KR20060043132A - 과충전/과방전 검출장치 및 과충전/과방전 검출회로 그리고반도체장치 - Google Patents

과충전/과방전 검출장치 및 과충전/과방전 검출회로 그리고반도체장치 Download PDF

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KR20060043132A
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secondary battery
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terminal
overcharge
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KR1020050014929A
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가즈히로 오시타
아키라 이케우치
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미쓰미덴기가부시기가이샤
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Abstract

[과제] 이차 전지의 충방전을 제어하는 과충전/과방전 검출장치 및 과충전/과방전 검출회로 그리고 반도체장치에 관한 것으로서, 전지의 액 누설을 간단한 구성으로, 확실하게 검출할 수 있는 과충전/과방전 검출장치 및 과충전/과방전 검출회로 그리고 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결 수단] 본 발명은, 이차 전지(113)를 외부회로에 접속 또는 이차 전지(113)를 외부회로로부터 절단하는 스위치 수단(M11,M12)과, 이차 전지(113)의 상태를 검출하고, 스위치 수단(M11,M12)을 제어하는 제어 수단(141,142,143,144,146,147,148,149)을 가지는 과충전/과방전 검출장치(114)에 있어서, 통상, 개방 상태로 한 검출단자(T14)와, 검출단자(T14)에 전압이 인가된 것을 검출하는 검출수단(145)을 가지고, 제어 수단(141,142,143,144,146,147,148,149)은, 검출수단(145)에 의해 검출단자(T14)에 전압이 인가된 것이 검출되었을 때에, 스위칭 수단(M11,M12)을 오프하고, 이차 전지(113)를 외부회로로부터 절단하는 것을 특징으로 한다.
이차 전지, 외부회로, 스위치 수단, 과충전/과방전 검출장치, 전압, 검출수단, 제어수단

Description

과충전/과방전 검출장치 및 과충전/과방전 검출회로 그리고 반도체장치{OVERCHARGE/OVERDISCHARGE DETECTING DIVICE, OVERCHARGE/OVERDISCHARGE DETECTING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR}
도 1은 본 발명의 하나의 실시 예의 블록 구성도이다.
도 2는 본 발명의 하나의 실시 예의 분해 사시도이다.
도 3은 회로기판(114)의 사시도이다.
도 4는 액 누설 검출부(145)의 변형 예의 블럭도이다.
도 5는 액 누설 검출부(145)의 변형 예의 동작 설명도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시 예의 블록 구성도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시 예의 블록 구성도이다.
[부호의 설명]
100,200,300 전지 팩
113 이차 전지 114 회로기판
131 과충전/과방전 검출ＩＣ 132,133,134 배선 패턴
141 과충전 검출부 142 과방전 검출부
143 과전류 검출부 144 단락 검출부
145 액 누설 검출부 146 발진회로
147 카운터 148 과충전 제어용 논리회로
149 과방전 검출용 논리회로 T1∼T6,T11∼T18 단자
일본국 공개특허공보 특개 2003-59467호
본 발명은 과충전/과방전 검출장치 및 과충전/과방전 검출회로 그리고 반도체장치에 관한 것이고, 특히, 이차 전지의 충방전을 제어하는 과충전/과방전 검출장치 및 과충전/과방전 검출회로 그리고 반도체장치에 관한 것이다.
리듐 이온 전지를 이용한 전지 팩은, 휴대전화 등의 휴대 단말장치의 전원으로서 탑재되어 있다. 그러나, 리듐 이온 전지는, 과충전, 과방전 등에 의해 수명이 극단적으로 단축된다. 이 때문에, 과충전, 과방전, 과전류, 단락 등으로부터 전지를 보호하기 위한 보호 회로가 탑재되어 있다 (문헌정보 참조).
