KR20060022087A - Multi-domain thin film transistor array panel and liquid crystal display including the same - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 주사 신호를 전달하는 게이트선, 게이트선과 교차하며 영상 신호를 전달하는 데이터선, 게이트선과 데이터선이 정의하는 화소마다 형성되어 있는 화소 전극, 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극, 데이터선의 일부로 연결된 소스 전극 및 화소 전극에 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 화소 전극과 소정 간격 이격되어 화소 전극을 둘러싸고 있는 보조 전극을 포함하고, 보조 전극은 데이터선과 중첩하는 세로 보조 전극 및 게이트선과 평행한 가로 보조 전극을 포함하며, 화소 전극은 전단 게이트선을 완전히 덮고 있는 박막 트랜지스터 표시판. 따라서, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 게이트선이 주사 신호가 인가되는 해당 화소 전극과 일부 중첩되지 않고, 해당 화소 전극의 하부에 위치하는 후단 화소 전극과 완전히 중첩되도록 형성됨으로써 기생 용량(Cgs)이 증가되지 않고 킥백 전압도 변화가 없으므로, 오프 전류에 기인한 잔상을 개선할 수 있다. 또한, 가로 보조 전극과 화소 전극사이의 공간에는 금속층 및 블랙 매트릭스가 없기 때문에 액정 셀 상태에서도 가로 보조 전극과 화소 전극사이에 단락이 발생할 경우 레이저로 절단하는 것이 가능하다.The thin film transistor array panel according to the present invention includes a gate line for transmitting a scan signal, a data line intersecting the gate line and a video signal for transmitting an image signal, a pixel electrode formed for each pixel defined by the gate line and the data line, and a gate connected to the gate line. A thin film transistor including an electrode, a source electrode connected as a part of the data line, and a drain electrode connected to the pixel electrode, and an auxiliary electrode spaced apart from the pixel electrode at a predetermined interval to surround the pixel electrode, wherein the auxiliary electrode overlaps the data line. And a horizontal auxiliary electrode parallel to the electrode and the gate line, wherein the pixel electrode completely covers the front gate line. Accordingly, the thin film transistor array panel according to the present invention is formed such that the gate line is not partially overlapped with the pixel electrode to which the scan signal is applied, but completely overlaps with the rear pixel electrode positioned below the pixel electrode, thereby providing parasitic capacitance Cgs. Since it is not increased and the kickback voltage is not changed, the afterimage caused by the off current can be improved. In addition, since there is no metal layer and a black matrix in the space between the horizontal auxiliary electrode and the pixel electrode, it is possible to cut with a laser when a short circuit occurs between the horizontal auxiliary electrode and the pixel electrode even in a liquid crystal cell state.
보조전극, 잔상, 수리, 기생용량Auxiliary electrode, afterimage, repair, parasitic capacitance
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,1 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 대향 표시판의 배치도이고,2 is a layout view of an opposing display panel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,3 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention;
도 4는 도 3의 IV-IV'선에 대한 단면도이고,4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 3,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 보조 전극과 화소 전극이 단락된 상태를 도시한 도면이고,5 is a diagram illustrating a state in which an auxiliary electrode and a pixel electrode of a thin film transistor array panel are short-circuited, according to an exemplary embodiment.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,6 is a layout view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 7은 도 6의 VII-VII'선에 대한 단면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII ′ of FIG. 6.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
110: 기판 121, 129: 게이트선110:
124: 게이트 전극 140: 게이트 절연막124: gate electrode 140: gate insulating film
151, 154: 반도체 161, 165: 저항성 접촉 부재 151 and 154: semiconductors 161 and 165: ohmic contact members
171, 179: 데이터선 173: 소스 전극171 and 179: data line 173: source electrode
175: 드레인 전극 180: 보호막 175: drain electrode 180: protective film
181, 182, 185: 접촉 구멍 190: 화소 전극181, 182, and 185: contact hole 190: pixel electrode
81, 82: 접촉 보조 부재81, 82: contact auxiliary member
199: 보조 전극 199a: 단락부199:
본 발명은 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 서로 마주하는 대향 전극과 화소 전극 중 화소 전극을 가지는 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display panel and a liquid crystal display including the same, and more particularly, to a thin film transistor array panel having a pixel electrode among opposite electrodes and pixel electrodes facing each other, and a liquid crystal display including the same.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절하는 표시 장치이다.The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display includes two display panels on which a field generating electrode is formed and a liquid crystal layer interposed therebetween. It is a display device which controls the transmittance | permeability of the light which passes through a liquid crystal layer by rearranging.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전계 생성 전극이 두 표시판에 각각 구비되어 있는 것이다. 이중에서도 한 표시판에는 복수의 화소 전극이 행렬의 형태로 배열되어 있고 다른 표시판에는 하나의 공통 전극이 표시판 전면을 덮고 있는 구조의 액정 표시 장치가 주류이다. 이 액정 표시 장치에서의 화상의 표시는 각 화소 전극에 별도의 전압을 인가함으로써 이루어진다. 이를 위해서 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하기 위한 삼단자 소자인 박막 트랜지스터를 각 화소 전극에 연결하고 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 신호를 전달하는 게이트선과 화소 전극에 인가될 전압을 전달하는 데이터선을 표시판에 설치한다.Among the liquid crystal display devices, a field generating electrode is provided in each of two display panels. Among them, a liquid crystal display device having a structure in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix form on one display panel and one common electrode covering the entire display panel on the other display panel is mainstream. The display of an image in this liquid crystal display device is performed by applying a separate voltage to each pixel electrode. To this end, a thin film transistor, which is a three-terminal element for switching a voltage applied to a pixel electrode, is connected to each pixel electrode, and a gate line for transmitting a signal for controlling the thin film transistor and a data line for transmitting a voltage to be applied to the pixel electrode are provided. Install on the display panel.
