KR20060054090A - High frequency module for cellular phone - Google Patents

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KR20060054090A
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가즈히로 나카노
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알프스 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 방열효과가 좋고, 소형임과 동시에 먼지나 습기에 강한 휴대전화기용 고주파 모듈을 제공하는 것이다. The present invention provides a high frequency module for a mobile phone having good heat dissipation effect and small size and resistant to dust and moisture.

이를 위한 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈은, 유전체 기판(1)과, 수신상태와 송신상태의 전환을 행하는 안테나 스위치 IC(6)와, 수신신호로부터 소정의 주파수 신호를 통과시키는 SAW 소자로 이루어지는 SAW 필터(7)와, 송신신호를 증폭하는 파워 앰플리파이어 IC(8)와, 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 트랜시버 IC(9)를 가졌기 때문에 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 기능이 IC화된 트랜시버IC(9)에 의하여 구성되어 있기 때문에 소형화할 수 있는 데다가 동일한 유전체 기판(1)상에 형성할 수 있는 소형이고 저렴한 것이 얻어진다. The high frequency module for cellular phones of the present invention for this purpose comprises a dielectric substrate 1, an antenna switch IC 6 for switching between a reception state and a transmission state, and a SAW element for passing a predetermined frequency signal from the reception signal. It has a SAW filter 7, a power amplifier IC 8 for amplifying a transmission signal, and a transceiver IC 9 for converting a received signal into a baseband signal and converting a baseband signal into a transmission signal. It is possible to reduce the size of the baseband signal and convert the baseband signal into the transmission signal by the IC IC. Therefore, it is small and can be formed on the same dielectric substrate 1. Cheap ones are obtained.

Description

휴대전화기용 고주파 모듈{HIGH FREQUENCY MODULE FOR CELLULAR PHONE}High frequency module for mobile phones {HIGH FREQUENCY MODULE FOR CELLULAR PHONE}

도 1은 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 1 실시예에 관한 주요부 단면도,1 is a cross-sectional view of an essential part of a first embodiment of a high frequency module for a cellular phone of the present invention;

도 2는 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 1 실시예에 관하여 절연수지부를 제거한 상태를 나타내는 사시도,2 is a perspective view showing a state in which the insulating resin portion is removed with respect to the first embodiment of the high frequency module for a cellular phone of the present invention;

도 3은 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 1 실시예에 관하여 뒷쪽에서 본 사시도,3 is a perspective view from the back of a first embodiment of a high frequency module for a cellular phone of the present invention;

도 4는 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 2 실시예에 관한 주요부 단면도,Fig. 4 is a sectional view of principal parts of a second embodiment of a high frequency module for a cellular phone of the present invention;

도 5는 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈에 관한 회로도,5 is a circuit diagram of a high frequency module for a mobile telephone of the present invention;

도 6은 종래의 휴대전화기용 고주파 모듈의 평면도,6 is a plan view of a high frequency module for a conventional cellular phone,

도 7은 종래의 휴대전화기용 고주파 모듈의 단면도,7 is a cross-sectional view of a high frequency module for a conventional cellular phone,

도 8은 종래의 휴대전화기용 고주파 모듈의 주요부 단면도이다.8 is a cross-sectional view of an essential part of a high frequency module for a conventional cellular phone.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing

1 : 유전체 기판 1a : 한쪽 면 1: dielectric substrate 1a: one side

1b : 다른쪽 면 1c : 오목부1b: other side 1c: recessed portion

2 : 배선 패턴 3 : 단자2: wiring pattern 3: terminal

4 : 방열 패턴 5 : 서멀 바이어 4: heat dissipation pattern 5: thermal buyer

A : 안테나 B : 베이스 밴드 신호처리회로 A: antenna B: baseband signal processing circuit

M1∼M4 : 믹서 6 : 안테나 스위치 ICM1 to M4: Mixer 6: antenna switch IC

7 : SAW 필터 7a∼7d : SAW 필터7: SAW filter 7a-7d: SAW filter

8 : 파워 앰플리파이어 IC 8a, 8b : 파워 앰플리파이어 IC8: Power Amplifier IC 8a, 8b: Power Amplifier IC

9 : 트랜시버 IC 9a∼9d : LNA9: Transceiver IC 9a-9d: LNA

9e : 복조회로 9f : 베이스 밴드 회로 9e: demodulation circuit 9f: baseband circuit

9f1, 9f2 : IF 밴드패스 필터 9f3, 9f4 : IF 앰플리파이어9f1, 9f2: IF bandpass filter 9f3, 9f4: IF amplifier

9f5 : 인터페이스 9g : 국부 발진부9f5: Interface 9g: Local Oscillator

9g1 : VCO 9g2 : PLL 회로9g1: VCO 9g2: PLL Circuit

9h : 변조회로 9i : 송신 출력부9h: modulation circuit 9i: transmission output section

9i1 : VCO 9i2 : PLL 회로9i1: VCO 9i2: PLL Circuit

9i3 : 믹서 9j, 9k : 드라이버 앰플리파이어9i3: mixer 9j, 9k: driver amplifier

10 : 와이어 11 : 제 1 절연수지부10 wire 11: first insulating resin

12 : 제 2 절연수지부 13 : 전자부품12: second insulating resin portion 13: electronic components

본 발명은 휴대전화기에 사용하기에 적합한 휴대전화기용 고주파 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a high frequency module for a mobile phone suitable for use in a mobile phone.

종래의 휴대전화기용 고주파 모듈의 도면을 설명하면, 도 6은 종래의 휴대전화기용 고주파 모듈의 평면도, 도 7은 종래의 휴대전화기용 고주파 모듈의 단면도, 도 8은 종래의 휴대전화기용 고주파 모듈의 요부 단면도이다.6 is a plan view of a conventional high frequency module for a mobile phone, FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional high frequency module for a mobile phone, and FIG. 8 is a view of a high frequency module for a conventional mobile phone. It is the main section.