그런데, 종래의 전지 팩에는, 전지의 액 누설을 검출하는 기능은 탑재되어 있지 않았다. 이 때문에, 전지가 액 누설을 일으켰을 경우 등 그것을 알아채지 못하고 계속해서 사용하여, 액 누설이 진행하고, 전기분해액이 장치 본체에까지 악영향을 끼칠 염려가 있는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 점에 감안하여 이루어진 것으로서, 전지의 액 누설을 간단 한 구성으로, 확실하게 검출할 수 있는 과충전/과방전 검출장치 및 과충전/과방전 검출회로 그리고 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이차 전지(113)를 외부회로에 접속 또는 이차 전지(113)를 외부회로로부터 절단하는 스위치 수단(M11,M12)과, 이차 전지(113)의 상태를 검출하고, 스위치 수단(M11,M12)을 제어하는 제어 수단(141,142,143,144,146,147,148,149)을 가지는 과충전/과방전 검출장치(114)에 있어서, 통상, 개방 상태로 한 검출단자(T14)와, 검출단자(T14)에 전압이 인가된 것을 검출하는 검출수단(145)을 가지고, 제어 수단(141,142,143,144,146,147,148,149)은, 검출수단(145)에 의해 검출단자(T14)에 전압이 인가된 것이 검출되었을 때에, 스위칭 수단(M11,M12)을 오프하고, 이차 전지(113)를 외부회로로부터 절단하는 것을 특징으로 한다.
또한 제어 수단(141,142,143,144,146,147,148,149)은, 이차 전지(113)의 이상상태를 검출하고, 이상상태 검출신호를 출력하는 이상상태 검출수단(141, 142, 143, 144)과, 이상상태 검출수단(141, 142, 143, 144)으로부터 이상상태 검출신호가 공급되었을 때에 스위칭 수단(M11,M12)을 오프하는 이차 전지보호용 논리회로(146, 147, 148, 149)를 가지고, 검출수단(145)은, 이상상태 검출신호를 제어함으로써, 스위칭 수단(M11,M12)을 오프하는 것을 특징으로 한다.
제어 수단(141,142,143,144,146,147,148,149)에 접속되고 있어 있고, 외부에서의 신호에 따라 제어 수단(141,142,143,144,146,147,148,149)의 동작을 테스트하는 테스트 단자(T17)를 가지고, 검출단자(T14)는, 테스트 단자(T17)와 공용된 것을 특징으로 한다.
또, 상기 참조 부호는, 어디까지나 참고이며, 이것에 의해 특허청구범위가 한정되는 것은 아니다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
도 1은 본 발명의 하나의 실시 예의 블록 구성도, 도 2는 본 발명의 하나의 실시 예의 분해 사시도를 가리킨다.
본 실시 예의 전지 팩(100)은, 예를 들면 휴대전화 등의 휴대 단말장치의 전원으로서 쓸 수 있는 축전지이며, 케이스(111), 커버(112), 이차 전지(113), 회로기판(114)으로부터 구성되어 있다.
케이스(111) 및 커버(112)는, 수지재로 구성되어 있다. 케이스(111)와 커버(112)로 구성되는 수용부(120)에는, 이차 전지(113) 및 회로기판(114)이 수용된다.
이차 전지(113)는, 예를 들면 리듐 이온 전지로 구성되어 있다. 이차 전지(113)의 플러스 전극에는 회로기판(114)의 단자(T1)에 용접된 금속판(121)이 납땜 되고, 이차 전지(113)의 마이너스 전극에는 회로기판(114)의 단자(T2)에 용접된 전극판(122)이 납땜 되어 있다.
도 3은 회로기판(114)의 사시도를 가리킨다.
회로기판(114)은, 프린트 배선판(130) 위로 과충전/과방전 검출ＩC(131), 트랜지스터(M11,M12), 저항(R11)을 탑재한 구성으로 하고 있다. 트랜지스터(M11)는, n채널 MOS전계효과 트랜지스터로 구성되고, 게이트가 과충전/과방전 검출IC(120)의 단자(T14)에 접속되고 있어, 오프시에 방전을 제한한다.
트랜지스터(M12)는, n채널 MOS전계효과 트랜지스터로 구성되어, 게이트가 과충전/과방전 검출IC(120)의 단자(T15)에 접속되고 있어, 오프시에 방전을 제한한다.
과충전/과방전 검출IC(131)는, 과충전 검출부(141), 과방전 검출부(142), 과전류 검출부(143), 단락 검출부(144), 액 누설 검출부(145), 발진회로(146), 카운터(147), 과충전 제어용 논리회로(148), 과방전 제어용 논리회로(149)로 구성된다.