그런데 이러한 액정 표시 장치는 시야각이 좁은 것이 중요한 단점이다. 이러한 단점을 극복하고자 시야각을 넓히기 위한 다양한 방안이 개발되고 있는데, 그 중에서도 액정 분자를 상하 표시판에 대하여 수직으로 배향하고 화소 전극과 그 대향 전극인 대향 전극에 일정한 절개 패턴을 형성하거나 돌기를 형성하는 방법이 유력시되고 있다. However, such a liquid crystal display device has a disadvantage that a narrow viewing angle is important. In order to overcome these disadvantages, various methods for widening the viewing angle have been developed. Among them, liquid crystal molecules are vertically aligned with respect to the upper and lower display panels, and a method of forming a constant incision pattern or protrusion on the pixel electrode and the opposite electrode, which is the opposite electrode. This is becoming potent.
절개 패턴을 형성하는 방법으로는 화소 전극과 대향 전극에 각각 절개 패턴을 형성하여 이들 절개 패턴으로 인하여 형성되는 프린지 필드(fringe field)를 이용하여 액정 분자들이 눕는 방향을 조절함으로써 시야각을 넓히는 방법이 있다. As a method of forming an incision pattern, there is a method of widening the viewing angle by forming an incision pattern on each of the pixel electrode and the opposite electrode and controlling the direction in which the liquid crystal molecules lie down using a fringe field formed by the incision patterns. .
돌기를 형성하는 방법은 상하 표시판에 형성되어 있는 화소 전극과 대향 전극 위에 각각 돌기를 형성해 둠으로써 돌기에 의하여 왜곡되는 전기장을 이용하여 액정 분자의 눕는 방향을 조절하는 방식이다.The protrusions are formed by forming protrusions on the pixel electrode and the counter electrode formed on the upper and lower display panels, respectively, to adjust the lying direction of the liquid crystal molecules using an electric field distorted by the protrusions.
또 다른 방법으로는, 하부 표시판 위에 형성되어 있는 화소 전극에는 절개 패턴을 형성하고 상부 표시판에 형성되어 있는 대향 전극 위에는 돌기를 형성하여 절개 패턴과 돌기에 의하여 형성되는 프린지 필드를 이용하여 액정의 눕는 방향을 조절함으로써 도메인을 형성하는 방식이 있다.In another method, an incision pattern is formed on the pixel electrode formed on the lower panel, and protrusions are formed on the opposite electrode formed on the upper panel, so that the liquid crystal lies down using a fringe field formed by the incision pattern and the projection. There is a way to form a domain by controlling.
이러한 액정 표시 장치에서 화소의 개구율을 확보하는 것이 중요한데, 이를 위하여 화소 전극과 데이터선의 서로 인접하게 또는 중첩하도록 배치하는데, 이로 인하여 화소 전압이 인가된 화소 전극과 연속적으로 변하는 데이터 전압이 전달되는 데이터선 사이에서 기생 용량이 형성되며, 이러한 기생 용량으로 인하여 여러 가지 불량이 발생한다. 하나의 예로, 액정 표시 장치의 제조 공정 중 사진 공정에서 기판의 액티브 영역보다 작은 노광 마스크를 이용하는 사진 식각 공정에서는 몇 개의 블록으로 나누어 노광 마스크를 이용한 노광 공정을 실시하게 되는데, 화소 전극과 데이터선사이의 거리가 블록마다 약간 달라질 수 있다. 이로 인하여 블록을 단위로 화소 전극과 데이터선 사이에서 발생하는 기생 용량의 차이가 발생하고 스티치 불량이 유발시킨다. In such a liquid crystal display, it is important to secure an aperture ratio of a pixel. For this purpose, the pixel electrode and the data line are arranged to be adjacent to or overlap with each other, whereby the data line to which the data voltage continuously changes with the pixel electrode to which the pixel voltage is applied is transferred. Parasitic capacitances are formed in between, and various defects occur due to such parasitic capacitances. For example, in a photolithography process using an exposure mask smaller than an active area of a substrate in a photolithography process of a liquid crystal display device, a photolithography process is performed by dividing into several blocks and performing an exposure process using an exposure mask. The distance can vary slightly from block to block. As a result, a difference in parasitic capacitance generated between the pixel electrode and the data line on a block basis causes a stitch defect.
또한, 이러한 액정 표시 장치에서는 데이터선과 화소 전극 또는 대향 전극 사이에 전계가 형성되는데, 이러한 전기장은 화소의 가장자리에 배치되어 있는 일부 액정 분자들의 배향을 왜곡시킨다. 이러한 배향 왜곡으로 인하여 화소의 둘레에서는 빛샘 현상이 나타나고, 이는 액정 표시 장치의 표시 특성을 저하시키는 원인으로 작용한다.In addition, in such a liquid crystal display, an electric field is formed between the data line and the pixel electrode or the counter electrode, and the electric field distorts the orientation of some liquid crystal molecules disposed at the edge of the pixel. Due to the alignment distortion, light leakage occurs around the pixel, which causes a decrease in display characteristics of the liquid crystal display.
또한, 이러한 액정 표시 장치는 화소가 항상 밝게 표시되거나 어둡게 표시되는 화소 불량이 발생하는데, 이를 최소화할 수 있는 배치 구조로 배선을 패터닝하는 것이 바람직하며, 불량이 발생하더라도 수리하기가 용이해야 한다. In addition, such a liquid crystal display may generate pixel defects in which pixels are always displayed brightly or darkly. It is preferable to pattern the wirings in an arrangement structure that minimizes the defects.
