KR20060046919A - Structure for semiconductor photo mask - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 노광 마스크에 관한 것으로, 본 발명은 반도체 기판 상의 포토레지스트층을 노광시키기 위한 노광 마스크에 있어서, 상기 노광 마스크는 투광성 기판과 상기 투광성 기판 저면에 증착되는 차광막을 포함하고, 상기 차광막은 형성된 패턴이 노광 시에 상기 포토레지스트층에 전사되도록 형성되는 메인 피처와 형성된 패턴이 노광 시에 상기 포토레지스트층에 전사되지 않도록 형성되는 어시스트 피처를 제공하고, 상기 어시스트 피처는 편광막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광 마스크를 제공한다.
The present invention relates to a semiconductor exposure mask, and the present invention relates to an exposure mask for exposing a photoresist layer on a semiconductor substrate, the exposure mask including a light-transmitting film and a light-shielding film deposited on a bottom surface of the light-transmitting substrate, Providing a main feature that is formed so that the formed pattern is transferred to the photoresist layer during exposure and an assist feature that is formed so that the formed pattern is not transferred to the photoresist layer during exposure, wherein the assist feature further comprises a polarizing film; A semiconductor exposure mask is provided.

노광마스크, 어시스트피쳐, 편광막, 편광패턴Exposure mask, assist feature, polarizing film, polarizing pattern

Description

반도체 노광 마스크{structure for semiconductor photo mask} Semiconductor exposure mask {structure for semiconductor photo mask}             

도 1은 종래 어시스트 피쳐를 구비하는 반도체 노광 마스크의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor exposure mask with conventional assist features.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따르는 반도체 노광 마스크의 일실시 단면도이다.2A is a cross-sectional view of an embodiment of a semiconductor exposure mask in accordance with an embodiment of the present invention.

도 2b는 본 발명의 일 실시예에 의해 어시스트 피쳐에 형성되는 편광막을 보여주는 도면이다.2B is a view illustrating a polarizing film formed on an assist feature according to an embodiment of the present invention.

도 3은 다양한 편광 빔 패턴의 모식도이다.3 is a schematic diagram of various polarization beam patterns.

도 4는 편광 빔의 패턴에 따라 향상되는 공정 마진을 보여주는 그래프이다.
4 is a graph showing process margins improved according to the pattern of the polarizing beam.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1:광투과 기판 2:차광막1: light transmitting substrate 2: light shielding film

3:편광막
3: polarizing film

본 발명은 반도체 노광 마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 장치의 게이트 패턴과 같이 밀도가 높은 편광과 어시스트 피쳐(assist feature)를 이용하여 보다 정확하게 패턴을 정의할 수 있는 반도체 노광 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor exposure mask, and more particularly, to a semiconductor exposure mask that can define a pattern more accurately by using high density polarization and assist features such as a gate pattern of a semiconductor device.

일반적으로, 반도체 노광 마스크는 광을 투과하는 영역과 광을 차단하는 영역을 두어 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트에 선택적으로 광을 조사하여 패턴을 형성할 수 있도록 하는 것이다.In general, a semiconductor exposure mask has a region that transmits light and a region that blocks light so that a pattern can be formed by selectively irradiating light onto a photoresist applied on a wafer.

반도체 장치 특성에 따라 게이트 패턴과 같이 다수의 게이트와 그 게이트 사이의 스페이스가 조밀하게 구성되는 밀도가 높은 부분과, 넓은 지역에 하나의 패턴만이 형성되는 밀도가 낮은 부분이 혼재하게 된다.According to the characteristics of a semiconductor device, a high density portion in which a plurality of gates and spaces between the gates are densely formed, such as a gate pattern, and a low density portion in which only one pattern is formed in a large area are mixed.