과충전 검출부(141)는, 단자(T11)와 단자(T12)의 사이에 접속되고, 이차 전지(113)의 양단의 전압이 인가되어 있다.
과충전 검출부(141)는, 이차 전지(113)의 양단의 전압이 소정의 과충전 전압보다 작을 때에는 출력을 하이 레벨로 해서 이차 전지(113)의 전압이 소정의 과충전 전압보다 큰, 즉, 이차 전지(113)의 과충전 상태의 때에는 출력을 로우 레벨로 한다. 또, 소정의 과충전 전압은, 미리 설정된 규정의 전압이며, 이차 전지(113)의 특성에 따라 설정되어 있다. 과충전 검출부(141)의 출력은, 발진회로(146) 및 과충전 제어용 논리회로(148)에 공급된다.
과방전 검출부(142)는 단자(T11)와 단자(T12)의 사이에 접속되어, 이차 전지(113)의 양단의 전압이 인가되어 있다. 과방전 검출부(142)는, 이차 전지(113)의 양단의 전압이 소정의 과방전 전압보다 클 때에는 출력을 하이 레벨로 해서 이차 전지(113)의 전압이 소정의 과방전 전압보다 작은, 즉, 이차 전지(113)의 과방전 상태의 때에는 출력을 로우 레벨로 한다. 또, 소정의 과방전 전압은, 미리 설정된 규정의 전압이며, 이차 전지(113)의 특성에 따라 설정되어 있다. 과방전 검출부 (142)의 출력은, 발진회로(146) 및 과방전 제어용 논리회로(149)에 공급된다.
과전류 검출부(143)에는, 단자(T13)가 접속되어 있다. 단자(T13)는, 저항(R11)을 통해서 단자(T4)에 접속되어 있다. 단자(T4)에는, 부하의 마이너스측 전극이 접속된다. 과전류 검출부(143)는, 단자(T13)의 전압이 소정의 과전류 전압보다 작을 때에는 출력을 하이 레벨로 해서 단자(T13)의 전압이 소정의 과전류 전압보다 큰, 즉, 이차 전지(113)로부터 부하에 공급되는 전류가 과전류상태의 때에는 출력을 로우 레벨로 한다. 또, 소정의 과전류 전압은, 미리 설정된 규정의 전압이며, 이차 전지(113)의 특성에 따라 설정되어 있다. 과전류 검출부(143)의 출력은, 발진회로(146) 및 과방전 제어용 논리회로(149)에 공급된다.
단락 검출부(144)에는, 단자(T13)가 접속되어 있다. 단락 검출부(144)는, 단자(T13)의 전압이 소정의 단락 전압보다 작을 때에는 출력을 하이 레벨로 해서 단자(T13)의 전압이 소정의 단락 전압보다 큰, 즉, 이차 전지(113)가 단락된 상태의 때에는 출력을 로우 레벨로 한다. 또, 소정의 단락 전압은, 미리 설정된 규정의 전압이며, 이차 전지(113)의 특성에 따라 설정되어 있다. 단락부(144)의 출력은, 과방전 제어용 논리회로(149)에 공급된다.
액 누설 검출부(145)에는, 단자(T14)가 접속되어 있다. 단자(T14)는 프린트 배선판(130)형상으로 형성된 배선 패턴(132)에 접속되어 있다. 배선 패턴(132)은, 프린트 배선판(130) 위를 단자(T14)로부터 단자(T1) 근방까지 끌고 돌린다. 배선 패턴(132)은, 단자(T14)측의 단부가 단자(T14)에 납땜 되어, 단자(T1) 근방측의 단부는 개방 상태로 된다.
액 누설 검출부(145)는, 반전 앰프 등으로 구성되고 있고, 단자(T14)의 전위가 입력되고, 이차 전지(113)로부터 새어나간 액체에 의해 단자(T14)와 단자(T1)가 단락되어서, 단자(T14)의 전위가 VDD로 상승한 것을 검출하고, 출력을 로우 레벨로 한다. 액 누설 검출부(145)의 출력은, 과전압제어용 논리회로(148) 및 과전류제어용 논리회로(149) 그리고 발진회로(146)에 공급된다.