본 발명의 기술적 과제는 화소 전극과 데이터선 사이에서 발생하는 기생 용량의 변화 및 액정 분자의 배향 왜곡을 최소화할 수 있는 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a thin film transistor array panel and a liquid crystal display including the same capable of minimizing a change in parasitic capacitance and distortion of liquid crystal molecules generated between a pixel electrode and a data line.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 화소 불량을 최소화할 수 있으며 화소 불량을 용이하게 수리할 수 있는 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a thin film transistor array panel capable of minimizing pixel defects and easily repairing pixel defects, and a liquid crystal display including the same.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 주사 신호를 전달하는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하며 영상 신호를 전달하는 데이터선, 상기 게이트선과 상기 데이터선이 정의하는 화소마다 형성되어 있는 화소 전극, 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 데이터선의 일부로 연결된 소스 전극 및 상기 화소 전극에 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 화소 전극과 소정 간격 이격되어 상기 화소 전극을 둘러싸고 있는 보조 전극을 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 데이터선과 중첩하는 세로 보조 전극 및 상기 게이트선과 평행한 가로 보조 전극을 포함하며, 상기 화소 전극은 전단 게이트선을 완전히 덮고 있는 것이 바람직하다.The thin film transistor array panel according to the present invention includes a gate line for transmitting a scan signal, a data line intersecting the gate line to transmit an image signal, a pixel electrode formed for each pixel defined by the gate line and the data line, and the gate line. A thin film transistor including a gate electrode connected to the data line, a source electrode connected to a portion of the data line, and a drain electrode connected to the pixel electrode, and an auxiliary electrode spaced apart from the pixel electrode at a predetermined interval to surround the pixel electrode; The auxiliary electrode includes a vertical auxiliary electrode overlapping the data line and a horizontal auxiliary electrode parallel to the gate line, and the pixel electrode completely covers the front gate line.
또한, 상기 전단 게이트선은 상기 화소 전극과 이웃하는 전단 화소 전극에 주사 신호를 전달하는 게이트선인 것이 바람직하다.In addition, the front end gate line may be a gate line that transmits a scan signal to a front end pixel electrode adjacent to the pixel electrode.
또한, 상기 보조 전극과 상기 화소 전극은 동일한 층으로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the auxiliary electrode and the pixel electrode is preferably made of the same layer.
또한, 상기 전단 게이트선은 상기 화소 전극의 상측 단부와 중첩하고 있는 것이 바람직하다.The front gate line preferably overlaps the upper end of the pixel electrode.
또한, 상기 화소 전극과 중첩하여 유지 용량을 형성하는 유지 전극을 더 포 함하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to further include a sustain electrode overlapping the pixel electrode to form a storage capacitor.
또한, 상기 유지 전극은 상기 화소 전극의 하측 단부에 의해 완전히 덮여지는 것이 바람직하다.In addition, the sustain electrode is preferably completely covered by the lower end of the pixel electrode.
또한, 상기 유지 전극의 상측부는 상기 화소 전극의 하측 단부와 중첩하고 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the upper portion of the sustain electrode overlaps the lower end of the pixel electrode.
또한, 상기 유지 전극의 하측부는 상기 화소 전극과 이웃하고 있는 후단 화소 전극의 상측 단부와 중첩하고 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the lower portion of the sustain electrode overlaps the upper end of the rear pixel electrode adjacent to the pixel electrode.
또한, 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트선 및 상기 데이터선을 덮는 절연막을 더 포함하며, 상기 보조 전극과 상기 화소 전극은 상기 절연막 상부에 형성되어 있는 것이 바람직하다.The thin film transistor may further include an insulating layer covering the thin film transistor, the gate line, and the data line, and the auxiliary electrode and the pixel electrode may be formed on the insulating layer.
또한, 상기 절연막은 유기 절연 물질로 이루어지며, 상기 보조 전극과 상기 유지 전극은 서로 전기적으로 연결되어 있는 것이 바람직하다.The insulating layer may be formed of an organic insulating material, and the auxiliary electrode and the sustain electrode may be electrically connected to each other.
또한, 상기 데이터선과 중첩하는 상기 보조 전극의 경계는 상기 데이터선을 완전히 덮는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the boundary of the auxiliary electrode overlapping the data line completely covers the data line.
또한, 상기 화소 전극은 상기 게이트선에 대하여 실질적으로 ±45도를 이루는 도메인 규제 수단을 가지는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the pixel electrode has domain regulating means substantially at +/- 45 degrees with respect to the gate line.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 주사 신호를 전달하는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하며 영상 신호를 전달하는 데이터선, 상기 게이트선과 상기 데이터선이 정의하는 화소마다 형성되어 있는 화소 전극, 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 데이터선의 일부로 연결된 소스 전극 및 상기 화소 전극에 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 화소 전극과 소정 간격 이격되어 상기 화소 전극을 둘러싸고 있는 보조 전극을 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 데이터선과 중첩하는 세로 보조 전극 및 상기 게이트선과 평행한 가로 보조 전극을 포함하며, 상기 화소 전극은 전단 게이트선을 완전히 덮고 있는 박막 트랜지스터 표시판, 상기 박막 트랜지스터 표시판과 마주하며, 상기 화소 전극과 마주하는 대향 전극을 가지는 대향 표시판, 상기 박막 트랜지스터 표시판과 상기 대향 표시판 사이에 형성되어 있는 액정층을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the liquid crystal display according to the present invention includes a gate line for transmitting a scan signal, a data line intersecting the gate line to transmit an image signal, a pixel electrode formed for each pixel defined by the gate line and the data line, and the gate. A thin film transistor including a gate electrode connected to a line, a source electrode connected to a portion of the data line, and a drain electrode connected to the pixel electrode, and an auxiliary electrode spaced apart from the pixel electrode at a predetermined interval to surround the pixel electrode; And the auxiliary electrode includes a vertical auxiliary electrode overlapping the data line and a horizontal auxiliary electrode parallel to the gate line, wherein the pixel electrode faces a thin film transistor array panel covering the front gate line and the thin film transistor array panel. Opposite side facing the pixel electrode It is desirable to include a counter panel, the liquid crystal is formed between the TFT array panel and the facing panel having floor.
또한, 상기 대향 전극과 상기 보조 전극은 동일한 신호가 전달되는 것이 바람직하다.In addition, the counter electrode and the auxiliary electrode preferably transmits the same signal.
또한, 상기 액정층에 포함되어 있는 액정은 음의 유전율 이방성을 가지며 상기 액정의 그 장축이 두 상기 표시판에 대하여 수직으로 배향되어 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the liquid crystal contained in the liquid crystal layer has negative dielectric anisotropy and its long axis is vertically oriented with respect to the two display panels.
