KR20060007520A - Fringe field switching mode lcd - Google Patents
Fringe field switching mode lcd Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060007520A KR20060007520A KR1020040056337A KR20040056337A KR20060007520A KR 20060007520 A KR20060007520 A KR 20060007520A KR 1020040056337 A KR1020040056337 A KR 1020040056337A KR 20040056337 A KR20040056337 A KR 20040056337A KR 20060007520 A KR20060007520 A KR 20060007520A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel electrode
- bus line
- liquid crystal
- data bus
- lower substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133519—Overcoatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
본 발명은 그레이 트레이스 무라(gray trace mura)에 자유로운 화소 구조를 갖는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(Fringe Field Switching mode LCD)를 개시한다. 개시된 본 발명의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치는, 교차 배열된 게이트버스라인과 데이터버스라인에 의해 한정되는 단위 화소영역 내에 절연막의 개재하에 ITO로 이루어진 박스타입 상대전극과 슬릿타입 화소전극이 배치됨과 아울러, 상기 화소영역 내의 양측 가장자리 각각에 상기 데이터버스라인과 동시에 형성되면서 상기 화소전극의 양측 슬릿 끝단부와 콘택되게 톱니 형상의 보조 화소전극이 배치된 구조를 갖는 하부기판이 블랙매트릭스 및 컬러필터를 구비한 상부기판과 액정층의 개재하에 합착되어 구성된 것을 특징으로 한다. The present invention discloses a fringe field switching mode LCD having a pixel structure free of gray trace mura. In the disclosed fringe field switching mode liquid crystal display device, a box-type counter electrode and a slit-type pixel electrode made of ITO are disposed under an insulating film in a unit pixel region defined by a cross-arranged gate bus line and a data bus line. In addition, a lower substrate having a structure in which a sawtooth auxiliary pixel electrode is disposed on both edges of the pixel area at the same time as the data bus line and in contact with both end portions of the slit of the pixel electrode is formed of a black matrix and a color filter. Characterized in that the bonding is formed under the intervening upper substrate and the liquid crystal layer provided.
Description
도 1은 그레이 트레이스 무라(Gray trace mura)발생을 설명하기 위한 도면. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining occurrence of Gray trace mura. FIG.
도 2 및 도 3a는 종래 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에서의 설계된 전극 패턴 및 실제 형성된 전극 패턴을 도시한 도면. 2 and 3A illustrate designed electrode patterns and actual formed electrode patterns in a conventional fringe field switching mode liquid crystal display.
도 3b는 도 3a의 A-A'선에 따른 단면도. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3A.
도 4 및 도 5a는 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에서의 설계된 전극 패턴 및 실제 형성된 전극 패턴을 도시한 도면. 4 and 5A illustrate designed electrode patterns and actual formed electrode patterns in a fringe field switching mode liquid crystal display according to the present invention.
도 5b는 도 5a의 B-B'선에 따른 단면도. 5B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 5A.
도 6은 액정과 전기장간의 각도를 설명하기 위한 도면. 6 is a view for explaining the angle between the liquid crystal and the electric field.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
42,52 : 상대전극 44,54 : 데이터버스라인42,52:
46,56 : 화소전극 47,57 : 보조 화소전극46,56
50 : 유리기판 53 : 게이트절연막50: glass substrate 53: gate insulating film
55 : 보호막 58 : 액정55
본 발명은 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 그레이 트레이스 무라(Gray Trace Mura)에 자유로운 화소 구조를 갖도록 한 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(Fringe Field Switching mode LCD : 이하, FFS 모드 LCD)는 아이피에스(IPS : In Plane Switching) 모드 LCD의 낮은 개구율 및 투과율을 개선시키기 위해 제안된 것이다. A fringe field switching mode LCD (hereinafter referred to as FFS mode LCD) is proposed to improve the low aperture ratio and transmittance of IPS (In Plane Switching) LCD.