발진회로(146)는, 과충전 검출부(141), 과방전 검출부(142), 과전류 검출부(143)의 출력 중 어느 하나가 로우 레벨이 되면, 발진을 시작하고, 펄스를 출력한다. 또한 발진회로(146)에는, 테스트 단자(T17)가 접속되어 있다. 테스트 단자(T17)는, 조립 후나 출하시 등에 내부회로의 동작 테스트시에 있어서의 제어를 행하기 위한 단자이며, 회로기판(114)상의 배선 패턴(133)을 통해서 테스트 단자(T5)에 접속되어 있다. 회로기판(114)상의 테스트 단자(T5)를 통해서 과충전/과방전 검출IC(131)의 테스트를 위한 제어가 행하여진다.
발진회로(146)의 출력 펄스는, 카운터(147)에 공급된다. 카운터(147)는, 발진회로(146)의 출력 펄스를 카운트한다. 카운터(147)의 카운트 값은, 과충전 제어용 논리회로(148) 및 과방전 제어용 논리회로(149)에 공급된다. 또, 카운터(147)는, 과방전 제어용 논리회로(149)의 출력이 로우 레벨로부터 하이 레벨로 반전되면, 리셋된다.
과충전 제어용 논리회로(148)에는, 과충전 검출부(141) 및 액 누설 검출부(145)의 출력 및 카운터(147)의 카운트 값이 공급되어 있다. 과충전 제어용 논리회로(148)는, 과충전 검출부(141) 및/또는 액 누설 검출부(145)의 출력이 로우 레 벨이며, 또한, 카운터(147)의 카운트 값이 소정의 카운트 값이 되면, 출력을 로우 레벨로 하고 그 밖의 상태에서는 출력을 하이 레벨로 한다. 과충전 제어용 논리회로(148)의 출력은, 단자(T16)에 공급된다. 단자(T16)는, 트랜지스터(M12)의 게이트에 접속되어 있다.
과방전 제어용 논리회로(149)에는, 과방전 검출부(142) 및 과전류 검출부(143), 단락 검출부(144) 및 액 누설 검출부(145)의 출력 및 카운터(147)의 카운트 값이 공급되어 있다. 과방전 제어용 논리회로(149)는, 단락 검출부(144) 및/또는 액 누설 검출부(145)의 출력이 로우 레벨이며, 또한, 카운터(147)의 카운트 값이 소정의 카운트 값이 되면, 출력을 로우 레벨로 하고, 그 밖의 상태에서는 출력을 하이 레벨로 한다. 과방전 제어용 논리회로(149)의 출력은, 단자(T15)에 공급된다. 단자(T15)는, 트랜지스터(M11)의 게이트에 접속되어 있다.
트랜지스터(M11)는, 게이트가 단자(T15)에 접속되고, 소스가 단자(T2)에 접속되어, 드레인이 트랜지스터(M12)의 소스에 접속되어 있다. 트랜지스터(M12)는, 게이트가 단자(T16)에 접속되고, 소스가 트랜지스터(M11)의 드레인에 접속되어, 드레인이 단자(T4)에 접속되어 있다.
트랜지스터(M11)는, n채널 MOS전계효과 트랜지스터로 구성되고 있고, 단자(T15)의 출력이 로우 레벨인 때에 오프하고, 단자(T16)의 출력이 하이 레벨인 때에 온 한다. 트랜지스터(M12)는, n채널 MOS전계효과 트랜지스터로 구성되고 있고, 단자(T16)의 출력이 로우 레벨인 때에 오프하고, 단자(T16)의 출력이 하이 레벨인 때에 온 한다.
과방전, 과전류, 단락, 액 누설시에 단자(T15)가 로우 레벨이 되고, 트랜지스터(M11)가 오프 한다. 과충전, 및, 액 누설시에 단자(T16)가 로우 레벨이 되고, 트랜지스터(M12)가 오프 한다.
