KR20060010897A - 금속 유기 잔류물을 제거할 수 있는 이미지센서 제조 방법 - Google Patents
금속 유기 잔류물을 제거할 수 있는 이미지센서 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 재 작업을 위한 칼라필터 제거 시 금속 유기 잔류물을 제거할 수 있는 이미지센서 제조 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 기판 상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 상에 질화막을 형성하는 단계; 상기 질화막 상에 칼라필터를 형성하는 단계; 및 재 작업을 위해 상기 칼라필터 및 상기 칼라필터에 함유된 금속 원소와 유기기가 혼합된 금속 유기 잔류물을 제거하기 위해 O2/CF4 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
이미지센서, 칼라필터, 금속 유기 잔류물, CF4, O2, 레지스트, 재 작업.
Description
도 1은 칼라필터 재 작업을 위한 칼라필터의 제거시 칼라필터 내에 함유된 금속성 원소에 의한 금속 유기 잔률물을 도시한 사진.
도 2는 도 1를 확대 도시한 사진.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 형성을 위한 칼라필터 재 작업 공정을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
300 : 기판 301 ∼ 304 : 금속배선
305 : 산화막 306b : 질화막
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 칼라필터의 재 작업시 금속 유기 잔류물(Metal-organic residue)를 효과적으로 제거할 수 있는 이미지센서 제조 방법에 관한 것이다.
이미지센서는 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자이며, 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)와 CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서 등이 이에 속한다.
CCD는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
반면, CMOS 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CMOS 이미지센서는 높은 집적도 및 낮은 구동 전압 등의 장점에 의해 현재 휴대용 촬상 장치 등에 광범위하게 사용된다.
하기의 표 1은 칼라필터용 레지스트에 함유된 금속 원소의 농도를 비교 도시한다.
| 원소 | 적색(R) | 녹색(Green) | 청색(Blue) |
| P | 2.6 | 6.5 | 5.0 |
| Zn | 15.7 | 29.4 | |
| Si | 7.8 | 12.7 | 29.4 |
| Cu | 1.0 | 2135.0 | 3941.4 |
| Ba | 0.7 | 140.7 | 2.7 |
| Fe | 13.4 | 1.8 | |
| Al | 13.0 | ||
| K | 2.8 | 18.5 | 9.6 |
이미지센서는 빛의 3원소인 R,G,B의 칼라필터를 필요로 한다. 이 칼라필터에는 주기율표상 전이 금속 원소(Transition metals)들이 다량 포함된다. 금속 전이 원소는 원자 핵 주위의 전자 궤도에서 전자를 채우는 순서인 3d와 4s의 궤도에서 에너지가 더 낮은 상태인 3d에 순서대로 채워지지 않고, 보다 높은 에너지 준위인 4s 궤도에 채워지는 원소들이다.
그 대표적인 예가 Cu, Fe, Zn 등으로서, 3d와 4s의 궤도인 4f와 5s의 사이에도 벌어지는 현상들이다. 이 중에서 Cu의 함량이 일반적으로 가장 많으며, 많을 경우 0.4% 정도까지 이르기도 한다.
도 1은 칼라필터 재 작업을 위한 칼라필터의 제거시 칼라필터 내에 함유된 금속성 원소에 의한 금속 유기 잔률물을 도시한 사진이며, 도 2는 도 1를 확대 도시한 사진이다.
칼라필터의 형성 도중 코팅(Coating) 불량, 디포커싱(Defocusing) 등의 리소그라피(Lithography) 작업의 오류로 인한 재 작업 등은 반드시 필요한 공정 중 하나이다.
재 작업을 위해서는 칼라필터를 제거해야 하며, 칼라필터는 레지스트를 함유하므로 제거 시에는 O2 플라즈마 등을 사용한다.
한편, 칼라필터에는 전술한 전이 금속 원소 이외에 Ba, Al, Si 등의 금속 또는 준금속 원소들도 포함하고 있는 바, O2, N2, H2 등의 레지스트 제거 조건으로는 금속 유기 잔류물이 제거되지 않고, 도 1 및 도 2에 도시된 'X'와 같이 칼라필터 제거 후 잔류하게 된다.