이러한 FFS 모드 LCD는 상대전극과 화소전극을 ITO와 같은 투명 금속으로 형성하여 IPS 모드 LCD에 비해 개구율 및 투과율을 높이면서, 상기 상대전극과 화소전극 사이의 간격을 기판들간 간격보다 좁게 형성하는 것을 통해 상기 상대전극과 화소전극 사이에서 프린지 필드가 형성되도록 함으로써 상기 전극들 상부에 존재하는 액정 분자들까지도 모두 동작되도록 하여 보다 향상된 투과율을 얻는다.In the FFS mode LCD, the counter electrode and the pixel electrode are formed of a transparent metal such as ITO, thereby increasing the aperture ratio and the transmittance compared to the IPS mode LCD, and forming the gap between the counter electrode and the pixel electrode to be smaller than the distance between the substrates. By forming a fringe field between the counter electrode and the pixel electrode, even the liquid crystal molecules existing on the electrodes are operated to obtain more improved transmittance.
한편, 이와 같은 FFS 모드 LCD에 있어서, 상기 상대전극은 박스 타입으로 형성되고, 상기 화소전극은 슬릿 타입으로 형성되며, 형성된 전극 단면에 대해 수직한 방향으로 상대전극과 화소전극간 전기장이 형성되어, 이 전기장에 의해 화소내의 액정분자들이 제어된다. Meanwhile, in the FFS mode LCD, the counter electrode is formed in a box type, the pixel electrode is formed in a slit type, and an electric field is formed between the counter electrode and the pixel electrode in a direction perpendicular to the formed electrode end face. The liquid crystal molecules in the pixel are controlled by this electric field.
그런데, 종래의 화소 구조에서 ITO로 이루어진 화소전극을 통상의 포토리소그라피 공정에 따라 패터닝하였을 때, 가장자리부의 패턴 모양이 설계했던 패턴 모양대로 샤프(sharp)하게 패터닝되지 못하는 현상이 빈번하게 발생되고, 이로인해, 특정 영역의 화소전극용 ITO의 패터닝이 초기 의도와는 달리 패터닝됨에 따라 액정분자들을 모두 원하는 방향으로 제어할 수 없게 된다. However, when a pixel electrode made of ITO is patterned according to a conventional photolithography process in the conventional pixel structure, a phenomenon in which the pattern of the edge portion is not sharply patterned as the designed pattern frequently occurs. Therefore, as the patterning of the ITO for the pixel electrode in the specific region is patterned differently from the initial intention, the liquid crystal molecules cannot all be controlled in the desired direction.
이 결과, 원치않게 패터닝된 특정 영역의 화소전극 패턴이 부분적으로 역회전 액정분자 영역을 만듦으로써, 전기장 인가시, 한 화소에서 정상 회전 영역과 역회전 영역이 존재하게 되고, 이로인해, 그 경계면에 디스클리네이션 라인으로 검게 보이는 불량이 발생된다. 통상 이와 같은 디스클리네이션 기인으로 외부 눌림에 반응하여 발생하는 불량을 "그레이 트레이스 무라(Gray Trace Mura)"라 칭한다. As a result, an undesirably patterned pixel electrode pattern of a particular region creates a reverse rotation liquid crystal molecular region, so that when an electric field is applied, a normal rotation region and a reverse rotation region exist in one pixel, and thus, at the interface A defect that looks black with the disclination line is generated. Normally, a defect caused in response to external pressing due to such disclination is referred to as "gray trace mura".
