KR20060036302A - High density plasma equipment including wafer sensor for controlling interlock of cool chamber - Google Patents

High density plasma equipment including wafer sensor for controlling interlock of cool chamber Download PDF

Info

Publication number
KR20060036302A
KR20060036302A KR1020040085474A KR20040085474A KR20060036302A KR 20060036302 A KR20060036302 A KR 20060036302A KR 1020040085474 A KR1020040085474 A KR 1020040085474A KR 20040085474 A KR20040085474 A KR 20040085474A KR 20060036302 A KR20060036302 A KR 20060036302A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chamber
density plasma
cooling chamber
high density
Prior art date
Application number
KR1020040085474A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임거호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040085474A priority Critical patent/KR20060036302A/en
Publication of KR20060036302A publication Critical patent/KR20060036302A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 냉각 챔버의 인터락을 위한 웨이퍼 감지 장치를 구비하는 고밀도 플라즈마 설비에 관한 것이다. 본 발명의 고밀도 플라즈마 설비는 다수의 챔버들을 구비한다. 챔버들 중 트랜스퍼 챔버는 각 챔버들에 대응하여 웨이퍼 위치 감지용 센서들을 구비하고, 냉각 챔버는 내부에서 웨이퍼 위치 감지를 위한 센서를 구비한다. 트랜스퍼 챔버 쪽에서 웨이퍼의 위치가 불량으로 감지될 경우, 트랜스퍼 챔버 쪽의 웨이퍼 감지 센서가 이를 감지하여 인터락을 발생시키고, 냉각 챔버 쪽에서 웨이퍼의 위치가 불량으로 감지될 경우, 냉각 챔버 쪽의 웨이퍼 감지 센서가 이를 감지하여 인터락을 발생시킨다. 따라서 본 발명에 의하면, 냉각 챔버에서 웨이퍼 위치를 감지하여, 냉각 챔버 내부에서의 웨이퍼 위치 불량으로 인한 웨이퍼 파손 및 공정 사고를 예방할 수 있다.The present invention relates to a high density plasma installation having a wafer sensing device for interlocking a cooling chamber. The high density plasma installation of the present invention has a plurality of chambers. Among the chambers, the transfer chamber has sensors for detecting wafer position corresponding to each chamber, and the cooling chamber has a sensor for detecting wafer position therein. If the position of the wafer is detected as defective on the transfer chamber side, the wafer detection sensor on the transfer chamber side detects this to generate an interlock, and when the position of the wafer on the cooling chamber side is detected as defective, the wafer detection sensor on the cooling chamber side Detects this and generates an interlock. Therefore, according to the present invention, by detecting the wafer position in the cooling chamber, it is possible to prevent wafer breakage and process accidents due to wafer position defects in the cooling chamber.

반도체 제조 설비, HDP, 냉각 챔버, 웨이퍼 감지 장치Semiconductor manufacturing equipment, HDPs, cooling chambers, wafer sensing devices

Description

냉각 챔버의 인터락을 위한 웨이퍼 감지 장치를 구비하는 고밀도 플라즈마 설비{HIGH DENSITY PLASMA EQUIPMENT INCLUDING WAFER SENSOR FOR CONTROLLING INTERLOCK OF COOL CHAMBER}HIGH DENSITY PLASMA EQUIPMENT INCLUDING WAFER SENSOR FOR CONTROLLING INTERLOCK OF COOL CHAMBER}

도 1은 일반적인 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 설비의 구성을 도시한 단면도; 그리고1 is a cross-sectional view showing the configuration of a typical high density plasma chemical vapor deposition facility; And

도 2는 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 설비의 구성을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the configuration of a high-density plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : HDP 설비100: HDP Facility

102 : 트랜스퍼 챔버102: transfer chamber

104, 110 : 챔버104, 110: chamber

106, 108 : 로드락 챔버106, 108: load lock chamber

112, 114 : 센서112, 114: sensors

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 냉각 챔버 의 인터락을 위한 웨이퍼 감지 장치를 구비하는 고밀도 플라즈마 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to a high density plasma apparatus having a wafer sensing device for interlocking a cooling chamber.

반도체 제조 설비 중 기존 고밀도 플라즈마(HDP) 설비 예를 들어, AMT사의 HDP 설비(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 챔버(12)에 각 챔버들(14 ~ 20)의 앞쪽에 대응하여 다수 개의 센서(22)들을 구비한다. 즉, 상기 HDP 설비(10)의 트랜스퍼 챔버(12)에는 각 공정 챔버(14, 20) 및 로드락 챔버(16, 18)들 앞쪽에 웨이퍼의 위치를 감지하는 센서(22)들을 구비한다.Existing high density plasma (HDP) equipment of the semiconductor manufacturing equipment, for example, AMT HDP equipment 10, as shown in Figure 1, corresponding to the front of each of the chambers 14 to 20 in the transfer chamber 12 It is provided with a plurality of sensors 22. That is, the transfer chamber 12 of the HDP facility 10 includes sensors 22 for detecting the position of the wafer in front of the process chambers 14 and 20 and the load lock chambers 16 and 18.

