KR20060022768A - 다층 Zr(C,N) 형성에 의한 핵연료용 내식성 지르코늄합금 피복관의 제조방법 - Google Patents

다층 Zr(C,N) 형성에 의한 핵연료용 내식성 지르코늄합금 피복관의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 우수한 내식성을 갖는 지르코늄합금 핵연료 피복관 제조에 관한 것으로, 특히 지르코늄합금 핵연료 피복관 제조에 있어서 피복관의 부식을 방지하는 특성이 우수한 Zr(C,N) 층을 화학기상증착법 또는 물리증착법으로 피복관 표면에 형성하는 것을 목적으로 한다. Zr-N 층은 내산화성과 내마모성이 뛰어나 지르코늄 피복관 표면에 형성될 때 지르코늄 피복관의 부식을 방지해 피복관의 수명을 연장시켜 준다. 그러나 기존의 지르코늄 피복관 표면에 형성한 단일층의 Zr-N은 주상의 결정구조를 지녀 입계를 통한 산소의 확산을 효과적으로 저지할 수 없어 보다 고온, 장주기의 핵연료 환경이나 수퍼크리티칼 환경에서의 사용을 기대하기 어렵다. 본 발명은 내식특성이 우수한 Zr(C,N) 층을 피복관 표면에 다층으로 형성하여 상기의 문제점을 해결한다. 화학기상증착법 또는 물리증착법으로 다층의 Zr(C,N) 층을 형성할 때 각 층간에 입계가 서로 어긋나게 형성하여 입계를 통한 산소의 확산을 방해하여 Zr(C,N) 층 자체의 산화 및 기저의 지르코늄 합금의 산화를 지연시켜 지르코늄 피복관의 수명을 연장시키게 하는 효과가 있다.
Zr(C,N), 화학기상증착법, 물리증착법, 지르코늄 합금 피복관