이러한 금속 유기 잔류물은 이미지센서의 광 특성에 치명적인 결함을 만들게 된다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 재 작업을 위한 칼라필터 제거 시 금속 유기 잔류물을 제거할 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 상에 질화막을 형성하는 단계; 상기 질화막 상에 칼라필터를 형성하는 단계; 및 재 작업을 위해 상기 칼라필터 및 상기 칼라필터에 함유된 금속 원소와 유기기가 혼합된 금속 유기 잔류물을 제거하기 위해 O2/CF4 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 재 작업을 위한 칼라필터 제거 시, 산소와 불소가 포함된 가스 예컨대, O2/CF4 플라즈마를 이용한다. CF4등의 불소 가스는 금속 성분과의 반응성이 매우 크므로 칼라필터에 함유된 금속 원소를 제거하게 되고, 유기기는 산소 가스 예컨대, O2에 의해 CO 또는 CO2의 형태로 제거된다.
이 때, 하부의 보호막(Passivation layer)으로 사용된 질화막의 일부도 같이 제거함으로써, 금속 유기 잔류물이 잔류하는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 형성을 위한 칼라필터 재 작업 공정을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 본 발명의 칼라필터 제조 공정을 살펴본다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 포토다이오드 등의 수광 소자 및 리셋 트랜지스터와 트랜스퍼 트랜지스터 등의 구동용 트랜지스터 및 로직을 위한 단위 소자 등의 이미지센서를 이루기 위한 여러 요소가 형성된 기판(300) 상부에 도면부호 301 ∼ 304로 이루어진 금속배선을 형성한다.
한편, 각 금속배선(301 ∼ 304)의 사이 및 하부에는 금속 배선 형성 전 절연막(Pre-Metal Dielectric; 이하 PMD라 함)과 금속배선 간 절연막(Inter-Metal Dielectric) 등이 형성되어 있으나, 도면의 간략화를 위해 생략한다.
이어서, 금속배선(304) 상에 보호막으로 산화막(305)과 질화막(306a)을 차례 로 형성한다. 보호막은 후속 공정에 의한 금속배선(301 ∼ 304)의 특성 열화를 방지하기 위한 것이다.
이 때, 산화막(305)은 500Å ∼ 5000Å의 두께로 형성하며, 질화막(306a)은 2000Å ∼ 20000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 질화막(306a) 상에 후속 칼라필터 형성을 위한 포토리소그라피 공정시 공정 마진을 확보하기 위해 막 평탄성이 우수한 평탄화막(307, Over Coating Layer; 이하 OCL이라 함)을 형성한다.
이어서, OCL(307) 상에 칼라필터 형성을 위한 레지스트를 코팅하고, 패터닝하여 칼라필터(308)를 형성한다.
이 때, 레지스트의 코팅 불량이나, 노광 시의 디포커싱 또는 현상 시의 문제 등으로 인해 칼라필터(308)에 불량이 발생하게 된다.
따라서, 재 작업을 위해서는 불량이 발생한 칼라필터(308)를 제거해야 한다.
한편, 종래와 같이 산소(O2) 플라즈마 만을 이용할 경우에는 도 3c에 도시된 바와 같이 금속 유기 잔류물(309)이 잔류하게 된다.
따라서, 본 발명은 산소와 불소가 포함된 예컨대, O2/CF4의 플라즈마를 이용하여 칼라필터(309)를 제거한다.
불소 가스 예컨대, CF4는 금속 성분과의 반응성이 매우 크므로 칼라필터에 함유된 금속 원소를 제거하게 되고, 유기기는 산소 가스(O2)에 의해 CO 또는 CO2의 형태로 제거된다.
이 때, 산소 플라즈마를 이용하여 칼라필터(308)를 먼저 제거한 다음, 불소 가스 플라즈마를 이용하여 금속 유기 잔류물(309)을 제거하는 방식을 사용하지 않고, 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 칼라필터(308)의 제거와 금속 유기 잔류물(309)의 제거를 동시에 실시한다.
칼라필터(308) 제거시 OCL(307)도 같이 제거한다.
불소 가스는 상기한 CF4 이외에 C4F8, C4F6, C
5F8 등이 있다.
아울러, 하부의 보호막으로 사용된 질화막(306a)의 일부도 같이 제거함으로써, 금속 유기 잔류물이 잔류하는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.