종래의 휴대전화기용 고주파 모듈의 구성을 도 6 내지 도 8에 의거하여 설명하면, 복수매의 유전재가 적층되어 이루어지는 유전체 기판(51)의 상면과 적층내에는 배선패턴(52)이 설치되고, 이 유전체 기판(51)의 상면에는 플립칩형상의 안테나 스위치 IC(53) 플립칩형상의 파워 앰플리파이어 IC(54), SAW 필터(55), VCO(56) 및 그 밖의 전자부품(57)이 배치되어 원하는 전기회로가 형성되어 있다.6 to 8, the wiring pattern 52 is provided on the upper surface and the stack of the dielectric substrate 51 on which a plurality of dielectric materials are stacked. On the top surface of the dielectric substrate 51, a flip chip-shaped antenna switch IC 53, a flip chip-shaped power amplifier IC 54, a SAW filter 55, a VCO 56 and other electronic components 57 are disposed. The desired electrical circuit is formed.

또, 도 8에 나타내는 바와 같이 유전체 기판(51)의 상면에는 바닥이 있는 오목부(51a)가 설치되고, 이 오목부(51a)내에는 반도체칩으로 이루어지는 파워 앰플리파이어 IC(54)가 설치되고, 유전체 기판(51)에는 파워 앰플리파이어 IC(54)의 하부에 서멀 바이어(58)가 설치되어 파워 앰플리파이어 IC(54)의 열을 방출하도록 하고 있다.As shown in Fig. 8, a bottomed recess 51a is provided on the top surface of the dielectric substrate 51, and a power amplifier IC 54 made of a semiconductor chip is provided in the recess 51a. The dielectric substrate 51 is provided with a thermal via 58 under the power amplifier IC 54 to dissipate heat from the power amplifier IC 54.

이와 같은 종래의 휴대전화기용 고주파 모듈은, 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 기능을 구비하고 있지 않아, 이 기능을 다른 회로 기판에 설치할 필요가 있을 뿐만 아니라, 이 기능에 관한 회로를 회로기판에 설치할 필요가 있어, 대형이고 고비용이 된다.Such a conventional high frequency module for cellular phones does not have a function of converting a received signal into a baseband signal and converting a baseband signal into a transmission signal, and therefore, it is necessary to install this function on another circuit board. Therefore, a circuit related to this function needs to be provided on the circuit board, which is large and expensive.

또, 파워 앰플리파이어 IC(54)에 있어서의 방열대응이 이루어져 있으나, SAW필터(55)에 있어서의 방열이 불충분할 뿐만 아니라, 파워 앰플리파이어 IC(54)는, 안테나 스위치 IC(53)를 설치한 유전체 기판(51)과 동일한 면에서 오목부(51a)에 수납되어 있으나, 유전체 기판(51) 전체의 표면적을 작게 할 수 없어 대형이 되는 데다가 유전체 기판(51)의 표면이 노출된 상태로 되어 있기 때문에, 먼지나 습기에 대하여 약해진다.In addition, although heat dissipation is supported in the power amplifier IC 54, not only heat dissipation in the SAW filter 55 is insufficient, but the power amplifier IC 54 is a dielectric having the antenna switch IC 53 provided therein. Although it is housed in the recess 51a in the same plane as the board | substrate 51, since the surface area of the whole dielectric substrate 51 cannot be made small, it becomes large, and since the surface of the dielectric substrate 51 is exposed. Weak against dirt and moisture.

종래의 휴대전화기용 고주파 모듈은, 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 기능을 구비하고 있지 않아 이 기능을 다른 회로기판에 설치할 필요가 있을 뿐만 아니라, 이 기능에 관한 회로를 회로기판에 설치할 필요가 있어, 대형이고 고비용이 된다는 문제가 있다.Conventional high-frequency modules for cellular phones do not have a function of converting a received signal into a baseband signal and converting a baseband signal into a transmission signal, so that this function needs to be installed on another circuit board. It is necessary to provide a circuit relating to a circuit board, which causes a problem of large size and high cost.

또, 파워 앰플리파이어 IC(54)에 있어서의 방열대응이 이루어져 있으나, SAW필터(55)에 있어서의 방열이 불충분할 뿐만 아니라, 파워 앰플리파이어 IC(54)는 안테나 스위치 IC(53)를 배치한 유전체 기판(51)과 동일한 면에서 오목부(51a)에 수납되어 있으나, 유전체 기판(51) 전체의 표면적을 작게 할 수 없어 대형이 되는 데다가 유전체 기판(51)의 표면이 노출된 상태로 되어 있기 때문에, 먼지나 습기에 대하여 약해진다는 문제가 있다.In addition, although the heat dissipation is supported in the power amplifier IC 54, the heat dissipation in the SAW filter 55 is insufficient, and the power amplifier IC 54 has a dielectric substrate on which the antenna switch IC 53 is disposed. Although it is housed in the recessed part 51a in the same surface as 51, since the surface area of the whole dielectric substrate 51 cannot be made small, it becomes large and the surface of the dielectric substrate 51 is exposed, There is a problem of weakening against dust and moisture.

따라서, 본 발명은 방열효과가 좋고, 소형임과 동시에, 먼지나 습기에 강한 휴대전화기용 고주파 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to provide a high frequency module for a mobile phone which has a good heat dissipation effect, is small in size, and resistant to dust and moisture.

상기 과제를 해결하기 위한 제 1 해결수단으로서, 배선 패턴을 가지는 유전체기판과, 상기 배선 패턴에 접속되어 수신상태와 송신상태의 전환을 행하는 안테나 스위치 IC와, 상기 배선 패턴에 접속되어 수신신호로부터 소정의 주파수 신호를 통과시키는 SAW 소자로 이루어지는 SAW 필터와, 송신신호를 증폭하는 파워 앰플리파이어 IC와, 상기 배선 패턴이 접속되어 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 트랜시버 IC를 가지고, 상기 SAW 필터와 상기 파워 앰플리파이어 IC가 얹어 놓여진 상기 유전체 기판에는, 상기 SAW 필터와 상기 파워 앰플리파이어 IC의 하면과 대향하는 위치에 서멀 바이어(thermal via)가 배치된 구성으로 하였다. As a first solution for solving the above problems, there is provided a dielectric substrate having a wiring pattern, an antenna switch IC connected to the wiring pattern to switch between a reception state and a transmission state, and a predetermined connection from the reception signal connected to the wiring pattern. A SAW filter comprising a SAW element for passing a frequency signal of a high frequency, a power amplifier IC for amplifying a transmission signal, and a wiring pattern connected to convert a received signal into a baseband signal and a baseband signal into a transmission signal. The dielectric substrate on which the SAW filter and the power amplifier IC are placed has an IC, and a thermal via is disposed at a position opposite to the lower surface of the SAW filter and the power amplifier IC.