트랜지스터(M11) 및/또는 트랜지스터(M12)가 오프함으로써, 이차 전지(113)와 단자(T4)의 사이가 절단된다. 이것에 의해, 이차 전지(113)와 부하가 절단되고, 과충전, 과방전, 과전류, 단락, 액 누설시에 부하에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있고, 이차 전지(113)를 보호할 수 있다.
〔동작〕
이차 전지(113)에 액 누설이 발생했을 경우의 동작을 설명한다.
이차 전지(113)에 액 누설이 발생할 경우에는, 이차 전지(113)의 플러스측 전극 주위로부터 전기분해액의 액 누설이 발생한다. 이차 전지(113)의 플러스측 전극에 발생한 액 누설에 의한 전기분해액은, 전극판(121)을 따라 회로기판(114)의 단자(T1)에 전달된다.
단자(T1)의 근방에는, 배선 패턴(132)이 배치되어 있다. 단자(T1)에 도달한 누설 액은, 회로기판(114) 위에서 퍼진다. 전기분해액이 회로기판(114)에 퍼지고, 단자(T1)와 배선 패턴(132)에 걸쳐 개재되면, 단자(T1), 즉, 이차 전지(113)의 플러스측 전극과 배선 패턴(132)이 단락 상태로 한다.
단자(T1)와 배선 패턴(132)이 단락 상태로 되면, 과충전/과방전 검출IC(131)의 단자(T14)가 하이 레벨로 된다. 과충전/과방전 검출IC(131)의 단자(T14)가 하이 레벨이 되면, 액 누설 검출부(145)의 출력이 로우 레벨로 된다. 액 누설 검출 부(145)의 출력이 로우 레벨이 되므로써, 발진회로(146), 및, 과충전 제어용 논리회로(148), 및, 과방전 제어용 논리회로(149)의 입력이 로우 레벨로 된다. 발진회로(146)는, 액 누설 검출부(145)의 출력이 로우 레벨이 되므로써, 펄스를 출력한다. 카운터(147)는, 발진회로(146)의 출력 펄스를 카운트한다. 과충전 제어용 논리회로(148) 및 과방전 제어용 논리회로(149)는, 카운터(147)의 카운트 값이 소정의 카운트 값으로 되면, 출력을 로우 레벨로 한다. 과충전 제어용 논리회로(148)의 출력이 로우 레벨이 되면, 트랜지스터(M12)가 오프하고, 과방전 제어용 논리회로(149)의 출력이 로우 레벨이 되면, 트랜지스터(M11)가 오프 한다. 트랜지스터(M11,M12)가 오프함으로써, 이차 전지(113)가 단자(T4)로부터 절단 되는 즉, 부하등의 외부회로로부터 절단된다.
본 실시 예에 의하면, 단자(T1)와 단자(T14)에 접속된 배선 패턴(132)이 이차 전지(113)의 액 누설에 의한 전기분해액에 의해 접속되는 것에 의하여 단자(T14)의 전위상승을 검출하고, 이차 전지(113)와 외부회로를 절단함으로써, 액 누설의 진행, 외부회로에의 악영향을 저감하는 것이 가능해 진다. 또한 이 때, 본실시 예에서는, 과충전 제어용 논리회로(148)의 과충전 검출부(141)의 출력 신호의 입력 끝을 제어하는 동시에, 과방전 제어용 논리회로(149)의 과방전 검출부(142)의 출력 신호의 입력 끝을 제어함으로써, 트랜지스터(M12, M11)를 스위칭시킴으로써, 단자(T14) 및 액 누설 검출부(145)를 추가하는 것만으로, 액 누설 검출에 대응할 수 있고, 회로의 변경을 최소한으로 하는 것이 가능해 진다.
〔변형 예〕
도 4는 액 누설 검출부(145)의 변형 예의 블럭도, 도 5는 액 누설 검출부(145)의 변형 예의 동작 설명도를 도시한다. 도 5(A)는 인버터(151)의 입력, 도 5(B)는 인버터(151)의 출력, 도 5(C)는 지연회로(152)의 출력을 도시한다.