도 3d에 도시된 도면부호 '306b'는 일부가 제거되는 잔류하는 질화막을 나타낸다. 질화막(306a)의 제거되는 양은 증착된 두께의 약 1/2인 1000Å ∼ 10000Å를 제거하는 것이 바람직하다.
질화막(306a)의 일부를 제거함으로써, 리프트 오프(Lift-off) 방식에 의해 금속 유기 잔류물(309)이 제거된다.
플라즈마 형성 조건을 살펴 보면, 0.01Torr ∼ 2Torr의 압력과 200W ∼ 3000W의 파워를 사용한다. 산소 가스는 20SCCM ∼ 2000SCCM, 불소 가스는 5SCCM ∼ 1000SCCM을 사용하며, 온도는 -30℃ ∼ 350℃를 유지한다.
산소와 불소가 포함된 가스에 Cl2, SF6, CxHyFz(x,y,z는 1 내지 10) 등의 주기율표 의 7A족인 할로겐 원소들을 포함하는 가스를 첨가할 수 있다.
이 때, 첨가하는 가스에 비해 산소 가스의 양이 많도록 하여 산화막(305)에 대한 식각률에 비해 질화막에 대한 식각률이 높도록 함으로써, 과도 식각이 되더라도 산화막(305)에서 식각 멈춤이 일어나도록 한다.
추가의 세정 공정을 실시하여 질화막(306b)의 표면에 부유하는 금속 유기 잔률물을 제거한다. 추가의 세정 공정에서는 순수를 이용한다.
이어서, 도 3e에 도시된 바와 같이, 손실된 질화막(306a)의 을 보상하기 위한 추가의 질화막을 증착함으로써, 원래의 두께를 갖는 질화막(306)을 형성한다.
따라서, 질화막(306)의 손실된 양인 1000Å ∼ 10000Å 두께로 추가 증착한다.
도 3d의 공정에서 질화막(306b)에 대한 손실이 50Å 이하로 미미하게 발생한 경우에는 추가의 질화막 증착 공정을 생략할 수 있다.
한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 레지스트를 도포하고 패터닝하여 칼라필터를 형성하는 재 작업을 실시한다.
전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 재 작업을 위한 칼라필터 제거 시, 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용한다. 불소 가스는 금속 성분과의 반응성이 매우 크므로 칼라필터에 함유된 금속 원소를 제거하게 되고, 유기기는 산소 가스에 의해 CO 또는 CO2의 형태로 제거된다. 이 때, 하부의 보호막으로 사용된 질화막의 일부도 같이 제거함으로써, 금속 유기 잔류물이 잔류하는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.
따라서, 광 경로 상에서 금속 유기 잔류물을 제거함으로써, 광 산란을 없애고 광 전달 특성을 증가시킬 수 있음을 실시예를 통해 알아 보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은, 광 산란을 없애고 광 전달 특성을 증가시켜 이미지센서의 광 신뢰성을 높이는 효과가 있다.
Claims (10)
- 기판 상에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상에 질화막을 형성하는 단계;상기 질화막 상에 칼라필터를 형성하는 단계; 및재 작업을 위해 상기 칼라필터 및 상기 칼라필터에 함유된 금속 원소와 유기기가 혼합된 금속 유기 잔류물을 제거하기 위해 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계에서,상기 질화막을 일부 식각하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 질화막을 200Å 내지 2000Å의 두께로 형성하며,상기 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계에서 100Å 내지 1000Å의 두께를 제거하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계 후,100Å 내지 1000Å 두께로 추가의 질화막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계는,0.01Torr 내지 2Torr의 압력 및 -30℃ 내지 350℃의 온도 하에서 200W 내지 3000W의 파워를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계에서,20SCCM 내지 2000SCCM의 산소 가스와 5SCCM 내지 1000SCCM의 불소 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계에서,Cl2, SF6 또는 CxHyFz(x,y,z는 1 내지 10) 중 어느 하나의 가스를 첨가하여 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계에서,상기 산소 가스의 양이 상기 첨가된 가스의 양에 비해 더 많도록 하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 산소와 불소가 포함된 플라즈마를 이용하여 식각하는 단계 후,부유하는 금속 유기 잔류물을 제거하기 위해 순수를 이용하여 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 산화막을 200Å 내지 2000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 이 미지센서 제조 방법.
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2004
- 2004-07-29 KR KR1020040059488A patent/KR20060010897A/ko active Search and Examination
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