그리고 이들 센서(22)들을 이용하여 각 챔버(14 ~ 20)들 앞쪽에서 웨이퍼의 위치를 감지하고 이상이 발생되면, 해당 챔버의 인터락을 제어한다. 예를 들어, 공정 진행 중 각각의 챔버로 웨이퍼를 이동시킬 때, 웨이퍼가 없거나 일정한 위치를 벗어나게 되면, 이 센서들이 동작하여 핸들러 에러를 발생시킨다.The sensors 22 are used to detect the position of the wafer in front of the chambers 14 to 20, and when an abnormality occurs, the interlock of the chamber is controlled. For example, when moving a wafer into each chamber during the process, if the wafer is missing or out of position, these sensors operate to generate a handler error.

특히, 냉각 챔버(cool chamber)(14)의 경우 웨이퍼 감지 센서가 트랜스퍼 챔버(12) 쪽에 위치해 있어, 웨이퍼의 위치가 불량할 경우 예를 들면, 웨이퍼가 트랜스퍼 챔버(12) 쪽에서 위치가 틀어졌을 때는 센서가 감지되어 에러가 발생되지만, 냉각 챔버(14) 쪽에서 틀어졌을때는 아무런 에러가 발생되지 않고 냉각 챔버(14)의 공정(즉, 상하 이동)이 정상적으로 진행된다.In particular, in the case of the cool chamber 14, the wafer detection sensor is located at the transfer chamber 12 side, so that the position of the wafer is poor, for example, when the wafer is displaced at the transfer chamber 12 side. The sensor is detected and an error is generated, but when it is turned on the cooling chamber 14, no error occurs and the process of the cooling chamber 14 (that is, vertical movement) proceeds normally.

냉각 챔버(14)에서 웨이퍼의 위치가 틀어진 상태로 공정이 진행되면, 냉각 슬롯(cool slot)과 트랜스퍼 챔버(12)의 바디(body)에 웨이퍼가 걸려서 웨이퍼 파손이 발생하게 된다.When the process is performed in a state where the wafer is misaligned in the cooling chamber 14, the wafer is caught in the cooling slot and the body of the transfer chamber 12, thereby causing wafer breakage.

상술한 바와 같이, 기존의 HDP 설비는 웨이퍼 감지용 센서의 위치가 트랜스 퍼 챔버 쪽에 위치해 있으므로, 냉각 챔버 내부에서 발생하는 웨이퍼 위치 불량에 대해서는 감지가 불가능하였다. 그 결과, 냉각 챔버는 공정을 계속 진행하게 되어 웨이퍼 파손 및 공정 사고가 발생되었다.As described above, in the conventional HDP facility, since the position of the wafer sensing sensor is located at the transfer chamber side, it is impossible to detect a wafer position defect occurring in the cooling chamber. As a result, the cooling chamber continued the process, resulting in wafer breakage and process accidents.

본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 냉각 챔버에서 웨이퍼 위치를 감지하여 웨이퍼 위치 불량으로 인한 웨이퍼 파손 및 공정 사고를 방지하는 고밀도 플라즈마 설비를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-density plasma facility that detects a wafer position in a cooling chamber and prevents wafer breakage and process accidents due to a wafer position defect.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 설비 중 고밀도 플라즈마 설비는, 다수의 공정 챔버와; 상기 공정 챔버에 대응하여 내부의 웨이퍼 위치를 감지하기 위한 다수의 제 1의 센서들을 구비하는 트랜스퍼 챔버 및; 상기 공정 챔버들 중 내부에서 웨이퍼 위치를 감지하는 제 2의 센서를 구비하는 냉각 챔버를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, a high-density plasma equipment of the semiconductor manufacturing equipment, a plurality of process chambers; A transfer chamber having a plurality of first sensors for sensing a wafer position therein corresponding to the process chamber; And a cooling chamber having a second sensor for sensing a wafer position within the process chambers.

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 고밀도 플라즈마 설비는 상기 제 1 및 상기 제 2의 센서들로부터 웨이퍼 위치 불량이 감지되면, 상기 감지된 센서에 대응하는 챔버 및/또는 상기 고밀도 플라즈마 설비의 인터락을 제어한다. 그리고 상기 제 2의 센서는 상기 냉각 챔버의 앞단에 구비된다.In a preferred embodiment of this aspect, the high density plasma facility is interlocked with a chamber corresponding to the sensed sensor and / or an interlock of the high density plasma facility when a wafer position failure is detected from the first and second sensors. To control. The second sensor is provided at the front end of the cooling chamber.