또, 제 2 해결수단으로서 적어도 상기 SAW 필터와 상기 파워 앰플리파이어 IC는, 상기 유전체 기판의 한쪽 면측에 설치되고, 상기 유전체 기판의 다른쪽 면측에는 상기 배선 패턴에 접속된 복수의 단자와, 상기 서멀 바이어에 도통하는 방열 패턴이 설치된 구성으로 하였다. As a second solution, at least the SAW filter and the power amplifier IC are provided on one side of the dielectric substrate, and a plurality of terminals connected to the wiring pattern on the other side of the dielectric substrate, and the thermal via. It was set as the structure in which the heat dissipation pattern to conduct to is provided.

또, 제 3 해결수단으로서, 상기 안테나 스위치 IC, 상기 파워 앰플리파이어 IC 및 트랜시버 IC의 각각은 베어칩으로 형성됨과 동시에, 상기 유전체 기판의 한쪽 면측에 배치한 상태에서 와이어에 의하여 상기 배선 패턴에 접속되고, 상기 SAW 필터는 상기 유전체 기판의 상기 한쪽 면측에 배치되고, 상기 유전체 기판의 상기 한쪽 면측에는 상기 안테나 스위치 IC, 상기 파워 앰플리파이어 IC, 트랜시버 IC 및 상기 SAW 필터를 덮는 제 1 절연 수지부가 설치된 구성으로 하였다. Further, as a third solution, each of the antenna switch IC, the power amplifier IC and the transceiver IC is formed of a bare chip and connected to the wiring pattern by a wire in a state arranged on one side of the dielectric substrate. And the SAW filter is disposed on the one side of the dielectric substrate, and the one side of the dielectric substrate is provided with a first insulating resin portion covering the antenna switch IC, the power amplifier IC, the transceiver IC, and the SAW filter. It was.

또, 제 4 해결수단으로서, 상기 유전체 기판의 한쪽 면측에는 상기 안테나 스위치 IC, 상기 파워 앰플리파이어 IC 및 상기 SAW 필터가 배치됨과 동시에, 상기 안테나 스위치 IC와 대향하는 위치의 상기 유전체기판의 다른쪽 면측에는 바닥이 있는 오목부가 설치되고, 상기 오목부내에는 상기 안테나 스위치 IC와 대향한 상태 에서 플립칩형상의 상기 트랜시버 IC가 배치된 구성으로 하였다. As a fourth solution, the antenna switch IC, the power amplifier IC and the SAW filter are arranged on one surface side of the dielectric substrate, and on the other surface side of the dielectric substrate at a position facing the antenna switch IC. A recess with a bottom is provided, and the flip chip-shaped transceiver IC is arranged in the recess facing the antenna switch IC.

또, 제 5 해결수단으로서 상기 안테나 스위치 IC와 상기 파워 앰플리파이어 IC의 각각은 베어칩으로 형성됨과 동시에, 상기 유전체 기판의 한쪽 면측에 배치한 상태에서 와이어에 의하여 상기 배선 패턴에 접속되고, 상기 유전체 기판의 상기 한쪽 면측에는 상기 안테나 스위치 IC, 상기 파워 앰플리파이어 IC 및 상기 SAW 필터를 덮는 제 1 절연 수지부가 설치됨과 동시에, 상기 오목부내에는 상기 트랜시버 IC를 덮는 제 2 절연 수지부가 설치된 구성으로 하였다. As the fifth solution, each of the antenna switch IC and the power amplifier IC is formed of a bare chip and is connected to the wiring pattern by a wire in a state of being arranged on one surface side of the dielectric substrate. A first insulating resin part covering the antenna switch IC, the power amplifier IC and the SAW filter is provided on one side of the side, and a second insulating resin part covering the transceiver IC is provided in the recess.

또, 제 6 해결수단으로서 상기 트랜시버 IC는, 적어도 상기 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하는 복조회로와, 송신용 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 변조회로와, 상기 복조회로와 상기 변조회로에 접속된 베이스 밴드 회로와, 복조회로 및 변조회로에 국부 발진신호를 공급하는 VCO를 구비한 구성으로 하였다. As a sixth solution means, the transceiver IC includes at least a demodulation circuit for converting the received signal into a baseband signal, a modulation circuit for converting a transmission baseband signal into a transmission signal, the demodulation circuit and the modulation. A baseband circuit connected to the circuit and a VCO for supplying a local oscillation signal to the demodulation circuit and the modulation circuit were provided.

또, 제 7 해결수단으로서, 상기 유전체 기판의 상기 다른쪽 면측에는 상기 배선 패턴에 접속된 복수의 단자를 가지고, 상기 단자는 송수신용 안테나에 접속되는 안테나 단자, 베이스 밴드의 신호 입출력 단자, 회로를 동작시키기 위한 전원을 공급하는 전원단자를 구비한 구성으로 하였다. In addition, as a seventh solution, the other surface side of the dielectric substrate has a plurality of terminals connected to the wiring pattern, and the terminal includes an antenna terminal connected to a transmission / reception antenna, a signal input / output terminal of a base band, and a circuit. It was set as the structure provided with the power supply terminal which supplies the power for operation.

본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 도면을 설명하면, 도 1은 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 1 실시예에 관한 주요부 단면도, 도 2는 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 1 실시예에 관하여 절연 수지부를 제거한 상태를 나타내는 사시도, 도 3은 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 1 실시예에 관하여 뒤쪽에서 본 사시도, 도 4는 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 2 실 시예에 관한 주요부 단면도, 도 5는 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈에 관한 회로도이다. 1 is a cross-sectional view of an essential part of a first embodiment of a high frequency module for a mobile phone of the present invention, and FIG. 2 is a first embodiment of a high frequency module for a mobile phone of the present invention. The perspective view which shows the state which removed the insulation resin part with respect to an example, FIG. 3 is the perspective view seen from the back about the 1st Example of the high frequency module for cellular phones of this invention, FIG. 4 is the 2nd of the high frequency module for cellular phones of this invention. 5 is a circuit diagram of a high frequency module for a mobile telephone of the present invention.