이처럼 다양한 패턴을 동일한 공정으로 형성할 때 밀도가 낮은 부분에 형성되는 패턴은 밀도가 높은 부분에 형성되는 패턴에 비하여 초점이나 노광 에너지의 변화에 민감하게 반응하여 패턴의 정확한 형성이 용이하지 않게 된다.When the various patterns are formed in the same process, the patterns formed in the low density portions are more sensitive to the change in focus or exposure energy than the patterns formed in the high density portions, thereby making it difficult to accurately form the patterns.

상기와 같은 문제점을 보완하기 위하여 개발된 것이 어시스트 피쳐(assist feature)이다.The assist feature has been developed to solve the above problems.

도 1은 종래 어시스트 피쳐가 적용된 노광 마스크의 일실시 구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 투광성 기판(1)의 저면에 차광막(2)이 소정의 패턴을 가지며 형성 된다.FIG. 1 is an exemplary configuration diagram of an exposure mask to which a conventional assist feature is applied. As shown in FIG. 1, a light blocking film 2 is formed on a bottom surface of a light transmissive substrate 1 having a predetermined pattern.

상기 구조에서 좌측에 보이는 바와 같이 차광막(2)의 사이로 노출되는 투광성 기판(1)이 보다 조밀한 경우 밀도가 높은 패턴(dense pattern)을 형성하기 위한 것이며, 우측은 넓은 지역에 하나의 투광성 기판(1) 노출영역이 있는 것으로 이는 밀도가 낮은 패턴(isolated pattern)을 형성하기 위한 것이다.As shown on the left side of the structure, when the light-transmissive substrate 1 exposed between the light shielding films 2 is more dense, it is for forming a dense pattern, and on the right side, a light-transmissive substrate ( 1) There is an exposed area, which is intended to form an isolated pattern.

상기 밀도가 낮은 패턴을 형성하기 위한 부분은 A로 표시하였으며, 그 A의 양측면부에 폭이 좁은 두 영역에서 투광성 기판(1)이 노출된다.A portion for forming the low-density pattern is denoted by A, and the light-transmissive substrate 1 is exposed in two narrow areas on both sides of the A.

이와 같이 실제 패턴을 형성하기 위한 영역의 양측면부에 더 폭이 좁은 차광막(2)의 오픈 영역이 어시스트 피쳐(AF)가 된다.In this way, the open area of the light shielding film 2 that is narrower on both side portions of the area for forming the actual pattern becomes the assist feature AF.

상기 밀도가 낮은 패턴의 형성과정에서 어시스트 피쳐를 이용하여 노광 에너지와 초점에 덜 민감한 패턴 형성이 가능해져 공정마진을 개선할 수 있다.In the process of forming the low-density pattern, an assist feature may be used to form a pattern that is less sensitive to exposure energy and focus, thereby improving process margins.

그러나 이와 같은 종래 어시스트 피쳐를 이용한 노광 마스크는 초점과 에너지에 덜 민감한 패턴을 형성할 수 있는 정도의 수준이고, 소자의 집적화가 심화되는 과정에서 여전히 패턴의 밀도가 낮은 부분의 형성이 용이하지 않은 문제가 있었다.
However, the exposure mask using such a conventional assist feature is a level capable of forming a pattern that is less sensitive to focus and energy, and it is still not easy to form a portion having a low density of patterns in the process of increasing integration of devices. There was.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 편광 물질이 포함된 어시스트 피쳐를 이용하여 패턴의 밀도가 낮은 영역에서 공정마진을 향상시켜 보다 정확한 패턴을 형성할 수 있는 반도체 노광 마스크를 제공함에 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the above problems, to provide a semiconductor exposure mask that can form a more accurate pattern by improving the process margin in the low density region of the pattern using an assist feature containing a polarizing material. Has its purpose.