이러한 그레이 트레이스 무라는 액정패널의 표면에 외부적인 힘을 가하거나, 또는, 도 1에 도시된 바와 같이, 터치 채널(11)에서와 같이 아크릴 펜(12)을 이용한 긋기 등의 힘을 가했을 때 가해진 힘의 경로를 따라 특정 그레이 컬러를 띄는 자국이 남게되는 현상을 말한다. 도면부호 14는 그레이 트레이스 무라를 나타낸다. The gray trace mura is applied when an external force is applied to the surface of the liquid crystal panel, or when a force such as flicking using the
자세하게, 도 2 및 도 3a는 종래 FFS 모드 LCD에서의 설계된 전극 패턴 및 실제 형성된 전극 패턴을 도시한 도면으로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상대전극(22)은 박스 타입으로 설계되며, 화소전극(26)은 슬릿 타입으로 설계되었지만, 이러한 설계를 토대로 통상의 포토리소그라피 공정에 따라 ITO로 상대전극 및 화소전극을 패터닝하였을 때, 도 3a에 도시된 바와 같이, 상대전극(32)은 박스 타입 그대로 패터닝되는 반면, 화소전극(36)은 코팅된 포토레지스트의 노광시 상기 포토레지스트의 특성 및 노광된 빛의 조사 특성에 의해 원래 마스크 모양대로 슬릿 끝 부분이 샤프하게 패터닝되지 못하고 둥글게 패터닝된다. In detail, FIGS. 2 and 3A illustrate designed electrode patterns and actual formed electrode patterns in a conventional FFS mode LCD. As shown in FIG. 2, the
이 때문에 둥글게 패터닝된 끝 부분에서 전기장 기인으로 액정분자들(38)이 역회전되는 영역이 존재하며, 이로인해, 패널 투과율이 감소할 뿐만 아니라 패널에의 외부 압력 인가시 외부 힘의 경로를 따라 그레이 트레이스 무라가 발생된다. Because of this, there is a region in which the
도 3b는 도 3a의 A-A'선을 따라 절단하여 도시한 단면도로서, 도시된 바와 같이, 상대전극(32)과 화소전극(36)은 단위 화소 내에서 절연막, 즉, 게이트절연막(33) 및 보호막(35)의 개재하에 적층되어 있다. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3A. As illustrated, the
도 2와 도 3a 및 도 3b에서, 미설명된 도면부호 24 및 34는 데이터버스라인을, 그리고, 30은 유리기판을 각각 나타낸다. 2, 3A, and 3B,
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그레이 트레이스 무라에 자유로운 화소 구조를 갖는 FFS 모드 LCD를 제공함에 그 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an FFS mode LCD having a free pixel structure in a gray trace mura, which is devised to solve the conventional problems as described above.
또한, 본 발명은 그레이 트레이스 무라에 자유롭도록 하므로써 표시 특성을 개선시킨 FFS 모드 LCD를 제공함에 그 다른 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide an FFS mode LCD having improved display characteristics by being free of gray trace mura.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 교차 배열된 게이트버스라인과 데이터버스라인에 의해 한정되는 단위 화소영역 내에 절연막의 개재하에 ITO로 이루어진 박스타입 상대전극과 슬릿타입 화소전극이 배치됨과 아울러, 상기 화소영역 내의 양측 가장자리 각각에 상기 데이터버스라인과 동시에 형성되면서 상기 화소전극의 양측 슬릿 끝단부와 콘택되게 톱니 형상의 보조 화소전극이 배치된 구조를 갖는 하부기판이 블랙매트릭스 및 컬러필터를 구비한 상부기판과 액정층의 개재하에 합착되어 구성된 것을 특징으로 하는 FFS 모드 LCD를 제공한다. In order to achieve the above object, in the present invention, a box-type counter electrode and a slit-type pixel electrode made of ITO are disposed in a unit pixel region defined by a cross-arranged gate bus line and a data bus line. In addition, a lower substrate having a structure in which a sawtooth auxiliary pixel electrode is disposed on both edges of the pixel area at the same time as the data bus line and in contact with both end portions of the slit of the pixel electrode is formed of a black matrix and a color filter. Provided is an FFS mode LCD characterized in that it is bonded to the interposed between the provided upper substrate and the liquid crystal layer.
여기서, 상기 보조 화소전극은 액정의 장축 방향에 대하여 상기 상대전극과 상기 보조 화소전극을 포함한 화소전극 사이에서 발생되는 전기장이 전 영역에서 동일한 예각을 갖도록 하는 모양으로 형성된 것을 특징으로 한다. The auxiliary pixel electrode may be formed in a shape such that an electric field generated between the counter electrode and the pixel electrode including the auxiliary pixel electrode has the same acute angle in all regions with respect to the long axis direction of the liquid crystal.