다음에 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 1 실시예에 관한 구성을 도 1 ~ 도 3에 의거하여 설명하면, 세라믹이나 절연수지 등으로 이루어지고, 복수매가 적층된 유전체 기판(1)은, 한쪽 면(상면)(1a)측과 적층내에 설치된 배선 패턴(2)과, 이 배선 패턴(2)에 접속된 상태에서 다른쪽 면(하면)(1b)측의 바깥 둘레부를 따라 설치된 복수의 단자(3)와, 다른쪽 면(1b)측에서 단자(3)보다 안쪽에 설치된 복수의 방열 패턴(4)과, 이 방열 패턴(4)에 도통한 상태에서 한쪽 면(1a)측으로 연장되어 기판내에 설치된 복수의 서멀 바이어(5)를 가진다. Next, a structure according to the first embodiment of the high frequency module for a cellular phone of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 3. Wiring pattern 2 provided in one side (upper surface) 1a side and the inside of laminated | multilayer, and several terminal provided along the outer periphery part of the other side (lower surface) 1b side in the state connected to this wiring pattern 2 (3) and the plurality of heat dissipation patterns 4 provided inward from the terminal 3 on the other side 1b side, and extending to one side 1a side in a state in which the heat dissipation pattern 4 is conducted. It has a some thermal viae 5 installed in the inside.

이 유전체 기판(1)의 한쪽 면(1a)상에 위치하는 배선 패턴(2)에는 수신상태와 송신상태의 전환을 행하는 베어칩으로 이루어지는 안테나 스위치 IC(6)와, 수신신호로부터 소정의 주파수 신호를 통과시키는 SAW 소자로 이루어지는 2개의 SAW 필터(7)와, 송신신호를 증폭하는 베어칩으로 이루어지는 2개의 파워 앰플리파이어 IC(8)와, 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 트랜시버 IC(9)와, 칩형상의 콘덴서나 저항기 등으로 이루어지는 그 밖의 전자부품(13)이 접속되어 원하는 전기회로가 형성되어 있다. The wiring pattern 2 located on one surface 1a of the dielectric substrate 1 includes an antenna switch IC 6 made of a bare chip for switching between a reception state and a transmission state, and a predetermined frequency signal from the reception signal. Two SAW filters (7) consisting of SAW elements for passing the signal, two power amplifier ICs (8) consisting of bare chips for amplifying a transmission signal, and converting a received signal into a baseband signal, and transmitting a baseband signal. The transceiver IC 9 which converts into a signal and the other electronic component 13 which consists of a chip | tip capacitor | condenser, a resistor, etc. are connected, and the desired electric circuit is formed.

또, 베어칩으로 이루어지는 안테나 스위치 IC(6), 파워 앰플리파이어 IC(8) 및 트랜시버 IC(9)는, 와이어(10)에 의한 본딩에 의하여 배선 패턴(2)에 접속됨과 동시에, 발열부품인 SAW 필터(7)와 파워 앰플리파이어 IC(8)는, 서멀 바이어(5)상에 설치되어, 열이 서멀 바이어(5) 및 서멀 바이어(5)를 경유하여 방열 패턴(4)으 로부터 방열되게 되어 있다. In addition, the antenna switch IC 6, the power amplifier IC 8, and the transceiver IC 9 made of bare chips are connected to the wiring pattern 2 by bonding with the wire 10, and at the same time, they are SAWs that are heat generating components. The filter 7 and the power amplifier IC 8 are provided on the thermal via 5 so that heat is radiated from the heat dissipation pattern 4 via the thermal via 5 and the thermal via 5. .

그리고, 트랜시버 IC(9)는, 적어도 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하는 복조회로와, 송신용 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 변조회로와, 복조회로와 변조회로에 접속된 베이스 밴드 회로와, 복조회로 및 변조회로에 국부 발진신호를 공급하는 VCO를 구비한 구성으로 되어 있다. The transceiver IC 9 includes at least a demodulation circuit for converting a received signal into a baseband signal, a modulation circuit for converting a transmission baseband signal into a transmission signal, and a baseband connected to the demodulation circuit and the modulation circuit. The circuit and the VCO which supplies a local oscillation signal to a demodulation circuit and a modulation circuit are comprised.

또, 유전체 기판(1)의 다른쪽 면(1b)측에 설치된 단자(3)는, 송수신용 안테나에 접속되는 안테나 단자, 베이스 밴드의 신호 입출력 단자, 회로를 동작시키기 위한 전원을 공급하는 전원단자 등을 구비한 것으로 되어 있다. In addition, the terminal 3 provided on the side of the other surface 1b of the dielectric substrate 1 includes an antenna terminal connected to a transmitting / receiving antenna, a signal input / output terminal of a base band, and a power supply terminal for supplying power for operating a circuit. Etc. are provided.

합성수지 등으로 이루어지는 제 1 절연 수지부(11)는, 유전체 기판(1)의 한쪽 면(1a) 전면에 도포 등에 의하여 형성되어 유전체 기판(1)의 한쪽 면(1a)측에 탑재된 부품이나 배선 패턴(2)이 덮힌 상태가 되고, 이 제 1 절연 수지부(11)에 의하여 와이어(10) 등도 고착된 상태가 되어, 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈이 형성되어 있다. The first insulating resin portion 11 made of synthetic resin or the like is formed on the entire surface of one side 1a of the dielectric substrate 1 by application or the like, and is mounted on one side 1a of the dielectric substrate 1. The pattern 2 is covered, and the wire 10 and the like are also fixed by the first insulating resin portion 11, whereby a high frequency module for a mobile telephone of the present invention is formed.