상기한 목적 달성을 위해 본 발명은 반도체 기판 상의 포토레지스트 층을 노 광시키기 위한 노광 마스크에 있어서, 상기 노광 마스크는 투광성 기판과 상기 투광성 기판 저면에 증착되는 차광막을 포함하고, 상기 차광막은 형성된 패턴이 노광 시에 상기 포토레지스트층에 전사되도록 형성되는 메인 피처와 형성된 패턴이 노광 시에 상기 포토레지스트층에 전사되지 않도록 형성되는 어시스트 피처를 제공하고, 상기 어시스트 피처는 편광막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광 마스크를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an exposure mask for exposing a photoresist layer on a semiconductor substrate, wherein the exposure mask includes a light-transmitting substrate and a light-shielding film deposited on a bottom surface of the light-transmitting substrate, and the light-shielding film has a pattern formed thereon. A main feature formed to be transferred to the photoresist layer at the time of exposure and an assist feature formed to prevent the pattern formed from being transferred to the photoresist layer at the time of exposure, wherein the assist feature further comprises a polarizing film Provided is a semiconductor exposure mask.

여기서, 상기 편광막은 상기 패턴의 방향과 동일 방향으로 조사되는 광을 편광할 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다.
Here, the polarizing film is preferably formed to polarize light irradiated in the same direction as the direction of the pattern.

이하 도면에 따라 상기 발명의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 이를 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 이 실시예들을 벗어나 다양한 형태로 구현 가능하다. 한편, 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving the same will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be embodied in various forms beyond the embodiments. In addition, like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도 2a는 본 발명에 의한 일실시예에 따르는 반도체 노광 마스크의 단면 구성도이다.2A is a cross-sectional configuration diagram of a semiconductor exposure mask according to an embodiment of the present invention.

도 2a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 노광 마스크는 투광성 기판(1)과 상기 투광성 기판(1)의 저면에 반도체 장치의 제조를 위하여 투광성 기판(1)을 소정의 패턴 형상으로 노출시키는 차광막(2)을 포함하여 형성된 다. As shown in FIG. 2A, in the semiconductor exposure mask according to the exemplary embodiment of the present invention, the light-transmissive substrate 1 and the bottom surface of the light-transmissive substrate 1 are formed on the light-transmissive substrate 1 in order to manufacture a semiconductor device. It is formed including a light shielding film (2) exposed in the shape.

상기 차광막(2)은 형성된 패턴이 노광 시에 반도체 기판 위에 증착된 포토레지스트층에 전사되도록 형성되는 메인 피처와 형성된 패턴이 노광 시에 상기 포토레지스트층에 전사되지 않도록 형성되는 어시스트 피처를 제공한다. The light shielding film 2 provides a main feature that is formed so that the formed pattern is transferred to a photoresist layer deposited on the semiconductor substrate during exposure, and an assist feature that is formed so that the formed pattern is not transferred to the photoresist layer during exposure.

상기 메인피쳐는 상기 차광막(2)이 상기 투광성 기판(1)을 A만큼 노출시킨 부분이다. 본 발명의 일 실시예로 형성된 메인 피쳐는 노광 시에 반도체 기판 위의 포토레지스트층에 밀도가 낮은 패턴(isolated pattern)을 형성하는 형태로 구성되어 있다. 반면에 차광막(2)의 사이로 조밀하게 투광성 기판(1)이 노출되는 부분은 앞서 설명한 바와 같이, 밀도가 높은 패턴(dense pattern)을 형성하기 위한 메인피쳐이다. The main feature is a portion in which the light shielding film 2 exposes the light transmissive substrate 1 by A. The main feature formed in one embodiment of the present invention is configured to form an isolated pattern in the photoresist layer on the semiconductor substrate during exposure. On the other hand, a portion where the light transmissive substrate 1 is densely exposed between the light shielding films 2 is a main feature for forming a dense pattern as described above.

상기 어시스트 피처는 상기 메인 피쳐가 밀도가 낮은 패턴을 형성하는 형태로 구성되는 경우, 노광되는 빛의 초점(focus)이나 에너지 변화에 의해 패턴 형성의 공정 마진(Depth of focus)을 확보할 수 없어 정확한 패턴을 형성할 수 없기 때문에, 이를 보완하기 위해 형성되는 구조이다. When the main feature is configured to form a pattern having a low density, the assist feature cannot secure a process depth of pattern formation due to an energy change or a focus of exposed light. Since the pattern cannot be formed, the structure is formed to compensate for this.