또한, 상기 대향 전극과 상기 화소 전극은 액정층의 액정 분자를 분할 배향하여 상기 화소를 다수의 도메인으로 분할하는 도메인 규제 수단을 가지는 것이 바람직하며, 상기 도메인 규제 수단은 절개부인 것이 바람직하다.In addition, the counter electrode and the pixel electrode preferably have domain regulating means for dividing and aligning the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer into a plurality of domains, and the domain regulating means preferably has a cutout.
그러면, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Then, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나 타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 다중 도메인 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.Next, a multi-domain liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 대향 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 3은 본 발명의 도 1 및 도 2의 표시판을 정렬하여 완성한 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고, 도 4는 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is a layout view showing a structure of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a layout view showing a structure of an opposing display panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. 3 is a layout view illustrating a structure of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment in which the display panels of FIGS. 1 and 2 are aligned, and FIG. 4 is a line IV-IV 'of the liquid crystal display of FIG. It is a cross-sectional view cut along.
액정 표시 장치는 하측의 박막 트랜지스터 표시판(100)과 이와 마주보고 있는 상측의 대향 표시판(200) 및 이들 사이에 형성되어 있으며, 두 표시판(100, 200)에 대하여 거의 수직으로 배향되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)으로 이루어진다. 이때, 각각의 표시판(100, 200)에는 배향막(11, 21)이 형성되어 있으며, 배향막(11, 21)은 액정층(3)의 액정 분자를 표시판(100, 200)에 대하여 수직으로 배향되도록 하는 수직 배향 모드인 것이 바람직하나, 그렇지 않을 수도 있다. 또한, 상부 표시판(200)과 하부 표시판(100)의 바깥 면에는 각각 상부 및 하부 편 광판(12, 22)이 부착되어 있다.The liquid crystal display is formed of a thin film
박막 트랜지스터 표시판(100)에는 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있으며 절개부(191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198)를 가지고 있는 화소 전극(190)이 형성되어 있고, 각 화소 전극(190)은 박막 트랜지스터에 연결되어 화상 신호 전압을 인가 받는다. 이 때, 박막 트랜지스터는 주사 신호를 전달하는 게이트선(121)과 화상 신호를 전달하는 데이터선(171)에 각각 연결되어 주사 신호에 따라 화소 전극(190)을 온(on)오프(off)한다. 여기서, 화소 전극(190)은 반사형 액정 표시 장치인 경우 투명한 물질로 이루어지지 않을 수도 있고, 이 경우에는 하부 편광판(12)도 불필요하게 된다.The thin film
역시, 박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주하는 대향 표시판(200)에는 화소의 가장자리에서 발생하는 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)와 적, 녹, 청의 색 필터(230) 및 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있는 대향 전극(270)이 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(220)는 화소 영역의 둘레 부분뿐만 아니라 대향 전극(270)의 절개부(271, 272, 273, 274, 275, 276, 277, 278)와 중첩하는 부분에도 형성할 수 있다. 이는 절개부(271, 272, 273, 274, 275, 276, 277, 278)로 인해 발생하는 빛샘을 방지하기 위함이다.Also, the opposing
다음은 도 1, 도 3 및 도 4를 참조하여 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 좀 더 상세히 한다.Next, the thin film
박막 트랜지스터 표시판(100)에는 하부 절연 기판(110) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 주 로 가로 방향으로 뻗어 있으며, 각 게이트선(121)의 일부는 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이룬다. 게이트선(121)에는 게이트 전극(124)은 돌기의 형태로 형성되어 있고, 본 실시예와 같이 게이트선(121)은 외부로부터의 게이트 신호를 게이트선(121)으로 전달하기 위한 접촉부를 가질 수 있으며, 이때 게이트선(121)의 끝 부분(129)은 다른 부분보다 넓은 폭은 가지는 것이 바람직하며, 기판(110) 상부에 게이트 구동 회로가 형성되어 있는 실시예에서 게이트선(121)은 게이트 구동 회로의 출력단에 전기적으로 연결된다. In the thin film
절연 기판(110) 위에는 게이트선(121)과 동일한 층으로 게이트선(121)과 전기적으로 분리된 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있으며, 이러한 유지 전극선(131)은 드레인 전극(175)과 중첩시켜 유지 축전기를 만드는 유지 전극(133)을 포함한다. 유지 전극선(131)은 공통 전압 따위의 미리 정해진 전압을 외부로부터 인가 받으며, 화소 전극(190)과 게이트선(121)의 중첩으로 발생하는 유지 용량이 충분할 경우 유지 전극선(131)은 생략할 수도 있으며, 화소의 개구율을 극대화하기 위해 화소 영역의 가장자리에 배치할 수도 있다. 이러한 유지 전극(133)은 화소 전극(190)의 하측 단부에 의해 완전히 덮여지고 있다. On the insulating
각 유지 전극선(131)은 이후에 형성되는 화소 전극(190)의 절개부(191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198)와 중첩하며 화소에서 누설되는 빛을 차단하는 유지 전극을 포함할 수 있다.Each