다음에, 이와 같은 구성을 가지는 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 회로를 도 5에 의거하여 설명하면, 이 고주파 모듈은 850 MHz대 및 900 MHz의 GSM방식, 1800 MHz대의 DCS방식, 1900 MHz대의 PCS 방식의 4방식의 휴대전화에 공용되는 것으로, 안테나 스위치 IC(6)의 입출력단은 안테나(A)에 접속된다. 또 4개의 출력단은 각각의 방식에 대응하는 SAW 필터(7a, 7b, 7c, 7d)에 접속된다. 또한 2개의 입력단은, 850/900 MHz대의 GSM 방식용의 파워 앰플리파이어 IC(8a)와 DCS/PCS 방식용 파워 앰플리파이어 IC(8b)에 접속된다. 그리고 각 SAW 필터(7)의 출력단 및 각 파워 앰플리파이어 IC(8)의 입력단이 트랜시버 IC(9)에 접속된다. Next, the circuit of the high frequency module for cellular phone of the present invention having such a configuration will be described with reference to Fig. 5, and the high frequency module is divided into 850 MHz and 900 MHz GSM, 1800 MHz DCS and 1900 MHz. Commonly used in four PCS mobile phones, the input / output terminals of the antenna switch IC 6 are connected to the antenna A. FIG. Four output stages are connected to SAW filters 7a, 7b, 7c, and 7d corresponding to the respective schemes. The two input terminals are connected to a power amplifier IC 8a for GSM system of 850/900 MHz band and a power amplifier IC 8b for DCS / PCS system. The output terminal of each SAW filter 7 and the input terminal of each power amplifier IC 8 are connected to the transceiver IC 9.

트랜시버 IC(9)의 내부에는, 4방식에 대응하는 LNA(저잡음 증폭기)(9a∼9d), 복조회로(9e), 베이스 밴드 회로(9f), 국부 발진부(9g), 변조회로(9h), 송신 출력부(9i), 드라이버 앰플리파이어(9j, 9k) 등이 구성되어 있다. 이들 구성중, 복조회로(9e), 베이스 밴드 회로(9f), 국부 발진부(9g), 변조회로(9h), 송신 출력부(9i)는 각 방식에 공통으로 사용된다. Inside the transceiver IC 9, LNAs (low noise amplifiers) 9a to 9d, demodulation circuits 9e, baseband circuits 9f, local oscillators 9g, and modulation circuits 9h corresponding to four methods are provided. And a transmission output section 9i, driver amplifiers 9j and 9k. Among these structures, the demodulation circuit 9e, the baseband circuit 9f, the local oscillator 9g, the modulation circuit 9h, and the transmission output unit 9i are commonly used in each system.

그리고, 850 MHz대의 GSM 방식의 수신모드에서는 SAW 필터(7a), LNA(9a)이 사용되고, 900 MHz대의 GSM 방식의 수신모드에서는 SAW 필터(7b), LNA(9b)이 사용되고, DCS 방식의 수신모드에서는 SAW 필터(7c), LNA(9c)이 사용되고, PCS 방식의 수신모드에서는 SAW 필터(7d), LNA(9d)이 사용된다. 또 850 MHz 및 900 MHz의 GSM 방식의 송신모드에서는 드라이버 앰플리파이어(9i), 파워 앰플리파이어 IC(8a)가 사용되고, DCS 및 PCS 방식의 송신모드에서는 드라이버 앰플리파이어(9h), 파워 앰플리파이어 IC(8b)가 사용된다. The SAW filter 7a and the LNA 9a are used in the 850 MHz GSM reception mode, and the SAW filter 7b and the LNA 9b are used in the 900 MHz GSM reception mode. In the mode, the SAW filter 7c and the LNA 9c are used. In the PCS reception mode, the SAW filter 7d and the LNA 9d are used. In addition, the driver amplifier 9i and the power amplifier IC 8a are used in the 850 MHz and 900 MHz GSM transmission modes, and the driver amplifier 9h and the power amplifier IC 8b are used in the DCS and PCS transmission modes. do.

안테나 스위치 IC(6)는 도시 생략한 조작부에 의하여 전자적으로 제어되고, 예를 들면 850 MHz GSM 방식의 수신모드에서는 안테나(A)가 SAW 필터(7a)에 결합된다. 수신신호는 LNA(9a)을 거쳐 복조회로(9e)를 구성하는 2개의 믹서(M1, M2)에 입력된다. 2개의 믹서(M1, M2)에는 국부 발진부(9g)의 VCO(전압제어발진기)(9g1)로부터 위상이 90°다른 국부 발진신호가 공급된다. VCO(9g1)는 PLL 회로(9g2)에 의하여 발진 주파수가 제어되고, 발진주파수는 수신신호의 주파수와 같아져 있다. 따라서 수신신호는 복조회로(9e)에 의하여 베이스 밴드 신호(I 신호, Q 신호)로 직 접 변환되고, 이 I 신호, Q 신호는 각각 IF 밴드패스 필터(9f1, 9f2), IF 앰플리파이어(9f3, 9f4)를 거쳐 인터페이스(9f5)에 입력된다. 인터페이스(9f5)는 각 방식에 대응한 4개의 출력단을 가진다. 이 베이스 밴드 신호는, 이 고주파 모듈이 탑재되는 마더기판(도시 생략)에 구성된 베이스 밴드 신호 처리회로(B)에 입력된다. The antenna switch IC 6 is electronically controlled by an operation unit (not shown). For example, in the reception mode of the 850 MHz GSM system, the antenna A is coupled to the SAW filter 7a. The received signal is input to two mixers M1 and M2 constituting the demodulation circuit 9e via the LNA 9a. The two mixers M1 and M2 are supplied with local oscillation signals different in phase from the VCO (voltage controlled oscillator) 9g1 of the local oscillator 9g. The oscillation frequency of the VCO 9g1 is controlled by the PLL circuit 9g2, and the oscillation frequency is equal to the frequency of the received signal. Therefore, the received signal is directly converted into a baseband signal (I signal, Q signal) by the demodulation circuit 9e, and the I signal and Q signal are respectively IF band pass filters 9f1 and 9f2 and IF amplifier 9f3. And input to interface 9f5 via 9f4. The interface 9f5 has four output stages corresponding to each scheme. This baseband signal is input to a baseband signal processing circuit B formed on a mother substrate (not shown) on which this high frequency module is mounted.