상기 어시스트 피쳐는 도 2a에서 차광막(2)이 상기 투광성 기판(1)을 AF 만큼 노출시켜 형성되며, 노광 시에 반도체 기판 위의 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 데에는 영향을 미치지 않는다. 다만, 어시스트 피쳐는 메인피쳐가 패턴을 형성할 때, 해상력을 증가시켜 노광되는 빛의 초점이나 에너지 변화에도 불구하고 공정 마진 내에서 정확한 패턴 형성을 돕는다.The assist feature is formed by the light blocking film 2 exposing the light transmissive substrate 1 by AF in FIG. 2A, and does not affect the formation of a pattern on the photoresist layer on the semiconductor substrate during exposure. However, the assist feature increases the resolution when the main feature forms a pattern, thereby helping to form an accurate pattern within the process margin despite the change in focus or energy of the exposed light.

또한, 어시스트 피쳐는 여러 방향으로 진동하는 광을 선택된 일 방향으로 진 동하는 광으로 필터링할 수 있는 편광막(3)을 포함한다. 이는 상기 편광 빔이 편광이 되지 않은 빔에 비하여 높은 공정마진을 보이며, 이를 이용하여 패턴의 밀도가 낮은 영역에 패턴을 형성할 때 보다 높은 공정마진을 확보할 수 있기 때문이다. 또한, 편광된 광원의 경우에도 편광 방향에 따라 공정마진에 차이가 있으므로 상기 편광막(3)은 패턴의 방향과 동일 방향으로 조사되는 광을 편광할 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다. 그 결과 본 발명의 일실시예에 의한 편광막(3)에 의해 조사되는 광은 패턴의 방향과 동일한 방향의 편광 빔(polarized beam)을 획득하게 된다.In addition, the assist feature includes a polarizing film 3 capable of filtering light oscillating in various directions to light oscillating in one selected direction. This is because the polarized beam shows a higher process margin than that of the non-polarized beam, and it is possible to secure a higher process margin when forming a pattern in a region having a low density of the pattern using the polarized beam. In addition, in the case of a polarized light source, since there is a difference in the process margin according to the polarization direction, the polarizing film 3 is preferably formed to polarize light irradiated in the same direction as the direction of the pattern. As a result, the light irradiated by the polarizing film 3 according to the embodiment of the present invention obtains a polarized beam in the same direction as the direction of the pattern.

도 2b는 본 발명의 일 실시예에 의한 편광막(3)을 보여주는 도면이다.2B is a view showing a polarizing film 3 according to an embodiment of the present invention.

도 2b를 참고하면, 메인 피쳐에 의해 투명성 기판이 노출되는 부위(A)와 어시스트 피쳐(AF)에 증착된 편광막(3)의 모습을 살펴볼 수 있다. 상기 편광막(3) 아래에는 투명성 기판(1)이 노출된 영역(점선영역 내부)과 상기 투명성 기판(1)에 증착되어 노광시 빛을 차단하는 차광막(2, 미도시)이 있다.Referring to FIG. 2B, the appearance of the polarizing film 3 deposited on the portion A and the assist feature AF where the transparent substrate is exposed by the main feature may be described. Below the polarizing film 3, there are a region (inside a dotted area) where the transparent substrate 1 is exposed and a light blocking film 2 (not shown) that is deposited on the transparent substrate 1 to block light during exposure.

이하, 앞서 살펴 본 편광 빔의 패턴을 살펴 본 후, 본 발명의 일 실시예에 의해 어시스트 피쳐에 편광막을 사용하는 경우 얻을 수 있는 효과를 설명한다.Hereinafter, after looking at the pattern of the polarizing beam described above, an effect obtained when the polarizing film is used for the assist feature according to an embodiment of the present invention will be described.

도 3에는 여러 가지 편광 빔의 패턴을 도시하였다.3 shows a pattern of various polarizing beams.