또한, 본 발명은, 대향 배치된 하부기판과 상부기판; 상기 하부기판 상에 형성된 다수개의 게이트버스라인; 상기 하부기판 상의 화소 예정 영역 각각에 형성된 ITO로 이루어진 박스타입 상대전극; 상기 게이트버스라인과 상대전극을 덮도록 하부기판 전면 상에 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 상에 게이트버스라인과 교차하도록 형성된 다수개의 데이터버스라인; 상기 교차 형성된 게이트버스라인과 데이터버스라인에 의해 한정되는 화소영역 내의 양측 가장자리부 각각에 상기 데이터버스라인과 동시에 형성된 톱니 형상의 보조 화소전극; 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인의 교차부에 형성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터를 포함한 데이트버스라인을 덮도록 하부기판 전면 상에 형성된 보호막; 상기 보호막 상에 양측 슬릿 끝단부가 상기 톱니 모양의 보조 화소전극 상에 배치되도록 형성된 ITO로 이루어진 슬릿타입 화소전극; 상기 상부기판 상에 차례로 형성된 블랙매트릭스와 컬러필터; 및 상기 하부기판과 상부기판 사이에 개재된 액정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 LCD를 제공한다. In addition, the present invention, the lower substrate and the upper substrate disposed opposite; A plurality of gate bus lines formed on the lower substrate; A box type counter electrode formed of ITO formed in each of the pixel predetermined areas on the lower substrate; A gate insulating layer formed on the entire surface of the lower substrate to cover the gate bus line and the counter electrode; A plurality of data bus lines formed to cross gate bus lines on the gate insulating film; A sawtooth auxiliary pixel electrode formed simultaneously with the data bus line at both edge portions of the pixel area defined by the intersecting gate bus line and the data bus line; A thin film transistor formed at an intersection of the gate bus line and the data bus line; A passivation layer formed on the entire surface of the lower substrate to cover the data bus line including the thin film transistor; A slit type pixel electrode made of ITO formed on both sides of the protective film to have both slit end portions disposed on the sawtooth auxiliary pixel electrode; A black matrix and a color filter sequentially formed on the upper substrate; And it provides a FFS mode LCD comprising a liquid crystal layer interposed between the lower substrate and the upper substrate.
(실시예)(Example)
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 본 발명에 따른 FFS 모드 LCD는, 도시하지 않았으나, 다수개의 게이트버스라인과 데이터버스라인이 교차 배열되어 단위 화소를 한정하고 있고, 상기 게 이트버스라인과 데이터버스라인의 교차부에는 박막트랜지스터가 배치되어 있으며, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인에 의해 한정된 화소영역 내에는 ITO로 이루어진 상대전극과 화소전극이 절연막의 개재하에 배치된 구성의 하부기판이 블랙매트릭스 및 각 화소영역에 대응해서 컬러필터를 구비한 상부기판과 액정층의 개재하에 합착되어진 구조를 갖는다. First, the FFS mode LCD according to the present invention, although not shown, a plurality of gate bus lines and data bus lines are arranged to define a unit pixel, the thin film transistor at the intersection of the gate bus line and the data bus line In the pixel region defined by the gate bus line and the data bus line, the lower substrate having a structure in which a counter electrode made of ITO and a pixel electrode are disposed under an insulating film is colored in correspondence with the black matrix and each pixel region. It has a structure bonded to the upper substrate with a filter and the liquid crystal layer interposed.
이와같은 구조에 있어서, 상기 상대전극과 화소전극은 모두 ITO 재질로 이루어지면서 상기 상대전극은 박스타입으로, 그리고, 상기 화소전극은 슬릿타입으로 형성되는데, 종래에는 포토리소그라피 공정을 통해 형성된 실제 화소전극의 슬릿패턴 가장자리부가 설계한 패턴 모양과는 달리 둥글게 패터닝되고, 이로인해, 이 영역에서 액정의 역회전이 일어나 그레이 트레이스 무라를 유발한다. In such a structure, both the counter electrode and the pixel electrode are made of ITO material, the counter electrode is formed in a box type, and the pixel electrode is formed in a slit type. In the related art, an actual pixel electrode formed through a photolithography process is used. Unlike the pattern shape designed by the edge pattern of the slit pattern, the pattern of the slit is rounded, and thus, the reverse rotation of the liquid crystal occurs in this region, which causes the gray trace mura.