또, 상기 방식의 송신모드에 있어서는, 베이스 밴드 신호 처리회로(B)로부터의 베이스 밴드 신호가 변조회로(9h)를 구성하는 2개의 믹서(M3, M4)에 입력된다. 그리고 VCO(9g1)로부터의 국부 발진신호가, 90°의 위상차를 가지고 믹서(M3, M4)에 입력되어 베이스 밴드 신호에 의하여 RF 신호로 변조된다. 이 RF 신호는 송신 출력부(9i)에 의하여 송신신호로 변환된다. 송신 출력부(9i)의 VCO(9i1)는 PLL 회로(9i2)에 의하여 제어된다. VCO(9i1)의 출력은 드라이버 앰플리파이어(9j, 9k)에 입력됨과 동시에, 믹서(9i3)에도 입력된다. 믹서(9i3)에는 도시 생략한 발진기로부터 발진신호가 공급되고 있다. 그리고 믹서(9i3)의 출력과 변조된 RF 신호가 PLL 회로(9i2)에 입력됨으로써 RF 변조신호가 송신신호로 변환된다. 송신신호는 파워 앰플리파이어IC(8a)에 의하여 전력 증폭되고, 안테나 스위치 IC(6)를 거쳐 안테나(A)에 송출된다. 다른 방식의 수신모드 및 송신모드의 동작도 마찬가지이다. In the transmission mode of the above system, the baseband signal from the baseband signal processing circuit B is input to two mixers M3 and M4 constituting the modulation circuit 9h. The local oscillation signal from the VCO 9g1 is input to the mixers M3 and M4 with a phase difference of 90 degrees and modulated into an RF signal by the baseband signal. This RF signal is converted into a transmission signal by the transmission output section 9i. The VCO 9i1 of the transmission output section 9i is controlled by the PLL circuit 9i2. The output of the VCO 9i1 is input to the driver amplifiers 9j and 9k and also to the mixer 9i3. The mixer 9i3 is supplied with an oscillation signal from an oscillator (not shown). The output of the mixer 9i3 and the modulated RF signal are input to the PLL circuit 9i2, thereby converting the RF modulated signal into a transmission signal. The transmission signal is amplified by the power amplifier IC 8a and transmitted to the antenna A via the antenna switch IC 6. The same applies to the operation of the reception mode and the transmission mode of another system.

또, 도 4는 본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈의 제 2 실시예를 나타내고, 이 제 2 실시예의 구성을 설명하면 안테나 스위치 IC(6)와 대향하는 위치의 유전체 기판(1)의 다른쪽 면(1b)측에는 바닥이 있는 오목부(1c)가 설치되고, 오목부(1c)내에는 안테나 스위치 IC(6)와 대향한 상태에서 플립칩형상의 트랜시버 IC(9)가 배선 패턴(2)에 뱀프 접속된 상태로 배치됨과 동시에, 오목부(1c)내에는, 트랜시버 IC(9)를 덮는 합성수지 등으로 이루어지는 제 2 절연 수지부가 설치된 것이다. Fig. 4 shows a second embodiment of the high frequency module for cellular phones of the present invention, and the structure of this second embodiment will be described, and the other side of the dielectric substrate 1 at a position facing the antenna switch IC 6 will be described. The recessed part 1c with a bottom is provided in the (1b) side, and the flip-chip transceiver IC 9 is connected to the wiring pattern 2 in the recessed part 1c in the state which opposes the antenna switch IC 6. The second insulating resin part made of synthetic resin or the like covering the transceiver IC 9 is provided in the concave portion 1c while being arranged in the state of being connected to the state of the snake.

그 밖의 구성은, 상기 제 1 실시예와 동일한 구성을 가지고, 동일부품에 동일번호를 붙이고 여기서는 그 설명을 생략한다. The other structure has the same structure as the said 1st Example, attaches | subjects the same number to the same component, and abbreviate | omits the description here.

본 발명의 휴대전화기용 고주파 모듈은, 배선 패턴을 가지는 유전체 기판과, 배선 패턴에 접속되어 수신상태와 송신상태의 전환을 행하는 안테나 스위치 IC와, 배선 패턴에 접속되어 수신신호로부터 소정의 주파수 신호를 통과시키는 SAW 소자로 이루어지는 SAW 필터와, 송신신호를 증폭하는 파워 앰플리파이어 IC와, 배선 패턴접속되어 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 트랜시버 IC를 가지고, SAW 필터와 파워 앰플리파이어 IC가 얹어 놓여진 유전체기판에는 SAW 필터와 파워 앰플리파이어 IC의 하면과 대향하는 위치에 서멀 바이어가 배치된 구성으로 하였다. The high frequency module for cellular phones of the present invention includes a dielectric substrate having a wiring pattern, an antenna switch IC connected to the wiring pattern to switch between a reception state and a transmission state, and a predetermined frequency signal from the received signal connected to the wiring pattern. SAW filter comprising a SAW filter comprising a SAW element to pass through, a power amplifier IC for amplifying a transmission signal, and a transceiver IC connected to a wiring pattern to convert a received signal into a baseband signal, and converts a baseband signal into a transmission signal. The dielectric substrate on which the power amplifier IC is mounted has a thermal via disposed at a position opposite to the lower surface of the SAW filter and the power amplifier IC.

즉, 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 기능이 IC 화된 트랜시버 IC에 의하여 구성되어 있기 때문에, 소형화할 수 있는 데다가 동일한 유전체 기판상에 형성할 수 있어, 소형이고 저렴한 것이 얻어진다. In other words, since the IC for converting the received signal into a baseband signal and converting the baseband signal into a transmission signal is constituted by an IC transceiver, it can be miniaturized and can be formed on the same dielectric substrate. And an inexpensive one is obtained.

또 SAW 필터와 파워 앰플리파이어 IC가 서멀 바이어에 의하여 방열되도록 되어 있기 때문에 성능이 양호한 것이 얻어진다. In addition, since the SAW filter and the power amplifier IC are radiated by the thermal via, good performance is obtained.

