브가 연결됨이 없이 각기 독립적으로 연결될 수도 있을 것이다. In addition, since the coating liquid is sprayed at the same time through the plurality of
한편, 본 실시예의 경우 상기 코팅액의 예는 포토레지스트 또는 현상액이 제시되었으나, 초순수등과 같은 액이 될 수 도 있을 것이다. On the other hand, in the case of the present embodiment, the example of the coating solution is a photoresist or a developing solution, but may be a solution such as ultrapure water.
상기한 설명에서는 본 발명의 실시 예를 위주로 도면을 따라 예를 들어 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 또는 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이다. 예를 들어, 사안이 다른 경우에 상기 노즐의 외관 구조나 노즐의 개수를 본 발명의 기술적 사상을 벗어남이 없이 다양한 형태로 변경할 수 있음은 물론이다.
In the above description, the embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, for example. However, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be variously modified or changed within the scope of the technical idea of the present invention. . For example, in case of different matters, the appearance structure of the nozzle or the number of nozzles may be changed into various forms without departing from the technical spirit of the present invention.
상술한 바와 같은 본 발명의 코팅액 노즐 구조에 따르면, 스핀 코팅의 수행시간이 단축되고, 코팅액 및 현상액의 균일성 저하에 기인하는 스피너성 불량이 감소 또는 최소화되는 효과가 있다. According to the coating liquid nozzle structure of the present invention as described above, the execution time of the spin coating is shortened, there is an effect of reducing or minimizing the spinner defect due to the uniformity of the coating liquid and the developer.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040096175A KR20060057113A (en) | 2004-11-23 | 2004-11-23 | Coating liquid nozzle in semiconductor fabricating equipment |
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KR1020040096175A KR20060057113A (en) | 2004-11-23 | 2004-11-23 | Coating liquid nozzle in semiconductor fabricating equipment |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100775122B1 (en) * | 2006-07-25 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | A dischange control structure and a coating apparatus using the same |
US10699918B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-06-30 | Semes Co., Ltd. | Chemical supply unit and apparatus for treating a substrate |
-
2004
- 2004-11-23 KR KR1020040096175A patent/KR20060057113A/en not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100775122B1 (en) * | 2006-07-25 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | A dischange control structure and a coating apparatus using the same |
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