도 3에 도시한 바와 같이, 편광막(3)을 이용하여 다양한 패턴의 편광 빔을 얻을 수 있다. 이때, 다양한 편광 빔을 형성하는 편광판 중에서 앞서 설명한 밀도가 낮은 패턴 방향과 동일한 방향의 편광 빔을 얻을 수 있는 편광막(3)을 선택해야 한다. 이는 보다 정확한 패턴의 에지부분의 현상을 가능하게 하기 위함이다.As illustrated in FIG. 3, the polarizing beams of various patterns can be obtained using the polarizing film 3. At this time, among the polarizing plates forming various polarizing beams, the polarizing film 3 capable of obtaining the polarizing beam in the same direction as the pattern direction having the low density described above should be selected. This is to enable development of the edge portion of the pattern more accurately.

즉, 패턴의 에지 부분에서 편광이 되지 않은 빔은 그 패턴 에지의 방향과 수 직으로의 진동을 포함하기 때문에 에지부분의 정확한 패턴형성이 용이하지 않다. 그러나 본 발명의 일 실시예와 같이 패턴의 에지 방향과 동일한 방향으로 편광된 빔을 사용함으로써 보다 정확한 에지의 정의가 가능하게 된다. 이는 이하 자세히 설명한다.In other words, the beam that is not polarized at the edge portion of the pattern includes vibration in the direction and vertical of the pattern edge, so that accurate pattern formation of the edge portion is not easy. However, by using a beam polarized in the same direction as the edge direction of the pattern as in an embodiment of the present invention, more accurate edge definition is possible. This is described in detail below.

도 4는 편광 빔의 패턴에 따라 향상되는 공정 마진을 보여주는 그래프이다. 도 4를 통해 편광된 빔에 의한 노광시 얻을 수 있는 패턴 형성의 공정마진 향상을 살펴볼 수 있다. 4 is a graph showing process margins improved according to the pattern of the polarizing beam. Referring to FIG. 4, the process margin improvement of pattern formation that may be obtained during exposure by a polarized beam may be observed.

우선, 도 4a는 노광시 고리 모양(annular)의 빔을 사용하는 경우 피치거리에 대한 NILS( Normalized Image Log Slope)를 나타낸다. 그래프에 나타난 함수값은 각각 패턴의 수직 방향인 x 방향 편광 빔, TM 편광 빔과 편광되지 않은 빔, 또한 패턴의 수평 방향인 TE 편광 빔 및 y 방향 편광 빔을 나타낸다. 상기 그래프의 분석 결과 노광시 패턴 형성의 공정 마진을 향상시키기 위해서는 패턴의 수평 방향의 편광 빔을 이용여야 한다는 것을 알 수 있다. 상기 결과는 도 4b처럼 쿼사(Quasar) 모양의 빔을 사용하는 경우에 있어 피치거리에 대한 NILS의 관계를 나타내는 그래프(도 4b) 및, 도 4c처럼 쿼사(Quasar) 모양의 빔을 사용하여 초점거리에 NILS에 대한 관계를 표시한 그래프에서도 얻을 수 있다. First, FIG. 4A shows a normalized image log slope (NILS) for a pitch distance when using an annular beam during exposure. The function values shown in the graph represent the x-direction polarized beam, the TM polarized beam and the non-polarized beam, respectively, the vertical direction of the pattern, and the TE-polarized beam and the y-directional polarized beam, which are also the horizontal direction of the pattern. As a result of analysis of the graph, it can be seen that in order to improve the process margin of pattern formation during exposure, a polarizing beam in the horizontal direction of the pattern should be used. The result is a graph showing the relationship of the NILS to the pitch distance when using a quasar shaped beam as shown in FIG. 4B (FIG. 4B), and a focal length using a quasar shaped beam as shown in FIG. It can also be obtained from the graph showing the relationship to NILS.