또 적어도 SAW 필터와 파워 앰플리파이어 IC는, 유전체 기판의 한쪽 면측에 설치되고, 유전체 기판의 다른쪽 면측에는 배선패턴에 접속된 복수의 단자와, 서멀 바이어에 도통하는 방열 패턴이 설치되었기 때문에 SAW 필터와 파워 앰플리파이어 IC가 방열 패턴에 의하여 방열효과가 한층 좋아져 더욱 성능이 양호한 것이 얻어진다. At least the SAW filter and the power amplifier IC are provided on one side of the dielectric substrate, and on the other side of the dielectric substrate, a plurality of terminals connected to the wiring pattern and a heat dissipation pattern to conduct the thermal via are provided. The power amplifier IC has a better heat dissipation effect due to the heat dissipation pattern, so that a better performance can be obtained.

또, 안테나 스위치 IC, 파워 앰플리파이어 IC, 및 트랜시버 IC의 각각은, 베어칩으로 형성됨과 동시에, 유전체 기판의 한쪽 면측에 설치한 상태에서 와이어에 의하여 배선 패턴에 접속되고, SAW 필터는 유전체 기판의 한쪽 면측에 설치되고, 유전체 기판의 한쪽 면측에는 안테나 스위치 IC, 파워 앰플리파이어 IC, 트랜시버 IC 및 SAW 필터를 덮는 제 1 절연 수지부가 설치되었기 때문에 먼지나 습기에 강한 것이 얻어져 성능이 좋은 것을 제공할 수 있다. Each of the antenna switch IC, the power amplifier IC, and the transceiver IC is formed of a bare chip and is connected to the wiring pattern by a wire in a state where the antenna switch IC, the power amplifier IC, and the transceiver IC are provided on one side of the dielectric substrate, and the SAW filter is connected to one side of the dielectric substrate. Since the first insulating resin portion is provided on the surface side and covers the antenna switch IC, the power amplifier IC, the transceiver IC, and the SAW filter on one side of the dielectric substrate, it is possible to obtain a good performance by being resistant to dust and moisture. .

또, 유전체 기판의 한쪽 면측에는, 안테나 스위치 IC, 파워 앰플리파이어 IC 및 SAW 필터가 배치됨과 동시에, 안테나 스위치 IC와 대향하는 위치의 유전체 기판의 다른쪽 면측에는 바닥이 있는 오목부가 설치되고, 오목부내에는 안테나 스위치 IC와 대향한 상태에서 플립칩형상의 트랜시버 IC가 설치되었기 때문에 유전체 기판에 탑재되는 부품을 유전체 기판의 양면으로 분산할 수 있어 유전체 기판의 표면적을 작게 할 수 있고, 소형의 것이 얻어진다. In addition, an antenna switch IC, a power amplifier IC, and a SAW filter are disposed on one surface side of the dielectric substrate, and a recess with a bottom is provided on the other surface side of the dielectric substrate at a position facing the antenna switch IC. Since the flip chip transceiver IC is provided in a state facing the antenna switch IC, components mounted on the dielectric substrate can be dispersed on both sides of the dielectric substrate, so that the surface area of the dielectric substrate can be made small and a small size can be obtained.

또, 안테나 스위치 IC와 파워 앰플리파이어 IC의 각각은, 베어칩으로 형성됨과 동시에 유전체 기판의 한쪽 면측에 설치한 상태에서 와이어에 의하여 배선패턴에 접속되고, 유전체 기판의 한쪽 면측에는 안테나 스위치 IC, 파워 앰플리파이어 IC 및 SAW 필터를 덮는 제 1 절연 수지부가 설치됨과 동시에, 오목부내에는 트랜시버 IC를 덮는 제 2 절연 수지부가 설치되었기 때문에, 유전체 기판에 탑재된 부품 이 제 1, 제 2 절연 수지부에 의하여 덮여져 있기 때문에, 먼지나 습기에 강한 것이 얻어져 성능이 좋은 것을 제공할 수 있다. In addition, each of the antenna switch IC and the power amplifier IC is formed of a bare chip and is connected to the wiring pattern by a wire in a state where the antenna switch IC and the power amplifier IC are provided on one side of the dielectric substrate, and the antenna switch IC and the power amplifier are provided on one side of the dielectric substrate. Since the first insulating resin portion covering the IC and SAW filter is provided, and the second insulating resin portion covering the transceiver IC is provided in the recess, the components mounted on the dielectric substrate are covered by the first and second insulating resin portions. As a result, one resistant to dust and moisture can be obtained, and a good performance can be provided.

또, 트랜시버 IC는, 적어도 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하는 복조회로와, 송신용 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 변조회로와, 복조회로와 변조회로에 접속된 베이스 밴드 회로와, 복조회로 및 변조회로에 국부 발진신호를 공급하는 VCO를 구비하였기 때문에, 여러가지의 회로가 IC 화되어 소형의 것이 얻어진다.The transceiver IC includes at least a demodulation circuit for converting a received signal into a baseband signal, a modulation circuit for converting a transmission baseband signal into a transmission signal, a baseband circuit connected to the demodulation circuit and a modulation circuit, Since the VCO for supplying the local oscillation signal to the demodulation circuit and the modulation circuit is provided, various circuits are ICized to obtain a small one.

또, 유전체 기판의 다른쪽 면측에는 배선 패턴에 접속된 복수의 단자를 가지고, 단자는 송수신용 안테나에 접속되는 안테나단자, 베이스 밴드의 신호 입출력 단자, 회로를 동작시키기 위한 전원을 공급하는 전원단자를 구비하였기 때문에, 각각의 단자에 안테나, 베이스 밴드 회로 및 전원을 접속하면 휴대전화기용이 되기 때문에, 간단한 구성의 것이 얻어진다. On the other side of the dielectric substrate, there are a plurality of terminals connected to a wiring pattern, and the terminal has an antenna terminal connected to a transmitting / receiving antenna, a signal input / output terminal of a base band, and a power supply terminal for supplying power for operating a circuit. Since the antenna, baseband circuit, and power supply are connected to each terminal, the mobile phone can be used. Thus, a simple structure can be obtained.