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 Al, Al 합금, Ag, Ag 합금, Cr, Ti, Ta, Mo 등의 금속 따위로 만들어진다. 도 4에 나타난 바와 같이, 본 실시예의 게 이트선(121) 및 유지 전극 배선(131)은 단일층으로 이루어지지만, 물리 화학적 특성이 우수한 Cr, Mo, Ti, Ta 등의 금속층과 비저항이 작은 Al 계열 또는 Ag 계열의 금속층을 포함하는 이중층으로 이루어질 수도 있다. 이외에도 여러 다양한 금속 또는 도전체로 게이트선(121)과 유지 전극선(131)을 만들 수 있다.The
게이트선(121)과 유지 전극선(131)이 측면은 경사져 있으며 수평면에 대한 경사각은 30-80°인 것이 바람직하다.The sidewalls of the
게이트선(121)과 유지 전극 배선(131)의 위에는 질화규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. A
게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)을 비롯하여 복수의 드레인 전극(drain electrode, 175)이 형성되어 있다. 각 데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 각 드레인 전극(175)을 향하여 복수의 분지를 내어 데이터선(171)으로부터 확장된 소스 전극(source electrode)(173)을 가진다. 데이터선(171)의 한쪽 끝 부분에 위치한 접촉부(179)는 외부로부터의 화상 신호를 데이터선(171)에 전달한다. A plurality of
데이터선(171), 드레인 전극(175)도 게이트선(121)과 마찬가지로 크롬과 알루미늄 등의 도전 물질을 포함하는 금속으로 만들어지며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.Like the
데이터선(171), 드레인 전극(175)의 아래 일부에는 복수의 섬형 반도체(154)가 형성되어 있다. 비정질 규소 따위로 이루어진 각 섬형 반도체(154)는 각 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 향하여 확장되어 있으며, 박 막 트랜지스터의 채널이 형성되는 채널부를 가진다. 이때, 섬형 반도체(154)는 데이터선(171)의 모양을 따라 선형으로 형성될 수 있다. 또한, 섬형 반도체(154)의 대부분은 게이트 전극(124)의 경계선 안쪽에 위치하는 것이 바람직하다.A plurality of island-
반도체(154)와 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에는 둘 사이의 접촉 저항을 각각 감소시키기 위한 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 실리사이드나 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 규소 따위로 만들어지며, 게이트 전극(124)을 중심으로 서로 마주한다. A plurality of island-like
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성을 가지는 유기 물질, 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질로 이루어진 보호막(180)이 두껍게 형성되어 있다. 이때, 보호막(180)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이로 드러난 반도체(154)를 덮는 절연막을 포함하는 것이 바람직하며, 이러한 절연막을 박막 트랜지스터의 특성을 안정적으로 확보하기 위함이며, 질화 규소로 이루어진 것이 바람직하다. 또한, 보호막(180)은 아크릴계의 유기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 적색, 녹색, 청색의 안료를 포함하여 이루어진 색필터를 포함할 수 있다.On the
보호막(180)에는 드레인 전극(175)의 적어도 일부와 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 각각 노출시키는 복수의 접촉 구멍(185, 182)이 구비되어 있다. 한편, 게이트선(121)의 끝 부분(129)도 외부의 구동 회로와 연결되기 위한 접촉부를 가지 는데, 복수의 접촉 구멍(181)이 게이트 절연막(140)과 보호막(180)을 관통하여 게이트선(121)의 끝 부분을 드러낸다. The
보호막(180) 위에는 절개부(191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198)를 가지는 복수의 화소 전극(190)을 비롯하여 복수의 데이터 접촉 보조 부재(82, 81)가 형성되어 있다. 화소 전극(190)과 데이터 접촉 보조 부재(81, 82)는 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등과 같은 투명 도전체나 알루미늄(Al)과 같은 광 반사 특성이 우수한 불투명 도전체를 사용하여 형성한다. A plurality of
화소 전극(190)에 형성되어 있는 절개부(191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198)는 화소 전극(190)을 상하로 반분하는 가로 선에 대하여 대칭을 이루며, 각각 사선 방향으로 형성되어 있다. 절개부(194, 195)는 화소 전극(190)의 왼쪽 변에서 오른쪽 변을 향하여 파고 들어간 단부를 포함한다. 따라서, 화소 전극(190)은 각각 게이트선(121)과 데이터선(171)이 교차하여 정의하는 화소 영역을 상하로 이등분하는 선(게이트선과 나란한 선)에 대하여 실질적으로 거울상 대칭을 이루고 있다.The
이 때, 화소 영역에서 상하의 절개부(191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198)는 서로 수직을 이루고 있는데, 이는 프린지 필드의 방향을 4 방향으로 고르게 분산시키기 위함이다. In this case, the upper and
또, 화소 전극(190)과 동일한 층에는 상부 표시판(200)의 대향 전극(270)에 전달되는 공통 전압이 전달되는 보조 전극(199a, 199b)이 형성되어 있다.In addition,
보조 전극(199a, 199b)은 가로 방향의 게이트선(121)과 평행하고 중첩하지 않는 가로 보조 전극(199b)과, 세로 방향의 데이터선(191)과 중첩하는 세로 보조 전극(199a)으로 이루어져 그물 모양을 가진다.The
그리고, 세로 보조 전극(199a)은 데이터선(171)을 완전히 덮어 경계선이 데이터선(171)의 경계선 밖에 위치하며, 화소 전극(190)은 전단 게이트선(121a)을 완전히 덮고 있다. 전단 게이트선(121a)은 화소 전극(190)과 이웃하는 전단 화소 전극(190a)에 주사 신호를 전달하는 게이트선이다. The vertical
즉, 게이트선(121)은 주사 신호가 인가되는 해당 화소 전극(190)과 일부도 중첩되지 않고, 해당 화소 전극(190)의 하부에 위치하는 후단 화소 전극(190c)과 완전히 중첩되도록 형성되어 있다. That is, the
이러한 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에서는, 데이터선(171)보다 세로 보조 전극(199a)이 화소 전극(190)의 경계에 더욱 인접하게 배치되어 있어, 데이터선(171)과 화소 전극(190) 사이에 위치하는 액정 분자들은 세로 보조 전극(199a)과 화소 전극(190) 사이에 형성되는 전기장에 의해 구동되며, 이러한 전기장은 기판(110) 면에 대하여 거의 평행하게 형성된다. 따라서, 데이터선(171)과 화소 전극(190) 사이에 위치하는 액정 분자들은 두 표시판(100, 200)에 대하여 수직하게 배열된 상태를 유지하며, 이로 인하여 보조 전극(199a, 199b)과 화소 전극(190) 사이는 어둡게 표시되며, 누설되는 빛이 발생하지 않아 액정 표시 장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이를 통하여 대향 표시판(200)에 형성되어 있는 블랙 매트릭스(220)의 폭을 최소의 폭으로 설계할 수 있어, 화소의 개구율을 극대화할 수 있다.