본 변형 예의 액 누설 검출부(150)는, 인버터(151), 및, 지연회로(152)로 구성된다. 인버터(151)는, 도 5(A)에 도시하는 단자(T14)의 입력, 도 5(B)에 나타나 있는 바와 같이 반전해서 출력한다. 인버터(151)의 출력은, 지연회로(152)에 공급된다. 지연회로(152)는, 도 5(C)에 나타나 있는 바와 같이 인버터(151)의 출력을 소정의 지연시간 △ｔ0 만 지연해서 출력한다. 지연회로(152)의 출력은, 과충전 제어용 논리회로(148) 및 과방전 제어용 논리회로(149)에 공급된다.
본 변형 예에 의하면, 인버터(151)의 출력을 지연해서 과충전 제어용 논리회로(148) 및 과방전 제어용 논리회로(149)에 공급함으로써, 노이즈 등의 영향을 억제할 수 있기 때문에, 안정 동작이 가능해 진다.
〔제 2 실시 예〕
도 6은 본 발명의 제 2 실시 예의 블록 구성도를 도시한다. 동도면 중, 도 1과 동일구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 생략한다.
본 실시 예의 전지 팩(200)은, 회로기판(214)의 구성이 제 1 실시 예와 상위하다. 본 실시 예의 회로기판(214)은, 과충전/과방전 검출IC(231)의 테스트 단자(T17)를 제 1 실시 예의 액 누설 검출용 단자(T14)와 겸용한 구성으로 하고 있다. 과충전/과방전 검출IC(231)의 테스트 단자(T17)에는, 외부와의 접속을 행하기 위한 테스트 단자(T5)가 접속되는 동시에, 배선 패턴(132)의 일단이 접속된 구성으로 하 고 있다. 과충전/과방전 검출IC(231)의 테스트 단자(T17)가 접속된 구성으로 하고 있다. 또한 테스트 단자(T17)는, 과충전/과방전 검출IC(231)내부에서는, 발진회로(146) 및 액 누설 검출부(145)에 접속되어 있다.
〔제 3 실시 예〕
도 7은 본 발명의 제 3 실시 예의 블록 구성도를 도시한다. 동도면 중, 도 1과 동일구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 생략한다.
본 실시 예의 전지 팩(300)은, 회로기판(314)의 구성이 제 1 실시 예와 상위하다.
본 실시 예의 회로기판(314)에는, 액 누설 통지용 단자(T6)가 설치되어 있다. 액 누설 통지용 단자(T6)는, 전지 팩(300)을 장치에 장착했을 때에, 상위 장치에 접속된다.
또한 액 누설 통지용 단자(T6)는, 회로기판(314) 위에서 배선 패턴(134)을 통해서 과충전/과방전 검출IC(331)의 액 누설 통지용 단자(T18)에 접속되어 있다. 액 누설 통지용 단자(T18)에는, 과충전/과방전 검출IC(331) 안에서, 버퍼(350)fmf 통해서 액 누설 검출부(145)의 출력이 공급된다.
본 실시 예에 의하면, 액 누설 검출부(145)로 얻을 수 있었던 액 누설 검출신호를 외부회로에 출력하고, 전지 팩(300)에 액 누설이 발생하고 있는 것을 통지할 수 있고, 이것에 의해, 전원의 정지의 이유를 인식할 수 있다.
또, 전지 팩에 LED 등을 설치해서 액 누설이 발생하고 있다는 취지의 표시를 행하고, 사용자에 통지하여도 좋다.
본 발명에 의하면, 전지의 액 누설을 간단한 구성으로 확실하게 검출할 수 있는 등의 특징을 가진다.