이에, 본 발명은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상대전극(42)은 박스타입, 그리고, 화소전극(46)은 슬릿타입의 설계를 그대로 유지하면서 데이터버스라인(44)의 설계시 상기 화소전극(46)의 슬릿패턴 양측 가장자리부 각각에 배치되는 보조 화소전극(47)을 추가로 설계한다.Accordingly, in the present invention, as shown in FIG. 4, the
그리고, 이러한 설계를 통해, 도 5a에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 공정에 따라 화소전극(56)의 슬릿패턴 양측 가장자리부 각각에 배치되는 톱니 모양의 보조 화소전극(57)을 추가 형성해주며, 그리고, 이를 슬릿타입의 화소전극(56)과 콘택시킨다. And, through this design, as shown in Figure 5a, according to the photolithography process to form a sawtooth
도 5b는 도 5a의 B-B'선에 따른 단면도로서, 도시된 바와 같이, 유리기판 (50) 상에 상대전극(52)이 형성되고, 상대전극(52)을 덮도록 게이트절연막(53)이 형성되며, 게이트절연막(53) 상에 데이터버스라인(54)과 보조 화소전극(57)이 형성되고, 이들을 덮도록 보호막(55)이 형성되며, 상기 보호막(55) 상에는 보조 화소전극(57)과 콘택하게 화소전극(56)이 형성됨을 볼 수 있다. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 5A. As illustrated, the
이렇게 하면, 포토리소그라피 공정을 통해 슬릿 구조로 화소전극을 패터닝할 때, 도 5a에 도시된 바와 같이, 비록 슬릿패턴의 가장자리부가 초기 설계된 모양과 달리 둥글게 패터닝되더라도, 보조 화소전극(57)을 포함한 화소전극(56)의 단면은 샤프한 모양, 즉, 원하는 모양을 갖게 되며, 따라서, 상기 보조 화소전극(57)을 포함한 화소전극(56)과 상대전극(52) 사이에서 발생된 전기장에 의해 일부 액정이 역회전되는 현상의 발생없이 액정들(58) 모두를, 예컨데, 반시계 방향으로 회전하도록 제어할 수 있게 되고, 결국, 그레이 트레이스 무라가 발생되지 않는 화소 구조를 얻게 된다. In this way, when the pixel electrode is patterned into the slit structure through the photolithography process, as shown in FIG. 5A, the pixel including the
이때, 상기 액정(58)의 장축 방향과 전기장간의 각도 규정을 통해 그레이 트레이스 무라의 발생을 더욱 방지할 수 있다. 예컨데, 도 6에 도시된 바와 같이, 초기 러빙방향에 의해 결정된 액정(58)의 장축 방향에 대하여 보조 화소전극(57)을 포함한 화소전극(56)과 상대전극(52) 사이에서 발생되는 전기장이 이루는 각도가 전 영역에서 동일한 예각을 갖도록 하면, 역회전 영역이 존재하지 않아 외부 눌림이나 터치 패널에서와 같이 아크릴 펜을 이용한 긋기 등에서도 그레이 트레이스 무라에 더욱 강한 화소 구조를 얻을 수 있다. 따라서, 상기 보조 화소전극(57)의 형성시, 액정의 장축 방향에 대해 전기장이 이루는 각도가 예각을 가질 수 있도록 하는 모양으로 형성함이 바람직하다. At this time, it is possible to further prevent the occurrence of the gray trace mura by defining the angle between the long axis direction of the
이상에서와 같이, 본 발명은 데이터버스라인의 형성시 슬릿패턴 가장자리부에 톱니 모양의 보조 화소전극을 추가 형성해줌으로써 슬릿패턴 가장자리부에서 그레이 트레이스 무라가 발생되는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 액정표시장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다. As described above, the present invention can prevent the gray trace mura from being generated at the edge of the slit pattern by additionally forming a sawtooth auxiliary pixel electrode at the edge of the slit pattern when forming the data bus line. The display characteristics of the display device can be improved.