In the thin film transistor array panel according to the exemplary embodiment of the present invention, the vertical
또한, 데이터선(171)보다 세로 보조 전극(199a)이 화소 전극(190)의 경계에 더욱 인접하게 배치되어 있어 데이터선(171)과 화소 전극(190) 사이에 형성되는 전기장은 차단되어, 데이터선(171)과 화소 전극(190) 사이에서 형성되는 커플링 용량을 발생하지 않으며, 이를 통하여 스티치 불량을 방지할 수 있다. In addition, the vertical
한편, 시야각 방향에서 빛샘을 차단하기 위해 화소 전극의 하측 단부는 자신의 게이트선과 중첩되도록 형성한다. 그러나, 이 경우에는 드레인 전극(175)과 게이트 전극(124)간의 기생 용량(Cgs)이 증가되어 킥백(Kickback) 전압이 증가된다. 이는 오프 전류(Ioff)에 기인한 잔상에도 취약하다는 문제점이 있으며, 특히 Mo/Al/Mo을 금속 배선으로 이용하는 경우에 더욱 두드러진다. Meanwhile, in order to block light leakage in the viewing angle direction, the lower end of the pixel electrode is formed to overlap the gate line thereof. However, in this case, the parasitic capacitance Cgs between the
따라서, 본 발명의 일 실시예에서는 화소 전극(190)이 전단 게이트선(121a)을 완전히 덮도록 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 전단 게이트선(121a)은 화소 전극(190)과 이웃하는 전단 화소 전극(190a)에 주사 신호를 전달하는 게이트선이다. Therefore, in the exemplary embodiment of the present invention, the
따라서, 게이트선(121)은 주사 신호가 인가되는 해당 화소 전극(190)과 일부도 중첩되지 않고, 해당 화소 전극(190)의 하부에 위치하는 후단 화소 전극(190c)과 완전히 중첩되도록 형성되어 있다. 따라서, 기생 용량(Cgs)이 증가되지 않고 킥백(Kickback) 전압도 변화가 없으므로, 오프 전류(Ioff)에 기인한 잔상을 개선할 수 있으며, 특히 Mo/Al/Mo을 금속 배선으로 이용하는 경우에 더욱 두드러진다. Accordingly, the
그리고, 보조 전극(199a, 199b)과 화소 전극(190)사이의 간격은 노광기의 분해능과 파티클(Particle)에 손상(Defect)이 많이 발생하지 않는 최소한의 크기로 설정하여야 개구율을 최대화할 수 있다. 즉, 보조 전극(199a, 199b)과 화소 전극(190)사이의 간격이 작기 경우에는 작은 크기의 파티클에 의해서도 단락(Short)이 발생하기 쉽다. In addition, the gap between the
세로 보조 전극(199a)과 데이터선(171)이 중첩하는 부분은 세로 보조 전극(199a)이 데이터선(171)을 완전히 덮어 세로 보조 전극(199a)의 경계선이 데이터선(171)의 경계선 밖에 위치한다.In the portion where the vertical
따라서, 데이터선(171)을 완전히 덮는 세로 보조 전극(199a)과 화소 전극(190)사이의 공간(70)에는 금속층 및 블랙 매트릭스가 없다. 따라서, 상부 기판 및 하부 기판이 결합된 액정 셀(Cell) 상태에서도 세로 보조 전극(199a)과 화소 전극(190)사이에 단락이 발생할 경우 레이저로 절단하는 것이 가능하다.Therefore, the metal layer and the black matrix do not exist in the
그러나, 가로 보조 전극(199b)이 게이트선(121)의 경계선 안에 위치하는 경우에는, 게이트선(121)과 중첩되는 가로 보조 전극(199b)과 화소 전극(190)사이의 공간(50)에는 게이트선(121)의 일부가 위치하고 있다. 따라서, 가로 보조 전극(199b)과 화소 전극(190)사이에 단락이 발생할 경우 레이저로 절단하면 게이트선(121)이 손상될 염려가 있으므로, 박막트랜지스터 표시판 상태에서뿐만 아니라 액정 셀 상태에서도 레이저로 절단하는 것이 불가능하다. However, when the horizontal
따라서, 본 발명의 일 실시예에서는 화소 전극(190)은 전단 게이트선(121a)을 완전히 덮고 있다. 따라서, 게이트선(121)은 주사 신호가 인가되는 해당 화소 전극(190)과 일부도 중첩되지 않고, 해당 화소 전극(190)의 하부에 위치하는 후단 화소 전극(190c)과 완전히 중첩되도록 형성되어 있다. 따라서, 가로 보조 전극 (199b)과 화소 전극(190)사이의 공간(50)에는 금속층 및 블랙 매트릭스가 없다. 따라서, 상부 기판 및 하부 기판이 결합된 액정 셀(Cell) 상태에서도 가로 보조 전극(199b)과 화소 전극(190)사이에 단락(199a, 도 5 참조)이 발생할 경우 레이저로 절단하는 것이 가능하다.Therefore, in an exemplary embodiment of the present invention, the
한편, 박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주하는 대향 표시판(200)에는 상부의 절연 기판(210)에 화소 가장자리에서 빛이 새는 것을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(220)의 위에는 적, 녹, 청색의 색 필터(230)가 형성되어 있다. 색 필터(230)의 위에는 전면적으로 평탄화막(250)이 형성되어 있고, 그 상부에는 절개부(271, 272, 273, 274, 275, 276, 277, 278)를 가지는 대향 전극(270)이 형성되어 있다. 대향 전극(270)은 ITO 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전체로 형성한다.In the
대향 전극(270)의 한 벌의 절개부(271, 272, 273, 274, 275, 276, 277, 278)는 화소 전극(190)의 절개부(191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198) 중 게이트선(121)에 대하여 45°를 이루는 부분과 교대로 배치되어 이와 나란한 사선부와 화소 전극(190)의 변과 중첩되어 있는 단부를 포함하고 있다. 이 때, 단부는 세로 방향 단부와 가로 방향 단부로 분류된다.A pair of
이상과 같은 구조의 박막 트랜지스터 기판과 대향 표시판을 정렬하여 결합하고 그 사이에 액정 물질을 주입하여 수직 배향하면 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 기본 구조가 마련된다. When the thin film transistor substrate and the opposing display panel having the above structure are aligned and combined, and a liquid crystal material is injected and vertically aligned therebetween, a basic structure of the liquid crystal display according to the present invention is provided.