따라서 본 발명에 의하면, 트랜스퍼 챔버 쪽에서 웨이퍼의 위치가 불량으로 감지될 경우, 트랜스퍼 챔버 쪽의 웨이퍼 감지 센서가 이를 감지하여 인터락을 발생시키고, 냉각 챔버 쪽에서 웨이퍼의 위치가 불량으로 감지될 경우, 냉각 챔버 쪽 의 웨이퍼 감지 센서가 이를 감지하여 인터락을 발생시킨다.Therefore, according to the present invention, when the position of the wafer is detected as defective in the transfer chamber side, the wafer detection sensor of the transfer chamber side detects this to generate an interlock, and when the position of the wafer is detected as defective in the cooling chamber side, cooling The wafer-side sensor on the chamber side detects this and generates an interlock.

이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 설비의 구성을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the configuration of a high-density plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 HDP 설비(100)는 냉각 챔버(cool chamber)(104) 앞쪽에 웨이퍼의 위치를 감지하는 센서(114)를 구비하고, 이를 통해 냉각 챔버(104)에서 웨이퍼 위치 불량이 발생되면, 냉각 챔버(104) 및/또는 상기 HDP 설비(100)의 인터락을 제어한다.Referring to FIG. 2, the HDP facility 100 includes a sensor 114 that detects the position of the wafer in front of the cool chamber 104, whereby wafer position defects are detected in the cooling chamber 104. When generated, the interlock of the cooling chamber 104 and / or the HDP facility 100 is controlled.

그리고 상기 HDP 설비(100)는 다수의 공정 챔버(110)들과, 로드락 챔버(106, 108)들 및 트랜스퍼 챔버(102)를 구비한다.In addition, the HDP facility 100 includes a plurality of process chambers 110, load lock chambers 106 and 108, and a transfer chamber 102.

상기 트랜스퍼 챔버(102)는 다수의 웨이퍼 감지용 센서(112)들을 구비하여, 상기 각 챔버(104 ~ 110)들 앞쪽에서 웨이퍼의 위치를 감지하고 이상이 발생되면, 해당 챔버 및/또는 상기 HDP 설비(100)의 인터락을 제어한다. 예를 들어, 공정 진행 중 각각의 챔버로 웨이퍼를 이동시킬 때, 웨이퍼가 없거나 일정한 위치를 벗어나게 되면, 이 센서들이 동작하여 핸들러 에러를 발생시킨다.The transfer chamber 102 includes a plurality of wafer sensing sensors 112 to detect the position of the wafer in front of the chambers 104 to 110, and when an abnormality occurs, the chamber and / or the HDP facility. The interlock at 100 is controlled. For example, when moving a wafer into each chamber during the process, if the wafer is missing or out of position, these sensors operate to generate a handler error.

상기 냉각 챔버(104)는 냉각 챔버(104) 내부에서 웨이퍼의 위치를 감지하기 위한 센서(114)를 구비한다. 따라서 상기 냉각 챔버(104)는, 트랜스퍼 챔버(102) 쪽에서 웨이퍼의 위치가 불량으로 감지될 경우, 웨이퍼 감지 센서(112)가 이를 감지하여 인터락을 발생시키고, 냉각 챔버(104) 쪽에서 웨이퍼의 위치가 불량으로 감지될 경우, 웨이퍼 감지 센서(114)가 이를 감지하여 인터락을 발생시킨다. The cooling chamber 104 has a sensor 114 for detecting the position of the wafer inside the cooling chamber 104. Therefore, when the position of the wafer is detected as defective in the transfer chamber 102, the cooling chamber 104 detects this to generate an interlock, and the position of the wafer in the cooling chamber 104. Is detected as defective, the wafer detection sensor 114 detects this to generate an interlock.                     

상술한 바와 같이, 본 발명의 HDP 설비는 냉각 챔버에 웨이퍼 감지 센서를 구비하여, 냉각 슬롯에서의 웨이퍼 위치 불량을 감지하여 웨이퍼 파손 및 손실을 방지한다.As described above, the HDP facility of the present invention includes a wafer detection sensor in the cooling chamber to detect wafer position defects in the cooling slot to prevent wafer breakage and loss.