또한, 본 발명은 눌림에 깅한 패널 구조를 이룰 수 있는 바, 휘도 향상과 시차(parallax) 효과를 줄일 수 있어 테블렛 노트북에서 종이형(paper-like) 표시창을 실현하여 매우 용이하게 펜으로 글씨를 쓰거나 그림을 그려넣도록 할 수 있다. In addition, the present invention can achieve a panel structure that is pressed to the bar, to improve the brightness and to reduce the parallax (parallax effect) to realize a paper-like display window in a tablet notebook very easily to write the text with a pen You can write or draw a picture.
이상, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다. As mentioned above, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040056337A KR100620142B1 (en) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | Fringe field switching mode LCD |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040056337A KR100620142B1 (en) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | Fringe field switching mode LCD |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060007520A true KR20060007520A (en) | 2006-01-26 |
KR100620142B1 KR100620142B1 (en) | 2006-09-19 |
Family
ID=37118757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040056337A KR100620142B1 (en) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | Fringe field switching mode LCD |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100620142B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100914580B1 (en) * | 2006-10-13 | 2009-08-31 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | Liquid crystal display device |
US7773833B2 (en) | 2006-04-20 | 2010-08-10 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulation device |
EP2574979B1 (en) * | 2011-09-29 | 2019-05-01 | HannStar Display Corp. | Fringe field switching liquid crystal display apparatus |
-
2004
- 2004-07-20 KR KR1020040056337A patent/KR100620142B1/en active IP Right Grant
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7773833B2 (en) | 2006-04-20 | 2010-08-10 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulation device |
KR100914580B1 (en) * | 2006-10-13 | 2009-08-31 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | Liquid crystal display device |
US7705948B2 (en) | 2006-10-13 | 2010-04-27 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal display device |
EP2574979B1 (en) * | 2011-09-29 | 2019-05-01 | HannStar Display Corp. | Fringe field switching liquid crystal display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100620142B1 (en) | 2006-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11231605B2 (en) | Display device comprising switchable anti-peeping device with light orientation layer | |
US6678027B2 (en) | Fringe field switching mode LCD | |
JP3793891B2 (en) | Liquid crystal display | |
US20020163604A1 (en) | In plane fringe field switching mode LCD realizing high screen quality | |
JP4600463B2 (en) | Liquid crystal display | |
US8035784B2 (en) | Semi-transmissive liquid crystal display device and manufacturing method of the same | |
US10642103B2 (en) | Display device | |
KR20020028477A (en) | Fringe field switching mode lcd | |
JP2011150021A (en) | In-plane switching liquid crystal display device | |
JP4202062B2 (en) | Liquid crystal display | |
US7528894B2 (en) | LCD having storage capacitor electrodes with wider portions located within triangular areas of pixel regions and with spacers disposed in regions corresponding to the triangular areas to mitigate dark-state light leakage | |
US10527891B2 (en) | Liquid crystal display device with first and second pixel electrodes between first and second source lines | |
JP4159446B2 (en) | Electrode pattern of IPS liquid crystal display element | |
US20060158597A1 (en) | In-plane switching liquid crystal display device | |
KR100827459B1 (en) | In Plane Field Mode Liquid Crystal Display | |
TWI446077B (en) | Pixel structure of fringe field switching mode lcd | |
JP2001235748A (en) | Multi-domain type liquid crystal display device | |
KR100620142B1 (en) | Fringe field switching mode LCD | |
JP4609483B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP3471737B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display | |
KR100507276B1 (en) | Fringe field switching mode lcd device | |
KR101010782B1 (en) | Fringe field switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
KR100653469B1 (en) | Fringe field switching mode lcd having high response time | |
CN115729000A (en) | Display module and display device | |
KR20020085245A (en) | Liquid crystal display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120709 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130711 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160718 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170719 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180724 Year of fee payment: 13 |