박막 트랜지스터 표시판(100)과 대향 표시판(200)을 정렬했을 때 화소 전극 (190)의 절개부(191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198)와 대향 전극(270)의 절개부(271, 272, 273, 274, 275, 276, 277, 278)는 화소 영역을 다수의 도메인으로 분할한다. 이들 도메인은 그 내부에 위치하는 액정 분자의 평균 장축 방향에 따라 4개의 종류로 분류되며, 각각의 도메인은 길쭉하게 형성되어 폭과 길이를 가진다. When the thin film
이 때, 화소 전극(190)의 절개부(191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198)와 대향 전극(270)의 절개부(271, 272, 273, 274, 275, 276, 277, 278)는 액정 분자를 분할 배향하는 도메인 규제 수단으로서 작용하며, 도메인 규제 수단으로는 절개부 대신 화소 전극(190) 및 대향 전극(270)의 상부 또는 하부에 무기 물질 또는 유기 물질로 돌기를 형성하는 경우에는 폭을 5㎛에서 10㎛ 사이로 하는 것이 바람직하다.In this case, the
이러한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서, 보조 전극(199a, 199b)과 대향 전극(270)에는 서로 동일한 전압이 인가되어, 액정 표시 장치의 구동시 화소 전극(190)에 구동 전압이 인가되더라도 보조 전극(199a, 199b)과 대향 전극(270) 사이의 액정 분자들은 움직이지 않고 표시판(100, 200)에 수직하게 배열되어 있는 수직 배향 모드를 유지한다. 따라서, 보조 전극(199a, 199b)에 대응하는 부분은 어둡게 표시되어, 서로 이웃하는 화소 영역 사이에서는 빛샘이 발생하지 않으며, 이를 통하여 액정 표시 장치의 표시 특정을 향상시킬 수 있다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the same voltage is applied to the
이러한 구조의 본 실시예에 따른 액정 표시 장치에 있어서 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법에 대하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a thin film transistor array panel in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of such a structure will be described as follows.
먼저, 하부 절연 기판(110) 상부에 Cr 또는 Mo 합금 등으로 이루어지는 도전 막과 저항이 작은 Al 또는 Ag 또는 이들을 포함하는 합금 등으로 이루어지는 도전막을 스퍼터링 따위의 방법으로 단일막 또는 다층막으로 적층하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 건식 또는 습식 식각을 이용하여 게이트선(121)과 유지 전극선(131)을 형성한다. First, a conductive film made of Cr or Mo alloy or the like and a conductive film made of Al or Ag with low resistance or an alloy containing them are stacked on the lower insulating
다음, 게이트 절연막(140), 수소화 비정질 규소층 및 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 비정질 규소층을 화학 기상 증착법을 이용하여 각각 1,500 Å 내지 5,000 Å, 500 Å 내지 2,000 Å, 300 Å 내지 600 Å의 두께로 연속 증착하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 도핑된 비정질 규소층과 비정질 규소층을 차례로 패터닝하여 채널부가 연결되어 있는 저항성 접촉층과 비정질 규소의 섬형 반도체(154)를 형성한다.Next, the
이어, Cr 또는 Mo 합금 등으로 이루어지는 도전막 또는 저항이 작은 Al 또는 Ag 또는 이들을 포함하는 합금 등으로 이루어지는 도전막 따위를 스퍼터링 등의 방법으로 단층 또는 다층으로 1,500 Å 내지 3,000 Å의 두께로 증착한 다음 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 형성한다.Subsequently, a conductive film made of Cr or Mo alloy or the like or a conductive film made of Al or Ag having a low resistance or an alloy containing the same is deposited to a thickness of 1,500 kPa to 3,000 kPa in a single layer or a multilayer by sputtering or the like. The
이어, 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)으로 가려지지 않은 저항성 접촉층을 식각하여 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154)를 드러내고 양쪽으로 분리된 저항성 접촉층(163, 165)을 형성한다. Subsequently, the ohmic contact layer that is not covered by the
이어, 평탄화 특성이 우수하고 감광성을 가지는 유기 절연 물질을 도포하여 보호막(180)을 형성하고, 광마스크를 이용한 사진 공정으로 보호막(180)을 노광하 고 현상하여 접촉구(181, 182, 185)를 형성한다. 이때, 유기 절연 물질을 도포하기 전에 질화 규소 또는 산화 규소를 화학 기상 증착 등의 방법으로 적층하여 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이로 노출되는 반도체(154)를 덮는 절연막을 추가로 형성하는 것이 바람직하다. Subsequently, a
다음, 도 1, 도 3 및 도 4에서 보는 바와 같이, ITO 또는 IZO를 400 Å 내지 500 Å 두께로 증착하고 마스크를 이용한 사진 식각하여 화소 전극(190), 보조 전극(199a, 199b)과 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성한다. Next, as shown in FIGS. 1, 3, and 4, ITO or IZO is deposited to a thickness of 400 to 500 Å and photo-etched using a mask to assist contact with the
이 때, 화소 전극(190)은 전단 게이트선(121a)을 완전히 덮도록 형성되어 있으며, 게이트선(121)은 주사 신호가 인가되는 해당 화소 전극(190)과 일부도 중첩되지 않고, 해당 화소 전극(190)의 하부에 위치하는 후단 화소 전극(190c)과 완전히 중첩되도록 형성되어 있다. In this case, the
따라서, 게이트 전극(124)과 드레인 전극(175)간의 기생 용량(Cgs)이 증가되지 않고 킥백(Kickback) 전압도 변화가 없으므로, 오프 전류(Ioff)에 기인한 잔상을 개선할 수 있다. Accordingly, since the parasitic capacitance Cgs between the
또한, 상기과 같은 경우 가로 보조 전극(199b)과 화소 전극(190)사이의 공간(50)에는 금속층 및 블랙 매트릭스가 없다. 따라서, 상부 기판 및 하부 기판이 결합된 액정 셀(Cell) 상태에서도 가로 보조 전극(199b)과 화소 전극(190)사이에 단락(199a, 도 5 참조)이 발생할 경우 레이저로 절단하는 것이 가능하다.In this case, the metal layer and the black matrix do not exist in the
한편, 본 발명의 실시예에서 박막 트랜지스터 표시판은 다른 모양을 가질 수 있으며, 하나의 실시예를 도면을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다. Meanwhile, in the exemplary embodiment of the present invention, the TFT panel may have a different shape, and one embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 7은 도 6의 액정 표시 장치를 VII-VII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a layout view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 6 taken along the line VII-VII ′.