Claims (9)

  1. 이차 전지를 외부회로에 접속 또는 상기 이차 전지를 상기 외부회로로부터 절단하는 스위치 수단과, 상기 이차 전지의 상태를 검출하고, 상기 스위치 수단을 제어하는 제어 수단을 가지는 과충전/과방전 검출장치에 있어서,
    통상, 개방 상태로 된 검출단자와,
    상기 검출단자에 전압이 인가된 것을 검출하는 검출수단을 가지고,
    상기 제어 수단은, 상기 검출수단에 의해 상기 검출단자에 전압이 인가된 것이 검출되었을 때에, 상기 스위칭 수단을 오프하고, 상기 이차 전지를 상기 외부회로로부터 절단하는 것을 특징으로 하는 과충전/과방전 검출장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제어 수단은, 상기 이차 전지의 이상상태를 검출하고, 이상상태 검출신호를 출력하는 이상상태 검출수단과,
    상기 이상상태 검출수단으로부터 상기 이상상태 검출신호가 공급되었을 때에 상기 스위칭 수단을 오프하는 이차 전지보호용 논리회로를 가지고,
    상기 검출수단은, 상기 이상상태 검출신호를 제어함으로써, 상기 스위칭 수단을 오프하는 것을 특징으로 하는 과충전/과방전 검출장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제어 수단에 접속되고 있고, 외부에서의 신호에 따라 상기 제어 수단의 동작을 테스트하는 테스트 단자를 가지고,
    상기 검출단자는, 상기 테스트 단자와 공용인 것을 특징으로 하는 과충전/과방전 검출장치.
  4. 이차 전지의 상태를 검출하고, 이차 전지를 외부회로에 접속 또는 상기 이차 전지를 상기 외부회로로부터 절단하는 스위치 수단을 제어하는 제어회로가 탑재된 과충전/과방전 검출회로에 있어서,
    통상, 개방 상태로 된 검출단자와,
    상기 검출단자에 전압이 인가된 것을 검출하는 검출회로를 가지고,
    상기 제어회로는, 상기 검출회로에 의해 상기 검출단자에 전압이 인가된 것이 검출되었을 때에, 상기 스위칭 수단을 오프하고, 상기 이차 전지를 상기 외부회로로부터 절단하는 것을 특징으로 하는 과충전/과방전 검출회로.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제어회로는, 상기 이차 전지의 전압을 검출하고, 이상상태 검출신호를 출력하는 이상상태 검출회로와,
    상기 이상상태 검출회로로부터 상기 이상상태 검출신호가 공급되었을 때에 상기 스위칭 수단을 오프하는 보호용 논리회로를 가지고,
    상기 검출회로는, 상기 이상상태 검출신호를 제어함으로써, 상기 스위칭 수단을 오프하는 것을 특징으로 하는 과충전/과방전 검출회로.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제어회로에 접속되고 있고, 외부에서 의 신호에 따라 상기 제어 수단의 동작을 테스트하는 테스트 단자를 가지고,
    상기 검출단자는, 상기 테스트 단자와 공용인 것을 특징으로 하는 과충전/과방전 검출회로.
  7. 이차 전지의 상태를 검출하고, 상기 이차 전지를 외부회로에 접속 또는 상기 이차 전지를 상기 외부회로로부터 절단하는 스위치 수단을 제어하는 제어회로가 탑재된 반도체장치에 있어서,
    통상, 개방 상태로 된 검출단자와,
    상기 검출단자에 전압이 인가된 것 검출하는 검출회로를 가지고,
    상기 제어회로는, 상기 검출수단에 전압이 인가된 것이 검출되었을 때에, 상기 스위칭 수단을 오프하고, 상기 이차 전지를 상기 외부회로로부터 절단하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제어회로는, 상기 이차 전지의 전압을 검출하고, 이상상태 검출신호를 출력하는 이상상태 검출회로와,
    상기 이상상태 검출회로로부터 상기 이상상태 검출신호가 공급되었을 때에 상기 스위칭 수단을 오프하는 보호용 논리회로를 가지고,
    상기 검출수단은, 상기 이상상태 검출신호를 제어함으로써, 상기 스위칭 수단을 오프하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제어회로에 접속되고 있고, 외부에서의 신호에 따라 상기 제어 수단의 동작을 테스트하는 테스트 단자를 가지고,
    상기 검출단자는, 상기 테스트 단자와 공용인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110118766A (ko) * 2009-01-14 2011-11-01 미쓰미덴기가부시기가이샤 보호감시 회로, 전지팩, 2차전지 감시 회로, 및 보호 회로

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100943594B1 (ko) * 2006-03-27 2010-02-24 삼성에스디아이 주식회사 보호 회로 모듈 및 이를 이용한 전지 팩
JP4626578B2 (ja) * 2006-06-27 2011-02-09 ソニー株式会社 電池パック
JP2008151526A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 二次電池の劣化判定装置及びバックアップ電源
JP4844468B2 (ja) * 2007-05-08 2011-12-28 富士電機株式会社 二次電池保護装置及び半導体集積回路装置