상기 그래프 분석 결과와 같이, 노광에 이용되는 빛이 포함하는 성분 중 반도체 기판상에 형성되는 패턴의 방향과 수평인 방향의 편광 빔은 공정 마진을 향상시키지만 수직 방향은 공정 마진의 손실을 야기한다. 이는 반도체 포토리소그라피 공정에서 사용하는 광이 적외선이며 파장이 짧은 고에너지의 광으로 그 진폭이 작 기 때문에 패턴의 에지와 수직방향으로 진동하는 경우에는 그 광의 진폭 정도에 공정마진 손실이 발생하기 때문이다. As a result of the graph analysis, the polarization beam in a direction parallel to the direction of the pattern formed on the semiconductor substrate among the components included in the light used for exposure improves the process margin, but the vertical direction causes the loss of the process margin. This is because the light used in the semiconductor photolithography process is infrared and short wavelength, high-energy light, and its amplitude is small. Therefore, when the oscillation in the direction perpendicular to the edge of the pattern occurs, process margin loss occurs in the amplitude of the light. .

이러한 작은 공정마진의 손실도 반도체 장치의 집적화가 심화되면서 각 패턴의 크기가 더욱 작아져 공정마진의 손실을 최소화할 필요가 있다. 따라서, 앞서 살펴본 본 발명의 일 실시예에서는 어시스트 피쳐(AF)상에 편광막을 부가하여 보다 높은 공정마진을 확보한다. The loss of such a small process margin also increases the integration of semiconductor devices, so the size of each pattern is smaller, it is necessary to minimize the loss of the process margin. Therefore, in the above-described embodiment of the present invention, a higher process margin is secured by adding a polarizing film on the assist feature AF.

상기와 같은 본 발명의 구조는 마스크의 종류에 관계없이 적용이 가능하며, 또한 노광장비의 종류에 관계없이 모든 노광장비를 이용하는 공정에서 사용할 수 있다.
The structure of the present invention as described above can be applied regardless of the type of mask, and can be used in the process using all the exposure equipment regardless of the type of exposure equipment.

본 발명에 의하면, 편광 물질이 포함된 어시스트 피쳐를 이용하여 패턴의 밀도가 낮은 영역에서 공정마진을 향상시켜 보다 정확한 패턴을 형성할 수 있는 반도체 노광 마스크를 제공할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect of providing a semiconductor exposure mask that can form a more accurate pattern by improving the process margin in a region having a low density of the pattern by using an assist feature including a polarizing material.

Claims (2)

반도체 기판 상의 포토레지스트층을 노광시키기 위한 노광 마스크에 있어서, 상기 노광 마스크는 투광성 기판과 상기 투광성 기판 저면에 증착되는 차광막을 포함하고,An exposure mask for exposing a photoresist layer on a semiconductor substrate, wherein the exposure mask includes a light transmissive substrate and a light shielding film deposited on a bottom surface of the light transmissive substrate, 상기 차광막은 형성된 패턴이 노광 시에 상기 포토레지스트층에 전사되도록 형성되는 메인 피처와 형성된 패턴이 노광 시에 상기 포토레지스트층에 전사되지 않도록 형성되는 어시스트 피처를 제공하고, The light shielding film provides a main feature that is formed so that the formed pattern is transferred to the photoresist layer during exposure, and an assist feature that is formed so that the formed pattern is not transferred to the photoresist layer during exposure. 상기 어시스트 피처는 편광막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광 마스크.The assist feature further comprises a polarizing film. 제 1항에 있어서, 상기 편광막은 상기 패턴의 방향과 동일 방향으로 조사되는 빔을 편광하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광 마스크.The semiconductor exposure mask according to claim 1, wherein the polarizing film polarizes a beam irradiated in the same direction as the direction of the pattern.
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KR100914296B1 (en) * 2007-12-27 2009-08-27 주식회사 하이닉스반도체 Method for fabricating photomask having assist pattern

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100914296B1 (en) * 2007-12-27 2009-08-27 주식회사 하이닉스반도체 Method for fabricating photomask having assist pattern

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