도 6 및 도 7에서 보는 바와 같이, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판의 층상 구조는 대개 도 1 내지 도 4에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판의 층상 구조와 동일하다. 즉, 기판(110) 위에 복수의 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121)이 형성되어 있고, 게이트 절연막, 반도체(154) 및 저항성 접촉 부재(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)이 형성되어 있고 그 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180) 및/또는 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(182, 181, 185)이 형성되어 있으며, 그 상부에는 화소 전극(190)과 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있다.6 and 7, the layer structure of the thin film transistor array panel of the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment is generally the same as the layer structure of the thin film transistor array panel of the liquid crystal display shown in FIGS. 1 to 4. That is, the plurality of
그러나, 본 발명의 일 실시예에서는 유지 전극(133)이 화소 전극(190)의 하측 단부에 의해 완전히 덮여지는 구조이나, 본 발명의 다른 실시예에서는 유지 전극(133)의 상측부는 화소 전극(190)의 하측 단부와 중첩하고 있고, 유지 전극(133)의 하측부는 화소 전극(190)과 이웃하고 있는 후단 화소 전극(190c)의 상측 단부와 중첩하고 있다. However, in one embodiment of the present invention, the sustain
따라서, 본 발명의 다른 실시예는 일 실시예에 비해 개구율이 높아지게 된다. 즉, 가로 보조 전극(199b) 아래에 유지 전극(133)이 위치하므로 유지 전극(133)에 의해 화소 전극(190)이 차단되지 않으므로 개구율이 향상된다.
Therefore, another embodiment of the present invention will be higher than the opening ratio. That is, since the
또한, 이 때에도 화소 전극(190)은 전단 게이트선(121a)을 완전히 덮도록 형성되어 있으며, 게이트선(121)은 주사 신호가 인가되는 해당 화소 전극(190)과 일부도 중첩되지 않고, 해당 화소 전극(190)의 하부에 위치하는 후단 화소 전극(190c)과 완전히 중첩되도록 형성되어 있다. 따라서, 게이트 전극(124)과 드레인 전극(175)간의 기생 용량(Cgs)이 증가되지 않고 킥백(Kickback) 전압도 변화가 없으므로, 오프 전류(Ioff)에 기인한 잔상을 개선할 수 있다. In this case, the
한편, 이러한 액정 표시 장치의 구조에서 색 필터(230)가 대향 표시판(200)에 배치되어 있지만, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 배치할 수 있으며, 이 경우에는 게이트 절연막(140)의 하부에 배치할 수도 있으며, 보호막(180)의 하부에 배치할 수도 있다.Meanwhile, although the
한편, 본 발명의 실시예에서는 액정 분자가 두 표시판(100, 200)에 대하여 수직하게 배열되어 있는 수직 배향 모드의 액정 표시 장치에 대해서만 설명하였지만, 본원의 구성은 두 표시판에 대하여 액정 분자를 평행하면서 나선형으로 비틀려 배열하는 비틀린 네마틱 방식(twisted nematic mode), 대향 전극과 화소 전극을 동일한 표시판에 배치하여 표시판에 평행하게 배열되어 있는 액정 분자를 구동하는 평면 구동 방식(in-plane switching mode) 등의 다양한 방식의 액정 표시 장치에 적용할 수 있다. Meanwhile, in the exemplary embodiment of the present invention, only the liquid crystal display device in the vertical alignment mode in which the liquid crystal molecules are vertically arranged with respect to the two
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also fall within the scope of the present invention.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치는 화소 전극과 동일한 층으로 보조 전극을 형성함으로써 화소 사이에서 누설되는 빛을 차단하며, 스티치 불량이 발생하는 것을 방지하여 액정 표시 장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다. The thin film transistor array panel and the liquid crystal display including the same according to the present invention block light leaking between pixels by forming an auxiliary electrode in the same layer as the pixel electrode, and prevent the occurrence of stitch defects to display characteristics of the liquid crystal display. Can improve.
또한, 게이트선은 주사 신호가 인가되는 해당 화소 전극과 일부 중첩되지 않고, 해당 화소 전극의 하부에 위치하는 후단 화소 전극과 완전히 중첩되도록 형성됨으로써 기생 용량(Cgs)이 증가되지 않고 킥백 전압도 변화가 없으므로, 오프 전류에 기인한 잔상을 개선할 수 있다. In addition, the gate line is partially overlapped with the corresponding pixel electrode to which the scan signal is applied, and completely overlaps with the next pixel electrode positioned below the pixel electrode, so that the parasitic capacitance Cgs is not increased and the kickback voltage is also changed. Therefore, the afterimage resulting from the off current can be improved.
또한, 가로 보조 전극과 화소 전극사이의 공간에는 금속층 및 블랙 매트릭스가 없기 때문에 액정 셀 상태에서도 가로 보조 전극과 화소 전극사이에 단락이 발생할 경우 레이저로 절단하는 것이 가능하다.
In addition, since there is no metal layer and a black matrix in the space between the horizontal auxiliary electrode and the pixel electrode, it is possible to cut with a laser when a short circuit occurs between the horizontal auxiliary electrode and the pixel electrode even in a liquid crystal cell state.
Claims (18)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040070861A KR20060022087A (en) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Multi-domain thin film transistor array panel and liquid crystal display including the same |
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KR1020040070861A KR20060022087A (en) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Multi-domain thin film transistor array panel and liquid crystal display including the same |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101539953B1 (en) * | 2008-12-04 | 2015-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display apparatus |
-
2004
- 2004-09-06 KR KR1020040070861A patent/KR20060022087A/en not_active Application Discontinuation
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