Claims (7)

배선 패턴을 가지는 유전체 기판과, 상기 배선 패턴에 접속되어 수신상태와 송신상태의 전환을 행하는 안테나 스위치 IC와, 상기 배선 패턴에 접속되어 수신신호로부터 소정의 주파수 신호를 통과시키는 SAW 소자로 이루어지는 SAW 필터와, 송신신호를 증폭하는 파워 앰플리파이어 IC와, 상기 배선 패턴에 접속되어 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하고, 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 트랜시버 IC를 가지고, 상기 SAW 필터와 상기 파워 앰플리파이어 IC가 얹어 놓여진 상기 유전체 기판에는, 상기 SA W필터와 상기 파워 앰플리파이어 IC의 하면과 대향하는 위치에 서멀 바이어가 배치된 것을 특징으로 하는 휴대전화기용 고주파 모듈. SAW filter comprising a dielectric substrate having a wiring pattern, an antenna switch IC connected to the wiring pattern to switch between a reception state and a transmission state, and a SAW element connected to the wiring pattern to pass a predetermined frequency signal from the received signal. And a power amplifier IC for amplifying a transmission signal, and a transceiver IC connected to the wiring pattern to convert a received signal into a baseband signal and converting a baseband signal into a transmission signal, wherein the SAW filter and the power amplifier IC are provided. And a thermal via disposed at a position facing the bottom surface of the SA W filter and the power amplifier IC. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 적어도 상기 SAW 필터와 상기 파워 앰플리파이어 IC는, 상기 유전체 기판의 한쪽 면측에 배치되고, 상기 유전체 기판의 다른쪽 면측에는 상기 배선 패턴에 접속된 복수의 단자와, 상기 서멀 바이어에 도통하는 방열 패턴이 설치된 것을 특징으로 하는 휴대전화기용 고주파 모듈. At least the SAW filter and the power amplifier IC are disposed on one surface side of the dielectric substrate, and a plurality of terminals connected to the wiring pattern and a heat radiation pattern conductive to the thermal via are provided on the other surface side of the dielectric substrate. High frequency module for mobile phones, characterized in that. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 안테나 스위치 IC, 상기 파워 앰플리파이어 IC 및 트랜시버 IC의 각각은, 베어칩으로 형성됨과 동시에, 상기 유전체 기판의 한쪽 면측에 설치한 상태에 서 와이어에 의하여 상기 배선 패턴에 접속되고, 상기 SAW 필터는, 상기 유전체 기판의 상기 한쪽 면측에 설치되고, 상기 유전체 기판의 상기 한쪽 면측에는 상기 안테나 스위치 IC, 상기 파워 앰플리파이어 IC, 트랜시버 IC 및 상기 SAW 필터를 덮는 제 1 절연 수지부가 설치된 것을 특징으로 하는 휴대전화기용 고주파 모듈. Each of the antenna switch IC, the power amplifier IC, and the transceiver IC is formed of a bare chip, and is connected to the wiring pattern by a wire in a state where the antenna switch IC, the power amplifier IC, and the transceiver IC are provided on one side of the dielectric substrate, and the SAW filter, And a first insulating resin portion covering the antenna switch IC, the power amplifier IC, the transceiver IC, and the SAW filter on the one side of the dielectric substrate, and on the one side of the dielectric substrate. High frequency module. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 유전체 기판의 한쪽 면측에는, 상기 안테나 스위치 IC, 상기 파워 앰플리파이어 IC 및 상기 SAW 필터가 설치됨과 동시에, 상기 안테나 스위치 IC와 대향하는 위치의 상기 유전체 기판의 다른쪽 면측에는 바닥이 있는 오목부가 설치되고, 상기 오목부내에는 상기 안테나 스위치 IC와 대향한 상태에서 플립칩형상의 상기 트랜시버 IC가 설치된 것을 특징으로 하는 휴대전화기용 고주파 모듈. On one side of the dielectric substrate, the antenna switch IC, the power amplifier IC and the SAW filter are provided, and at the other side of the dielectric substrate at a position facing the antenna switch IC, a bottomed recess is provided. And the transceiver IC of the flip chip shape is installed in the recess in a state facing the antenna switch IC. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 안테나 스위치 IC와 상기 파워 앰플리파이어 IC의 각각은, 베어칩으로 형성됨과 동시에, 상기 유전체 기판의 한쪽 면측에 설치한 상태에서 와이어에 의하여 상기 배선 패턴에 접속되고, 상기 유전체 기판의 상기 한쪽 면측에는 상기 안테나 스위치 IC, 상기 파워 앰플리파이어 IC 및 상기 SAW 필터를 덮는 제 1 절연 수지부가 설치됨과 동시에, 상기 오목부내에는 상기 트랜시버 IC를 덮는 제 2 절연수지부가 설치된 것을 특징으로 하는 휴대전화기용 고주파 모듈. Each of the antenna switch IC and the power amplifier IC is formed of a bare chip, and is connected to the wiring pattern by a wire in a state where the antenna switch IC and the power amplifier IC are provided on one side of the dielectric substrate. And a first insulating resin part covering the antenna switch IC, the power amplifier IC and the SAW filter, and a second insulating resin part covering the transceiver IC in the recess. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트랜시버 IC는, 적어도 상기 수신신호를 베이스 밴드 신호로 변환하는 복조회로와, 송신용 베이스 밴드 신호를 송신신호로 변환하는 변조회로와, 상기 복조회로와 상기 변조회로에 접속된 베이스 밴드 회로와, 복조회로 및 변조회로에 국부 발진신호를 공급하는 VCO를 구비한 것을 특징으로 하는 휴대전화기용 고주파 모듈.The transceiver IC includes at least a demodulation circuit for converting the received signal into a baseband signal, a modulation circuit for converting a transmission baseband signal into a transmission signal, and a baseband circuit connected to the demodulation circuit and the modulation circuit. And a VCO for supplying a local oscillation signal to the demodulation circuit and the modulation circuit. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 유전체 기판의 상기 다른쪽 면측에는, 상기 배선 패턴에 접속된 복수의 단자를 가지고, 상기 단자는 송수신용 안테나에 접속되는 안테나단자, 베이스 밴드의 신호 입출력 단자, 회로를 동작시키기 위한 전원을 공급하는 전원단자를 구비한 것을 특징으로 하는 휴대전화기용 고주파 모듈. The other surface side of the dielectric substrate has a plurality of terminals connected to the wiring pattern, the terminals supplying an antenna terminal connected to a transmitting / receiving antenna, a signal input / output terminal of a base band, and a power supply for operating a circuit. A high frequency module for a mobile phone, comprising a power supply terminal.
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