KR100938080B1 (ko) * 2007-09-28 2010-01-21 삼성에스디아이 주식회사 안전 회로 및 이를 이용한 배터리 팩
JP5177843B2 (ja) * 2007-10-22 2013-04-10 Ｎｅｃエナジーデバイス株式会社 電池パック
KR100943576B1 (ko) 2007-10-30 2010-02-23 삼성에스디아이 주식회사 배터리 팩
US8148946B2 (en) * 2008-10-10 2012-04-03 Mitsumi Electric Co., Ltd. Battery pack having protection circuit for secondary battery
JP5439800B2 (ja) * 2008-12-04 2014-03-12 ミツミ電機株式会社 二次電池保護用集積回路装置及びこれを用いた二次電池保護モジュール並びに電池パック
US20100295550A1 (en) * 2009-02-20 2010-11-25 National Semiconductor Corporation Adaptive energy management terminal for a battery
JP5481327B2 (ja) * 2010-09-09 2014-04-23 東芝テック株式会社 充電可能電池を使用する電源回路
JP2012157128A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Sanyo Electric Co Ltd 過電圧検出装置、保護装置及びパック電池
JP5803446B2 (ja) * 2011-09-02 2015-11-04 ミツミ電機株式会社 半導体集積回路、保護回路及び電池パック
KR101279109B1 (ko) * 2011-10-11 2013-06-26 주식회사 아이티엠반도체 배터리 보호회로의 패키지모듈
CN103149537B (zh) * 2013-02-04 2015-09-16 中国科学院金属研究所 一种钒电池测试过程中保护电池堆的方法
KR101450220B1 (ko) * 2013-04-17 2014-10-15 주식회사 아이티엠반도체 배터리 보호회로 모듈 패키지
KR101644217B1 (ko) * 2013-07-02 2016-07-29 주식회사 엘지화학 배터리 팩 보호 장치 및 방법
JP6385310B2 (ja) * 2015-04-21 2018-09-05 エイブリック株式会社 バッテリ装置
JP6982445B2 (ja) * 2017-09-20 2021-12-17 株式会社東芝 電池評価装置、電池制御装置、電池評価方法、電池評価プログラム、制御回路及び蓄電システム。
CN109787305B (zh) * 2017-11-14 2024-05-14 华为技术有限公司 充电装置及充电系统
CN109586368B (zh) * 2018-12-07 2020-09-15 珠海格力电器股份有限公司 储能系统启动装置、启动方法及储能系统
US11262408B2 (en) * 2020-02-24 2022-03-01 Ford Global Technologies, Llc Vehicle traction battery over-discharge diagnosing method and assembly
CN117030162B (zh) * 2023-10-09 2024-02-20 宁德时代新能源科技股份有限公司 漏液检测电路、系统、方法、装置、设备及电池管理系统

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3432430A1 (de) * 1984-09-04 1986-03-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur ueberpruefung von steuergeraeten
JPH11191436A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Hitachi Ltd 蓄電保護器
US6242890B1 (en) * 1998-06-09 2001-06-05 Seiko Instruments Inc. Charge/discharge control circuit and chargeable electric power source apparatus
JP4608711B2 (ja) * 1999-09-10 2011-01-12 ソニー株式会社 バッテリパック
JP3638102B2 (ja) * 1999-09-30 2005-04-13 Ｎｅｃトーキン栃木株式会社 電池パック
US6462554B2 (en) * 2000-02-15 2002-10-08 Intel Corporation System and method for deterring operation of a system outside a specified frequency range
JP3588343B2 (ja) 2001-08-21 2004-11-10 三洋電機株式会社 電池パック

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110118766A (ko) * 2009-01-14 2011-11-01 미쓰미덴기가부시기가이샤 보호감시 회로, 전지팩, 2차전지 감시 회로, 및 보호 회로

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JP2006101635A (ja) 2006-04-13

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