상술한 바와 같이, 본 발명의 고밀도 플라즈마 설비는 냉각 챔버 앞쪽에 웨이퍼 위치를 감지할 수 있는 센서를 추가 설치함으로써, 냉각 챔버 내부에서 발생하는 웨이퍼 위치 불량을 감지하고, 이를 통해 냉각 챔버 및 고밀도 플라즈마 설비를 인터락 제어한다.As described above, the high-density plasma installation of the present invention additionally installs a sensor that can detect the wafer position in front of the cooling chamber, thereby detecting a wafer position defect occurring in the cooling chamber, and thereby, the cooling chamber and the high-density plasma installation. Interlock control.

그 결과, 웨이퍼 위치 불량으로 인한 웨이퍼 파손 및 손실과, 공정 사고를 미연에 방지할 수 있다.
As a result, it is possible to prevent wafer breakage and loss and process accidents due to wafer position failure.

Claims (3)

반도체 제조 설비 중 고밀도 플라즈마 설비에 있어서:In high density plasma equipment of semiconductor manufacturing equipment: 다수의 공정 챔버와;A plurality of process chambers; 상기 공정 챔버에 대응하여 내부의 웨이퍼 위치를 감지하기 위한 다수의 제 1의 센서들을 구비하는 트랜스퍼 챔버 및;A transfer chamber having a plurality of first sensors for sensing a wafer position therein corresponding to the process chamber; 상기 공정 챔버들 중 내부에서 웨이퍼 위치를 감지하는 제 2의 센서를 구비하는 냉각 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 설비.And a cooling chamber having a second sensor for sensing a wafer position therein among said process chambers. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 고밀도 플라즈마 설비는;The high density plasma apparatus; 상기 제 1 및 상기 제 2의 센서들로부터 웨이퍼 위치 불량이 감지되면, 상기 감지된 센서에 대응하는 챔버 및/또는 상기 고밀도 플라즈마 설비의 인터락을 제어하는 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 설비.And if a wafer position failure is detected from the first and second sensors, controlling the interlock of the chamber corresponding to the sensed sensor and / or the high density plasma facility. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제 2의 센서들은 상기 냉각 챔버의 앞단에 구비되는 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 설비.And the second sensors are provided at the front end of the cooling chamber.
KR1020040085474A 2004-10-25 2004-10-25 High density plasma equipment including wafer sensor for controlling interlock of cool chamber KR20060036302A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040085474A KR20060036302A (en) 2004-10-25 2004-10-25 High density plasma equipment including wafer sensor for controlling interlock of cool chamber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040085474A KR20060036302A (en) 2004-10-25 2004-10-25 High density plasma equipment including wafer sensor for controlling interlock of cool chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060036302A true KR20060036302A (en) 2006-04-28

Family

ID=37144545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040085474A KR20060036302A (en) 2004-10-25 2004-10-25 High density plasma equipment including wafer sensor for controlling interlock of cool chamber

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060036302A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100410991B1 (en) Loadport for semiconductor processing apparatus
US7387484B2 (en) Wafer positioning systems and methods thereof
KR100862702B1 (en) Apparatus and method for sensing alignment state of substrate, and semiconductor manufacturing facility with the apparatus
KR20060036302A (en) High density plasma equipment including wafer sensor for controlling interlock of cool chamber
US20060112978A1 (en) Apparatus and method for wet-treating wafers
KR100577567B1 (en) Wafer sensing device of semiconductor process equipment
KR102423378B1 (en) Substrate treating device, substrate treating method, and recording medium having substrate treating program recorded therein
KR20060116912A (en) Apparatus for transferring wafer
KR20100073567A (en) Position sensing device for transfer robot of semiconductor manufacturing system and method thereof
KR20050045339A (en) Apparatus for transporting wafer
KR20090110621A (en) Semiconductor manufacturing equipment and method for processing of the same
KR20070088089A (en) Apparatus and method for transfering semiconductor wafer
KR100748731B1 (en) Wafer inspection system for semiconductor manufacturing and interlock method
KR20020016072A (en) A load lock chamber for semiconductor device fabrication equipment
KR20100060913A (en) Apparatus for transferring wafer
KR20070102883A (en) Apparatus and method of wafer mapping
KR20060118194A (en) Semiconductor wafer mapping device
KR100208031B1 (en) Detecting system for remaining wafer and its method
KR20050101722A (en) Semiconductor manufacturing system
KR20160053593A (en) Air Flow Monitoring System and Semiconductor Exposure System
KR20070039315A (en) Semiconductor manufacturing apparatus having sensor for aligning wafer
KR20060018065A (en) Chamber apparatus having sensor for sensing operations of slit valves
KR20150008724A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20060065223A (en) Vacuum pick-up tool in semiconductor etching apparatus
KR20060086068A (en) Center find board of semiconductor product device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination