KR20060030806A - Semiconductor exposure apparatus - Google Patents

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KR20060030806A
KR20060030806A KR1020040079677A KR20040079677A KR20060030806A KR 20060030806 A KR20060030806 A KR 20060030806A KR 1020040079677 A KR1020040079677 A KR 1020040079677A KR 20040079677 A KR20040079677 A KR 20040079677A KR 20060030806 A KR20060030806 A KR 20060030806A
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박동석
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삼성전자주식회사
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Abstract

개시된 반도체 노광장치는 조명광학계와 조명광학계로 부터의 광이 조사되도록 위치가 가변되는 슬릿이 형성되고 회로패턴이 형성된 래티클을 갖는 슬릿형성부와 슬릿 형성부가 안착되고 소정 방향으로 이동되도록 설치되며 래티클을 통과한 조명광학계의 광을 투영하는 투영광학계를 갖는 래티클 스테이지 및 투영광학계로부터 소정 거리 이격 설치되어 X, Y방향으로 이동되고 회로패턴이 웨이퍼 상에 투영되도록 설치된 웨이퍼 스테이지를 포함한다.The disclosed semiconductor exposure apparatus includes a slit forming portion having a slit whose position is changed so that light from the illumination optical system and the illumination optical system is irradiated, and a slit forming portion having a reticle having a circuit pattern and a slit forming portion seated and moved in a predetermined direction It includes a reticle stage having a projection optical system for projecting the light of the illumination optical system passed through the tickle and a wafer stage provided to be spaced apart from the projection optical system and moved in the X, Y direction and the circuit pattern is projected on the wafer.

노광장치, 래티클 스테이지, Exposure equipment, reticle stage,

Description

반도체 노광장치{Semiconductor Exposure Apparatus}Semiconductor Exposure Apparatus

도 1은 본 발명의 반도체 노광장치를 보여주는 사시도,1 is a perspective view showing a semiconductor exposure apparatus of the present invention,

도 2는 도 1에 도시된 슬릿형성부의 다른 실시예를 보여주는 사시도,2 is a perspective view showing another embodiment of the slit forming unit shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 스테이지의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
3 is a perspective view illustrating another embodiment of the wafer stage shown in FIG. 1.

** 도면의 주요부분에 대한 부호설명 **** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings **

110 : 조명광학계 200 : 래티클 스테이지110: illumination optical system 200: reticle stage

300 : 투영광학계 400 : 웨이퍼 스테이지300: projection optical system 400: wafer stage

500 : 슬릿형성부 511 : 슬릿
500: slit forming unit 511: slit

본 발명은 반도체 노광장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 래티클 스테이지의 이동방향을 X,Y방향으로 이동가능하게 하고, 래티클의 슬릿을 회전 가능하도록 한 반도체 노광장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor exposure apparatus, and more particularly, to a semiconductor exposure apparatus in which a moving direction of a reticle stage is movable in X and Y directions and a slit of a reticle is rotatable.                         

일반적으로 리소그래피(Lithography) 공정은 최근에 반도체 소자가 고집적화 됨에 따라 수㎛이하의 선폭을 가진 패턴(Pattern)을 형성할 수 있도록 연구 개발되고 있으며, 리소그래피공정은 특정 패턴이 기 형성된 래티클(Reticle)을 웨이퍼 상에 위치시킨 후, 스캐너(Scanner) 또는 스탭퍼(Stepper)를 이용하여 웨이퍼를 레이저 등의 광으로 노광시키는 노광공정을 필수적으로 포함한다.In general, the lithography process has been recently researched and developed to form a pattern having a line width of several μm or less as a semiconductor device is highly integrated, and a lithography process is a reticle in which a specific pattern is formed. After the positioning on the wafer, the exposure step of essentially exposing the wafer with light such as a laser by using a scanner or a stepper (Stepper).

상기의 스캐너 또는 스탭퍼등의 종래의 반도체 노광장치에 있어서, 조명광학계로 부터 조사된 광은 래티클을 통과한 후, 투영렌즈를 거쳐 웨이퍼에 축소 투영된다.In a conventional semiconductor exposure apparatus such as the scanner or the stepper described above, the light irradiated from the illumination optical system passes through the reticle and is then reduced and projected onto the wafer via the projection lens.

이때, 종래의 래티클을 안착하는 래티클 스테이지는 X 방향으로 가변되지 않고, Y 방향으로만 가변이 가능한 구조를 하고 있기 때문에 조명렌즈의 초점과 슬릿의 중심위치가 틀어져서 정렬되므로 렌즈 위치에 따른 조사량(Dose)이 불균일해지고, 광산란 현상이 발생함으로써, 웨이퍼 상에 형성되는 회로패턴의 해상도가 떨어지고, 선폭이 미세하게 형성되지 못하며, 웨이퍼의 CD(Critical Dimension)값이 불균일하게 되는 문제점이 있다.At this time, since the reticle stage on which the conventional reticle is seated is not variable in the X direction but has a structure that can be changed only in the Y direction, the focal point of the illumination lens and the center position of the slit are aligned so that the reticle stage is aligned according to the lens position. As the dose is uneven and light scattering occurs, the resolution of the circuit pattern formed on the wafer is reduced, the line width is not finely formed, and the CD (Critical Dimension) value of the wafer is uneven.

또한, 상기와 같이 래티클 스테이지가 Y방향으로만 이동가능하고, 그 상부에 장착된 래티클 슬릿도 한 방향만으로 형성되어 있기 때문에 래티클 상부에서 광을 조사하는 조명렌즈의 조사부위가 오염된 경우 작업자가 별도로 렌즈를 닦아야하는 문제점이 있다.In addition, since the reticle stage is movable only in the Y direction as described above, and the reticle slit mounted thereon is formed in only one direction, the irradiation part of the illumination lens irradiating light from the upper part of the reticle is contaminated. There is a problem that an operator needs to clean the lens separately.

그리고 상기와 같이 한 방향만으로 이동하면서 웨이퍼 상에 축소 투영하므로 웨이퍼 상의 에지부에서의 해상도가 떨어져 제품 불량을 야기하는 문제점이 있다.In addition, since the projection is reduced on the wafer while moving in only one direction as described above, there is a problem in that the resolution at the edge portion on the wafer is lowered, causing product defects.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 광이 조사되는 조명렌즈의 최적부위를 사용할 수 있도록 렌즈사용영역인 슬릿을 회전가능하게 함과 아울러 래티클 스테이지를 전방향으로, 즉 X, Y방향으로 이동가능하게하여 정렬의 정확도를 높일 수 있는 반도체 노광장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to rotate the slit which is the lens use area so as to use the optimal portion of the illumination lens irradiated with light and the reticle stage It is to provide a semiconductor exposure apparatus that can be moved in all directions, that is, in the X, Y direction to increase the accuracy of the alignment.

본 발명의 반도체 노광장치는 조명광학계와; 상기 조명광학계로 부터의 광이 조사되도록 슬릿이 형성되고, 회로패턴이 형성된 래티클을 갖는 슬릿형성부와; 상기 슬릿 형성부가 안착되고, 소정 방향으로 이동되도록 설치되며, 상기 래티클을 통과한 상기 조명광학계의 광을 투영하는 투영광학계를 갖는 래티클 스테이지; 및 상기 투영광학계로부터 소정 거리 이격 설치되어 Y방향으로 이동되고, 상기 회로패턴이 웨이퍼 상에 투영되도록 설치된 웨이퍼 스테이지를 포함한다.The semiconductor exposure apparatus of the present invention comprises an illumination optical system; A slit forming unit having a slit formed to irradiate light from the illumination optical system and having a circuit pattern formed thereon; A reticle stage on which the slit forming part is mounted and installed to move in a predetermined direction, the reticle stage having a projection optical system for projecting light of the illumination optical system passing through the reticle; And a wafer stage provided to be spaced apart from the projection optical system by a predetermined distance and moved in the Y direction, wherein the circuit pattern is projected onto the wafer.

여기서, 상기 래티클 스테이지는 상부에 Y방향을 따라 제 1가이드레일에 형성된 제 1플레이트와, 상기 제 1가이드레일에 끼워져 Y방향을 이동가능하고, 상부에 제 2가이드레일이 형성된 제 2플레이트와, 상기 제 2가이드레일에 끼워져 X방향으로 이동되는 제 3플레이트를 포함하는 것이 바람직하다.Here, the reticle stage is a first plate formed on the first guide rail in the Y direction on the upper side, and the second plate formed on the first guide rail and movable in the Y direction, the second guide rail formed on the top And, it is preferable to include a third plate inserted in the second guide rail and moved in the X direction.

그리고 상기 슬릿은 상기 슬릿형성부에 추가로 장착된 회전판에 형성되어 회전되도록 된 것이 바람직하다.And it is preferable that the slit is formed on the rotating plate additionally mounted to the slit forming portion to be rotated.

또한, 상기 슬릿형성부 하부에는 상기 슬릿형성부가 회전되도록 회전동력수 단이 추가로 설치된 것이 바람직하다.In addition, the lower portion of the slit forming unit is preferably provided with a rotational power step so that the slit forming unit rotates.

그리고 상기 웨이퍼 스테이지는 X방향으로 이동되도록 가이드레일이 형성된 플레이트가 추가로 설치되는 것이 좋다.
The wafer stage may further include a plate on which a guide rail is formed to move in the X direction.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 반도체 노광장치에 따르는 바람직한 실시예를 설명하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the semiconductor exposure apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 반도체 노광장치를 보여주는 사시도이다.1 is a perspective view showing a semiconductor exposure apparatus of the present invention.

도 1을 참조로 하면, 본 발명의 반도체 노광장치는 광을 조사하는 조명렌즈(111)가 설치된 조명광학계(110)와, 조명광학계(110)의 조명렌즈(111)로부터 광이 조명되도록 일정크기의 슬릿(511)이 형성되고, 회로패턴등의 패턴이 형성된 래티클(R)을 갖는 슬릿형성부(500)와, 슬릿형성부(500)가 안착되고, X, Y방향으로 이동되도록 설치되며, 래티클(R)을 통과한 조명렌즈(111)로부터의 광을 투영하는 투영광학계(300)를 갖는 래티클 스테이지(200) 및 투영광학계(300)로부터 소정 거리 이격 설치되어 Y방향으로 이동되고, 회로패턴이 웨이퍼(W)상에 투영되도록 설치된 웨이퍼 스테이지(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor exposure apparatus of the present invention has a predetermined size so that light is illuminated from an illumination optical system 110 provided with an illumination lens 111 for irradiating light, and an illumination lens 111 of the illumination optical system 110. Slit 511 is formed, the slit forming portion 500 having a reticle (R) formed with a pattern such as a circuit pattern, and the slit forming portion 500 is seated, and installed so as to move in the X, Y direction And a reticle stage 200 having a projection optical system 300 for projecting light from the illumination lens 111 passing through the reticle R and a predetermined distance apart from the projection optical system 300 and being moved in the Y direction. And a wafer stage 400 provided so that the circuit pattern is projected onto the wafer W. As shown in FIG.

상기 래티클 스테이지(200)는 X, Y방향으로 이동 가능하되, Y방향을 따라 상부에 제 1가이드레일(211)이 형성된 제 1 가이드 플레이트(210)와, 제 1가이드레일 (211)상에 끼워져 Y방향을 따라 이동가능하고, 상부에 X방향을 따라 제 2가이드레일(221)이 형성된 제 2가이드 플레이트(220)와, 제 2가이드레일(211) 상에 끼워져 X방향을 따라 이동가능하게 설치된 제 3가이드 플레이트(230)로 구성된다. The reticle stage 200 may move in the X and Y directions, but on the first guide plate 210 and the first guide rail 211 formed thereon along the Y direction. The second guide plate 220 and the second guide rail 220 formed with a second guide rail 221 formed along the X direction at the top thereof and movable in the Y direction are fitted to be movable along the X direction. It is composed of a third guide plate 230 installed.                     

도 2를 참조하면, 슬릿형성부(500)는 회로패턴이 형성된 래티클(R)과, 래티클(R) 상부에 X방향으로 이동가능한 제 1플레이트(530)가 설치되고, 제 1플레이트 (530)상부에서 Y방향으로 이동 가능하도록 제 2플레이트(520)가 설치된다. Referring to FIG. 2, the slit forming unit 500 includes a reticle R having a circuit pattern formed thereon, and a first plate 530 movable in the X direction on an upper portion of the reticle R, and the first plate ( The second plate 520 is installed to be movable in the Y direction from above.

그리고 제 2플레이트(520)에는 상기 조명렌즈(111)로 부터의 광의 조사영역인 슬릿(511)이 형성되는데, 슬릿(511)은 원판형의 회전판(510)에 형성되고, 회전판(510)은 제 2플레이트(520) 상에 장착된다.In addition, the second plate 520 is formed with a slit 511, which is an irradiation area of light from the illumination lens 111, the slit 511 is formed on the disk-shaped rotating plate 510, the rotating plate 510 is It is mounted on the second plate 520.

따라서 회전판(510)에 형성된 일정크기의 슬릿(511)은 그 위치를 회전판(510)을 회전시킴으로써 슬릿(511)의 위치를 가변할 수 있다.Therefore, the slit 511 of a predetermined size formed on the rotating plate 510 may change the position of the slit 511 by rotating the rotating plate 510.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 슬릿형성부(500)의 래티클(R) 하부에 모터등의 회전동력수단(550)을 설치하여, 상기와 같이 슬릿(511)의 회전판(510)을 회전시키지 않아도, 슬릿(511)의 위치를 회전시켜 가변될 수 있도록 할 수도 있다.On the other hand, as shown in Figure 2, by installing the rotary power means 550, such as a motor in the lower portion of the reticle (R) of the slit forming unit 500, the rotating plate 510 of the slit 511 as described above Even without rotating, the position of the slit 511 may be rotated to be variable.

도 3을 참조하면, 웨이퍼 스테이지(400)는 래티클 스테이지(200)의 하부에 장착된 투영광학계(300)로 부터 투영된 광이 웨이퍼(W) 상에 투영되도록 상기 웨이퍼(W)를 안착시키되, 그 안착판(410)이 Y축으로 가변될 수 있도록 하부에 제 1플레이트(420)가 설치되고, 제 1플레이트(420) 하부에는 제 1플레이트(420)가 X축으로 가변될 수 있도록 제 2플레이트(430)가 설치된다.Referring to FIG. 3, the wafer stage 400 may seat the wafer W so that the light projected from the projection optical system 300 mounted below the reticle stage 200 is projected onto the wafer W. The first plate 420 is installed at the lower portion of the seat plate 410 to be variable in the Y axis, and the first plate 420 is variable at the lower portion of the first plate 420 in the X axis. Two plates 430 are installed.

또한, 웨이퍼(W)의 투영위치를 회전시켜 가변 가능하도록 제 2플레이트(430) 하부에 모터등의 회전동력수단(440)을 추가로 설치할 수도 있다.
In addition, a rotational power means 440 such as a motor may be further provided below the second plate 430 so that the projection position of the wafer W may be rotated to be variable.

다음은 상기의 구성을 갖는 본 발명의 반도체 노광장치의 바람직한 실시예의 동작을 설명하도록 한다.The following describes the operation of the preferred embodiment of the semiconductor exposure apparatus of the present invention having the above configuration.

도 1을 참조하면, 슬릿형성부(500)에 일정크기로 형성된 슬릿(511)의 중심위치와 그 상부에 설치된 조명렌즈(111)의 X, Y방향으로의 중심초점을 맞추기 위해, 제어부(미도시)는 래티클 스테이지(200)의 제 2플레이트(220)를 Y방향으로 이동하게 함과 아울러 제 3플레이트(230)를 X방향으로 이동하게 한다.Referring to FIG. 1, a control unit (not shown) is used to adjust the center position of the slit 511 formed to a certain size in the slit forming unit 500 and the center focusing in the X and Y directions of the illumination lens 111 installed thereon. C) moves the second plate 220 of the reticle stage 200 in the Y direction and also moves the third plate 230 in the X direction.

상기와 같은 동작을 통하여, 슬릿(511)의 중심위치와 조명광학계(100)의 조명렌즈(111)의 중심초점이 일치할 때까지 동작하여 맞춘다.Through the above operation, the center position of the slit 511 and the center of the illumination lens 111 of the illumination optical system 100 is operated until the same.

또한, 상기의 동작을 통하여, 조명렌즈(111)의 사용부위가 오염이 된 경우, X, Y방향으로 가변시킴으로써 조명렌즈(111)의 오염이 안 된 최적 부위를 사용할 수 있도록 할 수 있다.In addition, through the above operation, when the use portion of the illumination lens 111 is contaminated, by varying in the X, Y direction it may be possible to use the optimum portion of the illumination lens 111 is not contaminated.

도 2를 참조 하면, 상기와 같이 조명렌즈(111)의 다른 부위를 사용하거나 슬릿(511)의 중심위치를 맞추는 경우 래티클 스테이지(200)를 이동하지 않아도, 슬릿형성부(500)의 제 1,2플레이트(530, 520)를 X, Y방향으로 가변시킴으로써 맞출 수도 있다.Referring to FIG. 2, when using another portion of the illumination lens 111 or adjusting the center position of the slit 511 as described above, the first portion of the slit forming unit 500 may be moved without moving the reticle stage 200. The two plates 530 and 520 may be aligned by varying the X and Y directions.

그리고 광이 슬릿(511)을 통하여 래티클(R)의 회로패턴을 투영할 경우, 슬릿(511)의 위치를 제 2플레이트(520) 상부에 장착된 회전판(510)을 회전시킴으로써 스캐닝 또는 스테핑 작업시 슬릿(511)의 위치를 회전시켜 가변시킬수 있다.When the light projects the circuit pattern of the reticle R through the slit 511, the scanning or stepping operation is performed by rotating the rotary plate 510 mounted on the second plate 520 to position the slit 511. The position of the seam 511 can be rotated and varied.

도 3을 참조 하면, 상기와 같은 상태에서 래티클(R)의 회로패턴에 조명된 광은 투영광학계(300)를 통하여 웨이퍼 스테이지(400) 상에 안착된 웨이퍼(W)에 축소 투영되게 되는데, 이때, 웨이퍼(W)의 투영위치를 가변시킬수 있다. Referring to FIG. 3, the light illuminated on the circuit pattern of the reticle R in the above state is reduced and projected onto the wafer W seated on the wafer stage 400 through the projection optical system 300. At this time, the projection position of the wafer W can be varied.                     

웨이퍼(W)를 상부에 안착한 안착판(410)은 제 1플레이트(420) 상에서 래티클 스테이지(200)의 동작과 마찬가지로 Y방향으로 이동시킴과 아울러 제 1플레이트(420)를 제 2플레이트(430) 상에서 X방향으로 이동시킴으로써 웨이퍼(W) 투영위치를 조정할 수 있다.The mounting plate 410 having the wafer W mounted thereon moves in the Y direction similarly to the operation of the reticle stage 200 on the first plate 420, and moves the first plate 420 to the second plate 430. ), The projection position of the wafer W can be adjusted by moving in the X direction.

또한, 웨이퍼(W)의 투영위치를 회전시켜 조정할 수 있도록 웨이퍼 스테이지(400)의 제 2플레이트(430) 하부에 모터등의 회전동력수단(440)을 설치하여 회전가변시킬 수도 있다.In addition, a rotational power means 440 such as a motor may be installed under the second plate 430 of the wafer stage 400 so that the projection position of the wafer W may be rotated and adjusted.

따라서 본 발명의 반도체 노광장치에 따르면, 조명렌즈로 부터 광이 조사되는 영역인 슬릿의 위치를 가변시킬 수 있음과 아울러, 슬릿형성부가 안착된 래티클 스테이지를 X, Y방향 또는 회전시켜 정렬할 수 있음으로써, 슬릿의 중심과 조명렌즈의 중심초점을 용이하게 조정할 수 있음은 물론 스캐닝 또는 스테핑작업 시, 조명렌즈의 오염이 안 된 최적부위를 용이하게 사용할 수 있다.Therefore, according to the semiconductor exposure apparatus of the present invention, the position of the slit, which is a region to which light is irradiated from the illumination lens, can be changed, and the slit forming unit on which the slit forming part is seated can be aligned by rotating in the X, Y direction or the like. As a result, the center of the slit and the center focal point of the illumination lens can be easily adjusted, as well as the optimum portion of the illumination lens that is not contaminated during scanning or stepping can be easily used.

또한, 조사되는 광이 산란되는 상태에서 투영되는 것을 방지함으로써 웨이퍼의 해상도를 우수하게 할 수 있고, 선폭이 미세한 회로패턴을 형성하여 제품의 품질 향상을 시킬 수 있다.In addition, by preventing the projected light from being projected in the scattered state, the resolution of the wafer can be improved, and a circuit pattern having a fine line width can be formed to improve the quality of the product.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해단 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (5)

조명광학계;Illumination optical system; 상기 조명광학계로 부터의 광이 조사되도록 슬릿이 형성되고, 회로패턴이 형성된 래티클을 갖는 슬릿형성부;A slit forming unit having a slit formed to irradiate light from the illumination optical system and having a circuit pattern formed thereon; 상기 슬릿 형성부가 안착되고, 소정 방향으로 이동되도록 설치되며, 상기 래티클을 통과한 상기 조명광학계의 광을 투영하는 투영광학계를 갖는 래티클 스테이지; 및A reticle stage on which the slit forming part is mounted and installed to move in a predetermined direction, the reticle stage having a projection optical system for projecting light of the illumination optical system passing through the reticle; And 상기 투영광학계로부터 소정 거리 이격 설치되어 Y방향으로 이동되고, 상기 회로패턴이 웨이퍼 상에 투영되도록 설치된 웨이퍼 스테이지를 갖는 반도체 노광장치.And a wafer stage provided to be spaced apart from the projection optical system by a predetermined distance and moved in the Y direction, wherein the circuit pattern is projected onto the wafer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 래티클 스테이지는 상부에 Y방향을 따라 제 1가이드레일에 형성된 제 1플레이트와, 상기 제 1가이드레일에 끼워져 Y방향을 이동가능하고, 상부에 제 2가이드레일이 형성된 제 2플레이트와, 상기 제 2가이드레일에 끼워져 X방향으로 이동되는 제 3플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장치.The reticle stage may include: a first plate formed on a first guide rail in a Y direction on the upper side; a second plate inserted into the first guide rail and movable in a Y direction; and a second plate on which a second guide rail is formed on the upper side; And a third plate inserted into the second guide rail and moving in the X direction. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬릿은 상기 슬릿형성부에 추가로 장착된 회전판에 형성되어 회전되도 록 된 것을 특징으로 하는 반도체 노광장치.And the slit is formed on a rotating plate additionally mounted to the slit forming portion to rotate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬릿형성부 하부에는 상기 슬릿형성부가 회전되도록 회전동력수단이 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 노광장치.And a rotational power means is further provided under the slit forming portion to rotate the slit forming portion. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 스테이지는 X방향으로 이동되도록 가이드레일이 형성된 플레이트가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 노광장치.The wafer stage is a semiconductor exposure apparatus characterized in that the plate is further provided with a guide rail formed so as to move in the X direction.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100971323B1 (en) * 2008-08-21 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 Reticle stage for multi-correcting the amount of reticle rotation and shift in exposure process and multi-correcting method using thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100971323B1 (en) * 2008-08-21 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 Reticle stage for multi-correcting the amount of reticle rotation and shift in exposure process and multi-correcting method using thereof

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