Description

다층 Zr(C,N) 형성에 의한 핵연료용 내식성 지르코늄합금 피복관의 제조방법 {Method for manufacturing of the corrosion resistant zirconium alloy cladding for nuclear fuel by multiple Zr(C,N) layer formation}
도 1은 기존의 방법에 의해 형성한 Zr-N 표면층의 구조를 도식화한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 의해 형성되는 다층 Zr(C,N) 제조 공정을 도식화한 일례
가압 경수로용 핵연료 피복관으로 사용되는 지르코늄합금은 약 350??, 10-15MPa 환경에서 사용되고 있다. 이 환경 내에서 피복관은 부식되고 ,경수로 내에서 발생하여 떠다니는 금속 또는 산화물 조각등과 충돌 및 지지격자 스프링과의 마찰에 의해 표면이 마모/파손되어 핵연료를 교체해야 하는 원인이 된다. 따라서 피복관의 내산화성과 마찰강도를 증가시켜 주면 피복관의 내식성을 증가시키게 되고 이는 피복관 수명을 연장시키게 되어 핵연료 안전성을 증가시킬 수 있어서 지금보다 경제성 있는 원자력발전을 할 수 있게 된다. 기존에 피복관의 내식성을 증진시키는 방법으로는 피복관용 지르코늄 합금을 제조할 때 Nb, Sn, Fe, Cr, O 등의 합금 원소의 비를 조절하는 방법이 주로 이용되었다. 그러나 이런 합금원소를 이용하여 증진 시킬 수 있는 내식성에는 한계가 있어 고온 및 장주기로 핵연료를 사용하지 못하고 있다. 이 후 피복관 표면에 이온임플렌테이션, Zr-N 막증착 등의 방법으로 내식성과 내 마모성이 있는 층을 형성하여 합금원소를 이용하여 증진 시킬 수 있는 내식성의 한계를 뛰어 넘고자 하였다. 그러나 표면에 생성시킨 새로운 층 역시 효과적으로 부식을 막을 수 있을 정도로 충분히 두껍지 않거나, 주상의 결정구조를 지니고 있어 입계를 통한 산소의 확산으로 인한 부식은 방지할 수 없다는 단점이 있다. 따라서 산소 확산이 힘든 막을 충분한 두께로 핵연료 피복관용 튜브 표면에 생성시켜 피복관의 부식을 방지시키는 공정의 개발이 필요하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 고안된 것이다. 내식성이 우수한 지르코늄합금 핵연료 피복관을 제조하기 위해 지르코늄 합금 표면에 내식성이 우수한 Zr(C,N) 층을 형성하는 공정을 발명하였다. 본 발명에서는 기존에 지르코늄 피복관의 내식성을 향상시키고자 피복관 표면에 형성시켰던 Zr-N 층보다 내식성이 우수한 다층의 Zr(C,N) 층을 지르코늄 피복관 표면에 형성하는 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서 얻고자 하는 Zr(C,N) 층은 화학기상증착장치로는 평판형 유도결합형 플라즈마 CVD 장치, 코일형 유도결합 플라즈마 CVD 장치, ECR 플라즈마 장치에서, 물리증착장치로는 스퍼터링장치에서 형성될 수 있다. 화학증착법을 이용하여 Zr(C,N)층을 형성할 때의 Zr의 원료로는 tetrakisdiethylamidozirconium, tetrakismethylethylamidozirconium 또는 ZrCl4, 가 사용되고 C의 원료로 CH4, C2H5, C3H8을 사용하며, N의 원료로 N2 또는 NH3를 사용한다. 이 때 Zr의 공급원을 분해하기 위한 플라즈마 발생기체로 Ar, H2, N2 중의 하나 또는 한 가지 이상의 기체를 혼합하여 사용하고, Zr(C,N)층이 형성되는 기판 온도를 10-500℃ 반응 챔버내의 압력을 1-2000mTorr로 하여 플라즈마 화학기상증착법으로 Zr(C,N)을 형성하는 것을 특징으로 한다. 증착 장치는 Zr(C,N) 층이 형성되는 반응 챔버, 시편의 장입 및 제거를 원활히 하고 보다 깨끗한 진공을 얻기 위한 로드락, 금속의 소스를 공급하는 버블러, 반응 기체들을 공급하는 기체 공급장치, 그리고 진공장치를 포함한다. Zr는 온도를 일정하게 유지시키고, Ar, H2, N2 중 하나 또는 그 이상의 조합 기체를 이용하여 플라즈마가 발생되고 있고 지르코늄 피복관(1)이 장입되어 있는 반응 챔버내로 그 증기를 운반한다. 각각의 원료가 플라즈마내로 주입되기 전에 서로 반응하여 원하지 않는 반응물이 생성되는 것을 방지하고자 별도의 공급라인을 이용하여 플라즈마내로 주입한다. 반응 챔버내에서는 샤워헤드를 이용하여 원료를 균일하게 분사하여준다. Zr(C,N)층이 형성되는 동안에는 반 응챔버내의 온도와 압력을 일정하게 유지하여 균일한 증착층이 생성되게 한다. 하나의 Zr(C,N) 층(4)을 형성한 후 반응 챔버내에 시편을 그대로 두고 형성된 층의 표면을 이온 충돌방법으로 처리하여 준다. 이 때 표면에 충돌시키는 이온(5) 으로는 Ar, H, N의 이온 중 하나 또는 그이상의 조합으로 한다. 이온충돌 과정이 끝난 후 처음에 증착한 층(4)과 동일한 방법으로 두번째 Zr(C,N) 층(6)을 형성하고, 두번째 층의 표면에 이온(5)을 충돌시킨다. 이 때 충돌시키는 이온도 Ar, H, N의 이온 중 하나 또는 그이상의 조합으로 한다. 원하는 층수만큼 Zr(C,N) 층을 형성할 때까지 층 형성, 이온 충돌 과정을 반복한다. 이온 충돌에 의해 각 층간의 계면의 밀도를 높여 주고 새로 형성하는 층의 입계가 기저층의 입계와 서로 엇갈리게 형성되게하여 내식성이 향상되는 효과를 얻는다. 스퍼터링 장치에서는 Zr 타겟을 Zr 원료로, CH4, C2H5, C3H8 중 하나를 C의 원료로, N 2 가스를 N의 원료로 사용하여 Zr(C,N) 층을 형성한다. 이온 충돌 과정은 이온 충돌용 챔버를 Zr(C,N) 층 형성 챔버와 별도로 사용하여 처리한다. 화학기상증착법 또는 물리증착법으로 형성된 Zr(C,N) 층은 조성을 ZrCxNy 형태로 나타낼 때 x와 y의 범위가 0.0<x<2.0, 0.0<y<2.0 으로, Zr(C,N) 층의 총 두께는 0.1-50μm 사이의 어느 한 값이 되게 한다. 제일 마지막 층을 형성한 후의 표면도 이온충돌법으로 처리하여 치밀한 표면을 가지게 하여 내식성을 증가시킨다.
상기한 바와 같이 본 발명은 지르코늄 피복관 표면에 화학기상증착법 또는 물리증착법으로 내식성이 우수한 Zr(C,N) 박막을 다층으로 형성하면서, 층간에 서로 어긋난 입계 구조를 지녀 산소의 확산을 효율적으로 방지해주는 구조를 지니게 함으로써, 내산화성을 증진시켜 내식성이 우수한 지르코늄 피복관을 제조 가능하게 해 주는 매우 유용한 발명이다.

Claims (3)

  1. 화학기상증착법 또는 물리증착법으로 Zr(C,N) 층을 2층 이상 피복관 표면에 형성하면서, 각각의 층을 형성한 후 이온 충돌방법으로 층의 표면을 처리한 후 다음 층을 형성하여, 각 층간의 계면의 밀도를 높여 주고 새로 형성하는 층의 입계가 기저층의 입계와 서로 엇갈리게 형성되게하는 것을 특징으로 하는 내식성이 우수한 핵연료용 지르코늄 피복관의 제조 방법
  2. 제 1항에 있어서, 상기 Zr(C,N) 층의 조성을 ZrCxNy 형태로 나타낼 때 x와 y의 범위가 0.0<x<2.0, 0.0<y<2.0 이며, Zr(C,N) 층의 총 두께가 0.1-50μm 인 층의 제조 방법
  3. 제 1항에 있어서, 상기 Zr(C,N) 층의 표면에 충돌시키는 이온은 아르곤, 질소, 수소 중 한가지 이상으로 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9421740B2 (en) 2012-05-10 2016-08-23 Korea Atomic Energy Research Institute Zirconium alloy for improving resistance to oxidation at very high temperature and fabrication method thereof

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